三极管命名规则
三极管的命名方法及检测
三极管的命名方法及检测江苏省泗阳县李口中学沈正中
一、三极管命名方法
3A××，表示该三极管为PNP型锗管；
3B××，表示该三极管为NPN型锗管；
3C××，表示该三极管为PNP型硅管；
3D××，表示该三极管为NPN型硅管；
型号的第三位表示器件的类型，例如G代表高频小功率管，因此3DG就表示该三极管为NPN型高频小功率硅三极管，而3AG则表示该三极管为PNP型高频小功率锗三极管。
国产三极管的型号命名由五部分组成，各部分组成如图2所示，各部分的含义如下表所示。
常见三极管的封装形式如上图1所示。
二、用万用表检测三极管的方法
判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测三极管为PNP 型管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管。
判定集电极c和发射极e。
(以PNP为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
三极管的编码规则
三极管的编码规则
三极管的编码规则是根据其型号和特性来命名的。
一般来说，三极管的型号由几个字母或数字组成，每个字母或数字代表不同的特性。
常见的三极管型号一般包括以下几个方面的信息：
1. 依据芯片和封装形式的字母：一般情况下，字母N代表晶体管是NPN型，字母P代表晶体管是PNP型。
2. 代表材料和技术特性的字母：例如，字母B代表晶体管是硅材料，字母C代表晶体管是高频型，字母D代表晶体管是低功耗型，字母G代表晶体管是高压型，字母H代表晶体管是温度补偿型等。
3. 代表封装形式的字母和数字：例如，TO-92是一种常见的小功率三极管封装形式，TO-220是一种常见的高功率三极管封装形式，SOT-23是一种常见的表面贴装型封装形式等。
4. 其他特定性能信息的编码：有些三极管型号中还会包含其他特定的性能信息，例如最大集电极-基极电压、最大集电极-发射极电压、最大集电极电流等。
总之，三极管的编码规则是根据其型号和特性来进行命名的，以便于识别和选择适合的三极管。
不同的厂家和地区可能会有略微的差异，因此在使用三极管时需要参考具体的型号和数据手册。
一、中国半导体器件型号命名方法
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、Eቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P- 光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。
一、中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
三极管的型号命名及简易测试
三极管的型号命名及简易测试2011-04-29 19:28:18| 分类：电子器件类| 标签：三极管基极集电极管子|字号大中小订阅ali8840整理晶体三极管是无线电爱好者使用频率最高的器件之一，每个爱好者都应十分熟悉晶体管的符号、型号、命名方法，并且能十分熟练地掌握测试方法。
三报管按内部特性可分为PNP型和NPN 型两种，按材料不同可分为硅管和锗管，按封装材料不同可分为金属管、塑封管等。
在电路图中有两种符号分别表示，PNP管(不论锗管还是硅管)均用图一符号表示，NPN型管(不论锗管还是硅管)均用图二符号表示。
注意图中箭头所指的方向。
在电路图中三极管符号旁边一般都会标出管子的型号，如3AX38，3AG12等。
通过这些型号可查阅到三极管的具体参数。
晶体管按最大集电极允许耗散功率(Pcm)的大小，可分为小功率晶体管(Pcm在300毫瓦下)；中功率晶体管(Pcm大干300毫瓦但小于1瓦)及丈功率晶体管(大于1瓦) 小功率晶体管外形目前常见的如图三所示，其金属壳封装的管脚排列位置如图四所示，硅酮塑封小功率三报管的管脚排列位置，以标记面(平面或倒有平面)对着自已看，如图五所示，其中按(a)所示位置排列有3DG6、3DG201、202、204、205，3CG35，3DX203、202，3CX201、202等，进口管子2SC1473NC、2SC1573A、2SA683NC、2SC536NP、2SA6359等按(b)所示排列，2SA628A等按(c)所示排列。
按国家标准，国产普通晶体三极管型号由五个部分组成，如表一所示。
如3AG1C为PNP型高频小功率三报管，3DG6为NPN型硅高频小功率三板管。
而日本生产的普通晶体管的命名方法与我国不同，它也有五个部分组成，如表二所示。
如，2SA561为PNP高频管，可用国产3CG23C代用，2SC383为NPN高频管，可用国产3DG4C代用。
目前，市场上进有日电公司产JE9000系列中、小功率三极管，其中9011、9013、9014、9016、9018为硅NPN 三极管，9012、8015为硅PNP三极管，而9012与9013(Icm0.5A、BVceo20V、Pcm0.6W)及9014与9015(Icm0.1A、BVceo46V、Pcm≥O.45W)可配对组成互补放大管。
国内三极管的命名规则
国内三极管的命名规则在电子领域中，三极管是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
国内三极管的命名规则是一种对三极管进行统一命名的规范，它规定了三极管的命名方式和代号的含义。
遵循这个规则，可以方便地识别和使用各种类型的三极管。
国内三极管的命名规则主要包括以下几个方面：1. 代号中的字母：国内三极管的代号中通常包含两个字母。
第一个字母表示三极管的类型，常见的有N（NPN型）和P（PNP型）。
第二个字母表示三极管的功率等级，常见的有A、B、C、D等。
其中，A代表小功率，B代表中功率，C代表大功率，D代表超大功率。
2. 代号中的数字：国内三极管的代号中通常包含两个数字。
第一个数字表示三极管的最大集电极电流，单位为毫安。
第二个数字表示三极管的最大集电极电压，单位为伏特。
3. 代号中的其他字母：有些国内三极管的代号中还包含其他字母，表示一些特殊的功能或参数。
例如，代号中的字母H表示高频特性好，字母L表示低噪声，字母R表示可靠性好，字母T表示温度特性好等。
根据这些规则，我们可以通过三极管的代号来了解它的基本性能和特点。
例如，一个代号为2N3904的三极管，其中的字母N表示NPN型，数字2表示最大集电极电流为200毫安，数字3表示最大集电极电压为30伏特，字母90表示该三极管的特殊功能或参数。
除了代号中的字母和数字，国内三极管还有一些其他的参数和性能指标需要注意。
例如，最大集电极电流、最大集电极电压、最大功率等是选择三极管时需要考虑的重要参数。
此外，三极管的频率响应特性、噪声系数、放大倍数等也是需要了解的关键指标。
在实际应用中，我们需要根据具体的需求选择合适的国内三极管。
根据不同的电路要求，我们可以选择不同类型、功率等级和特殊功能的三极管。
通过合理选择和使用三极管，可以有效地实现电子设备的各种功能，提高设备的性能和可靠性。
国内三极管的命名规则是一种对三极管进行统一命名的规范，它规定了三极管的命名方式和代号的含义。
半导体三极管的命名方法(中日欧韩美)
半导体三极管的命名方法（中日欧韩美）按国家标准GB/T 249- 89 的规定，三极管的型号命名同二极管一样由五部分组成，其型号组成部分及其含义见表。
一、我国三极管的型号组成部分及其含义常见的三极管型号有3DG130C, 3AX52B等，其含义如下:头，日本产的半导体三极管是以“2S”开头，目前市场上以“2S”开头的日本品比较多。
日本产半导体器件命名方法如下:半导体三极管型号中的第三部分用A表示PNP型高频管，用B表示PNP型低频管，用C表示NPN型高频管，用D表示NPN型低频管;第四部分由数字组成，表示日本电子工业协会注册登记的顺序号，数字越大，表示产品越新;第五部分用字母表示对原型号的改进产品。
二、日本三极管的型号组成部分及其含义（常用）例子：三、欧洲常采用国际联合会制定的标准，对三极管型号的命名方法是:第一部分用A或B开头(A表示锗管，B表示硅管);第二部分用C表示低频小功率管，用F表示高频小功率管，用D表示低频大功率管，L表示高频大功率管，用S和U表示小功率开关管和大功率开关管;第三部分用数字表示登记序号，如BC87表示硅低频小功率管。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。
A、B、C、D、E┄┄表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。
常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀。
其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
二极管和三极管的命名规则
二极管和三极管的命名规则二极管和三极管是电子元件中常见的两种器件，它们在电子电路中发挥着重要的作用。
在本文中，我们将介绍二极管和三极管的命名规则，以及它们的工作原理和应用。
一、二极管的命名规则二极管是一种具有两个电极的器件，其中一个电极为正极（阳极），另一个电极为负极（阴极）。
根据国际电工委员会（IEC）的命名规则，二极管的命名通常包括以下几个部分：1.器件类型：用字母D表示二极管（Diode）。
2.器件用途：用字母A、B、C等表示不同的用途，比如A表示整流二极管，B表示变容二极管等。
3.器件材料：用字母A、B、C等表示不同的材料，比如A表示硅材料，B表示锗材料等。
4.器件构造：用数字1、2、3等表示不同的构造形式，比如1表示普通二极管，2表示快恢复二极管等。
5.器件电流：用字母和数字表示器件的额定电流，比如字母F表示0.5A，字母G表示1A等。
6.器件电压：用字母和数字表示器件的额定电压，比如字母A表示50V，字母B表示100V等。
二、三极管的命名规则三极管是一种具有三个电极（基极、发射极和集电极）的器件。
根据国际电工委员会（IEC）的命名规则，三极管的命名通常包括以下几个部分：1.器件类型：用字母Q表示三极管（Transistor）。
2.器件材料：用字母N、P表示不同的材料，N表示NPN型三极管，P表示PNP型三极管。
3.器件用途：用字母A、B、C等表示不同的用途，比如A表示低频放大三极管，B表示中频放大三极管等。
4.器件电流：用字母和数字表示器件的额定电流，比如字母F表示0.5A，字母G表示1A等。
5.器件功率：用字母和数字表示器件的额定功率，比如字母A表示0.5W，字母B表示1W等。
三、二极管的工作原理和应用二极管是一种具有单向导电性的器件，它只允许电流在一个方向上通过。
当二极管的正极连接到正电压，负极连接到负电压时，二极管处于正向偏置状态，电流可以从正极流向负极。
而当正极连接到负电压，负极连接到正电压时，二极管处于反向偏置状态，几乎不允许电流通过。
各国三极管型号中字母和数字的含义
四
五
说明
中国
3 （三个 极）
序号
规格 （可缺）
管顶色点与β （hFE） 的对应关系 （只 能作为参考值）
棕 5~15 红 15~25 橙 25~40 黄 40~55 绿 55~80
中国
3 （三个 极）
C：PNP 型硅材料 D：NPN 型硅材料
K：开关管 T：闸流管 J：结型场效应管 O：MOC· · ·表 示β 的大 小
例：BF100-A 表示高频小功率硅管 100 的改进型
蓝 序号 规格 （可缺） 80~ 120
紫 120~ 180
灰 180~ 270
白 270~ 400
黑 400~ 600
例： 3DX 表示 NPN 型低频小功率管
日本
S （日本电 2（2 个 子工业协 PN 结） 会）
A：PNP 高频 B：PNP 低频 C：NPN 高频 D：NPN 低频
两位以上 数字表示 登记号
用 A、B、 C· · ·字 例：2SA732，简化标志为 A732，表 母标示β 示该管为 PNP 型高频管 的大小
美国
N（美国 2（2 个 电子工业 PN 结） 协会）
多位数字表示登记 序号
美国产品符号仅表示产地，而不表 示规格和用途
欧洲
A： 锗管 B： 硅管
C：低频 小功率 D：低频 大功率 F： 高频小 功率 L：高频 大功率 S： 小功率 开关管 U：大功 率开关管
2sa732简化标志为a732表示该管为pnp型高频管美国n美国电子工业协会多位数字表示登记序号美国产品符号仅表示产地而不表示规格和用途欧洲c
各国三极管型号中字母和数字的含义
产地 型号部分 一 二
A：PNP 型锗材料 B：NPN 型锗材料
三极管的命名规则
三极管的命名规则一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N 型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN 型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
三极管引脚的命名-概述说明以及解释
三极管引脚的命名-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述三极管是一种常用的半导体器件，它在电子电路中起到放大、开关等重要作用。
在电子元件中，引脚的命名是非常重要的，因为正确的引脚连接是确保器件正常工作的基础。
本文将重点介绍三极管引脚的命名方法，探讨其规则和应用。
三极管引脚的命名方法涉及到三个引脚：发射极、基极和集电极。
这三个引脚承担着不同的功能，并按照特定的规则命名，以便于正确地连接和使用三极管。
引脚的命名方法以字母和数字组合的形式表示。
一般而言，大写字母代表英文单词的首字母，而数字则表示引脚的序号。
例如，E表示发射极，B表示基极，C表示集电极。
而数字1、2、3则代表对应引脚的序号。
在实际应用中，我们可以根据引脚的命名方法来正确地连接三极管。
通过准确地连接三极管的引脚，我们可以确保电子电路的正常工作，提高电路的可靠性和性能。
除了正确的连接三极管的引脚，了解三极管引脚的命名方法还能帮助我们更好地理解和应用三极管。
通过对引脚命名规则的研究，我们可以更深入地了解三极管的工作原理，以及如何在电子电路中灵活应用三极管。
在本文的后续部分，我们将详细介绍三极管引脚的命名规则和方法，并探讨其重要性和应用。
通过阅读本文，读者将能够全面了解三极管引脚的命名方法，并在实际应用中灵活运用。
让我们一起深入研究三极管引脚的命名，提升电子电路设计和工程实践的水平。
1.2文章结构文章结构的主要目的是给读者提供一个清晰的指南，帮助他们理解文中的内容和组织起来。
通过给予读者逻辑的组织和层次，文章的结构可以帮助读者更好地理解和消化所阐述的概念和信息。
本文的结构主要包括以下几个部分：1. 引言：在这一部分，将对三极管引脚的命名的重要性进行概述，引入本文的目的和意义。
2. 正文：在这一部分，首先会介绍三极管的基本概念和工作原理，以确保读者对三极管的基础知识有所了解。
然后将详细讨论三极管引脚的命名方法，包括常用的引脚标识符和符号，以及不同类型三极管的引脚编号规则。
半导体型号命名方法
半导体型号命名方法一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P 型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个p n结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NP N型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
三极管命名及使用
管 B 材料
G 3MHz,PC＜1W）
C NPN 型锗 D 高 频 小 功 率 管 （ fT ≥
D 材料
A 3MHz,PC＜1W）
E PNP 型硅 U 低频大功率（fT≤3MHz,PC
材料
K ≥1W）
NPN 型硅
高频大功率（fT≥3MHz,PC
材料
≥1W）
化合物材
光电器件
料
开关管
I 可控整流器 Y 体效应器件 B 雪崩管 J 阶跃恢复管
表 2-18 欧洲半导体器件命名法
第一部分 用字母表示 器件使用的 材料 符 意义 号
A 锗材 料
B 硅材 料
C 砷化 镓
D 锑化 铟
R 复合 材料
第二部分 用字母表示器件的类型及主要特性
符意义
符意 义
号
号
检波二极管、
A 开关二极管、 P 混频二极管
光敏器件
B 变容二极管 Q 发光器件
C 低频小功率三 R 小功率可
CS 场效应器件 BT 半导体特殊器件 FH 复合管 PIN PIN 型管 JG 激光器件
例如 3AD50C 表示低频大功率 PNP 型锗管；3DG6E 表示高频小功率 NPN 型硅管。
2.2 美国半导体器件命名法
根据美国电子工业协会（EIA）规定的半导体器件型号命名方法如表 2-16 所示。
表 2-16 美国半导体器件型号的命名法
第四部分 用 2～3 位数字 表示器件登记 顺序号
第五部分 用拉丁字母表 示同一种型号 器件的改进型
例如 2SA53 表示高频 PNP 型三极管，1S92 表示半导体二极管。
2.4 欧洲半导体器件命名法
由于目前欧洲各国没有明确统一的标准半导体器件型号命名法，故他们大都使用国际电
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三极管的命名规则
中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分意义如下:
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2二极管、3三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时: A-N型错材料、B-P型错材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时: A-PNP型错材料、B-NPN型错材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V微波管、w-稳压管、C参量管、Z 整流管L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K开关管、x-低频小功率管
(F3MHz,Pc1W),A-高频大功率管(P3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、Y体效应器件、B-雪崩管、J阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如: 3DG18表示NPN型硅材料高频三极管
日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、--依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。
两位以上的整数-从"11"开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大,越是近期产品。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。
A. B、C,D,E,F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。
美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:第一部分：用符号表示器件用途的类型。
JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-字航级、(无非军用品。
第二部分：用数字表示pn结数目。
1二极管、2-三极管、3三个pn结器件、n-n个pn结器件。
第三部分：美国电子工业协会(EIA)注册标志。
N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。
多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分：用字母表示器件分档。
A, B, C、 D、--一型号器件的不同档别。
举例： JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管, JAN军级、2-三极管、NEIA册标志、
3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。
国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。
这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。
A器件使用材料的禁带宽度Eg-0.6-1.0ev如错、B-器件使用材料的Eg=1.0-1.3ev如硅、C器件使用材料的Eg21.3eV如砷化,、D-器件使用材料的Egs0.6ev如锦化钢、E器件使用复合材料及光电池使用的材料。
第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。
A检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q发光器件、R小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、×倍增二极管、Y-整流二极管、Z稳压二极管。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。
三位数字代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。
A、B、C、 D、E表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类。
常见后缀如下:
稳压二极管型号的后缀。
其后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围,字母A、
B、c.D、E分别表示客许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后缀第二部分是数字,表示标
称稳定电·压的整数数值;后缀的第三部分是字母V,代表小数点,字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
整流二极管后缀是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏特。
晶闸管型号的后缀也是数字,通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如: BDX51表示NPN硅低频大功率三极管, AF239s-表示PNP错高频小功率三极管。