09光信《光电检测技术》复习提纲新

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光电检测技术与运用复习提纲

光电检测技术与运用复习提纲

光电检测技术与运用复习提纲1、光电检测系统的基本结构形式分为:几何光学变换的光电检测方法和物理光学变换的光电检测方法。

2、几何光学变换的机构形式:辐射式、反射式、遮挡式、透射式;3、物理光学变换的光电检测的基本结构:干涉式与衍射式。

4、光电检测系统各部分的功能:①光源和照明光学系统:发出的光束作为载体携带被测信息,也可以作为被测对象②被测对象及光学变换:利用各种光学效应,使光束携带上被检测对象的特征信息种待测信号的光与光电探测器实现合理的匹配,以满足光电转换的需要。

④光,形成待检测的光信号。

③光信号的匹配处理:使光源发出的光或产生的携带各电转换:其主要作用是以光信号为媒质,以光电探测器为手段,将各种经待测量调制的光信号转换成电信号,以利于采用目前最为成熟的电子技术进行信号的放大、处理、测量和控制等。

⑤电信号的放大与处理:实现对微弱信号的检测;实现光源的稳定化。

⑥存储、显示与控制系统:将处理好的待测量电信号直接经显示系统显示。

5、可见光的范围:380~780nm;6、物体发光有两种基本形式:热辐射及“发光”辐射;7、“发光”辐射与热辐射不同,它主要借助其他一些外来激发过程而获得能量,产生辐射发射。

这种发光形式包括:电致发光、光致发光、化学发光、热发光;8、按照光辐射来源不同,将光源分成:自然光源和人造光源。

9、辐射效率:在给定λ1~λ2波长范围内,某一辐射发出的辐射通量与产生这些辐射通量所需的电功率之比,称为该辐射源在规定光谱范围内的辐射效率;10、在给定λ1~λ2波长范围内,某一辐射体(光源)所发射的光通量与产生这些光通量所需的电功率之比,就是该光源的发光效率;11、相关色温:对于一般光源,它的颜色与任何温度下黑体辐射的颜色都不相同,这时的光源用相关色温表示,在均匀色度中,如果光源的色坐标点与一温度下黑体辐射的色坐标接近,则该黑体的温度称为光源的相关色温;12、光源的颜色包含两方面的含义,即色表和显色性。

光电检测技术及应用复习

光电检测技术及应用复习

第1章 绪论1、物质、能量和信息是人类发展的三大基本要素。

2、物质是基础,世界是由物质组成的;能量是一切物质运动的动力;信息是客观世界与主观认识相结合的产物。

3、信息技术是一种综合技术,它包括四个基本内容:即感测技术、通信技术、人工智能与计算机技术以及控制技术。

4、感测技术:包括传感技术和测量技术以及遥感、遥测技术;通信技术:它的作用是传递、交换和分配信息,可以消除或克服空间上的限制,使人们能更有效地利用信息资源;人工智能与计算机技术:它使人们能更好地加工和再生信息;控制技术:它的作用是根据输入的指令,对信息状态实施干预。

5、在当今时代,信息技术还包括微电子信息技术、光电信息技术等。

核心是微电子信息技术。

光电信息技术是将电子学与光学浑然一体的技术,是光与电子转换及其应用的技术。

光电检测技术是光电信息技术的主要技术之一,是利用光电传感器实现各类检测,即将被测量转换成光通量,再将光通量转换成电量,并综合利用信息传送技术和信息处理技术,最后完成对各类物理量进行在线和自动检测。

6、差动测量法:调制盘的一半开通,另一半安装反射镜。

当调制盘转动时,一束光变成两束光,即21ΦΦ和是交替的。

将标准尺寸的工件放入工作位置,调整光楔,使21Φ=Φ,使微安表读数为“0”。

工件尺寸无误差时,21Φ=Φ;当工件尺寸变小时,21Φ>Φ;当工件尺寸变大时,21Φ<Φ。

7、相敏检波器的核心是一个乘法器和一个滤波器。

相敏检波器可以用来测幅,也可以用来测相,还可以将高频信号变成中频信号(只要使2121f f >=,θθ,就可得到差频信号)。

8、双光路测量可以消除杂散光、光源波动、温度变化和电源电压波动带来的测量误差,使测量精度和灵敏度大大提高。

9、(P206)锁相放大器:是一种对交变信号进行相敏检波的放大器。

它利用和被测信号有相同频率和相位关系的参考信号作为比较基准,只对被测信号本身和那些与参考信号同频(或倍频)、同相的噪声分量有响应。

《 光电检测技术 》教学大纲

《 光电检测技术 》教学大纲

《光电检测技术》教学大纲课程代码:课程中文名:光电检测技术课程英文名:课程类别:专业技术科适用专业:光伏材料应用、光伏发电应用、电子技术等专业课程学时: 48学时课程学分: 3学分一、课程的专业性质、地位和作用(目的)1、性质:必修2、地位:光电检测技术是光学与电子学技术相结合而产生的一门新型检测技术,它是利用电子技术对光学信息进行检测,并进一步传递、存储、控制、计算和显示。

光电检测技术是现代检测技术最重要的手段和方法之一。

3、作用:通过本课程的教学,使学生了解和掌握各种光电器件的结构、工作原理、工作过程、工作特性及其基本的应用,培养学生通过了解器件的性能特点来搭建检测系统的能力,培养学生学习的能力和综合运用知识的能力,培养学生理论联系实际的学风和科学态度,提高学生的分析处理实际问题的能力,为以后的工作和学习打下基础。

二、教学内容、学时分配和教学的基本要求第一章光电检测应用中的基础知识6学时,其中理论教学 6 学时,实践或其他教学0 学时1.1 辐射度学和光度学基本概念1.2 半导体基础知识1.3 基本概念1.4 光电探测器的噪声和特性参数重点:辐射度学和光度学基本概念难点:光电探测器的噪声和特性参数教学要求:本章介绍了光电检测应用中的基础知识,要求学生对基本概念有理解,进而掌握光电探测器的噪声及特性参数第二章光电检测中的常用光源3学时,其中理论教学3学时,实践或其他教学0学时2.1 光源的特性参数2.2 热辐射源2.3 气体放电光源2.4 固体发光光源2.5 激光器重点:光源的特性参数难点:气体、固体发光光源和激光器的工作原理教学要求:本章要求学生掌握各种固体发光的工作原理及其应用第三章结型光电器件 6 学时,理论教学6 学时,实践或其他教学0学时3.1 结型光电器件工作原理3.2 硅光电池3.3 硅光电二极管和硅光电三极管3.4 结型光电器件的放大电路3.5 特殊结型光电二极管3.6 结型光电器件的应用举例——光电耦合器件重点:结型光电器件的工作原理;硅光电池的工作原理及特性;硅光电二极管和硅光电三极管的性能比较难点:结型光电器件的放大电路及应用举例——光电耦合器件教学要求:要求学生掌握硅光电池的工作原理;硅光电二极管和硅光电三极管的性能比较及结型光电器件的放大电路及应用——光电耦合器件第四章光电导器件6学时,其中理论教学 6 学时,实践或其他教学0学时4.1光敏电阻的工作原理4.2 光敏电阻的主要性能参数4.3 光敏电阻的偏置电路和噪声4.4 光敏电阻的特点和应用重点:光敏电阻的工作原理和特性参数难点:光敏电阻的应用教学要求:要求学生掌握光敏电阻的工作原理及性能参数及光敏电阻的应用第五章真空光电器件3学时,其中理论教学3学时,实践或其他教学0学时5.1 光电阴极5.2 光电管与光电倍增管5.3 光电倍增管的主要特性参数5.4 光电倍增管的供电和信号输出电路5.5 微通道板光电倍增管5.6 光电倍增管的应用重点:光电管与光电倍增管的工作原理、特性参数难点:光电倍增管的供电和信号输出电路及应用教学要求:要求学生掌握光电管与光电倍增管的工作原理、特性参数及实际应用第六章真空成像器件3学时,其中理论教学3学时,实践或其他教学0学时6.1像管6.2常见像管6.3摄像管6.4光导靶和存储靶6.5摄像管的特性参数6.6摄像管的发展方向重点:像管与摄像管的工作原理难点:光导靶和存储靶的原理及摄像管的特性参数教学要求:要求学生掌握像管与摄像管的工作原理及特性参数第七章固体成像器6学时,其中理论教学 6 学时,实践或其他教学0学时7.1 电荷耦合器件7.2 电荷耦合器件的分类7.3 CCD摄像机分类7.4 CCD的特性参数7.5 自扫描光电二极管阵列7.6 固体摄像器件的发展现状和应用重点:电荷耦合器件的工作原理;CCD的特性参数难点:自扫描光电二极管阵列教学要求:要求学生掌握CCD固体成像器件的工作原理第八章红外辐射与红外探测器6学时其中理论教学 6 学时,实践或其他教学0学时8.1 红外辐射的基础知识8.2 红外探测器8.3 红外探测器的性能参数及使用中应注意的事项8.4 红外测温8.5 红外成像8.6 红外无损检测8.7 红外探测技术在军事上的应用重点:红外探测器的工作原理、性能参数及使用中应注意的事项难点:红外探测器的具体应用教学要求:要求学生掌握红外辐射的基础知识,并掌握红外探测器的各种具体应用第九章光导纤维与光纤传感器6学时其中理论教学 6 学时,实践或其他教学0学时9.1 光导纤维基础知识9.2 光导纤维的应用9.3 光纤传感器的分类及构成9.4 功能型光纤传感器9.5 非功能型光纤传感器重点:光导纤维的基础知识及功能型光纤传感器的工作原理难点:非功能型光纤传感器的工作原理教学要求:要求学生掌握光导纤维的基础知识,并掌握光纤传感器的工作原理第十章太赫兹波的产生与检测3学时其中理论教学 3 学时,实践或其他教学0学时10.1 概述10.2 THz辐射光谱学10.3 THz辐射成像重点:THz辐射成像的原理难点:THz辐射成像的原理教学要求:要求学生掌握THz辐射成像的原理三、各章节教学课时分配表本课程各部分教学内容计划学时数分配如下:四、课程的考核办法和成绩评定:1、考试 2.笔试(闭卷)3.平时成绩比重:平时成绩(包括考勤、作业、答疑、课堂练习、课外实验、等)占30%4.期末成绩比重:卷面考试占70%。

《光电检测技术》考试复习重点

《光电检测技术》考试复习重点

《光电检测》复习精华第一章 光辐射物理基础1、基本光辐射度量单位:J (辐射能)、W (辐射功率)基本光度量单位:lm (光通量)、cd (发光强度)、lx (光照度)2、朗伯余弦定律:辐射源单位面积向某方向单位立体角发射(或反射)的辐射功率,与该方向及表面法线的余弦成正比。

3、基尔霍夫定律:在任一给定温度的热平衡条件下,任何物体的辐出度与其吸收比的比值等于辐射源在它上面的辐照度,该比值与物体的温度和物体被照射的辐射波长有关,与物体本身的性质无关,是物体波长和温度的普适函数。

4、斯忒蕃-玻尔兹曼定律:M b =σT 4.维恩位移定律:λm T=b=2897.8μm ·K5、腔形黑体源一般有三种基本腔形:锥形腔、柱形腔和球形腔。

6、探测目标或识别对象的辐射称为目标辐射,探测目标或识别对象以外的辐射称为背景辐射。

7、受激辐射过程:处于高能态的原子由于受外界光子激发向低能态跃迁而发射光子的过程,称为受激辐射过程。

8、【简答】激光形成过程:①受激吸收;②形成粒子数反转;③受激辐射;④光学谐振腔对受激光辐射的加强作用。

9、激光辐射的四个特点:高方向性、高亮度和高功率辐射密度、高单色性、高相干性。

10、按激光工作物质分:有固体激光器、气体激光器、液体激光器和半导体激光器。

11、光辐射在媒质内传输中,会因插入媒质的表面辐射、内部吸收和散射等过程而衰减。

12、【简答】空间滤波的原理:P40。

13、调制盘按照扫描方式分类,可分为旋转式、圆锥扫描式和圆周平移式三类。

14、【计算】P5215、【简答】吸收比和吸收系数定义有什么差别?P52(P23)。

吸收比:被媒质内部吸收的功率与入射辐射功率的比值。

吸收系数:媒质吸收引起辐射功率减少的相对值dP/P ,与辐射在媒质内传播的距离成正比,即x PP d d α=−,在这里α称为材料的吸收系数。

第二章 光辐射探测器1、依光辐射与物质相互作用原理的不同可把光辐射探测器分为光子探测器和热探测器两大类。

光电检测技术复习提纲

光电检测技术复习提纲

《光电检测技术》复习提纲1、光敏电阻和光敏二极管的基本概念,基本应用和两者的区别(测脉搏的电路);光敏电阻,又称光敏电阻器或光导管,常用的制作材料为硫化镉,另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。

这些制作材料具有在特定波长的光照射下,其阻值迅速减小的特性。

这是由于光照产生的载流子都参与导电,在外加电场的作用下作漂移运动,电子奔向电源的正极,空穴奔向电源的负极,从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。

光敏二极管,又叫光电二极管是一种能够将光根据使用方式,转换成电流或者电压信号的光探测器。

管芯常使用一个具有光敏特征的PN结,对光的变化非常敏感,具有单向导电性,而且光强不同的时候会改变电学特性,因此,可以利用光照强弱来改变电路中的电流。

一.功能不同:光敏二极管,是利用半导体材料的光特性实现二极管的开关功能。

光敏电阻,是利用半导体材料和其他材料的光特性实现可变电阻的功能。

二.材料不同:虽然有些时候两者用同样的材料如硅,砷化镓,但是光敏电阻的材料范围比光敏电阻的更广。

三.功能的不同决定了主要参数不同:光敏二极管,最高工作电压,暗电流,光电流,光电灵敏度、响应时间、结电容和正向压降等。

光敏电阻,标称电阻值、使用环境温度(最高工作温度)、测量功率、额定功率、标称电压(最大工作电压)、工作电流、温度系数、材料常数、时间常数等。

四.功能的不同决定了结构不同:光敏二极管,两个电极间要求能够形成一个PN 结,而且为了加大导通电流,把一个电极的面积设计的很大,另一个相对很小。

光敏电阻,只需要两个电极就行了。

测量信号的特征:人体信息本身具有不稳定性、非线性和概率特性。

脉搏波的频率属于低频,且信息微弱,噪声强,因而信噪比低。

脉搏波频率范围是0.1~60Hz,主要频率分量一般在20Hz内。

人体手指末端含有丰富的小动脉,它们和其它部位的动脉一样,含有丰富的信息。

测量原理:随着心脏的跳动手指尖的微血管发生相应的脉搏的容积变化,光发射电路发出的特定波长的光透过手指到光电器件,此过程被检测生理量(人体的脉搏)转换成光信号,通过光电器件转换为电信号,送入前级放大电路将信号适当放大,经过滤波电路除去其中的噪声得到需要频率范围内的信号,再将脉搏信号进行放大和后级的处理,通过示波器显示出来,进一步进行观测。

光电检测技术复习

光电检测技术复习

第四章 光电导器件
• 工作原理 • 主要特性参数 • 偏置电路和噪声 • 特点与应用
工作原理
• 基于内光电效应(光电导效应) • 暗电流、亮电流、光电流及三者的关系
IP

U L
A

U L
q( nn

p p
)A

qUN L2

(

n

p
)
主要特性参数
• 光电灵敏度 g p Sg E
• 用负载电阻实现电流电压转换
• 用运算放大器实现电流电压转换
光电倍增管的应用
– 负电子亲合势及其特点
光电管与光电倍增管
• 光电管
– 玻壳、光电阴极和阳极组成,真空型和充气型
• 光电倍增管
– 基于外光电效应和二次电子发射效应 – 结构上与光电管的区别:电子光学系统和倍增

光电倍增管
• 工作原理 • 典型参数
阴极K
D2
D4
D1
D3
D5
U1 U2 U3
U4 U5
U6
A阳极 μA
I p I0 (e kT 1)
硅光电池
• 特性参数
– 光照特性——开路时、短路时、有限负载时
线性区
IL
Uoc1 Uoc2 Uoc3 Uoc4
Isc1 Isc2
Isc3
E1
U
E2
E3 E4
RL2
Isc4
RL1
硅光电二极管和三极管
• 一般在反向偏压下工作
I
E=0
U
E1
E2 光导工作区
qU
IL I p I0( e kT 1) IP I0 IP SEE

光电信息技术导论复习提纲

光电信息技术导论复习提纲

光电信息技术导论复习提纲一名词解释:1.LD与LEDLD LD,镭射影碟、激光视盘,用于电视、电影和卡拉OK的双面视频光盘。

LED,发光二极管。

在电路及仪器中作为指示灯,或者组成文字或数字显示。

2. DWDM和CWDMDWDM,密集型光波复用,是一项用来在现有的光纤骨干网上提高带宽的激光技术。

CWDM,稀疏波分复用器,是一种面向城域网接入层的低成本WDM传输技术。

3.LCD、CRT和PDPLCD,液晶显示器。

CRT一种使用阴极射线管的显示器。

PDP,等离子显示板,是一种利用气体放电的显示技术。

4.PWM和FRCPWM,脉冲宽度调制,是对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术。

FRC,动画专家,进一步提高电视画面动态清晰度。

D和JfETCCD,电荷耦合元件,能够把光学影像转化为数字信号。

JFET,N沟道(或P沟道)结型场效应管。

6.EDFA和FRAEDFA,掺饵光纤放大器。

FRA,高灵敏探测器。

7.OADM和OXCOADM,光分插复用器,在光域实现支路信号的分插和复用这样一种设备。

OXC,光交叉连接,是一种多功能OTN传输设备。

8.SDH和PDHSDH,同步数字体系,用于在物理传输网上传送经适配的净负荷。

PDH,准同步数字系列。

9.ICCTT和ITUCCITT,国际电报电话咨询委员会,是国际电信联盟(ITU)的常设机构之一。

ITU,国际电信联盟是联合国的一个专门机构。

10.SONET和STMSONET,同步光网络,是使用光纤进行数字化信息通信的一个标准。

STM,同步传送模块,STM是一种信息结构。

二、简答题11.产生激光的必要条件?1.受激幅射。

2.要形成激光,工作物质必须具有亚稳态能级。

3.在常温下,吸收多于发射。

4.有一个振荡腔。

5.使光子在腔中振荡一次产生的光子数比损耗掉的光子多得多。

12.激光医疗研究重点在哪?1.研究激光与生物组织间的作用关系;2.研究弱激光的细胞生物学效应及其作用机制;3深入开展有关光动力疗法机制、激光介入治疗、激光心血管成形术与心肌血管重建机制的研究,积极开拓其他新的激光医疗技术。

光电检测技术复习(汇总)

光电检测技术复习(汇总)

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我的老师说过:光电技术人员应具备不怕黑、不怕冷、不怕密闭的专业素质.
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基本特性 光敏电阻的基本特性参数包括光电特性、 伏安特性、 温度特性、 时间响应、 光谱响应等。 1) 光电特性--电导随光照量变化越大的光敏电阻就越灵敏 定义光敏电阻 γ 值时必须说明其照度范围,否则 γ 值没有实际意义。 光敏电阻的 γ 值反映了在照度范围变化不大或照度 的绝对值较大甚至光敏电阻接近饱和情况下的阻值 与照度的关系。 2) 温度特性 光敏电阻为多数载流子导电的光电器件,具有复杂 的温度特性。 降低或控制光敏电阻的工作温度是提高光敏电阻工作 稳定性的有效方法。这对长波长红外辐射的探测极为 重要。 温度升高导致: 载流子的定向移动性变差,大量的光生载流子热运 动剧烈发生复合。 半导体、光生伏特效应也是此温度特性。 3) 时间响应(惯性,与入射辐射信号的强弱有关)
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6) 光电二极管与电子二极管的区别? 光电二极管 流动 电子流向 流动少子,电流弱 加反向偏压, 增大内建电场 电子二极管 流动多子,电流强 加正向偏压,抵消内建电场
问题六 常见器件名称英文缩写全称 PMT: Photo-multiple tube 光电倍增管 APD: Avalanche Photo Diode 雪崩光电二极管 PSD: Position Sensing Detector 光电位置敏感器件 CCD: Charge-coupled Device 电荷耦合元件 CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor 互补金属氧化物(PMOS 管和 NMOS 管)共同构成的互补型 MOS 集成电路制造工艺
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增大线宽,而不是长度
4. 光生伏特效应(重点) 1) 光生伏特效应是什么? 基于半导体 PN 结基础上的一种将光 能转换成电能的效应。当入射辐射作 用在半导体 PN 结上产生本征吸收时, 价带中的光生空穴与导带中的光生电 子在 PN 结内建电场的作用下分开, 并分别向如图 1-11 所示的方向运动, 形成光生伏特电压或光生电流的现象。 2) PN 结形成过程中载流子的流动? i. P 区空穴为多子,电子为少子,空穴浓度高,N 区相反,在浓度 梯度的牵引下,P 区空穴向 N 区移动,N 区电子向 P 区移动,扩 散过程中伴随着复合; ii. 形成内建电场,方向 N->P,内建电场阻碍扩散运动的进一步进 行,将空穴导向 P 区,电子导向 N 区; iii. 内建电场力 = 扩散力,二者达到动态平衡,中间区域形成少数 载流子移动的区域, 称为耗散区, 为光生载流子的捕捉和探测提 供场所。

光电信息技术复习提纲.

光电信息技术复习提纲.
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三、辐射能的传输
• • • • 1、辐射在光波导中的传输 (1)光波导中的导波模和辐射模 (2)光纤的传输特性: 色散:折射率等物理参数在不同频率下发生变化 的现象,有模式色散、材料色散、结构色散
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2、光电信息转换的物理基础
• 1、能带理论(导带、价带、带隙、电子亲和 势的概念) • 2、载流子的产生、复合、扩散、漂移的概念 • 3、费米能级的概念 • 4、简并半导体与非简并半导体的概念 • 5、直接带隙半导体与间接带隙半导体的概念 • 6、半导体对光的吸收的种类 • 7、光电效应的定义及分类
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5、半导体的吸收 • (1)本征吸收:h Eg • (2)非本征吸收: 杂质吸收:杂质能级上的电子(或空穴)吸收 光子能量从杂质能级跃迁到导带(空穴跃迁到 价带); 自由载流子吸收:自由载流子在同一能带内不 同能级的跃迁而引起的吸收; 激子吸收:价带中的电子吸收小于禁带宽度的 光子能量也能离开价带,但能量不够跃迁到导 带成为自由电子。电子和空穴之间还保持着库 仑力的相互作用,形成一个电中性系统,称为 激子。
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• 3、距离平方反比定律 • 点光源在传输方向上的辐照度与该点到点光源的 距离的平方成反比
E R2
• 4、普朗克定律 • (1)瑞利-金斯公式:适用于长波区域
C1 T M e , b ( , T ) C2 4
• (2)维恩公式:适用于短波区域 C2 5 M e,b ( , T ) C1 exp T
• 1、基尔霍夫定律 任一给定温度的热平衡条件下,任何物体的辐射 本领与吸收本领的比值与物体的性质无关,只是 波长和温度的函数,且等于同温度下绝对黑体的 ' 辐射本领。 M ( , T ) ' M , b ( , T ) ( , T ) • 2、郎伯余弦定律 辐射亮度与辐射方向无关的辐射源——漫辐射 源;郎伯余弦定律描述辐射源向半球空间内的辐 射亮度沿高低角变化的规律

光电检测技术-提纲1.0

光电检测技术-提纲1.0

光电检测技术雷玉堂 主编第2版Chap 1绪 论1. 光电检测技术(光电检测系统),是指对被测光学量或由非光学被测量转换成的光学量,通过光电变换和电路处理的方法进行检测的系统。

2. 光电检测系统的组成:光学变换、光电变换、电路处理。

3. 光电检测系统的分类:a.按几何光学变换的光电检测方法(辐射式、反射式、遮挡式、透射式);b. 按物理光学变换的光电检测方法(干涉式、衍射式)。

Chap 2光电检测技术基础1. 光电技术最基本的理论是光的波粒二象性。

即光是以电磁波方式传播的粒子。

光辐射仅仅是电磁波谱中的一小部分,它包括的波长区域从几纳米到几毫米,即10-9~10-3m 的范围。

在这个范围内,只有0.38~0.78μm 的光才能引起人眼的视觉感,故称这部分光为可见光,其中0.55μm 的光为人眼最敏感。

2. 光辐射的度量(书p20-24):辐(射)能和光能、辐(射)通量和光通量、辐(射)出(射)度和光出(射)度、辐(射)强度和发光强度、辐(射)亮度和亮度、辐(射)照度和光照度、辐(射)效率与发光效率。

3. 人眼的光谱光视效率V(λ)=dP 555/dP λ:人眼对波长为555nm 的光的视见函数为1,其它波长的视见函数值都小于1,不可见区的视见函数值都等于零。

4. 半导体物理基础:a. 半导体定义与特性(p26);b. 能带理论(p27);c. 热平衡载流子(p30);d. 非平衡载流子(p32);e. 载流子的运动(扩散运动和漂移运动)(p34);f. 半导体对光的吸收:本征吸收、杂质吸收、自由载流子吸收、激子吸收、晶格吸收。

只有本征吸收和杂质吸收,能够直接产生非平衡载流子,引起光电效应,其余是光热效应。

发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度E g ,才能使价带E V 上的电子吸收足够的能量跃入到导带底能级E C 之上,即g E hv ≥发生本征吸收的光波长波限 gg L 24.1E E hc =≤λ;g. 半导体PN 结(p38)。

光电检测复习提纲概要

光电检测复习提纲概要

第一章:光辐射与发光源2. 光辐射以电磁波形式或粒子(光子)形式传播的能量,它们可以用光学元件反射、成像或色散,这种能量及其传播过程称为光辐射。

一般认为其波长在10nm~1mm ,或频率在3⨯1016Hz~3⨯1011Hz 范围内。

一般按辐射波长及人眼的生理视觉效应将光辐射分成三部分:紫外辐射、可见光和红外辐射。

一般在可见到紫外波段波长用nm 、在红外波段波长用μm 表示。

波数的单位习惯用cm -1。

1. 辐射量⑴ 辐射能。

辐射能是以辐射形式发射或传输的电磁波(主要指紫外、可见光和红外辐射)能量。

辐射能一般用符号Q e 表示,其单位是焦耳(J )。

⑵ 辐射通量。

辐射通量Φe 又称为辐射功率,定义为单位时间内流过的辐射能量,即dtdQ ee =Φ (1.2-1) 单位:瓦特(W )或焦耳∙秒(J ∙s )。

⑶ 辐射出射度。

辐射出射度M e 是用来反映物体辐射能力的物理量。

定义为辐射体单位面积向半空间发射的辐射通量,即dSd M ee Φ=(1.2-2) 单位:W/m 2。

⑷辐射强度。

辐射强度e I 定义为:点辐射源在给定方向上发射的在单位立体角内的辐射通量,用I e 表示,即ΩΦd d I ee =(1.2-3) 单位:瓦特∙球面度-1(W ∙sr -1)。

由辐射强度的定义可知,如果一个置于各向同性均匀介质中的点辐射体向所有方向发射的总辐射通量是Φe ,则该点辐射体在各个方向的辐射强度I e 是常量,有π4e e I Φ= (1.2-4)⑸ 辐射亮度。

辐射亮度e L 定义为面辐射源在某一给定方向上的辐射通量。

如图2所示。

θΩΦθcos cos 2dS d d dS dI L ee e == (1.2-5)式中θ是给定方向和辐射源面元法线间的夹角。

单位:瓦特/球面度∙米2(W/sr ∙m 2)。

显然,一般辐射体的辐射强度与空间方向有关。

但是有些辐射体的辐射强度在空间方向上的分布满足θcos 0e e dI dI = (1.2-6)式中I e 0是面元dS 沿其法线方向的辐射强度。

《光电检测技术》总复习

《光电检测技术》总复习

二、光电耦合器件*
是发光器件与光接受器件的组合器件。 特点:
– 具有电隔离(1010-1012欧)功能 – 信号传输单向(脉冲或直流),适用于模拟
/数字信号;
– 具有抗干扰和噪声能力; – 响应速度快(微/纳秒,直流-10兆赫兹
),体积小,寿命长,使用方便;
– 既有耦合特性,又有隔离功能;
第五章 光电成像器件 (0.5学时)
描述复合的参数——寿命τ τ的物理意义:
(1)Δn、 Δp复合的快慢。 (2)τ为Δn(或Δp)下降到原来的1/e所需的
时间 (3) τ为Δn(或Δp)的平均存在时间。 所有Δn存在的时间总和/Δn的总数= τ
(五)载流子的运动(定向的)
扩散运动:载流子浓度不均匀时,由热运 动使载流子从高浓度向低浓度 运动。
第三部分 检测电路与微机接口 (14学时)
1. 光电信号检测电路设计(重点)
① 缓变光信号检测电路设计 (4学时)
② 交变光信号检测电路设计 (4学时)
③ 光信号检测电路的噪声设计 (2学时)
④ 光信号的放大电路
(2学时)
第一节 缓变光信号检测电路设计
方法:静态计算
手段:图解法、解析法*
电路:恒流源型(PMT/反偏光电二极管/三极管
(2)导电性能因掺入微量杂质而十分显著 变化。
(3)导电性能受热、光、电、磁等外界的 影响发生重要的变化。
(二)能带理论及其类型
1.原子中电子的能级
( 1 ) 能带理论:原子中的电子只能处于能带的 能级上,且每一个能带中都有与原子总数相适 应的能级数。能级——量子态
(2) 泡利原理:在每一个能级上最多只能填充 一个电子。
量的名称
辐射能 辐射能密度

光电检测技术讲义稿

光电检测技术讲义稿

光源 光电探测器件 光电探测电路 光电探测光路 典型应用
光电检测的优越性
光是一种优秀的信息载体! 直线传播:几何优越性,自然直线基准 非接触:电磁波接触 普通接触~分子间力,电子云重叠 快速:信息以光速传播 高精度、高灵敏: 特征尺寸=光波长<1微米; 横向分辨率~1个波长; 纵向分辨率~1/100波长
光辐射接收管 光辐射发射管
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光电信号处理电路
生产线上的光电产品计数
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红外防盗报警系统
返回
光电控制水位
发光二极管所发出的光 被导入传感器顶部的透 镜。当液体浸没光电液 位开关的透镜时,则光 折射到液体中,从而使 接收器收不到或只能接 收到少量光线。
返回
光电检测技术的技术基础
1. 2. 3. 4. 5.
入射
在平衡状态下,物体对任一波 长辐射的吸收必然等于该物体 对同一波长的辐射: M=αM黑体 因此有: M黑体= M1/α1=M2/α2 = M3/α3 结论:吸收多——发射多
出射
M黑体
白炽灯incandescent lamp
发明人:爱迪生Thomas EdisonThomas Edison developed this incandescent lamp, or lightbulb, in 1879 由普朗克公式知:温度越高,辐射总量中 可见成分越大。光源的目标——提高辐射 体的温度。
对于上升光照强辐射作用情况下的时间响应强辐射作用情况下的时间响应频率响应特性光敏电阻是依靠非平衡载流子效应工作的非平衡载流子的产生与光敏电阻是依靠非平衡载流子效应工作的非平衡载流子的产生与复合都有一个时间过程这个时间过程在一定程度上影响了光敏电复合都有一个时间过程这个时间过程在一定程度上影响了光敏电阻对变化光照的响应

光电测试技术复习资料

光电测试技术复习资料

PPT中简答题汇总1. 价带、导带、禁带的定义及它们之间的关系。

施主能级和受主能级的定义及符号。

答:价带:原子中最外层电子称为价电子,与价电子能级相对应的能带称为价带;E V(valence)导带:价带以上能量最低的允许带称为导带;E C(conduction)禁带:导带与价带之间的能量间隔称为禁带。

Eg(gap) 施主能级:易释放电子的原子称为施主,施主束缚电子的能量状态。

E D(donor)受主能级:容易获取电子的原子称为受主,受主获取电子的能量状态。

E A( acceptor )2. 半导体对光的吸收主要表现为什么?它产生的条件及其定义。

半导体对光的吸收主要表现为本征吸收。

半导体吸收光子的能量使价带中的电子激发到导带,在价带中留下空穴,产生等量的电子与空穴,这种吸收过程叫本征吸收。

产生本征吸收的条件:入射光子的能量( h V要大于等于材料的禁带宽度Eg3. 扩散长度的定义。

扩散系数和迁移率的爱因斯坦关系式。

多子和少子在扩散和漂移中的作用。

扩散长度:表示非平衡载流子复合前在半导体中扩散的平均深度。

扩散系数D (表示扩散的难易)与迁移率卩(表示迁移的快慢)的爱因斯坦关系式:D=(kT/q)卩kT/q为比例系数漂移主要是多子的贡献,扩散主要是少子的贡献。

4. 叙述p-n 结光伏效应原理。

当P-N 结受光照时,多子( P 区的空穴,N 区的电子)被势垒挡住而不能过结,只有少子( P 区的电子和N 区的空穴和结区的电子空穴对)在内建电场作用下漂移过结,这导致在N 区有光生电子积累,在P 区有光生空穴积累,产生一个与内建电场方向相反的光生电场,其方向由P区指向N区。

5. 热释电效应应怎样解释?热释电探测器为什么只能探测调制辐射?在某些绝缘物质中,由于温度的变化引起极化状态改变的现象称为热释电效应。

因为在恒定光辐射作用下探测器的输出信号电压为零,既热释电探测器对未经调制的光辐射不会有响应。

6. 简述红外变象管和象增强器的基本工作原理。

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摄像管的工作原理: 先将输入的光学图像转换成电荷图像,然后 通过电荷的积累和储存构成点位图像,最后 通过电子束扫描把点位图像读出。
主要性能: 1、光电转换特性 2、光谱响应 3、时间响应特性 4、输出信噪比 5、动态范围 6、图像传递特性 光电导式摄像管(视象管) 结构由 电子枪 和 光电导靶 两大部分 光电发射式摄像管与视像管得比较
I I p I d SE I so (e
qu
KT
1)
I P:光电流 I d暗电流 I so反向饱和电流
外光电效应 当光照射第某种物质中,若入射的光子能量 hv 足够大,那么它和物质中电子相互作用,可 致使电子逸出物质表面,这种现象称为光电发射效应,又称外光电效应,能产生光电发射效 应的物体,成为光电射体,在光电管称为光阴极。 光电子发射服从基本规律: 1、光电发射第一定律 当入射辐射的光谱分布不变时,饱和光电流 I 与入射的辐通量φ 成正比。 2、光电发射第二定律 发射的光电子的最大动能随入射光子光频率的增加而线性地增加, 而与人射光的强度无 关。 故又称爱因斯坦定律, 表达式为
Q1 100 % Q0
1. 光电倍增管的工作原理是什么?
(1)当光子照射至光阴极上时,由于光电效应,致使从光阴极表面上逸出相应数目的光电子。由于相邻电极 之间电压逐渐增高,在电场作用下,电子将被加速轰击到第一打拿极上,发射出成倍的二次电子。继而它 们又轰击第二打拿极,依次下去,电子逐级倍增。最后聚集到阳极上的电子数,可达阴极发射电子数的 10 倍。利用外光电效应和二次电子发射相结合即——把微弱的光输入转化为光电子,并使光电子获得倍增的 一种光电探测器件。 工作过程:光子入射到光电阴极上产生光电子。光电子通过电子光纤输入系统进入倍增系统,电子得到倍 增,最后阳极把电子收集起来,形成阳极电流或电压, 2. 光电倍增管的疲劳与衰老的含义,两者的差别是什么? (2)疲劳:在较强的辐射作用下,倍增管灵敏度下降的现象称为疲劳,这是暂时现象,待管子避光存放一段 时间后,灵敏度将会部分或全部恢复过来,当然过度的疲劳可能造成永久的损失。衰老:光电倍增管在正 常使用情况下,随着工作时间的积累,灵敏度也会逐渐下降且不能恢复,将这种现象称为衰老,这是真空 器件特有的现象。 区别:疲劳是暂时的,衰老是永不能恢复灵敏度的。 象管的主要功能是能把不可见(红外或紫外)图像或微弱光图像通过电子光学透镜直接换成可见光图像, 如变象管。像增强管、X 射线像增强器等。 摄像管是一种把可见光或不可见(红外、紫外或 X 射线等)图像通过电子束扫描后转换成相应的电信号, 通过显示器件再成像的光电成像器件。
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Chenzhaojiong 整理
开路法开路电压 U 0
mKT I sc I d ln e Id
光电二极管的使用方法,可以得到如下结论: 反向偏压可以减小结电容, 从而有最小的电路时间常数, 适合于脉冲和高频条时光的探测之 用。但这种解法存在暗电流的干扰,不宜测量微弱的恒定光和低速调试光。与此相反。短路 法使光电流输出信号中不出现暗电流,所以非常适宜于恒定和和低速微弱光的测量。 全电流方程
I I p-I d I p I s 0 (eqU / KT 1) Se E I s 0 (eqU / KT 1)
当光电池外接负载电阻 RL 后, 负载电 阻 RL 上所得电压和电流在特性曲线 转弯点时,电流和电压乘积为最大, 光电池输出功率为最大。可以看出: 负载电阻愈小,光电池工作愈接近短 路状态线iong 整理
图 2-9
交流粉末场致发光屏
1- 玻璃板 2- 荧光粉层 3- 高介电常数反射层 4- 铝箔 5- 玻璃板 6- 透明导电层 由于发光屏两电极间距离很小,所以在微小电压的作用下,就可得到足够高的电场强度。粉 层中自由电子在强电场作用下加速而获得很高的能量, 它们撞击发光中心, 使其受激发而处 于激发态。 当激发态复原为基态时产生复合发光。 由于荧光粉与电极之间有高介电常数的绝 缘层,自由电子并不导走,而是被束缚在阳极附近,在交流电的负半周时,电极极性变换, 自由电子在高电场作用下向新阳极的方向, 也就是向正半周时相反的方向加速, 这样重复上 述过程,使之不断发光。 交流粉末场致发光屏优点:光发射角大,光线柔和,寿命长,功耗小,发光响应速度快,不 发热;缺点:发光亮度低,驱动电压高和老化快。 LED 发光机理 当给发光二极管的 P-N 结加正向电压时, 外加电场将削弱内建电场,使空间电荷区变窄, 载流子的扩散运动加强。由于电子迁移率总是远大于空穴的迁移率,因此电子由 N 区扩散 到 P 区是载流子扩散运动的主体。当导带中的电子与价带中的空穴复合时,电子由高能级 跃迁到低能级,电子将多余的能量以发射光子的形式释放出来,产生电致发光现象。 。 伏安特性 在正向电流为 1 mA 时,器件导通电压为 0. 7 ~0. 8 V ;反向电流为 0. 1 mA 时, 反向击穿 电压大于或等于 2 V LED 与 LD 的比较 1.LED 是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光 LED 发光机理 结构上 性能上 优点 LED 是利用注入有源区的载流子自 发辐射复合发光 LD 有光学谐振腔, 使产生的光子在 腔内振荡放大 LED 没有阈值特性 , 光谱密度比 LD 高几个数量级 , 价格便宜,寿命长 LD LD 是受激辐射复合发光 LED 没有谐振腔。 LED 有阈值特性,输出光功率 小,发散角大。 相干光
光生伏特效应是半导体材料吸收光能后,在 PN 结上产生电动势的效应 第一象限正偏压,Id 本来就很大, 所以光电流 Ip 不起重要作用。第 三象限反向偏压,这时 Id=Is0, 它是普通二极管中的反向饱和电 流,现在称为暗电流(对应于光照 度 E=0) ,数值很小,这时的光电 流 (等于 I-Is0) 是流过探测器的主 要电流,对应于光导工作模式。在 第四象限中,外偏压为 0,流过探 测器的电流仍为反向光电流。 随着 光功率的不同,出现明显的非线 性。 这时探测器的输出通过负载电 阻 RL 上的电压或流过 RL 上的电 流来体现,因此称为光伏工作模 式。
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Chenzhaojiong 整理
eN e e P (t ) P t h h
IP
式中 P 为入射光辐射的平均功率。
输出的光电流与入射平均光功率成正比,光电流也与光电场强度的平方成正比。 热噪声(又称电阻噪声或白噪声)凡有功耗电阻的元件都有热噪声,它来源于电阻内部自由 电子或电荷载流子的不规则的热运动。 散粒噪声 是一种由电子或光生载流子的粒子性所引起的噪声。 光电导效应: 在光照情况下, 物质内部原子释放的电子留在内部而使物体的导电性能增加 (电 导率发生变化) ,电阻值减小的现象。 光敏电阻的光电特性和光照指数
光电效应 光照射到物体表面上使物体发射电子、或导电率发生变化、或产生光电动势等,这种因光照 而引起物体电学特性发生改变统称为光电效应 在光辐射作用下,电子逸出材料表面,产生光电子发射称为外光电效应,或光电子 发射效应; 电子并不逸出材料表面的为内光电效应。光电导效应、光生伏特效应及光磁电效应 均属于内光电效应。 光电探测器输出的平均光电流表达式
1 2 meVmax h W 2
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式中,me 为光电子的质量;
Chenzhaojiong 整理
Vm ax 为出射光电子的最大速度;v 为光频率; W 为发射体材料的逸出功。
光电倍增管主要由光入射窗、光电阴极、电子光学系统、倍增极和阳极等部分组成。 光入射窗、1)光入射通道 2)短波阈值 光电阴极、1) 光电转换能力 2) 长波波长阈值 3) 决定整管灵敏度 电子光学系统、1)收集率接近于 1 2)渡越时间零散最小 倍增极 倍增 阳极 收集最末一级倍增极发射出来的二次电子,向外电路输出电流。
光电二极管与光电三极管的伏安特性比较 1、 在相同照度下,光电三极管的光电流比硅电光二极管大的多,光电三极管的光电流在毫 安级,硅电光二极管的光电流在微安级; 2、 在零偏置时,光电三极管没有电流输出而光电二极管有电流输出。 3、 工作电压较低时,输出光电流与入射光强成非线性关系。 4、 在一定的偏压下,光电三极管的光电特性不如光电二极管好,在较强的光照下,光电流 与照度不成线性关系。 P75 需要补充
I P ( ) S gU 或I P () S gUE
式中,Sg 是光电导灵敏度,与光敏电阻材料有关;U 为外加电源电压;Φ 为入射光通量;E 为入射光照度。 为 0.5~1 之间的系数,弱光照射时, =1,IP 与Φ 有良好的线性关系, 即线性光电导;强光照射时, =0.5,即抛物线性光电导。
Chenzhaojiong 整理
光电检测系统是以光信息变换为基础的,把待测量通过光信号变换为电量来进行测量的。 光电检测系统各部分的功能: (1)光源和照明光学系统: (2)被测对象及光学变换: (3)光信号的匹配处理(4)光 电转换: (5)电信号的放大与处理: (6)存储、显示与控制系统:
几何光学变换的光电检测的基本结构:辐射式、反射式、遮挡式、透射式。 物理光学变换的光电检测的基本结构:干涉式与衍射式。 热辐射的光谱是连续的,发光谱是不连续的 光源的分类 按照光波在时间、空间上的相位特征,一般将光源分成相干光源、非相干光源还有低相干光 源。 按照发光机理,光源又可以分成热辐射光源、气体发光光源、固体发光光源和激光器四种。 辐射效率 在给定λ 1~λ 2 波长范围内,某一辐射发出的辐射通量与产生这些辐射通量所需的电功率 之比,称为该辐射源在规定光谱范围内的辐射效率, 即 在给定λ 1~λ 2 波长范围内,某一辐射体(光源)所发射的光通量与产生这些光通量所需 的电功率之比,就是该光源的发射效率,即 将各矢量的端点连起来,就得到光源在该截面上的发光强度分布曲线,也称配光曲线. 光源的颜色包含两方面的含义,即色表和显色性。 用眼睛直接观察光源时所看到的颜色称为光源的色表 当光源照射物体时,物体呈现的颜色(也就是物体反射光在人眼内产生的颜色感觉)与该物 体在完全辐射体照射下所呈现的颜色的一致性,称为该光源的显色性。 场致发光光源是固体在电场的作用下将电能直接转换为光能的发光现象,也称为电致发光。 3 种形态:结形电致发光、粉末电致发光、薄膜电致发光。 ·交流粉末电致发光的工作原理
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