BCP53_中等功率晶体管
BP9833D中文规格书
LED 平板灯 LED 日光灯
LED 吸顶灯 其它 LED 照明
引出端排列
GND 1 ROVP 2
NC 3 VCC 4
DIP-8
8 CS 7 CS 6 DRAIN 5 DRAIN
引出端功能
序号
符号
1
GND
2
ROVP
3
NC
4
VCC
功能描述 地
开路保护电压调节端 空 电源
序号 5 6 7 8
符号 DRAIN
CS
功能描述 内置高压功率管漏极
电流采样端
V.1.1
第1 页 共9 页
电路方框图
CSC8933兼容BP9833D
最大额定值
项目 电源脚最大电流 内部高压 MOS 管漏源峰 值电压 电流采样端电压 开路保护电压调节端
功耗
热阻
贮存温度 工作结温 ESD
符号 Icc_max
DRAIN
CS
其中，f 为系统工作频率。CSC8933 的系统工作频率和输入电压成正比关系，设置 CSC8933 系统工作 频率时，选择在输入电压最低时设置系统的最低工作频率，而当输入电压最高时，系统的工作频率 也最高。 CSC8933 设置了系统的最小退磁时间和最大退磁时间，分别为 4.5us 和 240us。由 TOFF 的
过压保护电阻设置
开路保护电压可以通过 ROVP 引脚电阻来设置，ROVP 引脚电压为 0.5V。 当 LED 开路时，输出 电压逐渐上升，退磁时间变短。因此可以根据需要设定的开路保护电压，来计算退磁时间 TOVP。
VCS 是 CS 关断阈值（400mV) VOVP 是需要设定的过压保护点
TOVP
≈
L ×VCS RCS ×VOVP
BCP54驱动电路实验
BCP54驱动电路实验在H13产品中该电路使用Q25（BC817）作为钥匙灯口线的驱动三极管，BC817为SOT23封装，功率较小，故障率高。
因此更换SOT223封装Q54（BCP54)，增大功率承受力，并增加恒流源保护电路，以期满足驱动口线对电源短路时的可靠性要求。
更换Q54（BCP54)后电路参数如上图，Q27（BC817）与R155（1.2Ω）组成恒流源电路限制该驱动口线的最大通过电流。
BC817 Vbe与电流和温度曲线该电路接真实负载测试波形如下（采样1.2Ω电阻压降，电源电压13V）：通过波形可以看出，由于钥匙灯为阻性灯泡，在导通初始，灯丝温度低阻抗小，存在一个持续约5ms脉冲启动电流使灯丝温度快速升高，灯丝阻抗稳定后工作电流约为100mA。
此时1.2Ω电阻压降低于Q27（BC817）Vbe结压，恒流源电路没有工作，Q54（BCP54)工作在饱和导通状态。
该驱动电路对电源短路测试波形如下（1.2Ω电阻压降，电源电压13V）：通过波形可以看出，Q27（BC817）Vbe压降限制了1.2Ω电阻上通过的电流，此时Q54（BCP54)、Q27（BC817）、R155（1.2Ω）三个器件组成恒流源电路，Q54（BCP54)和Q27（BC817）工作在线性导通状态。
在对电源短路情况下，Q27（BC817）Ib电流较大，导致Q27（BC817）Vbe压降达到1V，短路电流为Vbe/R155=1V/1.2Ω=835mA。
而Q54（BCP54)工作在线性导通时，Vce压降达到12V，Q54（BCP54)承受的功耗为12V*835mA=10W，远超过该器件手册功率0.96W（collector 1 cm2，PCB实际铺铜面积约为1 cm2）。
测试环境温度约16℃，通电后13秒后元件温度超过125℃，31秒后达到191℃，很快损毁。
通电13S温度通电31S温度该电路的结构是通过恒流源电路限制口线的最大电流，以保护电路。
常用三极管参数大全
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6-高效GaN微波功率模块-中国电科十三所第十六专业部
■l l l l l 6-36-46-56-66-76-8lHEG001D 型1.2~1.4GHz 20W 功率模块HEG205B 型1.2~1.4GHz 60W 功率模块HEG600B 型1.2~1.4GHz 100W 功率模块HEG002D 型2.7~3.5GHz 20W 功率模块HEG200B 型2.7~3.5GHz 60W 功率模块HEG401E 型3.1~3.5GHz 80W 功率模块l l l l l6-96-106-116-126-136-14lHEG402F 型2.7~3.5GHz 80W 功率模块HEG601B 型2.7~3.5GHz 120W 功率模块HEG202C 型4.0~5.0GHz 60W 功率模块HEG602B 型4.0~5.0GHz 100W 功率模块HEG203C 型5.0~6.0GHz 60W 功率模块HEG015A 型9.0~10.0GHz 30W 功率模块6高效G a N 微波功率模块典型封装形式123424.0±0.1≤517.4±0.120.4±0.18.0±0.12.7±0.14-R1.3±0.10.6±0.12.5≤54-R1.4±0.19.6±0.18.0±0.117.4±0.120.4±0.124.5±0.10.6±0.121.0±0.1≤512.9±0.12-R1.62.7±0.117.0±0.10.6±0.121.0±0.1≤517.0±0.12.7±0.113.0±0.12.0±0.12-R 1.50.6±0.132.5±0.126.5±0.119.8±0.13.2±0.123.0±0.14-R1.0±0.1.0±0.1≤5.8≤5.832.5±0.132.0±0.13.2±0.126.5±0.128.8±0.11.0±0.1≤630.0±0.145.0±0.12.6±0.117.0±0.141.0±0.1012盒体封装形式示意图高效G a N微波功率模块L波段GaN内匹配功率模块，基于全国产化材料及工艺的GaN器件制备，采用先进的平面内匹配合成技术和成熟的薄膜混合集成工艺，频率可覆盖1.2~1.4GHz波段，适应连续波及各种脉宽占空比工作条件，满足电子对抗、卫星通信、遥测遥控等高性能射频/微波系统的宽带、高功率、高效率及温度等环境适应性要求。
常用元器件封装尺寸大小
封装形式图片国际统一简称LDCCLGALQFPPDIPTO5TO52TO71TO71TO78PGAPlastic PIN GridArray 封装形式图片国际统一简称TSOPThinSmall OUtlinePackageQFPQuadFlat PackagePQFP 100LQFPQuadFlat PackageSOT143SOT220Thin ShrinkQutline PackageuBGAPLCCLQFPLQFP 100LTO8TO92TO93T099EBGA 680LQFP Quad Flat PackageTQFP 100LMicro Ball GridArrayuBGA Micro Ball GridArrayPCDIPZIPZig-Zag Inline PackaSOT223SOT223SOT23SOT23/SOT323 SOT25/SOT353SBGALBGA 160LPBGA 217L Plastic Ball GridArraySBGA 192LTSBGA 680LCLCCSC-705LSDIPSIPSingle Inline Package SOT26/SOT363FBGAFDIPSOJSOP EIAJ TYPE II 14LSSOP 16LSSOPSOJ 32LFlat PackHSOP28SOSmall OutlinePackageCNRCPGA Ceramic Pin OutlinePackageDIPDual Inline PackageDIP-tab DUAL Inline Package with MetalHeatsinkBQFP 132C-BendLeadITO220ITO3PTO220TO247TO264TO3JLCCLCCTO263/TO268SO DIMM Small Outline Dual In-line MemoryCERQUADCeramic QuadFlatCeramicCase LAMINATE CSPT12LChip Scale PackageGullwingleadsSOT343SOT523SOT89SOT89ModuleSOCKET 370 For intel 370 Pin PGA PentiumIII & Celeron CPUSIMM30Single Inline Memory ModuleSIMM72Single Inline Memory ModuleSIMM72Single inline Memory Modulepin PGA pentium 4 CPUSOCKET462/SOCKET A For PGA AMD Athlo & Duron CPUSocket 603FosterLLP 8LaPCI 32bit 5VPeripheralComponent Interconnect PCI 64bit 3.3VPeripheralComponent InterconnectPCMCIATCSP 20L Chip ScalePackageTO252SOCKET7 For intel PentiumPSDIP SLOT1 For intel pentiumII petiumIII & Celeron CPU SLOT A For AMDAthloncpuSNAPTKSNAPTKSNAPZPSOHBGABall Grid ArrayTO18& MMXpentiumCPU一、直插式电阻封装及尺寸直插式电阻封装为AXIAL-xx形式（比如AXIAL-0.3、AXIAL-0.4），后面的xx 代表焊盘中心间距为xx英寸，这一点在网上很多文章都没说清楚，单位为英寸。
士兰微 SD7528 功率因数校正（临界导通模式）控制器 说明书
版本号：0.2 2010.12.30 共7页 第4页
管脚号 1 2 3
管脚名称 INV
COMP MULT
4
CS5ZCD6GND7
GD
8
VCC
典型应用电路图
SD7528 说明书
I/O
管脚描述
I
误差放大器的反相输入，另外该脚还被用来兼做使能脚。
I/O 误差放大器的输出管脚，此管脚和INV脚之间连接一个反馈补偿网络。
杭州士兰微电子股份有限公司
Http: //
版本号：0.2 2010.12.30 共7页 第7页
动态或静态OVP或VINV<150mV
30
60
2.5
3.75
3.5
5
1.7
2.2
IMULT
VMULT
K
ΔVCS ΔVMULT
VMULT = 0 ~ 4V
VMULT=1V，VCOMP=4V VMULT=0 ~ 1V VCOMP=高钳位电压
-1 0~3 0.32 0.38 0.44
1
1.1
VREF
IINV GV GBB ICOMP ICOMP VCOMP VCOMP Vdis Vres
2.545
2
5
-1
60
80
1
-2
-3.5
-5
2.5
4.5
5.3
5.7
6
2.1
2.25
2.4
150
200
250
380
450
520
IDOVP
IHys
***
VSOVP *
23.5
27
30.5
20
2.1
海浦蒙特HD09变频器用户手册
版本修订记录
用户手册的版本位于封面的右下角。
改版时间：2014 年 3 月
改版版本：V1.1
修改章节 版本修订记录 第七章 功能参数速查表
9.6 应用举例
修改内容
增加： • 版本修订记录
增加：
• F00.14 增加：“千位：频率通道切换至模拟选择” • 0：不保存。 • 1：保存之前操作面板/端子设定的频率。 • 设定范围及出厂值改为：0000－1111【1001】
l1l2l3nbrpel1l2l3n制动电阻仅三相电源机型能选配制动电阻hd09变频器接触器电源接地mccb第四章电气安装深圳市海浦蒙特科技有公司12hd09系列用户手册v1143控制端子及连接图控制端子说明端子名称规格10外引电源最大输出电流100maai可编程模拟输入由拨码开关决定电压输入或电流输入电流020ma阻抗500ao可编程模拟输出电压010vgnd电源地模拟和数字地0vdi1di2di3可编程数字输入与gnd短接有效di4可编程数字输入与gnd短接有效高速脉冲输入f1503设为53号功能最高频率500khzf1617设定do可编程数字输出开路集电极输出高速脉冲输出f1519设为38号功能最高频率500khzf1626设定r1ar1br1c可编程继电器输出触点容量
修改： 2．写从机 2 的设定运行频率，掉电保存（例如：设定运行频率为 45.00Hz），寄 存器内容 0x11,0x94
地址 请求/应答帧 0x02
寄存器内容
0x11
0x94
校验和 0xDB
0x7E
9．读从机 2 的输出频率（例如：变频器输出频率为 50.00Hz），寄存器内容 0x13, 0x88
第五章 技术数据 .....................................................................................................................................................15 5.1 外围器件选型..............................................................................................................................................................15 5.2 技术规格 ....................................................................................................................................................................... 16
中小功率晶体管芯片背面金属化的研制
・ Байду номын сангаас ・
中小功率 晶体 管芯片背 面金属化 的研制
宋海 娟 常婷 婷 郝 晓 波
（ 西安卫光科技有限公司 ， 陕西 西安 ７ １ ０ ０ ６ ５ ）
摘 要： 在 电子产品的生产过程 中， 中小功率的晶体管生产是 一个非常重要的生产环节。芯片作为晶体管的核心组成部分 ， 其 能否在 晶体 管中正常使 用是衡量 晶体 管生产质量的主要指标。这些晶体管芯片一般是 以批量 生产 的方式单独生产 ， 然后再通过集电极使其 与晶 体 管安装在一起 ， 最终制成晶体管成品。但 问题是在制备集 电极 时， 金属 和半 导体之 间并不能直接 实现较好 的接触 ， 出现 了整流效应 。为 了能够更好 的实现 两者之 间的接触 ， 我们 决定采 用在芯 片背面进行金属化的处理方 法， 来 实现半导体与金属的 良好接 触。现本文就主要 研 究探讨 了中小功 率晶体 管芯片背面金属化的研 制。 ’
关键词 ： 中小 功 率 ； 晶体 管 ； 芯片； 背面 ； 金 属 化
众所周知 ， 金属与半导体的材料有很大差异 。在将 两种 不同材 除干净。即要将芯片背面上所粘附的所有水迹 、 灰尘 或氧化层 都进 料制成 的元器件连接在一起时 ， 就会 出现接触势垒 。 这样一来 ， 当不 行彻底清洗 。 在清洗 的过程 中， 必须要认真仔细 ， 以免破坏芯片的质 同的电流经过接触 点时 ， 就会 出现整 流特性 ， 这就会使 晶体管失 去 量。使其 出现脱金 、 金层变色 、 皱金 、 金花不好 以及上 芯不合格 等问 正常工作 的性能 。 因此 ， 在晶体管的制备过程 中 ， 要将半导体材料的 题 。 芯片 与金属连接在 一起 ， 就需要避免两 者出现整流效 应 ， 也就是要 ２ ． ４蒸发 。我们首先对蒸发 台内部结构进行 改造 ， 重新设计装 片 使 电压和 电流之间 的关系能够完全符合欧姆定律 的要求 ， 实 现欧姆 片架 、 档板 ， 调整悬挂钨丝的方法 ， 改进升温加热程序 。在操作过程 接触效应 。只有使 电压 一电流呈现 出线性关 系 ， 且相互对称 的 良好 中 ， 注意掌握决 窍 ， 控 制加 灌液氮 的时间 、 抽真空 的方式 、 高阀开关 欧姆接触 ， 才 能达 到较小 的接触 电阻 。 并且还能够增大其机械强度 ， 速度 等等 ， 以达 到完美效果 ， 我们在大批量生 产过程发 现必须严格 使接触点能够很好的承受各种外力作用 ， 提高其可靠性 。而在 目前 执行操作规程 ， 否则会 出现整炉蒸金不合格 ， 导 致全 部返 工 ， 这样会 甚至影响到成 品管 的性能 。 的中小功率晶体管的生产中 ， 常常采 用将 芯片背面进行金属化是方 造成极大浪费和损 失 ， 法来实现 良好欧姆接触。 ２ ． ５ 合金 。金 蒸发淀积到芯片背面后 ， 需进 行合金化 ， 使金硅之 １研 制 理 论 间形成低阻欧姆接触 ，此外合金化还 可增加金 与硅 之间的附着力 ， 由于在将 晶体 管芯片 的背面进行金 属化处理 以后能够 极大 的 使金层与硅层 粘附牢固 ， 防止在放置过程 中金层脱落。 提 高芯片的可焊性 ， 使其余金属 的焊接更 牢靠 ， 欧姆接触 电阻更小 ， 合金化 ， 就是 把蒸 金后 的硅 片 ， 放在氮气保 护的炉管 中， 进行一 因此在现代 中小功率晶体 管的生产中 ， 芯 片背面金属化处理方法称 段时 间的热处理 ， 合 金温度高于金硅共 晶温度 ３ ７ ０ ℃即可。合金过 为了最重要 的生产技 术 ， 应用非常广泛 。极大 的提 高了生产效率 ， 程分为升 温 、 恒温 、 降温三个 阶段 ， 当合 金温度低于共 晶温度时 ， 金 实 现了生产的 自动化 。 以下我们就来 简单分析 芯片背面金属化研制 和硅基本 不发生作用 ， 都保持原来的固体状态。当温度升高到共晶 的理 论 基础 。 温度时 ， 在交界面上 ， 金原子和硅原子相互扩散 ， 并形成硅原子和金 为了得 到半 导体 中导带 电子所 面临的势垒 ，把导带底 Ｅ ｃ 选作 原子的熔 液 ， 随着时间和温度的增加 ， 金硅熔融速度也加快 ， 最后整 电势 能的零 点 ， 得到 电子的势垒 。 对于一定的势垒高度 ， 贯穿系数强 个金层全部变成金硅熔体 。恒温一段时间 ， 使 合金熔液中的硅原子 烈地依赖 于掺杂 浓度 。 如果掺杂浓度很高 ， 即势垒变得很 薄时 ， 贯穿 达到饱和。 在缓慢 降温时 ， 硅原子在熔液 中的溶解度下降 ， 多余的硅 几 率很大 ， 这时将 有相当大 的隧道 电流 出现 ， 甚至超 过热 电子 发射 原子将沿着 固体硅 表面逐渐从熔液 中析出 ，形成 硅原子 的再 结晶 电流 而成为 电流 的主要成份 。 于是 由半导体流 向金属 的电子流所形 层。当温度降到金硅共 晶温度 ３ ７ ０ ℃时 ， 全部熔液凝 固成金 硅共晶 成 的电流就发生 了变化 。 体。 此后 ， 温度继续降至室温 ， 合金系统保持不变 ， 并形成 金花 ， 这时 金属 中的电子所 面临的势 垒高度不 随外加电压变化 ， 因而 由金 合金 系统就是金属与半导体的欧姆接触 区。 属流 向半导体 的隧道 电流 与电压无 关 ， 其大小应等 于不加 电压时的 ３研 制 结 果 经过背面金属化 的芯片性能状况如下 ： ①外观整洁 ， 金花 均匀 ， 电流值 。当半导体重掺杂 时 ， 它与金属 的接触 近似地有 线性 的和对 称 的电流一 电压关 系 ， 并且有较小 的接 触电阻 ， 因而是 接近理想 的 不存 在沾污 、 流金 、 变色 、 裂纹 、 起泡 、 球化、 凸起 、 脱金等 现象； ② 金 欧姆接触 。 属与芯片 背面粘附 良好 ； ③后 工序装配 时与框架焊 接 良好 ， 推力 大 于０ ． ７ ｋ ｇ ， 上芯温度 ４ ３ Ｏ ℃； ④上芯时金属 的溢 出部分大 于芯 片周 长 ２研 制 过 程 在实际 的研制过程 中， 我们结合研制理论 以及对 国内外 相关 产 的 ７ ５ ％ ； ⑤芯片被推 掉后 ， 残留面积大于芯 片面积的 ９ ０ ％ ； ⑥封 装 品 的分析对 比， 决 定可以采用以下技术方案进行芯 片背 面金 属化 的 成 成品管后 ， 上芯温度较好 ， 残 留量低 ， 金层厚度 较薄 ， 基本 已经 达 研制 ： 减薄、 抛光 、 清洗 、 蒸发 、 合金、 试产 、 测试 。在本研制方 案是 执 到了国际先进水平 。 证明我们研制出的中小功率 晶体管背面金属化 行中， 会遇 到一定 的问题 ， 必 须要积极采取措施 加 以解 决。具体来 技术是很成功 的。 讲， 主要 的技术 问题 与解决措施分别如下所示 ： 结束 语 ２ ． １ 减薄 。在减薄 的工序环 节中 ， 可 能会 出现较高的碎片率 ， 片 综 上所 述 ， 在 中小 功率晶体管 芯片 的背 面金属化研 制 中 ， 我 们 间和片 内的厚度也会有 很大 的误差 ，并且芯 片的正面极 易遭受 污 通过研究 其相关理论 ， 为研制技术 提供 了理论基础 和支持 ， 并在 反 达到了较好 的 染， 背 面磨痕也很粗 。 为此我们经过 了多次 的试验和改进 ， 最终决定 复是试验探索 中总结了一套完整 的金属化工序流程。 以按时修 整磨头 、 基座 ， 并且在 芯片的正面加贴 一层保护膜 的方法 金属 化处 理效果 ， 并 实现 了批量生 产 ， 是一个 非常值得 推广应用 的 中小功率 晶体管背面金属化技术方法 。 来 解 决 这 一 问 题 ２ ． ２抛光 。在抛光 的工序环节 ， 极易 出现背 面抛光亮度 不够 、 出 参 考文献 现损伤层等问题 ， 我们最终决定通过利用化学 一机械抛光方式进行 ［ １ 】 潘茹 ， 李明娟 ， 吴 坚， 刘英坤． 半导体器件芯 片焊接 方法及控 制［ Ｊ 】 ． 抛光 ， 并 且对 抛光 液 的 Ｐ Ｈ值 、 磨 料 的粒 径 大小 、 抛 光液 的稀 释程 半导 体 技 术 ， ２ ０ ０ ６ ， ４ ． 度、 抛光液 的流量 、 抛 光盘的表面温度 、 抛光 布的韧性 、 和粗糙度 、 抛 ［ ２ 】 于炼克， 曹泽 良． 中小功率 晶体 管芯片背 面金 属化 的研 制ｆ Ｊ １ ． 机 电 ２ ０ ０ ２ ， １ ． 光 布 的蓄水 性能 、 曝光底盘 的转动速度与运行平 稳性 、 空气 压缩气 工程 技 术 ， 压力 的大小 、 芯片 的粘贴的质量等等诸多影 响抛光 质量的因素都加 以严格 控制 ， 以此来保证抛光质量。 ２ ． ３清洗 。在经过减薄与抛光 的处理后 ，芯片上会 粘附很多杂 质。 比如油脂 或蜡 。 在进行下道工序之前 ， 首先应该将这些杂质都清
电子技术专科教材013
2SC829
高频、低频放大
2SC62、2SC544、2SC561～562、2SCl686、2N3289～3292
3DGlllE
2SC911A
功放、振荡
2N5644
3DA816
2SC917
UHF高放、混频
2SC2466、2SC2728、2SC2731、2N6389
2DG302、FG024
四2输入与非门(OC)
四2输人或非门
四2输入与非门(OC)
六反相器
六反相器(OC)
六反相缓冲／驱动器(OC)
六缓冲／驱动器(OC)
四2输入与门
四2输入与门(OC)
三3输入与非门
三3输入与门
三3输入与非门(OC)
三3输入与门(OC)
六高压输出反相缓冲／驱动器(OC)
六高压输出缓冲／驱动器(OC)
双4辅人与非门
2SC920
高频放大、混频、变频
2SC33、2SC838～839，BF237～238
3DGlllF
2SC930
高频、小功率
2SC545、2SC772、2SC923、2N1992、2N3293～3294
3DG111D
2SCl008
高频、大电流
BCl41、BC301、BSSl5、BSS42、BSW39、2N5320
4线—七段译码器／驱动器(BCD输入，OC输出)
双2路2—2输入与或非门(一门可扩展)
双2路2—2(3)输入与或非门
4路2—3—2—2输人与或门(可扩展)
4路2—3—2—2输入与或非门(可扩展)
2路4—4输入与或非门(可扩展)
1／50分频器
双4输入与扩展器
可靠性预计——精选推荐
②黑白电视机电源的可靠性预计。 （i）硅整整流桥（2CP24×4） 第一步 查 GJB／Z299B 一 98 电子设备可靠性预计手册（以下数据均来自此标准， 简称《手册》目次，查出“半导体分立器件”P.38—82。 第二步 在 P.65 查出“电压调整、电压基准及电流调整二极管。
工作失效率模型为：λ p＝λ bπ Eπ θ π A 第三步 选择此器件的质量等级，并查出质量系数π θ 。 查 P.41 表 5，1，2－3，选择符合民用产品质量要求的质量等级：B2，并在 P.65 的表 5， 1，2，8－2 查出π θ ＝1。 第四步 根据该电源的工作环境 GF1，查 P.65 表 5.1.2.8－1，查出π E＝1.7。 第五步 查 P.65 表 5，1，2，8—3，由于 2CP24 二极管用于整流，即“电压调整”，
1 π θ =1（表 5.1.12.1
（0.00017×
0.0316
属化孔
－2）
40+0.0011）＝0.0079
π E=4（表 5.1.12.1
－1）
π C=1（表 5.1.12.1 －3）
9
λ sp＝Σ Niλ Giπ θ i
i=1
3.1287
④元器件应力分析法 应用此法是在产品设计的后期（技术设计）阶段的可靠性预计。这时产品已有原理图、 详细工作电路图、结构图、详细的元器件清单，以及产品的使用环 境，元器件的质量等级和 工作应力已确定的条件下，才能应用。 此法以元器件的基本失效λ b 为基础，根据元器件使用环境、质量等级、工作能力、工 作方式以及对产品的制造工艺等项的不同，计算出元器件的工作失效率（使用失效率），进 而求出部件或单元的失效率，最后计算出系统（产品）的失效率。 元器件的工作失效率（使用失效率）可用下式表述：
分立元件手册讲解
符号 2—第二部分第三部分第四部分 :用汉语拼音字母表示器件 用汉语拼音字母表示器件类型 用数字表 材料与极性示器件序 符号 意义符号 意义 号rA - N 型：锗材料 P 普通管V 微波管BP 型：锗材料 W 稳压管C 参量管CN 型：硅材料Z 整流管L 整流堆DP 型：硅材料S 隧道管N 阻尼管U 光电管K 开头管X低频小功率管 APNP 型:锗材料(fa<3MHZ?c<1W )G高频小功率管BNPN 型:锗材料(fc <3MHzPc <1W)D 低频大功率管 CPNP 型:硅材料(f D <3MHZ?c >1W )A 高频大功率管 D NPN 型:硅材料(fa>3MH^PO1W)T 半导体闸流管 E化合物材料Y 体效应管B 雪崩管J 阶跃恢复管CS 场效应管BT 特殊器件FH 复合管PIN PIN 型管JG激光器件PNP型，锗材料附录A :国内外半导体器件命名方法1.中国半导体器件命名法 按照国家标准 GB-249-74规定的命名方法如表 A-1。
表A-1 国产晶体管型号组成部分的符号及其意义示例1:锗PNP 型高频小功率三极管3 A G 11 C三极管高频小功率2. 日本半导体器件命名法日本晶体管型号均按日本工业标准 JIS — C — 7012规定的日本半导体分立器件型号命名方法命名。
日本半导体分立器件型号由五个基本部分组成，这五个基本部分的符号及其意义如表 A-2所示。
日本半导体分立器件的型号，除上述5个基本部分外，有时还附加有后缀字母及符号，以便进一步说明该器件的特点。
这些字母、符号和它们所代表的意义， 往往是各公司自己规定的。
后缀的第一个字母，一般是说明器件特定用途的。
常见的有以下几种：三极管用字母表示 器件规格号第一部分 用数字表示器件 的电极数目 意义 二极管规格号序号M:表示该器件符合日本防卫厅海上自卫参谋部的有关标准。
N :表示该器件符合日本广播协会（NHK ）的有关标准。
BCP53;中文规格书,Datasheet资料
Max
BCP53 1.5 12 83.3
Units
W mW/°C °C/W
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation
/
BCP53
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
SuperSOT™-8 SyncFET™ TinyLogic™ UHC™ VCX™
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN; NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.
BCP53
BCP53
C
E C B
SOT-223
PNP General Purpose Amplifier
This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switching circuits requiring collector currents to 1.0 A. Sourced from Process 78. See BCP52 for characteristics.
BCP53中文资料
BCP52/53MEDIUM POWER AMPLIFIERADVANCE DATAsSILICON EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORSsMINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR APPLICATION IN SURFACE MOUNTING CIRCUITSsGENERAL PURPOSE MAINLY INTENDED FOR USE IN MEDIUM POWER INDUSTRIAL APPLICATION AND FOR AUDIO AMPLIFIER OUTPUT STAGEsNPN COMPLEMENTS ARE BCP55 AND BCP56 RESPECTIVELYOctober 1997ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1/4THERMAL DATAELECTRICAL CHARACTERISTICS (T case = 25 oC unless otherwise specified)BCP52/532/4BCP52/533/4Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, SGS-THOMSON Microelectronics assumes no responsability for the consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may results from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of SGS-THOMSON Microelectronics. Specifications mentioned in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied.SGS-THOMSON Microelectronics products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without express written approval of SGS-THOMSON Microelectonics.© 1997 SGS-THOMSON Microelectronics - Printed in Italy - All Rights ReservedSGS-THOMSON Microelectronics GROUP OF COMPANIESAustralia - Brazil - Canada - China - France - Germany - Hong Kong - Italy - Japan - Korea - Malaysia - Malta - Morocco - The Netherlands -Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - Taiwan - Thailand - United Kingdom - U.S.A.BCP52/534/4。
进口原装ic型号大全
深圳市明烽威电子有限公司SI2307CDS-T1-E3VISHAY BAS316NXP SI2307CDS-T1-GE3VISHAY BC856BW NXP SI2304BDS-T1-E3VISHAY 74HC04N NXP ILD206T VISHAY BZA968A NXP TCST2103VISHAY BT152X-400R NXP SI1303DL-T1-E3VISHAY BAT54NXP SI1557DH-T1-E3VISHAY BAW56NXP SI7866ADP-T1-E3VISHAY BC807-40NXP MBB02070C1004FRP00VISHAY BC807NXP LL4148-GS08VISHAY BSS123NXP LL4148-GS08Vishay BSN20NXP ILD2Vishay PESD3V3L1BA NXP ILD2Vishay PCA9512AD NXP LS4148-GS08Vishay1PS79SB10NXP 928999-1TYCO BCP56-16NXP 2SA1837TOSHIBA BT168GW NXP TC74HC07AP TOSHIBA BT134-600NXP 2SA1941TOSHIBA74HC4538D NXP 2SA1930TOSHIBA BC857B NXP TLP361J TOSHIBA PSMN5R0-80PS NXP TB6560AHQ TOSHIBA MC145406D NXP TC74HC07AP TOSHIBA PMBTA44NXP JDP2S04E TOSHIBA BCV46NXP 2SC4793TOSHIBA BAS85NXP TPCP8001-H TOSHIBA BAS21NXP SN74LVTH162244DGGR TI PESD1LIN NXP TMS320F28335PGFA TI BAV99NXP TMS320LF2406APZA TI BAV23S NXP STP11NK40ZFP ST74HC1G86GV NXP LM2904N ST BC807-40NXP STPS5H100B ST PSMN035-150P NXP LM2903PT ST BAV99NXP L6506ST74HC373D NXP ST485BDR ST BAT721C NXP BAR43CFILM ST BC807-40NXP STB11NM80T4ST BAS40-04NXP STB11NM80T4ST PBSS5250X NXP M24128-BWDW6TP ST BC817-16NXP STP3NK90ZFP ST BC817NXP VND5025AK-E ST BFR93A NXP SM6T68A ST BCP52-16NXP STD15NF10T4ST BAT54S NXP TS4990EIJT ST BZX84-C11NXP VND5025AK-E ST BAV99S NXP STPS20L60CG-TR ST BCP55NXP TL431ACZ ST BAT120C NXP STP5NK60Z ST BUK7606-75B NXPM74HC32RM13TR ST74HC14D NXP STTH110ST BAT54A NXP STTH1L06U ST BC856BW NXP STMAV340TTR ST BCP56-16NXP SMAJ58CA-TR ST BC807-40NXP TS556IN ST BAV70NXP STGF7NC60HD ST BAV99S NXP LD1117DT18TR ST BCP69-16NXP M95320-WMN6TP ST74HC00N NXP ESDA6V1W5ST BFG31NXP L6920DBTR ST P80C32UFAA NXP STTH3L06U ST74HC4538D NXP TS555IDT ST BC847A NXP ESDA6V1L ST PMV40UN NXP VNN3NV0413TR ST BT151X-500R NXP TS555IDT ST BAT54S NXP STTH2002CT ST BCP51-16NXP STB25NM50N ST BAT54S NXP M24C02-WMN6TP ST BAT54C NXP STM809TWX6F ST74AHCT164D NXP TS4041CILT-1.2ST74LVC2G66GD NXP M74HC4052RM13TR ST BCP69-16NXP M4T28-BR12SH1ST PMEG3050BEP NXP STTH15L06FP ST PMBS3904NXP TSH72CDT ST74HCT373D NXP M95320-WMN6TP ST74LVC2G66GD NXP STTH102A ST BC856B NXP STP3NK90ZFP ST74AHC123APW NXP TS951ILT ST PMBS3906NXP ST62T00CM6ST BT148-400R NXP ESDA6V1-4BC6ST PRF949NXP STGP14NC60KD ST BFS17W NXP ESDALC5-1BT2ST BT134-600NXP STP5NK60Z ST74HC4066N NXP STP6NK60ZFP ST BAT54C NXP M74HC4051RM13TR ST BSS123NXP LD2980ABM30TR ST BZV55-C4V3NXP TSH72CDT ST74HC1G86GV NXP STM8S105S4T6C ST BZX585-B2V7NXP LM2903PT ST BAV70NXP TIP31A ST74LVT126PW NXP LM217LZ-TR ST BC847C NXP L6207PD ST BC848B NXP SM6T220A ST BSP62NXP M24C02-WBN6P ST BCP69NXP STM6824SWY6F ST PMBT4403NXP BAR43CFILM ST BAS70-04NXP LIS35DETR ST BTA316-600C NXPSTW18NM60N ST PRF949NXP LD1117ADT18TR ST BCP51-16NXP STB6NK90ZT4ST RB751V40NXP LD1117ASTR ST PMEG3005AEA NXP UC2844BD1ST74AHCT164D NXP STP80NF55-08ST BC817-25NXP M95512-RDW6TP ST74ABT244D NXP L4973D5.1ST BTA204-800E NXP STTH3R02ST BC807-16NXP LF247D ST PSMN070-200B NXP STPS20120D ST BAS40-05NXP STD35NF3LLT4ST BAV70W NXP STW18NM60N ST HEF4094BT NXP M93C86-WMN6TP ST74HC00N NXP M24512-RMN6TP ST TDA6111Q NXP L6920DBTR ST PMV40UN NXP LD1117ASTR ST PMEG3005EJ NXP STGF7NC60HD ST BT134W-800NXP TS556IN ST CBT3306PW NXP TIP137ST HEF40106BP NXP 74V1G125STR ST BC857B NXP STPS160A ST BAS29NXP BD437ST BAS21NXP STT818B ST BC857A NXP STPS15L30CB ST BAW56NXP STTH5R06D ST BZX384-B10NXP STB160N75F3ST PBSS5240T NXP M24C02-WDW6TP ST BAV23S NXP TS555IDT ST PDTC114YE NXP M95020-WMN6TP ST74LVT14PW NXP HCF4066BEY ST PESD24VL1BA NXP L6571BD ST MC145406D NXP STMAV340TTR ST PMBT2222A NXP D44H11ST BAV23A NXP STPS40150CG ST PESD5V0L1BA NXP TS2431BILT ST BC857B NXP STP80NF55-08ST BYV79E-200NXP LM2903PT ST PUMD3NXP TS274CD ST BUK7275-100A NXP LD2980ABM30TR ST BCP55NXP L5991AD ST BC817-25NXP TSH72CDT ST74HC08D NXP STD1NK60T4ST BFR505NXP ST232EBDR ST BAT54S NXP SMBJ85CA-TR ST PBSS5250X NXP T435-800W ST2PC4617R NXP BTA06-600CWRG ST PMBTA42NXP TL084ID ST74HC1G86GW NXPSTPS10150CT ST BAS40-05NXP STGW20NC60VD ST BSS84NXP M4T32-BR12SH6ST HEF40106BT NXP STD15NF10T4ST BAV99W NXP STP4NK50Z ST PRF957NXP TL084ID ST PBSS5350D NXP STB20NM50T4ST BTA212X-600B NXP TS4990EIJT ST74HC597D NXP TS4990IQT ST BAT54W NXP ST890BDR ST1N4148NXP TS4990IST ST74HC4051N NXP M41T81SM6F ST BUK7275-100A NXP STP5NK60Z ST PDTC143ZE NXP STP5NK60Z ST PRF949NXP VIPER25HN ST BC858B NXP UC3844BD1013TR ST BCP51-16NXP M24C64-RDW6TP ST PBSS5250X NXP LD29080DT50R ST BCX55-10NXP STM706RM6F ST BUK7606-55B NXP STP4NK50Z ST BAW56NXP TS556IN ST UDA1334BTS/N2NXP STTH2003CR ST BCP55-10NXP STD7NS20T4ST BUK7608-40B NXP ESDA14V2L ST BAS316NXP M93C56-WMN6TP ST BAT54S NXP STP5NK60Z ST74HC125D NXP L78L15ACUTR ST BC857A NXP STP40NF20ST2N7002E NXP STPS41H100CG ST BCP53-10NXP M48T02-150PC1ST74HC573DB NXP STPS160A ST BC857C NXP STM809TWX6F ST PESD12VL1BA NXP STTH102A ST PMBTA06NXP STS5NF60L ST PMBT3906NXP STPS10H100CFP ST BTA208-600E NXP STB6NK90ZT4ST BCP55NXP STB6NK90ZT4ST BCP55-16NXP M24512-WMW6TG ST BSH105NXP TS555IDT ST BC807-40W NXP LF253D ST BAS70-06NXP TS555IDT ST BC847BS NXP M24C64-RDW6TP ST BSS84NXP M93C66-WDW6TP ST BCP56-16NXP STB25NM60ND ST74HC138D NXP ST1480ACDR ST BCP55-16NXP STP60NF10ST PHK18NQ03LT NXP LM2904N ST BSH111NXP BUL742C ST0NXPUC3844BD1ST PESD5V0L1BA NXP L6390DTR ST BC817-16NXP STP11NK40ZFP ST BC847BPN NXP HCF4066BEY ST74HC138N NXP L7912CV ST HEF4093BT NXP M24C64-WMN6TP ST BAS40-05NXP STM811SW16F ST BAT54NXP STPS20L15G-TR ST BC817-40NXP SM15T100CA ST BC848B NXP STD30NF06LT4ST BAV99W NXP MC33174DT ST PMBT4403NXP M74HC132RM13TR ST PRF949NXP BAT46ST BYW29E-150NXP Z0405MF ST BC807-16NXP M24C64-WDW6TP ST CBT3257AD NXP STSR30D-TR ST PESD3V3L1BA NXP M24C64-WMN6TP ST PESD12VL1BA NXP STD7NS20T4ST BC847C NXP L78M05CV ST PESD1LIN NXP HCF4098M013TR ST74HCT4051N NXP TS555IDT ST BCP53NXP STSR30D-TR ST BZX84-C11NXP P6KE400A ST BCP53-10NXP LM2901D ST BSH103NXP STPS20L60CT ST BAW56W NXP TSH62CDT ST BAS70-05NXP LM2901D ST BAS85NXP STTH102A ST PESD24VL1BA NXP STD7NS20T4ST74LVT14PW NXP 74V1G04STR ST BCP54-16NXP STP11NM60FP ST TL431AMSDT NXP M24C64-WDW6TP ST PMBD914NXP STA559BW13TR ST BAS16NXP UC2844BD1ST BCP55-10NXP LD2985BM50R ST BC857B NXP ESDA6V1BC6ST74HCT00D NXP TIP137ST BAV23S NXP TS924IDT ST74AHCT164D NXP SM15T100CA ST BAV199NXP M24C64-WDW6TP ST PESD3V3L4UW NXP ECLAMP1002A.TCT SEMTECH74HC366D NXP SM05.TCT SEMTECH PESD5V0L1BA NXP UCLAMP0501P.TCT SEMTECH BC847BW NXP SM12.TCT SEMTECH BCP56NXP SR3.3.TCT SEMTECH BC807-40NXP ZEN056V230A16LS RAYCHEM BCP53-16NXP ZEN056V130A24LS RAYCHEM PDTC144ET NXP ZEN056V130A24LS RAYCHEM BZX284-B5V6NXPZEN056V130A24LS RAYCHEM PMBT4403NXP ZEN056V230A16LS Raychem BCP55NXP NANOSMDC110F-2Raychem BCX55-10NXP RUEF500Raychem BAT54C NXP ZEN056V130A24LS Raychem BC847A NXP ZEN056V230A16LS Raychem BAS516NXP LVR012S Raychem BAS16NXP PESD0402-140Raychem BC817-25NXP PESD0603-240Raychem PESD5V0S1BA NXP BAW56LT1G ON SEMI PESD5V0S1BA NXP BAT54SLT1G ON SEMI BCX53-16NXP MMBT2907ALT1G ON SEMI BAV170NXP MMBT4401LT1G ON SEMI BSH111NXP BAW56LT1G ON SEMI BAS21NXP BAS21LT1G ON SEMI BT134-800E NXP BAS16LT1G ON SEMI BC817NXP NIF5002NT1G ON SEMI PDTC114YE NXP BAV70LT1G ON SEMI BCP52-16NXP BAW56LT1G ON SEMI BAS70-05NXP BAS16LT1G ON SEMI BUK7606-55B NXP BAW56LT1G ON SEMI74LV273DB NXP BAT54CLT1G ON SEMI BSN20NXP BAT54CLT1G ON SEMI PESD3V3L1BA NXP MMBD7000LT1G ON semi74LVT14PW NXP MMBD7000LT1G ON semi BC846B NXP MMBD7000LT1G ON semi BAS86NXP BAW56LT1G ON semi BUK7275-100A NXP NSR1020MW2T1G ON BAT54A NXP MCR100-8RLG ON 74LVC74APW NXP MMBT3904LT1G ON CBT3257AD NXP 1SMB5929BT3G ON PESD2CAN NXP MMBT2222ALT1G ON BUJ403A NXP MMBD914LT1G ON BYC8B-600NXP MMBD914LT1G ON BCV46NXP BAV70LT1G ON BAP64-05W NXP MMBD914LT1G ON PESD5V0S1BA NXP NTMD6P02R2G ON BC846B NXP MMBT3904TT1G ON BCP53NXP MMBT3906LT1G ON BT134W-800NXP MURS320T3G ON BCP51NXP LM2904NG ON BCP56-16NXP MMBT3904TT1G ON BGU7005NXP BAW56LT1G ON BAW56NXP MURS320T3G ON PDTC114YE NXP MMBD914LT1G ON BT136-600NXP BAS21LT1G ON BC847B NXP BCP56T1G ON BSS123NXP ESD9X5.0ST5G ON BCP53NXPBCP56-16T1G ON PEMH9NXP BCP53T1G ON74LVC2G00DC NXP MURS360T3G ON PDTC143ZE NXP NDF10N60ZG ON PMBT4403NXP MMBD2838LT1G ON BFS540NXP 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FSCIR2104PBF IR SGL160N60UFD FSCIR2104STRPBF IR SIHFB20N50K-E3VISHAYIR2106IR SIHFIB11N50A-E3VISHAYIR2106S IR SIHFIB9N60A-(IRFIB9N60A)VISHAYIR2106STR IR SIHFIB9N65A-E3VISHAYIR2106STRPBF IR SIHG20N50C-E3VISHAYIR21084PBF IR SIHG47N60S-E3VISHAYIR21084S IR SIHP18N50C-E3VISHAYIR21084STR IR SIHP22N60SPBF VISHAYIR2108S IR SPP11N60C3INFINEON IRS2108STRPBF IR SPP20N60C3INFINEON IR2109IR SPA20N60C3INFINEON IR21094STRPBF IR SPU07N60C3STIR2109PBF IR SGH20N60RUFD FSCIR2109STRPBF IR SPW20N60C3INFINEON IR2110-1PBF IR SPW47N60C3INFINEON IR2110PBF IR SSH10N60B FSCIR2111IR STP4NK80ZFP STIR2110STRPBF IR STF7NK30Z STIR2111PBF IR STF23NM50N STIR2111STR IR STK06N60INFINEON IR2111STRPBF IR STK630F AUKIR2112IR STK7508P AUKIR2112S IR STP10NK50ZP STIR2112STRPBF IR STP10NK60ZFP STIR2113-2PBF IR STP11NK50ZFP STIR2113PBF IR STP12NM50ZFP STIR2113S +09IR STP14NK50ZP STIR2113STRPBF IR STP30NF10-摩洛哥STIR2113STRPBF +05IR STP30NF10-中国STIR2117IR STP3NK60ZFP STIR2117PBF IR STP3NK60Z STIR2117STR IR STP3NK90Z STIR2118STRPBF IR STP3NK90ZFP STIR2121IR STP4NK60ZFP STIR2121PBF IR STP4NK60ZP STIR2125STRPBF IR STP4NK60Z-短脚STIR21271IR STP55NF06-菲律宾/C STIR21271STRPBF IR STP55NF06-摩洛哥STIR2127S IR STP55NF06-中国STIR2132STRPBF IR STP5NK50Z STIR2130JPBF IR STP5NK60Z STIR2130PBF IR STP60NF06-菲律宾STIR2130STRPBF IR STP60NF06-摩洛哥STIR2132JTRPBF IR STP65NF06-中国STIR2136IR STP6NC80Z STIR2136S IR STP6NK60ZP STIR2136STRPBF IR STP75NF75-摩洛哥STIR2151IR STP75NF75-中国STIR2151PBF IR STP7NK80Z STIR2151SPBF IR STP80NF10STIR21531IR STP80NF70STIR21531PBF IR STP80NF70FR STIR21531S IR STP8NK80ZFP STIR21531STR IR STP9NK50ZFP STIR2153PBF IR STP9NK60ZP STIR2153STR IR STP9NK60ZFP STIR2153STRPBF IR STPS2045CTC STIR2155PBF IR STPS20H100CT STIR2156S IR STPS20S100CT STIR2156STRPBF IR STPS30150CT STIR21571STRPBF IR STPS30150CW STIR21593PBF IR STPS3045CTC STIR2161PBF IR STPS3045CWC STIR2161STRPBF IR STPS30H100CT STIR2166S IR STPS30H100CW STIR2166SPBF IR STPS30S45CW STIR2166STR IR STPS6045CW STIR21814STRPBF IR STTH1002CT STIR2181STRPBF IR STTH1602CT STIR21844IR STTH2003CFP STIR21844STR IR STTH2003CT STIR2184PBF IR STTH6003CW STIR2184STR IR STTH8R06D STIR2184STRPBF IR STTH8R06FP STIR21834STR IR STTH1602CT STIR2302IR STW14NK50Z STIR2304IR STW20NK50Z STIR2304STR IR STW20NM60STIR2308STR IR STW25NM60N STIR2520DPBF IR STW26NM60N STIR2502DS IR STW70N10F4STIR2520DSPBF IR STW9NK90Z STIR2520DSTR IR SUP40N10-30-E3VISHAYIR2520DSTRPBF IR SUP70N03VISHAYIR4427PBF IR SUP90N10-8M8P VISHAYIR4427S IR TC9411F TOSHIBA IR4427STRPBF IR TC94A23F-505TOSHIBA IR4428IR TIP122TU FSCIR4428STR IR TIP122STIRAMS10UP60A IR TIP137STIRCFL1PBF TIP142STIRCFL1SPBF TIP147TTU FSCIRF1010EPBF M IR TIP35C STIRF1010EPBF TIP36C STIRF1010NPBF M IR TIP41C STIRFR1010ZTRPBF IR TIP42CTU FAIRCHILD IRF1010ZS IR TIP42C STIRF1010ZSPBF IR TIP50C FSCIRF1018EPBF M IR TLE2072TIIRF1310NPBF P IR TM3045N FSCIRF1310NPBF C IR TOP247YN PIIRF1404PBF C IR TLP250TOSHIBA IRF1404PBF M IR TSU2N60M韩国信安IRF1404S IR UA6585STIRF1404STRLPBF IR UC2845A STIRF1404ZPBF M IR UC3842BN ONIRF1405PBF P IR UC3842BD ONIRF1407PBF C IR UC3843BNG ONIRF1407S IR UC3845BNG ONIRF1407STRL IR UC3844BN ONIRF1407STRLPBF IR UC723UTC001 IRF1607PBF M IR UF830L-TA3-T UTCIRF1902TRPBF IR UM6558STIRF2804PBF P IR US207500CT STIR2804S IR V40100PG-E3/45VISHAY IR2804STRLPBF IR VIPER12A STIR2805PBF P IR VIPER22A STIR2805STRR IR12CWQ03FN IRIR2805STRPBF IR VS-12CWQ06FNTRPBF VISHAY IR2807LPBF IR VS-20CTQ150PBF VISHAY IRF2807PBF C IR VS-48CTQ060PBF VISHAY IRF2807STRPBF IR VS-50WQ03FNTRPBF VISHAY IRF2907ZPBF P IR VS-60APU02PBF VISHAY IRF3007PBF IR VS-60APU04PBF VISHAY IRF3205PBF C IR VS-60APU06PBF VISHAY IRF3205STRPBF IR VS-60EPU06PBF VISHAY IRF3205ZPBF C IR VS-IRFB9N60APBF VISHAY IRF3315PBF M IR WFU1N60WISDON IRF3315STRLPBF IR BU406FSCIRF3415PBF IR FFPF30UA60STU FSCIRF3415STRL IR FQP44N10FSCIRF3703PBF M IR IRG4IBC20KD +04IRIRF3704IR STPS4045CW STIRF3707ZCSTRRPBF IR UC2845BN ONIRF3710PBF C IR UC2845B ONIRF3710PBF P IR UC3844BD1R2G ONIRF3710SPBF IR SB10100FCT强茂IRF3710STRLPBF IR SB1060强茂IRF3710ZPBF IR SB20100CT强茂IRF3711STRPBF IR SB1660F强茂IRF3805PBF P IR MBR20100FCT强茂IRF3808PBF IR ER806FIRF4104PBF IR ER803IRF4905L M IR 04+TK10A60D TOSHIBA IRF4905PBF C IR TK12A50TOSHIBA IRF4905PBF P IR TK5A50D TOSHIBA IRF4905STRLPBF IR MX2SK3562TOSHIBA IRF510PBF C IR2SK3568TOSHIBA IRF520ST2SK3561TOSHIBA IRF520NPBF P /M IR2SK3067TOSHIBA IRF520PBF P IR2SK2608TOSHIBAIRF5210PBF P IR2SK2225瑞萨IRF5210STRLPBF IR MX2SK2225瑞萨IRF5305PBF C IR2SK2996TOSHIBA IRF5305PBF M IR FJ13009TH FSCIRF5305S IR FJP13009-2FSCIRF5305STRPBF IR BTA41-600B STIRF530NPBF M IR BTA06-600C STIRF530NSPBF IR BTA16-600B STIRF530NSTRL IR BTA24-800B STIRF530NSTRLPBF IR BTA26-600B STIRF530PBF C IR HFA08SD60STRPBF VISHAY IRF530 M IR SSH70N10A FSCIRF540NPBF M IR FFA60UP30DNTU FSCIRF540NPBF C粉IR STPS40L15CTD STIRF540NSTRLPBF IR RURG8060FSCIRF540PBF C IR IKW75N60T INFINEON IRF540ZPBF M IR IKW25T120(25N120)INFINEON IRF5852TRPBF C IR IKW20N60T INFINEON IRF6100PBF IR IKW40N120T2INFINEON IRF6217TRPBF IR IKW40T120INFIRF610A FSC IKW40N120H3INFINEON IRF610 M IR RJH60F7ADPK RENESAN IRF620三星FCP16N60FSCIRF620B FSC IRF8734TRPBF IR 09+ IRF620PBF C VIS SPB17N80C3INF 10+ IRF6216TRPBF IR IRF7468TRPBF IRIRF624PBF IR IRF7458TRPBF IRIRF630NPBF M IR IRF7380TRPBF IRIRF630NSTRPBF IR TLP621TOSHIBA IRF630PBF C IR STF30NM60ND STIRF630STRR IR IRFS3607PBF IR 10+ IRLR8743TRPBF IR IRF7501PBF IR 07+ IRF634IR IRGPS60B120KD IRIRF634PBF VIS FFA30U60DN FSCIRF640NPFB C IR43CTQ100S IR 03+ IRF640NPBF M IR L6599AD STIRF640NSTRLPBF IR IDW100E60INFIRF640PBF C IR FQA13N80FSCIRF644NPBF IR STPS30L60CT STIRF644PBF C VIS STGW39NC60VD STIRF6623TRPBF IR NCP1252ADR2G SMDIRF7101TRPBF IR FAN7554FSCIRF7457TRPBF IR SPW24N60C3INFIRF7103Q IR IRFR2307ZTRLPBF IRIRF7103TRPBF IR IRLR8103VTR IR IRF7104TRPBF IR IRFR3505TRPBF IR IRF7105TR IR FQA11N90C FSC IRF7105TRPBF IR FDPF10N60NZ FSC IRF710PBF C VIS FDPF7N60NZ FSC IRF7201TR IR TYN612MRG ST C IRF7204TRPBF IR L6598D ST IRF7201TRPBF IR IR2301STR IR IRF7205TRPBF IR IPW90R1K0C3INF-C IRF720PBF C IR IRF7807VD1IR IRF7220TR IR IRF7807ZTRPBF IR-P IRF7220TRPBF IR IRF7807VD1TRPBF IR IRF7240TRPBF IR IRF7809A IR IRF7241TRPBF IR IRF7811AVTR IR IRF7303TRPBF IR IRF7811AVTRPBF IR IRF7319TRPBF IR IRF7811WTRPBF IR IRF7304IR IRF7821TRPBF IR IRF7304TRPBF IR IRF7822TR IR IRF7306TR IR IRF7822TRPBF IR IRF7306TRPBF IR IRF7823TRPBF IR IRF7309TRPBF IR IRF7828TRPBF IR IRF7210TRPBF IR IRF7832TRPBF IR IRF730PBF C IR IRF7832UTRPBF IR IRF730BPBF VIS IRF7832ZTRPBF IR 09 IRF7311TR IR IRF7842TRPBF IR IRF7311TRPBF IR IRF7862PBF IR IRF7313IR IRF7910TRPBF IR IRF7313TRPBF IR-P IRF8010PBF P IR IRF7314TR IR IRF8010STRLPBF IR IRF7314TRPBF IR IRF8010STRR IR IRF7316TRPBF IR IRF820ST IRF7324TRPBF IR-P IRF820PBF C VIS IRF7328TRPBF IR IRF830APBF C VIS IRF7329IR IRF830B FSC IRF7329TRPBF IR-P IRF830PBF 粉VIS IRF7335D1TRPBF IR IRF830PBF C VIS IRF7338TRPBF IR IRF830SPBF VIS IRF7341QTRPBF IR IRF840APBF M IR IRF7341TRPBF IR IRF840APBF C VIS IRF7342TRPBF IR IRF840STRPBF VIS IRF7343TRPBF IR IRF840ASPBF VIS IRF7353D2PBF IR IRF840ASTRPBF VIS IRF7379PBF IR IRF840A C IR IRF7379TRPBF IR IRF840LCPBF IR。
ON SEMICONDUCTOR BCP53系列 说明书
BCP53 Series PNP SiliconEpitaxial TransistorsThis PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in audio amplifier applications. The device is housed in the SOT‐223 package which is designed for medium power surface mount applications.•ăHigh Current: 1.5 Amps •ăNPN Complement is BCP56•ăThe SOT‐223 Package can be soldered using wave or reflow. Theformed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die •ăDevice Marking:BCP53T1 = AHBCP53-10T1 = AH-10BCP53-16T1 = AH-16•ăPb-Free Packages are AvailableMAXIMUM RATINGS (T C = 25°C unless otherwise noted)RatingSymbol Value Unit Collector‐Emitter Voltage V CEO -80Vdc Collector‐Base Voltage V CBO -100Vdc Emitter‐Base Voltage V EBO -5.0Vdc Collector Current I C 1.5AdcTotal Power Dissipation @ T A = 25°C (Note 1.)Derate above 25°C P D1.512Watts mW/°C Operating and Storage Temperature RangeT J , T stg-65 to +150°CTHERMAL CHARACTERISTICSCharacteristicSymbol Max Unit Thermal Resistance,Junction to Ambient (surface mounted)R θJA83.3°C/WLead Temperature for Soldering,0.0625″ from caseTime in Solder BathT L26010°C SecStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. MaximumRatings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.1.Device mounted on a glass epoxy printed circuit board 1.575 in. x 1.575 in.x 0.059 in.; mounting pad for the collector lead min. 0.93 sq. in.Device Package Shipping †ORDERING INFORMATIONBCP53T1SOT-223SOT-223CASE 318E STYLE 11000/Tape & Reel MEDIUM POWER HIGH CURRENT SURFACE MOUNTPNP TRANSISTORSCOLLECTOR 2,4BASE 1EMITTER 3BCP53-10T1SOT-2231000/Tape & Reel MARKING DIAGRAMBCP53-16T1SOT-2231000/Tape & Reel BCP53T1GSOT-223(Pb-Free)1000/Tape & Reel †For information on tape and reel specifications,including part orientation and tape sizes, please refer to our T ape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D.BCP53-16T3SOT-2234000/Tape & Reel BCP53-16T1G SOT-223(Pb-Free)1000/Tape & Reel BCP53-10T1G SOT-223(Pb-Free)1000/Tape & Reel BCP53-16T3GSOT-223(Pb-Free)4000/Tape & Reel1A = Assembly Location Y = YearW= Work WeekXXXXX = Specific Device Code G= Pb-Free PackageAYW XXXXX GG (Note: Microdot may be in either location)ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T A = 25°C unless otherwise noted)Characteristics Symbol Min Typ Max Unit OFF CHARACTERISTICSCollector‐Base Breakdown Voltage (I C = -100 μAdc, I E = 0)V(BR)CBO-100--Vdc Collector‐Emitter Breakdown Voltage (I C = -1.0 mAdc, I B = 0)V(BR)CEO-ā80--Vdc Collector‐Emitter Breakdown Voltage (I C = -100 μAdc, R BE = 1.0 kohm)V(BR)CER-100--Vdc Emitter‐Base Breakdown Voltage (I E = -10 μAdc, I C = 0)V(BR)EBO-ā5.0--Vdc Collector‐Base Cutoff Current (V CB = -ā30 Vdc, I E = 0)I CBO---100nAdc Emitter‐Base Cutoff Current (V EB = -ā5.0 Vdc, I C = 0)I EBO---10μAdc ON CHARACTERISTICSDC Current Gain (I C = -ā5.0 mAdc, V CE = -ā2.0 Vdc) All Part Types(I C = -150 mAdc, V CE = -ā2.0 Vdc)BCP53BCP53-10BCP53-16 (I C = -ā500 mAdc, V CE = -ā2.0 Vdc) All Part Types h FE25406310025------250160250--Collector‐Emitter Saturation Voltage (I C = -ā500 mAdc, I B = -ā50 mAdc)V CE(sat)---ā0.5Vdc Base‐Emitter On Voltage (I C = -ā500 mAdc, V CE = -ā2.0 Vdc)V BE(on)---1.0Vdc DYNAMIC CHARACTERISTICSCurrent‐Gain - Bandwidth Product(I C = -10 mAdc, V CE = -ā5.0 Vdc, f = 35 MHz)f T-50-MHzFigure 1. Collector Emitter Saturation Voltagevs. Collector CurrentCurrent (BCP53)I C , COLLECTOR CURRENT (mA)Figure 3. DC Current Gain vs. CollectorCurrent (BCP53-10)Figure 4. DC Current Gain vs. CollectorCurrent (BCP53-16)I C , COLLECTOR CURRENT (A)I C , COLLECTOR CURRENT (A)Figure 5. BCP53, -10 Base Emitter SaturationVoltage vs. Collector Current Figure 6. BCP53-16 Base Emitter SaturationVoltage vs. Collector CurrentI C , COLLECTOR CURRENT (A)V c e (s a t ), C O L L E C T O R E M I T T E R S A T U R A T I O N V O L T A G E (V )h F E , D C C U R R E N T G A I Nh F E , D C C U R R E N T G A I NV b e (s a t ), B A S E E M I T T E R S A T U R A T I O N V O L T A G E (V )10015020030050250I C , COLLECTOR CURRENT (A)V b e (s a t ), B A S E E M I T T E R S A T U R A T I O N V O L T A G E (V )Figure 7. BCP53, -10 Base Emitter Turn-OnVoltage vs. Collector Current V BE(on)Figure 8. BCP53-16 Base Emitter Turn-OnVoltage vs. Collector CurrentI C , COLLECTOR CURRENT (A)I C , COLLECTOR CURRENT (A)0.30.40.50.60.70.91.11.20.20.50.60.70.80.91.01.2Figure 9. BCP53, -10, -16 Saturation RegionFigure 10. Input CapacitanceI b , BASE CURRENT (A)VOLTAGE (V)405060708090100110Figure 11. Output Capacitance Figure 12. Standard Operating AreaVOLTAGE (V)Vce, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE (V)0.010.1110V b e (o n ), B A S E E M I T T E R T U R N -O N V O L T A G E (V )V b e (s a t ), B A S E E M I T T E R S A T U R A T I O N V O L T A G E (V )V c e , C O L L E C T O R -E M I T T E R V O L T A G E (V )C A P A C I T A N C E (p F )C A P A C I T A N C E (p F )I c , C O L L E C T O R C U R R E N T (A )1.10.40.3PACKAGE DIMENSIONSNOTES:ąă1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSIY14.5M, 1982.ąă2.CONTROLLING DIMENSION: INCH.SOLDERING FOOTPRINTDIM A MIN NOM MAX MINMILLIMETERS1.50 1.63 1.750.060INCHESA10.020.060.100.001b。
常用晶体管查询手册
常用晶体管查询手册43SK74 N-FET-DG 20V 25mA 0.2W | AC121 GE-P 20V 0.3A 0.9WAC122 GE-P 30V 0.2A 0.225W | AC125 GE-P 32V 0.2AAC126 GE-P 32V 0.2A 0.5W | AC127 GE-N 32V 0.5AAC128 GE-P 32V 1A 1W | AC128/176K GE N/P PAIRED, COOLEDAC128K GE-P 32V 1A 1W | AC131 GE-P 30V 1A 0.75WAC132 GE-P 32V 0.2A 0.5W | AC138 GE-P 32V 1.2A 0.22W 1.5MHzAC141K GE-N 32V 1.2A 1W | AC151 GE-P 32V 0.2A 0.9WAC153 GE-P 32V 2A 1W | AC153K GE-P 32V 2A 1WAC176K GE-N 32V 1A 1W | AC180 GE-P 32V 1.5A 0.3W 1MHzAC187 GE-N 25V 1A 1W | AC187/188K GE N/P PAIRED,COOLEDAC187K GE-N 25V 1A 1W COOLED | AC188 GE-P 25V 1A 1WAC188K GE-P 25V 1A 1W | AD133 GE-P 50V 15A 36WAD136 GE-P 40V 10A 11W | AD139 GE-P 32V 3.5A 13WAD148 GE-P 32V 3.5A 13.5W | AD149 GE-P 50V 3.5A 27WAD161 GE-N 32V 1A 6W | AD161/162 GE N/P 32V 1A 6W PAIREDAD162 GE-P 32V 1A 6W | AD165 GE-N 25V 1A 6WAD166 GE-P 60V 5A 27.5W | AF106 GE-P 25V 10mA 220MHz VHFAF109R GE-P 20V 12mA 260MHz VHF | AF118 GE-P 70V 30mA 375mW 125MHz AF121 GE-P 25V 10mA 270MHz | AF125 GE-P 32V 10mA 75MHzAF127 GE-P 32V 10mA 75MHz | AF139 GE-P 20V 10mA 550MHzAF200 GE-P 25V 10mA 0.145W | AF201 GE-P 25V 10mA 0.145WAF239S GE-P 15V 10mA 700MHz | AF279 GE-P 15V 10mA 60mW 780MHz AF279S GE-P 20V 10mA 0.6W | AF280 GE-P UHF MIXER 550MHzAF306 GE-P 25V 15mA 60mW 500MHz | AF367 GE-P 153V 10mA UHF 800MHz AF379 GE-P UHF 1250MHz | AL102 GE-P 130V 6A 30WAL112 GE-P 130V 6A 10W | ASY27 GE-P 25V 0.2A 0.15WASY77 GE-P 60V 1A 0.26W 500KHz | ASZ15 GE-P 100V 8A 30WASZ18 GE-P 100V 8A 30W | BC107B SI-N 50V 0.2A 0.3W 250MHzBC107C SI-N 50V 0.2A 0.3W 250MHz | BC109B SI-N 30V 0.2A 0.3W 300MHzBC109C SI-N 30V 0.2A 0.3W 150MHz | BC117 SI-N 120V 50mA 0.3W >60MHz BC119 SI-N 60V 1A 0.8W 10MHz | BC135 SI-N 45V 0.2W >200MHzBC136 SI-N 60V 0.5A 0.3W >60MHz | BC139 SI-P 40V 0.5A 0.7WBC141-10 SI-N 100V 1A 0.75W 50MHz | BC141-16 SI-N 100V 1A 0.75W 50MHz BC142 SI-N 80V 1A 0.8W | BC143 SI-P 60V 1A 0.7W AF/DRIVEBC146 SI-N 20V 50mA 50mW 150MHz | BC161-16 SI-P 60V 1A 0.75W 50MHzBC177A SI-P 50V 0.1A 0.3W 130MHz | BC177B SI-P 50V 0.1A 0.3W 130MHzBC177C SI-P 50V 0.1A 0.3W 130MHz | BC190 SI-N 70V 0.1A 0.3W 250MHzBC285 SI-N 120V 0.1A 0.36W 80MHz | BC300 SI-N 120V 0.5A 6W 120MHzBC303 SI-P 85V 1A 6W 75MHz | BC313 SI-P 60V 1A 4W 50MHzBC323 SI-N 100V 5A 0.8W 100MHz | BC327-16 SI-P 50V 0.8A 625mW 100MHz BC327-25 SI-P 50V 0.8A 625mW 100MHz | BC327-40 SI-P 50V 0.8A 625mW 100MHzBC336 SI-P 25V 50mA 0.31W 50MHz | BC337-16 SI-N 50V 0.8A 625mW 150MHz BC337-25 SI-N 50V 0.8A 625mW 150MHz | BC337-40 SI-N 50V 0.8A 0.625W 150MHz BC368 SI-N 20V 1A 0.8W 100MHz | BC369 SI-P 20V 1A 0.8WBC376 SI-P 25V 1A 0.625W 150MHz | BC393 SI-P 180V 10mA 40mWBC441 SI-N 75V 2A 1W | BC448 SI-P 80V 0.3A 0.625W >100BC449 SI-N 100V 0.3A 0.625W | BC450 SI-P 100V 0.3A 0.625WBC451 SI-N 50V 0.1A 0.3W >150MHz | BC461 SI-P 75V 2A 1WBC485 SI-N 45V 1A 0.625W 200MHz | BC487B SI-N 60V 1A 0.625W 200MHzBC488 SI-P 60V 0.1A 625mW >135MHz | BC489 SI-N 80V 1A 0.625W 200MHz BC490 SI-P 80V 1A 0.625W 200MHz | BC516 P-DARL 40V 0.4A 0.625WBC517 N-DARL 40V 0.4A 0.625W | BC538 SI-N 80V 1A 0.625W 100MHzBC546A SI-N 80V 0.2A 0.5W | BC546B SI-N 80V 0.2A 0.5WBC546C SI-N 80V 0.1A 0.5W | BC547A SI-N 50V 0.2A 0.5WBC547B SI-N 50V 0.2A 0.5W 300MHz | BC547C SI-N 50V 0.2A 0.5W 300MHzBC550B SI-N 50V 0.2A 0.5W | BC550C SI-N 50V 0.2A 0.5WBC556A SI-P 60V 0.2A 0.5W | BC556B SI-P 80V 0.2A 0.5WBC557A SI-P 50V 0.2A 0.5W | BC557B SI-P 50V 0.2A 0.5WBC557C SI-P 50V 0.2A 0.5W | BC560B SI-P 50V 0.2A 0.5WBC560C SI-P 50V 0.2A 0.5W | BC618 N-DARL 80V 1A 0.625W B>10BC639 SI-N 80V 1A 0.8W 100MHz | BC640 SI-P 80V 1A 0.8W 130MHzBC807-25 SI-P 50V 0.5A 0.25W 5B | BC807-40 SI-P 45V 0.5A 0.3W 100MHzBC817-16 SI-N 50V 0.5A 0.25W 6A | BC817-25 SI-N 50V 0.5A 0.25W 6BBC817-40 SI-N 50V 0.5A 0.25W 6C | BC828 SI-P 50V 0.8A 0.8W 100MHzBC846B SI-N 80V 0.1A 0.25W 1B | BC847A SI-N 50V 0.1A 0.2WBC847B SI-N 50V 0.1A 0.25W 1F | BC847BR SI-N 50V 0.1A 0.25W SMDBC847C SI-N 50V 0,1A 0.25W 1G | BC849C SI-N 30V 0.1A 0.25W 2CBC850C SI-N 45V 0.1A 0.25W 2G | BC856A SI-P 65V 0.1A 150MHz 3ABC856B SI-P 65V 0.1A 150MHz 3B | BC857A SI-P 50V 0.1A 150MHzBC857B SI-P 45V 0.1A 0.2W 3F | BC857BR SI-P 45V 0.1A 0.2WBC857C SI-P 45V 0.1A 0.25W 3G | BC859B SI-P 30V 0.1A 0.25W 4BBC860B SI-P 50V 0.1A 4F | BC860C SI-P 50V 0.1A 4GBC868 SI-N 25V 1A 60MHz | BC869 SI-P 25V 1A 1W 60MHzBC879 N-DARL 100V 1A 0.8W | BC880 P-DARL 100V 1A 0.8WBCP68 SI-N 20V 1A 1.5W 60MHz | BCV27 N-DARL 40V 0.5A 0.25W B>1BCX17 SI-P 50V 0.5A 100MHz T1 | BCX17R SI-P 50V 0.5A 100MHz T4BCX19 SI-N 50V 0.5A 300mW 200MHz | BCX38B N-DARL 80V 0.8A 1W B>4000 BCX53 SI-P 100V 1A 50MHz | BCX56 SI-N 100V 1A 130MHzBCY59 SI-N 45V 0.2A 1W 250MHz | BCY71 SI-P 45V 0.2A 0.35WBCY72 SI-P 30V 0.2A 0.35W | BCY79 SI-P 45V 0.2A 1W 180MHzBCY85 SI-N 100V 0.2A 0.3W | BD109 SI-N 60V 3A 15WBD115 SI-N 245V 0.15A 0.8W | BD129 SI-N 400V 0.5A 17.5WBD131 SI-N 70V 3A 15W >60MHz | BD132 SI-P 45V 3A 15W >60MHzBD139 SI-N 80V 1.5A 12.5W 50MHz | BD139-16 SI-N 80V 1.5A 12.5W 50MHzBD140 SI-P 80V 1.5A 12.5W 50MHz | BD140-16 SI-P 80V 1.5A 12.5W 50MHzBD141 SI-N 140V 8A 117W | BD142 SI-N 50V 15A 117WBD159 SI-N 375V 0.5A 20W | BD160 SI-N 250V 5A 25WBD179 SI-N 80V 3A 30W | BD180 SI-P 80V 3A 30W >2MHzBD183 SI-N 85V 15A 117W | BD201 SI-N 60V 8A 55WBD201F SI-N 60V 8A 32W | BD204F SI-P 60/60V 8A 60W >7MHzBD230 SI-N 100V 1.5A 12.5W | BD231 SI-P 100V 1.5A 12.5WBD232 SI-N 300V 0.25A 7W | BD237 SI-N 100V 2A 25W 3MHzBD238 SI-P 100V 2A 25W 3MHz | BD239C SI-N 100V 2A 30W 3MHzBD240 SI-P 45V 2A 30W | BD240C SI-P 100V 2A 30W 3MHzBD241C SI-N 100V 3A 40W 3MHz | BD241D SI-N 120V 3A 40W 3MHzBD242C SI-P 100V 3A 40W 3MHz | BD243C SI-N 100V 6A 65W 3MHzBD243F SI-N 200V 6A 65W 3MHz | BD244C SI-P 100V 6A 65W 3MHzBD244F SI-P 200V 6A 65W 3MHz | BD250C SI-P 100V 25A 125W 3MHz BD277 SI-P 45V 7A 70W >10MHz | BD302 SI-P 60V 8A 55W >3MHzBD303 SI-N 60V 8A 55W >3MHz | BD314 SI-P 80V 10A 150WBD317 SI-N 100V 16A 200W 1MHz | BD318 SI-P 100V 16A 200WBD329 SI-N 32V 3A 15W 130MHz | BD330 SI-P 32V 3A 15WBD335 N-DARL 100V 6A 60W | BD336 P-DARL 100V 6A 60WBD337 N-DARL+D 120V 6A 60W >10MHz | BD362 SI-P 32V 3A 15WBD371B SI-N 60V 1,5A 2,5W | BD385 SI-N 60V 1A 10W >250MHzBD387 SI-N 80V 1A 10W >250MHz | BD410 SI-N 500V 1A 20WBD411 N-DARL 50V 2A 10W B>25K | BD441 SI-N 80V 4A 36W 3MHzBD442 SI-P 80V 4A 36W 3MHz | BD515 SI-N 45V 2A 10W 160MHzBD537 SI-N 80V 8A 50W | BD538 SI-P 80V 4A 50W >3MHzBD539 SI-N 40V 5A 45W | BD543C SI-N 100V 8A 70W 3MHzBD545 SI-N 40V 15A 85W 3MHz | BD637 SI-N 100V 2A 3OW >3MHzBD638 SI-P 100V 2A 30W >3MHz | BD648 P-DARL 80V 8A 62,5WBD651 N-DARL 120V 8A 62.5W | BD652 P-DARL 120V 8A 62.5WBD679A N-DARL+D 80V 4A 40W | BD680A P-DARL+D 80V 4A 40WBD681 N-DARL+D 100V 4A 40W B>75 | BD682 P-DARL+D 100V 4A 40W BD683 N-DARL 120V 4A 40W | BD684 P-DARL 120V 4A 40WBD711 SI-N 100V 12A 75W | BD712 SI-P 100V 12A 75W POWERBD722 SI-P 80V 4A 36W >3MHz | BD743C SI-N 110V 15A 90W >5MHz BD744C SI-P 110V 15A 90W 5MHz | BD750 SI-P 100V 20A 200WBD751 SI-N 100V 20A 200W | BD791 SI-N 100V 4A 15WBD792 SI-P 100V 4A 15W | BD801 SI-N 100V 8A 65W >3MHzBD829 SI-N 100V 1A 8W | BD830 SI-P 100V 1A 8W 75MHzBD839 SI-N 45V 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BFW11 N-FET 30V 10mA AMPL. | BFW12 N-FET 30V 5mA AMPL.BFW16A SI-N 25V 0.3A 1.5W 1.2GHz | BFW17A SI-N 25V 0.3A 1.5W 1.1GHz BFW30 SI-N 10V 0.1A 0.25W 1.6GHz | BFW43 SI-P 150V 0.1A 0.4W 150MHz BFW44 SI-P 150V 0.1A 0.7W 50MHz | BFW92 SI-N 15V 50mA 0.3W 1.6GHz BFW92A SI-N 15V 25mA 3.2GHz 13dB | BFX34 SI-N 60V 5A 0.87WBFX37 SI-P 90V 0.1A 0.36W 70MHz | BFX38 SI-P 55V 1A 0.8W B>85BFX40 SI-P 75V 1A 0.8W B>85 | BFX48 SI-P 30V 0.1A 0.36WBFX55 SI-N 60V 0.4A 2.2W 700MHz | BFX85 SI-N 100V 1A 0.8WBFX89 SI-N 15V 50mA 0.2W 1.3GHz | BFY39 SI-N 45V 0.1A 0.3W 150MHzBFY50 SI-N 80V 1A 0.7W 55/175ns | BFY51 SI-N 60V 1A 0.7WBFY52 SI-N 40V 1A 0.8W 100MHz | BFY56 SI-N 60V 1A 0.8WBFY64 SI-P 40V 0.6A 0.7W | BFY88 SI-N 25V 25mA 850MHzBFY90 SI-N 15V 25mA 2GHz 8dB | BGX885N CATV AMPL. 860MHz 17dB BGY88 CATV AMP. 450MHz 35dB | BGY89 CATV AMP. 450MHz 38dBBLW32 SI-N 50V 0.65A 10W 3.5GHz | BLW60C SI-N 18V 9A 100W 650MHz BLX15 SI-N 110V 6.5A 195W 275MHz | BLY87C SI-N 36V 1.53A 20W 175MHz BLY88C SI-N 18V 3A 36W 850MHz | BLY89C SI-N 18V 6A 73W 800MHzBLY93C SI-N 65V 2A 25W 175MHz | BLY94 SI-N 65V 6A 50W 175MHz常用晶体管查询手册5BS107 N-FET 200V 0.13A 0.8W 26R | BS108 N-FET 200V 0.23A 0.8W 8EBS170 N-FET 60V 0.3A 0.8W 5R | BS208 P-FET 200V 0.2A 0.8WBS250 P-FET 45V 0.18A 0.83W | BSN254A N-FET 250V 0.3A 1W <7EBSN274 N-FET 270V 0.25A 1W <8E | BSN304 N-FET 300V 0.25A 1W <8E BSR14 SI-N 75V 0.8A <35/285ns | BSR31 SI-P 70V 1A B>100BSR50 N-DARL 60V 2A 0.8W 350MHz | BSR60 P-DARL 45V 1A 0.8WBSS123 N-FET 100V 0.17A 13/29ns | BSS38 SI-N 120V 0.1A 0.2WBSS44 SI-P 65V 5A 5W | BSS52 N-DARL 100V 1A 0.8WBSS68 SI-P 60/40V 0.8A <50/110ns | BSS89 N-FET 240V 0.3A 1W 6RBSS91 N-FET 200V 0.35A 1.5W <6E | BSS92 P-FET 200V 0.15A 1W 38/45 BSV52 SI-N 20V 0.1A 225mW 400MHz | BSV80 N-FET 40V 10mA 0.35WBSV81 N-FET 30V 50mA 0.2W 100E | BSW43 SI-N 60V 0.2A 0.3W B>180 BSW68A SI-N 150V 2A 5W 130MHz | BSW85 SI-N 75V 0.5A 0.5W 250MHz BSX20 SI-N 40V 0.5A .36W 7/18ns | BSX26 SI-N 40V 0.5A 0.36WBSX29 SI-P 12V 0.2A 0.36W 25/35 | BSX32 SI-N 65V 1A 0.8W 35/40nsBSX47 SI-N 120V 1A 5W | BSX52 SI-N 25V 0.2A 0.3W B>180BSX59 SI-N 45V 1A 0.8W | BSX88 SI-N 40V 0.5A 0.36WBSY56 SI-N 120V 0.5A 0.8W 100MHz | BTS121A N-FET 100V 22A 95W 0.1EBU106 SI-N 325V 10A 50W | BU107 SI-N 300V 10A 50WBU109 SI-N 330V 10A 85W | BU110 SI-N 150V 10A 30W 15MHzBU124A SI-N 400V 10A 50W 6MHz | BU125 SI-N 130/60V 5A 0.8W 100MHz BU128 SI-N 300/200V 10A 62W | BU133 SI-N 750/250V 3A 30W TO3BU1506DX SI-N+D 1500V 5A 32W 0.5US | BU1508AX SI-N 1500V 8A 35W 0.6US BU1508DX SI-N+D 1500V 8A 35W 0.6US | BU180A SI-N+D 400V 10ABU180E N-DARL 1500V 5A 12W | BU189 N-DARL 330V 8A 60WBU208A SI-N 1500V 8A 150W THIN B | BU208B SI-N 700V 5A 80W 7MHzBU208D SI-N+D 1500V 8A 150W | BU209 SI-N 1700V 4A 12.5W TO3BU226 SI-N 2000V 1.5A 10W TO3 | BU2506DF SI-N+D 1500V 5A 45W 0.4us BU2506DX SI-N+D 1500V 5A 45W 0.4US | BU2508A SI-N 1500V 8A 125W 0.4us BU2508AF SI-N 1500V 8A 45W 0.4us | BU2508AX SI-N 1500V 8A 45W 0.4USBU2508D SI-N+D 1500V 8A 125W 0.4us | BU2508DF SI-N+D 1500V 8A 45W 0.4us BU2508DX SI-N+D 1500V 8A 45W 0.4us | BU2520AF SI-N 1500V 10A 45W 0.2usBU2520AX SI-N 1500V 10A 45W 0.2us | BU2520DF SI-N+D 1500V 10A 45W 0.35 BU2520DX SI-N+D 1500V 10A 45W 0.35 | BU2525A SI-N 1500V 12A 0.2usBU2525AF SI-N 1500V 12A 45W 0.2us | BU2525AX SI-N 1500V 12A 45W 0.2USBU2525D SI-N+D 1500V 12A 0.2us | BU2527AF SI-N 1500V 12A 45W 0.2usBU2527AX SI-N 1500V 12A 45W 0.2US | BU2722AF SI-N 1700V 10A 45WBU312 SI-N 280/150V 6A 25W | BU325 SI-N 200/200V 3A 25WBU326A SI-N 900V 6A 75W | BU326S-RFT SI-N 800/400V 6A 60W TO3BU406 SI-N 400V 7A 65W 0.75us | BU406D SI-N+D 400V 7A 65W 0.75usBU407 SI-N 330V 7A 65W 0.75us | BU407D SI-N+D 330V 7A 65W 0.75usBU409D SI-N+D 250V 7A 60W | BU412 SI-N+D 280V 8ABU413 SI-N 330V 10A 60W TO3 | BU414B SI-N+D 900V 8A 60WBU415A SI-N 800V 12A 120W TO3 | BU415B SI-N+D 800V 12A 120WBU426A SI-N 900V 6A 114W | BU426E SI-N 800V 6A 70W TO220BU426V SI-N 800/375V 6A 70W | BU433 SI-N 375V 6A 70WBU500 SI-N 1500V 6A 75W | BU500D SI-N+D 1500/700V 6A 75WBU505 SI-N 1500V 2.5A 75W 0.9us | BU505D SI-N+D 1500V 2.5A 75WBU505DF SI-N+D 1500V 2.5A 20W | BU506 SI-N 700V 5A 100W POWERBU506D SI-N+D 700V 5A 100W POWER | BU506DF SI-N+D 1500V 5A 20W POWER BU508A SI-N 1500V 8A 125W 0.7us | BU508A SI-N 1500V 8A 125W 0.7usBU508A SI-N 1500V 8A 125W 0.7us | BU508AF SI-N 1500V 8A 34W 0.7usBU508AF SI-N 1500V 8A 34W 0.7us | BU508AF SI-N 1500V 8A 34W 0.7usBU508D SI-N+D 1500V 8A 125W 0.7us | BU508D SI-N+D 1500V 8A 125W 0.7us BU508DF SI-N+D 1500V 8A 34W 0.7us | BU508DF SI-N+D 1500V 8A 34W 0.7us BU508DR SI-N+D 1500V 8A 125W | BU522 N-DARL 400/375V 7A 75WBU526 SI-N 800V 8A 86W | BU536 SI-N 1100V 8A 62WBU546 SI-N 1350V 6A 100W TO3 | BU603 SI-N 1350V 5A 100W 0.7usBU606D SI-N+D 400V 7A 90W | BU608 SI-N 400V 6A 90W TO3BU608D SI-N+D 400V 7A 90W | BU626A SI-N 1000V 10A 100WBU705 SI-N 1500V 2.5A 75W 0.7us | BU706DF SI-N+D 1500V 5A 32W 0.7usBU706F SI-N 1500V 5A 32W 0.7us | BU801 SI-N+D 600V 3A 40WBU806 N-DARL+D 400V 8A 60W 0.35 | BU806FI SI-N+D 400V 8ABU808DF N-DARL+D 1500/700V 5A 50W | BU810 N-DARL+D 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BUK446/800B N-FET 800V 2A 30WBUK454/800A N-FET 800V 2A 75W | BUK455/600B N-FET 600V 4A 100W 2R5 BUK456/200B N-FET 200V 19A 150W <E2 | BUK456/60A N-FET 60V 52A 150W 0.028E BUK456/800A N-FET 800V 4A 125W 3E | BUK555/60B N-FET 60V 35A 125W 0.055E BUL310 SI-N 1000V 5A 75W 0.4us | BUL310PI SI-N 1000V 5A 35W 0.4usBUL45 SI-N 400V 5A 75W 12MHz | BUL54A SI-N 1000V 4A 65W 20MHzBUL810 SI-N 1000V 15A 125W | BUR51 SI-N 300/200V 60A 350WBUR52 SI-N 350/250V 60A 350W | BUS14A SI-N 1000/450V 30A 250WBUS23 SI-N 300V 15A 175W | BUS48A SI-N 1000V 15A 175WBUS48AP SI-N 1000V 15A 125W | BUS98A SI-N 450V 30A 250WBUT11A SI-N 1000V 5A 100W 0.8us | BUT11A SI-N 1000V 5A 100W 0.8usBUT11AF SI-N 1500V 5A 20W 0.8us | BUT12A SI-N 1000V 8A 125W 0.8usBUT12AF SI-N 1000V 8A 23W 0.8us | BUT13 N-DARL+D 400V 28A 175WBUT18A SI-N 1000/450V 6A 110W 0. | BUT18AF SI-N 1000V 6A 33W 0.8usBUT30V SI-N 200/125V 100A 250W | BUT34 N-DARL+D 850V 50A 250WBUT56A SI-N 1000V 8A 100W | BUT57 N-DARL+D 400V 15A 110W B> BUT70 SI-N 200V 40A 200W 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0.8us | BUW13A SI-N 1000V 15A 175W 0.8us BUW23 SI-P 450V 10A 125W <300NS | BUW26 SI-N 800V 10A 125W 20MHz BUW42 SI-P 400V 15A 150W | BUW48 SI-N 120V 30A 150W 1.5usBUW49 SI-N 160V 30A 150W | BUW50 SI-N 250V 25A 150W TO-218 BUW72 SI-N 450V 10A 100W | BUW81A N-DARL 800V 10A 80WBUW84 SI-N 800V 2A 50W 0.4us | BUW85 SI-N 1000V 2A 50W 0.4usBUX10 SI-N 160V 25A 150W 1.5us | BUX12 SI-N 300V 20A 150WBUX13 SI-N 400V 15A 150W >8MHz | BUX20 SI-N 160V 50A 350W 1.5usBUX22 SI-N 300V 40A 250W POWSWI | BUX23 SI-N 400/325V 30A 350W BUX24 SI-N 450/400V 20A 350W >8 | BUX32B SI-N 1000V 8A 150WBUX37 N-DARL 400V 15A 35W | BUX39 SI-N 120/90V 30A 120W 8MHz BUX40 SI-N 160V 20A 120W 1.2us | BUX41 SI-N 250V 15A 120WBUX41N SI-N 220/160V 18A 120W | BUX42 SI-N 300V 12A 120WBUX48A SI-N 1000V 15A 175W 0.8us | BUX51 SI-N 300/200V 3.5A 10W >8 BUX54 SI-N 450V 2A 10W >8MHz | BUX55 SI-N 450V 2A 10W 8MHzBUX66 SI-P 200/150V 2A 35W >20MHz | BUX77 SI-N 100V 5A 40W >2.5MHz BUX80 SI-N 800V 10A 100W | BUX81 SI-N 1000V 10A 100WBUX82 SI-N 800V 6A 60W | BUX84 SI-N 800V 2A 40W 0.4usBUX85 SI-N 1000V 2A 40W 0.4us | BUX85F SI-N 1000V 2A 18W 0.4us BUX86P SI-N 800V 0.5A 20W 0.4us | BUX87 SI-N 1000V 0.5A 20W 0.4us BUX87P SI-N 1000V 0.5A 20W 0.4us | BUX88 SI-N 1500V 12A 160W 7MHz BUX98A SI-N 450V 30A 250W | BUX98C SI-N 1200V 30A 250W 5MHz BUY18S SI-N 80/40V 10A 20W | BUY47 SI-N 150/120V 7A 10W 90MHz BUY49P SI-N 250V 3A 10W | BUY49S SI-N 250V 3A 10W 50MHzBUY69A SI-N 1000V 10A 100W 1us | BUY70A SI-N 1000/400V 10A 75W BUY71 SI-N 2200V 2A 40W HORDEFL | BUY72 SI-N 280/200V 10A 60W BUY89 SI-N 1500V 6A 80W | BUZ10 N-FET 50V 20A 80W 0.08RBUZ100 N-FET 50V 60A 250W 0.18E | BUZ11 N-FET 50V 36ABUZ11A N-FET 50V 27A 90W 0.055R | BUZ14 N-FET 50V 39A 125WBUZ15 N-FET 50V 45A 125W | BUZ171 P-FET 50V 8A 40W 0.3RBUZ21 N-FET 100V 21A | BUZ215 N-FET 500V 5A 75W <1E5BUZ22 N-FET 100V 34A 125W 0.055 | BUZ30A N-FET 200V 7A 75WBUZ310 N-FET 1000V 2.5A 75W <5E | BUZ325 N-FET 400V 12.5A 125W <E3 BUZ326 N-FET 400V 10.5A 125W | BUZ330 N-FET 500V 9.5A 125W 0E6 BUZ332 N-FET 600V 8.5A 150W 0.8R | BUZ332A N-FET 600V 8A 150W 0.9E BUZ338 N-FET 500V 13.5A 180W <E4 | BUZ341 N-FET 200V 33A 170W 0.07E BUZ345 N-FET 100V 41A 150W <E045 | BUZ349 N-FET 100V 32A 125W BUZ380 N-FET 1000V 5.5A 125W 140 | BUZ384 N-FET 500V 10.5A 125W BUZ50A N-FET 1000V 2.5A 75W 5E | BUZ71 N-FET 50V 18A 80W 0.1R BUZ71AF N-FET 50V 11A 35W 0.12R | BUZ72A N-FET 100V 11ABUZ72AF N-FET 100V 10A 40W ISOLAT | BUZ73 N-FET 200V 7A 40W 0.4R BUZ73A N-FET 200V 5.8A 40W 0.6R | BUZ90 N-FET 600V 4.5A 70W <1E6 BUZ900 N-FET 160V 8A 125W | BUZ901 N-FET 200V 8A 125WBUZ905 P-FET 160V 8A 125W | BUZ906 P-FET 200V 8A 125WBUZ90A N-FET 600V 4A 75W 2R | BUZ90AF N-FET 600V 4.3A 75WBUZ91A N-FET 600V 8A 150W 0.9R | BUZ93 N-FET 600V 3.6A 80W <2E5 CA3018 DARLINGTON BJT ARRAY | D44H11 SI-N 80V 10A 50W 50MHzD44H8 SI-N 60V 10A 50W | D45H11 SI-N 80V 10A 50W 0.5usDTA114EK SI-P 50V 0.1A 0.2W 10K/10 | DTA114ES SI-P 50V 0.1A 10K/10KOHM DTA114TL SI-P 50V 0.1A 10KOHM | DTA114YL SI-P 50V 0.1A 10K/47KOHM DTA124ES SI-P 50V 0.1A 22K/22KOHM | DTA124XS SI-P 50V 0.1A 22K/47KOHM DTA143EK SI-P 50V 0.1A 0.2W 47/47K | DTA143ES SI-P 50V 0.1A 4K7/4K7OHMDTA144EK SI-P 50V 0.1A 0.2W 47K/47 | DTA144ES SI-P 50V 0.1A 47K/47KDTA144TS SI-P 50V 0.1A 0.3W Rb=47K | DTC114ES SI-N 50V 0.1A 10K/10KOHM DTC114TS SI-N 50V 0.1A 10K | DTC114YS SI-N 50V 0.1A 10K/47KDTC124EK SI-N 50V 0.1A 0.2W 22/22K | DTC124ES SI-N 50V 0.1A 22K/22KOHM DTC143EK SI-N 50V 0.1A 0.2W 4K7/4K | DTC143ES SI-N 50V 0.1A 4K7/4K7OHM DTC143TS SI-N 50V 0.1A 4K7OHM | DTC143XS SI-N 50V 0.1A 0.3W 4.7K/1 DTC144EK SI-N 50V 0.1A 0.2W 47/47K | DTC144ES SI-N 50V 0.1A 47K/47KOHM DTC144EU SI-N 50V 0.1A 0.2W 47/47K | DTC144TS SI-N 50V 0.1A 0.3W 47KOhm DTC144WS SI-N 50V 0.1A 0.2W 47/22K | ESM6045DV N-DARL+D 450V 84A 250W FT5754M DARLINGTON ARRAY | FT5764M DARLINGTON ARRAYGD243 GE-P 65V 3A 10W | GT20D101 N-IGBT 250V 20A 180WGT20D201 P-IGBT 250V 20A 250W | H6N80 N-FET 800V 4.2A 170W 1E9 HPA100R SI-N+D 1500V 10A 150W 0.2 | HPA150R SI-N+D 1500V 15A 180W 0.2 IR2403 DARL.ARRAY 7x45V 0.4A | IR2422 7XDARLINGTON TRAN. ARRAY IRF120 N-FET 100V 9.2A 60W <58/5 | IRF140 N-FET 100V 28A 150W 0E77 IRF230 N-FET 200V 9A 75W <0E4 | IRF240 N-FET 200V 18A 125WIRF250 N-FET 200V 30A 150W | IRF330 N-FET 400V 5.5A 75W <1EIRF340 N-FET 400V 10A 125W <62/1 | IRF350 N-FET 400V 13A 150W 0.4E IRF440 N-FET 500V 8A 125W <0E85 | IRF450 N-FET 500V 13A 150WIRF520 N-FET 100V 10A 70W 0.27R | IRF530 N-FET 100V 16A 90W 0.16R IRF540 N-FET 100V 28A 150W 0.077 | IRF630 N-FET 200V 9A 75W 0.4EIRF640 N-FET 200V 18A 125W 0.18R | IRF644 N-FET 250V 14A 125W <E28 IRF730 N-FET 400V 5.5A 100W 1.0R | IRF740 N-FET 400V 10A 125W 0.55R IRF740F N-FET 400V 5.5A 40W <E55 | IRF820 N-FET 500V 3A 75W 3.0RIRF830 N-FET 500V 4.5A 100W 1.5R | IRF830F N-FET 500V 3A 35W 1.5RIRF840 N-FET 500V 4.5A 40W 0.85R | IRF840F N-FET 500V 4.5A 40W 0.85R IRF9140 P-FET 100V 19A 125W | IRF9240 P-FET 200V 11A 125W <E5IRF9530 P-FET 100V 12A 88W 0.3R | IRF9540 P-FET 100V 19.0A 150W 0R2 IRF9610 P-FET 200V 1.75A 20W 3R0 | IRF9620 P-FET 200V 3.5A 40W 1R5IRF9630 P-FET 200V 6.5A 75W 0R8 | IRF9640 P-FET 200V 11A 125W 0R5 IRFBC30 N-FET 600V 3.9A 100W 2R2 | IRFBC40 N-FET 600V 6.2A 125W 1R2 IRFBE30 N-FET 800V 4.1A 125W <3E | IRFD120 N-FET 100V 1.3A 1.3W <E27 IRFD9120 P-FET 100V 1A 1.3W <E6 | IRFD9220 P-FET 200V 0.6A 1E5 1W <9 IRFF120 N-FET 100V 6A 20W 0.3E | IRFP054 N-FET 60V 70A 230W <0E014 IRFP064 N-FET 60V 70A 300W <E009 | IRFP140 N-FET 100V 31A 180W OE77 IRFP150 N-FET 100V 40A 180W 0E55 | IRFP240 N-FET 200V 20A 150W 0E18 IRFP250 N-FET 200V 33A 180W | IRFP340 N-FET 400V 11A 150W <E55 IRFP350 N-FET 400V 18A 250W 0E3 | IRFP360 N-FET 400V 28A 410W 0.2E IRFP450 N-FET 500V 14A 180W 0E4 | IRFP460 N-FET 500V 25A 410W OE27 IRFP9140 P-FET 100V 19A 150W OE2 | IRFP9240 P-FET 200V 12A 150W IRFPC40 N-FET 600V 6.8A 150W 1.2E | IRFPC50 N-FET 600V 13A 250W 0.60E IRFPE40 N-FET 800V 5.4A 150W <2E | IRFPE50 N-FET 900V 7.8A 190W <1E2 IRFPF40 N-FET 900V 4.7A 150W <2E5 | IRFPF50 N-FET 900V 6.7A 190W <1E6 IRFR9024 P-FET 60V 9.6A 50W 0.28W | IRFZ20 N-FET 50V 15A 40W <120/70。
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Product specification
BCP51; BCP52; BCP53
160
handbook, full pagewidth
hFE 120
80
40
0 −10−1
VCE = −2 V
MBH730
−1
−10
−102
Fig.2 DC current gain; typical values.
−103
Application information
Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.
LIFE SUPPORT APPLICATIONS
These products are not designed for use in life support appliances, devices, or systems where malfunction of these products can reasonably be expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products for use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting from such improper use or sale.
+150
°C
Note
1. Device mounted on a printed-circuit board, single-sided copper, tinplated, mounting pad for collector 1 cm2. For other mounting conditions, see “Thermal considerations for SOT223 in the General Part of associated Handbook”.
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D087
BCP51; BCP52; BCP53 PNP medium power transistors
Product specification Supersedes data of 1997 Apr 08
LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL VCBO
VCEO
VEBO IC ICM IBM Ptot Tstg Tj Tamb
PARAMETER collector-base voltage
IC (mA)
−104
1999 Apr 08
4
Philips Semiconductors
PNP medium power transistors
Product specification
BCP51; BCP52; BCP53
PACKAGE OUTLINE Plastic surface mounted package; collector pad for good heat transfer; 4 leads
3.7 3.3
4.6
2.3
7.3 6.7
1.1 0.7
0.95 0.85
0.2
0.1
0.1
OUTLINE
VERSION
IEC
SOT223
1999 Apr 08
REFERENCES
JEDEC
EIAJ
5
EUROPEAN PROJECTION
ISSUE DATE
96-11-11 97-02-28
Philips Semiconductors
CHARACTERISTICS Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
ICBO IEBO hFE
hFE
VCEsat VBE fT
collector cut-off current emitter cut-off current DC current gain
BCP51 BCP52 BCP53 collector-emitter voltage BCP51 BCP52 BCP53 emitter-base voltage collector current (DC) peak collector current peak base current total power dissipation storage temperature junction temperature operating ambient temperature
4
2, 4
DESCRIPTION
PNP medium power transistor in a SOT223 plastic package. NPN complements: BCP54, BCP55 and BCP56.
1
3
1
2
3
Top view
MAM288
Fig.1 Simplified outline (SOT223) and symbol.
PNP medium power transistors
Product specification
BCP51; BCP52; BCP53
DEFINITIONS
Data Sheet Status
Objective specification Preliminary specification Product specification
SOT223
D
B
E
A
X
c y
HE
b1
4
vM A
A1
1
2
3
e1
bpΒιβλιοθήκη ewM BQ A
Lp detail X
0
2
4 mm
scale
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
UNIT A
A1 bp b1
c
D
E
e
e1 HE Lp
Q
v
w
y
mm
1.8 0.10 0.80 3.1 0.32 6.7 1.5 0.01 0.60 2.9 0.22 6.3
1999 Apr 08
6
Philips Semiconductors
PNP medium power transistors
NOTES
Product specification
BCP51; BCP52; BCP53
1999 Apr 08
7
Philips Semiconductors – a worldwide company
1999 Apr 08
Philips Semiconductors
PNP medium power transistors
Product specification
BCP51; BCP52; BCP53
FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V) • Medium power (max. 1.3 W).
VALUE
UNIT
Rth j-a Rth j-s
thermal resistance from junction to ambient thermal resistance from junction to soldering point
note 1
95
K/W
14
K/W
Note
1. Device mounted on a printed-circuit board, single-sided copper, tinplated, mounting pad for collector 1 cm2. For other mounting conditions, see “Thermal considerations for SOT223 in the General Part of associated Handbook”.
CONDITIONS open emitter
open base
open collector
Tamb ≤ 25 °C; note 1
MIN.
MAX.
UNIT
−
−45
V
−
−60
V
−
−100
V
−
−45
V
−
−60
V
−
−80
V
−
−5
V
−
−1
A
−
−1.5
A
−
−0.2
A
−
1.3
W
−65
+150
°C
−
150
°C
−65
Limiting values
Limiting values given are in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one or more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and operation of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of the specification is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.