经典再续iriver T50、T60
爱国者 TWS 蓝牙耳机 T60 产品使用指南说明书
爱国者TWS 蓝牙耳机 T60产品使用指南版本：V1.0TRUE WIRELESS STEREO HEADSET USER GUIDE 为了确保最佳的使用体验，请仔细阅读本指南，并将本指南妥善保管在安全的地方，以备将来参考。
TWS T60 公司简介北京爱悦诗科技有限公司（以下简称爱悦诗科技，EROS）是爱国者集团旗下高端影音娱乐产品公司。
爱国者作为国内最具成长性的高科技企业之一，秉承“自主科技，自由生活”的理念，致力于为广大消费者提供技术领先、性能优越及质量优异的高科技产品和IT技术解决方案。
aigo爱国者在集团成立的25年中不断地在关键领域进行技术研发投入，其中在音频领域开发的声音采集、回放及供电、存储系统，曾两次圆满完成神舟飞船的录音及存储任务；截止目前，爱国者的专利申请总量已达180多项，储备21项国家专利技术，技术水平处于领先地位。
近年来，随着个人消费在影音娱乐技术发展及产品领域的逐步普及，爱国者集团旗下爱国者电子科技有限公司顺势推出了全新战略体系，将原有爱国者智能音频项目拆分独立运营，成立北京爱悦诗科技有限公司，秉承aigo爱国者近20年在音频领域的技术积累和品牌影响力，以及旗下高端音频品牌EROS在影音娱乐领域的创新、研发及生产实力，顺应影音娱乐数码科技发展潮流，全面向音频，视频，娱乐互联等方向发展。
爱悦诗科技（EROS） 以用户为基准，从人性化角度出发，将最符合新时代发展趋势的音、视、听、娱乐数码产品奉献给广大消费者！爱悦诗科技（EROS）将继续坚持自主创新，坚持自主品牌，在全球范围内巩固并扩大强大的品牌影响力和良好的市场口碑。
未来，爱悦诗科技（EROS）将凭借的aigo爱国者和EROS的品牌号召力、优异的研发体系和资深的中国市场经验，把握高端音频消费市场变革的大好机遇，实现高速增长，成为国人喜爱的、受人尊重的、业界一流的国际化高科技企业！1重要声明一、感谢您购买北京爱悦诗科技有限公司出品的爱国者蓝牙耳机。
猛禽斯基--浅析俄罗斯第四代战机T-50
在等待多年后，迷雾中的俄罗斯第四代战斗机（俄国内称第五代）T-50终于首飞成功。
这款凝聚了俄罗斯新时期航空技术精华的战机，采用了不同于俄国内战机的新颖外形和布局，未来发展目标也直指早在20年前就已开始试飞的F-22。
T-50试飞并未配备专用发动机和雷达航电系统。
1月29日，俄罗斯第五代战斗机PAF-FA/T-50，在经过多次延迟后，首次成功试飞。
这是俄罗斯航空工业在新世纪取得最重大的突破，也让俄罗斯成为美国之后第二个能够研制第四代战斗机的国家。
从俄罗斯的报道来看，试飞应该是T-50的原型机，配备的应该是117S涡扇发动机（也就是所谓的4++代发动机），也没有雷达和航电系统。
这也是国际通用的做法，即先用成熟发动机来验证飞机的气动和操纵性能，待飞机成熟后再装备新的发动机及航电、武器系统，用于飞机全状态试飞。
米格I.42MFI可以视为隐身向机动妥协的产物。
MFI（多用途前线战斗机）计划实际上，前苏联第四代战斗机（前苏联称之为第五代战斗机，为了避免混乱，下文统一采用第四代战斗机）研发项目启动时间很早，早在1979年前苏联就启动了I-90计划（90年代战斗机）。
前苏联空军对于第五代战斗机的性能要求重点排序分别是：1、超音速巡航；2、机动性能；3、隐身。
为此俄罗斯中央航空动力流体研究院（TSAGI）提出鸭式布局的概念性方案，即利用鸭式布局的大升力加上自适应机翼来确保未来战斗机拥有较好的超/亚音性能和大迎角机动性能，特别是要求能够在90度或者更大的迎角保持飞行的稳定和可操纵性。
1985年，米高扬设计局战胜苏霍伊设计局，获得第五代战斗机的研制任务。
1988年－1988年，米高杨设计局根据TSAGI的方案进行了细化设计，这就是MFI（多用途前线战斗机）项目，飞机编号为I.42。
同年，前苏联空军批准新型歼击机的技术、战术指标，1989年，米高扬设计局发出I.42的全套生产图纸。
MFI 需要在完善的空情信息支援下才能对抗F-22。
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实 时 负荷 优化 分 配 的研 究［ ．现 代 电力 ， Ｊ ］
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方 面的研 究 。
挥二者在全厂优化控制 中的作用 ，
不 仅 可 以 满 足 成 长 型 企 业 现 阶 段 『需 求 ， 亦 能 为 其 不 断 发 展 的 业 务提 供 可 靠 的 平 台 支 撑 。 Ｔ Ｔ ６ Ｇ 可 支 持 英 特 尔 全 新 的 至 强 ５ ０ 处 理 器 平 台 并 对 系 统 性 能 进 行 了 全 面 优 化 ，和 上 一 代 产 品 相 ２０ ３ ６０ 比 整 机 性 能 提 升 超 过 ４ ％ ， 配 合 联 想 创 新 的 安 全 技 术 ， 为 系 统 稳 定 和 数 据 安 全 构 筑 全 面保 障 ， 为 中 小 企 ０ 业 搭 建 计 算 和 存 储 应 用 提 供 了最 佳 的 ｚ 件 平 台 。 ４． Ｔ ６ Ｇ５ 配 ｓ Ｔ Ｉ ｓ ｓ 插 拔 功 能 ， 支 持 多 达 ４ 热 插 拔 和 １ 非 热 插 拔 硬 盘 ， 容 量 最 高 可 达 １Ｔ ２０ 标 Ａ Ｊ Ａ 热 Ａ／ 个 个 Ｂ， ０
Ｔ ６ ３ 务 器将助 力广 大成 长型 企 业 用 户 实现 可持 续 发展 ，提 高 企业持 久 竞 争 力 。 ２ ０Ｇ 服
mp3品牌
高音质MP3的典型代表有：创新、iRiver、美播MPIO、iAudio 、PHILIPS，这些品牌的产品具有很好素质的解析力，以及成熟的声音结构，而且各自产品的声音风格区别也很显著，选择哪种产品关键看消费者的个人喜好，下面我们来看看它们各自的声音风格。
PHILIPS芯片创新：创新是电脑音频界的元老，和目前声卡市场的霸主，对电脑影音事业做出了关键贡献。
在MP3方面起步也很早，1999年便推出了第一代NOMAD系列产品。
创新的各类音频产品都有统一的声音风格，这是典型的成熟品牌特征，MP3也是如此，无论是便宜到几百元的闪存MP3，或是几千元的硬盘MP3。
由于创新在声卡领域一直着重于游戏音效和PC电影回放环绕音效的开发（包括EAX音效），所以他们的声音风格具有比较明显的空间感，能感觉到声音形成一个回环的立体氛围，这在用创新声卡和音箱看电影时效果特别明显，用创新的MP4看电影也有同样效果。
听音乐时，也能将录音效果空间感不强的歌曲“变得”具有好听的环绕感，许多不追求顶级发烧高保真音质的用户喜欢这种感觉，这种效果对录音时后期处理厉害的流行歌曲效果显著，能掩饰其中的录音和人声缺陷。
创新Zen Vision是一款顶级MP4创新的低音在最低一部分频段做了特别的强化处理，有浓重的力度感，虽然这会失去一些细节，但会讨好大部分普通用户的耳朵，他们喜欢沉重的低音，甚至把这作为音响素质的衡量标准。
中低频段拥有足够的细节，而且开启低音音效后，可以使低音力度更强，当然这会损失更多细节。
作为主攻流行歌曲和普通电影的音频产品，创新的中音当然是最下力气打造的，在几十年的发展中，的确已经做得相当成熟了，特别适合回放现代电子乐和数码后期处理录音的流行歌曲，和电影中的人声。
与低音一样，中音部分也是着重加强了某一小频段，而且衔接自然，具有清丽的韵味。
创新MP3的音效设计也是很成熟的，各种预设音效设置均有鲜明的特色和区别，这也是与低档产品区别很明显的地方。
施耐德电气- NZM 1-4系列塑壳断路器，至1600A- 中文版说明书
NZM 1-4系列塑壳断路器目录1.1系统综览1.2产品概述1.3断路器1.4隔离开关1.6用于北美地区的断路器1.11 断路器，隔离开关NZM 1-4系列塑壳断路器断路器，隔离开关 (2)断路器，隔离开关，3/4极 (4)热磁式脱扣器，3极磁式3极短路脱扣器电子式脱扣器，3极热磁式脱扣器，4极电子式脱扣器，4极 (6) (10) (12) (16) (20)热磁式脱扣器，3极磁式3极短路脱扣器电子式脱扣器，3极 (28) (32) (34)辅助触点带螺钉端子带弹簧压接端子欠压脱扣器带螺钉端子分励脱扣器带螺钉端子门联动旋转手柄门联锁功能的旋转手柄，用于具有UL/CSA认证的NA开关旋转手柄门联锁功能的旋转手柄主开关旋转手柄组件附件机械联锁 (46) (48) (55) (62) (64) (66) (67) (68) (70) (72)3极4极 (24) (25)1.7用于北美地区的塑壳开关3极 (40)1.5产品概述用于北美地区的断路器、隔离开关，3极 (26)1.8技术概述用于1000V AC的断路器和隔离开关，3极 (41)1.9断路器用于是1000V，3极 (42)1.10 安装布线辅助触点，脱扣指示辅助触点 (44)结构紧凑，仅四种电流壳架等级具有3极和4极产品额定电流达到1600A 多种安装方式可选择50℃环境温度下无需降容适用于世界范围市场，通过IEC、UL/CSA，CCC认证安全可靠地对电能进行分配、通断和控制，应用于工业、建筑和机器设备制造业。
创新的保护理念，具有故障诊断和通信功能。
断路器系列NZM1到NZM4• •• • ••Page 4具有故障诊断数据记录和调试功能在运行中可进行负荷分析诊断软件NZM-XPC-SOFT• • • 下载网址：/en/support/ser-viceresult.jsp合闸延时短，60~100 ms 可加锁、铅封，确保安全操作远程操作机构• • Page 74不同型号具有统一的开孔尺寸自动调节，定位中心位置侧面操作功能，节约了主开关的安装空间门联动旋转手柄••• Page 62同一型号的辅助触点安装在不同位置，具有不同功能减少了型号种类，降低了库存要求直接卡装，节约了安装成本标准/脱扣指示辅助触点与Titan系列产品通用• • • Page 46NZM 1-4系列塑壳断路器产品描述塑壳断路器NZM 1，2，3，4，至1600A产品描述NZM 1-4系列塑壳断路器目录 1.11 断路器，隔离开关1.12 选择性保护，线路保护，后备保护NZM 1-4系列塑壳断路器平形联动机构远程操作机构插拔式单元，抽屉式单元NZM1接线端子NZM2接线端子NZM3接线端子NZM4接线端子附件绝缘外壳接地保护脱扣器漏电保护附件多功能适配元件........................................................................................................73......................................................................................................74....................................................................................76....................................................................................................92....................................................................................................96..................................................................................................100..................................................................................................106..................................................................................................................114..............................................................................................................116...............................................................................................118....................................................................................................119. (121)断路器脱扣特性断路器允通特性剩余电流继电器的频率响应.................................................................................................127.................................................................................................131 (135)断路器隔离开关塑壳开关功率耗散接线能力辅助触点辅助触点的安装，ON-OFF时间差欠压脱扣器，分励脱扣器远程操作机构，电容单元数据管理界面（DMI模块）总线连接剩余电流继电器压力释放方向，最小安装间隙，管状接线头................................................................................................................136.............................................................................................................141............................................................................................................142............................................................................................................144............................................................................................................146............................................................................................................148....................................................................149..................................................................................150..................................................................................151.................................................................................152...........................................................................................................153................................................................................................155 (156)在进线断路器NZM...和出线断路器FAZ-B（C），PKZ...之间实现选择性保护在进线断路器NZM...和出线断路器NZM...之间实现选择性保护线路保护，后备保护................................................................................122........................................................................................................124 (126)1.14 技术数据1.13 脱扣特性机械联锁用于远程操作机构的机械联锁 (157) (158)1.15 安装设计NZM型号说明隔离开关型号说明....................................................................................................204.. (205)1.17 型号规则1.16 尺寸断路器，隔离开关 (159)NZM 1-4系列塑壳断路器系统总览NZM 1-4系列塑壳断路器系统总览1.11.1断路器，隔离开关断路器，隔离开关断路器额定持续电流，最大1600 A 分断能力25, 50, 100, 150 kA 于415 V过载保护和短路保护范围可调节时间选择性可调节接地保护低压系统保护，电缆保护，电动机保护，发电机保护3极和4极，IEC/EN 60947隔离开关额定持续电流，最大1600 A 远程脱扣功能，需带欠压或分励脱扣器3极和4极，IEC/EN 60947附加功能安装附件标准辅助触点随主触头动作而动作用于脱扣指示和电气互锁功能脱扣指示辅助触点指示因过载、短路和欠压而产生的脱扣提前闭合辅助触点用于电气互锁和减负荷功能，及在主回路/急停电路应用中欠压脱扣器的提前闭合电压脱扣器电压脱扣器·瞬时·延时分励脱扣器垫块欠压线圈的延时单元门联动旋转手柄门·可加锁·有门联锁功能用于柜体侧面安装的断路器旋转手柄延长杆可以切割成任意长度旋转手柄可加锁远程操作机构通过2线和3线控制实现ON,OFF 复位上下扳动手柄的锁定装置侧面操作手柄数据管理界面(DMI模块)可以查询诊断数据和运行数据记录电流值利用电子式脱扣器对断路器进行参数设置和控制EASY-LINK-DS数据插头PROFIBUS-DP通讯接口1165538971817241125252613, 151214161920212223241011控制回路端子顶部或底部管状式接线端子，铜线或铝线标准配置控制回路端子盒式接线端子框架1的标准配置安装干开关壳体内端子盖在使用电缆接线片，母排或管状接线端子处，防止直接接触安装支架NZM1-XC35用于35 mm导轨NZM1-XC75用于75 mm导轨后部接线端子插拔式和抽屉式单元绝缘框用于上下扳动式手柄，带有旋转驱动机构的旋转式手柄和远程操作机构外部警示牌/显示板指触防护等级为IP2X的防护盖用于盒式接线端子指触防护等级为IP2X的防护盖用于相间隔板NZM 1-4系列塑壳断路器产品概述NZM 1-4系列塑壳断路器产品概述1.21.2断路器隔离开关适用于世界范围的断路器和隔离开关的选型，从第26页起。
2015年Atrust瘦客户机资料
零客户机介绍
� A100W规格
瘦客户机介绍
T50 瘦客户机
Atrust t50 是采用 Linux，特别为主从架构的运算环境而设计的瘦客户机。公司开发的 ACS (Atrust Client Setup) 软件也内含於系统中以协助用户有效管理 t50。t50 支援微软 RDP (远程桌面协议)，可 以连接多种提供RDP服务的操作系统以建立虚拟的 Windows 工作环境。此外，支援 RemoteFX，迈 一步强化 RDP 远程桌面的用户体验，t50 能提供远端用户丰富的、类似近端站台的运算效能，包含高 品质多媒体内容的递送。兼容RDP with RemoteFX 协议
VESA Mount Kit (W) 114 x (H) 6 x (D) 60 mm
零客户机介绍
M302零客户机特点 总拥有成本(TCO)低 添加一台客户机就像添加其他普通I/O外设一样简单，可以显著降低TCO。 超薄和静音设计 m302采用了超薄设计，只有约112克，可以使用 VESA 悬挂套件直接悬挂在屏幕後 方；且使用的是无风扇设计，所以可以帮助用户营造一个无噪音的工作环境。 扩展USB端口 m302有两个扩展的USB端口，可以连接其他USB外设。 即插即用 m302仅需要一套鼠标、键盘、显示器，再连接到主机，就可以建立起一套完整的工 作站，可以即刻使用。 易管理维护 因为所有的运算任务都在一台服务器上运行，所以在客户端上没有任何的软硬件问 题。用户管理、软件安装、系统管理和升级都可以在单一的服务器上完成。
正面视图
背面视图
瘦客户机介绍
� T50瘦客户机特点：
� � � � � � � � � � 总拥有成本 (TCO) 低 新增站台就像新增输出输入装置一样简单，总拥有成本因此得以大幅缩减。 超薄静音设计 t50 仅重 168 公克。轻薄的造型，t50 可以使用 VESA 支架直接悬挂在屏幕後方。再加上 无风扇设计，t50 可帮助用户建立无噪音的工作环境。 点击即可进入视窗工作环境 t50使用远程桌面连线连接服务主机。只需点击远程桌面捷径就可开启视窗工作环境，使用 运算服务。 丰富的远端用户体验 支援 RemoteFX, t50 可提供远端用户丰富、高效、接近近端用户的运算体验。 维护管理轻松简易 由於运算主要在服务器端进行，客户端的软硬件问题大幅减少。所有用户管理、软件安装、 系统管理及升级都可在服务器端完成。
诠释声音的时尚——拜亚新一代T系列耳机T50p实测
Ｔ 有目仅有一个意思 ： 拜亚Ｔ ｓ 耳机 （ ｅｌ １ ａ 简称Ｔ ） 这款 ” １。 特斯拉级” 的耳机 ， 因 更广阔的音域、 更高效的瞬时动态效果 ， 成为了无数玩家』 目中的 ” 不 神器 。
Hale Waihona Puke 陛 可望而不可及 ： ｏ Ｑ的阻抗使得它只能通过耳机放大器才能被推动— — 这 ６０ 音乐的人来说是不可接受的。 为了让更多的用户能体验到特斯拉耳机的魅力 ， 改进 ， 推出了其便携版产品Ｔ ０ ， ５ ｐ 它采用了相同的音圈技术 ， 但阻抗仅为３ Ｑ， ２
小 巧 的 圆 形耳 罩一 改 拜亚 传 统 的 专 业 厚重 感 ・ 而透 出 辑 ． 反 声音变ｆ 多端 ・ 匕 大量异想天开的合啻时常突人其来
工程师虑评
这Ｉ＇ ０的魅力， ｔ Ｊ５ｐ ￣ 它能让你以一 种极为简单的方式体验 到音乐本 身的醇正。 尚而自然， 时 这不仅仅 是指它的外观， 也是对它音质的最 好 诠释 ， 出众的解 析能 力和高 其 效 的瞬态 转换 ， 能让你 对所 有的 音乐都有蓿全新的体验。
望・ 即使没有任 何功放的帮助 ・ 它也将 高音的清澈与细
腻进 行 了 很好 的展 示 。 别 在 《 ａ ｒ ｋｅ ｑ ｓ 这 首 歌 特 Ｃ ｒｉ ｆ ｒ ｕ 》 ｃ 曲里 － 从一 开 始 的 高 音过 门 转换 到 人 声 中 频 ・ 再 次 转 并
换 到 人 声 女 高 声 ・ 中 没有 一 点 生 涩 与 失真 ｔ 声 中 在 其 人
诸隋彦 轻松推动—— 而特斯拉的魅力， 将通过Ｔ ０ 之力而传到每—个＾ ５ｐ 的耳［ ｝ ＝
外观： 不仅仅在于便携
即使 不 ￣ Ｔ ０ 拿 在手 中 ・ 能 感 觉到 它 轻 巧无 比 。 ５ｐ 也
艾利和iriver iFP&T系列专业音质评测
先谈谈新芯片作者：Edde对于一直强调音质的iriver 来说，更换芯片并不是一件容易下的决定，但当研发部门试用过新芯片后，这个决定却就变得容易了，从音质上去看，新的芯片能更加准确地在歌曲的高音、中音、低音中取得了平衡，有中国用户反应新芯片的低音好象不如700系列强，其实是一个错觉，大家试试调较EQ 吧，新的芯片保留了很大的空间给EQ 发挥，也就是说改变EQ 的设置得出来的效果比以前更名显，每个人所喜欢的音乐都有不同，有人喜欢听有力的低音，有人更喜欢仔细去听音乐中的每一个细节，有人追求现场感，却有人追求空间感，透过新的芯片，只要改变一下EQ，整部MP3的声音就好象改头换面一样，还不用固件升级，可以说新的芯片是可以迎合到每一个人对音质的需要。
为什么新的芯片在EQ上面可以这么强呢?其实这有赖新芯片的高速ARM9核心及内置DSP的诠译能力，以前的PNX0101芯片，核心的技术是ARM7，主频大概为60Mhz，但新的芯片却是ARM9，主频200Mhz，这足足是旧芯片的3.5倍(记得以前从486转到PENTIUM 100 的感受吗?)，其实ARM9在很多移动产品上都已经有采用，POCKET PC 上有不少的机器都是用没有内置DSP 的ARM9的处理器，但由于成本的高昂，把它放在MP3上却是第一次，这个处理器除了在音质上解析力强外，还可以直接支持USB2.0，虽然同是USB2.0的界面，新型号在传输速度却远胜旧型号，另外这个处理器十分省电，而由于他的主频达200Mhz，要实时播放OGG Q10要支持电影播放，相片读取等等，皆可游刃有余，其中U10更使用了它来播放FLASH MOVIES。
基本上，这个芯片除了价格外，全都是好处，但iriver 用户一直都追求最高的享受，相信亦乐意去接近它。
其实MP3的音质并不是全看在芯片上，线路的走位也起着很关键的作用，iriver 的主板都是使用6层PCB板，这个其实是与计算机主机皮看齐的了，有效的线路分布能大大的改善音乐讯号之间的相互干扰，这方面的技术才是iriver MP3与众不同的地方..要改变是不容易的，但盲目的跟从其它人的说法亦只会自己理亏，倒不如自已试试感受新的芯片，试验不同的EQ后才下定论…传输速度和音质评测作者：18子石页这次我们进行的USB传输速度和音质评测是由四款机器对比作出的，分别是180,380,790,T10，该部分主要由FANS 18子石页完成，以下我们就以第一人称我来代表18子石页，以后不做阐述解释00.jpg(65.76 KB, 下载次数: 54)1.jpg(31.82 KB, 下载次数: 54) 180TC读写速度2.jpg(32.79 KB, 下载次数: 50) 380T读写速度3.jpg(35.44 KB, 下载次数: 53) 790T读写速度4.jpg(35.56 KB, 下载次数: 53) T10读写速度有以上的图示我们不难看出180TC和380相比读写速度相当，而790则高一些，但是我们看．到了T10USB 2.0全速的接口读写速度明显提升了一个阶段，因此说明T10的读写能力是很不错的．好了我们现在进入正式的音质评测阶段．先介绍一下我这次测评的方法，这次全部音乐是我本人为这次测评专门制作的(最下面有链接下载），我会分别用180tc 380 790 t10来播放相同的音乐，然后连接设备在电脑中看他们的频谱表现，再与原品的频谱做对比，这样大家自然可以轻轻楚楚的看到t10的声音到底还原的如何，或是比其它型号好在哪里。
T―50的航电系统与机上设备
pak-fa最重要的作战用航电系统称为mires（多用途整合式无线电系统），意即包括雷达、无线电预警、电子战、通信、敌我识别等在内的所有无线电系统在一开始就被视为单一的复杂系统而进行研发，而不是将独立的系统加以整合，如此一来各无线电系统的兼容性更高，能够更好地发挥使用效率。
另一方面，各系统可使用通用技术，甚至能加以整合（例如同一天线兼具探测与识别功能等），从而降低重量与成本。
探测、火控与电子战系统mires的研发主导权于2004年被授予tikhomirov-niip（提赫米洛夫仪器制造科学研究院），由其牵头与其他著名的航电研制机构共同执行研发计划。
2006年完成了mires计划的答辩。
mires的探测雷达部分包括前、后、侧视相控阵雷达，在波段上包括x、l甚至毫米波段，而且为了满足多用途的需求，将采用主动相控阵天线。
按照tikhomirov-niip总经理贝莱（yu.beli）早期的说法，侧视相控阵天线将不会内置于机身，而是配备于外挂吊舱内，而豪米波段则是未来的扩展项目。
除了无线电系统外，pak-fa还配有uomz（乌拉尔光学仪器厂）研制的101ks光电系统，整个系统包含前视光电探测器、分布式光电传感器、对地攻击吊舱以及主动光电防御系统。
这样一来，pak-fa不论是在探测、火控还是警戒方面都有多种频谱可供使用。
按照mires计划，在硬件方面需要研制各种波段与用途的主动相控阵天线。
tikhomirov-niip的副总经理即x波段主动相控阵天线总设计师塞纳尼（a.isinani）指出aesa （主动相控阵）雷达是分三个层次来进行发展：1）建立基本组件库：开发通用的高频电路组件（放大器、移相器、衰减器等）、控制组件（智能开关、内存等）、供电组件等：2）完成天线单元：不同天线系统的设计者从上述基本组件库中取得所需组件，而后完成具有完整功能的天线单元：3）总装并完成整个雷达系统：总设计师认为这种多层次的通用设计方法具有很大弹性，可以轻易依据所需功能与波段而设计出所需的天线系统。
锐尔威视A63-Core产品硬件手册说明书
A63-Core 产品硬件手册2020-5-28 Ver.C锐尔威视版本更新说明1. 产品概述1.1 产品简介锐尔威视的A63-Core模块是基于全志A63平台设计的高性价比嵌入式核心模块板。
A63-Core采用130pin邮票孔封装形式，六层高速PCB设计，体积非常小，适合做手持便携类产品。
A63-Core模块集成2GB LPDDR3内存和16GB EMMC存储器，集成PMU芯片，带电池充放电管理。
集成音频Codec功能，GPU为Mali-T760，可满足人脸识别及AI算法的需求，支持硬解H.265/H.264 4K@30fps，提供丰富的外设资源：USB、UART、SDIO、SPI、IIC、GPIO。
支持驱动2个4-lane MIPI 或1个8-lane MIPI接口的显示屏，最大分辨率2560x1600，支持驱动2-lane EDP屏，分辨率1920x1080。
搭载Android7.1操作系统，经过深度优化定制，运行流畅，用户可由PC端的固件修改工具定制个性化固件，如修改开机图片动画声音、设置开机自启动应用、更改LCD屏配置、设置屏幕旋转方向、修改机器信息等1.2 产品规格2. 应用接口2.1 邮票孔接口A63-Core采用邮票孔封装，间距1.2mm，共130个引脚2.1.1 管脚分布2.1.2 管脚定义2.2 电源2.2.1 DC供电A63-Core模块用直流5V电源供电，上电即可开机，电压范围4.8~6V。
用户根据应用场合，选择使用12V或24V降压DC/DC设计电源为保证系统的稳定运行，电源输入处的滤波电容建议不小于100uF。
具体要根据产品应用场合和经验选择合适的电容值2.2.2 电池充电和电池管理使用3.7V锂电池供电A63-Core内置线性充电管理电路，支持对3.7V锂电池进行充电。
支持DC和USB接口充电，当两种充电口同时接通时，优先选择DC充电如需要使用电池给外设（屏，USB）供电，建议用PS接升压IC，升压到5V2.2.3 RTC电源内部VRTC耗电较大，不建议使用，需要使用外挂RTC芯片（PCF8563），软件默认支持外挂RTC。
1992—2000年AIWA耳塞全记录
45毫米特长低音导管。96-98年出品。
5、 V141系列，俗称95金小孔，是1995年以来大量配机，并受到普遍好评的一个系列，但个人使用多年的感觉，低
音不如V16，高音又比不上V14，只能算是“矮子里面找高人”了：
的低音，颈项型无氧铜软线，24K镀金立体声小型插头，耳机线上附音量控制，耳机卷线盒。频率响应7HZ-25KHZ，阻抗
16欧姆，音量感109DB/毫瓦，净重5克（不含线），92-94年出品。
（3）HP-V65 30毫米U型低音笛管耳机，防漏音及防菌耳机设计，永保耳机清洁，大型16毫米驱动单元表现强有力
（1） HP-V147 防漏音改良型耳机设计，30毫米U型低笛管耳机，14.8毫米强力SA-CO（钐-钴）驱动磁铁，颈项型
无氧铜软线，耳机线上附音量控制，94-95年出品。
（2） HP-V145 防漏音改良型耳机设计，30毫米U型低音笛管耳机，14.8毫米强力SA-CO（钐-钴）驱动磁铁，颈项
耳塞中的领袖地位。需要说明的一点
是，现在论坛上不少人使用的V743是广东东莞生产的，无论从外观、做工还是实际
听感来看，都与日本原装的有不少差距（甚至连外观都有不少区别），AIWA早期MD机曾使用其作为配机耳塞：
元，梦幻低音笛管耳机产生深沉低音，防缠结颈项型无氧铜软线，24K镀金立体声小型插头，高级外型，耳机线上附音量
控制，耳机卷线盒。95-98年出品。
（3） HP-V541 提供舒适佩带感的超低音耳部逻辑设计防漏音耳机设计，大型16毫米驱动单元，梦幻低音笛管耳机
产生深沉低音，防缠结颈项型无氧铜软线，24K镀金立体声小型插头，高级外型，耳机卷线盒。96-98年出品。
智能可穿戴运动蓝牙耳机艾利和iriverOn产品培训资料47
方法三 其依据是人体的耗氧量与本身完成的功率和运动时的心率密切相关，因而通过运动时的心率和运动完成的功推测受试者的最大摄氧量。
iriverOn应用程序——Rockport test (VO2 max)
通过iriverOn来测试最大摄氧量仅需要： 以舒适的配速步行1英里(1.6Km)，并且进行测试时，不要跑步。即可测出最大摄氧量。
iriverOn智能运动蓝牙耳机支持中文、日语、英语、韩语四种菜单，而且还具备了四个国家的运动语音提醒。 （如：您选择是中文的，运动时提示和指导都将会是中文的语音。）
iriverOn应用程序——介绍
简易的iriverOn新手指南和如何进行有效运动的说明，让您随时都能学习健身的有效运动知识，进行更安全迅速提升自身运动强度，也使其您无 需花费昂贵金钱和时间请求健身顾问。
测定方法： 方法一 又称做实验室测试（laboratory measurement）。让受试者带上专门的仪器在跑台上跑步，通过调动跑台的跑速级别使得受试者运动至力竭，然后用专门仪器收集到 的受试者呼出的气体纳入气体分析仪进行分析。分析出的结果便能确定出其最大摄氧量了。
方法二 同样通过跑台和心率监测仪，当心率出现180次/分时，便可断定机体已经力竭了 推测公式为：Vo2max=6.70-2.28 x 性别+0.056 x 时间（s）(健康成人，其中性别：男=1，女=2) 12分跑 受试者竭尽全力的跑12分钟，记录完成的距离 Vo2max=35.97 x 距离（里）-11.29
K50T60
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technologywith soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode•Very low V CE(sat) 1.5 V (typ.)•Maximum Junction Temperature 175 °C•Short circuit withstand time – 5µs• Designed for :- Frequency Converters- Uninterrupted Power Supply• TrenchStop® and Fieldstop technology for 600 V applicationsoffers :- very tight parameter distribution- high ruggedness, temperature stable behavior- very high switching speed•Positive temperature coefficient in V CE(sat)• Low EMI•Low Gate Charge•Very soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode•Qualified according to JEDEC1 for target applications•Pb-free lead plating; RoHS compliant•Complete product spectrum and PSpice Models :/igbt/Type V CE I C V CE(sat),Tj=25°C T j,max Marking PackageIKW50N60T 600V 50A 1.5V 175°C K50T60 PG-TO-247-3Maximum RatingsParameter SymbolValueUnit Collector-emitter voltage V C E 600VDC collector current, limited by T jmax T C = 25°CT C = 100°C I C802)50Pulsed collector current, t p limited by T jmax I C p u l s 150 Turn off safe operating area (V CE ≤ 600V, T j≤ 175°C) -150Diode forward current, limited by T jmax T C = 25°CT C = 100°C I F10050Diode pulsed current, t p limited by T jmax I F p u l s 150A Gate-emitter voltage V G E±20 VShort circuit withstand time3)V GE = 15V, V CC ≤ 400V, T j≤ 150°C t S C 5µsPower dissipation T C = 25°C P t o t 333W Operating junction temperature T j -40...+175Storage temperature T s t g -55...+175Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s - 260°C1 J-STD-020 and JESD-0222) Value limited by bond wire3) Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.PG-TO-247-3Thermal Resistance Parameter Symbol Conditions Max. Value UnitCharacteristicIGBT thermal resistance, junction – caseR t h J C0.45 Diode thermal resistance, junction – case R t h J C D0.8Thermal resistance, junction – ambient R t h J A40K/WElectrical Characteristic, at T j = 25 °C, unless otherwise specifiedValueParameter Symbol Conditions min. Typ. max. UnitStatic CharacteristicCollector-emitter breakdown voltage V (B R )C E S V G E =0V, I C =0.2mA 600 - - Collector-emitter saturation voltageV C E (s a t )V G E = 15V, I C =50A T j =25°C T j =175°C- - 1.5 1.9 2 - Diode forward voltageV FV G E =0V, I F =50A T j =25°C T j =175°C- - 1.65 1.6 2.05 - Gate-emitter threshold voltage V G E (t h ) I C =0.8mA,V C E =V G E 4.1 4.9 5.7V Zero gate voltage collector currentI C E S V C E =600V , V G E =0V T j =25°C T j =175°C- -- -40 1000µAGate-emitter leakage current I G E S V C E =0V,V G E =20V - - 100 nA Transconductance g f s V C E =20V, I C =50A - 31 - S Integrated gate resistor R G i n t- ΩDynamic Characteristic Input capacitance C i s s - 3140 - Output capacitanceC o s s- 200 - Reverse transfer capacitance C r s s V C E =25V,V G E =0V, f =1MHz - 93 - pF Gate chargeQ G a t eV C C =480V, I C =50A V G E =15V- 310 - nCInternal emitter inductancemeasured 5mm (0.197 in.) from case L E- 13 - nH Short circuit collector current 1)I C (S C )V G E =15V,t S C ≤5µs V C C = 400V, T j ≤ 150°C- 458.3 - A1)Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.Switching Characteristic, Inductive Load, at T j =25 °CValueParameter Symbol Conditions min. Typ. max. UnitIGBT Characteristic Turn-on delay time t d (o n ) - 26 - Rise timet r - 29 - Turn-off delay time t d (o f f ) - 299 - Fall time t f - 29 - ns Turn-on energy E o n - 1.2 - Turn-off energy E o f f - 1.4 - Total switching energyE t sT j =25°C,V C C =400V,I C =50A,V G E =0/15V,R G = 7 Ω,L σ1)=103nH,C σ1)=39pF Energy losses include“tail” and diodereverse recovery. - 2.6 - mJ Anti-Parallel Diode Characteristic Diode reverse recovery time t r r - 143 - ns Diode reverse recovery charge Q r r - 1.8 - µC Diode peak reverse recovery current I r r m - 27.7 - A Diode peak rate of fall of reverse recovery current during t bdi r r /dtT j =25°C,V R =400V, I F =50A, di F /dt =1280A/µs- 671 - A/µsSwitching Characteristic, Inductive Load, at T j =175 °CValueParameter Symbol Conditions min. Typ. max. UnitIGBT Characteristic Turn-on delay time t d (o n ) - 27 - Rise timet r - 33 - Turn-off delay time t d (o f f ) - 341 - Fall time t f - 55 - ns Turn-on energy E o n - 1.8 - Turn-off energy E o f f - 1.8 - Total switching energyE t sT j =175°C,V C C =400V,I C =50A,V G E =0/15V,R G = 7 ΩL σ1)=103nH,C σ1)=39pF Energy losses include“tail” and diodereverse recovery. - 3.6 - mJ Anti-Parallel Diode Characteristic Diode reverse recovery time t r r - 205 - ns Diode reverse recovery charge Q r r - 4.3 - µC Diode peak reverse recovery current I r r m - 40.7 - A Diode peak rate of fall of reverse recovery current during t bdi r r /dtT j =175°CV R =400V, I F =50A, di F /dt =1280A/µs- 449 - A/µs1)Leakage inductance L σ and Stray capacity C σ due to dynamic test circuit in Figure E.I C , C O L L E C T O R C U R R E N T100Hz1kHz10kHz100kHz0A20A 40A 60A 80A100A 120A 140AI C , C O L L E C T O R C U R R E N T1V 10V100V 1000V1A10A100Af , SWITCHING FREQUENCYV CE , COLLECTOR -EMITTER VOLTAGEFigure 1. Collector current as a function ofswitching frequency(T j ≤ 175°C, D = 0.5, V CE = 400V, V GE = 0/+15V, R G = 7Ω) Figure 2. Safe operating area(D = 0, T C = 25°C, T j ≤175°C; V GE =15V)P t o t , P O W E R D I S S I P A T I O N25°C50°C 75°C 100°C 125°C 150°C0W 50W 100W 150W 200W 250W 300WI C , C O L L E C T O R C U R R E N T25°C75°C 125°C0A20A40A60A80AT C , CASE TEMPERATURET C , CASE TEMPERATUREFigure 3. Power dissipation as a function ofcase temperature (T j ≤ 175°C)Figure 4. Collector current as a function ofcase temperature(V GE ≥ 15V, T j ≤ 175°C)I C , C O L L E C T O R C U R R E N T0V1V2V 3V0A20A 40A 60A 80A 100A120A I C , C O L L E C T O R C U R R E N T0V 1V2V 3V 4V0A20A 40A 60A 80A 100A 120AV CE , COLLECTOR -EMITTER VOLTAGEV CE , COLLECTOR -EMITTER VOLTAGEFigure 5. Typical output characteristic(T j = 25°C)Figure 6. Typical output characteristic(T j = 175°C)I C , C O L L E C T O R C U R RE N T0A20A40A60A80AV C E (s a t ), C O L L E C T O R -E M I T T S A T U R A T I O N V O L T A G E0°C50°C100°C150°C0.0V0.5V1.0V1.5V2.0V2.5VV GE , GATE-EMITTER VOLTAGET J , JUNCTION TEMPERATUREFigure 7. Typical transfer characteristic(V CE =10V)Figure 8. Typical collector-emittersaturation voltage as a function of junction temperature (V GE = 15V)t , S W I T C H I N G T I ME S0A 20A 40A 60A 80At , S W I T C H I N G T I M E S0Ω5Ω10Ω15Ω20Ω25ΩI C , COLLECTOR CURRENTR G , GATE RESISTORFigure 9. Typical switching times as afunction of collector current (inductive load, T J =175°C,V CE = 400V, V GE = 0/15V, R G = 7Ω, Dynamic test circuit in Figure E) Figure 10. Typical switching times as afunction of gate resistor (inductive load, T J = 175°C,V CE = 400V, V GE = 0/15V, I C = 50A, Dynamic test circuit in Figure E)t , S W I T C H I N G T IM E S25°C50°C 75°C 100°C 125°C 150°C V G E (t h ), G A T E -E M I T T T R S H O L D V O L TA G E-50°C0°C 50°C 100°C 150°CT J , JUNCTION TEMPERATURET J , JUNCTION TEMPERATUREFigure 11. Typical switching times as afunction of junction temperature (inductive load, V CE = 400V, V GE = 0/15V, I C = 50A, R G =7Ω, Dynamic test circuit in Figure E)Figure 12. Gate-emitter threshold voltage asa function of junction temperature (I C = 0.8mA)E , S W I T C H I N G E N E R G Y L O S S E S0A20A40A60A80A0.0mJ2.0mJ4.0mJ6.0mJ8.0mJE , S W I T C H I N G E N E R G Y L O S S E S0Ω10Ω20Ω0.0m1.0m2.0m3.0m4.0m5.0m6.0mI C , COLLECTOR CURRENTR G , GATE RESISTORFigure 13. Typical switching energy lossesas a function of collector current (inductive load, T J = 175°C,V CE = 400V, V GE = 0/15V, R G = 7Ω, Dynamic test circuit in Figure E) Figure 14. Typical switching energy lossesas a function of gate resistor (inductive load, T J = 175°C,V CE = 400V, V GE = 0/15V, I C = 50A, Dynamic test circuit in Figure E)E , S W I T C H I N G E N E R G Y L O S S ES25°C50°C 75°C 100°C 125°C 150°C0.0mJ1.0mJ2.0mJ3.0mJE , S W I T C H I N G E N E R G Y L O S S E S0m 1m 2m 3m 4mT J , JUNCTION TEMPERATUREV CE , COLLECTOR -EMITTER VOLTAGEFigure 15. Typical switching energy lossesas a function of junction temperature(inductive load, V CE = 400V, V GE = 0/15V, I C = 50A, R G = 7Ω, Dynamic test circuit in Figure E)Figure 16. Typical switching energy lossesas a function of collector emitter voltage(inductive load, T J = 175°C, V GE = 0/15V, I C = 50A, R G = 7Ω, Dynamic test circuit in Figure E)V G E , G A T E -E MI T T E R V O L T A G E0V5V10V15Vc , C A P A C IT A N C EQ GE , GATE CHARGEV CE , COLLECTOR -EMITTER VOLTAGEFigure 17. Typical gate charge(I C =50 A)Figure 18. Typical capacitance as a functionof collector-emitter voltage (V GE =0V, f = 1 MHz)I C (s c ), s h o r t c i r c u i t C O L L E C T O R C U R R E N T12V14V16V18V0A 100A 200A 300A 400A 500A 600A 700A 800A t S C , S H O R T C I R C U I T W I TH S T A N D T I M E10V11V 12V 13V 14V0µs2µs4µs6µs8µs10µs12µsV GE , GATE -EMITTETR VOLTAGEV GE , GATE -EMITETR VOLTAGEFigure 19. Typical short circuit collectorcurrent as a function of gate-emitter voltage(V CE ≤ 400V, T j ≤ 150°C)Figure 20. Short circuit withstand time as afunction of gate-emitter voltage (V CE =600V , start at T J =25°C, T Jmax <150°C)Z t h J C , T R A N S I E N T T H E R M A L R E S I S T A N C E1µs10µs 100µs1ms10ms 100ms10-2K/W10-1K/WZ t h J C , T R A N S I E N T T H E R M A L R E S I S T A N C E1µs10µs 100µs 1ms 10ms 100ms10-2K/W10-1K/W10K/Wt P , PULSE WIDTHt P , PULSE WIDTHFigure 21. IGBT transient thermal resistance(D = t p / T )Figure 22. Diode transient thermalimpedance as a function of pulse width (D =t P /T )t r r , R E V E R S E R E C O V E R Y T I M E0ns50ns 100ns 150ns200ns 250ns 300nsQ r r , R E V E R S E R E C O V E R Y C H A R G E700A/µs 800A/µs 900A/µs 1000A/µs0.0µC0.5µC 1.0µC 1.5µC 2.0µC 2.5µC 3.0µC 3.5µC 4.0µCdi F /dt , DIODE CURRENT SLOPEdi F /dt , DIODE CURRENT SLOPEFigure 23. Typical reverse recovery time asa function of diode current slope (V R =400V, I F =50A,Dynamic test circuit in Figure E)Figure 24. Typical reverse recovery chargeas a function of diode current slope(V R = 400V, I F = 50A,Dynamic test circuit in Figure E)I r r , R E V E R S E R E C O V E R Y C U RR E N T700A/µs 800A/µs 900A/µs 1000A/µs0A10A20A30A40Ad i r r /d t , D I O D E P E A K R A T E O F F A L LO F R E V E R S E R E C O V E R Y C U R R EN Tdi F /dt , DIODE CURRENT SLOPEdi F /dt , DIODE CURRENT SLOPEFigure 25. Typical reverse recovery currentas a function of diode current slope(V R = 400V, I F = 50A,Dynamic test circuit in Figure E) Figure 26. Typical diode peak rate of fall ofreverse recovery current as a function of diode current slope (V R =400V, I F =50A,Dynamic test circuit in Figure E)I F , F O R W A R D C U R R E NT0V 1V 2V0A20A 40A 60A 80A 100A 120AV F , F O R W A R D V O L T A GE0°C50°C 100°C 150°C0.0V0.5V1.0V1.5V2.0VV F , FORWARD VOLTAGET J , JUNCTION TEMPERATUREFigure 27. Typical diode forward current asa function of forward voltageFigure 28. Typical diode forward voltage as afunction of junction temperaturePG-TO247-3Published byInfineon Technologies AG81726 Munich, Germany© 2008 Infineon Technologies AGAll Rights Reserved.Legal DisclaimerThe information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristics. With respect to any examples or hints given herein, any typical values stated herein and/or any information regarding the application of the device, Infineon Technologies hereby disclaims any and all warranties and liabilities of any kind, including without limitation, warranties of non-infringement of intellectual property rights of any third party.InformationFor further information on technology, delivery terms and conditions and prices, please contact the nearest Infineon Technologies Office ().WarningsDue to technical requirements, components may contain dangerous substances. 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经典再续iriver T50、T60
经典再续iriver T50、T60
佚名
【期刊名称】《数码》
【年(卷),期】2007(000)007
【摘要】一直以来iriver的音乐播放器都给人新锐，时尚的感觉，从最早进入国内的“铁三角”系列起，iriver就成了时尚音乐播放器的代名词。
多年过去之后，“铁三角”的旋风又刮了回来，新登场的iriverT50、T60系列播放器在外形上无处不显示着是在对当年的“铁三角”致敬。
【总页数】1页(P144)
【正文语种】中文
【中图分类】TN912.2
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Canon T50 35 mm SLR 产品说明书
CI2-1832-861
CI2-1832-211
ITEM Canon T50 w/lens FD 50mm fl1.8 Canon T50 w/lens FD 50mm fl1.4 Canon T50 body only
SPECIFICATIONS
Type: 35 mm SLR (Single-Lens Reflex) camera with electronically-controlled programmed AE (Automatic Exposure). Exposure Modes: Programmed AE and programmed AE flash photography with Canon Speedlite 244T. Format: 24 x 36 mm. Usable Lenses: Canon FD series lenses only. Viewfinder: Fixed eye-level pentaprism. Field of View: 92% vertical and 93% horizontal coverage of the actual picture area. Magnification: 0.83X at infinity with a standard lens. Viewfinder Information: Information is displayed by way of LED digital display positioned to the right of viewing area. (P): Programmed AE indicator. 2 Hz flashing indicates camera shake warning; 8 Hz flashing indicates underexposure warning. ( M ): Manual aperture setting. 4 Hz flashing indicates exposure may be incorrect. ( f ): Flash charge-completion display. Light Metering System: TTL (Through-The-Lens), Center-weighted average by SPC (Silicon Photocell). Stopped-down metering is impossible and Non-FD lenses and close-up system accessories without AE signal pins cannot be used. Meter Coupling Range: EV I (I sec at fl1.4) to EV 18 (1/1000 sec at f/16) with ISO 100121°, ASA 100 film. Film Speed Scale: ISO 25/15°, ASA 25-ISO 1600133°, ASA 1600. Shutter: Vertical travel focal-plane, electromagnetic attraction shutter. Electronically controlled. Shutter Speed: Automatically controlled from 2 sec to 1/1000 sec at "A." 1/60 sec when disengaged from "A." Mirror: Instant-return, with shock and noise absorber. Self-timer: Electronically controlled. Ten-second time lag activated by pressing shutter button. Beep sounds to indicate operation; sound frequency increases two secs before shutter release.
模块化旗舰“闪亮”登场
模块化旗舰“闪亮”登场
佚名
【期刊名称】《微型计算机》
【年(卷),期】2016(0)22
【摘要】在Rival系列鼠标正式更改命名方式之后，大家都翘首以盼，到底是怎样的产品才能成为赛睿Rival系列的旗舰产品呢？
【总页数】5页(P84-88)
【关键词】旗舰;模块化;闪亮;命名方式;产品
【正文语种】中文
【中图分类】U674.7
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T60T35与PCS-985BT保护装置的差异分析
Analysis of Difference Between T60/T35 and PCS-985BT Protective Devices
Wang Guomian
（Beijing Jingfeng Gas Power Generation Co., Ltd.，Beijing 100074）
Abstract: UR series protection devices manufactured by GE company in America, is widely used in the domestic new power plants, and now a lot of protective devices have been operating for over ten years, to ensure reliable opera⁃ tion of the device, the device needs renovation. Based on UR series T60/T35 transformer protection device and NARI- RELAYS PCS- 985BT protection device were analyzed, hoping to provide some references to related users and practitioners. Keywords: protection device；T60/T35；PCS-985BT