电力电子器件的比较
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栅极电压控制漏极电流，电压驱动型，驱动功率小
驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高
电流容量小，耐压低
最适合应用于开关电源、高频感应加热等高频场合
绝缘栅双极晶体管
目前，其研制水平已达4500V/1000A
IGBT的开关时间要低于电力MOSБайду номын сангаасET
电压驱动型，驱动功率小
综合了GTR和MOSFET的优点
开关速度低于电力MOSFET,电压电流容量不及GTO
，IGBT已逐步替代GTR成为核心元件
容量
开关频率
驱动方式及驱动功率
优点
缺点
最新发展
门极可关断晶闸管
电压、电流容量较大
目前已达9kV/25kA/800Hz及6Hz/6kA/1kHz的水平
延迟时间一般为1~2us,
下降时间一般小于2us
电流驱动型，驱动功率大
它比普通晶闸管开通过程快，承受的电压能力强。
βOff一般只有5左右
在大功率电力牵引中有明显优势
电力晶体管
耐高压，大电流
600V/3A/100kHz
开关时间在几
电流驱
动型，驱动功率大
具有自关断能力，开关时间短，饱和压降低，安全工作区宽
驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏
GTR正逐步被功率MOSFET和IGBT所代替
电力场效应晶体管
电流容量小
60V/200A/2MHz
开关时间在10~100ns之间
驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高
电流容量小，耐压低
最适合应用于开关电源、高频感应加热等高频场合
绝缘栅双极晶体管
目前，其研制水平已达4500V/1000A
IGBT的开关时间要低于电力MOSБайду номын сангаасET
电压驱动型，驱动功率小
综合了GTR和MOSFET的优点
开关速度低于电力MOSFET,电压电流容量不及GTO
，IGBT已逐步替代GTR成为核心元件
容量
开关频率
驱动方式及驱动功率
优点
缺点
最新发展
门极可关断晶闸管
电压、电流容量较大
目前已达9kV/25kA/800Hz及6Hz/6kA/1kHz的水平
延迟时间一般为1~2us,
下降时间一般小于2us
电流驱动型，驱动功率大
它比普通晶闸管开通过程快，承受的电压能力强。
βOff一般只有5左右
在大功率电力牵引中有明显优势
电力晶体管
耐高压，大电流
600V/3A/100kHz
开关时间在几
电流驱
动型，驱动功率大
具有自关断能力，开关时间短，饱和压降低，安全工作区宽
驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏
GTR正逐步被功率MOSFET和IGBT所代替
电力场效应晶体管
电流容量小
60V/200A/2MHz
开关时间在10~100ns之间