8.3.3 光刻-紫外曝光技术
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5
投影式曝光
y 0.61
两像点能分辨最 小间隔
NA
, NA nsiຫໍສະໝຸດ Baidu
数值孔径
D 2f
NA在0.2-0.45之间，取0.4 λ=400nm, δy=0.61μm
第四单元 光刻技术
8.3.3 紫外光曝光技术
接触式曝光 接近式曝光 投影式（步进）曝光
1:1曝光系统
第四单元 光刻技术
4或5倍缩小曝光系统
3
接近式曝光
S≈ 5 μm
第四单元 光刻技术
4
接近式曝光
1 R 2.8 s
s≥5µ m，λ=400nm， a ≥ 2µ m， R=250/mm。
只能用于3µ m工艺
第四单元 光刻技术
1
8.3.3 紫外光曝光技术
光源：主要是UV，DUV 水银弧光灯： i线365nm；h线405nm；g线 436nm 氙汞灯：200-300nm 准分子激光：KrF248nm； 0.35-0.18 µm工艺， ArF193nm，可用于0.13µm 的CMOS工艺
第四单元 光刻技术
2