ASIC新思维:从2D到3D——TSV的挑战与未来
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ASIC新思维：从2D到3D——TSV的挑战与未来
林崇铭
【期刊名称】《集成电路应用》
【年(卷),期】2012(000)007
【摘要】随着集成电路工艺从微米向纳米迈进，将平面IC往立体或三维发展的硅穿孔（TSV）技术应运而生。
在向3D发展进程中，2．5D技术以优越的性能和更低的成本可以满足当前设计要求。
【总页数】3页(P24-25,35)
【作者】林崇铭
【作者单位】SiP/3D IC专案处
【正文语种】中文
【相关文献】
1.关于Diophantine方程nx(x+d)(x+2d)(x+3d)=y(y+d)(y+2d)(Y+3d) 的一点注记 [J], 乐茂华
2.3D TSV测试的挑战和潜在解决方案 [J], Ben;Scott;Karen;Andy;Robert;Erik
3.关于不定方程x（x＋d）（x＋2d）（x＋3d）=P^2ky（y＋d）（y＋2d）（y ＋3d） [J], 郑惠
4.衣领纸型设计3D-2D转换的原理与方法——衣领结构数学模型和3D-2D转换的原理研究 [J], 张文斌;吴宇
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