01B01C芯片资料
biss001芯片手册
biss001芯片手册BISS001芯片，全名为BISS001光敏电阻式控制IC芯片，是一种常用于光电传感器控制电路中的芯片。
它能够实现光敏电阻的自动控制，并广泛应用于照明、安防、电子设备等领域。
本篇文章将详细介绍BISS001芯片的特性、应用以及使用方法。
一、BISS001芯片特性1.原理简单：BISS001芯片通过检测光敏电阻的阻值变化来控制输出电平，实现自动调光、触发、开关等功能。
2.灵敏度可调：BISS001芯片内置的电阻网络可以调节芯片对光的敏感度，以适应不同环境的光照强度。
3.输出稳定：BISS001芯片采用稳压电源和低温漂的电路设计，可以保证输出的稳定性和可靠性。
4.小尺寸：BISS001芯片采用SOP-8封装，体积小巧，方便布局设计。
5.高性价比：BISS001芯片的成本较低，性能稳定可靠，是光电传感器控制领域的理想选择。
二、BISS001芯片的应用1.照明控制：BISS001芯片可以应用于智能照明系统中，通过感应环境光照强度的变化，实现灯光的自动调光，提高照明效果，并节省能源。
2.安防报警：BISS001芯片可以与红外传感器等设备配合使用，实现安防报警系统的自动布防和报警功能。
当有物体进入被监控区域时，芯片输出高电平，触发警报器发出警报信号。
3.电子设备控制：BISS001芯片也可以应用于电子设备中，如电视机、空调等。
通过感应环境光照强度的变化，自动调节设备的亮度和显示效果，提高用户的观看体验。
4.其他领域：BISS001芯片的灵活性和可调节性，使其在其他领域也有广泛的应用，如智能家居控制、工业自动化等。
三、BISS001芯片的使用方法BISS001芯片的使用方法相对简单，下面将以一个基本的照明控制电路设计为例进行说明。
1.连接电路：首先将光敏电阻连接到BISS001芯片的CDS引脚和GND引脚之间，并将Vcc引脚连接到电源正极，GND引脚连接到电源负极。
2.调节灵敏度：通过调节BISS001芯片上的电阻网络，可以调节芯片对光的敏感度。
VC-01-Kit 规格书说明书
VC-01-Kit规格书V1.0.0VC- -Kit规格书版本V . .版权 ©文件履历表目录1.产品概述 (4)1.1.特性 (5)2.主要参数 (6)2.1.静电要求 (6)2.2.电气特性 (7)2.3.功耗 (7)3.外观尺寸 (8)4.指示灯及按键说明 (9).管脚定义 (10).原理图 (12).产品相关型号 (13)8.固件烧录方式说明 (13)9.产品包装信息 (14)10.联系我们 (14)免责申明和版权公告 (15)注意 (15)1.产品概述VC-01-Kit是针对VC-01模组设计的开发板，该底板与VC-02-Kit共用。
开发板上集成了CH340C串口转USB芯片，提供基础的调试接口及USB升级接口；唤醒灯及冷暖灯的设计，提供了状态指示及控制指示，且方便调试简单的控制功能。
VC-01是深圳市安信可科技有限公司开发的一款低成本纯离线语音识别模组。
该模组使用云知声推出的语音芯片US516P6，在语音识别技术上不断优化和创新算法，离线识别算法与芯片架构深度融合，为客户提供超低成本的离线语音识别方案，可广泛且快速应用于智能家居，各类智能小家电，86盒，玩具，灯具等需要语音操控的产品。
US516P6芯片采用32bit RSIC架构内核，并加入了专门针对信号处理和语音识别所需要的DSP指令集，支持浮点运算的FPU运算单元，以及FFT加速器。
VC-01支持150条本地指令离线识别，支持RTOS轻量级系统，具有丰富的外围接口，以及简单友好的客制化工具。
图1US516P6芯片架构图1.1.特性内核32bit RISC内核，运行频率240MHz支持DSP指令集以及FPU浮点运算单元FFT加速器：最大支持1024点复数FFT/IFFT运算，或者是2048点的实数FFT/IFFT 运算云知声定制化语音算法算子存储内置242KB高速SRAM内置2MB FLASH音频输入输出灵活配置支持 . / . / . V IO支持1路模拟Mic输入，SNR≥94db支持双声道DAC输出支持中英文语音指令供电和时钟支持5V电源输入内置5V转3.3V，3.3V转1.2V LDO为芯片供电RC 12MHz时钟源和PLL锁相环时钟源内置POR（Power on Reset），低电压检测和看门狗外设所有GPIO均可配置为外部中断输入和唤醒源1个全双工UART最高速率3Mbps。
DW01中文资料
精心整理DW01锂电池保护IC一、主要特性静态电流待机电流（检测到过放之后）过充检测精度（Topt=25℃）过充检测精度（Topt=0到50℃）过放检测精度过放检测电压过流保护过充延迟（VDD=4.4V）过放延迟（VDD=2.2V带有内置电容）封装典型值：4.0uA典型值：0.2uA±50mV±60mV±100mV2.0V到3.0V，每步0.005V 0.04V到0.32V，每步0.04V 110mS22mS（最小值）SOT23-6/6-pin二、基本描述DW01是一款单节可充电锂电池保护集成电路，具有过充、过放、过流及短路保护功能。
IC内部包含：三个电压检测电路、一个基准电路、一个延迟电路、一个短路保护电路和一个逻辑电路。
当充电电压逐渐增大超过过充检测电路的阈值VDET1时，Cout Pin的输出电压即过充检测电路的输出电压VD1会变到低电位，也就是充电器负端的电位。
在进入过充保护状态后，当VDD电压降低到VREL1下方或者当电池组脱离充电器而接一个负载，且VDD介于VDET1与VREL1之间时VD1可以复位，即CoutPin输出变为高电位。
当放电电压低于过放检测电路的阈值VDET2时，经过一段固定的延迟时间，Dout Pin的输出即过放检测电路的输出VD2会变为低电位。
这时，若给电池充电，当电池电压上升到过放检测电路的阈值电压之上时，VD2恢复，Dout的输出电压变为高电平。
当有过流情况出现时，内部过流检测电路会检测到，经过一段固定的延迟时间后，VD3和Dout变为低电平，放电回路被切断。
这时，若将电池组从负载系统中分开，VD3会恢复使Dout 变为高电平。
当有外部短路电流时，短路保护电路会立即使Dout变为低电位，当外部短路电流消失后，Dout会转换为高电位。
在检测到过放之后，会通过关闭一些内部电路使电源电流非常低。
IC过充检测电路的延迟时间可以通过连接外部电容进行设置。
MT01C系列机芯简介
第一章MT01C系列机芯简介MT01C平台功能介绍MT01C平台是采用以MTK公司MT01CBNU（For TOSHIBA），MT5301CRMU（For China）芯片为主芯片的机芯方案，内嵌Linux 2.6.27操作系统，其在中国区以3款机芯出现，分别为：MT01ES，MT01C,MT01EB.下面就对这3款机芯分别加以简单说明。
MT01ES机芯端口配置如下：RJ45*1；SPDIF*1；ATV*1,；DTV(DTMB）*1；分量+音频*1；PC+音频*1；CVBSout*1；CVBSin*1；HDMI*3；耳机*1；USB*1；酒店端口*1.MT01ES机芯主要特点和周边电路配置：1，此机芯支持DTMB输入，采用AltoBeam 8846作为解调芯片，3路HDMI输入，外置SI9187B 开关，可扩展120Hz。
2，唯一一款带super resolution功能的机芯，采用Renesas 9281，使得图像清晰度更高。
3，主芯片（U400）主频：750MHz；单颗2Gb_DDR3_1066Mbps(U300)；Nand Flash：现代_2Gb（U301）;SR（超级解像芯片）：9281。
4，系统EEPROM：24C64W(U302);HDMI EDID HDCP都集成在SI9187B内部，上电由I2C写入，VGA的DDC也是程序集成，在主芯片内部开辟一个虚拟空间。
功放为TAS5707，2.0通道。
MT01C此机芯适用于TCL品牌中国区产品，目前涉及到的机型为：L40F3200B。
端口配置为：ATV*1；HDMI*1；EJ45*1；CVBSout*1；分量输入+音频*1；PC输入*1；USB*2；CVBSin*1；机芯主要特点和周边电路配置：1，此机芯主要是一款简单功能纯模拟机芯，带简单的网络功能和多媒体播放功能。
无耳机输出，无数字音频输出。
2，主芯片：MT5301CRMU_750MHz；单颗现代1Gb_DDR3_1333Mbps；Nand Flash：三星1Gb；功放：TAS5707 2.0输出；PHY芯片：IP101。
MPC2001中文资料
MPC20011256KB AsynchronousSecondary Cache Module for PowerPC ™The MPC2001 is designed to provide asynchronous 256KB L2 cache for the PowerPC 60x processors. The module is configured as 32K x 64 bits in a 136pin dual readout single inline memory module (DIMM). The module uses eight of Motorola’s MCM6206 CMOS RAMs.Eight write enables are provided for byte write control.The cache is designed to interface with the PowerPC 60x bus and requires ex-ternal tag.PD0 – PD2 are reserved for density and speed identification.The cache is plug and pin compatible with Motorola’s MPC2002 and MPC2003BurstRAM ™ synchronous cache modules.•Dual Readout SIMM (DIMM) for Circuit Density •Single 5 V ±5% Power Supply•All Inputs and Outputs are TTL Compatible •Three State Outputs •Byte Write Capability•Decoupling Capacitors for each Fast Static RAM•High Quality Multi–Layer FR4 PWB With Separate Power and Ground Planes •Fast SRAM Access Times 12 ns, 15 ns•Low Cost Asynchronous Solution for MPC105 PCI Bridge/Memory Controller ChipBurstRAM is a trademark of Motorola.PowerPC and PowerPC 601 are trademarks of International Business Machines Corp.Order this documentby MPC2001/DMOTOROLASEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMPC2001(Formerly MCM64AC32)5/95associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that Motorola was negligent regarding the design or manufacture of the part. Motorola and。
SC01B单键电容触摸感应芯片规格书说明书
2021.8SC01B单键电容触摸感应芯片(智能马桶人体感应、液位检测)1.概览1.1概述SC01B 是单键电容触摸感应器，它可以通过任何非导电介质（如玻璃和塑料）来感应电容变化。
通过设置，SC01B 可以应用于普通触摸按键开关、智能马桶人体感应、水位检测。
1.2特性◇普通按键应用。
◇智能马桶人体感应应用。
◇水位检测应用。
◇保持自动校正，无需外部干预◇按键输出经过完全消抖处理◇并行一对一输出◇2.5V ~6.0V 工作电压◇符合RoHS 指令的环保SOP8封装1.3应用◇替代机械开关，门禁按键，灯控开关◇玩具和互动游戏的人机接口◇密封键盘面板◇金属触摸按键◇马桶着座感应器◇洗地机清水箱液体检测◇各种容器水箱液位检测◇净水器设备液体检测1.4封装SC01B 采用SOP8封装图1-1：封装简图1234V M O C1.5管脚表1-1：管脚汇总管脚顺序名称类型功能1GND Pwr电源地2CMOD I/O接电荷收集电容3CDC I/O接灵敏度电容4CIN1I/O触摸检测端5CIN2I/O触摸检测端6OUT OD感应按键输出7MD I/O模式设置端8VDD Pwr电源管脚类型I CMOS输入I/O CMOS输入/输出OD NMOS开漏输出Pwr电源/地1.6管脚说明VDD,GND电源正负输入端。
CMOD电荷收集电容输入端，接固定值的电容，和灵敏度无关。
CDC接灵敏度电容，电容范围是最小5pf，最大100pf。
根据使用环境选择合适的电容值，数值越小，灵敏度越高。
CIN1感应电容的输入检测端口。
当用于智能马桶人体感应及液位检测应用时，接固定电容作为比较参考电容；当用于普通按键锁存输出应用时，接触摸按键输入。
CIN2感应电容的输入检测端口。
当用于智能马桶人体感应及液位检测应用时，接触摸按键输入；当用于普通按键检测功能时，管脚悬空。
OUT触摸输出端口。
端口内部结构为带上拉电阻的NMOS开漏输出，输出弱高或强低电平，有效电平是强低电平。
01B01指令系统
16位RISC CPU结构
�16-bit 算术逻辑单元 �16-bit 数据/地址通道 �16个16位寄存器 R0|PC R1|SP R2|SR R3|CG R4-R15通用寄存器 �包括PC,SP,和SR全 部寄存器存取。 �单周期操作 �支持直接的存储器对 存储器操作。
CPU寄存器
存储器结构和地址空间
绝对寻址(Absolute Mode)
间接寄存器寻址 (Indrect Register Mode)
间接增量寻址(Indirect Autoincrement Mode)
立即寻址(Immediate Mode)
MSP430指令系统
MSP430CPU 结构 指令集 指令系统-指令周期
寻址方式
寻址方式是指在执行一条指令的过程中，如何找到操作数地址的方法。 操作数包括源操作数和目的操作数。 MSP430共有 7种寻址方式。
寄存器寻址(Register Mode)
变址寻址(Indexed Mode)
符号寻址(Symbolic Mode)
绝对寻址(Absolute Mode)
MSP430 指令系统按功能可分为：
�数据传送类指令 �算术运算类指令 �逻辑运算类指令 �位操作指令 �跳转和程序控制类指令
数据传送类指令
数据传送是单片机在工作中最基本也是最重要的 一种操作，它包括将操作数从源地址送到目的地 址单元中，或目的地址中的操作数进行高低字节 交换或者将目的地址操作数更新或清为“0”都属于 数据传输
CPU结构总结
MSP430 CPU采用了许多现代新技术，如跳转、 表处理。适合高级语言C等，CPU可以对整个地 址寻址而无需页机制。 CPU的特性包括：
�RISC结构包括 27条指令和 7种寻址模式 �全部寄存器访问包括 PC、状态寄存器、堆栈指 针 �单周期寄存器操作 �16位地址总线和 16位数据总线 �常数发生器提供 6个最常用的常数 �可以 bite和 word两种模式寻址或操作 �直接内存寻址而无需寄存器
ARM微处理器硬件结构
ARM版本Ⅰ 版本Ⅰ 版本
1．V1版架构
该版架构只在原型机ARM1出现过，没有用于商业产品。 其基本性能有: 基本的数据处理指令（无乘法）； 基于字节、半字和字的Load/Store指令; 转移指令，包括子程序调用及链接指令； 供操作系统使用的软件中断指令SWI； 寻址空间：64MB（226）。
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流水线技术Ⅱ 流水线技术Ⅱ
多周期ARM指令的3级流水线操作
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流水线技术Ⅲ 流水线技术Ⅲ
2．ARM的流水线设计问题
（1）缩短程序执行时间: 提高时钟频率fclk 减少每条指令的平均时钟周期数CPI （2）解决流水线相关: 结构相关 数据相关 控制相关
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流水线技术Ⅳ 流水线技术Ⅳ
3．ARM的5级流水线 ARM9和StrongARM架构都采用了5级流 水线.
(b)三级存储器层次结构
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总线结构Ⅰ 总线结构Ⅰ
1.总线协议 :四周期握手协议
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总线结构Ⅱ 总线结构Ⅱ
2.总线读写
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总线结构Ⅲ 总线结构Ⅲ
3．总线的时序图
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总线结构Ⅳ 总线结构Ⅳ
4．直接内存访问（DMA）
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总线结构Ⅴ 总线结构Ⅴ
5．系统总线配置
多总线系统
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ARM存储数据类型 存储数据类型
虚拟存储空间到物理存储空间的映射。在ARM中采用了 页式虚拟存储管理。 存储器访问权限的控制。 设置虚拟存储空间的缓冲的特性。
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存储管理单元MMU Ⅱ(1) 存储管理单元
2.存储访问过程
使能MMU时存储访问过程
：
43
存储管理单元MMU Ⅱ(2) 存储管理单元
禁止MMU时存储访问过程：
SiT2001数据手册-SOT23-5封装1-110MHz任意频率SiTime低功耗有源晶振
Frequency Stability and Aging Frequency Stability F_stab -20 -25 -50 +20 +25 +50 ppm ppm ppm
erating Temperature Range (ambient) T_use -20 -40 +70 +85 °C °C Extended Commercial Industrial
LVCMOS Output Characteristics Duty Cycle Rise/Fall Time DC Tr, Tf 45 – – – Output High Voltage VOH 90% – – 1.0 1.3 – – – 55 2.0 2.5 2.0 – % ns ns ns Vdd
Parameters Input High Voltage Input Low Voltage Input Pull-up impedance Symbol VIH VIL Z_in Min. 70% – 50 2 Typ. – – 87 – Max. – 30% 150 – Unit Vdd Vdd k M Condition Input Characteristics Pin 3, OE or ST Pin 3, OE or ST Pin 3, OE logic high or logic low, or ST logic high Pin 3, ST logic low Measured from the time Vdd reaches its rated minimum value f = 110 MHz. For other frequencies, T_oe = 100 ns + 3 * clock periods Measured from the time ST pin crosses 50% threshold
cm201一1的参数
cm201一1的参数全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：在计算机科学领域中，CM201是一种常用的参数模型，用来描述计算机系统中不同组件之间的通信和数据传输速度。
CM201参数包括处理器、内存、硬盘、网络等各个组件的性能指标，通过这些参数可以评估系统的整体性能和稳定性。
我们来看看CM201参数中的处理器性能指标。
处理器是计算机系统的核心部件，其性能直接影响整个系统的运行速度。
CM201参数中通常包括处理器的主频、核心数、缓存大小等指标。
主频指的是处理器每秒钟可以执行的时钟周期数，主频越高意味着处理器运行速度越快；核心数则表示处理器可以同时处理的任务数，核心数越多则处理器的并行处理能力越强；缓存大小影响了处理器对数据的访问速度，缓存越大则处理器可以更快地访问数据。
接下来是内存性能指标。
内存是计算机系统中存储程序和数据的地方，其性能与系统的运行速度和稳定性密切相关。
CM201参数中通常包括内存的容量、速度和带宽等指标。
内存容量指的是内存可以存储的数据量，容量越大则系统可以同时处理更多的任务；内存速度表示内存读写数据的速度，速度越快则系统响应速度越快；带宽影响了内存与其他组件之间的数据传输速度，带宽越大则数据传输速度越快。
最后是网络性能指标。
在现代计算机系统中，网络通信已经成为不可或缺的一部分。
CM201参数中的网络性能指标主要包括网络带宽、延迟和稳定性等指标。
网络带宽表示网络传输数据的速度，带宽越大则数据传输速度越快；网络延迟则影响了网络通信的响应速度，延迟越小则网络通信响应速度越快；网络稳定性表示网络通信的稳定程度，稳定性越好则网络通信越可靠。
第二篇示例：CM201一1是一款性能卓越的计算机芯片，广泛应用于图形处理、人工智能、数据分析等领域。
该芯片具有许多先进的参数，使其成为市场上最受欢迎的产品之一。
CM201一1的主频非常高，达到了3.5GHz，这使得它在处理复杂计算任务时表现出色。
高主频意味着芯片能够更快地完成任务，提高工作效率，节省时间成本。
c251c芯片参数
c251c芯片参数
C251C芯片是一种8位单片机芯片，主要参数包括：
1. 架构和指令集：基于8051架构，支持80指令集。
2. CPU频率：一般工作频率为12MHz。
3. 存储器：片内存储器包括4KB闪存和128B数据RAM。
4. 输入/输出接口：支持多个外设接口，包括UART、SPI、I²C等。
5. 定时器/计数器：内置2个16位定时器/计数器。
6. 中断控制器：支持多级中断（8级中断）和外部中断输入。
7. IO口：具有多个通用IO口，可用于连接外部设备。
8. 去耦复位：可以通过外部电路实现芯片的复位控制。
9. 工作电压：一般工作电压为3.3V或5V。
10. 封装：常见封装形式有DIP和SOP。
以上是C251C芯片的一些主要参数，具体参数可能会根据不同的生产商和型号有所差异。
瑞纳捷 RJGT101 芯片数据手册说明书
瑞纳捷RJGT101芯片数据手册武汉瑞纳捷半导体有限公司Wuhan Runjet Semiconductor Co.,Ltd1.简介1.1.芯片功能介绍RJGT101是集成了256Byte的EEPROM（包含16Byte的密钥和8Byte的UID），执行RC4算法的加密芯片。
它与MCU可通过RSD单线串行接口通信，芯片支持计次功能。
1.2.产品特点●高性能防复制加密芯片；●RC4加密认证算法；●RSD单线总线协议，标准速率20Kbps；●用于写入用户自定义数据的EEPROM单元；●EEPROM存储大小256Byte，共16页，每页16Byte；●16Byte密钥，8Byte UID；●可以对用户数据存储区加写保护；●支持4Byte独立硬件真随机数；●支持计数功能，计数到阈值后，芯片功能指令全部失效；●正常工作功耗:<1mA,低功耗模式功耗：<300nA；●工作电压范围2.4V~5.5V；●封装类型：DFN6、SOT23-3；1.3.系统框图图1-1RJGT101系统框图RJGT101包括模拟模块(OSC、EEPROM、复位模块)和数字逻辑模块。
FSM_CTRL 是整个系统的控制中心，根据RSD指令流程，进行RC4运算和EEPROM读写等操作。
1.4.芯片管脚功能DFN6封装管脚如图1-2所示：1-3SOT23-3封装管脚描述数据管脚、芯片电源电压GND1.5.典型应用电路图1-5典型应用电路注意：（1）MCU与RJGT101相连的IO管脚的配置，输出模式须配置为推挽输出，不能配置为开漏输出，而且其驱动电流能力至少1mA。
（2）推荐R0=2.2KΩ，C0=4.7uF。
2.寄存器和数据存储2.1.内部寄存器描述表2-1RJGT101寄存器地址分配2.2.EEPROM存储描述表2-2EEPROM存储分配备注说明：（1）认证读写指的是从机认证读和从机认证写；（2）认证读写是针对用户数据存储区和功能控制区而言的，Key和UID不存在认证读写的说法；（3）写保护指的是正常功能模式下的写保护，初始化模式下不存在写保护的说法。
JY8L01B 遥控灯芯片
功能说明
JY8L01B 解码电路具有遥控和手动两种控制模式，通常与 JY5104 遥控发射 电路配对使用。
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V1.0
深圳市晶玚科技有限责任公司
JY8L01B
通电后，输入信号改变时检测各信号口状态，输出口执行相应的输出状态。 输入信号与输出信号对应关系： S1 L H H S2 L/H L H P1 H H L P2 H H L
深圳市晶玚科技有限责任公司
JY8L01B
L0 1B 红外解码电路 JY8 JY8L0 L01B
应用手册
JY8L01B 是一款采用 CMOS 工艺制造的红外解码专用集成电路。它支持 1 路遥控输入和 1 路按键输入，2 路输出。它非常适用于红外遥控灯具控制及其它 红外遥控控制领域，它具有接收灵敏抗干扰能力强等优点。
最小值 2.0 -----
典型值 5.0 120 -15 3
最大值 5.5 -----
单位 V uA uA mA mA
应用电路(注：应用电路及其参数仅供参考)
1、遥控灯具控制方案(如：带遥控野营灯方案)
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深圳市晶玚科技有限责任公司 2、带遥控 LED 应急灯方案(23 颗 LED)
JY8L01B
3、遥控发射电路
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深圳市晶玚科技有限责任公司
JY8L01B
SOP8
DIP8
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V1.0
特点
1、内置高精度振荡器、解码灵敏。 2、遥控和手动两种控制模式。 3、DIP8L、SOP8L 封装。
应用领域
1、红外遥控灯具（野营灯、应急灯等） 2、其它红外遥控解码
TC001B数据手册V1.7
输出
VOUT +5V 或+3.3V 电源输出选择。与 PIN5 相接，输出 5V；与 PIN3 相接，
6
SEL
输入
输出 3.3V
7
RXD 解调总线信号至串口信号的输出接口，与从站单片机 RXD 对接
输出
8
VCC 芯片电源输入，由总线提供，不可外设供电
输入
3
5 调制解调功能
5.1 发送调制示意图
总线从站通信接口芯片 TC001B 数据手册 V1.7
4.1 引脚图.................................................................................................................................................. 3 4.2 引脚说明.............................................................................................................................................. 3 5 调制解调功能...............................................................................................................................................4 5.1 发送调制示意图 .................................................................................................................................. 4 5.2 接收解调示意图 .................................................................................................................................. 4 6 静态电流特性图...........................................................................................................................................5 7 电气参数.......................................................................................................................................................6 7.1 额定直流电气参数 .............................................................................................................................. 6 7.2 交流电气参数 ...................................................................................................................................... 7 7.3 ESD 特性 ............................................................................................................................................. 7 8 封装尺寸.......................................................................................................................................................8 9 参考电路.......................................................................................................................................................9 9.1 典型应用电路 ...................................................................................................................................... 9 9.2 隔离通讯接口 ...................................................................................................................................... 9 9.3 从站设备供电方案 .............................................................................................................................. 9
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STANDARD MICROCIRCUIT DRAWING
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS COLUMBUS, OHIO 43216-5000
SIZE
A
REVISION LEVEL
5962-01B01
SHEET
B
2
DSCC FORM 2234 APR 97
Device type 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
REV SHEET REV SHEET REV SHEET REV STATUS OF SHEETS PMIC N/A B 35 B 15 B 36 B 16 B 37 B 17 B 38 C 18 REV SHEET PREPARED BY Phu H. Nguyen B 39 C 19 B 40 B 20 B 41 B 21 C 1 B 42 B 22 B 2 B 43 B 23 B 3 B 44 B 24 C 4 B 45 B 25 B 5 B 46 B 26 B 6 B 47 B 27 B 7 B 48 B 28 C 8 B 49 B 29 C 9 B 50 B 30 C 10 B 31 C 11 B 32 B 12 B 33 C 13 B 34 B 14
1.2.3 Device class designator. The device class designator is a single letter identifying the product assurance level as follows: Device class M Q or V Device requirements documentation Vendor self-certification to the requirements for MIL-STD-883 compliant, nonJAN class level B microcircuits in accordance with MIL-PRF-38535, appendix A Certification and qualification to MIL-PRF-38535
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS COLUMBUS, OHIO 43216
MICROCIRCUIT, DIGITAL, CMOS, MH1, GATE ARRAY, MONOLITHIC SILICON
CAGE CODE
AMSC N/A
STANDARD MICROCIRCUIT DRAWING
THIS DRAWING IS AVAILABLE FOR USE BY ALL DEPARTMENTS AND AGENCIES OF THE DEPARTMENT OF DEFENSE
CHECKED BY Phu H. Nguyen APPROVED BY Thomas M. Hess DRAWING APPROVAL DATE 01-07-26 REVISION LEVEL SIZE A SHEET
Lead Finish (see 1.2.5)
1.2.1 RHA designator. Device classes Q and V RHA marked devices meet the MIL-PRF-38535 specified RHA levels and are marked with the appropriate RHA designator. Device class M RHA marked devices meet the MIL-PRF-38535, appendix A specified RHA levels and are marked with the appropriate RHA designator. A dash (-) indicates a non-RHA device. 1.2.2 Device type(s). The device type(s) identify the circuit function as follows: Device type 01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12 13 14 15 16 Generic number TH1099ER TH1156ER TH1242ER TH1332ER TH1099ES TH1156ES TH1242ES TH1332ES TH1M099ER TH1M156ER TH1M242ER TH1M332ER TH1M099ES TH1M156ES TH1M242ES TH1M332ES 1/ 1/ 1/ 1/ 2/ 2/ 2/ 2/ 1/ 1/ 1/ 1/ 2/ 2/ 2/ 2/ 3/ 3/ 3/ 3/ 3/ 3/ 3/ 3/ 4/ 4/ 4/ 4/ 4/ 4/ 4/ 4/ Circuit function 988,000 sites available MH1RT 1,558,000 sites available MH1RT 2,422,000 sites available MH1RT 3,319,000 sites available MH1RT 988,000 sites available MH1RT 1,558,000 sites available MH1RT 2,422,000 sites available MH1RT 3,319,000 sites available MH1RT composite 988,000 sites MH1RT composite 1,558,000 sites MH1RT composite 2,422,000 sites MH1RT composite 3,319,000 sites MH1RT composite 988,000 sites MH1RT composite 1,558,000 sites MH1RT composite 2,422,000 sites MH1RT composite 3,319,000 sites MH1RT
Generic number TH1099R TH1156R THTH1242S TH1332S TH1M099R TH1M156R TH1M242R TH1M332R TH1M099S TH1M156S TH1M242S TH1M332S 1/ 1/ 1/ 1/ 2/ 2/ 2/ 2/ 1/ 1/ 1/ 1/ 2/ 2/ 2/ 2/ 3/ 3/ 3/ 3/ 3/ 3/ 3/ 3/ 4/ 4/ 4/ 4/ 4/ 4/ 4/ 4/
1.2.4 Case outline(s). The case outline(s) are as designated in MIL-STD-1835, and as follows: Outline letter X Y Z U T Descriptive designator See figure 1 See figure 1 See figure 1 See figure 1 See figure 1 Terminals 196 256 352 349 472 Package style Quad flatpack unformed leads Quad flatpack unformed leads Quad flatpack with non conductive tie bar Column grid array + interposer SCI Column grid array + interposer SCI
C
67268
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5962-01B01
DSCC FORM 2233 APR 97 DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.
5962-E305-04
1. SCOPE 1.1 Scope. This drawing documents two product assurance class levels consisting of high reliability (device classes Q and M) and space application (device class V). A choice of case outlines and lead finishes are available and are reflected in the Part or Identifying Number (PIN) in the applicable Altered Item Drawing (AID). When available, a choice of Radiation Hardness Assurance (RHA) levels are reflected in the PIN. Customizations (personalizations) for each design, including circuit organization, electrical performance characteristics, and test conditions, shall be specified in an Altered Item Drawing (AID) (see 3.3 herein). 1.2 PIN. The PIN is as shown in the following example: 5962 R 01B01 01 Q X X
REVISIONS LTR A B C DESCRIPTION Add device type 09 – 32 and appendix A. - phn Add Case outline U and T. Editorial changes throughout. - phn Change maximum supply voltage range from 3.6 V to 4.0 V and from 5.5 V to 6.0 V, in 1.3. Correct testing conditions for Input/Output leakage cold sparing, IICS and IOCS, in table 1. Correct unit values for output short circuit current, IOSN and IOSP in table 1. Change footnote 2, 3 4, and 5 in table 1. Add seating plane values to case U ant T. - phn DATE (YR-MO-DA) 02-02-11 03-06-03 04-07-20 APPROVED Thomas M. Hess Thomas M. Hess Thomas M. Hess