PS21867
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加在 P-N 之间的电压 加在驱动电源侧 加在驱动电源侧 输入信号的频率 防止上下臂直接短路
－ － 1.65 C/W － － 3.0 C/W
300 400 V
13.5 15.0 16.5 V
13.5 15 18.5 V
-----
5 --- KHZ
≥ 2.0 uS
接口推荐：
1. 为了系统稳定安全，建议使用光耦隔离方式； 2. 电源是整个变频系统的心脏，所以建议使用 4 组隔离电源 JS158 供给 IPM； 3. 吸收电容是消除 DV/DT 浪涌电压的关键元件，建议 CDE941 系列吸收电容； 4. 主电路的滤波电容是整个变频器的容量储存介质，建议使用等容量电解并联使用。
PS21867 （低价热销中…）
封装尺寸：（单位：mm）
A：79±0.5
B：31±0.5 C：7±0.5 D：67±0.3
L: 20±0.3 M: 12.8±1 N: 75.6 P: 1
E：13.4±0.5
Q:4。5±0。2
F：21.4±0.5
R: 1.9±0.05
G：34.9±0.5
H：3.8±0.2
推荐使用： 1. JS158 是 8 路隔离反激式 60W 开关电源，几乎囊括所有变频器所需要的电源。用户可
以用他轻松构建自己的系统电源； 2. 4504 全称：HCPL4504，是 IPM 专用的美国安捷伦高速光耦，瞬时隔离达 15KV/uS； 3. PC817：夏普的通用型低速光耦； 4. 吸收电容：美国 CDE941 系列，吸收浪涌效果显著，确保 IPM 不会因为高 DV/DT 而
13：VWFS（W 组驱动电源地） 14： VN1（下三桥控制电源正极）
15：VNC (下三桥控制电源地)
16：CIN（短路电压采样） 17：CFO（故障输出脉宽设置） 18：FO（故障输出） 19：UN（U 组下桥信号输入） 20: VN（V 组下桥信号输入） 21: WN（W 组下桥信号输入） 22: P（直流母线正极） 23: U（U 组输出） 24: V（V 组输出） 25: W（W 组输出） 26: N（直流母线地） 27-41: NC（不接）
z 采用第五代低功耗 IGBT 管芯； z 超小型体积； z 工业级使用标准； z 高电平触发有效 z 2.2KW 电机适用 z 超小型体积，仅重 65 克
应用领域：
z UPS z 变频器 z 电机/司服 控制 z 变频家电
上海市老沪闵路 2060 号方多大厦 A408-410 TEL:021-64973632 FAX:021-64973672
tfo
CFO=22nF
2.1 2.3 2.6 V 0.8 1.4 2.1 V 4.9 － --- V － --- 0.9 V 1.0 1.8 － mS
热阻特性
变频部分瞬态热组 Rth
Rth
推荐工作参数
直流母线电压
Vcc
驱动电压
VD
控制电压
VDB
载波频率
fpwm
死区时间
Td
每只 IGBT 部分 续流二极管部分
该使用强迫风冷。推荐使用 JS 系列散热器，0607 合金铝，面积为 180*120； 9. 过热保护：此款 IPM 不具有过热保护能力，考虑到温升和环境温度，设计过热保护我
们推荐温度探头 T255； 10. 反相器应使用 74LS14 系列，为保证信号线足够的短（<=2cm）推荐单独一路的贴片型
5 脚集成电路； 11. 整流桥：嘉尚公司推荐使用 CELL 型桥堆，发热量小，效率高，耐冲击电流大。
最大额定值：
定义对象
功率器件的结温 储存温度 环境温度 过压保护值 绝缘耐压 IGBT 变频侧 集电极-发射极电压 直流母线浪涌 集电极电流（Ｔc=25） 集电极峰值电流（Ｔc=25） 集电极功耗（Ｔc=25） 控制侧 控制电压 驱动电压 输入信号 故障输出信号电压 故障输出信号电流 电流采样输入电压
符号
Tj Tstg Tc Vcc(prot)
Viso
最大额定值
-20-125 -40-125 -20-100
400 2500
Vces
600
Vc（c surge）
500
±Ic
30
±Icp
60
Pc
52.6
VD
20
VDB
20
Vin
-0.5-VDV±0.5
VFO
-0.5-VDV±0.5
IFO
1
Vsc
-0.5-VDV±0.5
S:1.0±0.2 T: 0.5
J：2.8±0.3
U: 1.6±0.5
K: 10±0.3
V: 1.7±0.05
W:0.8±0.2 X:11.5±0.5 Y: 3.25 Z: 0.7 AA: 4.5 BB: 3.1 CC: 0.6 DD: 1.85
外部尺寸
上海市老沪闵路 2060 号方多大厦 A408-410 TEL:021-64973632 FAX:021-64973672
trr VD=15V,VCIN=0-15V,Ic=25A,Tj=125℃ － 0.3 ---- μs
tc(on)
Vcc=600V
－ 0.4 0.6 μs
toff
－ 1.7 2.4 μs
tc off
－ 0.5 0.8 μs
VD 电压加在：Vp1-Vpc, Vn1-Vnc
13.5 15 16.5 V
上海市老沪闵路 2060 号方多大厦 A408-410 TEL:021-64973632 FAX:021-64973672
单位 ℃ ℃ ℃ V V
V V A A W
V V V V mA V
机械和电气特性：
定义对象 IGBT 变频侧
集电极－发射极关断电流
二极管正向电压
饱和压降 开关时间
控制侧 控制电压
符
测试条件
号
最典 小型 值值
最 大单 值位
Ices VCE=VCES,VD=15V,Tj=25℃ VCE=VCES,VD=15V,Tj=125℃
以上所有器件上海嘉尚公司均有代理，欢迎订购。
上海市老沪闵路 2060 号方多大厦 A408-410 TEL:021-64973632 FAX:021-64973672
产品概述：
该款智能功率模块采用第 5 代 IGBT 工艺，内置优化后的 栅级驱动和保护电路，以不可思议的超小型体积，输出功率 强劲的三相波形。使用该款产品不仅让工程师节省宝贵的开 发时间而且减小产品体积以赢得市场青睐。
产品特点：
z 完整的功率输出电路，直接连接负载。 z 内置栅极驱动电路。
z -短路保护； -驱动电压欠压保护；
损坏。 5. 滤波电容：推荐使用 105 度 120HZ 的长寿命电解电容；建议同容量电容并联使用； 6. 取样电阻：必须使用无感功率电阻，型号为：R***。例：PS21564 即：R564； 7. 导热硅脂：确保表面长期不干才能有效散热。推荐使用 TLZ 系列； 8. 散热器：1.5KW 以下变频器使用自然冷却就可以稳定温升，对于 1.5KW 以上变频器应
5. 详细参数请参阅上海嘉尚编制的 IPM 设计手册光盘。
上海市老沪闵路 2060 号方多大厦 A408-410 TEL:021-64973632 FAX:021-64973672
电源接口原理图
信号接口原理图
上海市老沪闵路 2060 号方多大厦 A408-410 TEL:021-64973632 FAV
UV
触发式测试，TJ-125
10.3 ---
12.5 V
UV
复位测试，TJ-125
10.8 ---- 13 V
ID VD=VDB=15V,VCIN=5V,WN-VNC(下三桥总耗 － -- 5
mA
电流)
VD=VDB=15V,VCIN=0V,Vp1-Vpc,Vn1-Vnc(下三 － --- 7
VEC Ic=25A,Vcin=15V,VD=15V
Vsat VD=15V,VCIN=0V,Ic=25A,Tj=25℃ VD=15V,VCIN=0V,Ic=25A,Tj=125℃
－ － 1.0 mA － － 10 mA － 1.5 2.0 V － 1.6 2.1 V － 1.7 2.2 V
Ton
0.7 1.3 1.9 μs
驱动电压 短路保护值 驱动电压欠压保护
驱动电流
输入“打开”阈值 输入“关闭”阈值
故障输出电压 故障输出脉宽
VDB 电压加在：VFB-VFS 上
13.5 15 18.5 V
VSC
VD=15V，Tj=25,
0.43 0.48 0.53 V
UV
触发式测试,Tj-125
10 --- 12 V
UV
复位测试，TJ-125
mA
桥总耗电流)
VD=VDB=15V,VCIN=5V,上三桥驱动电压电流 --- --- 0.4 mA
VD=VDB=15V,VCIN=0V,上三桥驱动电压电流 --- --- 0.55 mA
Von
Voff 加在输入信号端与地之间的电压
VH VSC=0V, 如果上拉 10K 电阻到 5V
VL
Vsc=1V,I fo+1mA
控制端口定义：
1：UP（U 组信号输入） 2：Vp1（U 组控制电源正极） 3：VUFB（U 组驱动电源正极） 4：VUFS（U 组驱动电源地） 5：VP（V 组信号输入） 6：VP1（V 组控制电源正极） 7：VVFB（V 组驱动电源正极） 8：VVFS（V 组驱动电源地） 9：WP（W 组信号输入） 10：VP1（W 组控制电源输入） 11：VPC（W 组控制电源地） 12：VWFB（W 组驱动电源正极）
－ － 1.65 C/W － － 3.0 C/W
300 400 V
13.5 15.0 16.5 V
13.5 15 18.5 V
-----
5 --- KHZ
≥ 2.0 uS
接口推荐：
1. 为了系统稳定安全，建议使用光耦隔离方式； 2. 电源是整个变频系统的心脏，所以建议使用 4 组隔离电源 JS158 供给 IPM； 3. 吸收电容是消除 DV/DT 浪涌电压的关键元件，建议 CDE941 系列吸收电容； 4. 主电路的滤波电容是整个变频器的容量储存介质，建议使用等容量电解并联使用。
PS21867 （低价热销中…）
封装尺寸：（单位：mm）
A：79±0.5
B：31±0.5 C：7±0.5 D：67±0.3
L: 20±0.3 M: 12.8±1 N: 75.6 P: 1
E：13.4±0.5
Q:4。5±0。2
F：21.4±0.5
R: 1.9±0.05
G：34.9±0.5
H：3.8±0.2
推荐使用： 1. JS158 是 8 路隔离反激式 60W 开关电源，几乎囊括所有变频器所需要的电源。用户可
以用他轻松构建自己的系统电源； 2. 4504 全称：HCPL4504，是 IPM 专用的美国安捷伦高速光耦，瞬时隔离达 15KV/uS； 3. PC817：夏普的通用型低速光耦； 4. 吸收电容：美国 CDE941 系列，吸收浪涌效果显著，确保 IPM 不会因为高 DV/DT 而
13：VWFS（W 组驱动电源地） 14： VN1（下三桥控制电源正极）
15：VNC (下三桥控制电源地)
16：CIN（短路电压采样） 17：CFO（故障输出脉宽设置） 18：FO（故障输出） 19：UN（U 组下桥信号输入） 20: VN（V 组下桥信号输入） 21: WN（W 组下桥信号输入） 22: P（直流母线正极） 23: U（U 组输出） 24: V（V 组输出） 25: W（W 组输出） 26: N（直流母线地） 27-41: NC（不接）
z 采用第五代低功耗 IGBT 管芯； z 超小型体积； z 工业级使用标准； z 高电平触发有效 z 2.2KW 电机适用 z 超小型体积，仅重 65 克
应用领域：
z UPS z 变频器 z 电机/司服 控制 z 变频家电
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tfo
CFO=22nF
2.1 2.3 2.6 V 0.8 1.4 2.1 V 4.9 － --- V － --- 0.9 V 1.0 1.8 － mS
热阻特性
变频部分瞬态热组 Rth
Rth
推荐工作参数
直流母线电压
Vcc
驱动电压
VD
控制电压
VDB
载波频率
fpwm
死区时间
Td
每只 IGBT 部分 续流二极管部分
该使用强迫风冷。推荐使用 JS 系列散热器，0607 合金铝，面积为 180*120； 9. 过热保护：此款 IPM 不具有过热保护能力，考虑到温升和环境温度，设计过热保护我
们推荐温度探头 T255； 10. 反相器应使用 74LS14 系列，为保证信号线足够的短（<=2cm）推荐单独一路的贴片型
5 脚集成电路； 11. 整流桥：嘉尚公司推荐使用 CELL 型桥堆，发热量小，效率高，耐冲击电流大。
最大额定值：
定义对象
功率器件的结温 储存温度 环境温度 过压保护值 绝缘耐压 IGBT 变频侧 集电极-发射极电压 直流母线浪涌 集电极电流（Ｔc=25） 集电极峰值电流（Ｔc=25） 集电极功耗（Ｔc=25） 控制侧 控制电压 驱动电压 输入信号 故障输出信号电压 故障输出信号电流 电流采样输入电压
符号
Tj Tstg Tc Vcc(prot)
Viso
最大额定值
-20-125 -40-125 -20-100
400 2500
Vces
600
Vc（c surge）
500
±Ic
30
±Icp
60
Pc
52.6
VD
20
VDB
20
Vin
-0.5-VDV±0.5
VFO
-0.5-VDV±0.5
IFO
1
Vsc
-0.5-VDV±0.5
S:1.0±0.2 T: 0.5
J：2.8±0.3
U: 1.6±0.5
K: 10±0.3
V: 1.7±0.05
W:0.8±0.2 X:11.5±0.5 Y: 3.25 Z: 0.7 AA: 4.5 BB: 3.1 CC: 0.6 DD: 1.85
外部尺寸
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trr VD=15V,VCIN=0-15V,Ic=25A,Tj=125℃ － 0.3 ---- μs
tc(on)
Vcc=600V
－ 0.4 0.6 μs
toff
－ 1.7 2.4 μs
tc off
－ 0.5 0.8 μs
VD 电压加在：Vp1-Vpc, Vn1-Vnc
13.5 15 16.5 V
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单位 ℃ ℃ ℃ V V
V V A A W
V V V V mA V
机械和电气特性：
定义对象 IGBT 变频侧
集电极－发射极关断电流
二极管正向电压
饱和压降 开关时间
控制侧 控制电压
符
测试条件
号
最典 小型 值值
最 大单 值位
Ices VCE=VCES,VD=15V,Tj=25℃ VCE=VCES,VD=15V,Tj=125℃
以上所有器件上海嘉尚公司均有代理，欢迎订购。
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产品概述：
该款智能功率模块采用第 5 代 IGBT 工艺，内置优化后的 栅级驱动和保护电路，以不可思议的超小型体积，输出功率 强劲的三相波形。使用该款产品不仅让工程师节省宝贵的开 发时间而且减小产品体积以赢得市场青睐。
产品特点：
z 完整的功率输出电路，直接连接负载。 z 内置栅极驱动电路。
z -短路保护； -驱动电压欠压保护；
损坏。 5. 滤波电容：推荐使用 105 度 120HZ 的长寿命电解电容；建议同容量电容并联使用； 6. 取样电阻：必须使用无感功率电阻，型号为：R***。例：PS21564 即：R564； 7. 导热硅脂：确保表面长期不干才能有效散热。推荐使用 TLZ 系列； 8. 散热器：1.5KW 以下变频器使用自然冷却就可以稳定温升，对于 1.5KW 以上变频器应
5. 详细参数请参阅上海嘉尚编制的 IPM 设计手册光盘。
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电源接口原理图
信号接口原理图
上海市老沪闵路 2060 号方多大厦 A408-410 TEL:021-64973632 FAV
UV
触发式测试，TJ-125
10.3 ---
12.5 V
UV
复位测试，TJ-125
10.8 ---- 13 V
ID VD=VDB=15V,VCIN=5V,WN-VNC(下三桥总耗 － -- 5
mA
电流)
VD=VDB=15V,VCIN=0V,Vp1-Vpc,Vn1-Vnc(下三 － --- 7
VEC Ic=25A,Vcin=15V,VD=15V
Vsat VD=15V,VCIN=0V,Ic=25A,Tj=25℃ VD=15V,VCIN=0V,Ic=25A,Tj=125℃
－ － 1.0 mA － － 10 mA － 1.5 2.0 V － 1.6 2.1 V － 1.7 2.2 V
Ton
0.7 1.3 1.9 μs
驱动电压 短路保护值 驱动电压欠压保护
驱动电流
输入“打开”阈值 输入“关闭”阈值
故障输出电压 故障输出脉宽
VDB 电压加在：VFB-VFS 上
13.5 15 18.5 V
VSC
VD=15V，Tj=25,
0.43 0.48 0.53 V
UV
触发式测试,Tj-125
10 --- 12 V
UV
复位测试，TJ-125
mA
桥总耗电流)
VD=VDB=15V,VCIN=5V,上三桥驱动电压电流 --- --- 0.4 mA
VD=VDB=15V,VCIN=0V,上三桥驱动电压电流 --- --- 0.55 mA
Von
Voff 加在输入信号端与地之间的电压
VH VSC=0V, 如果上拉 10K 电阻到 5V
VL
Vsc=1V,I fo+1mA
控制端口定义：
1：UP（U 组信号输入） 2：Vp1（U 组控制电源正极） 3：VUFB（U 组驱动电源正极） 4：VUFS（U 组驱动电源地） 5：VP（V 组信号输入） 6：VP1（V 组控制电源正极） 7：VVFB（V 组驱动电源正极） 8：VVFS（V 组驱动电源地） 9：WP（W 组信号输入） 10：VP1（W 组控制电源输入） 11：VPC（W 组控制电源地） 12：VWFB（W 组驱动电源正极）