晶圆厂HOOKUP系统简介
HOOK-UP施工进度保障方案
爱尔HOOK-UP工程施工保障方案中国电子系统工程第二建设有限公司200７年０3月9日第一节项目概况本工程为西安爱尔微电子生产线工艺设备HOOＫ-UＰ工程和划片车间净化改造工程，位于西安市高新技术开发区新型工业园内。
主要系统包括:电气系统、压缩空气系统、氮气系统、氮氢混合气系统、工艺冷却水系统、排风系统、生产废水系统、工艺真空系统、自来水系统、纯水系统、配管配电的金属壁板开孔及安装工程、划片车间净化通风系统升级改造工程。
我方的工作范围包括上述各系统的方案设计、施工及管理、竣工资料整理、测试验收，并最终确保一次性交验合格,满足业主的使用。
第二节项目特点➢技术要求高、施工难度大二次配管种类繁多，设备分布广泛，涉及到不同种类、不同介质和不同材质的配管和连接,各系统的测试调试也具有较为严格的要求。
此外,主要工作在已经建成的洁净室进行，工艺生产及施工同时进行，洁净施工管理要求严格。
因此对施工单位管理能力和施工技术水平等要求较高。
➢工期较为紧张本工程施工总工期根据业主设备到场情况待定，每台设备业主方需提供详细的动力需求及设备定位时间,以便我方编制详细的机台ＨＯOK-UP计划。
➢交叉施工作业多每一台工艺设备的ＨOOK-ＵP可能均涉及到排风管道、给排水管道、大宗气体管道、配电和控制等，涉及面广泛。
而且设备安装比较集中，因此安装工程存在较多的交叉作业。
需要现场进行有效的协调管理。
➢合理、有效的施工空间管理。
施工中由于工期要求高,技术含量要求高,厂房内工艺设备的摆放比较密集，HOOK－UP施工和生产同时进行,如何有效合理的利用厂房的空间,确保施工的安全性、工期和质量也是本工程的一个特点。
第三节编制说明该方案针对本工程HＯOK-UP项目的系统安装与施工管理,作以合理的统。
半导体厂GAS系统基础知识解读
GAS系统基础知识概述HOOK-UP专业认知一、厂务系统HOOK UP定义HOOK UP 乃是藉由连接以传输UTILITIES使机台达到预期的功能。
HOOK UP是将厂务提供的UTILITIES ( 如水,电,气,化学品等),经由预留之UTILITIES连接点( PORT OR STICK),藉由管路及电缆线连接至机台及其附属设备( SUBUNITS)。
机台使用这些UTILITIES,达成其所被付予的制程需求并将机台使用后,所产生之可回收水或废弃物( 如废水,废气等),经由管路连接至系统预留接点,再传送到厂务回收系统或废水废气处理系统。
HOOK UP 项目主要包括∶CAD，MOVE IN ，CORE DRILL，SEISMIC ，VACUU，GAS，CHEMICAL，D.I ,PCW,CW,EXHAUST,ELECTRIC, DRAIN.二、GAS HOOK-UP专业知识的基本认识在半导体厂，所谓气体管路的Hook-up（配管衔接）以Buck Gas （一般性气体如CDA、GN2、PN2、PO2、PHE、PAR、H2等）而言，自供气源之气体存贮槽出口点经主管线（Main Piping）至次主管线（Sub-Main Piping）之Take Off点称为一次配（SP1Hook-up），自Take Off出口点至机台（Tool）或设备（Equipment）的入口点，谓之二次配（SP2 Hook-up）。
以Specialty Gas（特殊性气体如：腐蚀性、毒性、易燃性、加热气体等之气体）而言其供气源为气柜（Gas Cabinet）。
自G/C出口点至VMB（Valve Mainfold Box.多功能阀箱）或VMP（Valve Mainfold Panel多功能阀盘）之一次测（Primary）入口点，称为一次配（SP1 Hook-up），由VMB或VMP Stick之二次侧（Secondary）出口点至机台入口点谓之二次配（SP2 Hook-up）。
hook_up相关知识
GAS 系统基础知识概述HOOK-UP专业认知一、厂务系统HOOK UP定义HOOK UP 乃是藉由连接以传输UTILITIES使机台达到预期的功能。
HOOK UP是将厂务提供的UTILITIES ( 如水,电,气,化学品等),经由预留之UTILITIES连接点( PORT OR STICK),藉由管路及电缆线连接至机台及其附属设备( SUBUNITS)。
机台使用这些UTILITIES,达成其所被付予的制程需求并将机台使用后,所产生之可回收水或废弃物( 如废水,废气等),经由管路连接至系统预留接点,再传送到厂务回收系统或废水废气处理系统。
HOOK∶，MOVE IN ，CORE DRILL，SEISMIC ，UP 项目主要包括CADVACUU，GAS，CHEMICAL，D.I ,PCW,CW,EXHAUST,ELECTRIC, DRAIN.二、GAS HOOK-UP专业知识的基本认识在半导体厂，所谓气体管路的Hook-up（配管衔接）以Buck Gas（一般性气体如CDA、GN2、PN2、PO2、PHE、PAR、H2等）而言，自供气源之气体存贮槽出口点经主管线（Main Piping）至次主管线（Sub-Main Piping）之Take Off点称为一次配（SP1 Hook-up），自Take Off出口点至机台（T ool）或设备（Equipment）的入口点，谓之二次配（SP2 Hook-up）。
以Specialty Gas（特殊性气体如：腐蚀性、毒性、易燃性、加热气体等之气体）而言其供气源为气柜（Gas Cabinet）。
自G/C出口点至VMB（Valve Mainfold Box.多功能阀箱）或VMP（Valve Mainfold Panel多功能阀盘）之一次测（Primary）入口点，称为一次配（SP1 Hook-up），由VMB或VMP Stick之二次侧（Secondary）出口点至机台入口点谓之二次配（SP2 Hook-up）。
晶圆生产常用名词介绍
注： 1）按照TOC（约束理论），提高瓶颈设备的Used of available%，就是提高生产率； 2）由于每个时期过片需求不同，导致Used of available%数值不同，因此，我们也会 把Used of available%当100%的OEE数值，定为设备的目标OEE； 3）Used of available%相当于机台Loading(即机台负载），因此计算设备产能时,会将 设备OEE中的Used of available%=100%，来反推机台的Loading；
WPH： wafer per hour,机台每小时之圆片产出量。用来衡量设备的产出速率 WPH=BATCH/SPT
Capacity:产能，设备目标OEE条件下按照SPT计算单位时间内的理论产出数量 Capacity/day =WPH*24*OEE target
-3-
1.3 Capacity_计算原理
品服务的提供过程都看作一种“投入→变换→产出”的过程，作为一种具有共性的问题来研究
顾客或用户参与 投入
人力 物料 设备 技术 信息 知识 能源 土地 厂房
产出
增值变换
（工艺过程或执行步骤） 产品 服务
信息收集与反馈
-8-
2.1生产管理系统
生产管理：对生产运作过程进行计划、组织、指挥、协调、控制和考核的一系列管理活动。
1、WIP数量及WIP分布的管控 2、产能大小及稳定性管控
- 12 -
3.3 CT、output与WIP、Capacity的关系及管控
Output（layer/day) =WIP/(CT/layer) 当WIP大于某个值时： Output（layer/day)=Capacity（layer/day) 此时 CT/layer =WIP/ Capacity（layer/day) CT、output 改善： 1.控制WIP在合理水平 2.努力提升静态瓶颈设备产能 3.保证设备稳定性，减少工艺限制， 以减少动态瓶颈
晶圆分选机的作用
晶圆分选机的作用晶圆分选机是半导体制造中一种重要的生产设备，其作用是在晶圆生产过程中对晶圆进行筛选和分类，以确保产品的质量和性能达到要求。
本文将从晶圆分选机的原理、分类、应用以及发展趋势等方面进行介绍。
一、晶圆分选机的原理晶圆分选机通过一系列的物理和化学检测手段，对晶圆的性能进行评估和分类。
其主要原理包括以下几个方面：1. 光学检测：晶圆分选机利用光学系统对晶圆进行检测，通过测量晶圆表面的反射光强度、颜色等参数来判断晶圆的质量和性能。
2. 电学检测：晶圆分选机利用电学系统对晶圆进行检测，通过测量晶圆的电阻、电容等参数来评估晶圆的电学性能。
3. 化学检测：晶圆分选机利用化学分析技术对晶圆进行检测，通过测量晶圆材料的成分和纯度来判断晶圆的化学性能。
二、晶圆分选机的分类晶圆分选机根据其功能和应用领域的不同，可以分为以下几类：1. 质量分选机：主要用于对晶圆的外观质量进行检测和评估，包括表面缺陷、氧化层、污染等。
2. 电性分选机：主要用于对晶圆的电学性能进行检测和分类，包括电阻、电容、电感等参数。
3. 成分分析机：主要用于对晶圆材料的成分和纯度进行分析和评估，包括杂质含量、掺杂元素等。
4. 光学分选机：主要用于对晶圆的光学性能进行检测和评估，包括光反射率、透明度等参数。
三、晶圆分选机的应用晶圆分选机广泛应用于半导体制造、光电子、光伏等领域。
其主要作用包括以下几个方面：1. 提高产品质量：晶圆分选机可以对晶圆进行全面、准确的检测和分类，确保产品的质量达到要求，提高产品的可靠性和稳定性。
2. 提高生产效率：晶圆分选机可以实现晶圆的自动化处理和高速分选，大大提高了生产效率，降低了生产成本。
3. 降低产品成本：晶圆分选机可以对晶圆进行精细的分类，将质量合格的晶圆与不合格的晶圆分开处理，降低了废品率，减少了产品成本。
四、晶圆分选机的发展趋势随着半导体工艺的不断发展和进步，晶圆分选机也在不断创新和改进。
未来晶圆分选机的发展趋势主要包括以下几个方面：1. 多功能化：晶圆分选机将不仅仅限于单一的功能，而是向多功能化发展，可以同时检测和分类晶圆的多个参数。
HOOK-UP系统简介
HOOK-UP系统简介工作特点1．晶圆厂简介2．晶圆厂所需气体之特性与功能3．晶圆厂所需化学物质及其特性4．工作内容1．晶圆厂简介晶圆厂是生产芯片的现代化厂房，其主要工作场所为无尘室。
无尘室是恒温恒湿的，温度为21°C。
相对湿度为65%。
一般晶圆厂无尘室分为扩散区（炉管区）、黄光区、蚀刻区、薄膜区。
2．晶圆厂所需气体之特性及功能由于制程上的需要，在半导体工厂使用了许多种类的气体。
一般我们皆以气体特性来区分。
可分为特殊气体及一般气体两大类。
前者为使用量较小之气体。
如SiH4、NF3等。
后者为使用量较大之气体。
如N2、CDA等。
因用量较大；一般气体常以“大宗气体”称之。
即Bulk Gas。
特气—Specialty Gas。
2-1 Bulk Gas在半导体制程中，需提供各种高纯度的一般气体使用于气动设备动力、化学品输送压力介质或用作惰性环境，或参与反应或去除杂质度等不同功能。
目前由于半导体制程日益精进，其所要求气体纯度亦日益提并。
以下将简述半导体厂一般气体之品质要求及所需配合之设备及功能。
2-1-1大宗气体种类：半导体厂能使用的大宗气体，一般有CDA、GN2、PN2、PAr、PO2、PH2、PHe等7种。
2-1-2 大宗气体的制造：<1> CDA/ICA(Clean Dry Air)洁净干燥空气。
CDA之来源取之于大气经压缩机压缩后除湿，再经过滤器或活性炭吸附去除粉尘及碳氢化合物以供给无尘室CDA/ZCD。
CDA System:空气压缩机缓衡储存槽冷却干燥机过滤器CDA<2> GN2利用压缩机压缩冷却气体成液态气体。
经触媒转化器，将CO反应成CO2，将H2反应成H2O，再由分筛吸附CO2、H2O，再经分溜分离O2&CnHm。
N2=-195.6°C O2=-183°CPN2将GN2经由纯化器(Purifier)纯化处理，产生高纯度的N2。
一般液态原氮的纯度为99.9999%经纯化器纯化过的氮的纯度为99.9999999%GN2&PN2 System(见附图)<3> PO2经压缩机压缩冷却气体成液态气体，经二次分溜获得99%以上纯度之O2，再除去N2、Ar、CnHm。
晶圆生产常用名词介绍
Total Time
Non
-
Scheduled
Time
Working
Time
Uptime
Downtime
Engineering
Time
Available
Time
Productive
Time
Idle
Time
Unscheduled
Downtime
(DOWN)
1.1生产流通名词
#2022
- * -
SOP：Standard Operation Procedure---标准操作程序 SPT：standard process time，在适宜的操作条件下，采用标准操作方法，以普通熟练工人的正常速度完成标准作业所需的时间。一般指作业一个Batch需要的时间。 BATCH:一次生产量，一次操作所生产的数量，设备每个RUN的圆片数量。 WPH： wafer per hour,机台每小时之圆片产出量。用来衡量设备的产出速率 WPH=BATCH/SPT Capacity:产能，设备目标OEE条件下按照SPT计算单位时间内的理论产出数量 Capacity/day =WPH*24*OEE target
加权平均WPH=
Batch
加权平均SPT
Loading最高的设备组为工厂的瓶颈设备组。 FAB Capacity一般用光刻层数（layer数）表示。
FAB Capacity=
总光刻层数
瓶颈设备组Loading
- * -
1.3 Capacity_计算原理
1.4 Capacity_影响产能的因素
F(x)
投入 人力 物料 设备 技术 信息 知识 能源 土地 厂房
增值变换 （工艺过程或执行步骤）
晶圆厂HOOKUP系统简介
工作特点1．晶圆厂简介2．晶圆厂所需气体之特性与功能3．晶圆厂所需化学物质及其特性4．工作内容1．晶圆厂简介晶圆厂是生产芯片的现代化厂房，其主要工作场所为无尘室。
无尘室是恒温恒湿的，温度为21°C。
相对湿度为65%。
一般晶圆厂无尘室分为扩散区（炉管区）、黄光区、蚀刻区、薄膜区。
2．晶圆厂所需气体之特性及功能由于制程上的需要，在半导体工厂使用了许多种类的气体。
一般我们皆以气体特性来区分。
可分为特殊气体及一般气体两大类。
前者为使用量较小之气体。
如SiH4、NF3等。
后者为使用量较大之气体。
如N2、CDA等。
因用量较大；一般气体常以“大宗气体”称之。
即Bulk Gas。
特气—Specialty Gas。
2-1 Bulk Gas在半导体制程中，需提供各种高纯度的一般气体使用于气动设备动力、化学品输送压力介质或用作惰性环境，或参与反应或去除杂质度等不同功能。
目前由于半导体制程日益精进，其所要求气体纯度亦日益提并。
以下将简述半导体厂一般气体之品质要求及所需配合之设备及功能。
2-1-1大宗气体种类：半导体厂能使用的大宗气体，一般有CDA、GN2、PN2、PAr、PO2、PH2、PHe等7种。
2-1-2 大宗气体的制造：<1> CDA/ICA(Clean Dry Air)洁净干燥空气。
CDA之来源取之于大气经压缩机压缩后除湿，再经过滤器或活性炭吸附去除粉尘及碳氢化合物以供给无尘室CDA/ZCD。
CDA System:空气压缩机缓衡储存槽冷却干燥机过滤器CDA<2> GN2利用压缩机压缩冷却气体成液态气体。
经触媒转化器，将CO反应成CO2，将H2反应成H2O，再由分筛吸附CO2、H2O，再经分溜分离O2&CnHm。
N2=°C O2=-183°CPN2将GN2经由纯化器(Purifier)纯化处理，产生高纯度的N2。
一般液态原氮的纯度为%经纯化器纯化过的氮的纯度为%GN2&PN2 System(见附图)<3> PO2经压缩机压缩冷却气体成液态气体，经二次分溜获得99%以上纯度之O2，再除去N2、Ar、CnHm。
晶圆厂HOOKUP系统简介
工作特色1．晶圆厂简介2．晶圆厂所需气体之特征与功能3．晶圆厂所需化学物质及其特征4．工作内容1．晶圆厂简介晶圆厂是生产芯片的现代化厂房，其主要工作场所为无尘室。
无尘室是恒温恒湿的，温度为21°C。
相对湿度为65%。
一般晶圆厂无尘室分为扩散区（炉管区）、黄光区、蚀刻区、薄膜区。
2．晶圆厂所需气体之特征及功能因为制程上的需要，在半导体工厂使用了很多种类的气体。
一般我们皆以气体特性来划分。
可分为特别气体及一般气体两大类。
前者为使用量较小之气体。
如 SiH4、NF3 等。
后者为使用量较大之气体。
如N2、CDA等。
因用量较大；一般气体常以“大宗气体”称之。
即Bulk Gas 。
特气— Specialty Gas。
2-1 Bulk Gas在半导体系程中，需供应各样高纯度的一般气体使用于气动设施动力、化学品输送压力介质或用作惰性环境，或参加反响或去除杂质度等不一样功能。
当前因为半导体系程日趋精进，其所要求气体纯度亦日趋提并。
以下将简述半导体厂一般气体之质量要求及所需配合之设施及功能。
2-1-1 大宗气体种类：半导体厂能使用的大宗气体，一般有CDA、GN2、PN2、PAr、PO2、PH2、PHe 等7种。
<1> CDA/ICA(Clean Dry Air)干净干燥空气。
CDA之根源取之于大气经压缩机压缩后除湿，再经过滤器或活性炭吸附去除粉尘及碳氢化合物以供应无尘室CDA/ZCD。
CDA System:空气压缩机缓衡储藏槽冷却干燥机过滤器CDA<2> GN2利用压缩机压缩冷却气体成液态气体。
经触媒转变器，将CO 反响成 CO2，将 H2 反响成 H2O，再由分筛吸附CO2、 H2O，再经分溜分别O2&CnHm 。
N2=°C O2=-183°CPN2将 GN2 经由纯化器 (Purifier) 纯化办理，产生高纯度的N2。
一般液态原氮的纯度为 %经纯化器纯化过的氮的纯度为%GN2&PN2System(见附图 )<3> PO2经压缩机压缩冷却气体成液态气体，经二次分溜获取99%以上纯度之 O2，再除掉 N2、Ar、CnHm。
大宗气体及特殊气体
GAＳ系统基础知识概述HOOK—UP专业认知一、厂务系统HOＯK UＰ定义ＨOOＫ UP 乃就是藉由连接以传输UTILIＴIES使机台达到预期得功能、HOＯK UP就是将厂务提供得 UＴILIＴIES ( 如水,电,气,化学品等),经由预留之ＵTIＬＩＴＩＥＳ连接点( ＰORT ＯR STICK),藉由管路及电缆线连接至机台及其附属设备( ＳUBUNITS)、机台使用这些 UTIＬITIＥS,达成其所被付予得制程需求并将机台使用后,所产生之可回收水或废弃物( 如废水,废气等),经由管路连接至系统预留接点,再传送到厂务回收系统或废水废气处理系统。
ＨOOK UP 项目主要包括∶CAD,MOVE IＮ ,CORE DRIＬL,ＳEISMＩＣ ,VACＵＵM,GAＳ, ＣHEＭＩCAL ,D、I ,PＣＷ,CW,EXＨＡUST,ＥLECTRＩC, DＲAＩＮ。
二、GAS ＨOOK－UP专业知识得基本认识在半导体厂,所谓气体管路得Hook—up(配管衔接)以Ｂucｋ Gas(一般性气体如ＣＤA、GN2、PＮ2、ＰO２、ＰHE、PAR、H2等)而言,自供气源之气体存贮槽出口点经主管线(Mａiｎ Pｉping)至次主管线(Suｂ－Maｉｎ Pｉping)之Taｋe Ｏｆf点称为一次配(SP１ Hook—ｕp),自Take Ofｆ出口点至机台(Tool)或设备(Ｅｑｕipment)得入口点,谓之二次配(SP2 Hｏｏk－ｕp)。
以SｐecialtｙＧaｓ(特殊性气体如:腐蚀性、毒性、易燃性、加热气体等之气体)而言其供气源为气柜(Gaｓ Cabiｎｅt)。
自G／C出口点至ＶMB(Valve MａｉｎfolｄBox、多功能阀箱)或VMP(Valve Ｍainfoｌｄ Pａnel多功能阀盘)之一次测(Primaｒy)入口点,称为一次配(SP1 Hook－ｕｐ),由VMB或VMP Stick之二次侧(Secoｎｄarｙ)出口点至机台入口点谓之二次配(SP2 Hｏok-up)。
大宗气体及特殊气体
GAS 系统基础知识概述HOOK-UP专业认知一、厂务系统HOOK UP定义HOOK UP 乃就是藉由连接以传输UTILITIES使机台达到预期的功能。
HOOK UP就是将厂务提供的 UTILITIES ( 如水,电,气,化学品等),经由预留之UTILITIES连接点( PORT OR STICK),藉由管路及电缆线连接至机台及其附属设备( SUBUNITS)。
机台使用这些 UTILITIES,达成其所被付予的制程需求并将机台使用后,所产生之可回收水或废弃物( 如废水,废气等),经由管路连接至系统预留接点,再传送到厂务回收系统或废水废气处理系统。
HOOK UP 项目主要包括∶CAD,MOVE IN ,CORE DRILL,SEISMIC ,VACUUM,GAS, CHEMICAL ,D、I ,PCW,CW,EXHAUST,ELECTRIC, DRAIN、二、GAS HOOK-UP专业知识的基本认识在半导体厂,所谓气体管路的Hook-up(配管衔接)以Buck Gas(一般性气体如CDA、GN2、PN2、PO2、PHE、PAR、H2等)而言,自供气源之气体存贮槽出口点经主管线(Main Piping)至次主管线(Sub-Main Piping)之Take Off点称为一次配(SP1 Hook-up),自Take Off出口点至机台(Tool)或设备(Equipment)的入口点,谓之二次配(SP2 Hook-up)。
以Specialty Gas(特殊性气体如:腐蚀性、毒性、易燃性、加热气体等之气体)而言其供气源为气柜(Gas Cabinet)。
自G/C出口点至VMB(Valve Mainfold Box、多功能阀箱)或VMP(Valve Mainfold Panel多功能阀盘)之一次测(Primary)入口点,称为一次配(SP1 Hook-up),由VMB或VMP Stick之二次侧(Secondary)出口点至机台入口点谓之二次配(SP2 Hook-up)。
无尘室hook-up施作过程
无尘室HOOK UP 风管施作过程(壹)：施工前的准备（1）：依照业主设备安装的机台查点设计图进行施工。
（2）：确认业主各设备制作、运输、搬运、安装、试机、生产时程表。
（总表）（3）：确认各设备使用之液体、气体、化学溶剂、及其产生的废弃物、液体、气体分析如（酸排、碱排、热排、有机排）、并对其流量取得数据。
（4）：对其施工顺序、材料规格、等与工程师确认。
（5）：查核机台编号、位置、型式、尺寸、厂商是否正确。
（6）：会同业主、设备安装监理工程师、系统制程各协力厂商、进行第一次现场会堪，并对机台查点位置详细确认，完成标示预留孔位，查核现场暂存及施工预制区域。
（7）：会堪后进行会议，对其各机台运输时期、搬运过程、安装时间表，及进行协调制程管路安装路境使用，主系统预留孔位置和机台排气口径、排气孔数量、法兰型式、软管型式、排气量、气体分析如（酸排、碱排、热排、有机排）、并对其流量取得数据。
（8）：绘制ISO图档送交审议，制定制程管路安装、试机、生产时程表。
（9）：对于会堪后会议所得数据，进行材料采购及车间预制管件送交工地进行施工。
(贰)：施工中的准备（1）：各机台运输搬运时，既对其机台设备查核机台编号、位置、型式、尺寸、厂商是否正确。
（2）：对安装时间流程进行了解，查核采购材料、车间预制管件，是否送至工地进行施工准备。
（3）：会同业主、设备安装监理工程师、系统制程各协力厂商、进行第二次现场会堪，并查核机台查点位置是否正确，标示机台预留孔位气体分析如（酸排、碱排、热排、有机排），查核主系统预留孔位置和机台排气口径、排气孔数量、法兰型式、软管型式、排气风量，现场暂存及施工预制区域，并配合制定制程管路安装、试机、生产时程表进行施工。
（4）：确定送交审议ISO图，是否审查签核准许施工。
（5）：确定机台排气口径、排气孔数量、法兰型式、软管型式、排气风量，现场暂存及施工预制区域，并配合制定制程管路安装、试机、生产时程表进行施工。
晶圆上蜡机原理
晶圆上蜡机原理
晶圆上蜡机的工作原理主要涉及以下几个步骤：
1. 定位与固定：首先，晶圆被精确地定位在机器中，通常是通过精密的机械臂或真空吸盘进行操作。
这一步确保晶圆在后续处理中的位置准确性。
2. 涂蜡：接下来，涂蜡装置会将特制的蜡均匀地涂在晶圆的表面。
这一步通常通过喷涂、刷涂或浸涂的方式进行，具体取决于机器的设计和工艺要求。
3. 干燥与固化：涂蜡后，晶圆被送入干燥区，蜡层经过干燥和固化过程。
这个过程是为了确保蜡层牢固地附着在晶圆表面，为后续的加工或处理做好准备。
4. 后续处理：完成涂蜡和干燥后，晶圆可以进行后续的加工或处理。
这可能包括进一步的处理、切割、研磨等操作。
需要注意的是，具体的原理和步骤可能会因不同的晶圆上蜡机型号和制造商而有所差异。
在实际操作中，还需要根据具体的工艺要求和晶圆特性进行适当的调整和优化。
核电仪表HOOK UP设计分析
核电仪表HOOK UP设计分析摘要：本文结合某在役核电工程HOOK UP设计，对压水堆核电仪表HOOK UP设计进行简要分析。
对于核电站中的该设计的产生原因以及设计过程加以分析，对设计中需要注意的事项进行概括，为日后的核电站仪表HOOK UP设计提供必要的参考与借鉴。
关键词：HOOK UP；仪表；核电；引言过程仪表为核电站运行人员提供重要的运行参数，对核电站安全运行起着重要作用。
核电厂内存在大量的仪表管线，负责监测流量，压力等机组状态信息。
根据经验反馈，已发生过多起热胀或振动原因导致仪表管线断裂事件，直接影响到了核电厂的安全性和经济效益。
为了避免仪表受被测量管道或设备的热膨胀及地震带来的振动影响，需利用仪表管敷设设计吸收被测量管道或设备的热膨胀及振动导致的位移，这种特殊的仪表管敷设详细设计称之为HOOK UP设计。
HOOK UP设计不仅仅要有具体的施工图图纸设计，还必须有与之匹配的力学计算依据。
1 仪表管线基本构成仪表管线通常是接在上游工艺管线上，界限是一次隔离阀，也称为根阀。
隔离阀之前的管线由上游工艺专业负责设计。
仪表管线主要由仪表管、管件、二次阀组成，从根阀开始到仪表结束。
2 核电仪表管线设计核电厂仪表管线施工区别于工艺管道的按照管道三维制作图施工。
仪表管布置设计到现场施工，基本的流程是设计方提供初步的敷设路径，施工方测量管道安装的位置，按现场情况合理安排，避开有碍检修、易受机械损伤、腐蚀、振动及影响测量之处。
配管不强求集中，但应整齐、美观、固定牢固，尽量少煨弯和交叉，在满足测量的要求下，按最短的路径敷设。
在核电管道设计中一部分管道必须进行应力分析和计算的，而对于管径小、管道长度短、常温常压、非易燃易爆或有毒介质、不连接动设备或不产生振动的管道一般不需要进行应力分析计算。
核电仪表设计现行并没有将可能产生热位移和振动的情况进行特殊设计，只是按照通用布置规则敷设并设置支架，没有力学计算验证是否满足应力分析要求。
Hook up流程图
Hook up流程图
开始
Hook up开始前一个月，制造单位提供设备Layout Layout包括设备Utility接口名称、接口方式方式、位置、管径、流量等信息
设备厂商需同时到场Marking 机台进场前两周，制造单位进
行设备Marking。
Marking好后
通知厂务进行一次会勘
Hook up厂商根据一次会勘信
息准备进行材料加工、现场预
配，预配管道表盘位置。
设备Move in并定位
Marking包括设备Utility名称、接口
方式、位置、管径、流量、压力等信
息
在此期间完成从take off点到表盘所
有的配管工作，包括高架地板、天花
盲板的开孔收边等。
二次会勘：设备定位
及一次会勘信息再次
确认
N
召开现场会议，
讨论变更方案
Y
高架地板与天花重新开孔Hook up开始施工
由于二次会堪与一次会勘信息不一以二次会堪完成日起7天内
完成该设备的hook up工作。
结束
致，可适当延长二次配时间，需现场
讨论。
晶圆 lto单元
晶圆 LTO 单元介绍晶圆 LTO（Long Term Optimization）单元是一种用于存储数据的磁带技术。
它是一种高容量、高性能和可靠性的数据存储解决方案，广泛应用于大型企业和科研机构等需要长期保存数据的场景。
本文将深入探讨晶圆 LTO 单元的原理、应用和未来发展趋势。
LTO 技术简介LTO（Linear Tape-Open）技术是一种开放的磁带存储标准，由 IBM、惠普和Quantum 共同开发。
LTO 技术采用了线性录制方式，即数据在磁带上按照线性顺序进行存储和读取。
它具有高容量、高速度和可靠性等优势，成为存储大量数据的理想选择。
晶圆 LTO 单元的工作原理晶圆 LTO 单元由几个关键部件组成，包括磁带、磁头、驱动器和控制器等。
其工作原理如下：1.数据写入：当需要将数据写入晶圆 LTO 单元时，控制器会将待写入的数据分成块，并生成校验和等校验信息。
然后，控制器将数据块按照线性顺序发送给驱动器。
2.磁带录制：驱动器将接收到的数据块转换成磁场信号，并通过磁头将信号写入磁带上的磁性层。
磁带上的磁性层能够保持磁场的稳定性，从而确保数据的长期保存。
3.数据读取：当需要读取数据时，驱动器通过磁头将磁带上的磁场信号转换成电信号，并发送给控制器。
控制器将接收到的信号解码，并与校验信息进行比对，确保数据的完整性和准确性。
晶圆 LTO 单元的优势晶圆 LTO 单元相比其他存储技术具有以下优势：1.高容量：晶圆 LTO 单元的磁带具有极高的存储密度，能够存储大量的数据。
目前，最新一代的 LTO 磁带可以存储超过 30TB 的数据，满足了大型企业和科研机构等对大容量存储的需求。
2.高速度：晶圆 LTO 单元的数据传输速度非常快，可以达到每秒几百兆字节甚至更高的速度。
这使得数据的备份和恢复过程更加高效，节省了大量的时间和资源。
3.可靠性：晶圆 LTO 单元采用了多重校验机制，确保数据的完整性和准确性。
此外，磁带作为一种非易失性存储介质，能够长期保存数据并抵抗外界环境的影响，具有很高的可靠性。
gaas晶圆倒扣封装技术
gaas晶圆倒扣封装技术GaaS（Gas as a Service）晶圆倒扣封装技术是一种创新的封装技术，它将晶圆颠倒放置并封装，用于实现高性能、高密度的电子元件集成。
这种技术不仅可以提高电子设备的性能和可靠性，还可以节省成本和空间。
晶圆倒扣封装技术的原理是将芯片封装在封装基板上，然后将晶圆颠倒放置在基板上。
晶圆倒扣封装技术可分为半导体芯片颠倒封装和传感器芯片颠倒封装两种类型，下面分别进行介绍。
1. 半导体芯片颠倒封装：半导体芯片颠倒封装是将芯片颠倒放置在封装基板上，并使用填充材料填充空隙，然后通过电连接线将芯片与基板上的引脚连接。
这种封装方式可以有效降低封装导致的电阻和电感，提高信号传输的可靠性和速度。
此外，倒扣封装可以减少芯片的体积和重量，提高系统的集成度和性能。
2. 传感器芯片颠倒封装：传感器芯片颠倒封装是将传感器芯片颠倒放置在封装基板上，并通过射线或球焊接等方式将芯片连接到基板上。
这种封装方式可以降低封装的干扰和损耗，提高传感器的灵敏度和响应速度。
倒扣封装还可以提高传感器的抗干扰性能，使其在复杂环境中更加稳定和可靠。
GaaS晶圆倒扣封装技术的优势不仅在于封装过程中对系统性能和可靠性的提升，还在于节省了成本和空间。
首先，由于倒扣封装可以减少封装材料的使用和封装工艺的复杂性，因此可以降低封装成本。
其次，倒扣封装可以减小封装的体积和重量，使得电子设备更加紧凑和轻便，适应于小型化和微型化的应用场景。
然而，GaaS晶圆倒扣封装技术也存在一些挑战和问题需要解决。
首先，封装过程中对芯片的倒扣和连接需要高精度的设备和工艺，这对生产工艺和设备的要求较高。
其次，倒扣封装对封装材料的选用和填充工艺有较高的要求，需要寻找合适的材料和工艺来实现。
此外，倒扣封装还需要考虑热膨胀系数不匹配、介电常数不匹配等材料特性带来的问题。
为了克服这些挑战，研究人员正在开展一系列研究和探索。
他们致力于研发高精度的倒扣封装工艺和设备，以提高封装的可靠性和一致性。
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工作特点1．晶圆厂简介2．晶圆厂所需气体之特性与功能3．晶圆厂所需化学物质及其特性4．工作内容1．晶圆厂简介晶圆厂是生产芯片的现代化厂房，其主要工作场所为无尘室。
无尘室是恒温恒湿的，温度为21°C。
相对湿度为65%。
一般晶圆厂无尘室分为扩散区（炉管区）、黄光区、蚀刻区、薄膜区。
2．晶圆厂所需气体之特性及功能由于制程上的需要，在半导体工厂使用了许多种类的气体。
一般我们皆以气体特性来区分。
可分为特殊气体及一般气体两大类。
前者为使用量较小之气体。
如SiH4、NF3等。
后者为使用量较大之气体。
如N2、CDA等。
因用量较大；一般气体常以“大宗气体”称之。
即Bulk Gas。
特气—Specialty Gas。
2-1 Bulk Gas在半导体制程中，需提供各种高纯度的一般气体使用于气动设备动力、化学品输送压力介质或用作惰性环境，或参与反应或去除杂质度等不同功能。
目前由于半导体制程日益精进，其所要求气体纯度亦日益提并。
以下将简述半导体厂一般气体之品质要求及所需配合之设备及功能。
2-1-1大宗气体种类：半导体厂能使用的大宗气体，一般有CDA、GN2、PN2、PAr、PO2、PH2、PHe等7种。
2-1-2 大宗气体的制造：<1> CDA/ICA(Clean Dry Air)洁净干燥空气。
CDA之来源取之于大气经压缩机压缩后除湿，再经过滤器或活性炭吸附去除粉尘及碳氢化合物以供给无尘室CDA/ZCD。
CDA System:空气压缩机缓衡储存槽冷却干燥机过滤器CDA<2> GN2利用压缩机压缩冷却气体成液态气体。
经触媒转化器，将CO反应成CO2，将H2反应成H2O，再由分筛吸附CO2、H2O，再经分溜分离O2&CnHm。
N2=-195.6°C O2=-183°CPN2将GN2经由纯化器(Purifier)纯化处理，产生高纯度的N2。
一般液态原氮的纯度为99.9999%经纯化器纯化过的氮的纯度为99.9999999%GN2&PN2 System(见附图)<3> PO2经压缩机压缩冷却气体成液态气体，经二次分溜获得99%以上纯度之O2，再除去N2、Ar、CnHm。
另外可由电解方式解离H2&O2PO2 System（见附图）<4> PAr经压缩机压缩冷却气体成液态气体，经二次分溜获得99.0%以上纯度之氩气。
因Ar在空气中含量仅0.93%。
生产成本相对较高。
PAr System (见附图)<5> PH2经压缩机压缩冷却气体成液态气体，经二次分溜获得99.0%以上纯度之H2。
另外可由H2O电解解离H2&O2。
制程廉价但危险性高易触发爆炸。
PH2 System (见附图)<6> PHe由稀有富含He的天然气中提炼，其主产地为美国及俄罗斯。
利用压缩机压缩冷却气体为液态气体，易由分溜获得。
He lium=-268.9°C Methane (甲烷)= -161.4°CPHe System (见附图)2-1-3 大宗气体在半导体厂中的用途CDA主要供给FAB内气动设备动力气源及吹净(Purge),Local Scurruber助燃。
ICA主要供给厂务系统气动设备动力气源及吹净。
N2主要供给部份气动设备气源或供给吹净、稀释惰性气体环境及化学品输送压力来源。
O2供给ETCH制程氧化剂所需及CPCVD制程中供给氧化制程用，供给O3 Generator所需之O2供应及其他制程所需。
Ar供给Sputter制程，离子溅镀热传导介质，Chamber稀释及惰性气体环境。
H2供给炉管设备燃烧造成混氧环境，POLY制程中做H2 BAKE之用。
W-PLUG制程中作为WF6之还原反应气体及其他制程所需。
He供给化学品输送压力介质及制程晶片冷却。
Bulk Gas虽不像Specialty Gas，有的具有强烈的毒性、腐蚀性。
但我们使用大宗气体时仍需要注意安全。
GN2、PN2、PAr、PHe具有窒息性的危险，这些气体无色无味，若大量泄出而导致空气中含O2量(一般为21%)，减少至16%以下时，即有头痛与恶心症状。
当O2含量少至10%时，人将陷入意志不清状态，6%以下，瞬间昏倒，无法呼吸，6分钟以内即死亡。
PH2因泄漏或混入时，其本身之浓度只要在H2之爆炸范围（4%-75%）内（相对空气），只要一有火源此气乃会因相混而燃烧。
PO2会使物质易于氧化产生燃烧，造成火灾的不幸事件。
因此，身在半导体厂工作的我们，在设计上，施工中，如何避免泄漏、如何防患，则是我们努力工作之一。
2-2 Specialty Gas半导体厂所使用的Specialty Gas种类繁多，约有四、五十种，依危险性可分为以下数类：2-2-1易燃性气体有些气体当因泄漏或混入时，其本身之浓度只要在某一范围内（相对空气），只要一有火源，此气体乃会因相混而燃烧。
此称为该气体之爆炸范围。
如：SiH4 1.35%-100% SiH2CL2 4.1%-98.8% PH3 1.32%-100%2-2-2低压性气体有些气体常态下为粘稠液态气体，室温的饱和蒸汽压均小于10Psi，易造成管线阻塞，需包加热套，提高气体蒸汽压，才能充分供应气体。
如：DCS、CLF3、WF62-2-3毒性气体有些气体由于其反应性很强，对动物（含人类）的呼吸、粘膜、皮肤等功能有强烈影响。
如：NF3,PH32-2-4腐蚀性气体有些气体与水分一作用，即水解后产生HCL或HF等酸化物，对人体（包含眼睛、鼻子、皮肤、呼吸系统等）及设备（如管路及阀件）多少有腐蚀作用。
此气体有下列：<1> HCL、CL2、SiH2CL2、BCL3等含CL元素的气体---HCL<2> BF3、SiF4、WF6含F元素---HF<3> NH3---氨水极刺激性2-2-5窒息性气体如：CO2、CF4、C2F6等气体，无臭无味。
若大量泄出而相对致空气含O2量减少至16%以下时，即有头痛与恶心症状。
当O2含量少至10%时，人将陷入意志不清状态，6%以下，瞬间昏倒，无法呼吸，6分钟以内即死亡。
2-2-6自燃性气体有些气体，一与空气相混，即使没有火源也会自燃起火。
此称为自燃气体。
一般其起火点在常温以下。
此气体有：SiH4、PH3、B2H6等我们虽不能排除这些气体会对我们产生的种种不良影响。
但身在半导体厂工作的我们，可以在设计上、施工中，杜绝缺失。
以避免泄漏，防患未然。
3．晶圆厂所需之化学物质及其特性3-1 化学品种类（溶剂类）C260、EKC-270、NMP、OK-73、A515、IPA除EKC-270使用PFA/304 BA管，其余均使用316L EP管。
接管方式配合VMB出口及机台入口端形式接管。
3-2 化学品种类（酸碱类）HF1%、HF49%、H2O2、NH4OH29%、DEVELOPER、M1、BOE 200:1、BOE 500:1、BOE 50:1、HNO3、HCL、H3PO4、H2SO4。
使用PEA/CLEAR PVC双层管直接弯管，接管方式配合VMB出口及机台入口端，内管直接扩管。
外管使用40A C-PVC SOKET固定。
3-3化学特性见下表4．工作内容我们所做的工作就是利用自动焊机、弯管器等工具。
由气瓶柜（或气罐）一端架设管路至FAB内机台附近并开设预留阀即TAKE OFF点（此段工作称为一次配）。
然后再由TAKE OFF点配制管线至机台接点即二次配（HOOK UP）。
半导体配管材料及阀件简介1.管件---Pipe&Tube2.连接配件---Fittings3.阀件---Ultra Clean Valves4.调压阀---Pressure Regulator5.压力侦测器---Pressure Gauge&Transducer6.过滤器---Gas Filter7.选用材料依据8.二次阀盘组之形式1．About Pipe&Tube1-1.依材质分类管材可分为：<1>SUS 304 <2>SUS 316 <3>SUS 316L其差异在于SUS316增加钼（Mo）金属，改善其机械性质。
L则表示材料降低含C量，增加含镍（Ni）量。
1-2.依规格分类可分为：<1>日规（JIS）：PIPE SIZE<2>美规（ASTM）：TUBE SIZE其中须注意：<1>1”之尺寸在PIPE SIZE=25A,其外径OD为34.4mm,在TUBE SIZE其OD为25.4mm<2>在PIPE SIZE中25A又称1”,50A又称2”,80A又称3”,100A又称4”<3>TUBE SIZE（一般使用在1”以下之Gas配管）,常用尺寸为1/8”（一分）、2/8”（二分）、3/8”（三分）、4/8”（四分）、5/8”（五分）、6/8”（六分）、1”。
1-3．依表面处理方法分类：一般分为三种<1>AP（Annealed and pickled）级（素管）：酸洗管<2>BA (Bright-annealed)级：光辉退火管<3>EP (Electrolytic polished)级：电解抛光管注意：影响管子价格之因素最为重要之决定因素在表面处理之方法，其价格之高低顺序EP>BA>AP。
1-4.依厚度来区分：一般厚度之规格有SCH5S、SCH10S、SCH20S、SCH40S。
1-5.依管材制程可分：<1>SINGLE MELT<2>DOUBLE MELT（目的在于降低管内杂质及增加腐蚀性）例：VIM+V AR（SUMKIN之专利代称）VIM—V ACUUM INDUCTION MELTINGV AR—V ACUUM ARC REMELTING1-6．管材又可分为有缝、无缝两种。
2．About Fittings2-1.材质同管件。
(EP/BA…)2-2.常用种类：<1>Nut+Gland+Gasket <2>Elbow、Tee、Reducer<3>Cap、Plug <4>Connector 接头2-3．形式及规格：一般可分为VCR (1/8圈)/SWG (1¼圈) /Welding/螺牙街头/Flange尺寸从1/8”-1”(VCR/SWG)及1/4”—300A(Welding/Flange)皆有又分短接头SCM(micro) or 长接头SCL(long)&SCF2-4.常用厂牌：KITZ/HAM-LET/IHARA/SWAGELOK/FUJIKINN2O、CO、O3—Gasket must be SUS注：一般气体所用之Gasket为Ni材质。