Nch MOSFET[2]
驱动有刷直流电机的方法介绍
驱动有刷直流电机的简便方法本文将从非常基础的部分开始介绍驱动有刷直流电机的方法。
可能大多数人都有在小学的理科实验中或手工作品中将电池连接到有刷直流电机来使有刷直流电机运转的体验。
另外，可能也有很多人使用开关制作过可以开/关的电路，或者使用过带有开/关功能的模型或玩具。
我们将从这里开始展开说明。
电机连接电源时会运转，断开电源时会停止运转首先来看使有刷直流电机只沿一个方向旋转和停止的情况。
只要将电源与有刷直流电机相连，电机就会旋转，如果断开电源，则电机在空转后停止运转。
但是，只是这样是很不方便的，因此出现了在连接到电机的电源线之间插入机械开关来手动开/关的电路。
图1的左侧就表示这种电路。
驱动有刷直流电机的方法介绍图1：有刷直流电机开关的导通和关断电路示例如果要将这种电路升级为电子电路，则可以用晶体管替换掉开关（SW1）。
图1的右侧即为替换示例，该晶体管是Nch MOSFET。
这样，就可以通过向MOSFET Q1的栅极施加电压来导通和关断MOSFET，并以同样的方式使有刷直流电机旋转或停止。
虽然简单，但有一些注意事项这里还有一些需要注意的地方。
无论哪种电路，在断开开关的瞬间，电机的线圈都会试图保持电流流动，从而产生高电压（反电动势）。
尤其是使用了晶体管时，如果晶体管被施加了超过最大额定值的电压，则晶体管将劣化或损坏。
因此，必须抑制这种电压。
为此，如电路图所示，需要将二极管并联连接至电机。
这样，电路看起来有点像电子电路了。
开关插入在（+）侧或（-）侧均可如上所述，通过使用一个开关，可以实现本文开头提到的“使电机沿一个方向旋转和停止”。
在这种情况下，开关既可以位于电源的（+）侧也可以位于（-）侧。
两种情况的示例如图2所示。
在使用MOSFET的示例中，为了能够易于驱动（开/关）晶体管，在（+）侧使用了Pch MOSFET，在（-）侧使用了Nch MOSFET。
驱动有刷直流电机的方法介绍图2：驱动有刷直流电机的单开关电路示例从左侧起分别是：（-）侧使用开关，（-）侧使用Nch MOSFET，（+）侧使用开关，（+）侧使用Pch MOSFET如前所述，无论将开关插入电源的哪一侧，在关断电源的瞬间，电机的电感（线圈）都会试图保持电流流动，（-）侧开关会导致电机的（-）端子侧的电压波动到（-）侧电压以下（通常为GND电位以下），（+）侧开关会导致电机的（+）端子侧的电压波动到（+）侧电压（电源电压）以上。
贴片三极管标识代号
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what is love 贴片三极 管代码1
work 2008-0528 21:43:04 阅读2529 评论11 字号：大 中小 JX SOT23 BAV170 B dual cc Si diode low Ir JY SOT23 BAV199 dioda-2x JY SOT23 BAV199 D dual series Si diode lowIr JZ SOT23 BAW 156 JZ SOT23 BAW156 A dual ca Si diode low Ir K SCD80 BBY5202W I UHF varicap 1.751.25pF
K15 DTA124G N pnp sw 50V 50mA w. b-e res K1p SOT23 BCW71 N BC107A K1t SOT23 BCW71 N BC107A K1X SOT23 KSC3265 NPN K2 SOT23 BCW72 NPN K2 SOT23 BCW72 N BC107B ZXT300 K2 SOT23 HSMP3832 D dual HP3830 pin diode K24 DTC114G N npn sw 50V 100mA w. b-eres
L5 SOT23 MMBC1623 L5 NPN L51 SOT143 BAS56 dioda-2x L51 SOT143 BAS56 S dual 60V 200mA diodes L52 SOT23 BAS678 dioda L6 BAR17 C pin diode L6 BSS69R N pnp 40V 0.1A 200MHz sw L6 MMBC1623 L6 N MPS3904 hfe 200400 L6 SOT23 BAR17 dioda L6 SOT23 BSS69R PNP
2n型mos管工作原理
2n型mos管工作原理
2n型MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，又称金属-氧化物半导体场效应晶体管）的工作原理是基于P型沟道型MOS管的原理而来的，只不过掺杂类型相反。
以下是2n型MOS管的工作原理的简要描述：
1. 结构：2n型MOS管由n型衬底、P型沟道区域和漏极、源极构成。
两个P型沟道区被一条n型衬底分隔开。
2. 静态工作原理：当没有电压施加在栅极上时，P型沟道区域中没有电子流动，该部分形成了一个绝缘层。
漏极和源极之间没有电流流动。
3. 输入电压变化：当正电压施加在栅极上时，栅极与衬底之间形成电场。
这个电场会吸引P型沟道区域中的自由电子，形成一个导电通路。
4. 导通状态：当栅极电压足够高时，P型沟道区完全被电子填充，形成连续的导电路径。
此时漏极和源极之间就形成了导流通路。
5. 关断状态：当栅极电压降低，电子不再被吸引到P型沟道区域，导电通路断开，MOS管进入关断状态。
2n型MOS管的工作原理与1n型MOS管非常相似，只是掺杂类型不同。
通过改变栅极电压，可以控制MOS管的导通与关断状态，实现信号放大、开关控制等应用。
mosfet的主要参数
mosfet的主要参数MOSFET的主要参数MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种常用的功率开关器件，广泛应用于电子设备中。
在选择和使用MOSFET时，了解其主要参数是非常重要的。
本文将介绍MOSFET的主要参数，并解释其在电路设计中的作用。
1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指MOSFET在控制端（Gate）和源极（Source）之间的电压，当该电压超过阈值电压时，MOSFET将开始导通。
阈值电压是决定MOSFET导通和截止的重要参数，对于控制MOSFET的开关特性非常关键。
2. 最大漏极电流（Idmax）：最大漏极电流是指MOSFET在导通状态下能够承受的最大漏极电流。
超过这个电流，MOSFET可能会受损或过载。
根据所需的电流要求，选择具有足够大的最大漏极电流的MOSFET是非常重要的。
3. 最大漏极-源极电压（Vdsmax）：最大漏极-源极电压是指MOSFET可以承受的最大漏极-源极电压。
超过这个电压，MOSFET可能会被击穿而损坏。
在选择MOSFET 时，应考虑所需的工作电压范围，并选择具有足够高的最大漏极-源极电压的器件。
4. 开启电阻（Rds(on)）：开启电阻是指MOSFET在导通状态下的电阻值。
它是决定MOSFET导通时功耗和效率的重要参数。
开启电阻越小，MOSFET 导通时的功耗就越低，效率就越高。
因此，在功率开关电路中，选择具有较小开启电阻的MOSFET可以提高系统的效率。
5. 共源极电容（Coss）：共源极电容是指MOSFET的源极与栅极之间的电容。
它是影响MOSFET开关速度和开关损耗的重要参数。
较大的共源极电容会导致更长的开关时间和更高的开关损耗。
因此，在高频应用中，选择具有较小共源极电容的MOSFET可以提高系统的性能。
6. 输出电容（Cout）：输出电容是指MOSFET的漏极与源极之间的电容。
它是影响MOSFET开关速度和开关损耗的另一个重要参数。
较大的输出电容会导致更长的开关时间和更高的开关损耗。
RUE002N02TL;中文规格书,Datasheet资料
10000 VGS= 4.0V Pulsed
1000
Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta= -25°C
10000 VGS= 2.5V Pulsed
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Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta= -25°C
100
0.001
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1
DRAIN-CURRENT : ID[A]
STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(on)[mΩ]
STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(on)[mΩ]
10000 Ta= 25°C Pulsed
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VGS= 1.2V VGS= 1.5V VGS= 1.8V VGS= 2.5V VGS= 4.0V
100
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0.01
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DRAIN-CURRENT : ID[A]
Fig.6 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current(Ⅱ)
STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(on)[mΩ]
Input capacitance
Ciss
−
Output capacitance
Coss
−
Reverse transfer capacitance Turn-on delay time Rise time
Crss
−
td(on) ∗
−
tr ∗ −
Turn-off delay time Fall time
MOSFET基本认识及分类
MOSFET基本认识及分类来源:电源谷作者:BlashMOSFET 是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。
它是由金属、氧化物(SiO2或SiN) 及半导体三种材料制成的器件。
按沟道半导体材料的不同，MOSFET 分为N 沟道和P 沟道两种。
按导电方式来划分，又可分成耗尽型与增强型。
耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层中有大量的带电离子。
以P 型耗尽型MOSFET 为例，SiO2绝缘层中有大量的正离子，使在P 型衬底的界面上感应出较多的负电荷，即在两个N 型区中间的P 型硅内形成N 型导电沟道，所以在VGS ＝0 时，有VDS 作用时也有一定的ID(IDSS) ；当VGS 有电压时( 可以是正电压或负电压) ，改变感应的负电荷数量，从而改变ID 的大小。
VP 为ID ＝0 时的VGS ，称为夹断电压。
MOSFET 的种类与其导通特性如图1 所示：图1 MOSFET 分类及导通特性(a) N 沟道耗尽型(b) P 沟道耗尽型(c) N 沟道增强型(d) P 沟道增强型功率MOSFET(Power MOSFET) 是指它能输出较大的工作电流( 几安到几十安) ，用于功率输出级的器件。
直到VMOSFET 工艺出现之后，才能制造出输出功率足够大的场效应管。
VMOS 场效应管（VMOSFET ）简称VMOS 管或功率场效应管，其全称为V 型槽MOS 场效应管。
它是继MOSFET 之后新发展起来的高效、功率开关器件。
它不仅继承了MOS 场效应管输入阻抗高（≥ Ω ）、驱动电流小（0.1 μ A 左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V ）、工作电流大（1.5A ～100A ）、跨导线性好、开关速度快等优良特性。
因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
常用N沟道mos管参数
常用N沟道mos管参数N沟道MOS管是一种常用的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它具有许多优良的特性，广泛应用于电子设备和电路中。
以下是一些常用的N沟道MOS管参数的介绍。
1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指当栅极电压超过一定值时，MOS管开始导通的电压。
对于N沟道MOS管，阈值电压通常为负值，一般在-1V至-5V之间。
2. 最大漏电流（Idss）：最大漏电流是指当栅极电压为零时，N沟道MOS管漏极电流的最大值。
它表示了当MOS管处于关闭状态时的最大漏电流水平，一般为几微安到几毫安。
3. 饱和漏源电压（VDSsat）：饱和漏源电压是指当MOS管处于饱和区时，漏源间的电压。
在饱和区，MOS管的漏源电压会接近其最小可能值，一般为几十毫伏到几百毫伏。
4. 上升沟道电阻（Rdson）：上升沟道电阻是指在N沟道MOS管处于饱和区时，漏源之间的电阻。
它表示了MOS管饱和状态下导通时的电阻水平，一般为几十毫欧到几百毫欧。
5. 峰值漏源电流（Idp）：峰值漏源电流是指在N沟道MOS管导通时，漏极电流的最大值。
它表示了MOS管能够承受的最大电流水平，一般为几安到几十安。
6. 开启时间（ton）和关闭时间（toff）：开启时间是指MOS管从关断状态到完全导通所需的时间，关闭时间是指MOS管从导通状态到完全关断所需的时间。
它们是描述MOS管开关速度的重要参数，一般为几十纳秒到几百纳秒。
7. 电源电压（Vdd）：电源电压是指N沟道MOS管工作时的电源供应电压。
它决定了MOS管工作的电压范围，一般为几伏到几十伏。
8. 输入电容（Ciss）：输入电容是指N沟道MOS管的输入端（栅极）与输出端（漏极）之间的电容。
它影响着MOS管的输入和输出特性，一般为几皮法到几十皮法。
9. 漏源电容（Coss）：漏源电容是指N沟道MOS管的漏极与源极之间的电容。
它影响着MOS管的开关速度和功耗，一般为几皮法到几十皮法。
10.载流能力：载流能力是指N沟道MOS管能够承受的最大电流负载。
nce80h15场效应管参数
一、场效应管的基本概念场效应管是一种半导体器件，是一种控制电流流动的主要方式是通过电压而非电流的管子。
场效应管是由MOSFET和JFET两种类型：JFET的控制电压是电压，MOSFET管的控制电压是电压。
两种类型的管子调制是通过搭电场来完成的。
场效应管的参数包括了大量的参数：共性参数和特异参数。
本文着重介绍场效应管的参数分类及其详细参数。
二、场效应管的参数分类1. 共性参数共性参数是指所有场效应管都具有的参数，选择共性参数对于不同类型的场效应管是基本参数。
2. 特异参数特异参数是指只有特定型号的场效应管才有的参数，常常用于区分不同型号的管子。
三、场效应管参数的详细介绍1. 共性参数1.1 动态参数动态参数是指管子在工作时随着工作状态的变化而变化的参数。
包括晶体电流、传导电阻等。
1.2 静态参数静态参数是指管子固有的参数，如最大漏极电流，最大漏极电压等。
1.3 输入参数输入参数是指作为输入的电压电流等参数。
包括场效应管的栅压、源极电流等。
1.4 输出参数输出参数是指作为输出的电压电流等参数。
包括场效应管的漏极电流、漏极电压等。
2. 特异参数2.1 硅树脂硅树脂是指在场效应管封装中的一种材质。
2.2 电流增益电流增益是指管子的输出电流与输入电流的倍数关系。
2.3 工作温度范围工作温度范围是指管子能够正常工作的温度范围。
2.4 耐压耐压是指管子能够承受的最大电压。
四、场效应管参数的应用场效应管是现代电子设备中广泛应用的元器件之一，参数的正确选择和使用对电子产品性能和稳定性有重要影响。
在选择场效应管时，需要根据实际应用环境和要求选择合适的管子参数，在设计和生产过程中严格控制参数的精度和稳定性。
五、总结场效应管是一种重要的半导体器件，其参数的正确选择和使用对于电子产品的稳定性和性能具有重要意义。
本文介绍了场效应管参数的分类和详细参数，并对其应用进行了简要介绍，希望对场效应管的选择和应用有所帮助。
六、参考文献[1] 《电子元器件手册》，人民邮电出版社，2008[2] 《场效应管工作原理与应用》，电子技术应用，2010[3] 《场效应管参数的选择方法》，半导体技术，2009以上是本文对场效应管参数的一些简要介绍。
双mos管正激隔离驱动电路
双mos管正激隔离驱动电路双MOS管正激隔离驱动电路是一种常用的隔离型电源拓扑，它采用两个MOSFET作为开关器件，通常用于高效率、高功率密度的应用中。
这种电路的工作原理是通过第一个MOSFET（称为高侧MOSFET）来控制输入电压与输出电压之间的隔离，而第二个MOSFET（称为低侧MOSFET）则用来控制负载的供电。
以下是一个基本的双MOS管正激隔离驱动电路的原理描述：1. 输入侧（高侧）：输入电压通过一个整流器（如二极管）后，为高侧MOSFET提供驱动电压。
高侧MOSFET的栅极由一个驱动电路控制，该驱动电路可以产生足够快的开关信号，以控制MOSFET的导通和截止。
2. 隔离变压器：隔离变压器的高压侧连接到高侧MOSFET的源极，低压侧则连接到低侧MOSFET的栅极。
变压器的作用是实现输入与输出之间的电气隔离，同时提升或降低输出电压，以适应不同的负载需求。
3. 输出侧（低侧）：低侧MOSFET的源极连接到负载，而栅极则由隔离变压器的次级绕组提供驱动信号。
当高侧MOSFET导通时，隔离变压器的初级绕组与次级绕组之间的磁链增加，从而在次级绕组中产生电动势，驱动低侧MOSFET导通，为负载供电。
当高侧MOSFET截止时，低侧MOSFET也会随之截止，切断负载的供电。
4. 驱动电路：驱动电路通常包括脉冲宽度调制（PWM）控制器，它根据负载需求生成高侧和低侧MOSFET的开关信号。
驱动电路需要提供足够的电流来快速充放电MOSFET的栅极电容，以确保开关动作的快速完成。
5. 钳位电路：为保护MOSFET不受到输入电压或负载电压的过高影响，通常会设计钳位电路，以限制MOSFET的源漏电压。
这种电路的优点包括高效率、低电磁干扰（EMI）、良好的隔离性能等。
然而，设计时需要注意的问题包括MOSFET的选择、驱动电路的设计、变压器的设计、开关频率的选择、EMI的抑制等。
为了确保电路的稳定性和可靠性，还需要考虑电路的温升控制、过流保护、过压保护等保护措施。
MOSFET的参数讲解
MOSFET的参数讲解MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的电子器件，它在数字电路和模拟电路中起着重要的作用。
MOSFET的参数对于理解和设计MOSFET的工作特性至关重要。
以下是对一些重要的MOSFET参数进行详细解释。
1. 接钮电压（Gate-to-Source Voltage，VGS）：MOSFET的工作是通过调节栅极-源极电压来控制沟道中的导电性。
VGS是栅极电压与源极电压之差，它决定了沟道区的导电性和MOSFET的工作状态。
2. 断开电压（Threshold Voltage，VTH）：VTH是指当VGS超过一定阈值电压时，MOSFET开始从关闭状态向导通状态过渡。
VTH的大小取决于MOSFET的制造工艺和结构。
3. 上升电流（On-State Current，ION）：ION是指在MOSFET处于导通状态时通过沟道的电流。
ION取决于VGS和VTH的值以及MOSFET的电阻。
4. 截止电流（Off-State Current，IOFF）：IOFF是指在MOSFET处于关闭状态时通过沟道的极小电流。
IOFF的大小决定了MOSFET的关闭能力和能耗。
5. 漏电流（Leakage Current，ILeak）：ILeak是指通过沟道到源极或漏极的泄漏电流。
漏电流是由于非理想的绝缘层和材料造成的，它会导致功耗和性能下降。
6. 电导系数（Transconductance，gm）：gm是指MOSFET的输入电压与输出电流之间的关系。
它描述了MOSFET在导通状态时的增益特性。
7. 过度调制系数（Overdrive Voltage，Vov）：Vov是指MOSFET栅极电压与VTH之间的差值。
Vov用于描述MOSFET工作在饱和区的程度，过度调制系数越大，MOSFET的导通能力越强。
8. 输出电阻（Output Resistance，ROut）：ROut是指MOSFET的输出端的电阻。
罗姆DCDC降压芯片
Soft Start Time
Tsoft
7
10
13
ms
【Current Sense Amp】
VC to switch current transconductance
GCS
5
10
20
A/V
【Output】
Lx NMOS ON resistance
RonH
－
200
340
mΩ
Lx pre-charge NMOS ON resistance
200
400
600
ns
◎ Not designed to withstand radiation.
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.07 - Rev.B
BD9673EFJ
●Pin Description
8
VC
SYNC
VCC
BST
200mΩ
LX
10Ω
GND
VOUT
Fig.2 Block Diagram
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.07 - Rev.B
BD9673EFJ
Technical Note
●Block Description
Output 1.5A and below High Efficiency Rate Step-down Switching Regulator Power MOSFET Internal Type BD9673EFJ mainly used as secondary side Power supply, for example from fixed Power supply of 12V, 24V etc, Step-down Output of 1.2V/1.8V/3.3V/5V, etc, can be produced. This IC has external Coil/Capacitor down-sizing through 300 kHz Frequency operation, inside Nch-FET SW for 45V “withstand-pressure” commutation and also, high speed load response through Current Mode Control is a simple external setting phase compensation system, through a wide range external constant, a compact Power supply can be produced easily.
2SK3541T2L中文资料
Transistor Rev.B 1/32.5V Drive Nch MOS FET2SK3541z StructureSilicon N-channel MOSFETz ApplicationsInterfacing, switching (30V , 100mA)z Features1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed.3) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for portable equipment.4) Drive circuits can be simple. 5) Parallel use is easy . z External dimensions (Unit : mm)z Packaging specificationsT2L 80002SK3541TypePackageCodeBasic ordering unit (pieces)Tapingz Absolute maximum ratings (T a=25°C)ParameterDrain-source voltage Gate-source voltage Drain currentTotal power dissipation Channel temperature Storage temperatureV DSS V GSS P D ∗2Tch 30V V mA mW °C ±20±100I D I DP ∗1Continuous PulsedmA ±400150150Tstg°C−55 to +150Symbol Limits Unit ∗1 Pw ≤10µs, Duty cycle ≤1%∗2 With each pin mounted on the recommended lands.z Equivalent circuit∗A pr otection diode is included between the gateand the source terminals to protect the diodeagainst static electricity when the product is in e a protection circuit when the fixed voltages are exceeded.Transistor Rev.B 2/3z Electrical characteristics (T a=25°C)z Electrical characteristic curvesD R AI N C U R R E N T : I D (A )DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS (V)Fig.1 Typical output characteristicsD R A I N C U R RE N T : I D (A )GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)Fig.2 Typical transfer characteristicsG A T E T H R E S H O L D V O L T A G E : V G S (t h ) (V )CHANNEL TEMPERATURE : Tch (°C)Fig.3 Gate threshold voltage vs.channel temperatureS T A T I C D R A I N -S O U R C E O N -S T A T E R E S I S T A N C E : R D S (o n ) (Ω)DRAIN CURRENT : I D (A)Fig.4 Static drain-source on-stateresistance vs. drain current (Ι)S T A T I C D R A I N -S O U R C E O N -S T A T E R E S I S T A N C E : R D S (o n ) (Ω)DRAIN CURRENT : I D (A)Fig.5 Static drain-source on-stateresistance vs. drain current (ΙΙ)GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)S T A T I C D R A I N -S O U R C E O N -S T A T E R E S I S T A N C E : R D S (o n ) (Ω)Fig.6 Static drain-sourceon-state resistance vs. gate-source voltageTransistor Rev.B 3/3CHANNEL TEMPERATURE : Tch (°C)S T A T I C D R A I N -S O U R C E O N -S T A T E R E S I S T A N C E : R D S (o n ) (Ω)Fig.7 Static drain-source on-stateresistance vs. channel temperatureF O R W A R D T R A N S F E R A D M I T T A N C E : |Y f s | (S )DRAIN CURRENT : I D (A)Fig.8 Forward transferadmittance vs. drain currentR E V E R S E D R A I N C U R R E N T : I D R (A )SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)Fig.9 Reverse drain current vs.source-drain voltage (Ι)R E V E R S E D R A I N C U R R E N T : I D R (A )SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)Fig.10 Reverse drain current vs.source-drain voltage (ΙΙ)C A P A C I T A N C E : C (p F )DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS (V)Fig.11 Typical capacitance vs.drain-source voltageS W I T H I N G T I M E : t (n s )DRAIN CURRENT : I D (mA)Fig.12 Switching characteristics(See Figures 13 and 14 for the measurement circuit and resultant waveforms)z Switching characteristics measurement circuitFig.13 Switching time measurement circuit DSFig.14 Switching time waveformsAppendixAbout Export Control Order in JapanProducts described herein are the objects of controlled goods in Annex 1 (Item 16) of Export T rade ControlOrder in Japan.In case of export from Japan, please confirm if it applies to "objective" criteria or an "informed" (by MITI clause)on the basis of "catch all controls for Non-Proliferation of Weapons of Mass Destruction.Appendix1-Rev1.1。
h桥mos管沟道续流原理
h桥mos管沟道续流原理[h桥mos管沟道续流原理]引言：在电子领域中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种非常常见且重要的器件。
在许多应用中，H桥电路被广泛使用，其中MOSFET的沟道续流原理是其核心。
本文将详细介绍H桥MOSFET沟道续流原理，并逐步解释其工作过程。
第一部分：H桥电路的基本概念H桥电路是一种常见的电路配置，常用于电机驱动、电源逆变器等应用中。
它由四个开关器件（通常四个MOSFET）组成，形成一个类似字母"H"的形状。
其中，两个对角线上的MOSFET称为上桥臂，另外两个则是下桥臂。
通过适当地控制这四个MOSFET的导通与截止，可以实现对电流的双向控制，从而实现电机的正转、反转或制动等操作。
第二部分：MOSFET的基本结构和工作原理MOSFET是一种可以控制电流的器件，它由沟道和栅极组成。
栅极用于控制沟道的通断，沟道则实现电流的流动。
MOSFET的沟道分为两种类型：N沟道（N-Channel）和P沟道（P-Channel）。
N沟道MOSFET通常用于正向电流驱动，P沟道MOSFET则可用于负向电流驱动。
第三部分：H桥MOSFET沟道续流原理H桥MOSFET沟道续流是指电流在MOSFET的导通状态下，从一个桥臂流向另一个桥臂的现象。
这在电机反向转动或制动时是非常重要的。
以下将详细解释沟道续流的原理。
步骤一：正向电流驱动当控制H桥电路使得上桥臂MOSFET导通，而下桥臂MOSFET截止时，向电机供电的是正向电流。
在这种情况下，上桥臂MOSFET的沟道中的电流开始流动，同时下桥臂MOSFET的沟道中没有电流流动。
电机将按照设定的方向正向转动。
步骤二：反向电流驱动当控制H桥电路使得下桥臂MOSFET导通，而上桥臂MOSFET截止时，向电机供电的是反向电流。
这时，电流会沿着下桥臂MOSFET的沟道流动，同时上桥臂MOSFET的沟道中没有电流流动。
电机将按照设定的方向反向转动。
MOSFET参数
MOSFET参数MOSFET，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种三端不同的半导体器件。
根据不同的工作原理，MOSFET可以分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET。
MOSFET参数决定了其电性能和适用场景。
在下面的文章中，我将详细介绍一些常见的MOSFET参数。
1.漏极源极电压（VDS）：漏极源极电压是MOSFET最大允许电压差。
如果超过这个电压，器件可能会损坏。
因此，选择适当的VDS值非常重要。
2.阈值电压（VTH）：阈值电压是指当输入门极电压达到一定值时，MOSFET开始导通的电压。
在增强型MOSFET中，VTH通常是正值，而在耗尽型MOSFET中，VTH通常是负值。
3.饱和区电流（ID）：饱和区电流是MOSFET在VDS达到一定值后的最大漏极电流。
ID的大小与源极漏极电压和栅极电压有关。
4.漏极电流（IDSS）：漏极电流是在栅极电压为零时，漏极源极电压为最高值时MOSFET的漏极电流。
5. 漏截止电流（IDoff）：漏截止电流是当栅极电压为零时，MOSFET的漏极电流。
这个参数决定了MOSFET的功耗和静态工作点。
6.转导电导（GM）：转导电导是MOSFET的电流对栅极电压的变化率。
它反映了MOSFET的放大能力。
7.输出电导（GDS）：输出电导是MOSFET的漏极电流对漏极源极电压的变化率。
它是MOSFET的输出阻抗的倒数。
8. 输入电容（Ciss）：输入电容是测量MOSFET栅极和源极之间的电容。
它是MOSFET的输入阻抗的一部分。
9. 漏极电容（Coss）：漏极电容是测量MOSFET漏极和源极之间的电容。
它是MOSFET的输出电容和驱动能力的一部分。
10. 栅极电容（Coss）：栅极电容是测量MOSFET栅极和源极之间的电容。
它是MOSFET的输入电容的一部分。
这些参数是评估和选择适当的MOSFET时非常重要的考虑因素。
它们决定了MOSFET的电性能、功耗和可靠性。
在实际应用中，选择合适的MOSFET参数能够实现最佳性能和效果，并满足设计要求。
MOSFET参数及其测试方法
MOSFET参数及其测试方法MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种常用的电子器件，广泛应用于数字电路、模拟电路和功率电子等领域。
测试MOSFET的参数对于设计和制造电子设备至关重要。
本文将介绍MOSFET的常见参数以及测试方法。
1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指在MOSFET的控制端（Gate）与源极（Source）之间的电压达到一定值时，MOSFET开始导通。
测试阈值电压的方法是将源极和漏极间施加常数电流，然后逐渐增加Gate与源极间的电压，直到MOSFET开始导通。
通过测量此时的电压值，即为阈值电压。
2. 最大漏极电流（Idmax）：最大漏极电流是指在给定的Gate电压下，MOSFET可以承受的最大漏极电流。
测试最大漏极电流的方法是将Gate电压设为最大限制值，然后逐渐增加漏极电流，直到MOSFET无法继续工作或达到特定的温度上限。
通过测量此时的漏极电流值，即为最大漏极电流。
3.开关时间（tON和tOFF）：开关时间是指MOSFET从导通到截止或从截止到导通的时间。
测试开关时间的方法是将MOSFET的Gate电压逐渐改变，然后测量相应的漏极电流和电压响应。
开关时间通常由不同的测量参数定义，例如开关上升时间（tONrise）和开关下降时间（tONfall）等。
4. 漏极电阻（Rdson）：漏极电阻是指MOSFET在导通状态下的漏极与源极间的电阻。
由于MOSFET的导通状态表现为一个电阻，该电阻值会对功率损耗、功率放大和效率等因素产生影响。
测试漏极电阻的方法是将MOSFET导通，然后测量漏极电压和漏极电流，通过计算得到漏极电阻。
5. 线性增益（gm）：线性增益是指MOSFET在工作于线性区域时，Gate电压变化与漏极电流变化之间的比值。
测试线性增益的方法是在线性区域内，逐渐改变Gate电压，并测量相应的漏极电流变化。
通过计算Gate电压变化与漏极电流变化的比值，即可得到线性增益。
MOSFET参数理解及测试项目方法
MOSFET参数理解及测试项目方法MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种常见的半导体器件，具有高速、低功耗和较大功率承受能力等特点，被广泛应用于各种电子设备中。
在理解MOSFET参数和测试方法之前，首先需要了解MOSFET的基本结构和工作原理。
MOSFET由源、栅和漏三个电极组成，其中栅电极上覆盖有一层绝缘层。
当在栅电极上施加正电压时，形成的电场会控制漏电极与源电极之间的电流流动。
根据不同的工作状态，MOSFET可以分为三种类型：增强型、耗尽型和开关型。
增强型MOSFET在无外加电压时处于关断状态，仅当栅电极施加正电压时才能导通电流。
耗尽型MOSFET相反，在无外加电压时处于导通状态，需要施加负电压才能阻断电流。
开关型MOSFET则具有开启和关闭两个工作状态，可以控制电流的开关。
了解了MOSFET的基本结构和工作原理后，我们可以开始讨论常见的MOSFET参数。
1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指栅电极施加的电压，使得MOSFET开始导通的临界值。
当栅电极电压低于阈值电压时，MOSFET处于关断状态；当栅电极电压高于阈值电压时，MOSFET开始导通。
2. 饱和电流（Idsat）：饱和电流是指在MOSFET导通状态下，漏电极和源电极之间的电流。
饱和电流与栅电极电压和漏电极电压有关，通常用来评估MOSFET的导通能力。
3. 转导电导（gm）：转导电导是指在MOSFET导通状态下，单位栅电极电压变化时输出电流的变化量。
转导电导描述了MOSFET的放大能力，越大表示其放大效果越好。
4. 输出电容（Coss）：输出电容是指在MOSFET导通状态下，当栅电极电压变化时，漏电极和源电极之间的电容。
输出电容与MOSFET的导通速度和稳定性有关。
了解了MOSFET的参数后，我们可以通过下面的测试项目方法来测试和评估MOSFET的性能。
1.阈值电压测试：将MOSFET放入测试电路中，通过改变栅电极电压，观察MOSFET的导通情况，找到MOSFET开始导通的栅电极电压，即为阈值电压。
mosfet中源极n+的作用
概述MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是现代电子器件中十分重要的一种器件，它可以根据输入的控制电压来调节输出电流，被广泛应用于数字集成电路、模拟集成电路和功率驱动电路等领域。
而MOSFET中的源极n+区域在器件工作中起着重要的作用。
本文将从结构、作用和影响三个方面来系统地探讨MOSFET中源极n+的作用。
一、MOSFET结构MOSFET是一种三端器件，由栅极、漏极和源极三个电极构成。
其中，源极n+区域位于晶体管的输出端，是电荷注入和漏极区域形成电场的重要区域。
源极n+区域通常是由高浓度的掺杂硼或砷等杂质形成的。
二、源极n+的作用1. 注入电子和空穴：当栅极施加正向偏压时，源极n+区域将注入大量的电子，形成电子浓缩区，同时在源极n+区域周围形成P-N结，使得空穴浓缩区。
2. 降低源极电阻：源极n+区域的高掺杂浓度可以降低源极电阻，减小电流传输的阻力，从而提高晶体管的导电特性和响应速度。
3. 电场均匀性：源极n+区域的存在可以使得电场在漏极和源极之间更加均匀，避免局部电场过高而导致击穿和器件损坏。
4. 保护栅极：在MOSFET的工作过程中，源极n+区域可以通过吸收来自峰值的电荷，保护栅极和沟道免受过大电压的影响，保证器件的稳定工作。
三、源极n+的影响1. 导通能力：源极n+区域的掺杂浓度和结构对MOSFET的导通能力有着直接的影响，高掺杂浓度和均匀的结构可以提高MOSFET的导通能力。
2. 漏电流：源极n+区域的结构不良或掺杂不均匀会导致漏电流的增加，降低MOSFET的性能和稳定性。
3. 温度特性：源极n+区域的温度特性对于MOSFET的稳定性和可靠性有着重要的影响，良好的温度稳定性可以保证器件在不同工作环境中的稳定性。
结论MOSFET中源极n+区域是整个器件中十分重要的区域，它对器件的导通能力、稳定性和可靠性有着直接的影响。
在MOSFET的设计和制造过程中，应该重视源极n+区域的结构和掺杂浓度的控制，以提高器件的性能和可靠性。
mos管体二极管压降和gs压差关系
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2SK3092
N-Channel Silicon MOSFET
2SK3092
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features
• •
Package Dimensions
unit : mm 2083B
[2SK3092]
unit : mm 2092B
[2SK3092]
6.5 5.0 4 2.3
1.5
0.5
5.5
7.0
0.85
0.5
1 0.6
0.8
2
3
2.5
1.2
1.2 0 to 0.2
1 : Gate 2 : Drain 3 : Source 4 : Drain SANYO : TP-FA
2.3
2.3
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using any SANYO products described or contained herein in such applications. SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained herein.
150
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
7
IT01969 10
Case Temperature Tc -- °C
IT01970
VGS(off) -- Tc
Forward Transfer Admittance, |yfs| -- S
VDS=10V ID=1mA
yfs -- ID
7 5 3 2
VDS=10V
6
Cutoff Voltage, VGS(off) -- V
5
4
1.0 7 5 3 2
Tc=
3
°C --25 C 75°
C 25°
2
1 0 --50
0
50
100
150 IT01971
Case Temperature, Tc -- °C
100 7 5 3 2 10 7 5 3 2 1.0 7 5 3 2 0.1 7 5 3 2 0.01 7 5 3 2 0.001 0 0.2
Marking : K3092
Switching Time Test Circuit
PW=1µs D.C.≤0.5% VGS=15V VDD=200V ID=1.5A RL=133Ω
D G
VOUT
P.G
RGS 50Ω
2SK3092
S
7
ID -- VDS
15V
10V
6
ID -- VGS
VDS=10V
°C Tc= --25
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
N3000 TS IM TA-3081 No.6788-1/4
2SK3092
100 7 5 3 2
Forward Bias A S O
Allowable Power Dissipation, PD -- W
1.4
PD -- Ta
IDP=12A ID=3A
<10µs
10 0µ s
1.2
Drain Current, ID -- A
10 7 5 3 2 1.0 7 5 3 2 0.1 7 5 3 2
Case Temperature, Tc -- °C
IT01978
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