IRF540N
超声波加湿器电路图
超声波加湿器电路图简介超声波加湿器是一种利用超声波技术将水变成水蒸气的设备。
它通过高频率的振动产生微小的水滴，然后将这些水滴散布到空气中，从而达到加湿的目的。
本文将介绍超声波加湿器的电路图和原理。
原理超声波加湿器的核心部件是超声波振动器。
振动器由一个压电陶瓷片和一个金属薄膜组成。
当施加电压时，陶瓷片会发生振动。
这种振动会产生超声波，在水面上产生涟漪，并将水面上的水滴颗粒化，从而形成水雾。
超声波加湿器电路图如下：_________________________| ___________________ || | Transistor | || | ________ ______| || | |_IRF540N ||15V_ | || | |________||___| | || | ___________________| | | _ ||___| __|___ H | | ||| LM358 |____J C | | |||________|____|__|| ||1.5KΩ ADC Pin A0 ||_____________________|说明：•Transistor：晶体管，IRF540N型号。
•15V：电压大小。
•LM358：放大器芯片。
•A0：AD转换电路的输入引脚，用于将模拟信号转换为数字信号。
•J：超声波发射器。
•H：水位探测器。
超声波加湿器的控制电路采用了单片机进行控制。
单片机通过AD转换将水位高度转换成数字信号，然后根据数字信号调整超声波振动器的频率和电压，从而控制水雾的量。
另外，超声波加湿器还采用了水位探测器，用于检测水位的高低。
当水位低于一定值时，加湿器会自动停止工作，避免烧毁超声波振动器。
超声波加湿器是一种重要的家用电器，可以有效地改善室内空气的湿度，从而保持身体健康。
本文介绍了超声波加湿器电路图和原理，希望读者能够对该设备有更深入的了解。
irf540nspbf中文资料
IRF540NSPbF IRF540NLPbFHEXFET ® Power MOSFET3/18/04 1Advanced HEXFET ® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.The D 2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The D 2Pak is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.The through-hole version (IRF540NL) is available for low-profile applications.lAdvanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Ratingl 175°C Operating Temperature l Fast Switchingl Fully Avalanche Rated l Lead-Free DescriptionAbsolute Maximum RatingsParameterMax.UnitsI D @ T C= 25°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V 33I D @ T C = 100°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V 23A I DMPulsed Drain Current 110P D @T C = 25°C Power Dissipation 130W Linear Derating Factor 0.87W/°C V GS Gate-to-Source Voltage ± 20V I AR Avalanche Current16A E AR Repetitive Avalanche Energy 13mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt 7.0V/ns T J Operating Junction and-55 to + 175T STGStorage Temperature RangeSoldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case )°CMounting torque, 6-32 or M3 srew10 lbf•in (1.1N•m)D 2Pak IRF540NSPbF TO-262IRF540NLPbFParameterTyp.Max.UnitsR θJC Junction-to-Case––– 1.15R θJAJunction-to-Ambient (PCB mount)**–––40Thermal Resistance°C/WPD - 95130IRF540NS/LPbFSource-Drain Ratings and CharacteristicsRepetitive rating; pulse width limited bymax. junction temperature. (See fig. 11) Starting T J = 25°C, L =1.5mHR G = 25Ω, I AS = 16A. (See Figure 12)I SD ≤ 16A , di/d t ≤ 340A/µs, V DD ≤ V (BR)DSS , T J ≤ 175°CPulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%.Notes:This is a typical value at device destruction and represents operation outside rated limits.This is a calculated value limited to T J = 175°C . Uses IRF540N data and test conditions.**When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material). For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)IRF540NS/LPbF 3Fig 4. Normalized On-ResistanceVs. TemperatureIRF540NS/LPbFFig 8. Maximum Safe Operating AreaGate-to-Source VoltageDrain-to-Source Voltage Fig 7. Typical Source-Drain DiodeForward Voltage1101001000V DS , Drain-toSource Voltage (V)0.11101001000I D , D r a i n -t o -S o u r c e C u r r e n t (A )IRF540NS/LPbF 5Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-CaseCase TemperatureV V d(on)rd(off)fV DDFig 10a. Switching Time Test CircuitFig 10b. Switching Time WaveformsIRF540NS/LPbF6VDSCurrent Sampling ResistorsV GSFig 13b. Gate Charge Test CircuitFig 13a. Basic Gate Charge Waveform Fig 12b. Unclamped Inductive WaveformsI ASFig 12c. Maximum Avalanche EnergyVs. Drain CurrentV DDIRF540NS/LPbF 7Peak Diode Recovery dv/dt Test CircuitV DD* Reverse Polarity of D.U.T for P-ChannelV GS*** V GS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices Fig 14. For N-channel HEXFET ® power MOSFETsTO-262 Package OutlineIRF540NS/LPbFData and specifications subject to change without notice.This product has been designed and qualified for the industrial market.Qualification Standards can be found on IR’s Web site.IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105TAC Fax: (310) 252-7903Visit us at for sales contact information .03/04344TRRFEED DIRECTION1.85 (.073)1.65 (.065)1.60 (.063)1.50 (.059)4.10 (.161)3.90 (.153)TRLFEED DIRECTION 10.90 (.429)10.70 (.421)16.10 (.634)15.90 (.626)1.75 (.069)1.25 (.049)11.60 (.457)11.40 (.449)15.42 (.609)15.22 (.601)4.72 (.136)4.52 (.178)24.30 (.957)23.90 (.941)0.368 (.0145)0.342 (.0135)1.60 (.063)1.50 (.059)13.50 (.532)12.80 (.504)330.00(14.173) MAX.27.40 (1.079)23.90 (.941)60.00 (2.362) MIN.30.40 (1.197) MAX.26.40 (1.039)24.40 (.961)NOTES :1. COMFORMS TO EIA-418.2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.3. DIMENSION MEASURED @ HUB.4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.D 2Pak Tape & Reel InfomationDimensions are shown in millimeters (inches)/package/。
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料常用的全系列场效应管MOS管型号参数封装资料有很多，以下是一些常见的型号和参数封装资料：1.IRF3205IRF3205是一种常见的N沟道MOSFET管，栅极电压为20V，漏极电流为110A，最大功耗为200W，电阻为8mΩ。
2.IRF4905IRF4905是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为55V，漏极电流为74A，最大功耗为200W，电阻为0.02Ω。
3.IRF540NIRF540N是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为100V，漏极电流为33A，最大功耗为150W，电阻为0.077Ω。
4.IRF520IRF520是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为100V，漏极电流为9.2A，最大功耗为75W，电阻为0.27Ω。
5.IRLB3034PBFIRLB3034PBF是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为40V，漏极电流为195A，最大功耗为200W，电阻为1.4mΩ。
6.IRL540IRL540是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为100V，漏极电流为28A，最大功耗为150W，电阻为0.05Ω。
这些型号的MOSFET管通常都具有三个主要的参数，即栅极电压（Vgs），漏极电流（Id），以及最大功耗（Pd）或电阻（Rds(on)）。
栅极电压指的是在正常操作时栅极和源极之间的电压，超过这个电压可能会损坏器件。
漏极电流指的是从漏极流出的最大电流，超过这个电流可能会损坏器件。
最大功耗或电阻指的是在正常操作时器件能够承受的最大功耗或电阻。
此外，还有一些其他的参数可以帮助选择合适的MOSFET管，例如电流增益（hfe）和恢复时间（tr、tf）。
电流增益是指当栅极电压变化时，漏极电流的变化率。
恢复时间指的是从开关状态到非开关状态的时间。
这些型号的封装通常包括TO-220、TO-262、D2PAK、TO-247等。
每种封装都有其自身的特点和适用范围，需要根据具体的应用来选择合适的封装。
MOS管的导通条件
IRF540N的导通起控电压为2-4V，GS极之间最高电压不能超过20V，
质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通（内阻最小），所以使用
时如果有脉动或尖峰电压时，最好在GS两极之间接入一12-15V的快
速稳压管。我曾经测试过几十万只这种场效应管，质量最好的是美国
IR和HARRIS公司出品的管子，参数的一致性相当地好。
MOS管导通特性
导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，
只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接VCC时的情况(高端驱动)。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电
mos管参数解读
mos管参数解读MOS管（MOSFET）是一种基础电子元器件，广泛应用于电子线路中。
在使用MOS管时，需要了解它的一些参数，以便正确选择和使用。
第一步：了解MOS管的型号。
MOS管根据其工作方式和内部结构的不同，可以分为N沟道型和P沟道型两种。
常见的MOS管型号有IRF150N、IRFZ44N、IRF540N等。
其中IRF表示国际整流器厂商（International Rectifier），150N是该型号的电流和电压额定值。
第二步：了解MOS管的参数。
1. 额定电流（Continuous Drain Current）：表示MOSFET稳态下最大允许通过电流的值，一般以DC电流为准，单位是安培（A）。
2. 额定电压（Drain-Source Voltage）：表示MOSFET稳态下最大允许的电压值，一般以DC电压为准，单位是伏特（V）。
3. Threshold Voltage：表示MOSFET导通的起始电压，一般以DC电压为准，单位是伏特（V）。
4. 动态电阻（On-Resistance）：表示MOSFET通电时的电路电阻值，单位是欧姆（Ω），这个值越小表示MOSFET的导通能力越好。
5. 最大功率（Maximum Power Dissipation）：表示MOSFET可以承受的最大功率，一般以热阻为参考单位（单位是摄氏度/W）。
6. 端子电容（Input Capacitance）：表示MOSFET内部的电容值，一般以PF为单位，这个参数越小表示MOSFET对高频信号的响应能力越好。
第三步：正确选择MOS管。
根据实际需求来选择适合的MOS管，一般需要考虑电压、电流、功率等参数的匹配，以及MOS管的配置、散热等因素。
总结以上就是关于MOS管参数的解读，通过对MOS管的型号和参数有了更深的了解后，我们可以更加准确地选择和使用MOS管，提高电路的稳定性和可靠性。
IRFI540N中文资料
VDD = 25V, starting TJ = 25°C, L = 2.0mH
RG = 25Ω, IAS = 16A. (See Figure 12)
ISD ≤ 16A, di/dt ≤ 210A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS,
TJ ≤ 175°C
元器件交易网
Max.
20 14 110 54 0.36 ±20 300 16 5.4 5.0 -55 to + 175 300 (1.6mm from case) 10 lbf•in (1.1N•m)
Units
A W W/°C V mJ A mJ V/ns °C
Thermal Resistance
Parameter
V D S , D rain-to-S o urc e V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
3.0
R D S (on ) , D rain-to-S ource O n R esistance (N orm alized)
IRFI540N
1000
VGS 15V 10V 8.0V 7.0V 6.0V 5.5V 5.0V BOTTOM 4.5V TOP
1000
I , D ra in-to-S ou rce C urren t (A ) D
I , D rain-to-S ource C urrent (A ) D
VGS 15V 10V 8.0V 7.0V 6.0V 5.5V 5.0V BOTTOM 4.5V TOP
I D = 27A
IRF540N设计个开关电路图
IRF540N设计个开关电路图
N沟道MOS管
负载串在漏极，源极接地，栅极用10V左右电压控制，记得栅极要加下拉电阻。
5V电压稍低，540可能不会完全导通。
如何用单片机5v控制24v3A电路的通断，手上有IRF540N。
求一个详细的电路图！感激不尽
IRF540N阈值电压 Vgs th 典型值:4V，保证其工作在开关状态，要求VGS至少大于4.5以上（跟所需求的负载电流有关）。
5v单片机的输出口接口高电平，当负载电流小于10uA时输出电压为4.5V，当负载电流300uA时输出电压为3.75V。
因此如果要用IO口直接驱动IRF540N，需保证IO口负载电流在10uA以下才符合工程设计的需求。
给出示意图，供参考
追问
网上有的说irf540n的驱动电压要10v，是这样的吗？
回答
这个是大电流输出时候的VGS要求，其最大电流可以达到33A。
你目前只有3A，按照我给你的电路图能够驱动。
指标是有相对性的，最有效的办法是看器件的参数曲线。
P沟道的管子使用的时候你只需要记住几件事情：
当栅极（G）的电压比漏极的电压(D)小5V以上（有的管子可以更低），管子就开始导通，压差越大，G和S（源极）之间的电阻就越小，损耗也就越小，但是不能太大。
还有一件事情就是G和S之间的最大耐压，元器件手册上有说明。
最后就是G和S之间容许通过的最大电流，这个元器件手册上写的也很清楚。
说的够明白了。
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资1.IRF系列：IRF540N、IRF840、IRF3205等IRF系列是一种N沟道MOS管，具有低电源电流和高开关速度特点，可以工作在高频率下。
常用的封装有TO-220、TO-247、D2-Pak等。
-IRF540N参数：导通电阻：0.077Ω最大耗散功率：150W最大漏电流：50μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：49nC-IRF840参数：导通电阻：0.85Ω最大耗散功率：125W最大漏电流：10μA最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：90nC-IRF3205参数：导通电阻：8mΩ最大耗散功率：110W最大漏电流：250μA最大栅源电压：20V最大漏源电压：55V最大栅极电荷：75nC2.IRFP系列：IRFP250N、IRFP460等IRFP系列是一种P沟道MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合高频率下的应用。
常用的封装有TO-247、TO-3P等。
-IRFP250N参数：导通电阻：0.095Ω最大耗散功率：200W最大漏电流：250μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：200V最大栅极电荷：73nC-IRFP460参数：导通电阻：0.27Ω最大耗散功率：180W最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：123nC3.IRL系列：IRL540N、IRL3713等IRL系列是一种低电平驱动的MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合低电平驱动电路。
常用的封装有TO-220、D2-Pak等。
-IRL540N参数：导通电阻：0.054Ω最大耗散功率：120W最大漏电流：50μA最大栅源电压：55V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：32nC-IRL3713参数：导通电阻：7.5mΩ最大耗散功率：60W最大漏电流：50μA最大栅源电压：20V最大栅极电荷：20nC以上是常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资的介绍，不同型号的MOS管具有不同的特点和适用场景，用户可以根据实际需求选择适合的型号和封装方式。
逆变器常用场效应管
逆变器中常用的场效应管有IRF510、IRFP240和IRF540N等。
这些场效应管的特点如下：
1. IRF510是一款互补和功率场效应管，常用于逆变器中。
它的特点是开关速度快，失真小，输出电容低等。
2. IRFP240是一款功率MOSFET，具有低导通电阻、高峰值承受电压、良好的开关速度和线性性等特点。
逆变器通常使用IRFP240组成全桥逆变器。
3. IRF540N是一款N沟道MOSFET，具有大电流承受能力、低导通电阻、高开关速度和可靠性好等特点。
其在逆变器中常用于低功率应用。
此外，MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）也是逆变器中常用的场效应管之一。
它由三个主要部分组成：栅极、漏极和源极。
MOSFET的特点是在低电压下具有极高的输入电阻，开关速度快，因此被广泛应用于逆变器中。
MOSFET适用于低电压、高频率应用，并且在低电平控制下具有较低的开关损耗。
由于MOSFET的阻值较低，可用于处理高电流，同时也不易受温度变化的影响。
MOSFET的主要缺点是需要较高的驱动电压，并且容易出现电路共振问题。
以上信息仅供参考，如果您还想了解更多信息，建议查阅专业
电子书籍或咨询专业人士。
IRF540中文资料_数据手册_参数
1500
1000 500 0 1
Coss
Crss
10
100
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs. Drain-to-Source Voltage
Parameter Drain-to-Source Breakdown Voltage Breakdown Voltage Temp. Coefficient Static Drain-to-Source On-Resistance Gate Threshold Voltage Forward Transconductance
Thermal Resistance
RθJC RθCS RθJA
Parameter Junction-to-Case Case-to-Sink, Flat, Greased Surface Junction-to-Ambient
PD - 94812
IRF540NPbF
HEXFET® Power MOSFET
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.
1A)
TJ = 25°C 100
IRF系列场效应管参数代换1
IRF5305 -55 0.06 -31 110 TO-220AB 2SJ349 IR
IRF5305L -55 0.06 -31 110 TO-262 2SJ401 IR
IRF540S 100 0.077 28 150 D2PAK 2SK2789 IR
IRF541(R) 80 0.077 28 -TO-220AB 2SK2314 Harris
IRF542(R) 100 0.1 25 -TO-220AB 2SK2314 Harris
IRF622(R) 200 1.2 4 -TO-220AB 2SK2381 Harris
IRF623(R) 150 1.2 4 -TO-220AB 2SK2381 Harris
IRF612(R) 200 2.4 2.6 -TO-220AB 2SK2381 Harris
IRF613(R) 150 2.4 2.6 -TO-220AB 2SK2381 Harris
IRF614 250 2 2.7 36 TO-220AB 2SK2840 IR
IRF522(R) 100 0.36 8 -TO-220AB -Harris
IRF523(R) 80 0.36 8 -TO-220AB 2SK2399 Harris
IRF530 100 0.16 14 88 TO-220AB 2SK2314 IR
IRF620S 200 0.8 5.2 50 D2PAK 2SK2920 IR
IRF621(R) 150 0.8 5 -TO-220AB 2SK2381 Harris
IRF6215 -150 0.29 -11 83 TO-220AB -IR
单片机 mos管常用型号
单片机 mos管常用型号
《单片机MOS管常用型号及其应用》。
在现代电子设备中，单片机作为控制核心，扮演着至关重要的角色。
而MOS管作为单片机中的关键元件之一，其型号的选择和应用对整个系统的性能和稳定性有着重要的影响。
下面我们将介绍一些常用的单片机MOS管型号及其应用。
1. IRF540N.
IRF540N是一款常用的N沟道MOS场效应管，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
它在单片机驱动电机、灯光控制和直流电源开关等方面有着广泛的应用。
2. IRF3205。
IRF3205是一款N沟道MOS场效应管，具有较低的导通电阻和较高的耐压能力。
它在单片机驱动大功率负载、电源逆变器和电动车控制系统等领域有着重要的应用。
3. 2N7000。
2N7000是一款小功率N沟道MOS场效应管，具有较小的体积和较低的驱动电压。
它在单片机驱动小功率负载、信号开关和电子开关等方面有着广泛的应用。
除了上述几种常用的单片机MOS管型号外，还有许多其他型号的MOS管适用于不同的应用场景。
在选择MOS管时，需要考虑到其导通电阻、耐压能力、开关速度等参数，并根据具体的应用需求进行选择。
总之，单片机MOS管作为单片机系统中的重要组成部分，其选择和应用对系统的性能和稳定性有着重要的影响。
希望本文对大家在单片机MOS管的选择和应用方面有所帮助。
几种常用的MOS管参数、应用电路及区别：IRF540N、IRF9540N、IRF9540
⼏种常⽤的MOS管参数、应⽤电路及区别：IRF540N、IRF9540N、IRF95401. IRF540N,N沟道,100V,33A,44mΩ@10V栅极（Gate—G，也叫做门极），源极(Source—S)，漏极（Drain—D）漏源电压（Vdss）100V连续漏极电流（Id）（25°C 时）33A栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻44mΩ @ 16A,10V最⼤功率耗散（Ta=25°C）130W类型N沟道IRF540N（NMOS管）应⽤电路MOS管由电压控制，与三极管不同（三极管是电流控制）。
说⽩了，给箭头⽅向相反的压降就是导通，⽅向相同就是截⽌可以在单⽚机和栅极之间加⼀个1k的电阻，起到限流作⽤；此外，可以栅极和源极之间加⼀个10k的电阻，⼀是为提供；⼆是起到泻放电阻的作⽤：保护栅极G-源极S2. IRF9540N,P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V漏源电压（Vdss）-100V连续漏极电流（Id）（25°C 时）23A栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻117mΩ @ 11A,10V最⼤功率耗散（Ta=25°C）140W类型P沟道IRF9540N（PMOS管）应⽤电路3. IRF9540,P沟道,-100V,-19A跟IRF9540N的区别是引脚封装不同，从原理图可以看出来，两个正好是上下颠倒的。
漏源电压（Vdss）-100V连续漏极电流（Id）（25°C 时）19A(Tc)栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻200mΩ @ 11A,10V最⼤功率耗散（Ta=25°C）150W(Tc)类型P沟道。
常用MOS管型号大全
高频低噪放大
20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB
2SK214
NMOS
GSD
高频高速开关
160V0.5A30W
2SK241
NMOS
DSG
高频放大
-20V0.03A0.2W100MHz1.7dB
2SK304
NJ
GSD
音频功放
30V0.6-12mA0.15W
2SK385
NMOS
GDS
高速开关
J177
PMOS
2SJ177
PMOS
GDS
激励(无)
-60V20A35W140/580nS0.085
J201
PMOS
GDS
高频放大
10V0.4A1.3W8GHZ
2SJ312
PMOS
GDS
激励
60V14A40W30/120nS0.12
2SK30
NJ
SDG
低放音频
-50V0.5mA0.1W0.5dB
2SK30A
NMOS
GDS
高速开关
500V15A100W0.4
2SK623
NMOS
GDS
高速开关
250V20A120W0.15
2SK727
NMOS
GDS
电源开关
-900V5A125W110/420nS2.5
2SK734
NMOS
GDS
电源开关
450V15A150W160/250nS0.52
2SK785
NMOS
GDS
2SK2487
NMOS
GDS
监视器用电源
900V8A140W 50/153nS1.1
寄生二极管
寄生二极管寄生二极管由来：是由生产工艺造成的，大功率MOS管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。
小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。
模拟电路书里讲得就是小功率MOS管的结构，所以没有这个二极管。
但D极和衬底之间都存在寄生二极管，如果是单个晶体管，衬底当然接S 极，因此自然在DS之间有二极管。
如果在IC里面，N—MOS衬底接最低的电压，P—MOS 衬底接最高电压，不一定和S极相连，所以DS之间不一定有寄生二极管。
寄生二极管作用：当电路中产生很大的瞬间反向电流时，可以通过这个二极管导出来，不至于击穿这个MOS 管。
（起到保护MOS管的作用）寄生二极管的相关问答：1、问：好像MOS管D极与S极之间都有一个二极管，请问它有什么作用？如果D极电压高于S极是不是这个二极管就会导通，有没有不存在这个二极管的MOS管呢？请高手指点一下！谢谢！！答：这个二极管不是所有的MOS管都有有没有与生产工艺有关。
一般大功率管工艺为VMOS、TMOS等，就有这个二极管。
它不是特意做出来的，是生产时自然形成的。
小功率管以及集成电路中的MOS管一般没有这个二极管。
“如果D极电压高于S极是不是这个二极管就会导通”那要看管子的极性，是P沟还是N沟。
2、问：MOS管子的寄生二极管相当于普通二极管还是快恢复二极管答：相当于快恢复的二极管,应为MOS管的工作频率比较高，所以它里面的体二极管工作频率也要高，所以相当于是快恢复二极管。
3、问：IRF540N内的二极管是稳压二极管？难道不是用来续流的二极管吗，还是既有稳压的作用又有续流的作用？答：MOSFET是逆导元件，一般的续流能力与MOS本身的电流相当。
一般的中小功率的MOSFET，里的二极管做了稳压管，如上面的IRF540N。
而一般的大功率的MOSFET或IGBT里面的二极管是个二极管，如下图一样。
超高速开关mos管型号
超高速开关MOS管是一种特殊的MOS管，它的主要特点是具有非常快的开关速度和响应时间。
在现代电子设备中，超高速开关MOS管的应用非常广泛，例如在高频电路、功率放大器、电源管理等领域都有着重要的作用。
本文将介绍一些常见的超高速开关MOS管型号及其特点。
一、IRF4905IRF4905是一种N沟道MOS管，它的主要特点是具有低导通电阻和快速开关速度。
在一些高频电路中，IRF4905可以有效地减少开关损耗和电流噪声，提高系统的稳定性和可靠性。
此外，IRF4905还具有较高的耐压能力和工作温度范围，可以适应各种恶劣的工作环境。
二、IRF540NIRF540N也是一种N沟道MOS管，它的主要特点是具有较高的开关速度和响应时间。
在功率放大器和电源管理等领域中，IRF540N可以实现高效的功率转换和电流控制，同时还具有较低的静态功耗和温度漂移。
此外，IRF540N还具有较高的耐压能力和电流承载能力，可以满足各种高功率应用的需求。
三、IRF740IRF740是一种P沟道MOS管，它的主要特点是具有较高的开关速度和导通电阻。
在一些高频电路和功率放大器中，IRF740可以实现高效的电流控制和功率转换，同时还具有较低的静态功耗和温度漂移。
此外，IRF740还具有较高的耐压能力和电流承载能力，可以适应各种高功率应用的需求。
四、IRF830IRF830也是一种P沟道MOS管，它的主要特点是具有较高的开关速度和导通电阻。
在一些高频电路和功率放大器中，IRF830可以实现高效的电流控制和功率转换，同时还具有较低的静态功耗和温度漂移。
此外，IRF830还具有较高的耐压能力和电流承载能力，可以适应各种高功率应用的需求。
总之，超高速开关MOS管在现代电子设备中具有非常重要的应用价值。
不同型号的超高速开关MOS管具有不同的特点和应用场景，选择合适的型号可以提高系统的性能和可靠性。
常用大功率场效应管
2009-11-16 14:24IRF系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换带有"-"号的参数为P沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管,没注明的均为N沟道场效应管.型号Drain-to-Source V oltage漏极到源极电压Static Drain-SourceOn-State Resistance静态漏源通态电阻Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃) PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃）Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号Vender 供应商型号耐压（V）内阻（mΩ）电流（A）功率（W）封装厂商IRF48 60 - 50 190 TO-220AB - IRIRF024 60 - 17 60 TO-204AA - IRIRF034 60 - 30 90 TO-204AE - IRIRF035 60 - 25 90 TO-204AE - IRIRF044 60 - 30 150 TO-204AE - IRIRF045 60 - 30 150 TO-204AE - IRIRF054 60 - 30 180 TO-204AA - IRIRF120 100 - 8.0 40 TO-3 - IRIRF121 60 - 8.0 40 TO-3 - IRIRF122 100 - 7.0 40 TO-3 - IRIRF123 60 - 7.0 40 TO-3 - IRIRF130 100 - 14 75 TO-3 - IRIRF131 60 - 14 75 TO-3 - IRIRF132 100 - 12 75 TO-3 - IRIRF133 60 - 12 75 TO-3 - IRIRF140 100 - 27 125 TO-204AE - IRIRF141 60 - 27 125 TO-204AE - IRIRF142 100 - 24 125 TO-204AE - IRIRF143 60 - 24 125 TO-204AE - IRIRF150 100 - 40 150 TO-204AE - IRIRF151 60 - 40 150 TO-204AE - IRIRF152 100 - 33 150 TO-204AE - IRIRF153 60 - 33 150 TO-204AE - IRIRF220 200 - 5.0 40 TO-3 - IRIRF221 150 - 5.0 40 TO-3 - IRIRF222 200 - 4.0 4.0 TO-3 - IRIRF223 150 - 4.0 40 TO-3 - IRIRF224 250 - 3.8 40 TO-204AA - IRIRF225 250 - 3.3 40 TO-204AA - IRIRF230 200 - 9.0 75 TO-3 - IRIRF231 150 - 9.0 75 TO-3 - IRIRF232 200 - 8.0 75 TO-3 - IRIRF234 250 - 8.1 75 TO-204AA - IR IRF235 250 - 6.5 75 TO-204AA - IR IRF240 200 - 18 125 TO-204AE - IR IRF241 150 - 18 125 TO-204AE - IR IRF242 200 - 16 125 TO-204AE - IR IRF243 150 - 16 125 TO-204AE - IR IRF244 250 - 14 125 TO-204AA - IR IRF245 250 - 13 125 TO-204AA - IR IRF250 200 - 30 150 TO-204AE - IR IRF251 150 - 30 150 TO-204AE - IR IRF252 200 - 25 150 TO-204AE - IR IRF253 150 - 25 150 TO-204AE - IR IRF254 250 - 22 150 TO-204AE - IR IRF255 250 - 20 150 TO-204AE - IR IRF320 400 - 3.0 40 TO-3 - IRIRF321 350 - 3.0 40 TO-3 - IRIRF322 400 - 2.5 40 TO-3 - IRIRF323 350 - 2.5 40 TO-3 - IRIRF330 400 - 5.5 75 TO-3 - IRIRF331 350 - 5.5 75 TO-3 - IRIRF332 400 - 4.5 75 TO-3 - IRIRF333 350 - 4.5 75 TO-3 - 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TO-220AB 2SK2381 STIRF620A 200 0.8 5 47 TO-220AB 2SK2381 Samsung IRF620FI 200 0.8 4.3 - TO-220FP 2SK2381 STIRF620S 200 0.8 5.2 50 D2PAK 2SK2920 IRIRF621(R) 150 0.8 5 - TO-220AB 2SK2381 HarrisIRF6215 -150 0.29 -11 83 TO-220AB - IRIRF622(R) 200 1.2 4 - TO-220AB 2SK2381 HarrisIRF623(R) 150 1.2 4 - TO-220AB 2SK2381 HarrisIRF624 250 1.1 4.4 50 TO-220AB 2SK2840 IRIRF624A 250 1.1 4.1 49 TO-220AB 2SK2840 Samsung IRF624S 250 1.1 4.4 50 D2PAK - IRIRF625 250 1.1 3.8 - TO-220AB 2SK2840 HarrisIRF626 275 0.68 6.5 - TO-220AB - HarrisIRF627 275 1.1 3.8 - TO-220AB - HarrisIRF630 200 0.4 9 74 TO-220AB YTA630 IRIRF630A 200 0.4 9 72 TO-220AB YTA630 Samsung IRF630S 200 0.4 9 74 D2PAK 2SK2401 IRIRF631(R) 150 0.4 9 - TO-220AB 2SK2350 HarrisIRF632(R) 200 0.4 9 - TO-220AB YTA630 HarrisIRF633(R) 150 0.6 8 - TO-220AB 2SK2350 HarrisIRF634 250 0.45 8.1 74 TO-220AB 2SK2914 IRIRF634A 250 0.45 8.1 74 TO-220AB 2SK2914 Samsung IRF634S 250 0.45 8.1 74 D2PAK 2SK2598 IRIRF635 250 0.45 8.1 - TO-220AB 2SK2914 HarrisIRF636 275 0.34 13 - TO-220AB - HarrisIRF637 275 0.45 8.1 - TO-220AB - HarrisIRF640 200 0.18 18 125 TO-220AB YTA640 IRIRF640A 200 0.18 18 139 TO-220AB YTA640 Samsung IRF640S 200 0.18 18 125 D2PAK 2SK2401 IRIRF641(R) 150 0.18 18 - TO-220AB 2SK2382 Harris IRF642(R) 200 0.18 18 - TO-220AB 2SK2382 Harris IRF643(R) 150 0.22 16 - TO-220AB 2SK2382 Harris IRF644 250 0.28 14 125 TO-220AB 2SK2508 IRIRF644A 250 0.28 14 139 TO-220AB 2SK2508 Samsung IRF644S 250 0.28 14 125 D2PAK 2SK2598 IRIRF645 250 0.28 14 - TO-220AB 2SK2508 HarrisIRF646 275 0.28 15 - TO-220AB - HarrisIRF647 275 0.28 14 - TO-220AB - HarrisIRF650A 200 0.085 28 156 TO-220AB - SamsungIRF654A 250 0.14 21 156 TO-220AB - Samsung2SJ112 100 10 1002SJ113 100 10 1002SJ114 200 8 1002SJ115 160 8 1002SJ116 400 8 1252SJ118 140 8 1002SJ119 160 8 1002SJ131 170 10 1002SJ200 180 10 1202SJ201 200 12 1502SJ351 180 8 1002SJ352 200 8 1002SJ459 450 4 70IRF9130 100 12 75 IRF9132 100 10 75 IRF9140 100 19 125 IRF9142 100 15 125 IRF9230 200 6.5 75 IRF9231 150 6.5 75 IRF9232 200 5.5 75 IRF9233 150 5.5 75 IRF9240 200 11 125 IRF9241 150 11 125 IRF9242 200 9 125 IRF9243 150 9 125 IRF9540 100 19 125 IRF9541 60 19 125 IRF9542 100 15 125 IRF9543 60 15 125 IRF9640 200 11 125 IRF9641 100 11 125 IRF9642 200 9 125 IRF9643 150 9 125 IRF9630 200 6.5 75 IRF9631 150 6.5 75 IRF9632 200 5.5 75 IRF9633 150 5.5 75 MTM2P45 450 2 75 MTM2P50 500 2 75 MTM5P18 180 5 75 MTM5P20 200 5 75 MTM5P25 250 5 75 MTM8P10 100 8 75 MTM8P18 180 8 125 MTM20P10 100 20 125 MTP2P45 450 2 75MTP2P50 500 2 75MTP5P18 180 8 75MTP5P20 200 5 75MTP5P25 250 5 75MTP8P18 100 8 75MTP8P20 200 8 75MTP8P25 250 8 75MTP2P50E 500 2 75 SSM11P20 200 11 125 SSM20P10 100 20 125 SMP3P10 100 3 20SMP11P20 200 11 125 SMP20P10 100 20 125 VPO335N1 350 2.7 125 IXTM5P50A 500 5 125 IXTM6P25A 250 6 75 IXTM7P15A 150 7 125 IXTM7P20A 200 7 75 IXTM7P45A 450 7 125 IXTM7P50A 500 7 125 IXTM8P25A 250 8 125 IXTM8P45A 450 8 150 IXTM8P50A 500 8 150 IXTM9P15A 150 9 125 IXTM9P20A 200 9 125 IXTM9P25A 250 9 125 IXTM10P45A 450 10 200 IXTM10P50A 500 10 200 IXTM11P15A 100 15 125 IXTM11P20A 200 15 125 IXTMQQP45A 450 11 200 IXTM11P50A 500 11 200 IXTM12P25A 250 12 125 IXTM13P15A 150 13 125 IXTM13P20A 200 13 125 IXTM13P25A 250 13 125 IXTM15P15A 150 15 150 IXTM15P20A 200 15 150。
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IRF540NHEXFET ® Power MOSFET03/13/01ParameterTyp.Max.UnitsR θJC Junction-to-Case––– 1.15R θCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50–––°C/WRθJAJunction-to-Ambient–––62Thermal Resistance 1Advanced HEXFET ®to its wide acceptance throughout the industry.l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Ratingl 175°C Operating Temperature l Fast SwitchinglFully Avalanche RatedDescriptionAbsolute Maximum RatingsParameterMax.UnitsI D @ T C = 25°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V 33I D @ T C = 100°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V 23A I DMPulsed Drain Current 110P D @T C = 25°C Power Dissipation 130W Linear Derating Factor 0.87W/°C V GS Gate-to-Source Voltage ± 20V I AR Avalanche Current16A E AR Repetitive Avalanche Energy 13mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt 7.0V/ns T J Operating Junction and-55 to + 175T STGStorage Temperature RangeSoldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case )°CMounting torque, 6-32 or M3 srew10 lbf •in (1.1N •m)PD - 91341BIRF540NSource-Drain Ratings and CharacteristicsStarting T J = 25°C, L =1.5mHR G = 25Ω, I AS = 16A. (See Figure 12)Repetitive rating; pulse width limited bymax. junction temperature. (See fig. 11)Notes:I SD ≤ 16A, di/dt ≤ 340A/µs, V DD ≤ V (BR)DSS ,T J ≤ 175°CPulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%.This is a typical value at device destruction and represents operation outside rated limits.This is a calculated value limited to T J = 175°C .Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)IRF540N 3Fig 4. Normalized On-ResistanceVs. TemperatureIRF540NFig 8. Maximum Safe Operating AreaGate-to-Source VoltageFig 5. Typical Capacitance Vs.Drain-to-Source Voltage Fig 7. Typical Source-Drain DiodeForward Voltage1101001000V DS , Drain-toSource Voltage (V)0.11101001000I D , D r a i n -t o -S o u r c e C u r r e n t (A )IRF540N 5Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-CaseCase TemperatureV V d(on)rd(off)fV DDFig 10a. Switching Time Test CircuitFig 10b. Switching Time WaveformsIRF540N6VDSCurrent Sampling ResistorsV GSFig 13b. Gate Charge Test CircuitFig 13a. Basic Gate Charge Waveform Fig 12b. Unclamped Inductive WaveformsI A SFig 12c. Maximum Avalanche EnergyVs. Drain CurrentV D DRIRF540N 7Peak Diode Recovery dv/dt Test CircuitV DD* Reverse Polarity of D.U.T for P-ChannelV GS*** V GS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices Fig 14. For N-channel HEXFET ® power MOSFETsIRF540NL E A D A S S IG NM E NT S 1 - G A T E 2 - D R A IN 3 - S O U RC E 4 - D R A IN- B -1.32 (.052)1.22 (.048)3X0.55 (.022)0.46 (.018)2.92 (.115)2.64 (.104)4.69 (.185)4.20 (.165)3X0.93 (.037)0.69 (.027)4.06 (.160)3.55 (.140)1.15 (.045) M IN6.47 (.255)6.10 (.240)3.78 (.149)3.54 (.139)- A -10.54 (.415)10.29 (.405)2.87 (.113)2.62 (.103)15.24 (.600)14.84 (.584)14.09 (.555)13.47 (.530)3X1.40 (.055)1.15 (.045)2.54 (.100)2X0.36 (.014) M B A M4123N O TE S :1 D IM E N S IO N IN G & TO L E R A N C ING P E R A N S I Y 14.5M , 1982. 3 O U T LIN E C O N F O R M S TO JE D E C O U T LIN E TO -220A B.2 C O N TR O L LIN G D IM E N S IO N : IN C H 4 H E A TS IN K & LE A D M E A S U R E M E N T S D O N O T IN C LU DE B U R R S.Part Marking InformationTO-220ABPackage OutlineTO-220ABDimensions are shown in millimeters (inches)PA RTNU M B ERINTE RNA TIO RE CTIF IER LO G O E XA MP LE : THIS IS AN IR F1010 W IT H AS SE M B LY LO T C O DE 9B1MA S SE M BLY LO T CO D ATE COD E (YYW W )YY = YE AR W W = W E EKData and specifications subject to change without notice.This product has been designed and qualified for the industrial market.Qualification Standards can be found on IR ’s Web site.IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105TAC Fax: (310) 252-7903Visit us at for sales contact information .03/01。