IGBT串联运行时的动态均压
igbt串联均压技术的研究
最后研究了栅极驱动端均压技术,给出了三种改善 IGBT 串联运行时集-射极电压不均衡的 具体解决措施:阻容二极管有源均压、变压器耦合均压和有源钳位均压。通过仿真和实验研究 发现,均压电路的参数会同时影响电路的均压效果和开关损耗,因此设计参数时需要在二者之 间进行折中考虑。
南京航空航天大学 硕士学位论文
IGBT串联均压技术的研究 姓名:刘磊
申请学位级别:硕士 专业:电力电子与电力传动
指导教师:龚春英 20090101
南京航空航天大学硕士学位论文
摘要
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种比较理想的全控型器件,在电力电子与电力传动领域得到 了广泛的应用。然而,在许多高压或超高压场合中,由于单个器件的耐压等级较低,导致其使 用受到限制。IGBT 串联使用是一种较为有效的提高耐压的方法。因此,研究 IGBT 串联均压技 术,具有十分重要的意义。
关键词: IGBT,串联 IGBT,功率端均压,栅极驱动端均压
I
IGBT 串联均压技术的研究
Abstract
The Isolated Gate Bipolar Transistor(IGBT) is a sort of more ideal full-controlled electronic device. It is widely used in the field of power electronics and motor drives. However it can’t accommodate engineering requirement in some high voltage or ultrahigh voltage cases for the lower withstand voltage of a single device. The serial use of IGBT provides a shortcut method to improve withstand voltage capability. So researching the voltage balancing techniques of series-connected IGBTs has very important significance.
IGBT 串联技术综述
3.1.2 复位RCDபைடு நூலகம்位技术 F.V.Robinson等人于2007年提出了基于复位原
理的RCD钳位技术[4]如3所示。这种方法拥有RC或 RCD缓冲电路的简单性,并很容易被应用在电路中。 且由于缓冲电容没有完全放电,所以功率损耗较为 减少。其中Vrst=VDC/n(n为串联功率管的个数)。 3.2 门侧控制技术
二极管被击穿,此时一个额外的信号会加在驱动上, 最终实现对过电压的控制。该法电路简单,容易实 现。但是当某个开关管被钳位后齐纳二极管承受较 大的电压并流过电流,这时它上面有很大的损耗。 因此效率会受到影响。 b) 齐纳二极管、电容钳位电路
为了改进齐纳二极管钳位技术,J.Saiz等人于 2001年提出如图12所示电路[14]。与齐纳二极管钳位 技术相比,增加了一个电容C1,两个电阻R1和R2 与另外一个齐纳二极管Z2。当某个开关管的集电极 电压达到Z1的击穿电压时,由于C1的存在使得Cgs 增大,这个开关管的速度被减缓。Z2实现了集电极 -发射极电压被钳位在需要的值。J.Saiz采用这种方 法在300kV/400A的电路中,使用3只1700V的IGBT 进行了实验。通过对电路中各个参数的影响进行分 析后发现,IGBT拖尾电流的不同会严重影响钳位电 路的功率损耗,尤其是钳位齐纳二极管Z1,同时仔 细设计钳位电路的参数可以对平衡效果、损耗和电 路体积之间进行折中。
以上的有源补偿方法,每个功率管的端电压都 需要采样反馈给控制电路。这导致了电路的复杂化, 并且随着驱动电路器件数量的增加,控制电路的可 靠性降低。J.W.Baek等人于2000年提出如图9所示电 路[11]实现了对端电压钳位作用。该电路由两个电容、 一个二极管和三个电阻组成,全部为无源器件。图9 中R1和R2实现串联IGBT的静态均压,而C1和C2实现 动态均压。当串联的每一个IGBT端电压均衡时,二 极管D阻断了辅助电路与驱动信号,这时候辅助电 路不影响开关管。这个辅助电路主要有6个工作模 态,在文献[11]中有具体的分析。辅助电路同时解决 了动态和静态平衡问题。且它的动态性能很好,不
电压源换流器中IGBT串联动态均压新方法
Ke o d :otg o rec n etr V C) nuae aebp lrta s tr I T) y a cv l yw r svl esu c o vr ( S ;isltdg t ioa rni o (GB ;d n mi ot a e s -
a e b an i g al c ng; drv r sgn s i e i al
Th f c n h wi h n s f e e o n c e GB sw r n l z d b h i l t n .T ee p rme tlr— e ef ta d t e s t i g l so r sc n e t d I T e e a a y e y t e smu ai s h x e i n a e e c o si o s h h w t a tc n d mi ih t e o e — ot g c o sI T r ma ial h c sc u e y t e a y c r n r e u s s o h ti a i n s h v rv l e a r s GB s d a t l w ih i a s d b h s n h o y d v a c y i sg as ti g a a t e h t h C i cu i g s re o n ce GB a p r t s f l. i n .I s u r n e d t a e VS n l d n e i sc n e t d I T c n o e ae aey l t
IGBT串联动态均压特性分析与控制
IGBT串联动态均压特性分析与控制丁顺;邢岩;王钧;胡海兵【期刊名称】《电工技术学报》【年(卷),期】2018(033)014【摘要】多个IGBT直接串联工作是实现高压功率变换的有效途径之一,而串联IGBT之间的动态均压是实现其安全可靠工作的关键.基于对场截止型绝缘栅双极型晶体管(FS-IGBT)串联工作特性的实验测试与分析,发现其关断时刻差异与关断过程不均压程度的关系规律,并提出一种能反应串联IGBT特性并且可以通过实时调节各IGBT关断延时(或超前)时间而实现动态均压的控制策略,该时间调节量由两段式调节算法生成,即在不均压程度较大时采用比例-二次方算法,实现均压快速性;在不均压程度较小时采用比例算法,实现均压稳定性.并将每个IGBT的延时调节量递推引入其相邻的下一个IGBT的延时形成单元,进一步优化均压调节速度.实验验证了所提出的动态均压控制方法的可行性和有效性.【总页数】8页(P3194-3201)【作者】丁顺;邢岩;王钧;胡海兵【作者单位】南京航空航天大学江苏省新能源发电与电能变换重点实验室南京210016;南京航空航天大学江苏省新能源发电与电能变换重点实验室南京 210016;南京航空航天大学江苏省新能源发电与电能变换重点实验室南京 210016;南京航空航天大学江苏省新能源发电与电能变换重点实验室南京 210016【正文语种】中文【中图分类】TM46【相关文献】1.IGBT串联均压电路的动态和静态分析 [J], 王羽;张云凤;刘稳2.一种馈能式IGBT串联动态均压电路 [J], 李黎;李杨;罗洋3.电压源换流器中IGBT串联动态均压新方法 [J], 郑连清;罗洋;陆治国4.一种基于栅极控制的IGBT串联动态均压方法 [J], 罗阳静宜; 黄少锋; 李轶凡; 黄罡5.IGBT杂散参数对串联动态均压影响的仿真分析 [J], 张秀娟;姚钊;董朋涛;铁勇魁因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。
IGBT
2 . 淮 安 市供 电局 ,江 苏 淮 安
2 2 3 0 0 1 )
摘要: 在 高压 、 大 功率领 域 中 , 绝缘 栅 双极 型 晶体管 ( I G B T ) 的 串联 使用 备 受关注 , I G B T的静态和 动态 均 压成 为
串联使 用的 关键技 术 。在 研 究了 多种 I G B T串联静 态均 压和 动态 均 压 的基础 上 , 提 出一 种 结构简 单 、 控 制容 易
IGBT串联用的有源电压控制技术
GBT串联用的有源电压控制技术ctive V oltage Control Technologies for IGBT Series Connection和巍巍1,张学强1,Patrick R. Palmer1,汪之涵21. 英国剑桥大学工程系;2. 深圳青铜剑电力电子科技有限公司He Weiwei1, Zhang Xueqiang1, Patrick R. Palmer1, Wang Zhihan21 Engineering Department, Cambridge University2 Shenzhen Bronze Technologies Ltd.摘要:IGBT有源电压控制技术(Active Voltage Control,简称AVC),是在IGBT控制过程中引入多重闭环反馈,使IGBT开通和关断过程中集电极-发射极电压V CE的轨迹始终跟随预先设定的参考信号,实现高压应用时IGBT器件直接串联的同步工作和有效均压。
本文介绍了有源电压控制技术的基本概念,串联IGBT的实验波形和相应的损耗计算。
关键词:IGBT 串联驱动均压有源电压控制Active Voltage ControlAbstract:The so-called IGBT AVC technology is something that during the IGBT control process,various layers of closed loop reaction is introduced to ensure that the pathway of collector-emitter voltage V CE during the process of On-Off of the IGBT follows the predefined referential signal, to realize synchronous function and effective voltage-sharing when IGBT components are connected in series with the high-voltage application. The article introduces basic concepts of AVC, experimental wave of IGBT connected in series and related loss calculation.Keywords: IGBT, Connection in series, Drive, V oltage sharing, Active voltage control[中图分类号]TN389 [文献标识码]A 文章编号:1561-0349(2012)02-1 引言缘栅双极晶体管IGBT自上世纪80年代问世以来,由于其输入阻抗高、开关速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的性能,在电力电子领域中得到了广泛的应用。
IGBT串联均压方法综述
第19卷第1期2021年1月Vol.19No.1Jan.2021电源学报Journal of Power SupplyDOI:10.13234/j.issn.2095-2805.2021.1.192中图分类号:TM46文献标志码:AIGBT串联均压方法综述张雪珺-黄萌-刘佳鸿1,梁琳2,查晓明1(1.武汉大学电气与自动化学院,武汉430072;2.华中科技大学电气与电子工程学院,武汉430074)摘要:绝缘栅双极性晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)在高电压场合应用时需串联使用满足电压需求。
由于器件内部的性能差异和外围电路参数不一致等,引起IGBT模块之间电压不均衡问题,威胁其运行安全。
综述了国内外IGBT串联均压方法的发展及其研究现状。
根据均压方法机理的不同,将IGBT串联均压方法分为被动均压方法和主动均压方法两种,进一步将主动均压方法归纳为无源控制方法和有源控制方法两类。
根据各类方法的基本电路拓扑分析了均压原理,梳理了不同方法在电路拓扑、参数选择和控制策略等方面的优化和最新进展。
通过均压效果、附加损耗和可靠性等多方面对不同均压方法进行对比,被动均压方法拓扑简单不需外加控制电路更适合在低频应用场合,在高频应用场合中,准有源栅极控制法以单驱动与无源器件相结合的方式,具有良好的发展前景。
最后对IGBT串联均压方法进行了展望。
关键词:绝缘栅双极晶体管;串联;均压控制;电压不平衡Review of Voltage Balancing Methods for Series-connected IGBTsZHANG Xuejun1,HUANG Meng1,LIU Jiahong1,LIANG Lin2,ZHA Xiaoming1(1.School of Electrical Engineering and Automation,Wuhan University,Wuhan430072,China;2.School of Electricaland Electronic Engineering,Huazhong University of Science and Technology,Wuhan430074,China)Abstract:Under high voltage scenarios,insulated gate bipolar transistors(IGBTs)need to be connected in series to satisfy the voltage requirements.Due to the performance difference inside the device and the inconsistent peripheral circuit parameters,the voltage imbalance between IGBT modules will be caused,thereby endangering their operation safety.In this paper,the development of voltage balancing methods for series-connected IGBTs at home and abroad and their research status are reviewed.According to different voltage balancing control mechanisms,the voltage balancing methods for series-connected IGBTs are divided into two types,i.e.,active and passive.Moreover,the former is classified into reactive and active control methods.According to the basic circuit topology of various methods,the principle of voltage balancing is analyzed,and the optimization and latest progress of different methods are summarized from aspects such as circuit topology,parameter selection,and control strategy.By comparing different voltage balancing methods in terms of voltage balancing effect,additional loss,and reliability,it can be seen that the passive voltage balancing method has a simple topology and does not need any additional control circuit,which is more suitable for low-frequency application scenarios.In high-frequency application scenarios,the quasi-active gate control method combines single drive with passive devices,which has a good development prospect.Finally,the voltage balancing methods for series-connected IGBTs are prospected.Keywords:insulated gate bipolar transistor(IGBT);series-connected;voltage balancing control;voltage imbalance随着绿色环保、灵活可控的柔性直流输电技术收稿日期:2019-12-09;录用日期:2020-03-28基金项目:国家重点研发计划资助项目(2018YFB0905700,2018 YFB0905705)Project Supported by National Key Research and Development Program of China(2018YFB0905700,2018YFB0905705)和大功率的高压直流断路器等高压大功率控制技术及其设备的快速发展,对绝缘栅双极性晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)的耐压和功率要求越来越高叫然而,由于目前IGBT工艺和制造水平的限制,单个IGBT的耐压水平已无法满足需求,多个IGBT串联使用已经成为解决这一问题第1期张雪珺,等:IGBT串联均压方法综述193最直接最有效的方法。
IGBT串联使用方法
IGBT串联使用方法
通过IGBT串联,可承受更高的阻断电压,但是只有使其处于理想的静态(断态时)和动态(开关过程中)均压时,才能最大程度的利用其耐压值。
在静态情况下,影响串联均压的主要因素是阻断特性,阻断阻值比较低或者说关断漏电流比较大的IGBT承担的电压较低。
在动态情况下,影响串联均压的主要因素是开关时间不一致。
串联运行的模块中最先关断的模块以及最后开通的模块都会承受最大的电压,于是就会有比较大的开关损耗。
同时,必须保证串联运行的各模块所承受的最大电压不超过单个模块所能承受的最大耐压值。
为了得到比较理想的均压状态,常采用并联电阻法和缓冲吸收法来解决。
(1)并联电阻法
并联电阻法主要用来进行静态均压。
在IGBT模块串联使用时,为了做到比较理想的均压状态,必须并联电阻以削减阻断特性不一致的影响。
要使流过并联电限上的漏电流为IGBT漏电流的5~10倍,才能做到比较好的均压。
(2)缓冲吸收法
RC或RCD缓冲吸收电路有助于动态均压。
缓冲电路减小、平衡了器件开关时刻的dv/dt速度,但是缓冲电路增加了耐高压元器件的数目,也增加了总体的损耗。
除了上述两种比较简单的均压措施以外,还有开关时间校正、dv/dt控制、电压钳位控制以及主从驱动等措施,可参考相关资料。
一种馈能式IGBT串联动态均压电路
Ab s t r a c t :B a s e d o n a n a l y z i n g t h e d i s t r i b u t i o n me c h a n i s m o f t h e d y n a mi c v o l t a g e o n s e r i e s c o n n e c t e d I G B T, t h e s l o p e o f c o l l e c t o r — e mi t t e r v o l t a g e c h a n g e d d y n a mi c v o l t a g e b a l a n c i n g c i r c u i t w i t h e n e r g y r e c o v e r y wa s p r e s e n t e d .
低 压电器 ( 2 0 1 3 No . 2 0 )
・ 分布式 电源及并 网技 术 ・
一
种 馈 能式 I G B T 串联 动 态 均 压 电路
李 黎’ , 李 杨 , 罗 洋
4 0 5 9 0 0; ( 1 . 重庆 市 电力公 司 城 口供 电公 司 ,重庆
2 . 四川 电力科 学研 究 院 ,四川 成 都
I G BT Se r i e s Co n ne c t i o n
, ,
LUO
( 1 . C h e n g k o u P o w e r S u p p l y B u r e a u ,C h o n g q i n g P o w e r C o m p a n y , C h o n g q i n g 4 0 5 9 0 0 , C h i n a ;
IGBT串联技术动态均压电路的研究_金其龙
IGBT 串联技术动态均压电路的研究金其龙1,2,孙鹞鸿1,严 萍1,张东东1,欧阳文敏1,2(1.中国科学院电工研究所,北京100190;2.中国科学院研究生院,北京100190)摘 要:IGBT 串联技术的关键在于保持每个IGBT 开通或关断同步,至少应该保证任何时刻,尤其在IGBT 开通或关断过程中,使每个I GBT 的电压不能超过其额定值。
为了达到这个目的,在研究多种IG BT 串联的控制方法后,采用了一种结构简单、控制容易的均压辅助电路并对其工作机理进行了详尽的说明。
实验结果表明,所采用的辅助分压电路在IGBT 串联运行时能够很好地抑制IGBT 开通和关断不同步造成的过电压,能够使开关不同步造成的过电压[10%,确保IG BT 串联顺利运行。
对工程实际具有一定的参考意义。
关键词:IGBT ;动态;串联;均压;开通关断同步;驱动信号中图分类号:T N386文献标志码:A 文章编号:1003-6520(2009)01-0176-05基金资助项目:国家自然科学基金(50777061)。
Project Su pported by National Natural Science Foundation of C hina(50777061).Application of the Dynamic S haring -voltage C ircuit in IG BT S eries T echnologyJIN Q-i long 1,2,SU N Yao -hong 1,YAN Ping 1,ZH ANG Dong -dong 1,OUYANG Wen -m in 1,2(1.Institue of Electrical Eng ineering ,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100190,China;2.Graduate U niversity of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100190,China)Abstract:T he key point of I GBT-ser ies techno log y is t o keep each connected IGBT in a circuit turned on o r tur ned off synchronously.T he v olt age acro ss ever y IG BT can no t sur pass its rated v oltage value,especially at the moment of turning on or tur ning off IGBT s.In o rder to achieve the g oal,we intr oduced a simple easily contr olled circuit and used it to make vo ltag e across ever y IG BT equal,and v erif ied how the circuit wo rks in detail,w hich can further be appro ved by the ex periment data.Experimental data sho ws that the auxilia ry sharing -vo ltag e cir cuit taken in the ar -ticle can diminish ov erv olt age acro ss IG BT s o bv iously ,w hich is g ener ated because o f IGBT s t ur ned on o r off at dif -fer ent time.T he o verv oltage can be limited to no more than 10%o f IG BT static voltage so as to guar antee that a cir -cuit including IG BT ser ies can be operated in a goo d state.Key words:I GBT ;dynamic;ser ies;sharing voltage;on and off sy nchro no usly;dr iver signal0 引言绝缘门极双极型晶体管(IGBT )结合了电力场效应晶体管(P -M OSFET )和电力晶体管通、断机制的优点,作为半导体电力开关具有明显的优势[1]。
基于驱动信号同步的串联IGBT动态均压方法
(.JagB i o e Sp lB r uo hnq gEetc o e C m ay hnqn 0 7 C ia 1 in eP wr upy ue C ogi l r w r o p n ,C ogig4 14 , hn ; a f n ciP 1
Ab t a t: h sp p r i f c s d o o vn y a i otg mb a c f s r s c n e t d I T a s d b h s n h o y d v in l f sr c T i a e S o u e n s li g d n m c v l e i a n e o e e o n c e GB s c u e y t e a y c r n r e sg a s o a l i i d f rn GB S e e o n cin o G e i e a e e r q ie n so ih v l g n ih p we o v ri n i ee t f I T I O s r sc n e to fI BT d v c sc n me t h e u r me t fhg — ot e a d h g - o rc n e so .Ba e n i t a sdo r s a c i g t e b ln i g me h d fh me a d a r a a s i b e d n mi o a e b a c a e g a a te h o g d i g smp e e e r h n aa cn t o s o o n b o dl ut l y a cv h g a n e c n b u r ne d t r u h a d n i l h a l cru t w ih c mbn y c r n u r n fr rw t ot g -l mp cr u t n s r o n ci n f GB s a dv r i dh w t ec ru t ic i h c o i es n h o o sta some i v l e ca i i i ei c n e t so T , n e fe o ic i s h a c l a o I i h wo k n d t i h e h y a c v l g a a cn i l t n cr ut i e tbih d b sn h a e i lt n s f r .T e r si eal .T n t e d n mi ot e b ln i g smu ai ic i s sa l e y u i g t e S b r s a o s mu ai ot e o wa h
大功率IGBT模块串联动态均压详解
大功率IGBT模块串联动态均压详解大功率IGBT模块串联动态均压详解作者:微叶科技时间:2015-10-28 12:00栅极驱动信号的不同步是引起串联IGBT器件动态不均压的主要原因。
文中分别从栅极侧主动均压和负载侧被动均压两个角度阐述了IGBT串联动态均压的三种方法,仿真分析和实验验证都很好地说明了这些方法的实用有效性。
同时,由实验结果分析说明了三种方法的各自优劣,从中选择阻容二极管有源均压法应用于三级IGBT的驱动信号同步补偿,仿真验证了可行性。
理论上,阻容二极管有源均压法可以实现任意级IGBT串联的驱动信号补偿,有着很好的应用前景。
脉冲功率技术是一种研究能量储存、压缩、转换和传输的技术,首先对储能器件进行缓慢充电,然后在很短时间内通过开关、脉冲调制等技术将能量释放给负载,从而在负载上得到理想的高幅度、大功率、陡前沿的脉冲输出。
断路开关是脉冲功率系统中最重要的器件之一,也是脉冲功率技术发展的关键技术,尤其是对于电感储能型脉冲功率系统。
近年来,半导体开关被引入到脉冲功率开关技术中,将多个该开关模块进行串并联之后,可以满足高功率、强电压、大电流领域内的多种应用。
IGBT综合了电力MOSFET和GTR的优点,具有输入阻抗高、工作速度快、通态压降低、阻断电压高、承受电流大等优点,在许多电感储能型脉冲功率系统中已成为主开关器件。
然而,单个IGBT的耐压等级依然有限,IGBT器件的串联应用可以迅速满足装置的电压等级要求,动态均压技术则是IGBT串联应用的关键。
1 串联动态不均压原因分析IGBT器件串联的动态不均压是指由于IGBT的个体差异,串联IGBT组合在开关瞬间,因动作时间的不一致导致的各IGBT两端分压不均[1]。
当串联IGBT组合由导通状态转为关断状态时,串联IGBT组合将承受电路的直流电源电压Vdc。
由于IGBT本身寄生有一个反并联的二极管,相当于所有的等效二极管被强制关断,因各IGBT等效二极管的反向恢复电荷不同,其关断时间也相应不同。
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第19卷第3期 中南民族学院学报(自然科学版) V o l.19N o.3 2000年9月 Journal of South2Central U niversity fo r N ati onalities(N at.Sci.) Sep.2000αIGB T串联运行时的动态均压熊承义 孙奉娄(电子工程系)摘 要 分析了高电压工作中IGBT串联运行时导致端电压静态和动态不均衡的种种原因,给出了几种改善端电压不均衡的具体控制措施和电路,主要给出了对称均压电路和驱动控制均衡电路.经实际应用表明效果良好.关键词 绝缘栅双极型晶体管;串联;动态电压均衡中图分类号 TN386.2 文献标识码 A 文章编号 100523018(2000)0320001204功率器件的串联使用可以提高功率器件的变换效率,减小系统尺寸,扩大器件的应用场合.晶闸管和门控可关断晶闸管(GTO)的串联曾经应用于高压直流电路(HVDC)、静态可变补偿器和高压逆变器等.但是为了器件的安全运行,提出了对器件的端电压实现过压均衡,以防因其过压超出额定值而导致器件的损坏.但是,串联器件的被动均压必定会带来器件的额外功率消耗和降低开关速度.其额外的功率损耗和开关特性的变慢,阻止了晶闸管在PWM逆变器中的串联应用.如果应用IGB T,PWM逆变器将具有如下优点:(1)提高了系统工作频率;(2)电路结构更紧凑;(3)吸收电路的功率损耗减小;(4)驱动电路简单.过去几年里,高压大功率IGB T和IGCT开始应用.但其应用仍受到了较大的限制,特别是在甚高电压的设备中,因此串联使用显得很有必要.然而原来的功率器件串联技术不能直接用于IGB T的串联使用,因为IGB T的通常关断时间在0.3~0.5Λs.因此传统的均压措施是行不通的.串联联接IGB T实行均压的目的是为了保证在关断瞬间对每个IGB T的过电压保持均衡,因而要求控制电路的响应是快速的;不允许产生更多的损耗和降低系统的开关频率;同时在工程上是经济有效的.设计有效的动态均压控制电路将是十分必要的.1 串联IGB T过电压失衡原因控析串联IGB T的门极信号的延迟是引起端电压失衡的原因之一.信号的延迟极大地影响了电压的不平衡,门极信号延迟不同会造成开通过程中在慢开的器件上产生电压尖峰.驱动信号的提前关断也会造成另外器件的过电压,而且会引起静态电压不均衡,然而如果这些信号的延α收稿日期 2000205216作者简介 熊承义(1969~),男,讲师,中南民族学院电子工程系,武汉430074基金项目 国家民委科研基金资助项目(970101)迟或提前能限制在0.3Λs 以内,则不会引起严重的过电压失衡问题.仔细设计门极驱动电路使之信号延迟控制在0.1Λs ,不致引起严重过压.但是这样的延迟在串联使用中不可避免,所以必须予以考虑.引起过电压的另一个主要原因在于器件引线分布电感和级联器件的吸收电路的特性不一致.不同IGB T 其引线电感会不一样,因而会导致不同的开关特性和电压尖峰.关断瞬间的电压上升速率d V d t 主要取决于吸收电容,而电容容量的误差在5%~10%,因此每个串联的IGB T 的d V d t 也会有所不同.当处在门信号延时的情形下,由于吸收电容的作用,容量的不同会产生严重的电压尖峰.因而,如果IGB T 被串联于高压的条件下,就会在最小的吸收电容的IGB T 两端产生严重的过电压.为了分析IGB T 串联条件下的过电压失衡原因及情况,采用如图1所示电路,进行了几种相关因素引起过电压失衡的实验.图1 过电压失衡实验电路框图为了观察不同情形下开关器件的过压失衡特性,在如下条件下进行实验:①IGB T 选用3种不同型号;②选用不同容量的吸收电容;③不同延时的门极驱动信号;④门极驱动电路也采用不同的参数.2 实验结果通过实验发现,电压不平衡的主要原因在于吸收电容的不同和门极驱动信号的相对延迟.(1)吸收电容的影响.吸收电容不同会导致所用电容小的IGB T 在关断瞬间产生很高的过压,而对其开通不会产生什么影响.吸收电容小者,由于在关断瞬间端电压的变化率d V d t 较大,因而导致了出现最大的过电压.(2)门极驱动开通延时的影响.开通延时的门极信号所驱动的IGB T 两端在开通瞬间会产生电压尖峰.但是实验发现,对于小于0.3Λs 延迟不会产生明显的电压尖峰;这种不平衡还不致引起电路在稳态时的电压不平衡,但是额外功率损耗会导致器件过热.(3)门极驱动关断延时的影响.关断的延迟会引起在首先关断器件的两端产生高的过压.无论是在瞬态或是在稳态,其电压均会不平衡.3 IGB T 端电压过冲均衡措施2 中南民族学院学报(自然科学版)第19卷基于以上分析和实验结果,对于IGB T 的串联使用可以采取以下一些措施:(1)系统设计时尽量选用型号一致、特性一致的IGB T ,并且其吸收电路、驱动电路的结构,参数应严格一致.(2)除了对元件提出上述要求外,系统设计工艺也要讲究,以避免电路分布参数带来的影响.另外,在主电路结构上尽量采用对称形式,二级串联联接运行时可采用如图2所示对称均压电路,其工作原理是:当某一管的过电压大于直流电压的一半时,相应二极管导通,从而将其端电压拉回到电源电压的一半,实现了端电压的静态和动态均衡.实际应用表明其静态和动态均压效果较理想.图2 对称均压控制电路(3)对多级串联系统,可对驱动信号实行动态电压均衡控制,尽可能减少其开通和关断的延时.为了控制IGB T 的过电压,以达到电压均衡之目的,有人提出了门极电压倾斜控制的方法[1].其控制原理是根据IGB T 的瞬间电压来改变门极信号的斜率,为了在动态控制瞬间不致使产生电压过冲,产生一个精确的控制输入到门极驱动.但是为了在串联使用的任何一个IGB T 上都没有过冲的电压均衡,其控制斜率将会比最慢的器件还慢,其原因就是在开关过程的瞬间有一个很长的过渡时间.因此系统的工作频率将会大大降低,而且产生大量的开关损耗,由于过热,器件被用于它的额定值下.这种控制方法的缺点在于当电压均衡时,这种控制作用依然工作,因此在正常工作期间仍会产生额外的功率损耗.图3 驱动控制均衡电路在开关瞬间采用数字无差拍控制均压[2,3]也是一种好的方法,无差拍控制是一个能精确控制均压的监视器.结果证明在控制的瞬间过冲电压是相当小的,且功率损耗较小.但是这种控制方式需要传感器,模数转换器等等,因此会有较大的延时.并且控制是离散的,为了减少延时,传感器部分和控制部分必须选用快速器件,因而使得不适合于实际应用.3第3期 熊承义等:IGBT 串联运行时的动态均压 4 中南民族学院学报(自然科学版)第19卷门极电流脉冲控制[4]是一种直接均压的方法.其控制是非常有效的,控制路径小,功率损耗小,结果显示在控制瞬间电压过冲小.但是由于控制的过渡过程是由控制器的内容决定的,因此在可变负载的情况下无法产生精确的门极脉冲数.这种控制为门极提供一个离散的充电脉冲,因此无法响应连续的过电压.图3所示驱动控制均衡电路,是一种新的控制电路.其工作原理是:IGB T端电压V CE与V R EF进行比较输出一控制信号,当V CE>V R EF时,比较器输出高电平,延迟相应驱动关断时刻,以实现端电压的动态和静态平衡.该电路在正常工作期间不工作,因而大大地减少了额外功率损耗.4 结论动态均压性能的好坏,是决定IGB T串联工作是否稳定、可靠的关键因素,文中设计的均压控制电路在实际应用中取得了满意的效果.参 考 文 献[1] Pal m er P R,Gith iari A N.T he Series Connecti on of IGBT’s w ith Op ti m ized V o ltage Sharing in theSw itch ing T ransient[J].P roc IEEE PESC,1995,(1):44~99.[2] Gerster C.Fast H igh Pow er H igh V o ltage Sw itch U sign Series Connected IGBT’s w ith A ctive Gate2Contro lled V o ltage Balancing[J].P roc IEEE A PEC,1994,(1):469~472.[3] Gerster C,Ho to r P,Karrer N.Gate2Contro l Strategy fo r Snubberless Operati on of Series ConnectedIGBT’s[J].P roc IEEE PESC,1996,(1):1739~1742.[4] Conso li A,M usum eci S,O riti G,et al.A ctive V o ltage Balancem ent of Series Connected IGBT’s[J].P rocIEEE2I A S A nnu M eeting,1995,(3):2752~2758.Active Voltage Ba lanc i ng on Ser ies Connection of IGBT’sX iong Chengy i S un F eng louAbstract T he reason s of overvo ltage i m balancing of series connecti on of IGB T’s in h igh vo ltage system are analysed,som e m ethods and circu its to ach ieve vo ltage balancing are given,good resu lts are ach ieved in app licati on.Keywords in su lated gate b i po lar tran sisto r;series connecti on;active vo ltage balancingX iong Chengy i L ect.,D ep t.of E lectronic Engineering,SCU FN,W uhan430074。