2SK1917-MR中文资料
固定翼无人机
固定翼无人机系统介绍一、系统组成黑鹰、黄蜂系列固定翼无人机系统由台湾碳基公司研制，因其优良的性能、模块化集成，目前已经广泛应用在测绘、地质、石油、农林等行业，具有广阔的市场应用前景。
黑鹰、黄蜂系列固定翼无人机系统由五个主要部分组成：机体结构、航电系统、动力系统、起降系统和地面控制站。
机体结构由可拆卸的模块化机体组成，既方便携带，又可以在短时间内完成组装、起飞。
航电系统由飞控电脑、感应器、酬载、无线通讯、空电电池组成，完成飞机控制系统的需要。
动力系统由动力电池、螺旋桨、无刷马达组成，提供飞机飞行所需的动力。
起降系统由弹射绳、弹射架、降落伞组成，帮助飞机完成弹射起飞和伞降着陆。
地面控制站包括地面站电脑、手柄、电台等通讯设备，用以辅助完成路线规划任务和飞行过程的监控。
黑鹰黄蜂黑鹰系统结构图：黄蜂系统结构图：地面站系统：弹射、降落系统：二、系统技术参数黑鹰技术参数黄蜂技术参数三、系统特性1、机体模块化-方便拆卸，便于携带-组装简单，快速任务2、简易、安全的起降系统—弹射起飞（人工或弹射架弹射）—降落伞降落3、完整的飞前检核系统—步步检核，系统自动通过—避免人为的错误操作4、全自动驾驶—可按照多种模式自动执行飞行拍摄任务—可配合人工操控，规避风险，提高环境适应能力5、工业级设计—采用高强度材料，机身抗磨损—防风、防雨、防雪设计，适应目前民用无人机领域所能承受的最苛刻的环境6、良好的空地通讯能力—实时的数据上链、下链通讯—可选配全向型或指向型天线，可执行超远距离飞行作业7、自由航线规划—可进行区域飞行—可延条带状线路飞行四、固定翼无人机应用1）灾害监测我国很多地区都处于地质灾害多发的地带，空难、海难、城市灾害等救援和灾情监测对时间的要求都十分紧迫，无人机系统作为快速的响应手段，可以用于各种地质灾害的监测，如山体滑坡、洪涝灾害、堰塞湖监测、泥石流灾害，可以完成灾区受灾面积计算、山体崩塌的土石方量计算、灾区损毁房屋位置的定位和灾区三维可视化及分析。
2SK1937-01中文资料
2SK1937-01
FAP-IIA Series
> Features
- High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = ± 30V Guarantee - Avalanche Proof
↑
7
↑
8
↑↑
9
VGS [V] IF [A]
VDS [V]
C [nF]
→ VDS [V]
Allowable Power Dissipation vs. TC
↑
பைடு நூலகம்10
↑
→ Qg [nC]
Safe operation area
↑
12
Zth(ch-c) [K/W]
→ VSD [V]
Transient Thermal impedance
tf
RGS=10 Ω
Avalanche Capability
I AV
L = 100µH Tch=25°C
Continous Reverse Drain Current
I DR
Pulsed Reverse Drain Current
I DRM
Diode Forward On-Voltage
V SD
IF=2xIDR VGS=0V Tch=25°C
> Applications
- Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier
2SK1522中文资料(renesas)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
7.如果这些产品或技术受日本出口管理限制,必须是 日本政府根据许可证出口,不能导入比批准目地以外国家.
禁止任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或目地国家相关规定.
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品进一步详情 其中所载.
芯片中文手册,看全文,戳
V GS = ±25 V, V DS = 0 V DS = 360 V, V GS = 0 V DS = 400 V, V GS = 0 ID =1毫安,V DS = 10 V ID = 25 A, V GS = 10 V * 1
ID = 25 A, V DS = 10 V * 1 VDS = 10 V, V GS = 0, F = 1兆赫
芯片中文手册,看全文,戳
2SK1521, 2SK1522
绝对最大额定值
(Ta = 25°C)
项目
漏极至源极电压
2SK1521
2SK1522
门源电压
漏极电流
漏电流峰值
身体流失二极管反向漏电流
频道耗散
通道温度
储存温度
注：1.PW
10 µs, 占空比
1%
2.价值在T C = 25°C
符号
ID = 25 A, V GS = 10 V, RL = 1.2
IF = 50 A, V GS = 0
IF = 50 A, V GS = 0, di F/ DT = 100 A /μs的
3
—
远期转移导纳
|yfs|
22
输入电容
Ciss —
输出电容
Coss —
反向传输电容
Crss —
导通延迟时间 上升时间 关断延迟时间 下降时间 身体向前漏二极管 电压
2SK1941中文资料
- Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified
Item
Symbol
Test conditions
Drain-Source Breakdown-Voltage
V (BR)DSS ID=1mA
Symbol R th(ch-a) R th(ch-c)
Test conditions channel to air channel to case
Min. Typ. Max. Unit 30 °C/W 1,25 °C/W
FUJI ELECTRIC GmbH; Lyoner Straße 26; D-60528 Frankfurt; Tel: 069-66 90 29-0; Fax: 069-66 90 29-56
VGS=±30V VDS=0V
Drain Source On-State Resistance
R DS(on)
ID=8A
VGS=10V
Forward Transconductance
g fs
ID=8A
VDS=25V
Input Capacitance
C iss
VDS=25V
Output Capacitance
C oss
VGS=0V
Reverse Transfer Capacitance
C rss
f=1MHz
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)
t d(on)
VCC=300V
tr
ID=8A
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)
战场扫帚 二战中大放异彩的冲锋枪
战场扫帚二战中大放异彩的冲锋枪来源：新华网综合作者：时间：2009-09-16 09:17:431915年，被称为“冲锋枪之父”的意大利人列维里设计的“维拉·佩罗萨”M1915式冲锋枪问世，这是世界上第一种可发射9毫米手枪弹的连发武器，被公认为冲锋枪的鼻祖。
而世界上第一支适于单兵使用的冲锋枪却是德国1918年问世的伯格曼MP18式9毫米冲锋枪。
美国主管轻武器研究的托利费·汤姆逊将军则首创了“冲锋枪”（Submachine Gun）这一名称。
起初，冲锋枪发展并未被人们重视，型号也不多，再加上产品存在的一些问题，使冲锋枪的使用范围受到限制。
而到二战，冲锋枪开始辉煌，除日本外的各参战国都大量装备了多种冲锋枪，并在战争中发挥了重要作用。
芬兰M1931“索米”芬兰M1931“索米”冲锋枪“索米”冲锋枪是由芬兰的莱迪在其设计的M26冲锋枪的基础上改进而成的，并用其国家的名字命名（“索米”是由芬兰语中“芬兰”一词演变而来的）。
该枪问世后名气不大，但在苏芬战争中以其性能和战术使用而名声大震，并深深“伤害”了苏军，也影响了苏军的装备建设。
大容量弹鼓，以及拉机柄在射击时固定不动的设计是“索米”最大的亮点，也影响了其它冲锋枪的设计。
优质选材和严格的加工工艺标准使“索米”的射击精度和可靠性甚高，在连发时射击非常稳定，以其优异的性能成为二战冲锋枪的佼佼者。
但也正因它复杂的加工工艺和昂贵的材料，使它不适合大量生产，在二战时期的总产量不超过8万支。
该枪采用自由枪机式自动方式，开膛待击，发射9毫米派拉贝鲁姆手枪弹，有效射程200米，理论射速900发/分，配有多种供弹具，容弹量最多的为70发弹鼓。
苏联PPSh-41“波波沙”和PPS-43苏联PPSh-41“波波沙”冲锋枪苏联著名枪械设计师斯帕金有一句名言：“将一件武器设计得很复杂是非常简单的事情，设计得很简单却是极其复杂的事情。
”他设计的“波波沙”冲锋枪正是如此。
2SK1933中文资料
2SK1933Silicon N-Channel MOS FETApplicationHigh speed power switchingFeatures• Low on-resistance• High speed switching• No secondary breakdown• Suitable for Switching regulatorOutline2SK19332Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)ItemSymbol Ratings Unit Drain to source voltage V DSS 900V Gate to source voltage V GSS ±30V Drain current I D10A Drain peak currentI D(pulse)*130A Body to drain diode reverse drain current I DR 10A Channel dissipation Pch*2150W Channel temperature Tch 150°C Storage temperatureTstg–55 to +150°CNotes 1.PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1 %2.Value at Tc = 25°C2SK19333Electrical Characteristics (Ta = 25°C)ItemSymbol Min Typ Max Unit Test conditions Drain to source breakdown voltageV (BR)DSS 900——V I D = 10 mA, V GS = 0Gate to source breakdown voltageV (BR)GSS ±30——V I G = ±100 µA, V DS = 0Gate to source leak current I GSS ——±10µA V GS = ±25 V, V DS = 0Zero gate voltage drain current I DSS——250µA V DS = 720 V, V GS = 0Gate to source cutoff voltage V GS(off) 2.0— 3.0V I D = 1 mA, V DS = 10 V Static drain to source on state resistanceR DS(on)—0.9 1.2ΩI D = 5 A V GS = 10 V*1Forward transfer admittance |y fs | 4.57—S I D = 5 A V DS = 20 V*1Input capacitance Ciss —2620—pF V DS = 10 V Output capacitanceCoss —830—pF V GS = 0Reverse transfer capacitance Crss —320—pF f = 1 MHz Turn-on delay time t d(on)—30—ns I D = 5 A Rise timet r —140—ns V GS = 10 V Turn-off delay time t d(off)—285—ns R L = 6 ΩFall timet f —170—ns Body to drain diode forward voltageV DF —0.9—V I F = 10 A, V GS = 0Body tp drain diode reverse recovery time t rr—1600—nsI F = 10 A, V GS = 0,di F / dt = 100 A / µs Note1.Pulse Test2SK193342SK193352SK193362SK193372SK19338Hitachi CodeJEDECEIAJWeight (reference value)TO-3P—Conforms5.0 gUnit: mmCautions1.Hitachi neither warrants nor grants licenses of any rights of Hitachi’s or any third party’s patent,copyright, trademark, or other intellectual property rights for information contained in this document.Hitachi bears no responsibility for problems that may arise with third party’s rights, includingintellectual property rights, in connection with use of the information contained in this document.2.Products and product specifications may be subject to change without notice. Confirm that you have received the latest product standards or specifications before final design, purchase or use.3.Hitachi makes every attempt to ensure that its products are of high quality and reliability. However,contact Hitachi’s sales office before using the product in an application that demands especially high quality and reliability or where its failure or malfunction may directly threaten human life or cause risk of bodily injury, such as aerospace, aeronautics, nuclear power, combustion control, transportation,traffic, safety equipment or medical equipment for life support.4.Design your application so that the product is used within the ranges guaranteed by Hitachi particularly for maximum rating, operating supply voltage range, heat radiation characteristics, installationconditions and other characteristics. Hitachi bears no responsibility for failure or damage when used beyond the guaranteed ranges. Even within the guaranteed ranges, consider normally foreseeable failure rates or failure modes in semiconductor devices and employ systemic measures such as fail-safes, so that the equipment incorporating Hitachi product does not cause bodily injury, fire or other consequential damage due to operation of the Hitachi product.5.This product is not designed to be radiation resistant.6.No one is permitted to reproduce or duplicate, in any form, the whole or part of this document without written approval from Hitachi.7.Contact Hitachi’s sales office for any questions regarding this document or Hitachi semiconductor products.Hitachi, Ltd.Semiconductor & Integrated Circuits.Nippon Bldg., 2-6-2, Ohte-machi, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0004, Japan Tel: Tokyo (03) 3270-2111 Fax: (03) 3270-5109Copyright ' Hitachi, Ltd., 1999. All rights reserved. Printed in Japan.Hitachi Asia Pte. Ltd.16 Collyer Quay #20-00Hitachi TowerSingapore 049318Tel: 535-2100Fax: 535-1533URLNorthAmerica : http:/Europe : /hel/ecg Asia (Singapore): .sg/grp3/sicd/index.htm Asia (Taiwan): /E/Product/SICD_Frame.htm Asia (HongKong): /eng/bo/grp3/index.htm Japan : http://www.hitachi.co.jp/Sicd/indx.htmHitachi Asia Ltd.Taipei Branch Office3F, Hung Kuo Building. No.167, Tun-Hwa North Road, Taipei (105)Tel: <886> (2) 2718-3666Fax: <886> (2) 2718-8180Hitachi Asia (Hong Kong) Ltd.Group III (Electronic Components)7/F., North Tower, World Finance Centre,Harbour City, Canton Road, Tsim Sha Tsui,Kowloon, Hong Kong Tel: <852> (2) 735 9218Fax: <852> (2) 730 0281 Telex: 40815 HITEC HXHitachi Europe Ltd.Electronic Components Group.Whitebrook ParkLower Cookham Road MaidenheadBerkshire SL6 8YA, United Kingdom Tel: <44> (1628) 585000Fax: <44> (1628) 778322Hitachi Europe GmbHElectronic components Group Dornacher Stra§e 3D-85622 Feldkirchen, Munich GermanyTel: <49> (89) 9 9180-0Fax: <49> (89) 9 29 30 00Hitachi Semiconductor (America) Inc.179 East Tasman Drive,San Jose,CA 95134 Tel: <1> (408) 433-1990Fax: <1>(408) 433-0223For further information write to:。
2SK系列场管参数
型号电压电流功率2SK1000N沟22V50mA250mW低频放场效应管2SK1001N沟22V50mA200mW低频放场效应管2SK1006N沟450V5A40W2SK1007N沟450V5A60W2SK1008N沟500V 4.5A60W2SK1009N沟450V7A80W2SK1010N沟500V6A80W2SK1011N沟450V10A100W2SK1012拆2SK1012N沟500V10A100W2SK1013N沟450V13A125W2SK1014N沟500V12A125W2SK1015N沟450V18A125W2SK1016N沟500V15A125W2SK1017N沟450V20A150W2SK1017拆N沟450V20A150W2SK1019N沟450V35A300W2SK1019拆N沟450V35A300W2SK1020N沟500V30A300W2SK1021N沟800V3A60W2SK1022N沟900V 2.5A60W2SK1023N沟800V4A60W2SK1024N沟900V 3.5A60W2SK1025N沟50V20A45W2SK1026N沟250V20A150W2SK1027N沟300V20A150W2SK1028N沟400V5A50W场效应开关管2SK1029N沟500V10A200W2SK1030AN沟900V3A50W2SK1030N沟800V3A50W2SK1031N沟50V10mA100mW低频放场效应管2SK1032AN沟900V8A120W2SK1032N沟800V8A120W2SK1033N沟60V15A45W2SK1034N沟100V15A45W2SK1035N沟150V12A45W2SK1036N沟250V10A50W2SK1037N沟250V50W场效应开关管2SK1038N沟400V5A50W2SK1039N沟400V8A50W2SK103-K2N沟20V0.02-0.040.08W场效应音频/高频放大管2SK103-L1N沟20V0.35-0.070.08W场效应音频/高频放大管2SK103-L2N沟20V0.06-0.120.08W场效应音频/高频放大管2SK103-M1N沟20V0.1-0.2mA0.08W场效应音频/高频放大管2SK103-M2N沟20V0.15-0.3m0.08W场效应音频/高频放大管2SK103-N1N沟20V0.27-0.540.08W场效应音频/高频放大管2SK103-N2N沟20V0.5-1mA0.08W场效应音频/高频放大管2SK103N沟20V10mA80mW通用型场效应管2SK1040N沟400V10A100W2SK1041N沟400V15A120W2SK1042N沟400V20A130W2SK1043N沟4V10mA200mW2SK1044N沟800V5A150W2SK1045N沟900V5A150W2SK1046N沟4V10mA200mW2SK1047N沟250V20A150W2SK1048N沟300V20A150W2SK1049N沟450V15A150W2SK104-EN沟30V0.5-1.5mA0.25W场效应音频/高频放大管2SK104-FN沟30V1-3mA0.25W场效应音频/高频放大管2SK104-HN沟30V2-6mA0.25W场效应音频/高频放大管2SK104-JN沟30V4-12mA0.25W场效应音频/高频放大管2SK104N沟30V10mA250mW低频放大场效应管2SK1050N沟500V15A150W2SK1051N沟50V40A120W2SK1052N沟450V0.5A30W2SK1053N沟450V1A40W2SK1056N沟120V7A100W2SK1057N沟140V7A100W2SK1058N沟160V7A100W2SK1059N沟60V5A20W场效应高频放大管2SK1059-ZN沟60V5A20W2SK105N沟50V10mA250mW低频放大场效应管2SK1060N沟100V5A20W2SK1060-ZN沟100V5A20W2SK1061N沟60V200mA300mW2SK1062N沟60V200mA300mW14/75ns2SK1063N沟450V15A125W2SK1064N沟500V15A125W2SK1065N沟20V10mA150mW2SK1066N沟15V10mA150mW场效应高频功率放大管2SK1067N沟16V30mA150mW2SK1068N沟40V10mA100mW通用型场效应管2SK1069N沟40V10mA150mW低频放大场效应管2SK106-AN沟50V0.5-1.5mA0.3W场效应音频(低频)管2SK106-BN沟50V1-3mA0.3W场效应音频(低频)管2SK106-CN沟50V2-6mA0.3W场效应音频(低频)管2SK106-DN沟50V4-12mA0.3W场效应音频(低频)管2SK106N沟10mA300mW低频放大场效应管2SK1070N沟22V50mA150mW低频放大场效应管2SK107-2N沟27V 2.7-5.5mA0.25W2SK1073N沟800V3A45W2SK107-3N沟27V 4.5-7.7mA0.25W2SK107-4N沟27V 6.3-9.9mA0.25W2SK107-5N沟27V8.1-12.1m0.25W2SK1078N沟60V0.8A500mW2SK1079N沟100V0.6A500mW2SK107N沟27V10mA250mW直接耦合放大/直流/甚高频场效应2SK1081N沟800V7A125W2SK1081拆N沟800V7A125W2SK1082拆N沟900V6A2SK1082N沟900V6A125W2SK1083N沟60V8A20W2SK1084N沟100V5A20W2SK1085N沟150V3A20W2SK1086N沟60V20A35W2SK1087N沟100V12A35W2SK1088N沟150V9A35W2SK1089N沟60V35A80W2SK108N沟50V10mA300mW2SK1090N沟100V20A80W2SK1091N沟150V15A80W2SK1092N沟4V150mA0.15W2SK1093N沟60V10A20W2SK1094N沟60V15A25W2SK1095N沟60V25A30W2SK1096N沟60V13A30W2SK1097N沟100V8A30W2SK1098N沟150V6A30W电机控制场效应管2SK109AN沟50V1-12mA0.3W2SK109N沟50V10mA150mW2SK1100N沟3V60mA200mW2SK1101N沟450V10A50W2SK1102N沟500V10A50W2SK1103N沟50V10mA200mW2SK1104N沟50V10mA300mW2SK1105N沟800V3A80W2SK1108N沟20V0.04-0.6m0.1W场效应前置/输入级管2SK1109N沟20V10mA80mW通用型场效应管2SK110N沟30V10mA900mW2SK1112N沟60V5A20W2SK1113N沟120V3A20W2SK1114N沟60V12A40W2SK1115N沟60V20A60W2SK1116N沟100V25A100W2SK1117拆N沟600V6A2SK1117N沟600V6A100W2SK1118拆N沟600V6A2SK1118N沟600V6A45W2SK111N沟30V10mA200mW 2SK1120N沟1000V8A150W 2SK1121N沟50V25A45W 2SK1122N沟100V40A100W 2SK1123N沟60V40A100W 2SK1124N沟60V45A125W 2SK112N沟50V10mA250mW 2SK112-ON沟50V3-9mA0.25W 2SK112-RN沟50V 1.2-3.6mA0.25W 2SK1132N沟50V0.02A0.25W 2SK1133N沟50V0.02A0.2W 2SK1134N沟50V45A80W 2SK1135N沟250V15A100W 2SK1136N沟50V10A30W 2SK1137N沟50V16A40W 2SK1138N沟150V7A30W 2SK1139N沟150V13A40W 2SK113N沟50V10mA250mW 2SK113-ON沟50V25-75mA0.25W 2SK113-RN沟50V5-30mA0.25W 2SK113-YN沟50V50-150mA0.25W 2SK1142N沟800V2A35W 2SK1143N沟900V2A35W 2SK1149N沟100V20A75W 2SK1150N沟60V40A75W 2SK1151LN沟450V 1.5A20W 2SK1151N沟450V 1.5A10W 2SK1151SN沟450V 1.5A20W 2SK1152LN沟500V 1.5A20W 2SK1152N沟500V 1.5A10W 2SK1152SN沟500V 1.5A20W 2SK1153N沟450V3A30W 2SK1154N沟500V3A30W 2SK1155N沟450V3A50W 2SK1156N沟500V3A50W 2SK1157N沟450V7A60W 2SK1158N沟500V7A60W 2SK1159N沟450V8A60W 2SK1160N沟500V8A60W 2SK1161N沟450V10A100W 2SK1162N沟500V10A100W 2SK1163N沟450V11A100W 2SK1164N沟500V11A100W 2SK1165N沟450V12A100W 2SK1166N沟500V12A100W 2SK1167N沟450V15A100W2SK1169N沟450V20A147/290ns2SK117拆N沟50V10mA2SK1170N沟500V20A120W2SK1171N沟800V4A80W2SK1172N沟900V 3.5A80W2SK1173N沟50V500mA200mW通用型场效应管2SK1177N沟500V 2.5A30W金属氧化物场效应功率放大管2SK1178N沟500V4A35W金属氧化物场效应功率放大管2SK1179N沟500V8.5A85W金属氧化物场效应功率放大管2SK117-BLN沟50V6-14mA0.3W2SK117-GRN沟50V 2.6-6.5mA0.3W2SK117N沟50V10mA300mW2SK117-ON沟50V0.6-1.4mA0.3W2SK117-YN沟50V 1.2-3mA0.3W2SK1180N沟500V10A85W金属氧化物场效应功率放大管2SK1181N沟500V13A85W金属氧化物场效应功率放大管2SK1183N沟200V3A25W金属氧化物场效应功率放大管2SK1184N沟200V5A30W金属氧化物场效应功率放大管2SK1185N沟100V5A25W金属氧化物场效应功率放大管2SK1186N沟100V9A30W金属氧化物场效应功率放大管2SK1187N沟100V12A35W金属氧化物场效应功率放大管2SK1188N沟60V10A25W金属氧化物场效应功率放大管2SK1189N沟60V15A30W金属氧化物场效应功率放大管2SK118N沟50V10mA100mW2SK118-ON沟50V0.6-1.4mA Nf=0.5dB场效应音频(低频)管2SK118-RN沟50V0.3-0.75m Nf=0.5dB场效应音频(低频)管2SK1190N沟60V22A35W金属氧化物场效应功率放大管2SK1191N沟60V30A40W金属氧化物场效应功率放大管2SK1192N沟60V40A90W金属氧化物场效应功率放大管2SK1194N沟230V0.5A6W2SK1195N沟230V15A10W2SK1196N沟5V20-70mA0.2W2SK1197N沟70V0.3A通用型场效应管2SK1198拆N沟700V2A2SK1198N沟700V2A35W2SK1199N沟900V2A70/125ns2SK119N沟30V10mA250mW直接耦合放大/直流场效应管2SK11N沟20V10mA100mW直接耦合放大/直流场效应管2SK11-ON沟20V0.3-6.5mA0.1W场效应直流/音频/斩波、2SK11-RN沟20V0.3-6.5mA0.1W场效应直流/音频/斩波、2SK11-YN沟20V0.3-6.5mA0.1W场效应直流/音频/斩波、2SK1200N沟900V3A80W2SK1201N沟900V4A80W2SK120-1N沟15V1-3mA0.2W2SK1202N沟900V5A100W2SK120-2N沟15V2-5mA0.2W2SK1204N沟900V8A100W2SK1205N沟1000V5A100W2SK1206N沟500V12A60W2SK120N沟15V10mA200mW2SK1211N沟800V 2.5A40W2SK121-1N沟30V0.9-3.3mA0.3W2SK1212N沟900V5A80W2SK121-2N沟30V 2.7-5.5mA0.3W2SK1213N沟600V6A125W2SK121-3N沟30V 4.5-9.9mA0.3W2SK1214N沟80V20A45W2SK121-4N沟30V 4.5-9.9mA0.3W2SK1215N沟20V30mA0.1W2SK121-5N沟30V8.1-14.3m0.3W2SK1216N沟10V50mA0.2W2SK121-6N沟30V8.1-14.3m0.3W2SK1217N沟900V8A100W2SK121N沟30V5mA300mW2SK1221N沟250V10A80W2SK1222N沟450V15A125W2SK1223N沟60V5A130W2SK1224N沟800V4A50W2SK1225N沟450V12A60W2SK1227N沟150V10mA100mW通用型场效应管2SK1228N沟50V50mA150mW2SK1229N沟4V60mA0.16W2SK122N沟15V30mA250mW2SK1230N沟120V10A25W2SK1231N沟450V5A30W2SK1232N沟500V5A30W2SK1233N沟6V20-90mA0.3W2SK1234N沟5V20-80mA0.27W2SK1235N沟6V20-90mA0.3W2SK1236N沟6V20-90mA0.3W2SK1237N沟5V20-80mA0.27W2SK1238N沟5V20-60mA0.27W2SK1239N沟5V20-60mA0.27W2SK123N沟20V 2.2mA200mW通用型场效应管2SK1240N沟4V10-60mA0.18W2SK1241N沟4V10-60mA0.18W2SK1242N沟4V10-60mA0.18W2SK1243N沟4V10-60mA0.18W2SK1244N沟500V3A40W2SK1245N沟500V3A25W2SK1246N沟500V5A50W2SK1247N沟500V5A30W2SK1249N沟500V15A100W2SK124N沟80V100mA0.5W2SK1250N沟500V20A100W2SK1251N沟60V5A30W2SK1252N沟120V3A10W2SK1253N沟30V30A35W2SK1254LN沟120V3A20W2SK1254N沟120V3A20W2SK1254SN沟120V3A20W2SK1255N沟60V5A30W2SK1256N沟60V10A40W2SK1257N沟60V40A45W2SK1258N沟60V50A100W2SK1259N沟60V100A150W2SK125N沟35V10mA300mW2SK1260N沟100V5A30W2SK1261N沟100V8A40W2SK1262N沟100V30A45W2SK1263N沟100V40A100W2SK1264N沟150V3A30W2SK1265N沟100V6A40W2SK1266N沟100V20A45W2SK1267N沟100V25A100W2SK1268N沟450V15A60W2SK1269N沟500V15A60W2SK1270N沟60V2A10W2SK1271N沟1400V3A150W2SK1272N沟60V0.5A0.75W2SK1273N沟60V0.5A2W2SK1274N沟60V0.5A1W2SK1275N沟900V2A30W2SK1276N沟250V20A100W2SK1277N沟250V30A150W2SK1278N沟500V10A100W2SK1279N沟500V15A125W2SK127AN沟80V0.5-12mA0.25W场效应音频(低频)管2SK127N沟50V20mA250mW低频放大场效应管2SK1280N沟500V18A150W2SK1281N沟700V2A120W2SK1282N沟60V2A20W2SK1283N沟60V2A20W2SK1284N沟100V2A20W2SK1285N沟100V2A20W2SK1286N沟60V8A35W2SK1287N沟60V8A60W2SK1288N沟100V8A35W2SK128N沟30V10mA250mW2SK1290N沟60V15A35W2SK1291N沟60V15A60W2SK1292N沟100V15A35W2SK1293N沟100V15A60W2SK1294N沟60V20A35W2SK1295N沟60V20A35W2SK1296N沟60V30A75W2SK1297N沟60V40A100W2SK1298N沟60V40A50W2SK1299LN沟100V3A20W2SK1299N沟100V3A20W2SK1299SN沟100V3A20W2SK12-GRN沟20V 2.5-5mA0.1W2SK12NN沟20V0.45-5mA0.1W2SK12N沟20V10mA100mW2SK12-ON沟20V0.8-1.6mA0.1W2SK12-PN沟20V5mA0.1W2SK12-RN沟20V0.45-0.9m0.1W2SK12-YN沟20V 1.4--2.8m0.1W2SK1300N沟100V10A40W2SK1301N沟100V15A50W2SK1302N沟100V20A50W2SK1303N沟100V30A100W2SK1304N沟100V40A100W2SK1305N沟100V10A25W2SK1306N沟100V15A30W2SK1307N沟100V20A35W2SK1308AN沟450V5A40W2SK1308N沟400V5A40W2SK130AN沟30mA250mW场效应低噪声放大管2SK130N沟30V10mA250mW低频放大场效应管2SK1311N沟60V2A 3.5W2SK1313LN沟450V5A50W2SK1313N沟450V5A50W2SK1313SN沟450V5A50W2SK1314LN沟500V5A50W2SK1314N沟500V5A50W2SK1314SN沟500V5A50W2SK1315LN沟450V8A60W2SK1315N沟450V8A60W2SK1315SN沟450V8A60W2SK1316LN沟500V8A60W2SK1316N沟500V8A60W2SK1316SN沟500V8A60W2SK1317N沟1500V 2.5A100W2SK1319N沟250V8A75W2SK1319SN沟250V8A75W2SK131N沟30V10mA250mW2SK1320N沟300V8A75W2SK1320SN沟300V8A75W2SK1321N沟450V5A75W2SK1321SN沟450V5A75W2SK1322N沟500V5A75W2SK1322SN沟500V5A75W2SK1323N沟800V2A75W2SK1323SN沟800V2A75W2SK1324N沟900V2A75W2SK1324SN沟900V2A75W2SK1325N沟6V40-120mA0.2W2SK1326N沟10V20mA通用型场效应管2SK1327LN沟600V1A20W2SK1327N沟600V1A20W2SK1327SN沟600V1A20W2SK1328N沟450V12A60W2SK1329N沟500V12A60W2SK132N沟100V7A100W低频放大场效应管2SK1330AN沟900V8A100W2SK1330N沟800V8A100W2SK1331N沟500V15A100W2SK1332N沟30V20mA150mW低频放大场效应管2SK1333N沟500V15A200W2SK1334N沟200V1A1W2SK1335LN沟200V3A20W2SK1335N沟200V3A20W2SK1335SN沟200V3A20W2SK1336N沟60V0.3A0.4W2SK1337N沟100V0.3A0.4W2SK1338N沟800V2A50W2SK1339N沟900V3A80W2SK133N沟120V7A100W低频放大场效应管2SK1340N沟900V5A100W2SK1341N沟900V7A100W2SK1342N沟900V8A100W2SK1344N沟60V12A30W2SK1345N沟60V20A40W2SK1346拆N沟60V25A2SK1346N沟60V25A40W2SK1347N沟100V20A75W2SK1348N沟100V20A40W2SK1349N沟100V20A45W2SK134HN沟140V7A100WMOS场效应音频/功率放大管2SK134N沟140V7A100W低频放大场效应管2SK1350N沟200V15A45W2SK1351N沟500V5A40W2SK1352N沟500V7A45W2SK1356N沟900V3A40W2SK1357N沟900V5A125W2SK1358N沟900V9A150W2SK1358拆N沟900V9A150W2SK1359N沟1000V5A125W2SK135N沟7A100W低频放大场效应管2SK1362N沟900V5A80W金属氧化物场效应开关管2SK1363N沟900V8A90W金属氧化物场效应开关管2SK1365N沟1000V7A90W金属氧化物场效应开关管2SK1366N沟400V2A30W金属氧化物场效应功率放大管2SK1367N沟400V3A30W金属氧化物场效应功率放大管2SK1368N沟400V5A30W金属氧化物场效应功率放大管2SK1369N沟400V10A85W金属氧化物场效应功率放大管2SK136N沟30V10mA250mW2SK1370N沟400V15A85W金属氧化物场效应功率放大管2SK1371N沟450V20A125W2SK1372N沟500V20A125W2SK1373N沟550V12A100W2SK1374N沟50V50mA0.15W2SK1375N沟20V0.14-0.5mA场效应前置/输入级管2SK1377N沟400V 5.5A40W2SK1378N沟400V10A125W2SK1379N沟60V50A150W2SK137AN沟15V40mA0.1W场效应音频(低频)管2SK137N沟15V50mA100mW低频放大场效应管2SK1380N沟60V60A200W2SK1381N沟100V60A150W2SK1382N沟100V60A200W2SK1383N沟200V3A8W2SK1384N沟800V5A80W2SK1385N沟800V9A100W2SK1386N沟450V7A100W2SK1387N沟60V35A40W2SK1388N沟30V35A60W2SK1389N沟60V50A125W2SK138N沟100mA300mW高频振荡场效应管2SK1390N沟60V50A80W2SK1391N沟250V6A40W2SK1392N沟250V6A25W2SK1393N沟250V10A50W2SK1394N沟250V10A30W2SK1395N沟250V20A100W2SK1396N沟250V30A120W2SK1398N沟50V0.1A0.25W2SK1399N沟50V0.1A0.2W2SK139N沟15V150W无线电视甚高频场效应管2SK13-GRN沟12V 2.5-5mA0.1W2SK13N沟12V10mA100mW2SK13-ON沟12V0.8-1.6mA0.1W2SK13-RN沟12V0.45-5mA0.1W2SK13-YN沟12V 1.4-2.8mA0.1W2SK1400AN沟350V7A50W2SK1400N沟300V7A50W2SK1401AN沟350V15A100W2SK1401N沟300V15A100W2SK1402AN沟650V4A50W2SK1402N沟600V4A50W2SK1403AN沟650V8A100W2SK1403N沟600V8A100W2SK1404N沟600V5A35W2SK1405N沟600V15A60W2SK1406N沟500V20A100W2SK1407N沟4V12-60mA0.2W2SK1408N沟450V16A200W2SK1409N沟450V20A250W2SK140N沟5V100mA300mW2SK1410拆N沟500V16A2SK1411N沟500V20A250W2SK1412N沟1500V0.1A20W2SK1413N沟1500V2A60W2SK1414N沟1500V6A200W2SK14153.5V12-60mA0.16W12GHz场效应微波/高频放大管2SK1416N沟60V15A40W2SK1417N沟60V25A60W2SK1418N沟60V40A70W2SK1419N沟60V15A25W2SK141AN沟30V0.5-12mA0.25W2SK141N沟30V10mA250mW直接耦合放大/直流场效应管2SK1420N沟60V25A30W2SK1421N沟60V40A40W2SK1422N沟60V50A100W2SK1423N沟60V80A150W2SK1424N沟60V40A60W2SK1425N沟60V60A80W2SK1426N沟60V100A200W2SK1427N沟100V10A40W2SK1428N沟100V20A60W2SK1429N沟100V30A70W2SK1430N沟100V10A25W2SK1432N沟100V25A40W2SK1433N沟100V30A100W2SK1434N沟100V60A150W2SK1435N沟100V30A60W2SK1436N沟100V50A80W2SK1437N沟100V70A200W2SK1438N沟450V0.3A20W2SK1439N沟450V3A50W2SK1440N沟450V5A60W2SK1441N沟450V8A70W2SK1442N沟450V12A70W2SK1443N沟450V1A20W2SK1444N沟450V3A25W2SK1445LSN沟450V5A30W金属氧化物场效应功率放大管2SK1445N沟450V5A30W2SK1446N沟450V7A35W2SK1447N沟450V9A40W2SK1448N沟450V8A100W2SK1449N沟450V12A120W2SK1450N沟450V20A150W2SK1451N沟450V8A50W2SK1452N沟450V10A60W2SK1453N沟450V16A70W2SK1454N沟450V30A250W2SK1455N沟900V0.2A30W2SK1456N沟900V3A60W2SK1457N沟900V5A70W2SK1458N沟900V0.2A20W2SK1459N沟900V 2.5A30W2SK1460LSN沟900V 3.5A40W金属氧化物超高压场效应管2SK1460N沟900V 3.5A40W2SK1461N沟900V5A120W2SK1462N沟900V8A150W2SK1463N沟900V 4.5A60W2SK1464N沟900V8A80W2SK1465N沟900V8A200W2SK1466拆2SK1466N沟900V16A250W2SK1467N沟30V2A 3.5W2SK1468N沟30V4A20W2SK1469N沟30V8A30W2SK146-BLN沟40V8-16mA 1.2W2SK146-GRN沟40V5-10mA 1.2W2SK146N沟40V10mA600mW2SK146-VN沟40V14-30mA1.2W2SK1470N沟60V2A 3.5W2SK1472N沟60V8A30W2SK1473N沟100V2A 3.5W2SK1474N沟100V4A20W2SK1475N沟100V8A30W2SK1476N沟450V12A150W2SK1477N沟500V12A150W2SK1478N沟250V8A40W2SK1479N沟25V5mA0.1W通用型场效应管2SK147-BLN沟40V8-16mA0.6W2SK147-GRN沟40V5-10mA0.6W2SK147N沟40V10mA600mW2SK147-VN沟40V14-30mA0.6W2SK1480N沟20V30mA0.2W2SK1482N沟30V0.5A0.75W2SK1483N沟30V0.5A2W2SK1484N沟100V0.5A0.75W2SK1485N沟100V0.5A2W2SK1486N沟300V32A200W2SK1487N沟450V10A125W2SK1488N沟500V10A125W2SK1489N沟1000V12A200W2SK148N沟25V10mA100mW2SK1491N沟250V13A120W2SK1492拆N沟250V18A2SK1492N沟250V18A140W2SK1493N沟450V2A50W2SK1493-ZN沟450V3A50W2SK1494N沟500V2A50W2SK1494-ZN沟500V3A50W2SK1495N沟450V4A50W2SK1495-ZN沟450V7A70W2SK1496N沟450V4A50W2SK1496-ZN沟500V7A70W2SK1497N沟450V10A130W2SK1498N沟500V10A130W2SK1499N沟450V13A160W2SK149N沟20V10mA350mW2SK1500拆2SK1500N沟500V13A160W2SK1501N沟900V2A70W2SK1501-ZN沟900V4A70W2SK1502N沟900V4A120W2SK1503N沟500V10A80W2SK1504-LSN沟500V10A80W场效应开关管2SK1505N沟30V35A40W2SK1506N沟120V50A150W电机控制场效应管2SK1507拆2SK1507N沟600V9A50W场效应开关管2SK1508N沟60V35A60W电机控制场效应管2SK1509N沟100V20A60W电机控制场效应管2SK150-BLN沟50V6-14mA0.4W2SK150-GRN沟50V 2.6-6.5mA0.4W2SK150N沟50V10mA200mW2SK150-YN沟50V1-3mA0.4W2SK1510-LSN沟900V 3.5A60W场效应开关管2SK15122SK1513N沟500V8A150W2SK1514N沟60V40A125W2SK1515N沟450V10A100W2SK1516N沟500V10A100W2SK1517N沟450V20A120W2SK1518N沟500V20A165/345ns2SK1519N沟450V30A200W2SK151N沟40V10mA800mW2SK1520N沟500V30A200W2SK1521N沟450V50A250W2SK1522N沟500V50A250W2SK1526N沟450V40A250W2SK1527N沟500V40A250W2SK1528LN沟900V4A60W2SK1528N沟900V4A60W2SK1528SN沟900V4A60W2SK1529N沟500V4A120W通用型场效应管2SK152N沟15V5mA300mW2SK1530N沟200V12A150W通用型场效应管2SK1531N沟500V15A150W2SK1532N沟50V10mA0.1W通用型场效应管2SK1534N沟900V3A50W2SK1535N沟900V3A30W通用型场效应管2SK1536N沟900V3A70W2SK1537N沟900V5A100W2SK1538N沟900V7A130W2SK1539N沟900V10A150W2SK1539拆N沟900V10A150W通用型场效应管2SK1540LN沟450V7A60W2SK1540N沟450V7A60W2SK1540SN沟450V7A60W2SK1541LN沟500V7A60W2SK1541N沟500V7A60W2SK1541SN沟500V7A60W2SK1542N沟60V45A125W2SK1544N沟500V25A200W2SK1547N沟800V4A40W场效应开关管2SK1548N沟900V 3.5A40W场效应开关管2SK1549N沟250V20A80W场效应开关管2SK154N沟20V10mA350mW2SK1552-LSN沟800V4A60W场效应开关管2SK1555N沟50V16A75W2SK1555SN沟50V16A75W2SK1556N沟100V8A30W2SK1557N沟100V8A45W2SK1558N沟100V15A40W2SK1559N沟100V16A75W2SK1559SN沟100V16A75W2SK155N沟20V30mA400mW低频放大场效应管2SK1560N沟150V7A45W2SK1561N沟150V16A75W2SK1561SN沟150V16A75W2SK1562N沟400V12A150W2SK1562SN沟400V12A150W2SK1563N沟500V12A150W2SK1563SN沟500V12A150W2SK1564N沟800V3A150W2SK1564SN沟800V3A150W2SK1565N沟900V3A150W2SK1566N沟450V7A35W2SK1567N沟500V7A35W2SK1568N沟250V8A40W2SK1569N沟300V8A40W2SK156JN沟20V0.06mA0.1W场效应电容话筒专用管2SK156KN沟20V0.15mA0.1W场效应电容话筒专用管2SK156LN沟20V0.25mA0.1W场效应电容话筒专用管2SK156MN沟20V0.4mA0.1W场效应电容话筒专用管2SK156N沟20V10mA100mW通用型场效应管2SK1570N沟450V12A90/140ns2SK1571N沟500V12A90/140ns2SK1572N沟600V3A25W2SK1573N沟600V15A125W2SK1574N沟500V8A125W2SK1575N沟180V16A通用型场效应管2SK1576N沟30V3～16mA0.15W场效应低噪声放大管2SK1577N沟30A～80mA超高频场效应管2SK1578N沟20V1mA0.1W低频放大场效应管2SK1579N沟12V2A1W2SK157N沟50V10mA150mW低频放大场效应管2SK1580N沟16V0.01A0.15W2SK1581N沟16V0.01A0.2W2SK1582N沟30V0.01A0.2W2SK1583N沟16V0.3A2W2SK1584N沟30V0.3A2W2SK1585N沟16V0.5A2W2SK1586N沟30V0.5A2W2SK1587N沟16V1A2W2SK1588N沟16V1A2W2SK1589N沟100V0.01A0.2W2SK158N沟55V10mA70mW低频放大场效应管2SK1590N沟60V0.01A0.2W2SK1591N沟100V0.01A0.2W2SK1592N沟60V0.5A0.2W2SK1593N沟100V0.5A0.2W2SK1594N沟30V10A30W2SK1595N沟30V15A35W2SK1596N沟30V20A35W2SK15-GRN沟20V 2.5-5mA0.1W2SK15MN沟30V0.8-2.8mA0.1W场效应直流/音频管2SK15N沟20V10mA100mW2SK15-ON沟20V0.8-1.6mA0.1W2SK15-PN沟20V0.45-5mA0.1W2SK15-RN沟20V0.45-0.9m0.1W2SK15-YN沟20V 1.4-2.8mA0.1W2SK1600N沟800V3A75W2SK1601N沟900V3A75W2SK1602N沟800V 2.8A40W2SK1603N沟900V 2.5A40W2SK1605N沟450V5A50W2SK1606N沟450V8A50W2SK1607N沟450V13A120W2SK1608N沟500V5A50W2SK1609N沟500V8A50W2SK160AN沟50V0.5-12mA0.15W场效应音频/前置/输入2SK160K4N沟30V 1.5mA0.15W场效应音频/前置/输入级管2SK160K5N沟30V3mA0.15W场效应音频/前置/输入级管2SK160K6N沟30V6mA0.15W场效应音频/前置/输入级管2SK160K7N沟30V12mA0.15W场效应音频/前置/输入级管2SK160N沟30V10mA150mW甚高频放大场效应管2SK1610N沟500V13A120W2SK1611-12SK1611N沟800V3A50W2SK1612N沟900V3A50W2SK1613N沟900V5A120W2SK1614N沟900V8A120W2SK1615N沟 3.5V60mA0.16W2SK1616N沟 3.5V70mA0.18W2SK1617N沟 3.5V60mA0.16W2SK1618LN沟600V3A30W2SK1618N沟600V3A30W2SK1618SN沟600V3A30W2SK161-GRN沟18V5-10mA0.2W2SK161N沟18V10mA200mW2SK161-ON沟18V1-3mA0.2W2SK161-YN沟18V 2.5-6mA0.2W2SK1620LN沟150V10A50W2SK1620N沟150V10A50W2SK1620SN沟150V10A50W2SK1621LN沟250V7A50W2SK1621N沟250V7A50W2SK1621SN沟250V7A50W2SK1622LN沟60V25A50W2SK1622N沟60V25A50W2SK1622SN沟60V25A50W2SK1623LN沟100V20A50W2SK1623N沟100V20A50W2SK1623SN沟100V20A50W2SK1624LN沟600V20A50W2SK1624N沟600V4A50W2SK1624SN沟600V20A50W2SK1625LN沟600V7A75W2SK1625N沟600V7A75W2SK1625SN沟600V7A75W2SK1626N沟450V5A35W2SK1627N沟500V5A35W2SK1628N沟450V30A200W2SK1629N沟500V30A200W2SK162N沟40V10mA400mW2SK1630N沟700V3A75W2SK1630SN沟700V3A75W2SK1631N沟700V3A35W2SK1632N沟700V5A150W2SK1632SN沟700V5A150W2SK1633N沟700V5A45W2SK1634N沟700V5A150W2SK1635N沟60V50A130W2SK1636LN沟250V15A75W2SK1636N沟250V15A75W2SK1636SN沟250V15A75W2SK1637N沟600V4A35W2SK1638N沟900V3A60W2SK1639N沟900V4A75W2SK163N沟50V10mA400mW低频放大场效应管2SK1640N沟60V20A通用型场效应管2SK1641N沟250V20A150W2SK1642N沟400V9A40W2SK1643N沟900V5A125W2SK1647LN沟900V2A50W2SK1647N沟900V2A50W2SK1647SN沟900V2A50W2SK1648LN沟60V15A40W2SK1648N沟60V15A40W2SK1648SN沟60V15A40W2SK1649N沟900V6A150W2SK1650N沟900V4A125W2SK1651N沟500V8A80W金属氧化物场效应开关管2SK1653N沟60V45A45W2SK1654N沟250V16A150W金属氧化物场效应功率放大管2SK1654-SN沟250V16A150W金属氧化物场效应功率放大管2SK1655N沟300V16AMOS场效应普通用途管2SK1655-SN沟300V16A150W金属氧化物场效应功率放大管2SK1656N沟30V0.1A0.25W2SK1657N沟30V0.1A0.2W2SK1659-LSN沟900V3A80W场效应开关管2SK165N沟15V5mA300mW通用型场效应管2SK1663-LSN沟800V3A80W场效应开关管2SK1664N沟700V1A35W2SK1665N沟60V45A125W2SK1666N沟60V45A60W2SK1667N沟250V7A通用型场效应管2SK1668N沟250V4A通用型场效应管2SK1669N沟250V30A125W2SK1670N沟250V7A70W2SK1671N沟250V7A125W2SK1673N沟250V24A200W2SK1674N沟300V24A200W2SK1675N沟250V30A250W2SK1676N沟300V30A250W2SK1677N沟450V16A200W2SK1678N沟500V16A200W2SK1679N沟450V20A250W2SK1680N沟500V20A250W2SK1682N沟30V20mA0.15W通用型场效应管2SK1687N沟 3.5V12-60mA0.2W2SK1688N沟 3.5V12-60mA0.2W2SK1689N沟5V20-70mA0.2W2SK168N沟30V10mA200mW2SK1690N沟450V3A50W金属氧化物场效应功率放大管2SK1691N沟450V5A60W金属氧化物场效应功率放大管2SK1692N沟900V7A150W2SK1697N沟60V0.5A通用型场效应管2SK1698N沟60V0.3A通用型场效应管2SK1699N沟450V5A75W2SK169N沟15V50mA400mW低频放大场效应管2SK16-AN沟20V0.5-7mA0.1W2SK16-BN沟20V0.5-7mA0.1W2SK16-CN沟20V0.5-7mA0.1W2SK16HN沟20V0.5-7mA0.1W2SK16N沟20V10mA100mW2SK1700N沟450V5A35W金属氧化物场效应功率放大管2SK1702N沟450V8AMOS场效应普通用途管2SK1703N沟500V5A75W2SK1703SN沟500V5A75W2SK1704N沟500V5A35W2SK1705N沟500V8AMOS场效应普通用途管2SK1706N沟500V8AMOS场效应普通用途管2SK1707N沟700V4A75W金属氧化物场效应功率放大管2SK1707-SN沟700V4A75W金属氧化物场效应功率放大管2SK1708N沟600V4A35W金属氧化物场效应功率放大管2SK1709N沟600V6AMOS场效应普通用途管2SK170-BLN沟40V6-12mA0.4W2SK170-GRN沟40V 2.6-6.5mA0.4W2SK170N沟40V10mA400mW2SK170-VN沟40V10-20mA0.4W2SK170-YN沟40V1-3mA0.4W2SK1710N沟600V6A增强型金属氧化物场效应晶体管2SK1711N沟60V10A25W金属氧化物场效应功率放大管2SK1712N沟60V15A30W金属氧化物场效应功率放大管2SK1713N沟60V22A35W金属氧化物场效应功率放大管2SK1714N沟60V30A40W金属氧化物场效应功率放大管2SK1715N沟60V40A90W金属氧化物场效应功率放大管2SK1716N沟60V2A20W2SK1717N沟60V2A500mW2SK1718N沟60V6A25W2SK1719N沟60V5A20W2SK171N沟20V10mA200mW2SK1720N沟60V45A100W2SK1721N沟500V3A40W2SK1722N沟500V5A60W2SK1723N沟600V12A150W2SK1724N沟30V1A 3.5W2SK1725N沟30V1A1W2SK1726N沟60V1A 3.5W2SK1727N沟60V0.8A1W2SK1728N沟100V1A 3.5W2SK1729N沟100V0.5A1W2SK1730N沟30V 1.8A1W2SK1731N沟30V3A 1.5W2SK1732N沟30V 4.5A 1.5W2SK1734N沟60V 2.5A 1.5W2SK1735N沟60V4A 1.5W2SK1736N沟100V1A1W2SK1737N沟100V 1.8A 1.5W2SK1738N沟100V3A 1.5W2SK173N沟210V10A95WMOS场效应音频/功率放大管2SK1740N沟75mA250mW高频场效应管2SK1742N沟60V10A通用型场效应管2SK1743N沟60V15A通用型场效应管2SK1744N沟60V25A通用型场效应管2SK1745N沟500V18A150W2SK1746N沟600V2A40W2SK1748N沟60V4A20W2SK1748-ZN沟60V8A1W2SK1749N沟60V25A150W场效应开关管2SK1750N沟450V 2.5A50W2SK1750-ZN沟450V5A50W2SK1751N沟500V 2.5A50W2SK1751-ZN沟500V5A50W2SK1752N沟450V5A100W2SK1753N沟500V5A100W2SK1754N沟50V10A45W2SK1756N沟450V8A120W2SK1757N沟500V8A120W2SK1758N沟600V1A30W2SK175N沟180V8A125W场效应开关管2SK1760N沟900V3A100W2SK1761N沟250V12A通用型场效应管2SK1762N沟250V12A通用型场效应管2SK1763N沟30V 2.5A通用型场效应管2SK1764N沟60V2A通用型场效应管2SK1766N沟250V10A40W不间断电源用金属氧化物场效应管2SK1767N沟600V 3.5A40W2SK1768N沟60V12A 1.3W2SK1769N沟600V2A15W2SK176HN沟200V8A125W2SK176N沟200V8A125WMOS场效应音频/开关/功率放大管2SK1770N沟1000V5A通用型场效应管2SK1771N沟12.5V30mA150mW高频放大场效应管2SK1772N沟30V1A通用型场效应管2SK1773N沟1000V4A通用型场效应管2SK1774N沟800V8A通用型场效应管2SK1775N沟900V8A通用型场效应管2SK1776N沟60V10A场效应开关管2SK1777N沟60V15A场效应开关管2SK1778N沟100V10A场效应开关管2SK1784N沟450V6A100W2SK1785N沟500V6A100W2SK1792N沟60V45A100W2SK1793N沟900V2A75W2SK1793-ZN沟900V3A75W2SK1794拆2SK1794N沟900V3A100W2SK1795N沟900V4A140W2SK1796N沟900V5A150W2SK179N沟2SK17-GRN沟20V 2.6-6.5mA0.1W2SK17N沟20V10mA100mW2SK17-ON沟20V0.6-1.4mA0.1W2SK17-RN沟20V0.3-0.75m0.1W2SK17-YN沟20V 1.2-3mA0.1W2SK1803N沟900V8A100W2SK1804N沟100V5A20W2SK1805N沟500V7A125W2SK1807N沟900V4A通用型场效应管2SK1808N沟250V12A通用型场效应管2SK1809N沟600V5A通用型场效应管2SK180N沟600V8A300W2SK1814N沟60V20A45W电机控制场效应管2SK1815N沟60V35A50W电机控制场效应管2SK1817N沟100V20A40W电机控制场效应管2SK1818N沟250V20A50W电机控制场效应管2SK1819N沟450V5A35W电机控制场效应管2SK181N沟800V5A300W2SK1820-LSN沟500V6A80W场效应开关管2SK1821N沟600V2A30W场效应开关管2SK1822N沟60V20A35W电机控制场效应管2SK1823N沟60V50A50W电机控制场效应管2SK1824N沟30V0.01A0.2W金属氧化物场效应开关管2SK1825N沟50V50mA金属氧化物场效应开关管2SK1826N沟50V20mA0.2W高速场效应管2SK1827N沟50V50mA0.1W高速场效应管2SK1828N沟20V20mA200mW高速场效应管2SK1829N沟20V50mA0.1W高速场效应管2SK182EN沟500V18A1000W2SK182N沟600V18A1000W2SK1831N沟450V10A通用型场效应管2SK1832N沟500V10A通用型场效应管2SK1833N沟500V 2.5A40W2SK1834N沟800V2A40W2SK1835N沟1500V4A通用型场效应管2SK1836N沟450V50A通用型场效应管2SK1837N沟500V50A通用型场效应管2SK1839N沟30V100mA150mW金属氧化物低频放大场效应管2SK183EN沟800V10A500W2SK183HEN沟800V10A500W2SK183HN沟1200V10A1000W2SK183N沟800V10A1000W2SK183VEN沟800V10A500W2SK183VN沟1500V10A1000W2SK1840N沟30V100mA200mW金属氧化物低频放大场效应管2SK1841N沟30V100mA200mW金属氧化物低频放大场效应管2SK1842N沟40V1mA通用型场效应管2SK1844N沟70mA12GHz通用型场效应管2SK1845N沟70mA12GHz通用型场效应管2SK1846N沟800V3A40W2SK1847N沟30V0.5A0.25W金属氧化物高压高速开关场效应管2SK1848N沟60V0.4A0.25W金属氧化物高压高速开关场效应管2SK1849N沟100V0.25A0.25W金属氧化物高压高速开关场效应管2SK184-BLN沟50V6-14mA0.2W2SK184-GRN沟50V 2.6-6.5mA0.2W2SK184N沟50V10mA200mW2SK184-ON沟50V0.6-1.4mA0.2W2SK184-YN沟50V 1.2-3mA0.2W2SK1850N沟60V5A 1.8W场效应开关管2SK1851N沟60V7.5A 1.8W场效应开关管2SK1852N沟100V5A 1.8W场效应开关管2SK1853N沟100V7.5A 1.8W场效应开关管2SK1854N沟400V6A40W金属氧化物场效应开关管2SK1855N沟500V12A125W通用型场效应管2SK1858N沟800V3A60W通用型场效应管2SK1859N沟900V6A通用型场效应管2SK185N沟30V5mA320mW高频放大场效应管2SK1862N沟450V3A通用型场效应管2SK1863N沟500V3A通用型场效应管2SK1864N沟500V8A100W金属氧化物场效应开关管2SK1865N沟500V12A100W金属氧化物场效应开关管2SK1867N沟900V2A15W2SK1868N沟60V2A15W2SK1869N沟350V7A场效应开关管2SK186-CN沟40V 1.6-12mA0.3W场效应音频(低频)管2SK186-DN沟40V 1.6-12mA0.3W场效应音频(低频)管2SK186-EN沟40V 1.6-12mA0.3W场效应音频(低频)管2SK186N沟40V10mA300mW低频放大场效应管2SK1871N沟60V15A40W金属氧化物场效应功率放大管2SK1875N沟20V10mA0.1W高频放大场效应管2SK1878N沟100V10A场效应开关管2SK187-CN沟40V 2.5-20mA0.3W场效应音频(低频)管2SK187-DN沟40V 2.5-20mA0.3W场效应音频(低频)管2SK187-EN沟40V 2.5-20mA0.3W场效应音频(低频)管2SK187-FN沟40V 2.5-20mA0.3W场效应音频(低频)管2SK187N沟10mA300mW低频放大场效应管2SK1880N沟600V 1.5A通用型场效应管2SK1881-LSN沟60V20A45W电机控制场效应管2SK1882N沟60V12A40W通用型场效应管2SK1883N沟30V18A50W金属氧化物驱动场效应管2SK1884N沟30V22A60W金属氧化物驱动场效应管2SK1885N沟30V35A70W金属氧化物驱动场效应管2SK1886N沟30V15A25W金属氧化物驱动场效应管2SK1887N沟30V20A25W金属氧化物驱动场效应管2SK1888N沟30V30A30W金属氧化物驱动场效应管2SK1889N沟30V35A70W金属氧化物驱动场效应管2SK1890N沟30V22A60W金属氧化物驱动场效应管2SK1891N沟30V35A70W金属氧化物驱动场效应管2SK1892N沟60V15A50W金属氧化物驱动场效应管2SK1893N沟60V18A60W金属氧化物驱动场效应管2SK1894N沟60V30A70W金属氧化物驱动场效应管2SK1895N沟60V12A25W金属氧化物驱动场效应管2SK1896N沟60V15A25W金属氧化物驱动场效应管2SK1897N沟60V25A70W金属氧化物驱动场效应管2SK1898N沟60V15A50W金属氧化物驱动场效应管2SK1899N沟60V18A60W金属氧化物驱动场效应管2SK189N沟场效应音频(低频)管2SK18AN沟40V0.45-2.8m0.2W2SK18N沟40V10mA200mW2SK18-ON沟40V0.8-1.6mA0.2W2SK18-RN沟40V0.45-2.8m0.2W2SK18-YN沟40V 1.4-2.8mA0.2W2SK1900N沟60V30A70W金属氧化物驱动场效应管2SK1901N沟60V12A50W金属氧化物驱动场效应管2SK1902N沟60V15A60W金属氧化物驱动场效应管2SK1903N沟60V25A70W金属氧化物驱动场效应管2SK1904N沟60V10A25W金属氧化物驱动场效应管2SK1905N沟60V12A25W金属氧化物驱动场效应管2SK1906N沟60V20A30W金属氧化物驱动场效应管2SK1907N沟60V12A50W金属氧化物驱动场效应管2SK1908N沟60V15A60W金属氧化物驱动场效应管2SK1909N沟60V25A70W金属氧化物驱动场效应管2SK190EN沟40V6-50mA0.8W场效应音频(低频)管2SK190FN沟40V6-50mA0.8W场效应音频(低频)管2SK190HN沟40V6-50mA0.8W场效应音频(低频)管2SK190N沟40V10mA800mW低频放大场效应管2SK1910N沟60V25A通用型场效应管2SK1911N沟60V40A通用型场效应管2SK1913N沟600V 2.5A40W通用型场效应管2SK1916拆N沟450V18A2SK1916N沟450V18A80W场效应开关管2SK1917-MN沟25V10A50W场效应开关管2SK1918N沟60V25A场效应开关管2SK1919N沟60V40A通用型场效应管2SK191N沟15V10mA1W2SK1920N沟250V4A30W金属氧化物高压高速开关场效应管2SK1929N沟900V 2.5A100W通用型场效应管2SK192AN沟18V3-24mA0.2W2SK192-BLN沟18V12-24mA0.2W2SK192-GRN沟18V6-14mA0.2W2SK192N沟18V10mA200mW2SK192-YN沟18V3-7mA0.2W2SK1930N沟1000V3A100W通用型场效应管2SK1933N沟900V10A通用型场效应管2SK1934N沟1000V8A通用型场效应管2SK1936-01N沟500V10A100W场效应开关管2SK1937-01N沟500V15A125W场效应开关管2SK1938-01N沟500V18A100W场效应开关管2SK1938N沟800V3A125W通用型场效应管2SK1939-01N沟600V8A100W场效应开关管2SK1939N沟900V3A150W通用型场效应管2SK193N沟20V10mA250mW2SK1940-01N沟600V12A125W场效应开关管2SK1940N沟600V12A125W2SK1941拆2SK1941-01N沟600V16A100W场效应开关管2SK1942-01N沟900V3A80W场效应开关管2SK1943-01N沟900V5A80W场效应开关管2SK1944-01N沟900V5A100W场效应开关管2SK1945-01LN沟900V5A80W场效应开关管2SK1945-01SN沟900V5A80W场效应开关管2SK1946-01MN沟60V45A50W电机控制场效应管2SK1947N沟250V50A通用型场效应管2SK1948N沟250V50A通用型场效应管2SK1949N沟60V5A场效应开关管2SK194N沟40V10mA400mW2SK1950N沟60V3A通用型场效应管2SK1951N沟60V25A通用型场效应管2SK1952N沟60V40A通用型场效应管2SK1953N沟600V1A25W场效应开关管2SK1954N沟180V2A20W场效应开关管2SK1957N沟200V5A通用型场效应管2SK1958N沟16V0.01A0.15W2SK1959N沟16V1A2W2SK195N沟20V10mA250mW2SK1960N沟16V 1.5A2W2SK1962N沟16V 1.5A2W2SK1963N沟4V12-60mA0.2W。
轻武器新品及附件观瞻
轻武器新品及附件观瞻作者：郭萍来源：《轻兵器》 2013年第4期德国瓦尔特PPX手枪PPX手枪是瓦尔特公司在2013年推出的新型半自动手枪，有9mm和0.40英寸两种口径。
9mm型的PPX手枪弹匣容弹量16发，0.40型英寸的弹匣容弹量14发。
该枪采用内置式击锤，弹匣卡笋双侧设置。
鲁格SR45半自动手枪该枪是鲁格SR系列半自动手枪的最新型号，口径为0.45英寸，发射威力很大的0.45英寸ACP枪弹。
全枪长2 0 3 m m，枪管长1 1 4 m m，全枪高146mm，全枪宽32mm，弹匣容弹量为10发。
西格-绍尔公司M1911-22迷彩半自动手枪该枪是西格- 绍尔公司最新推出的采用0 . 2 2英寸口径的M1 9 1 1手枪，故其名称为M1911-22半自动手枪，全枪涂装了灰色迷彩，十分漂亮。
M1911-22手枪采用单排弹匣供弹，弹匣容弹量只有1 0发。
全枪长231mm，枪管长127mm，空枪质量0.96kg。
西格P226雕刻版半自动手枪西格P226是西格-绍尔公司的主打产品，不久前，西格-绍尔公司推出了P226的珍藏雕刻版。
该枪套筒上刻有很漂亮的花纹，采用高级木质握把，握把中间刻有“SIG”字样的商标。
整枪看上去非常高贵典雅。
泰瑟X2两发电击枪这是著名的泰瑟电击枪的最新款。
泰瑟电击枪原来配用1发电击弹，只能发射1次，后来泰瑟公司研发出配用3发电击弹的X3。
最近，泰瑟国际公司又研发了泰瑟X2电击枪，配用2发电击弹，品种更丰富。
意大利齐亚帕火器公司三管猎枪意大利齐亚帕火器公司一向以推陈出新而著称。
新近，公司再次推出一款新奇枪械——三管猎枪，发射12号霰弹。
这款三管猎枪采用撅把式结构，手动装填，虽然设有三根枪管，但只有一个扳机，并设有枪管选择装置，以此选择某根枪管发射弹药。
雷明顿783旋转后拉枪机式步枪该枪是雷明顿公司最新的一款旋转后拉枪机式步枪，其最大特点就是采用了新型扳机，新型扳机前方有一凸块——扳机保险，平时凸块将扳机锁定，使其无法移动而呈保险状态。
由美剧《太平洋》说起勃朗宁M1917A1重机枪
由美剧《太平洋》说起勃朗宁M1917A1重机枪军事爱好者们除了被《太平洋》剧情吸引之外，更关注剧中出现的各种武器。
其中，该剧前几集频繁出现了一种带有粗大冷却水筒的重机枪，其在战斗中横扫日军的炽烈火力，给观众留下了非常深刻的印象。
这种机枪看起来与德国的马克沁重机枪非常相像，甚至有人会误以为是制片方的“张冠李戴”。
其实不然，这种名为勃朗宁M1917的武器是正宗的“美国造”，它是美国著名枪械设计大师――约翰?摩西?勃朗宁的经典设计之一，曾在美军中服役长达30余年，其改进和衍生型号至今仍是多国军队的现役装备……诞生背景：机缘与努力的结合19世纪末～20世纪初，美国在军事方面仍整体落后于欧洲国家，军用步枪落后于德、英、法等，机枪的发展也同样停滞不前。
这主要归结于当时美军高层对轻武器的发展认识不足，特别是美陆军坚持认为枪械没有速射的必要，只要精度高就可以了，自动武器只会让士兵浪费更多弹药。
尽管早有加特林机枪成功在先，但该枪的实际装备量不多，甚至美军最早采用无烟药枪弹的步枪都是选择了装弹速度较慢的丹麦克拉格一约根森步枪。
直到经历了1898年美西战争中圣?胡安山战役的惨烈后，美国军方才逐渐认识到自动武器的重要性。
不过相比之下，枪械设计师和厂家觉悟得更早一些，其中柯尔特公司在1895年就推出了一种由勃朗宁设计的绰号为“柯尔特土豆挖掘机”的M1895气冷式重机枪。
该枪采用导气式动作原理(与现代枪械中活塞向后运动推动枪机后坐的方式不同，该枪的活塞向后下方摆动，并通过杠杆传动系统推枪机后坐――编者注)，由帆布弹带供弹，在当时算是一种比较先进的机枪，在参加军方测试时表现尚好，但由于高层对速射武器根深蒂固的偏见，M1895气冷式重机枪最终并未大量装备部队。
1914年，第一次世界大战正式爆发，德军装备了当时综合性能最好的MG08 7.92mm马克沁重机枪，给协约国军队造成重大杀伤。
而准备赴欧参战的美国却发现此时却无多少可用的机枪，在西线作战的美军不得不装备英、法等国的同类武器，前后采购了4600挺维克斯Mk.I和5255挺哈奇开斯M1914重机枪，此外还有部分M1915绍沙轻机枪。
2SK118_07中文资料
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type2SK118General Purpose and Impedance Converter andCondenser Microphone Applications•High breakdown voltage: V GDS = −50 V•High input impedance: I GSS = −1 nA (max) (V GS = −30 V)•Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (R G = 100 kΩ, f = 120 Hz)•Small packageAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)Characteristics SymbolRatingUnitGate-drain voltage V GDS−50VGate current I G 10mADrain power dissipation P D 100mWJunction temperature T j125 °CStorage temperature range T stg−55~125 °CNote: Using continuously under heavy loads (e.g. the application ofhigh temperature/current/voltage and the significant change intemperature, etc.) may cause this product to decrease in thereliability significantly even if the operating conditions (i.e.operating temperature/current/voltage, etc.) are within theabsolute maximum ratings.Please design the appropriate reliability upon reviewing theToshiba Semiconductor Reliability Handbook (“HandlingPrecautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report andestimated failure rate, etc).Electrical Characteristics (Ta = 25°C)Characteristics Symbol TestCondition MinTyp.Max Unit Gate cut-off current I GSS V GS=−30 V, V DS= 0 ⎯⎯−1.0nA Gate-drain breakdown voltage V (BR) GDS V DS= 0, I G=−100 μA −50 ⎯⎯ VDrain current I DSS(Note)V DS= 10 V, V GS= 0 0.3 ⎯ 6.5 mAGate-source cut-off voltage V GS (OFF)V DS= 10 V, I D= 0.1 μA −0.4 ⎯−5.0V Forward transfer admittance ⎪Y fs⎪V DS= 10 V, V GS= 0, f = 1 kHz 1.2 ⎯⎯ mS Input capacitance C iss V DS= 10 V, V GS= 0, f = 1 MHz ⎯ 8.2 ⎯ pF Reverse transfer capacitance C rss V GD=−10 V, I D= 0, f = 1 MHz ⎯ 2.6 ⎯ pFNoise figure NF V DS= 15 V, V GS= 0, R G= 100 kΩ,f = 120 Hz⎯ 0.5 5.0 dBNote: I DSS classification R: 0.3~0.75 mA, O: 0.6~1.4 mA, Y: 1.2~3.0 mA, GR: 2.6~6.5 mA Unit: mmJEDEC ―JEITA ―TOSHIBA 2-4E1B Weight: 0.13 g (typ.)RESTRICTIONS ON PRODUCT USE20070701-EN GENERAL •The information contained herein is subject to change without notice.•TOSHIBA is continually working to improve the quality and reliability of its products. Nevertheless, semiconductor devices in general can malfunction or fail due to their inherent electrical sensitivity and vulnerability to physical stress. It is the responsibility of the buyer, when utilizing TOSHIBA products, to comply with the standards of safety in making a safe design for the entire system, and to avoid situations in which a malfunction or failure of such TOSHIBA products could cause loss of human life, bodily injury or damage to property.In developing your designs, please ensure that TOSHIBA products are used within specified operating ranges as set forth in the most recent TOSHIBA products specifications. Also, please keep in mind the precautions and conditions set forth in the “Handling Guide for Semiconductor Devices,” or “TOSHIBA Semiconductor Reliability Handbook” etc.• The TOSHIBA products listed in this document are intended for usage in general electronics applications (computer, personal equipment, office equipment, measuring equipment, industrial robotics, domestic appliances, etc.).These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for usage in equipment that requires extraordinarily high quality and/or reliability or a malfunction or failure of which may cause loss of human life or bodily injury (“Unintended Usage”). Unintended Usage include atomic energy control instruments, airplane or spaceship instruments, transportation instruments, traffic signal instruments, combustion control instruments, medical instruments, all types of safety devices, etc.. Unintended Usage of TOSHIBA products listed in his document shall be made at the customer’s own risk.•The products described in this document shall not be used or embedded to any downstream products of which manufacture, use and/or sale are prohibited under any applicable laws and regulations.• The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patents or other rights of TOSHIBA or the third parties.• Please contact your sales representative for product-by-product details in this document regarding RoHS compatibility. Please use these products in this document in compliance with all applicable laws and regulations that regulate the inclusion or use of controlled substances. Toshiba assumes no liability for damage or losses occurring as a result of noncompliance with applicable laws and regulations.。
2SK117BL中文资料
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type2SK117Low Noise Audio Amplifier Applications•High |Y fs|: |Y fs| = 15 mS (typ.) (V DS = 10 V, V GS = 0)•High breakdown voltage: V GDS = −50 V•Low noise: NF = 1.0dB (typ.)(V DS = 10 V, I D = 0.5 mA, f = 1 kHz, R G = 1 kΩ)•High input impedance: I GSS = −1 nA (max) (V GS = −30 V)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)Characteristics SymbolRatingUnitGate-drain voltage V GDS−50 VGate current I G 10mADrain power dissipation P D 300mWJunction temperature T j125 °CStorage temperature range T stg−55~125 °CNote: Using continuously under heavy loads (e.g. the application ofhigh temperature/current/voltage and the significant change intemperature, etc.) may cause this product to decrease in thereliability significantly even if the operating conditions (i.e.operating temperature/current/voltage, etc.) are within theabsolute maximum ratings.Please design the appropriate reliability upon reviewing theToshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) andindividual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).Electrical Characteristics (Ta = 25°C)Characteristics Symbol TestCondition MinTyp.Max Unit Gate cut-off current I GSS V GS=−30 V, V DS= 0 ⎯⎯−1.0nA Gate-drain breakdown voltage V (BR) GDS V DS= 0, I G=−100 μA −50 ⎯⎯ VDrain current I DSS(Note)V DS= 10 V, V GS= 0 1.2 ⎯ 14 mAGate-source cut-off voltage V GS (OFF)V DS= 10 V, I D= 0.1 μA −0.2 ⎯−1.5V Forward transfer admittance ⎪Y fs⎪V DS= 10 V, V GS= 0, f = 1 kHz 4.0 15 ⎯ mS Input capacitance C iss V DS= 10 V, V GS= 0, f = 1 MHz ⎯ 13 ⎯ pF Reverse transfer capacitance C rss V GD=−10 V, I D= 0, f = 1 MHz ⎯ 3 ⎯ pFNF (1) V DS= 10 V, R G= 1 kΩI D= 0.5 mA, f = 10 Hz⎯ 5 10Noise figureNF (2) V DS= 10 V, R G= 1 kΩI D= 0.5 mA, f = 1 kHz⎯ 1 2dBNote: I DSS classification Y: 1.2~3.0 mA, GR: 2.6~6.5 mA, BL: 6~14 mAUnit: mmJEDEC TO-92 JEITA SC-43 TOSHIBA 2-5F1D Weight: 0.21 g (typ.)RESTRICTIONS ON PRODUCT USE20070701-EN GENERAL •The information contained herein is subject to change without notice.•TOSHIBA is continually working to improve the quality and reliability of its products. Nevertheless, semiconductor devices in general can malfunction or fail due to their inherent electrical sensitivity and vulnerability to physical stress. It is the responsibility of the buyer, when utilizing TOSHIBA products, to comply with the standards of safety in making a safe design for the entire system, and to avoid situations in which a malfunction or failure of such TOSHIBA products could cause loss of human life, bodily injury or damage to property.In developing your designs, please ensure that TOSHIBA products are used within specified operating ranges as set forth in the most recent TOSHIBA products specifications. Also, please keep in mind the precautions and conditions set forth in the “Handling Guide for Semiconductor Devices,” or “TOSHIBA Semiconductor Reliability Handbook” etc.• The TOSHIBA products listed in this document are intended for usage in general electronics applications (computer, personal equipment, office equipment, measuring equipment, industrial robotics, domestic appliances, etc.).These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for usage in equipment that requires extraordinarily high quality and/or reliability or a malfunction or failure of which may cause loss of human life or bodily injury (“Unintended Usage”). Unintended Usage include atomic energy control instruments, airplane or spaceship instruments, transportation instruments, traffic signal instruments, combustion control instruments, medical instruments, all types of safety devices, etc.. Unintended Usage of TOSHIBA products listed in his document shall be made at the customer’s own risk.•The products described in this document shall not be used or embedded to any downstream products of which manufacture, use and/or sale are prohibited under any applicable laws and regulations.• The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patents or other rights of TOSHIBA or the third parties.• Please contact your sales representative for product-by-product details in this document regarding RoHS compatibility. Please use these products in this document in compliance with all applicable laws and regulations that regulate the inclusion or use of controlled substances. Toshiba assumes no liability for damage or losses occurring as a result of noncompliance with applicable laws and regulations.。
匆匆过客：0.5英寸维克斯机枪
匆匆过客：0.5英寸维克斯机枪作者：方丽来源：《轻兵器》 2013年第3期回首两次世界大战期间英国军队使用的武器，有两款是不容忽视的，一款是李-恩菲尔德步枪，另一款是维克斯机枪。
维克斯机枪大多数采用0.303英寸口径，但也有一款不为人所熟知的采用0.5英寸口径的变型产品，那么0.5英寸维克斯机枪是如何出现的，又有何特点呢？提起维克斯机枪，相信大多数轻武器迷都不陌生。
该枪的原型枪是世界上第一支真正成功的以火药燃气为动力的马克沁M1884水冷式重机枪。
马克沁重机枪于1891年被英国陆军选定为制式武器，后来又被很多国家以不同的名称采用。
1900年代初，英国人艾伯特·维克斯对马克沁重机枪进行改进，全枪结构更紧凑，并减轻了全枪质量，使其更适合大量生产。
这款改进型的马克沁机枪被英国陆军采用，命名为维克斯-马克沁机枪，简称维克斯机枪。
维克斯机枪研制成功后，生产有很多不同口径的版本，虽然口径较多，但在英国军队中使用的维克斯机枪大多采用0.303英寸口径。
该枪历经一战、二战，甚至到二战后的1950年代中期仍在英国部队服役。
在不同口径的维克斯机枪中，有一款采用英国独特的0.5英寸口径，其出现于1920年代，二战后消失在人们的视野中，服役期非常短暂。
特殊口径枪弹0.5英寸维克斯机枪的起源可追溯到一战时期。
当时，维克斯机枪的口径虽然比较多，但是口径均较小，而随着飞机、坦克投入战争，英军急需一种对付这些装备的大威力枪械。
于是，英国开始基于维克斯机枪设计大口径枪弹。
英国最初以0.600/0.500英寸枪弹为基础开始研制，该弹最早源于一种猎象步枪弹，也曾在高德赛尔（G o dsal）M1918反坦克步枪上使用。
为维克斯机枪设计的大口径枪弹历经了多次演变，于1921年最终设计成功，口径为0.5英寸（0.5英寸即12.7mm，该弹实际口径则略大，为13.1mm），采用无突缘式弹壳，弹壳长81mm，弹头质量580格令（37.6g），因此被命名为0.5V/580枪弹，其名称中的0.5代表弹径为0.5英寸，580代表弹头质量为580格令。
第人届GPEC展会上的轻武器(下)
第人届GPEC展会上的轻武器（下）作者：杨志国，等来源：《轻兵器》 2011年第2期口杨志国苏拉西格一绍尔SAPR 751 LB半自动步枪SAPR半自动精确步枪／狙击步枪是西格一绍尔公司与瑞士布鲁加一托梅公司共同开发的，其以SG550突击步枪系列为基础，改用7.62×51mm枪弹。
新近，该枪又有了新的变型产品，即图示的SAPR 751 LB半自动步枪。
新型步枪不再专门面向狙击领域，而是作为一般精确战斗步枪使用，因而加装较短的枪管。
西格一绍尔SG551-2 LB突击步枪SG551-2 LB突击步枪配装棕色半透明聚合物弹匣，枪口装有美国特里吉康公司的ACOG 5.5×50mm战术瞄准镜。
该瞄准镜不是使用普通电池供电，而是在瞄准镜的顶部安装有一个塑料筒，外界光源通过该塑料筒进入到瞄准镜内，使瞄准镜内的红点发光。
西格一绍SG551-2 SB突击步枪SG551-2 SB源自于瑞士SG550系列步枪，加装有带导轨的护手，该护手原本是为美军M16系步枪进行现代化改造而开发的。
这种护手采用轻金属材料，四面加装皮卡汀尼导轨，可以安装各种辅助瞄准装置。
图示该枪枪托上还加装有通常在狙击步枪上才能见到的贴腮板，且加装有2个并联的弹匣。
西格一绍t装GL5340下挂式榴弹发射器的SG553 LB突击步枪西格绍尔公司也生产下挂式榴弹发射器，加装在本公司的突击步枪上使用。
图示加挂在SG553 LB突击步枪上的GL5340榴弹发射器采用发射管前推式装退弹结构，发射40mm口径的榴弹。
目前，公司也开始生产该榴弹发射器的发展型——加挂在SIG556 LB步枪上使用的GL5640榴弹发射器布鲁加一托梅公司GL60榴弹发器改进GL60为采用撅把式结构的单发榴弹发射器，发射40mm口径的榴弹。
其最大特点是主体部分大量采用聚合物制成，整体实现了轻量化。
本次展会展出的为该榴弹发射器的改进型，主要改进之处为多处加装有皮卡汀尼导轨。
机枪与狙击步枪装备履历
机枪与狙击步枪装备履历作者：郭亚楠来源：《轻兵器》 2012年第23期机枪二战时期日本陆军研发的各型机枪基本上是差强人意。
二战结束后，美日之间的关系是美国主导下对日本的占领和改造。
1950年，新成立的日本警察预备队对机枪的装备提出需求，美国军方把刚刚淘汰的勃朗宁M1917机枪卖给了日本，这种水冷式机枪当然十分笨重。
1954年7月，当日本自卫队成立时就换装成M1919A4机枪和改进型M1919A6机枪。
与此同时，自卫队希望可以研发出日本自己的机枪。
新机枪的研发工作随即开始。
1956年10月研发出第一款样枪，这款样枪酷似日本的九九式轻机枪。
1958年研发出第14款样枪，发射枪弹也改为7.62mm北约制式口径。
随后，在1960年推出的第15款样枪通过了所有测试，最终在1962年定型，被命名为62式机枪。
从现在的概念来看，6 2式机枪是一款通用机枪，带有两脚架，也可以安装M1919机枪系列使用的三脚架。
该枪发射7.62mm北约制式枪弹和日本的7.62mm减装药枪弹，采用弹链供弹。
枪管前方设有气体调节器，枪管内部镀铬，外部设有散热片，并且枪管可以快速更换。
62式通用机枪采用大量冲压件，所以大大加快了生产速度，也有效降低了生产成本。
该枪由住友重机械工业公司制造，当年一挺62式通用机枪的价格为200万日元。
62式通用机枪全枪长1 200mm，枪管长600mm（含枪口消焰器），空枪质量10.7kg。
6 2式通用机枪装备不久便暴露出一些问题。
64式步枪的开发者之一津野濑光男，在其著书《幻之机关枪》中曾阐述，62式通用机枪与64式步枪相比枪管外径反而更小、构造更脆弱——枪管问题可以说是62式机枪的重大缺陷。
其他媒体也曾大肆报道62式机枪的各种弊病，在这些报道中可见62式机枪的种种“不良记录”——62式通用机枪同64式步枪一样，具有因零件多导致的维护性差、零件间隙大导致易脱落以及质量增加、连发发射时命中率低、卡弹、扳机故障等多种问题。
钟声重锤——苏联2S4自行迫击炮（上）
钟声重锤——苏联2S4自行迫击炮（上）作者：王征来源：《坦克装甲车辆》 2015年第1期王征在旷日持久的叙利亚内战中，交战双方使用的新旧武器层出不穷，其中叙利亚政府军使用了目前世界上现役口径最大的迫击炮——苏制2C4“郁金香”，对霍姆斯市进行轰击，其硕大的炮弹和惊人的轰爆能力再一次为世界瞩目。
苏军装备大量重型迫击炮苏联/俄罗斯装备迫击炮的历史相当悠久，近代第一门迫击炮便是诞生于俄国。
其发明者俄国炮兵大尉列昂尼德·尼古拉耶维奇·戈比亚托在日俄战争的旅顺争夺战中，发现日军的堑壕往往迫近到俄军阵地眼皮底下，当时俄军装备的火炮与机枪均难以杀伤迫近的日军，于是他尝试着将老式的 47毫米海军臼炮安装在有轮子的炮架上，通过大仰角发射，缩短射程，增大炮弹射入的角度。
经使用发现，该火炮对堑壕内的步兵杀伤效果极佳。
这种在战场上应急试制而成的火炮，当时被称为“雷击炮”。
第一次世界大战中，由于堑壕战的广泛实施，西方各国在“雷击炮”的基础上，生产出各式各样的迫击炮。
其中，英国的温弗雷德·斯托克斯爵士于1915年发明了可拆卸分解的斯托克斯迫击炮；而战后法国于1927年进一步研制成功的斯托克斯─勃朗特 81毫米迫击炮，该炮中安装了缓冲器，从而使得炮身与炮架的组合结构更加完善，因而成为现代迫击炮的鼻祖。
第二次世界大战后，苏联成为世界上迫击炮装备数量最多的国家，鼎盛时期装备各型迫击炮34.8万门，其中相当数量为重型迫击炮。
《苏军内幕》中记载：“对苏联指挥员来说，最好的迫击炮是大口径的，口径越大越好。
现在美国最大口径迫击炮弹重12.3千克，而最小的苏联迫击炮炮弹重16千克。
这其实还是小迫击炮，苏联陆军还有发射40千克炮弹的160毫米口径型，甚至发射100千克炮弹的240毫米迫击炮（编者注：分别为M―160和M―240迫击炮）……我曾看到过12门240毫米迫击炮齐射，它们发射的不是16千克而是100千克的炮弹，在20分钟内，每门炮发射了15发炮弹（事后我计算一下，这表示总共有18吨炸药和铸铁碎片）。
行政职业能力测试模拟893
行政职业能力测试模拟893第一部分常识判断根据题目要求，在四个选项中选出一个最恰当的答案。
1. 下列关于武器装备的说法不正确的是______。
A.弩是中国最早发明的B.AK—47是前苏联研制的一种（江南博哥）自动步枪C.“歼十”战斗机是国产飞机D.核潜艇装备的主要是核武器正确答案：D[解析] 本题侧重考查科技常识。
核潜艇，是以核动力为推进动力的大型潜艇，并非“装备的主要是核武器”。
所以选择D项。
2. 勃朗宁M2大口径机枪长时间连续发射后。
其枪管温度很快就会达到使子弹自燃的危险温度，且枪管的热变形也会使精度降低。
其采用的解决办法是：A.使用加厚的重型枪管和可以快速拆卸的可更换枪管B.在枪管外加装大型水冷套筒降低温度C.在枪管外加装导热性能好的金属散热片，通过空气散热D.多使用短点射，较少使用连续射击以使枪管有足够的冷却时间正确答案：A50英寸口径的勃朗宁M2机枪是勃朗宁M1917的口径放大重制版本，美军把当时的M2命名为M1921，并用于当时的防空及反装甲。
1932年，改进版本正式被美军命名为M2，当时部分的M2装有水冷散热装置，其他因枪管容易过热而改用重型枪管并命名为M2HB，后来更推出了可快速更换枪管的M2QCB及轻量化版本，这些版本一直沿用至今。
故本题答案选A。
3. “闪付”(quick pass)作为一种消费新时尚，是指对单笔金额不超过1000元的消费，无需密码和签名，只需要在POS机上轻松一划便可快捷支付的方式，它满足了人们对快捷、高效支付的需求，有利于刺激消费，更好地满足百姓的生活需求。
这说明______。
A.新的消费方式可以创造消费动力B.收入水平影响人们的购买能力C.新的消费热点带动相关产业的形成D.“闪付”能够提高消费者的购买力正确答案：A[解析] 经济常识。
“闪付”是一种新的消费方式，题干中，“闪付”有利于刺激消费，这体现了新的消费方式创造了消费动力。
A项正确。
B、C项与题干无关。
盘点二战中的著名重机枪
盘点二战中的著名重机枪德国MG42通用机枪，是在复杂的MG34型机枪基础上，进行了多项重要改进，并采用了金属冲压制造工艺，是德军绝对的火力支柱，更是盟军士兵的恐怖恶梦。
其连贯的枪声，像拉动拉链时的响声，因此也被美国大兵称之为“希特勒的电锯”德什卡是苏联第一挺大口径重机枪，也是苏联著名枪械大师捷格佳廖夫的得意之作，以结构简单、可靠性高、使用寿命长等特点，被评为世界上最优秀的大口径重机枪，30年代末开始装来苏军，定型号为DShK—38式机枪，也称为M38式机枪M2式勃朗宁大口径重机枪，俗称0.50重机枪，是由约翰·摩西·勃朗宁设计的，常见用于步兵架设的火力阵地及军用车辆如坦克、装甲运兵车等，主要用途用途是攻击轻装甲目标，集结有生目标和低空防空，从1921年就开始使用服役至到21世纪M1919A4式气冷型重机枪，是M1917A1式勃朗宁重机枪（水冷式）的改进型，枪管外部有一散热筒，筒上有散热孔，散热筒前旋合助退器，二战时期美军使用的主要重机枪之一SG43“郭留诺夫”重机枪，在二战期间研制成功并大量装备苏军，由于采用气冷式，机件减少了三分之二，重量减轻了很多，在苏联卫国战争中发挥了很大作用，二战末期，SG43 重机枪又改进成SGM重机枪捷克斯洛伐克ZB-37（ZB vz.37）气冷式重机枪，其外销型又名ZB-53重机枪，在德国入侵捷克斯洛伐克后，将这种性能非常优秀的ZB53重机枪装备自己的部队，并更名为SMG37(t)中国24式重机枪，1935年南京金陵兵工厂，仿照德国赠送的马克沁08式重机枪的设计图纸，制造了24式水冷式重机枪，以极高的可靠性，成为所有马克沁重机枪中最为优秀的一挺；在抗日战争期间，24式重机枪给予了日军重大杀伤，因此被日军形容为“死神的镰刀”92式重机枪是日本军队在二战中最有名的重机枪，以哈奇开斯机枪为蓝图，推出了此枪，该枪身和枪管布满散热片，使用精度更高的7.7mm枪弹，射速每分钟500发，战场上威力极大马克沁水冷式重机枪，中国称赛电枪，是世界上第一种真正成功的以火药燃气为能源的自动武器，一战、二战时，是多国军队步兵的主要重武器之一，参加过多次重大战役勃朗宁M1917A1式水冷型重机枪，火力猛，动作可靠，但比较笨重。