双通道 4A 电源通路理想二极管 具超低 15mV 正向电压

合集下载

可获得正、负输出的理想二极管电路图

可获得正、负输出的理想二极管电路图

可获得正、负输出的理想二极管电路图路的功能常用的二极管都有正向压降,不能进行微小信号整流,而当信号幅度较大时,环境温度若升高,整流电压又会跟着改变,很难构成高精度电路。

理想的二极管电路可获得过零的二极管特性,这种电路可用OP放大器的反馈电路实现。

电路工作原理OP 放大器A1为负输出的理想二极管电路,在输出端串接了二极管D1,并从D1的正极开始进行反馈,对于正的输入信号来说,A1只起单纯的反相放大器作用。

负输入时,OP放大吕A1的输出摆到正,D1被断开,为了保证其能在开环状态下工作以及防止饱和,在输出还接了二极管D2。

A1的正输出被二极管正向压降箝位。

OP放大器A2是放大倍数为1的反相放大器其作用是把A1的输出反相。

如果采用单极输出,可把A2去掉。

电路R3、R6的作用是用OP放大器的输入偏流IE消除失调电压,若选用FET输入OP放大器可去掉R3、R6。

元件选择在本电路中,精度随输入频率的升高而下降,这是因为精度的高低取决于开环频率特性,在最高频率时取多大的开环增益极为关键,频率小于10KHZ时,可选用4558型OP放大器,数十赫以下时应选用TL085或LF353N,大于10KHZ 时须用高速OP放大器,为了减少杂散电容的影响,反馈电阻的阻值应降到2"5K。

二极管可选用普通小信号用的开关二极管,但应注意,肖特基二极管有些产品耐压能力较差。

电阻的精度取决于电路允许的误差,可用正负1%以内的金属膜电阻。

注释小信号用二极管电路小信号硅二极管的主要用途是整流和限幅,用于高频检查波时,通常采用锗二极管或肖特基势垒二极管,它们的正向压降比硅二极管的低,特别是肖特二极管,虽然耐压能力低,但开关速度快,反向恢复时间短,适用于高频或高速转换电路。

除用作限幅外,在模拟信号的波形处理上二极管的正向压降VF及温度特性是值得考虑的问题,所以本电路把它放在OP放大器反馈环路中,构成所谓的理想二极管电路,在低频使用时其输入、输出的传输特性为理想的特性。

整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则

整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则

整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则Revised by Jack on December 14,2020整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则电子爱好者经常要用二极管。

二极管具有单向导电性,主要用于整流、稳压和混频等电路中。

本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。

(一)整流二极管的主要参数—最大平均整流电流。

指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。

该电流由PN结的结面积和散热条件决定。

使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值,并要满足散热条件。

例如1N4000系列二极管的IF为1A。

—最大反向工作电压。

指二极管两端允许施加的最大反向电压。

若大于此值,则反向电流(IR)剧增,二极管的单向导电性被破坏,从而引起反向击穿。

通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。

例如1N4001的VR为50V,1N4007的VR为1OOOV.—反向电流。

指二极管未击穿时反向电流值。

温度对IR的影响很大。

例如1N4000系列二极管在100°C条件IR应小于500uA;在25°C时IR应小于5uA。

—击穿电压。

指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。

反向为软特性时,则指给定反向漏电流条件下的电压值。

—反向恢复时间。

指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。

—最高工作频率。

主要由PN结的结电容及扩散电容决定,若工作频率超过fm,则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。

例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。

—零偏压电容。

指二极管两端电压为零时,扩散电容及结电容的容量之和。

值得注意的是,由于制造工艺的限制,即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。

手册中给出的参数往往是一个范围,若测试条件改变,则相应的参数也会发生变化,例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA,而在100°C时IR则变为小于500uA。

(二)稳压二极管的主要参数—稳定电压。

各类二极管(详细)

各类二极管(详细)

1N4148和1N5819的区别:高频、低压、大电流特性是1N5819二极管与普通二极管的不同点,它广泛被应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流,续流、保护二极管使用。

1N5819的特点是速度超快(开关损耗低),压降特低(电压损耗低),不过耐压也低,通常少于60V,适用于低压(<=12V)开关电源。

普通二级管快恢复速度中,压降大,耐压高,适用于高压(>12V~1000V)开关电源。

1N4148是点接触型的小电流整流管,速度高,不过电流才50mA,1N5819二极管的另一个用途是稳压--利用反向特性。

所以,耐压底,而电流又不大的时候,可以考虑用稳压管代替。

1N5819管的反向漏电比较大一点。

但是电容小。

速度快。

但是还没1N4148快,毕竟人家的用途是高频检波,而不是整流。

1N4148和1N4007的区别:1N4148和1N4007在一般小电流(100mA以下,反向电压100V以下)、不重要场合可应急能互相替换,1N4148是小电流开关管,100V耐压,1N4007是整流管,1A-1000V.代用型号都很多的种类一、整流二极管利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。

二、检波二极管把叠加在高频再波中的低频信号检测出来的器件,具有较高的检波频率和良好的频率特性,其在收音机中起检波作用。

三、开关二极管由于半导体二极管在正向偏压下导通电阻很小,而在施加反向偏压截止时,截止电阻很大,在开关电路中利用半导体二极管的这种单向导电特性就可以对电流起到接通和关断的作用。

四、稳压二极管稳压二极管,又名齐纳二极管,是利用PN结反向击穿时电压基本上不随电流变化而变化的特点来达到稳压的目的,因而其在电路中起到的作用就是稳压作用。

五、快速恢复二极管(FRD)这是一种新型的半导体二极管,其开关特性好,反向恢复时间短,常用于高频开关电源中做整流二极管。

彩电等家用电器采用开关电源供电的整流二极管通常为此类二极管,而不能是普通的整流二极管,否则电器将可能不能正常工作。

双通道 4A 电源通路理想二极管 具超低 15mV 正向电压

双通道 4A 电源通路理想二极管 具超低 15mV 正向电压

新闻发布 双通道 4A 电源通路理想二极管具超低 15mV 正向电压加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2011 年 11 月 10 日– 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation) 推出单片双通道 4A 电源通路 (PowerPath™) 理想二极管LTC4415,该器件为减少热量、压降和占用的电路板空间而设计,同时可在电源切换电路中延长电池运行时间。

对于那些需要理想二极管“或” (Diode-ORing) 功能以实现负载均分或在两个输入电源之间自动切换的应用而言,LTC4415 是理想的选择。

LTC4415 的超低 15mV 正向电压显著低于肖特基二极管的正向电压,因此可延长电池运行时间,并扩大工作电压范围,同时确保在电源切换时无振荡。

很低的 50mΩ导通电阻可降低功耗并减少热量。

LTC4415 使两个电源能一起工作,从 OUT 引脚回流至 IN 引脚的反向电流小于1µA,从而确保高效率的电源二极管“或”。

该 IC 在低至 1.7V 和高达 5.5V 时工作,从而能很好地与超级电容器备份系统配合,并支持采用更低电压电源轨的趋势。

其他应用包括一般情况下从多个输入电源吸取功率的系统,例如大电流电源通路开关、不间断电源、电池备份系统、具电池备份的应急系统、逻辑控制电源开关、以及汽车和工业系统。

LTC4415 每个理想二极管的最大正向电流为 4A,是可调的,以实现系统灵活性,同时该 IC 消耗不到 45uA 静态电流。

理想二极管的电流可以通过电流限制调节引脚的电压进行监视。

采用具精准门限的互补输入 EN1 和 /EN2 对两个理想二极管进行独立使能,并能任意确定其优先级排序。

如果任何一个输出电压超过其各自的输入电压,那么该理想二极管就关断,且开漏状态引脚指示这种传导状态。

当芯片温度接近过热停机温度,或者如果输出负载超过电流限制门限时,那么相应的报警引脚就被拉低。

二极管的常见故障及检测方法

二极管的常见故障及检测方法

二极管的常见故障及检测方法二极管是一种常用的电子器件,常见的故障主要包括断路、短路、漏电流大、漏电流不稳定等问题。

下面将详细介绍二极管的常见故障及检测方法。

首先,断路是指二极管内部形成导电路径的PN结因损坏或部分断裂而无法正常导通。

这种故障的主要原因有静电击穿、高温、电压过高、过电流等。

检测断路故障的方法是使用万用表的二极管测试档,将测试笔按顺序连接到二极管的两个引脚上,如果万用表显示无穿透电流,则可以判定为断路故障。

其次,短路是指PN结因损坏或部分短路而导致导通状态下的电流无法正常截止。

短路的原因主要包括潮湿、灰尘、高温、静电等。

检测短路故障的方法是同样使用万用表的二极管测试档,将测试笔按顺序连接到二极管的两个引脚上,如果万用表显示极高的电流,则可以判断为短路故障。

第三,漏电流大是指二极管在截止状态下,正向和反向的漏电流都超过了正常范围。

这种故障主要由PN结内部杂质、结面表面损伤、温度过高等原因引起。

检测漏电流大的方法是使用数字万用表的二极管测试档,将测试笔按顺序连接到二极管的两个引脚上,记录下正向和反向的穿透电流,并与二极管的规格书上标明的典型值进行比较。

最后,漏电流不稳定是指二极管在截止状态下,正向或反向的漏电流值不稳定,并且有较大的波动。

这种故障一般由于二极管内部存在电子缺陷、PN结不均匀等原因引起。

检测漏电流不稳定故障的方法是使用示波器将二极管的正向或反向端子与地连接,观察示波器上的波形图,如果波形不稳定且存在明显的扭曲或混杂的情况,则可以判断为漏电流不稳定故障。

总的来说,二极管的常见故障有断路、短路、漏电流大、漏电流不稳定等。

检测这些故障的方法主要包括使用万用表的二极管测试档和示波器观察波形等。

在实际操作中,需要结合具体故障现象和二极管的规格书来进行准确的判断和诊断,并采取相应的修复措施。

二极管电路的解题方法

二极管电路的解题方法

二极管电路的解题方法中职《电子技术基础》教学中,二极管电路的计算看似简单,但实际学生计算起来却不易上手,往往容易出现错误,不能得出正确的结果。

并且到学生临近毕业时,这种电路题大多数学生仍不会做。

问题出在什么地方呢?主要在于方法不得当,概念模糊,思维没跟上。

下面就这类题型的解题方法进行探讨。

一、利用电位法进行求解在教学实践中,我总结出用电位法可快速准确求解出这类题目。

现在,我们先探讨理想二极管问题。

所谓理想二极管是指二极管正向偏置时正向压降为0,正向电阻为0;而反向偏置时,反向电流为0,反向电阻为∞。

一定条件下把二极管理想化能快速解决许多类似问题,是可行的。

例一:如图(1)所示,d1为理想二极管,其它参数如图,试求uab两端的电压值。

分析:此类题型首先要弄清楚二极管在电路中的状态,即是正向导通,还是反偏截止的。

利用电位法就可快速确定二极管的状态。

步骤:①选定参考点,根据电路组成情况选择合适的位置为参考点。

在本电路中,b、c、d三点均可作为电路的参考点,我们这里选择c点作为电路的参考点。

注意,a点不能作为电路的参考点,为什么呢?是因为d1的状态未确定,电路的电流也未知,若a点作为电路的参考点,电路其它位置的电位就不能确定下来。

②根据参考点的选择确定b、d两点的电位。

很明显,由于uc=0v,e2=12v,所以ub=12v;而e1=6v,且d点接e1负极,故ud=12v-6v=6v。

因此电路局部可以画成下图:非常明显,d1为正向偏置,所以d1导通。

由于d1为理想二极管,导通时正向压降为0v,故ua=ud=6v。

所以本题uab=ua-ub=6v-12v=-6v。

例二:如图(3)所示,d1、d1均为理想二极管,其它参数如图,试求uab两端的电压为多少。

分析步骤:①选定参考点,根据电路组成情况选择合适的位置为参考点。

同样,在本电路中,b、c、d三点均可作为电路的参考点。

为分析问题简便,我们把通过导线直接相连的所有位置视为同一点,即等电位点,即在上图中所标注的三个b点我们把它看作为一个点。

理想二极管的电压

理想二极管的电压

理想二极管的电压
理想二极管是一种电子元件,具有非常特殊的电学性质。

它是一种单向导电器件,只允许电流在一个方向上流动。

当二极管处于正向偏置状态时,电流可以自由地通过它。

而当二极管处于反向偏置状态时,几乎没有电流流过它。

这种特殊的电学性质使得二极管在电子电路中有着广泛的应用。

在正向偏置状态下,理想二极管的电压非常小,一般在0.7V左右。

这个电压被称为二极管的正向压降。

当电压超过这个值时,二极管就会变成非常低阻抗的导体,电流可以很容易地通过它。

而在反向偏置状态下,理想二极管的电压几乎为零,只有极小的泄漏电流流过它。

需要注意的是,这里所说的理想二极管是指一种完美的二极管,它的电学性质完全符合理论上的预期。

实际的二极管会受到制造工艺、材料等因素的影响,其电学性质可能会有所偏差。

因此,在实际应用中要根据具体情况选择合适的二极管。

- 1 -。

sr同步整流理想二极管

sr同步整流理想二极管

sr同步整流理想二极管
理想二极管是一种特殊的二极管模型,它具有以下特性:
1. 正向导通特性:当二极管的正向电压超过其正向电压阈值(一般为0.6V - 0.7V),理想二极管可以完全导通,电阻近
似为零。

换言之,它可以允许正向电流流过。

2. 反向截止特性:当二极管的反向电压低于其反向电压阈值时,理想二极管将完全截止,电流通过量近似为零。

它表现为一个完全开路的元件。

3. 导通时功耗为零:理想二极管在正向导通状态下,没有功耗,能够保持一个恒定的电压。

与理想二极管相反,实际二极管会具有一些非理想的特性,如正向压降、反向漏电流等。

这些非理想特性是由于材料的物理属性和器件工艺的限制造成的。

二极管正向开启电压变大的原因

二极管正向开启电压变大的原因

一、二极管的基本结构及工作原理二极管是一种由P型半导体和N型半导体构成的器件,其基本结构为P-N结。

当外加电压为正向时,P-N结会变窄,电子会从N区域迁移到P区域,产生电流。

而在反向偏置时,P-N结会变宽,电流无法通过。

二、二极管的正向开启电压对于硅材质的二极管,其正向开启电压为0.7V;对于锗材质的二极管,其正向开启电压为0.3V。

这意味着当外加的正向电压超过了这个数值时,P-N结会变窄,电流会流过二极管。

三、引起二极管正向开启电压变大的原因1. 材料的选择不同材质的二极管其正向开启电压不同,主要是由于材料的能带结构不同造成的。

硅材质的二极管因为其能带宽度较大,所以正向开启电压较高;而锗材质的二极管因为其能带宽度较小,所以正向开启电压较低。

2. 接面形状与尺寸二极管的接面形状与尺寸也会对正向开启电压产生影响。

在一些特殊工艺之下可以制作出正向开启电压较低的二极管。

3. 掺杂浓度P型半导体和N型半导体的掺杂浓度也会影响二极管的正向开启电压。

掺杂浓度越高,正向开启电压越低。

4. 温度的影响温度也是影响二极管正向开启电压的因素之一。

一般来说,温度越高,正向开启电压越低。

四、结语在实际工程中,我们需要根据具体的使用场景选择合适的二极管。

对于对正向开启电压要求较低的场景,例如输入端保护和开关电源等,可以选择锗材质的二极管;而对于对稳定性要求较高的场景,例如放大器和整流电路等,可以选择硅材质的二极管。

同时在实际应用中,也需要考虑到温度、尺寸和成本等多方面因素,综合选择最合适的二极管。

五、对二极管正向开启电压的优化在一些应用中,需要优化二极管的正向开启电压以获得更好的性能。

以下是一些常见的优化方法:1. 材料工艺改进通过改进材料工艺,可以调整材料的能带结构,从而优化正向开启电压。

可以通过改变材料的掺杂浓度或者添加特定的杂质来调节材料的能带宽度,从而达到降低正向开启电压的效果。

2. 表面处理表面处理技术可以改变二极管的接触性能,从而影响正向开启电压。

二极管开启电压的名词解释

二极管开启电压的名词解释

二极管开启电压的名词解释要理解二极管开启电压,我们首先需要了解二极管的基本原理和结构。

二极管是一种最简单的电子元件,由两个半导体材料(通常是硅或锗)组成。

这两个半导体材料分别被称为P型半导体和N型半导体。

当二极管接通正向电压时,即正端连接到P型半导体,负端连接到N型半导体,它变为导电的状态;而当反向电压加大到一定程度时,即正端连接到N型半导体,负端连接到P型半导体,它变为绝缘的状态。

在二极管的开启过程中,存在一个特定的电压,被称为“开启电压”或“正向电压”。

二极管的工作原理决定了它在正向电压下的导电特性。

在设定的电压阈值以下,二极管会处于关断状态,不允许电流通过;而一旦正向电压达到或超过开启电压,二极管会迅速进入导电状态。

开启电压的数值取决于二极管的材料、温度以及其他因素。

最常见的硅二极管的开启电压通常在0.6V至0.7V之间。

这意味着当二极管的正向电压达到0.6V至0.7V时,它开始导电。

具体来说,当二极管处于关断状态时,通过二极管的电流非常微小,可以忽略不计。

然而,一旦正向电压达到一定值,二极管内部的电场会在P-N结附近发生弯曲,压倒了反向电场,使电子能够从P型半导体向N型半导体移动,同时空穴从N型半导体向P型半导体移动。

这种向外的电流流动就是导通电流。

值得注意的是,二极管的开启电压并不是固定不变的,它会受到温度、电流、压力等因素的影响。

例如,当温度升高时,二极管的开启电压会略微减小,而当电流增大时,二极管的开启电压可能会稍微增加。

二极管开启电压的概念在实际电路设计中非常重要。

它不仅影响着电路的稳定性和可靠性,还可以用来控制电流的流动和限制电路的工作范围。

通过选择适当的二极管,电路设计师可以确保二极管的开启电压在所需范围内,以便实现特定的功能。

总结起来,二极管开启电压是指当正向电压达到一定程度时,二极管从关断状态转变为导通状态的电压阈值。

这个数值取决于二极管的材料、温度和其他因素。

了解和正确应用二极管开启电压对于理解电子电路的工作原理和设计实践非常重要。

模拟电子技术基础第四讲二极管电路的分析续ppt课件

模拟电子技术基础第四讲二极管电路的分析续ppt课件

小结
6、对二极管伏安特性曲线中不同区段的利用,可以构 成各种不同的运用电路。组成各种运用电路时,关键是外 电路〔包括外电源、电阻等元件〕必需为器件的运用提供 必要的任务条件和平安保证。
重点难点
重点: (1)半导体二极管的V-I特性及主要参数 (2)二极管的根本电路及分析方法 (3)稳压管任务原理及运用
第2章 半导体二极管及其根本电路
• 2.1 半导体的根本知识 • 2.2 PN结 • 2.3 半导体二极管 • 2.4 二极管根本电路及分析方法 • 2.5 特殊二极管
2.5 特殊二极管
2.5.1 稳压二极管 2.5.2 光电子器件
1. 光电二极管 2. 发光二极管
2.5.1 稳压二极管
1.稳压特性
解1求静态工作点画出直流通路二极管采用直流模型2画交流通路二极管采用交流模型这时的信号是小信号用一个半导体功率器件作为开关该器件不断地重复开启和关断使得输入的直流电压在通过这个开关器件后变成了方波该方波经过电感ma93279326mv2610000962796用一个半导体功率器件作为开关该器件不断地重复开启和关断使得输入的直流电压在通过这个开关器件后变成了方波该方波经过电感241243244a2472410251253用一个半导体功率器件作为开关该器件不断地重复开启和关断使得输入的直流电压在通过这个开关器件后变成了方波该方波经过电感21半导体的基本知识22pn结23半导体二极管24二极管基本电路及分析方法25特殊二极管用一个半导体功率器件作为开关该器件不断地重复开启和关断使得输入的直流电压在通过这个开关器件后变成了方波该方波经过电感251稳压二极管252光电子器件发光二极管用一个半导体功率器件作为开关该器件不断地重复开启和关断使得输入的直流电压在通过这个开关器件后变成了方波该方波经过电感1

二极管参数大全

二极管参数大全

"*" Trr TEST @ IF=1.0A, VR=30V, di/dt=50A /μs "△" Trr TEST @ IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A]The device number listed have a standard tolerance on the nominal Zener voltage of1SS1811S283680100 1.23000.58041SS1841S283880100 1.23000.58041SS1871SS22380100 1.23000.58041SS19080100 1.23000.58041SS1931SS22180100 1.23000.58041SS19680100 1.23000.58041SS2261SS12380100 1.23000.5804BAL99LT170100 1.25100 2.5706BAS116LT175200 1.253000.0575 3.0μS BAS16LT175200 1.253001759BAS19LT1125200 1.256250.112550BAS21LT1250200 1.25625125050BAV70LT170100 1.25200 2.5706BAV74LT150********.1504BAV99LT170100 1.252001706BAV199LT170100 1.25200570 3.0μS BAV170LT170150 1.25200570 3.0μS BAW56LT170200 1.25250 2.5706BAW156LT170200 1.25250 2.570 3.0μS BAS40-04/05/06402001400.2355BAS70-04/05/06702001150.2505BAT54-A/C/S 3020011002255MMBD914LT175200150 2.5754MMBD4148LT17530011005704MMBD2835LT135100 1.21000.1304MMBD2836LT175100 1.21000.1504MMBD2837LT135150 1.21000.1304MMBD2838LT175150 1.21000.1504MMBD6050LT170100 1.12000.1504MMBD6100LT170100 1.12000.1504MMBD7000LT11001001.110031004BZX8 SERIESIcbo (μA)Vcb (V)MIN MAX S9011LT12253030200.128200S9012LT1300-500-40-20-0.160300S9013LT130050040200.160300S9014LT122510040450.1601000SOT-23三极管 SOT-2TYPE PC (mW)IC (mA)Bvcbo(V)oohFEMIN Vdc Max IF mA Max μ A VR Vz=2.4-75V Pw=300mWSOT-23 开关二极管 SOT-23 SWITCHING DIODESTYPE CONCERNED TYPE VRIF m A VF Vdc IRTrr ns "*" Trr TEST @ IF=1.0A, VR=30V, di/dt=50A /μs "△" Trr TEST @ IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A]RU4Z 200270 1.33.510150DO-27S5295G 400130 1.41.05150DO-41S5295J 600130 1.41.05150DO-41TVR4J 600 1.540 1.24.051000SDO-15TVR4N10001.5401.24.051000SDO-151SS1811S283680100 1.23000.58041SS1841S283880100 1.23000.58041SS1871SS22380100 1.23000.58041SS19080100 1.23000.58041SS1931SS22180100 1.23000.58041SS19680100 1.23000.58041SS2261SS12380100 1.23000.5804BAL99LT170100 1.25100 2.5706BAS116LT175200 1.253000.0575 3.0μS BAS16LT175200 1.253001759BAS19LT1125200 1.256250.112550BAS21LT1250200 1.25625125050BAV70LT170100 1.25200 2.5706BAV74LT150********.1504BAV99LT170100 1.252001706BAV199LT170100 1.25200570 3.0μS BAV170LT170150 1.25200570 3.0μS BAW56LT170200 1.25250 2.5706BAW156LT170200 1.25250 2.570 3.0μS BAS40-04/05/06402001400.2355BAS70-04/05/06702001150.2505BAT54-A/C/S 3020011002255MMBD914LT175200150 2.5754MMBD4148LT17530011005704MMBD2835LT135100 1.21000.1304MMBD2836LT175100 1.21000.1504MMBD2837LT135150 1.21000.1304MMBD2838LT175150 1.21000.1504MMBD6050LT170100 1.12000.1504MMBD6100LT170100 1.12000.1504MMBD7000LT11001001.110031004BZX8 SERIESVR SOT-23 开关二极管 SOT-23 SWITCHING DIODESTYPE CONCERNED TYPE VRVz=2.4-75V Pw=300mWMIN Vdc Max IF mA Max μ A IF m A VF Vdc IRTrr nsIcbo (μA)Vcb (V)MIN MAX IC (mA)S9011LT12253030200.1282001S9012LT1300-500-40-20-0.160300-50S9013LT130050040200.16030050S9014LT122510040450.16010001S9015LT1225-100-50-45-0.1601000-1S9016LT12252530200.1282001S9018LT12255030180.1282001S8050LT130050040250.18030050S8550LT1300-500-40-25-0.160300-502SA1015LT1225-150-50-50-0.170400-22SC1815sLT122510060500.19060012SC1815LT122515060500.17070022SC945LT122515060500.1707001MMBT5401LT1300-600-160-150-0.180250-10MMBT5551LT13006001801600.18025010MMBTA42LT13003003003000.18025010MMBTA92LT1300-300-310-305-0.2580250-10TYPE V CBO V V CEO V Ic mA P DmW BCW29LT1-32-32-100225120/2600.4-0.320BCW30LT1-32-32-100225215/5000.4-0.320BCW33LT13020100225420/800 2.0/5.00.2510/0.5BCW60ALT13232100225120/220 2.0/5.00.5550/1.25BCW60BLT13232100225175/310 2.0/5.00.5550/1.25BCW60DLT13232100225380/630 2.0/5.00.5550/1.25BCW61BLT1-32-32-100225140/3100.4-0.5540BCW61CLT1-32-32-100225250/4600.4-0.5540BCW61DLT1-32-32-100225380/6300.4-0.5540BCW65ALT1603280022575/22010/1.00.7500/50BCW68GLT1-60-45-800225120/40010-1.510BCW69LT1-45-100225120/2600.4-0.320BCW70LT1-45-100225215/5000.4-0.320BCW72LT15045100225200/450 2.0/5.00.2510/0.5BC807-16LT1-50-45-500225100/250100-0.710BC807-25LT1-50-45-500225160/400100-0.710BC807-40LT1-50-45-500225250/600100-0.710BC817-16LT15045500225100/250100/1.00.7500/50BC817-25LT15045500225160/400100/1.00.7500/50BC817-40LT15045500225250/600100/1.00.7500/50BC846ALT18065100225110/220 2.0/5.00.6100/5.0BC846BLT18065100225200/450 2.0/5.00.6100/5.0BC847ALT15045100225110/220 2.0/5.00.6100/5.0BC847BLT15045100225200/450 2.0/5.00.6100/5.0BC847CLT15045100225420/8002.0/5.00.6100/5.0SOT-23三极管 SOT-23 TRANSISTORTYPE PC (mW)IC (mA)Bvcbo(V)oohFESOT-23 TRANSISTORS h FEIc/VCE Min/MaxmA/Volts VCE (sat) Max Ic/IBVoltsmAD80-004152500。

4a二极管参数

4a二极管参数

4a二极管参数
二极管是一种常见的电子器件,用于控制电流的流动方向。

它具有许多参数,以下是常见的二极管参数:
1. 最大正向电压(Vf):指的是二极管能够正常工作的最大正向电压值。

超过这个电压,二极管可能会损坏。

2. 最大反向电压(Vr):指的是二极管能够承受的最大反向电压值。

超过这个电压,二极管可能会击穿。

3. 最大正向电流(If):指的是二极管能够承受的最大正向电流值。

超过这个电流,二极管可能会损坏。

4. 反向漏电流(Ir):指的是二极管在反向电压下的漏电流。

一般情况下,反向漏电流应尽可能小。

5. 正向压降(Vd):指的是二极管在正向电流下的压降。

不同类型的二极管,其正向压降可能会有所不同。

6. 动态电阻(rd):指的是二极管在正向偏置下的动态电阻。

动态电阻值越小,二极管的导通性能越好。

7. 响应时间(trr):指的是二极管从导通到截止的时间。

这个参数对于高频应用非常重要,响应时间越短越好。

以上是一些常见的二极管参数,不同类型的二极管可能会有不同的参数规格。

在选择和应用二极管时,我们需要根据具体的需求和电路设计要求来确定最合适的二极管型号和参数。

二级管的基础知识

二级管的基础知识

二、极管基础知识1.二极管的主要参数正向电流I F:在额定功率下,允许通过二极管的电流值。

正向电压降VF:二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。

最大整流电流(平均值)I OM:在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。

反向击穿电压V B:二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。

正向反向峰值电压V RM:二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。

反向电流I R:在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。

结电容C:电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。

最高工作频率F M:二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。

2.常用二极管(1)整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管,它是面结合型的功率器件,因结电容大,故工作频率低。

通常,IF在1安以上的二极管采用金属壳封装,以利于散热;IF在1安以下的采用全塑料封装(见图二)由于近代工艺技术不断提高,国外出现了不少较大功率的管子,也采用塑封形式。

(a)全密封金属结构(b)塑料封装(2)? 检波二极管检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。

(3)开关二极管在脉冲数字电路中,用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管,它的特点是反向恢复时间短,能满足高频和超高频应用的需要。

开关二极管有接触型,平面型和扩散台面型几种,一般IF<500毫安的硅开关二极管,多采用全密封环氧树脂,陶瓷片状封装,如图三所示,引脚较长的一端为正极。

图3、硅开关二极管全密封环环氧树脂陶瓷片状封装(4)稳压二极管稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管,它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点,来达到稳压的目的,因为它能在电路中起稳压作用,故称为、稳压二极管(简称稳压管)其图形符号见图4图4、稳压二极管的图形符号稳压管的伏安特性曲线如图5所示,当反向电压达到Vz时,即使电压有一微小的增加,反向电流亦会猛增(反向击穿曲线很徒直)这时,二极管处于击穿状态,如果把击穿电流限制在一定的范围内,管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。

二极管未完全导通 电压

二极管未完全导通 电压

二极管未完全导通电压【原创版】目录1.二极管的基本概念2.二极管的导通与截止3.二极管未完全导通的原因4.二极管未完全导通时的电压特点5.应用实例与注意事项正文一、二极管的基本概念二极管是一种半导体器件,具有单向导通的特性。

当二极管的正极连接到高电位,负极连接到低电位时,二极管处于正向导通状态,允许电流通过;当正极连接到低电位,负极连接到高电位时,二极管处于反向截止状态,电流不会通过。

二、二极管的导通与截止1.正向导通:当二极管的正极连接到高电位,负极连接到低电位时,二极管处于正向导通状态。

此时,正向电压与正向电流呈非线性关系,正向电压在一定范围内增加时,正向电流会显著增大。

2.反向截止:当二极管的正极连接到低电位,负极连接到高电位时,二极管处于反向截止状态。

此时,反向电压与反向电流也呈非线性关系,但反向电压增加时,反向电流几乎不变,保持在很小的值(漏电流)。

三、二极管未完全导通的原因二极管未完全导通,即正向电压未达到一定值,导致正向电流较小。

造成二极管未完全导通的原因可能有:1.正向电压不足:当正向电压低于二极管的死区电压时,二极管将不会导通。

2.温度影响:温度对二极管的导通电压有影响,当温度过低时,二极管的导通电压可能会升高,导致未完全导通。

3.制造工艺:二极管的制造工艺会影响其导通电压,工艺不佳可能导致二极管未完全导通。

四、二极管未完全导通时的电压特点当二极管未完全导通时,其正向电压与正向电流呈非线性关系。

此时,正向电压在一定范围内增加时,正向电流会缓慢增大,但未达到完全导通的状态。

五、应用实例与注意事项1.在实际电路中,应确保二极管工作在完全导通或截止状态,以保证电路的正常工作。

2.设计电路时,应注意二极管的死区电压,避免正向电压低于死区电压,导致二极管未完全导通。

3.在使用二极管时,应注意温度对其导通电压的影响,确保工作温度在合适范围内。

基于TMS320F28034的超级电容电池管理系统设计

基于TMS320F28034的超级电容电池管理系统设计

基于TMS320F28034的超级电容电池管理系统设计殷宇辰;余震虹;赵智佩【摘要】新能源公交车主要以可充放电的电池驱动为主要动力来源.传统的电池主要是化学电池,而化学电池因为使用时间过长会造成原料损耗、电容总量不可精确测量等等原因,在作为公交车电池时,往往会造成很多不利的影响.因此开发了一种基于TMS320F28034的超级电容管理系统,能够实时准确地获取电池组的电压信息,实验结果显示误差率低于1%,并能够根据电压数据对电压较高的电池进行均衡放电,从而提升电池组的使用寿命,节省能源的消耗.【期刊名称】《电源技术》【年(卷),期】2019(043)008【总页数】4页(P1344-1347)【关键词】电池管理系统;超级电容;均衡放电【作者】殷宇辰;余震虹;赵智佩【作者单位】江南大学物联网工程学院,江苏无锡214122;江南大学物联网工程学院,江苏无锡214122;江南大学物联网工程学院,江苏无锡214122【正文语种】中文【中图分类】TM53电动汽车逐渐成为了人们理想的汽车替代品,电动汽车使用动力电池作为主要能量来源,同时汽车的驱动系统也依赖电池作为保障,因此电池的性能直接关系到电动汽车的工作效率、能耗情况、安全等因素[1-2]。

在电池的使用过程中存在着显著的“木桶效应”,即在一整套工作的电池组中有一个电池组电压明显不同于其它电池,那么该电池组无论是在能量消耗还是使用寿命上都会受到影响。

同时,温度的高低也会影响电池组的工作性能[3]。

因此,电池管理系统成为了国内外学者研究的重点。

本文开发了一套基于TMS320F28034的超级电容管理系统,使用AD7280芯片来对电池组的电压数据进行采集,能够对高电压电池进行放电均衡。

数据通信采用CAN总线,并用一个CAN收发器连接到PC端,可以在PC端得到电池组信息并处理。

经过实验,本文的设计方案有效可行。

1 系统结构该系统用于检测超级电容器组内每个电容的工作电压,以及电容组的总电压、总电流,并通过符合SAEJ1939协议的CAN总线与整车仪表系统连接,并调电容压差,保持系统电容电量的一致性。

理想二极管的正向导通电阻为 。

理想二极管的正向导通电阻为 。

理想二极管的正向导通电阻为。

理想二极管的正向导通电阻是什么?
在电子学中,二极管是一种基本电子元件,它有两个电极:一个是“正极”,另一个是“负极”。

当正极电压高于负极时,二极管将会导通,电流可以通过它流过。

而当正极电压低于负极时,二极管会截止,电流无法通过。

因此,二极管常被用来作为电路中的开关,或者作为信号整形器或者调制器。

理想二极管指的是一种特殊的二极管,它具有以下特点:
1. 导通时,电压降为0,不会有任何电压损失;
2. 截止时,电流为0,不会有任何电流流过;
3. 导通时,电流可以通过它流过,而且不会受到任何限制。

理想二极管的正向导通电阻就是在正向导通状态下,二极管两端的电压差与电流之比,通常用符号R来表示。

在理想二极管中,正向导通电阻为0,因为导通时没有任何电压损失,所以电流可以不受限制地通过。

但是,现实中的二极管并非完全理想,它总会有一些电压损失和电流限制。

因此,在实际应用中,我们需要考虑实际二极管的导通电阻。

实际二极管的导通电阻通常是几十欧姆到几百欧姆之间,具体取决于二极管的类型和工作条件。

在电路设计中,理想二极管的概念是非常重要的,它可以帮助我们简化电路分析和计算。

但是,在实际应用中,我们必须考虑实际二极管的特性,以确保电路的正确性和稳定性。

理想二极管的正向导通电阻为0,但实际二极管的导通电阻会存在一定的限制。

在电路设计中,我们需要充分考虑实际二极管的特性,以确保电路的正确性和稳定性。

二极体正向压降

二极体正向压降

二极体正向压降
二极体的正向压降是指在规定的正向电流下,二极管的正向电压降。

正向压降是二极管能够导通的正向最低电压。

当电流从阳极流向阴极时,二极管两端会出现一个正向压降。

正向压降会随着温度的变化以及正向电流的变化而进行改变。

一般来说,随着温度的升高,正向压降会降低;而随着正向电流的增加,正向压降也会降低。

在使用二极管时,我们要考虑到极限工作状态下,二极管的压降是否能满足电路的要求。

同时,在设计电路时,也需要根据二极管的特性来选择适当的元件以满足电路的需求。

齐纳二极管(稳压二极管)工作原理及主要参数

齐纳二极管(稳压二极管)工作原理及主要参数

齐纳二极管(稳压二极管)工作原理及主要参数齐纳二极管也叫稳压二极管.一般二极管处于逆向偏压时,若电压超过PIV(逆向峰值电压)值时二极管将受到破坏,这是因为一般二极管在两端的电位差既高之下又要通过大量的电流,此时所产生的功率所衍生的热量足以使二极管烧毁。

齐纳二极管就是专门被设计在崩溃区操作,是一个具有良好的功率散逸装置,可以当做电压参考或定电压组件。

若利用齐纳二极管作为电压调节器,将使附载电压保持在Vz附近且几乎唯一定值,不受附载电流或电源上电压变动影响。

一般二极管之崩溃电压,在制作时可以随意加以控制,所以一般齐纳二极管之崩电压(Vz)从数伏特至上百伏特都有。

一般齐纳二极管在特性表或电路上除了标住Vz外,均会注明Pz也就是齐纳二极管所能承受之做大功率,也可由Pz=Vz*Iz 换算出奇纳二极管可通过最大电流Iz。

dz3w上有个在线计算器,电路设计时可以用来计算稳压二极管的相关参数.齐纳二极管工作原理齐纳二极管主要工作于逆向偏压区,在二极管工作于逆向偏压区时,当电压未达崩溃电压以前,二极管上并不会有电流产生,但当逆向电压达到崩溃电压时,每一微小电压的增加就会产生相当大的电流,此时二极管两端的电压就会保持于一个变化量相当微小的电压值(几乎等于崩溃电压),下图为齐纳二极管之电压电流曲线,可由此应证上述说明。

齐纳二极管(又叫稳压二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。

在通常情况下,反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。

这个漏电流一直保持一个常数,直到反向电压超过某个特定的值,超过这个值之后PN结突然开始有大电流导通(图1.15)。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

新闻发布
双通道 4A 电源通路理想二极管
具超低 15mV 正向电压
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2011 年 11 月 10 日– 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation) 推出单片双通道 4A 电源通路 (PowerPath™) 理想二极
管LTC4415,该器件为减少热量、压降和占用的电路板空间而设计,同时可在电源切换电路中延长电池运行时间。

对于那些需要理想二极管“或” (Diode-ORing) 功能以实现负载均分或在两个输入电源之间自动切换的应用而言,LTC4415 是理想的选择。

LTC4415 的超低 15mV 正向电压显著低于肖特基二极管的正向电压,因此可延长电池运行时间,并扩大工作电压范围,同时确保在电源切换时无振荡。

很低的 50mΩ导通电阻可降低功耗并减少热量。

LTC4415 使两个电源能一起工作,从 OUT 引脚回流至 IN 引脚的反向电流小于
1µA,从而确保高效率的电源二极管“或”。

该 IC 在低至 1.7V 和高达 5.5V 时工作,从而能很好地与超级电容器备份系统配合,并支持采用更低电压电源轨的趋势。

其他应用包括一般情况下从多个输入电源吸取功率的系统,例如大电流电源通路开关、不间断电源、电池备份系统、具电池备份的应急系统、逻辑控制电源开关、以及汽车和工业系统。

LTC4415 每个理想二极管的最大正向电流为 4A,是可调的,以实现系统灵活性,同时该 IC 消耗不到 45uA 静态电流。

理想二极管的电流可以通过电流限制调节引脚的电压进行监视。

采用具精准门限的互补输入 EN1 和 /EN2 对两个理想二极管进行独立使能,并能任意确定其优先级排序。

如果任何一个输出电压超过其各自的输入电压,那么该理想二极管就关断,且开漏状态引脚指示这种传导状态。

当芯片温度接近过热
停机温度,或者如果输出负载超过电流限制门限时,那么相应的报警引脚就被拉低。

内部热量限制电路在出现故障情况时保护该器件,而软启动可限制启动时的浪涌电流。

LTC4415 有 E 级和 I 级版本,两种版本的额定工作温度范围均为 -40°C 至
125°C ,采用耐热增强型 16 引线 3mm x 5mm DFN 和 MSOP 封装。

千片批购价为每片
2.95 美元。

如需更多信息,请登录 /product/LTC4415。

性能概要性能概要::LTC4415

双通道 50m Ω 单片低泄漏理想二极管 •
1.7V 至 5.5V 的工作电压范围 •
每个二极管的可调电流限制高达 4A •
15mV 正向压降 (在调节状态中) •
44µA 低工作电流 •
利用二极管“或”实现平稳切换 •
负载电流监视器 •
精确启动门限以设定切换 •
软启动以限制启动时的浪涌电流 •
状态引脚指示正向二极管传导 •
具报警功能的电流和热量限制 •
耐热增强型 16 引线 MSOP 和 DFN (3mm x 5mm x 0.75mm) 封装
凌力尔凌力尔特公司简介特公司简介
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 是 S&P 500 指数的成员,在过往的 30 年时间里,一直致力于为全球主要的公司设计、制造和销售门类宽泛的高性能模拟集成电路。

凌力尔特的产品为我们身处的模拟世界与数字化电子建立起不可或缺的桥梁,应用范围包括通信、网络、工业、汽车、计算机、医疗、仪表、消费、以及军事和航空航天系统等领域。

凌力尔特制造的产品包括电源管理、数据转换、信号调理、RF 和接口 IC 、以及 µModule ® 子系统等。

LT 、LTC 、LTM 、µModule PowerPath 是凌力尔特公司的商标。

所有其他商标均为其各自拥有者的产权。

媒体垂询:
刘佩芬 (Fanny Lau)
flau@
电话: 852-2428 0303
敖琼 (Angela Ao) angela.ao@ 电话: 86-10-6522 8081 John Hamburger jhamburger@
电话: 408-432 1900 ext 2419 Doug Dickinson ddickinson@
电话: 408-432 1900 ext 2233。

相关文档
最新文档