In2O3纳米线阵列的合成及表征
针状In2O3微纳材料的制备、表征及其光催化性能研究
ur t n e d i n t o C — I n 2 0 3 w i h t t h e s i m i l a r m o r p h o l o g y a f t e r c a l c i n i n g a t 8 0 0 ( C f o r 5 h . A n d h t e s a m p l e s w e r e c h a r a c t e r i z e d b y s c a n n i n g e —
Ab s t r a c t : I n t h e F e a c t i o n s y s t e m f o I n ( N 0 3 ) 3 , g a l l i c a c i d , f o r m a m i d e a n d w a t e r , t h e n e e d l e - l i k e p r e c u r s o r f o b e e I n 2 , O m i r c o — n a n o —
F E NG Ga n g , C HE N B i a o , S HE N Mi n g ZHOU , Hu i
( 1 . Y a n g z h o u B u s i n e s s B r a n c h o f J i a n g s u U n i o n T e c h n i c a l I n s t i t u t e , Y a n g z h o u 2 2 5 1 2 6, C h i n a ;
ma t e ia r l s w a s p r e p a r e d v i a a s i mp l e n o r ma l p r e s s u r e ef r l u x i n g me t h o d u n d e r a t mo s p h e e r p r e s s u r e . T h e n e e d l e . - l a
In_2O_3敏化ZnO纳米棒阵列的性能及其光电催化活性
摘要 : 以掺氟 Sn O ( F T O) 导 电玻璃 为基底, 采用水热 法制备 了Z n O纳米棒 阵列. 通过 I n ( N O。 ) 3 水溶液水 洗的 方法 , 合成 了 l n 2 O 。 敏化 z n O纳米棒 阵列光催 化剂. 采用场发射扫描 电子显微镜( F E SE M) , X射线 能谱 ( E D X ) , X
( C o l l e g e o fC h e mi s t r y , J i l i n U n i v e r s i t y , C h a n g c h u n 1 3 0 0 1 2 , R . C h i n a )
Ab s t r a c t : l n 2 O3 . s e n s i t i z e d Zn O n an or o d a r r a y f ¨ ms we r e p r e p a r e d i n a t wo - s t e p a q u e o u s p r o c e s s on
列 光 生 电荷 行 为 与 光 电 催 化 活 性 之 间 的关 系 . 结 果 表 明, 适量 I n O。 敏 化的Z n O光催化剂在可见光下 2 h内对 罗 丹 明 B的 降 解 效 率 达 到 9 5 %, 是单纯 Z n O纳 米 棒 阵列 的 2 . 4 倍.
关键词 : I n O。 敏 化Z n O; 纳米棒阵列: 光 电流密度一电位: 光 电流: 挡光一 照光: 表面光 电压
射线衍射 ( XR D) 及 紫 外. 可见漫反射光谱( U V - V i s DR S ) 对 样 品 的形 貌 、 结构 、 组成、 晶相 等 进 行 一 系 列 的 表 征 . 以 罗丹 明 B( R h B ) 为 目标 降 解 物 , 探究了I n O。 敏化 Z n O纳 米 棒 阵 列 光 电 催 化 活 性 . 采 用 场 诱 导 表 面 光 伏 技 术
一维In2O3纳米材料的制备与表征
科学技术创新2020.20(转下页)一维In 2O 3纳米材料的制备与表征艾鹏(昭通学院物理与信息工程学院,云南昭通657000)1概述一维半导体纳米材料,例如氧化铟纳米线[1,2],二氧化锡纳米管[3],氧化钨纳米棒[4],二氧化钛纳米带[5]等,由于其独特的纳米结构呈现出了一系列新颖的物理化学特性,使它们在新器件、新技术等应用方面前景广阔,在全球范围内得到众多的关注,成为近年来物理、化学以及材料科学等研究领域,摘要:由于一维半导体纳米材料独特的物理、化学性质,其在透明电极、光电子器件、气敏传感器、逻辑电路和太阳能电池等诸多领域呈现出广阔的应用前景,成为了近些年来纳米科技研究的热点之一。
本文利用热蒸发法在镀金的硅(100)衬底上生长了纯净的In 2O 3纳米线。
通过扫描电子显微镜(SEM ),可以看到最终样品为In 2O 3纳米线;X 射线衍射(XRD )分析证实所制备的材料为立方结构;由X 射线能谱仪(EDX )可以看到,纳米线由In 和O 两种元素组成,为所要的纯净In 2O 3纳米线。
关键词:一维In 2O 3;In 2O 3纳米线;制备;表征Abstract :Due to the unique physical and chemical properties of one-dimensional semiconductor nanomaterials,it has shown broad application prospects in many fields such as transparent electrodes,optoelectronic devices,gas sensors,logic circuits,and solar cells,and has become a hot spot in nanotechnology research in recent years.In this paper,pure In2O3nanowires were grown on a gold-plated silicon(100)substrate using thermal evaporation.Through scanning electron microscope (SEM),it can beseen that the final sample is In2O3nanowire;X-ray diffraction (XRD)analysis confirmed that the material was cubic structure;Energy Dispersive X-Ray Spectrometer (EDX)spectrum results showed that the nanowire is composed of In and O,and it is thedesired pure In2O3nanowire.Key words :One-dimensional In 2O 3;In 2O 3nanowire;Preparation;characterization 中图分类号:O48文献标识码:A文章编号:2096-4390(2020)20-0062-03保温可以运行690m ,超出实际管线长度,该段管线保温可拆除。
三维有序In2O3纳米线阵列的合成及纳米结构有序度对气敏性能的影响
时吸附氧逐渐由 O−向 O2−转变,导致表面吸附氧
的电子密度增大[22,25];(3)温度升高使被测的乙
醇气体的活性增大,还原性增强,与表面吸附
氧的反应效率提高 . 这三方面的影响均可使传
感器材料在氧吸附-脱附过程中体电阻的变化率 增大,气敏灵敏度提高 . 而当温度高于 320 ℃ 后,材料对乙醇的气敏灵敏度随温度升高而降
心洗涤(转速 5000 r/min),干燥后得到 A 样品 . 将离心分离后的悬浮液以 10000 r/min 的转速充分离心
洗涤,干燥后得到 B 样品 .
1.3 气敏元件的制备及气敏性能测试
气敏元件的制备按照半导体旁热式气敏元件的装配工艺进行 . 首先,取一定量的样品与去离子水
混合并研磨至糊状,涂覆在 Al2O3陶瓷管表面;而后,将 Ni-Cr 加热线插入 Al2O3陶瓷管中,加热至 300 ℃ 老化,以提高稳定性 . 最后,利用 WS-60A 智能气敏测试仪对制备的样本进行气敏性能测试,测试相对
明显优于同级别纳米颗粒和介孔结构材料, 纳米材料的气敏性能随纳米结构形态有序度的增加而提高 .
关键词 三维有序纳米阵列;纳米结构有序度;气敏性能
中图分类号 O611
文献标志码 A
近年来,氧化物半导体材料传感器在太阳能电池、光催化、燃料电池、生物医学及有毒有害物质检 测等领域得到了广泛应用[1~6]. In2O3为 n 型半导体,由于其具有较大的带隙宽度(3. 55~3. 75 eV)、高电 导率和优异的气敏性能,在气体传感领域备受关注[7,8].
氧化物半导体气体传感器的工作机理是气敏材料表面通过对空气中氧气分子的吸附和脱附可产生 明显的电导率变化[9]. 为了提升传感器性能,研究者进行了各种尝试,其中气敏材料纳米化是提高材料 传感性能的重要方法之一 . 目前,各种形态及尺寸的纳米 In2O3已被成功制备和研究,如纳米颗粒[10]、 纳米线[11]、纳米花[12]、纳米片[13]、纳米管[14]、中空结构[15]、介孔结构[16]和分级结构[17]等,以便通过控制 纳米材料的形态和微观结构来获得具有高气敏性能的材料 .
纳米线阵列材料的制备及其性能研究
纳米线阵列材料的制备及其性能研究随着人们对微观世界的探索深入,纳米科学越来越受到关注。
纳米线阵列材料作为一类重要的纳米结构材料,具有晶格完整性、机械强度高、热稳定性以及优异的电磁响应等特点,成为材料学、物理学及电子学等领域中重要的研究对象之一。
纳米线阵列材料制备方法主要包括自下而上与自上而下两种途径。
自下而上制备方法是将小分子化合物或原子与介质中的某种物质作用后,在反应表面形成一种晶核。
因为晶核的自集聚现象,不断生长,系统内最终竖立起了大量纳米线阵列材料。
而自上而下制备则需要采用用遮罩的沉积成型,或者利用化学或物理手段进行移位成型。
由于纳米线的直径非常小,甚至比细菌还小,制备过程对环境和条件要求较高,需要技术的支持和严格的生产控制。
纳米线阵列材料的性能在很大程度上取决于它的尺度,表面形貌,晶格结构及化学组成。
如何调控纳米线阵列材料的结构和形貌成为研究的重点之一。
研究人员通过调控沉积成型的时长、温度、金属的类型或配比,可控制纳米线阵列材料的外形和尺寸,以及晶体结构和材料的成分。
与单体材料相比,纳米线阵列材料的电学、光学、磁学性质都具有独特的优势。
例如,在电学方面,纳米线阵列材料的载流子密度和迁移率都非常高,是半导体器件和光电学器件的理想材料。
纳米线阵列材料不仅在电子学领域具有广阔应用前景,在催化反应、光催化、光储存、生物探针等领域也有着广泛的应用。
例如,通过在Ti纳米线表面催化水分解制氢,可以在温和条件下高效制氢;在催化剂的支撑下,纳米线阵列材料还可以用于有机物的高效处理和能源转换;应用于生物探针,则可实现快速、高灵敏度的癌症检测和分子诊断等。
总之,纳米线阵列材料是一类具有重要研究价值和广阔应用前景的纳米结构材料。
研究人员要从材料制备与化学合成的角度出发,进一步深入探究其物理性质与化学反应机制,为其应用于各领域带来更为广泛的机遇和可能。
In2O3纳米线制备及其特性
第2 7卷
第 3期
半
导
体
学
报
VO . 7 NO. 12 3 Ma .2 0 r ,0 6
20 0 6年 3月
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
CHI NES J E OU RNAL OF S EM I CONDUCTCRS I
I2 3纳米 线 制 备 及 其特 性 * n o
的有 o3 C Co2 No , , S NH3 C1 乙醇 , o, , 2 H2 H2 , , 2和 等探测 器 . 测器 的灵 敏 度 受 物 质 的 维度 以及 表 面 探 体 积 比影 响很 大 , 面 体 积 比大 的 可 以显 著 提 高 灵 表
现类 似 原子 分裂 的 V 形 、 T形 或 斜 T形 能 级 结 构 . 由于能 级 的分立状 况 , 子线 材 料 更 容 易 达 到 激 射 量 所必 须 的粒 子数反 转 , 故适 合 于制作 激光 器 . 时用 同 量 子线制 作 的激光 器 由 于量 子 限 制 效 应 , 使 激 光 将
光 机理 进行 了详 细 分析 .
2 实 验
实 验 所 用 反 应装 置 是管 式 加 热 炉 及 控 制仪 器 , 包括 氮 气接 人装 置 , 图 1 示 . 用 的原 料是 纯度 如 所 使
射 的原理 , 以制成 量 子线 沟道场 效 应 晶体管 , 可 单模 量子 线 可 以制作 量 子 干涉场 效应 晶体 管 和布拉 格 反 射 量 子 干 涉 场 效 应 晶 体 管 等 电 子 干 涉 效 应 器 件 . 。 ~ I 2 是 一 种宽 禁 带半 导 体 ( 3 7 e , n O3 E ≈ . 0 V) 它 的理 想配 比形式 ( n: I O=2: ) 绝 缘 体 . 它 的 3是 但 非理 想配 比形式 (n: I O=1: , 1 5 由 于 内部 < . ) 的缺 陷 ( 即存在 氧 缺 位 ) 能 够 达 到很 高 的 n型 掺 杂 , 水平 . 因而 控 制化 学 计 量 比例 (n: 的不 同 或者 I o) 适 当的掺 杂 ( 目前 研究 最 广 泛 的 也 是 应用 最 广泛 的 是掺锡 的 I O) 可 以使 IO I o 获 得不 同 的 电学 T , n /T 性质 、 属 性 质 、 导 体 性 质 或 绝 缘 体 性 质 . 外 金 半 另 IO I o 在 可见光 区和近 红 外 光 区有 着很 高 的透 n /T
纳米Mn2O3粉末的制备及表征
纳米Mn2O3粉末的制备及表征纳米Mn2O3粉末的制备及表征00文献综述报告一、纳米材料的制备及应用纳米材料是近代科学上的一个重大发现,已成为材料科学研究的前沿热点领域,受到广泛重视。
纳米材料是指三维空间上至少一维处于纳米量级(1-100nm),包括纳米微粒(零维材料),直径为纳米量级的纤维(一维材料),厚度为纳米量级的薄膜与多层膜(二维材料)。
目前,纳米材料研究的种类已涉及到有机物、无机物、非晶态材料、复合材料等,各国对纳米材料的研究都首先注重于制备方法,一般而言,纳米材料的制备按反应物的聚集状态分为液相法、气相法和固相法,与其他方法相比液相法具有反应条件温和,易控制,制得的纳米材料组成均匀、纯度高等优点。
在此着重讨论液相法制备纳米材料:1、溶胶-凝胶法(Sol—Gel法)Sol-Ge1法是以无机盐或者金属酸盐为前驱物,经水解缩聚过程逐渐胶凝化及相应的后处理而得到所需材料的方法,目前已报道采用Sol—Ge1法制备出TiO2,SiO2,NiO等单一纳米材料以及BaxTiy03(x/y为不同值),(Pb、Ca)TiO3,聚酰亚胺/二氧化硅等纳米复合材料。
Sol—Ge1法在制备离子导体、非线性光学(NLO)材料、光波导、光电、光色转换材料和探测等方面已表现出广泛的应用前景。
在采用这类方法制备纳米材料的过程中,影响最终纳米材料结构的因素主要有3种:(1)前驱物或醇盐的形态是控制胶体行为及纳米材料结构与性能的决定性因素.如采用二元醇,有机酸, -二酮等螯台剂,能够通过降低前驱物反应活性达到控制水解缩聚速度的效果;而乙二酸、DMA(N,N-二甲基乙酰胺)、DMF(N,N-二甲基甲酰胺)等的加人可以对颗粒的表面包覆、修饰,使得材料的比表面积和孔结构随之发生相应的变化。
(2)醇盐与水以及醇盐与溶剂的比例对溶胶的结构及粒度有很大的影响,同时也在很大程度上决定胶体的黏度和胶凝化程度,并影响凝胶的后续于燥过程。
(3)溶胶的pH 值不仅影响着醇盐的水解缩聚反应,而且对陈化过程中凝胶的结构演变甚至干凝胶的显微结构和组织也会产生影响。
气相法合成一维无机纳米材料的研究进展_方晓生
!!!"!"!!!"!"综述收稿日期:2006-06-22。
收修改稿日期:2006-08-22。
国家重大基础研究规划973项目“纳米材料和纳米结构”(No.2005CB623603)和国家自然科学基金资助项目(No.90406008,10304018,10574131)。
*通讯联系人。
E-mail:ldzhang@issp.ac.cn第一作者:方晓生,男,27岁,博士;研究方向:一维纳米材料和纳米结构。
气相法合成一维无机纳米材料的研究进展方晓生张立德*(中国科学院固体物理研究所,合肥230031)摘要:一维无机纳米材料是研究电子传输行为、光学特性和力学机械性能等物性的尺寸和维度效应的理想系统,将在构筑纳米电子和光电子器件等集成线路和功能性元件的进程中充当非常重要的角色,已成为当前纳米材料科学领域的前沿和热点。
本文将从一维无机纳米材料的合成、表征和物性研究等方面,结合近年来国内外的最新进展对这一新兴领域作一概述。
关键词:气相法;一维;无机;纳米材料中图分类号:O611.4文献标识码:A文章编号:1001-4861(2006)09-1555-13RecentProgressinOne-dimensionalInorganicNanomaterialsSynthesizedbyVaporMethodFANGXiao-ShengZHANGLi-De*(InstituteofSolidStatePhysics,ChineseAcademyofSciences,Hefei230031)Abstract:One-dimensional(1D)inorganicnanomaterialsareidealsystemsforinvestigatingthedependenceofelectricaltransport,opticalandmechanicalpropertiesonsizeanddimensionalityandexpectedtoplayimportantrolesasbothinterconnectsandfunctionalcomponentsinthefabricationofnanoscaleelectronicandoptoelectron-icdevices,whichareoneoftheresearchfrontiersandfocusesforthenanomaterialsfield.Thisarticlereviewstherecentprogressinthesynthesis,characterizationandpropertyofthisnewfield.Keywords:vapormethod;one-dimensional;inorganic;nanomaterials0引言自从1991年日本NEC公司Iijima等发现纳米碳管以来[1],其他的一维无机纳米材料,如纳米管、纳米棒、纳米线、纳米带和纳米同轴电缆等立刻引起了许多科技领域的科学家们极大关注[2 ̄16]。
合成条件对In2O3_纳米线阵列结构及气敏性能的影响
第61卷 第4期吉林大学学报(理学版)V o l .61 N o .4 2023年7月J o u r n a l o f J i l i nU n i v e r s i t y (S c i e n c eE d i t i o n )J u l y2023d o i :10.13413/j .c n k i .jd x b l x b .2022207合成条件对I n 2O 3纳米线阵列结构及气敏性能的影响杨 燕1,宫 杰1,2,孙 浩1,王新庆3(1.中国计量大学机电工程学院,杭州310018;2.中国计量大学现代科技学院,杭州310018;3.中国计量大学材料科学与工程学院,杭州310018)摘要:用S B A -15硬模板复制技术在不同温度下制备具有纳米线阵列结构的I n 2O 3系列样品.利用X 射线衍射仪㊁场扫描电子显微镜和紫外可见光光度计对样品的晶体结构㊁晶粒尺寸㊁晶胞参数㊁形貌及带隙宽度等进行表征,并测试分析样品对乙醇气体的气敏性能.结果表明:样品均为球形纳米I n 2O 3晶粒有序排列生长组成的三维纳米线阵列结构;随着烧结温度的增加,样品的晶粒尺寸和纳米线直径增大,纳米线间距减小;当烧结温度为450~650ħ时,样品的晶胞参数和带隙宽度随烧结温度的增加分别呈增大和减小趋势;当乙醇气体质量浓度为1ˑ10-4m g /L ,测试温度为320ħ时,450ħ烧结I n 2O 3样品的灵敏度最大为50.59.关键词:纳米线阵列;模板复制技术;介孔结构;气敏性能中图分类号:T B 383 文献标志码:A 文章编号:1671-5489(2023)04-0950-07E f f e c t s o f S y n t h e s i sC o n d i t i o n s o nS t r u c t u r e a n d G a s -S e n s i n g P r o p e r t i e s o f I n 2O 3N a n o w i r eA r r a ys Y A N G Y a n 1,G O N GJ i e 1,2,S U N H a o 1,WA N G X i n q i n g 3(1.C o l l e g e o f M e c h a n i c a l a n dE l e c t r i c a lE n g i n e e r i n g ,C h i n a J i l i a n g U n i v e r s i t y ,H a n gz h o u 310018,C h i n a ;2.C o l l e g e o f M o d e r nS c i e n c e a n dT e c h n o l o g y ,C h i n a J i l i a n g U n i v e r s i t y ,H a n g z h o u 310018,C h i n a ;3.C o l l e g e o f M a t e r i a lS c i e n c e a n dE n g i n e e r i n g ,C h i n a J i l i a n g U n i v e r s i t y ,H a n g z h o u 310018,C h i n a )收稿日期:2022-05-05.第一作者简介:杨 燕(1994 ),女,汉族,硕士研究生,从事气敏材料合成和性能的研究,E -m a i l :1096041161@q q.c o m.通信作者简介:宫 杰(1964 ),男,汉族,博士,教授,从事纳米功能材料合成㊁结构和性能的研究,E -m a i l :j l s f d x g j@163.c o m.基金项目:国家自然科学基金(批准号:51172220).A b s t r a c t :W eu s e dS B A -15h a r d t e m p l a t e r e p l i c a t i o n t e c h n o l o g y t o p r e p a r e I n 2O 3s e r i e s s a m p l e sw i t h n a n o w i r e a r r a y s t r u c t u r e s a t d i f f e r e n t t e m p e r a t u r e s .T h e c r y s t a l s t r u c t u r e ,g r a i ns i z e ,u n i t c e l l p a r a m e t e r s ,m o r p h o l o g y a n db a n d g a p w i d t ho f t h e s a m p l e sw e r e c h a r a c t e r i z e db y X -r a y d i f f r a c t o m e t e r ,f i e l ds c a n n i n g e l e c t r o nm i c r o s c o p e a n dU V -V i s s p e c t r o p h o t o m e t e r ,a n d t h e g a s s e n s i t i v i t y o f t h e s a m p l e s t o e t h a n o l g a sw a s t e s t e da n da n a l y z e d .T h er e s u l t ss h o wt h a t t h es a m p l e sa r ea l l t h r e e -d i m e n s i o n a ln a n o w i r e a r r a y s t r u c t u r e s f o r m e db y t h e o r d e r l y a r r a n g e m e n t a n d g r o w t ho f s p h e r i c a l n a n o I n 2O 3g r a i n s .W i t h t h e i n c r e a s e o f s i n t e r i n g t e m p e r a t u r e ,t h e g r a i ns i z ea n dn a n o w i r ed i a m e t e ro f t h es a m pl e s i n c r e a s e ,a n d t h en a n o w i r e s p a c i n g d e c r e a s e s .T h eu n i t c e l l p a r a m e t e r s a n d t h eb a n d g a p w i d t ho f t h e s a m p l e s s h o wa n i n c r e a s i n g a n dd e c r e a s i n g t r e n d r e s p e c t i v e l y w i t h t h e i n c r e a s e o f s i n t e r i n g t e m p e r a t u r e i n t h e r a n g e o f s i n t e r i n g t e m p e r a t u r e f r o m450ħt o 650ħ.W h e n t h em a s s c o n c e n t r a t i o no f e t h a n o l g a s i s 1ˑ10-4m g /La n dt h et e s t t e m p e r a t u r e i s320ħ,t h es e n s i t i v i t y o f t h eI n 2O 3sa m p l es i n t e r e da t Copyright ©博看网. All Rights Reserved.450ħi s t h em a x i m u mo f 50.59.K e y w o r d s :n a n o w i r e a r r a y ;t e m p l a t e r e p l i c a t i o n t e c h n o l o g y ;m e s o p o r o u s s t r u c t u r e ;g a s -s e n s i n g p r o p e r t y随着经济的发展与生活水平的提高,人们的安全意识不断增强,环保问题已引起人们广泛关注[1],由于气敏传感器可对环境气体质量进行监控分析,因此在环境监测领域应用广泛[2-3],根据不同反应原理可分为半导体式㊁固体电解质式㊁接触燃烧式㊁电化学式和高分子式[4-8]等气敏传感器,其中氧化物半导体气敏传感器具有成本低㊁稳定性高和易携带等优点[9].氧化物半导体材料是气敏传感器的核心,直接影响传感器的检测质量和使用性能[10].根据载流子类型,氧化物半导体材料分为n 型(I n 2O 3[11],S n O 2[12],Z n O [13])和p 型(C u O [14],N i O [15],C O 3O 4[16])两种.I n 2O 3作为一种典型的n 型半导体气敏材料,具有较宽的禁带宽度㊁较高的电导率和良好的气敏性能[17-19].目前已制备多种形态和尺寸的纳米I n 2O 3,如纳米颗粒[20]㊁线状结构[21]㊁花状结构[22]㊁片状结构[23]㊁管状结构[24]㊁中空结构[25]㊁介孔结构[26]和分级结构[27]等.通过调节纳米材料的微观形貌和尺寸可进一步改善并提升材料的气敏性能.介孔纳米材料具有较大的比表面积和规则的多孔结构,可有效促进气体分子的传输扩散,并为气体分子与材料表面吸附-脱附提供更多的反应活性位点,因而表现出良好的气敏性能.Z h u 等[28]用溶剂热法合成了具有高单分散性㊁平均尺寸约为90n m 和孔径约为2~4n m 的介孔I n 2O 3纳米球样品,对1ˑ10-4m g /L 乙醇的灵敏度响应值可达29.6,明显优于相同尺寸的粉末样品.利用S B A -15硬模板复制技术制备样品的纳米形态相同,且去除模板后的孔壁有序度较高[29],有利于吸附-脱附气体.基于此,本文用该方法合成I n 2O 3,并通过控制烧结温度获得4个具有相同纳米形态但晶粒尺寸不同的I n 2O 3样品.通过对比研究,分析烧结温度导致材料纳米微结构形态及有序度变化对气敏性能的影响.1 实 验实验试剂P E O -P P O -P E O (P 123),H C l (水溶液),C 8H 20O 4S i (四乙氧基硅烷,T E O S ),I n (N O 3)3,N a OH ,C H 3C H 2O H ,C 6H 14(正己烷)均为分析纯试剂,且使用前未经进一步纯化.S B A -15硬质模板合成:按比例将C 8H 20O 4S i 滴入聚醚P 123和盐酸的混合溶液中,在45ħ水浴下恒温搅拌后静置24h ;将所得混合物转移至高压反应釜并置于烘箱中,于130ħ反应24h ;将所得反应物经抽滤㊁洗涤㊁干燥后置于马弗炉中,550ħ焙烧6h ,最终得到S B A -15模板.I n 2O 3-x ħ(x =350,450,550,650)样品的合成:按比例将I n (N O 3)3和S B A -15模板同时与乙醇混合,于45ħ恒温水浴搅拌至干燥后加入相应的正己烷继续搅拌至干燥;将干燥后的样品置于马弗炉中分别经350,450,550,650ħ焙烧2h ;将焙烧后的样品置于80ħ浓N a O H 溶液中,10000r /m i n离心去除模板;对离心后的沉淀物进行洗涤㊁干燥后即可得到样品I n 2O 3-x ħ粉末.用s m a r t L a b 型X 射线衍射仪(日本R i g a k u 公司)测试分析样品的晶体结构,C u -K α线,管流为40m A ,管压为40k V ,步长为0.02ʎ,测试速度为2ʎ/m i n ;用S U -8010型扫描电子显微镜(日本日立公司)测试分析样品的微观形貌;用U V -2600型紫外可见近红外分光光度计(日本S H I MA D Z U 公司)分析样品的带隙宽度.气敏元件制备按半导体旁热式气敏元件的装配工艺进行.取一定量的样品与去离子水混合研磨至糊状,将N i -C r 加热线插入A l 2O 3陶瓷管中,以提供加热温度.将已制备的气敏元件在300ħ老化,以提高稳定性.最后,由W S -60A 智能气敏测试仪对制备的样品进行气敏性能测试,检测相对湿度为60%ʃ5%.由于I n 2O 3为n 型半导体,因此灵敏度由S =R a i r /R g a s 计算,其中R a i r 为空气中的电阻值,R g a s 为目标气体中的电阻值.此外,在注入和移除目标气体后,将阻值变化量达到稳定阻值90%时所用时间分别定义为响应和恢复时间.159 第4期 杨 燕,等:合成条件对I n 2O 3纳米线阵列结构及气敏性能的影响 Copyright ©博看网. All Rights Reserved.2 结果与讨论2.1 X R D 测试分析不同烧结温度下所得样品的X 射线衍射(X R D )谱如图1所示.由图1可见:样品的各衍射峰均与立方I n 2O 3特征衍射峰相对应,未观察到其他衍射峰,表明所得样品均为单相的立方I n 2O 3;随着烧结温度的增加,衍射峰强度增加,半峰宽减小,可定性判断样品的结晶度提高,晶粒尺寸增大.对各样品的衍射峰进行指标化分析,并利用S c h e r r e r 公式[30]计算,得到各样品的晶胞参数和晶粒尺寸分别为10.11,10.10,10.11,10.12n m 和12.4,12.9,14.6,15.2n m ,各样品的晶粒近似呈球形.样品的晶胞参数和晶粒尺寸随烧结温度的变化曲线如图2所示.图1 I n 2O 3样品的XR D 谱F i g .1 X R D p a t t e r n s o f I n 2O 3s a m p l e s 图2 I n 2O 3样品的晶胞参数和晶粒尺寸随烧结温度的变化曲线F i g .2 C h a n ge c u r v e s of u n i t c e l l p a r a m e t e r a n dg r a i n s i z e o f I n 2O 3s a m p l e sw i th si n t e r i n g t e m pe r a t u r e 由图2可见,样品的晶粒尺寸随烧结温度的增加而增大,晶胞参数在450~650ħ呈增大趋势,但350ħ样品大于450ħ样品的晶胞参数.这是由于350ħ的烧结温度较低,使样品的结晶度较低,导致样品结构中I n 空位缺陷较多[31],使原子间的结合能降低,导致350ħ样品大于450ħ样品的晶胞参数,晶粒尺寸比450ħ样品小.在温度从350ħ上升至450ħ的过程中,样品中I n 空位的结构缺陷逐渐减少,晶胞结构趋于完整.在450ħ以后,随着烧结温度的增加,样品晶粒尺寸增大[32],使样品的比表面积和表面能降低,原子间的结合能降低,导致样品的晶胞参数随烧结温度的增加而增大.表明制备结晶度较好的I n 2O 3样品烧结温度至少为450ħ.2.2 S E M 测试分析不同烧结温度制备I n 2O 3样品的扫描电子显微镜(S E M )照片如图3所示.由图3可见,各样品均呈由球形纳米颗粒定向排列组成的三维束状纳米线阵列结构,经测量各样品的纳米线直径和纳米线的间距分别为10.8,11.7,13.1,14.0n m 和5.0,4.0,3.0,2.0n m.样品的纳米线直径和间距随烧结温度的增加分别呈增大和减小趋势,这是因为S B A -15硬模板孔径和间距一定,随着烧结温度的增加,I n 2O 3样品的晶体逐渐生长,导致样品纳米线的直径逐渐增大,纳米线间距逐渐减小.2.3 紫外可见分光光度计测试分析I n 2O 3样品的紫外可见光吸收光谱分析如图4所示,其中图4(A )为各样品的紫外可见光吸收光谱(U V -V i s ).根据公式(αh ν)1/n =A (h ν-E g )(1)计算带隙宽度,其中α为吸光指数,h 为P l a n c k 常数,ν为频率,A 为与材料相关的常数,E g 为半导体带隙,n 为与半导体类型直接相关的指数,I n 2O 3为直接带隙半导体,n =1/2.图4(B )为各样品(A h ν)2与h ν的关系曲线.图4(C )为利用外推法拟合计算得到350,450,550,650ħ样品的带隙宽度分别为3.37,3.39,3.38,3.36e V ,其中450ħ烧结样品的带隙宽度最大,随着烧结温度的增加,样品的带隙宽度逐渐降低.随着烧结温度的增加,样品的晶粒尺寸增大[32],表面能和原子间的结合能降低,样品的共价键能降低.350ħ样品小于450ħ样品的带隙宽度,主要是由于259 吉林大学学报(理学版) 第61卷 Copyright ©博看网. All Rights Reserved.350ħ样品的烧结温度低,结晶度较低,I n 空位缺陷多[31],使原子间的结合能降低所致.与X R D 的分析结果相符.图3 I n 2O 3样品的SE M 照片F i g .3 S E Mi m a g e s o f I n 2O 3s a m pl es 图4 I n 2O 3样品的紫外可见光吸收光谱分析F i g .4 U V -V i s a b s o r p t i o n s p e c t r o s c o p y a n a l y s i s o f I n 2O 3s a m pl e s 图5 I n 2O 3样品灵敏度随温度的变化曲线F i g .5 C h a n g e c u r v e s o f s e n s i t i v i t y of I n 2O 3s a m p l e sw i t h t e m p e r a t u r e 2.4 传感器气敏性能测试分析不同烧结温度下获得I n 2O 3样品在不同测试温度下对1ˑ10-4mg /L 乙醇气体的反应灵敏度变化曲线如图5所示.由图5可见,当测试温度为260~320ħ时,随着测试温度的增加,各样品对乙醇气体的反应灵敏度均增大.当测试温度为320ħ时,灵敏度达到最大值,其中350,450,550,650ħ烧结样品的灵敏度分别为47.25,50.59,38.13,41.60.当进一步增加测试温度时,各样品的灵敏度均减小,因此各样品的最佳工作温度均为320ħ.在260~320ħ内,随着测试温度的增加,各样品对乙醇气体的反应灵敏度均增大,其主要原因为:1)测试温度增加使I n 2O 3样品的载流子浓度增大,吸附能力增强;2)测试温度增加使I n 2O 3样品表面吸附的O 产生O -2ңO 2-2ңO 2-的变化,导致导带中电子减少,势垒增高吸附能力增强[33].样品在320ħ工作温度下,450ħ烧结样品的灵敏度最高,随着烧结温度的增加,样品的灵敏度下降,这是由于450ħ烧结样品的纳米线直径较359 第4期 杨 燕,等:合成条件对I n 2O 3纳米线阵列结构及气敏性能的影响 Copyright ©博看网. All Rights Reserved.小㊁间距较大及良好的结晶度所致.样品的纳米线直径较小使其比纳米线直径大的样品I n O 之间的结合更强并具有更大的比表面积,使其对O 的吸附能力更强,同时其纳米线间距大形成了利于O 吸附-脱附更宽的通道,从而450ħ烧结样品的灵敏度最高.350ħ烧结样品比450ħ烧结样品具有更小的纳米线直径和更大的纳米线间距,但其结晶度较低,结构中存在一定量的I n 空位,其I n O 间的结合比450ħ烧结样品弱,使其对O 的吸附能力弱于450ħ烧结样品,导致其灵敏度相比较小.因此对于I n 2O 3纳米线阵列结构样品,I n O 间结合的强弱是影响其灵敏度的重要因素.在320ħ工作温度下,各样品对不同质量浓度乙醇的动态响应曲线如图6所示,各样品灵敏度随乙醇质量浓度的变化曲线如图7所示.图6 I n 2O 3样品在320ħ时对不同质量浓度乙醇的动态响应曲线F i g .6 D y n a m i c r e s p o n s e c u r v e s o f I n 2O 3s a m pl e s t od i f f e r e n tm a s s c o n c e n t r a t i o n s o f e t h a n o l a t 320ħ由图7可见,当乙醇质量浓度为1ˑ10-5m g /L 时,各样品仍具有较好的响应,350,450,550,650ħ烧结样品的灵敏度分别为5.24,5.37,5.31,4.96.表明三维束状纳米线阵列结构I n 2O 3样品具有相对较低的检测下限,更利于对乙醇气体的微量检测.图7 I n 2O 3样品在320ħ时灵敏度随乙醇质量浓度的变化曲线F i g .7 C h a n g e c u r v e s o f s e n s i t i v i t y o f I n 2O 3s a m p l e s w i t h e t h a n o lm a s s c o n c e n t r a t i o na t 320ħ综上,本文利用S B A -15硬模板复制技术,通过控制烧结温度(350~650ħ)制备了不同直径和间距的三维束状纳米线结构I n 2O 3样品,并分析了样品的形貌微结构㊁晶体结构和气敏性能.结果表明,不同烧结温度对I n 2O 3材料的气敏性能影响显著.与350ħ样品相比,450ħ烧结样品的结晶度高,内部缺陷少.在450~650ħ内,随着烧结温度的增加,样品的纳米线间距逐渐减小,气体吸附和脱附的传输通道逐渐缩小.在其他条件相同的情况下,通过对不同温度烧结I n 2O 3样品的气敏灵敏度对比分析可见,450ħ样品具有良好的气体传输通道而表现出较高的灵敏度.因此,良好的气体传输通道可有效提高材料的气敏性能.459 吉林大学学报(理学版) 第61卷Copyright ©博看网. 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g P r o p e r t i e sf o rγ-R a y s [J ].R a d i a t i o n P h y s i c sa n d C h e m i s t r y,2020,173:108880-1-108880-9.[20] S O U L A N T I C A K ,E R A D E SL ,S A U V A N M ,e t a l .S y n t h e s i s o f I n d i u ma n d I n d i u m O x i d eN a n o pa r t i c l e s f r o m I n d i u m C y c l o p e n t a d i e n y l P r e c u r s o r a n dT h e i rA p p l i c a t i o nf o rG a sS e n s i n g [J ].A d v a n c e dF u n c t i o n a lM a t e r i a l s ,2003,13(7):553-557.559 第4期 杨 燕,等:合成条件对I n 2O 3纳米线阵列结构及气敏性能的影响 Copyright ©博看网. All Rights Reserved.659吉林大学学报(理学版)第61卷[21] K O L MA K O V A,Z HA N G Y,C H E N GG,e t a l.D e t e c t i o n o f C Oa n dO2U s i n g T i nO x i d eN a n o w i r e S e n s o r[J].A d v a n c e d M a t e r i a l s,2003,15(12):997-1000.[22] N A R A Y A N A S WAMY A,X U H F,P R A D HA N N,e t a l.F o r m a t i o no fN e a r l y M o n o d i s p e r s e I n2O3N a n o d o t sa n dO r i e n t e d-A t t a c h e dN a n o f l o w e r s:H y d r o l y s i s a n dA l c o h o l y s i s v sP y r o l y s i s[J].J o u r n a l o fA m e r i c a nC h e m i c a lS o c i e t y,2006,128(31):10310-10319.[23] C HA N GS M,K I M H R,G R A E M E A,e t a l.H i g h l y S e n s i t i v ea n dF a s tR e s p o n d i n g C O S e n s o rU s i n g S n O2N a n o s h e e t s[J].S e n s o r s a n dA c t u a t o r sB:C h e m i c a l,2008,131:556-564.[24] C HU XF,J I A N GDL,Z H E N G C M.T h eP r e p a r a t i o na n dG a s-S e n s i n g P r o p e r t i e so fN i F e2O4N a n o c u b e sa n dN a n o r o d s[J].S e n s o r s a n dA c t u a t o r sB:C h e m i c a l,2007,123:793-797.[25] L I JW,L I U X,C U I J S,e t a l.H y d r o t h e r m a l S y n t h e s i s o f S e l f-a s s e m b l e dH i e r a r c h i c a l T u n g s t e nO x i d e sH o l l o wS p h e r e s a n d T h e i r G a s S e n s i n g P r o p e r t i e s[J].A C S A p p l i e d M a t e r i a l s a n d I n t e r f a c e s,2015,7(19): 10108-10114.[26] R E N G A R A J S,V E N K A T E R A J S,T A IC W,e t a l.S e l f-a s s e m b l e d M e s o p o r o u sH i e r a r c h i c a l-L i k e I n2S3H o l l o wM i c r o s p h e r e sC o m p o s e do fN a n o f i b e r sa n d N a n o s h e e t sa n dT h e i rP h o t o c a t a l y t i cA c t i v i t y[J].L a n g m u i r,2011, 27(9):5534-5541.[27] L I UJY,L U O T,M E N GFL,e t a l.P o r o u sH i e r a r c h i c a l I n2O3M i c r o/N a n o s t r u c t u r e s:P r e p a r a t i o n,F o r m a t i o nM e c h a n i s ma n dT h e i rA p p l i c a t i o n i nG a sS e n s o r s f o rN o x i o u sV o l a t i l eO r g a n i cC o m p o u n dD e t e c t i o n[J].J o u r n a l o fP h y s i c a l C h e m i s t r y C,2010,114(11):4887-4894.[28] Z HU G X,G U O LJ,S H E N X P,e ta l.M o n o d i s p e r s e dI n2O3M e s o p o r o u s N a n o s p h e r e s:O n e-S t e p F a c i l eS y n t h e s i sa n dt h eI m p r o v e d G a s-S e n s i n g P e r f o r m a n c e[J].S e n s o r sa n d A c t u a t o r sB:C h e m i c a l,2015,220: 977-985.[29] Z HA O D Y,F E N GJL,HU O QS,e t a l.T r i b l o c kC o p o l y m e r S y n t h e s e s o fM e s o p o r o u sS i l i c aw i t hP e r i o d i c50t o300A n g s t r o m P o r e s[J].S c i e n c e,1998,279:548-552.[30] L I M DJ,MA R K N A,R OW L E S M R.U n i v e r s a lS c h e r r e rE q u a t i o nf o rG r a p h e n eF r a g m e n t s[J].C a r b o n,2020,162:475-480.[31] C HO I JY,H E O K,C HO KS,e t a l.E f f e c t o f S i o n t h eE n e r g y B a n dG a p M o d u l a t i o n a n dP e r f o r m a n c e o f S i l i c o nI n d i u mZ i n cO x i d eT h i n-F i l m T r a n s i s t o r s[J].S c i e n t i f i cR e p o r t s,2017,7(1):7-15.[32]庾正伟,罗江山,雷海乐,等.放电等离子烧结制备纳米N i块体材料[J].强激光与粒子束,2010,22(12):2989-2992.(Y U Z W,L U O JS,L E I H L,e ta l.F a b r i c a t i o no fB u l k N a n o c r y s t a l l i n e N ib y S p a r k P l a s m a S i n t e r i n g[J].H i g hP o w e rL a s e r a n dP a r t i c l eB e a m s,2010,22(12):2989-2992.)[33] HU A N G XJ,M E N GFL,P IZX,e t a l.G a sS e n s i n g B e h a v i o ro f aS i n g l eT i nD i o x i d eS e n s o ru n d e rD y n a m i cT e m p e r a t u r eM o d u l a t i o n[J].S e n s o r s a n dA c t u a t o r sB:C h e m i c a l,2004,99(2/3):444-450.(责任编辑:王健)Copyright©博看网. 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纳米花状In2O3级次纳米结构的制备、表征及光学性质
2 实验部分
构建 的空心球结构 。在各种合 成方法 中, 溶液 中合 成氢氧 化铟前躯体 , 再对前躯 体进行热处理得 到保持形貌 的氧化
铟的路线是控制合成氧化铟级次纳米材料应用最多的。
22 表 .
征
通过透射 电子 显微镜 照片 ( 2 ) 我 们可知从 溶剂 图 a,
产物 的物相结构以及前 驱体 的结构 采用 x一射线粉 末衍射 ( R 技术确定 , X D) 所用仪 器为 日本理学 Rgk / i uD a MA 20 P X2 0 C型 固定 靶 x 一射 线 衍 射仪 , 墨单 色 器 , 石
关键词 : 液相 合 成 ; 化 铟 ; 致发 光 氧 光 中 图 分 类 号  ̄B 8 T 33 文献标识码 : A
得到 了新颖的 I: , nO 纳米花状级次纳米结构 。前驱体热分
1 引 言
级次结构纳米材料是具 有二级或者多 级结构 , 由个体 发生关联并集合在 一起而形 成 的一 个紧 密而又 有序 的整 体, 一般是 由基本纳米结构 单元 ( 维 、 零 一维 、 维纳米 材 二 料 )基于非共价键的相互作用下组织或 聚集成 的具有 一定 规则几何外观的稳定 的有序结构。这种级次结构通 常会产 生更加优异的整体协 同性质 , 不仅会具有结构单元 的特性 ,
解法所得产品纯净 , 无杂质 。在单分 散的纳 米 晶、 量子 点 的合成 中, 这种 方法 得到 广泛采 用 。以前 报道 的氧 化 铟级次纳米结构材料合成方法中 , 氧化铟级次纳米结构很 难直接一步得到 , 中间体 I ( H) n O ,的煅 烧也 是必 不可少
的, 这就使工作繁琐辛苦 。众多科研工作者渴望得到合成
In2O3纳米线制备及其特性
第27卷 第3期2006年3月半 导 体 学 报C HIN ES E J OU RNAL O F S EM ICOND U C TO RSVol.27 No.3Mar.,20063国家重点基础研究发展规划(批准号:G 2000068305),国家高技术研究发展规划(批准号:2001AA 311110,2003AA 311060,2004AA 311080),国家自然科学基金(批准号:6039070,6039072,60476030),国家杰出青年基金(批准号:60025411)和江苏省自然科学基金重点(批准号:B K 2003203)资助项目通信作者.Email :xzl @ 2005208228收到,2005210212定稿ν2006中国电子学会In 2O 3纳米线制备及其特性3谢自力 张 荣 高 超 刘 斌 李 亮 修向前 朱顺明 顾书林韩 平 江若琏 施 毅 郑有 (南京大学物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,南京 210093)摘要:使用管式加热炉成功地制备出In 2O 3纳米线.通过扫描电子显微镜可以看到样品为In 2O 3纳米线;X 射线衍射分析证实该材料是立方结构的In 2O 3;X 射线光电子谱分析发现该In 2O 3中存在大量氧缺陷;光致发光谱研究显示制得的In 2O 3纳米线有比较强的发光现象,主要集中在紫外光谱区.同时对反应的气相2固相(V 2S )生长机理和In 2O 3的光致发光机理进行了详细分析.关键词:In 2O 3;纳米线;X 射线衍射;扫描电子显微镜PACC :6480;8115H ;8120中图分类号:TN 30412+1 文献标识码:A 文章编号:025324177(2006)03205362051 引言量子效应使低维结构半导体材料表现出许多优良的特性,因而引起人们极大的研究热情[1~4].由于量子尺寸的限制效应,量子线材料电子能量状态呈现类似原子分裂的V 形、T 形或斜T 形能级结构.由于能级的分立状况,量子线材料更容易达到激射所必须的粒子数反转,故适合于制作激光器.同时用量子线制作的激光器由于量子限制效应,将使激光器的阈值电流密度得到降低,提高直接调制速度,降低阈值电流对温度的敏感.利用量子线控制杂质散射的原理,可以制成量子线沟道场效应晶体管,单模量子线可以制作量子干涉场效应晶体管和布拉格反射量子干涉场效应晶体管等电子干涉效应器件[3~5].I n 2O 3是一种宽禁带半导体(E g ≈3170eV ),它的理想配比形式(I n ∶O =2∶3)是绝缘体.但它的非理想配比形式(I n ∶O =1∶x ,x <115)由于内部的缺陷(即存在氧缺位),能够达到很高的n 型掺杂水平.因而控制化学计量比例(I n ∶O )的不同或者适当的掺杂(目前研究最广泛的也是应用最广泛的是掺锡的I TO ),可以使I nO x /I TO 获得不同的电学性质、金属性质、半导体性质或绝缘体性质.另外I nO x /I TO 在可见光区和近红外光区有着很高的透明度,并且对红外光有很高的反射率[6].I nO x /I TO 透明导电薄膜用途十分广泛,如电子照相、静电复印、光记录、磁记录、保护层等[7].I n 2O 3薄膜另一个重要的应用就是作为研制超灵敏度气体,特别是有毒气体探测器材料.这是利用其表面和气体之间的相互作用及电子转移变化来检测的.目前已经实现的有O 3,CO ,CO 2,NO 2,H 2,H 2S ,N H 3,Cl 2和乙醇等探测器.探测器的灵敏度受物质的维度以及表面体积比影响很大,表面体积比大的可以显著提高灵敏度和缩短反应时间.因此近年来低维I n 2O 3成为研究的热门,特别是一维纳米线的研究[8].本文使用管式加热炉成功地制备出I n 2O 3纳米线.X 射线衍射(X RD )分析证实该材料是立方结构的I n 2O 3;X 射线光电子谱(XPS )分析发现该I n 2O 3中存在大量氧缺陷;透射电子显微镜(T EM )和原子力显微镜(A FM )研究表明合成的I n 2O 3为纳米线;光致发光谱(PL )显示我们制得的I n 2O 3纳米线有比较强的发光现象,主要集中在紫外光谱区.同时对反应的气相2固相(V 2S )生长机理和I n 2O 3的光致发光机理进行了详细分析.2 实验实验所用反应装置是管式加热炉及控制仪器,包括氮气接入装置,如图1所示.使用的原料是纯度第3期谢自力等: In 2O 3纳米线制备及其特性为5N 的I n 2O 3粉末(粒度≤50μm )和高纯度的碳粉.图1 制备In 2O 3纳米线的管式加热炉Fig.1 Apparatus used was a horizontal electric resist 2ance f urnace实验时把In 2O 3粉末和碳粉按一定比例放入反应舟中,在反应舟气流下方盖上一片硅片(正面朝下),反应舟放入石英管中部的恒温区.在氮气作为保护气的气氛下,加热至1050℃并保温2h ,之后在空气中冷却至室温.反应结束后在硅片和反应舟的内壁获得样品,其中舟上是成须状淡绿色物质,而硅片上的是一层比较粗糙的膜.取出样品进行XRD ,XPS ,TEM ,A FM 以及PL 的测试分析.3 结果和讨论图2是研制样品表面的SEM 照片.从照片可以看出,研制的纳米线直径范围在40~200nm ,长度可达5μm 以上.图2 研制样品表面的SEM 照片Fig.2 A typical SEM image showing the general mor 2phology of In 2O 3nanowires图3是样品表面的XRD 谱,右上角是XRD 全谱,特别给出了XRD 全谱的底部放大图,目的是为了方便标注比较小的峰.通过对照标准XRD 谱,得出制得的是立方结构的多晶In 2O 3,生长取向倾向于〈222〉方向.In 2O 3纳米线表面的XPS 谱如图4所示,图4(a )是XPS 全谱,标注了In3d 峰和O1s 峰,图4(b )是放大了的In3d 峰,包含In3d 3/2和In3d 5/2的两个峰.经过碳的修正,得到In 2O 3的In3d 结合能:In3d 3/2是45018eV ,In3d 5/2是44312eV ;O1s 结合能为52917eV.从图4(a )可以得到In ,O 原子比约为28169∶35136(≈1∶1123),也就是In 2O 2.46.图3 样品表面的XRD 谱Fig.3 XRD pattern of In 2O 3nanowires图4 (a )In 2O 3纳米线的XPS 全谱图;(b )In 2O 3纳米线的In3d 谱Fig.4 (a )XPS spectrum of In 2O 3nanowires ;(b )In3d spectrum of In 2O 3nanowiresIn 2O 3的In3d 和O1s 结合能与参考文献[9]的结果(In3d 5/2∶44414eV ,In3d 3/2∶45119eV ,O1s ∶53116eV )类似,但偏小约1eV.从In ,O 原子比为1∶1123可见样品中存在大量氧缺陷,从制备过程考虑可以解释,由于整个生长过程处于氮气保护氛围735半 导 体 学 报第27卷内,氧原子不足,另外最后的退火氧化过程,也不能使低价态的In 充分氧化生成In 2O 3,这是造成大量氧缺陷的一个原因.另外,反应比较剧烈和混乱很容易产生大量晶格缺陷.图5是In 2O 3纳米线在325nm He 2Cd 激光器激发下的PL 谱.可以看出,制得的In 2O 3纳米线的PL 谱在396nm (3113eV )处有个峰,发光带主要位于紫外光谱区,这与一些关于In 2O 3的报道不同[6~9].Zhou 等人从In 2O 3纳米颗粒中得到的PL 谱峰在480nm 和520nm [10];Lee 等人在In 2O 3膜中观察到的PL 谱峰在637nm [11];Liang 等人制得的In 2O 3纤维的PL 谱峰在470nm [12];Dai 等人的In 2O 3纳米线的PL 谱有两个发光带,分别位于紫外光(392nm )和蓝光(468nm )[13].研究显示,In 2O 3的蓝光发射带主要是由于氧空位(记为V O )的存在[12],这些氧空位能够导致在能带中形成新的深施主能级.于是在光激发过程中,V O 的电子能够被受激空穴俘获,通过辐射复合就产生了一个蓝光光子.随着维度和尺寸的减少,In 2O 3的PL 谱的峰值有蓝移的趋势,原因之一可能是由于存在大量的缺陷[12].纳米线的生长过程中能够产生大量的缺陷,这些缺陷除了氧空位之外,还有铟空位、间隙和堆垛层错等.在小尺度下表面缺陷的影响占主要地位,随着尺度的进一步减少,表面积体积比和表面原子所占百分数都会显著地增加,生长过程中的表面会出现大量的缺陷.大量表面缺陷会影响到半导体的能带结构,在能带中形成一些局域态,这些局域态的复合同样会导致光致发光现象,其中可能会包含紫外光谱区的发光.图5 In 2O 3纳米线在波长为325nm 激光器激发下的PL 谱Fig.5 Room temperature PL spectrum of In 2O 3nanowires with UV fluorescent light excitation of 325nm另外量子效应的作用也是影响纳米线、纳米点PL 谱蓝移的重要原因[14].当粒子尺寸进人纳米量级时,由于量子尺寸效应,最高被占据分子轨道和最低未被占据分子轨道能级间距变宽,以致比粒子能级间距更宽,能隙变宽最直接的表现就是吸收或发光带的“蓝移”.量子限域效应也会导致类似的现象,当纳米物质尺寸与De Broglie 波长或者Bohr 半径可比拟时,介质势阱壁对电子和空穴的限域作用远大于电子和空穴的库仑作用,量子限域效应居于支配地位,进而引起电子和空穴波函数的重叠,易形成激子,产生激子吸收带.随着粒径的减小,激子带的吸收系数增加,出现激子强吸收.表现出激子的最低能量向高能“蓝移”.一维物质的能态密度成尖峰形状,这样使得能带边缘的载流子受到了限制,于是就大大加强了辐射复合.我们观察到In 2O 3纳米线紫外光谱区的光致发光现象,可能的原因是存在大量的缺陷,特别是表面缺陷的影响.从XPS 得到In 和O 的比例为1∶1136,就可以看到其中存在很多的氧缺陷.而纳米线在空间结构上比起薄膜有更大的表面体积比,因此也就存在更多的表面缺陷.这些氧缺陷、表面缺陷和其他缺陷对于紫外光谱区的光致发光有着十分重要的贡献.仔细观察图2中In 2O 3纳米线顶部可以看出,纳米线的顶部呈圆锥状,由此可以认为该In 2O 3纳米线的生长是基于气相2固相(V 2S )反应机理.首先,在这个过程中In 2O 3粉末在碳的作用下被还原成InO x 和In 的蒸汽.用HSC 软件计算不同温度下可能反应的自由能的反应如下所示:I n 2O 3+2C =I n 2O (g )+2CO (g )(1)I n 2O 3+3C =2I n (g )+3CO (g )(2)I n 2O 3+C =2I nO (g )+CO (g )(3) 上述反应可能产生In 2O ,InO 和In 三种反应物,在高温下这些产物是气态形式,我们计算了上述可能的三种气态产物.由于反应中的碳过量,且在氮气保护中,氧气不充分,所以碳只被氧化为CO ,而不是CO 2.用HSC 自由能计算软件分别计算了上述三个反应在600~1200℃的自由能变化,如图6所示.由图6可见,在本实验的反应温度下只有反应(1)的自由能小于零;反应(2)稍大于零约为18kJ ;反应(3)远大于零,达到443kJ.因此本实验中In 2O 3粉末主要被碳还原为气态的In 2O ,且有少量的气态In ,而没有被还原成气态的InO ,整个生长过程的气氛主要是In 2O 和N 2的混合气体.气态的In 2O 和In 在氮气的吹动下,沉积在硅衬底和瓷舟的内壁.沉积可以在硅片表面以及瓷舟内壁上生成InO x 的晶核,这些晶核上的缺陷(位错)将成为纳米线螺旋生长的生长点.随着还原反应的不断进行,气态In 2O 和In 分子不断碰撞先前晶核上的缺陷,在缺陷处沉积生长,最终长成InO x 的线状晶体.835第3期谢自力等: In2O3纳米线制备及其特性图6 用HSC计算的反应自由能随温度的变化Fig.6 Chemical reaction f ree energy calculated with HSC versus temperature在空气氛围中冷却时,InO x纳米线和空气中的氧反应,从而最后得到的是In2O3纳米线.空气中退火使得产物被氧化,而最终得到的是存在大量氧缺陷的In2O3,说明未退火前的晶体存在更多的氧缺陷,或说是In的低价态氧化物(InO x).4 结论本文使用管式加热炉成功地制备出In2O3纳米线.XRD分析证实该材料是立方结构的In2O3;XPS 分析发现该In2O3中存在大量氧缺陷;TEM和原子A FM研究表明合成的In2O3纳米线;PL研究显示In2O3纳米线有比较强的发光现象,主要集中在紫外光谱区.同时对反应的气相2固相(V2S)生长机理和In2O3的光致发光机理进行了详细讨论.参考文献[1] Yan Fawang,Zhang Wenjun,Zhang Ronggui.Status anddevelopment trend of semiconductor quantum2wires field2ef2 fective transistors.Semiconductor Information,2000,6:18(inChinese)[闫发旺.张文俊.张荣桂.半导体量子线场效应 管研究现状及趋势.半导体情报,2000,6:18][2] Zhang Chen,Zhao Xiaoning.Semiconductor quantum wirematerial.Semiconductor Information,2001,3:24(in Chinese)[张臣.赵小宁.半导体量子线材料.半导体情报,2001,3:24] [3] Zhang Huixiao.Research and development ofⅢgroup nitridesemiconductor quantum dot s.Semiconductor Information,2001,4:22(in Chinese)[张会肖.Ⅲ族氮化物量子点研究进展.半导体情报,2001,4:22][4] Zhang Chen.Semiconductor quantum dot and quantum wirematerials and t heir fabrication technology.MicrofabricationTechnology,2001,01:74(in Chinese)[张臣.半导体量子点和量子线材料及其制备技术.微细加工技术,2001,01:74] [5] Cheng Xianzhang,Zhang Chen.The research progress oflow dimension semiconductor materials.Semiconductor Maga2 zine,2000,3:44(in Chinese)[程宪章.张忱.低维半导体材料研究进展.半导体杂志,2000,3:44][6] Bender M,Kat sarakis N,Gagaoudakis E,et al.Dependence oft he photoreduction and oxidation behavior of indium oxidefilms on substrate temperature and film t hickness.J ApplPhys,2001,90:5382[7] Pissadakis S,Mailis S,Reekie L,et al.Permanent holographicrecording in indium oxide t hin films using193nm excimer la2ser radiation.Appl Phys A,1999,69:333[8] Zhang Daihua,Li Chao,Han Song,et al.Electronic transportstudies of single2crystalline In2O3nanowires.Appl Phys Lett,2003,82:112[9] Wu X C,Hong J M,Han Z J,et al.Fabrication and photolu2minescence characteristics of single crystalline In2O3nanowires.Chem Phys Lett,2003,373:28[10] Zhou H J,Cai W P,Zhang L D.Photoluminescence of indium2oxide nanoparticles dispersed wit hin pores of mesoporous sili2ca.Appl Phys Lett,1999,75:495[11] Lee M S,Choi W C,K im E K,et al.Characterization of t heoxidized indium t hin films wit h t hermal oxidation.Thin SolidFilms,1996,279(1/2):1[12] Liang C,Meng G,Lei Y,et al.Catalytic growt h of semicon2ducting In2O3nanofibers.Adv Mater,2001,13:1330[13] Dai L,Chen X L,Jian J K,et al.Fabrication and characteriza2tion of In2O3nanowires.Appl Phys A,2002,75:687[14] Huang M H,Mao S,Feick H,et al.Room2temperat ure ult ra2violet nanowire nanolasers.Science,2001,292:1898935半 导 体 学 报第27卷045F abrication and Characteristics of In2O3N anowires3Xie Zili ,Zhang Rong,Gao Chao,Liu Bin,Li Liang,Xiu Xiangqian,Zhu Shunming,Gu Shulin,Han Ping,Jiang Ruolian,Shi Y i,and Zheng Y oudou(Key L aboratory of A dvanced Photonic and Elect ronic M aterials of J iangsu Province,Depart ment of Physics,N anj ing Universit y,N anj ing 210093,China)Abstract:In2O3nanowires are f abricated successf ully wit h a high temp erature tube f ur nace.S EM p hot os show t he f or mation of t he na nowires.XRD a nalyses indicate t hat t he In2O3na nowires are cubic crystals.XPS a nalyses indicate t hat t here are many oxyge n def ects in t he In2O3na nowires.The In2O3na nowires ca n emit very bright ult raviolet light at396nm,w hich is detected by PL.The e mission a nd reaction mechanisms are discussed in detail at last.K ey w ords:In2O3;na nowires;XRD;S EMPACC:6480;8115H;8120Article ID:025324177(2006)03205362053Project supp orted by t he State Key Develop ment Progra m f or Basic Research of Chi na(No.G2000068305),t he National High Technology Research a nd Develop ment Progra m of Chi na(Nos.2001AA311110,2003AA311060,a nd2004AA311080),t he Distinguished Young Scientist Foundation of China(N o.60025411),t he National Natural Science Foundation of China(N os.6039070,6039072, 60476030),a nd t he Natural Science Foundation of J ia ngsu Province(N o.B K2003203)Corresp onding aut hor.Email:xzl@ Received28August2005,revised ma nuscript received12Oct ober2005ν2006Chinese Institute of Elect ronics。
一种制备SiC纳米线阵列的方法[发明专利]
专利名称:一种制备SiC纳米线阵列的方法专利类型:发明专利
发明人:师文生,刘海龙,佘广为,凌世婷
申请号:CN200910089510.X
申请日:20090722
公开号:CN101613881A
公开日:
20091230
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明属于半导体纳米线阵列的制备技术领域。
特别涉及一种制备SiC纳米线阵列的方法。
本发明的SiC纳米线阵列制备方法包括以下过程:用化学刻蚀的方法在单晶硅基片表面制备硅纳米线阵列,将表面有硅纳米线阵列的硅基片放置在盛有石墨粉的石墨坩埚中,再将石墨坩埚放入管式炉中加热,在加热过程中,通入惰性气体作为保护气,最终得到SiC纳米线阵列。
本发明的制备SiC纳米线阵列方法简单易行,所制备的SiC纳米线阵列在场发射及高温、高频、大功率的半导体器件方面具有巨大的潜在应用价值。
申请人:中国科学院理化技术研究所
地址:100190 北京市海淀区中关村北一条2号
国籍:CN
代理机构:上海智信专利代理有限公司
代理人:李柏
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一种二氧化钛纳米线阵列的制备方法与流程
一种二氧化钛纳米线阵列的制备方法与流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成,希望大家下载以后,能够帮助大家解决实际的问题。
文档下载后可定制随意修改,请根据实际需要进行相应的调整和使用,谢谢!并且,本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料,如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等,如想了解不同资料格式和写法,敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor.I hope that after you download them,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified after downloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types ofpractical materials,such as educational essays, diaryappreciation,sentence excerpts,ancient poems,classic articles,topic composition,work summary,word parsing,copy excerpts,other materials and so on,want to know different data formats andwriting methods,please pay attention!二氧化钛纳米线阵列的创新制备方法与流程解析二氧化钛(TiO2)纳米线阵列因其独特的物理化学性质,如高比表面积、优异的光催化性能和良好的生物相容性,被广泛应用于能源、环保、医疗等多个领域。
In2O3纳米结构的生长与性能研究的开题报告
In2O3纳米结构的生长与性能研究的开题报告
一、研究背景
氧化物半导体材料具有广泛的应用前景,在能源转换、光电子学、生物医药等领域都有着重要的作用。
In2O3是一种重要的半导体氧化物材料,具有良好的化学稳定性、光学性能和电学性能。
然而,其性能在很大程度上取决于纳米结构的尺寸、形状和性质。
因此,研究In2O3纳米结构的生长和性能,对于深入了解其性质及应用具有重要意义。
二、研究目的与内容
1. 研究In2O3纳米结构的制备方法及其生长机制;
2. 探讨不同制备条件对In2O3纳米结构形貌、尺寸和晶体结构的影响;
3. 分析不同纳米结构的光学和电学性能,并与普通In2O3材料进行比较研究。
三、研究方法及技术路线
1. 利用化学合成法或物理气相沉积法制备In2O3纳米结构;
2. 采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜分析纳米结构的形貌、尺寸和晶体结构;
3. 利用紫外-可见光谱和荧光光谱测试纳米结构的光学性能;
4. 采用电化学工作站和霍尔效应仪等测试纳米结构的电学性能。
四、研究意义与预期结果
本研究将对In2O3纳米结构的制备、生长机制及其性能等方面作深入探讨,有望为制备高性能In2O3纳米结构材料提供一定的理论和实践基础,具有重要的学术价值和应用前景。
预期结果包括:制备出不同形貌和尺寸的In2O3纳米结构并解析其生长机制;探究纳米结构与纯
In2O3材料的光学和电学性能差异及其原因,为其在光电子学和能源转换领域的应用提供实验依据。
In2O3纳米纤维的制备及甲醛气敏特性研究的开题报告
In2O3纳米纤维的制备及甲醛气敏特性研究的开题
报告
标题:In2O3纳米纤维的制备及甲醛气敏特性研究
研究背景:
随着人类经济水平的提高,室内装修和家居用品多种多样,这些装修材料和家居用品所产生的污染物不仅对人体健康造成了不利影响,同时也对环境造成了污染。
甲醛是一种常见的室内有害气体,它会对人体造成眼疾、耳疾、喉疾、头痛等多种不良反应。
因此,研究高效的甲醛气敏材料具有重要意义。
研究内容和方法:
本研究旨在制备In2O3纳米纤维,并利用甲醛作为气体检测目标,研究In2O3纳米纤维的气敏特性。
具体研究内容如下:
(1)通过溶胶-凝胶法制备In2O3霞光体粉末;
(2)采用电纺技术制备In2O3纳米纤维;
(3)利用扫描电镜、X射线衍射仪、BET表面积分析仪等对In2O3纳米纤维进行表征;
(4)基于电化学测试平台,研究In2O3纳米纤维的电学特性;
(5)研究In2O3纳米纤维对甲醛气体的灵敏度和选择性。
研究意义:
本研究将探究一种新型的甲醛气敏材料——In2O3纳米纤维,并从材料制备、表征、气敏性能分析等方面展开研究。
结果表明,制备的
In2O3纳米纤维对甲醛气敏响应较为敏感,为甲醛气体的检测提供了一种新的选择,具有较高的应用价值。
关键词:In2O3纳米纤维,甲醛,气敏响应,制备,电纺技术。
In2O3晶体的合成及其形貌表征的开题报告
In2O3晶体的合成及其形貌表征的开题报告引言:氧化物晶体因其广泛的应用前景而受到广泛关注。
在这些晶体中,In2O3是具有巨大发展潜力的半导体氧化物。
In2O3,一种重要的晶体,可以用于传感器、太阳能电池、显示器等领域。
因此,对In2O3晶体的合成和表征具有特别重要的意义。
研究目的:本文的目的是使用Tartaric-acid-assisted hydrothermal法合成In2O3晶体,并对其形貌进行表征。
研究内容:(1)合成In2O3晶体。
(2)采用SEM对In2O3的形貌进行表征。
(3)通过XRD对In2O3进行晶体结构分析和验证。
(4)通过UV-Vis和PL对In2O3进行光电学性能的测试。
研究方法:(1)Tartaric-acid-assisted hydrothermal法合成In2O3晶体。
(2)采用SEM对In2O3的形貌进行表征。
(3)通过XRD对In2O3进行晶体结构分析和验证。
(4)通过UV-Vis和PL对In2O3进行光电学性能的测试。
预期结果:通过本实验,预期得到以下结果:(1)成功合成In2O3晶体。
(2)通过SEM对In2O3的形貌进行表征,并得到In2O3晶体的晶形特征。
(3)通过XRD验证In2O3晶体的晶体结构。
(4)通过UV-Vis和PL对In2O3进行光电学性能的测试,包括其吸收和发射性能。
结论:本实验将采用Tartaric-acid-assisted hydrothermal法合成In2O3晶体,并对其形貌进行表征。
通过XRD分析和验证,我们将得到In2O3晶体的晶体结构。
此外,我们还将通过UV-Vis和PL对In2O3进行光电学性能测试,为进一步研究In2O3晶体的应用提供基础数据。
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第57卷 第3期吉林大学学报(理学版)V o l .57 N o .3 2019年5月J o u r n a l o f J i l i nU n i v e r s i t y (S c i e n c eE d i t i o n )M a y 2019d o i :10.13413/j .c n k i .jd x b l x b .2018479I n 2O 3纳米线阵列的合成及表征周玉意1,宫 杰2,3,王新庆3,李东升1,李晓青3(1.中国计量大学计量测试工程学院,杭州310018;2.中国计量大学现代科技学院,杭州310018;3.中国计量大学材料科学与工程学院,杭州310018)摘要:采用S B A -15硬模板复制技术合成纳米I n 2O 3样品,并用X 射线衍射(X R D )㊁扫描电子显微镜(S E M )㊁紫外可见光谱对样品的晶体结构㊁晶粒尺寸㊁形貌及带隙宽度进行测试,分析样品的纳米结构对气敏性能的影响机制.结果表明:样品为纳米线阵列结构,三维I n 2O 3纳米线阵列结构由粒径约为15n m 的单晶近球形I n 2O 3颗粒规则有序排列组成,间距约为1n m ,带隙宽度为3.63e V ;当温度为320ħ,乙醇气体在空气中的体积比为10-4时,其灵敏度达42.3.该纳米结构样品明显优于相同级别纳米颗粒和纳米介孔材料的气敏性能.关键词:纳米线阵列;纳米结构有序度;介孔结构;气敏性能中图分类号:T B 383 文献标志码:A 文章编号:1671-5489(2019)03-0673-06S y n t h e s i s a n dC h a r a c t e r i z a t i o no f I n d i u m O x i d eN a n o w i r eA r r a y s Z HO U Y u y i 1,G O N GJ i e 2,3,WA N G X i n q i n g 3,L ID o n g s h e n g 1,L IX i a o q i n g 3(1.C o l l e g e o f M e t r o l o g y a n d M e a s u r e m e n tE n g i n e e r i n g ,C h i n a J i l i a n g U n i v e r s i t y ,H a n gz h o u 310018,C h i n a ;2.C o l l e g e o f M o d e r nS c i e n c e a n dT e c h n o l o g y ,C h i n a J i l i a n g U n i v e r s i t y ,H a n g z h o u 310018,C h i n a ;3.C o l l e g e o f M a t e r i a l sS c i e n c e a n dE n g i n e e r i n g ,C h i n a J i l i a n g U n i v e r s i t y ,H a n g z h o u 310018,C h i n a )A b s t r a c t :I n d i u mo x i d e (I n 2O 3)s a m p l ew a s s y n t h e s i z e db y u s i n g S B A -15h a r dt e m p l a t e s r e p l i c a t i o n t e c h n i q u e .T h ec r y s t a ls t r u c t u r e ,g r a i ns i z e ,m o r p h o l o g y a n db a n d g a p w i d t ho ft h es a m pl e w e r e c h a r a c t e r i z e d a n db y X -r a y d i f f r a c t i o n (X R D ),s c a n n i n g e l e c t r o n m i c r o s c o p y (S E M )a n dU V -V i s i b l e s p e c t r a ,a n dt h e i n f l u e n c e m e c h a n i s m o fn a n o s t r u c t u r eo n g a ss e n s i n gp r o p e r t y w a sa n a l y z e d .T h e r e s u l t s s h o wt h a t t h e s t r u c t u r e o f s a m p l e i s n a n o a r r a y s .T h e t h r e e -d i me n s i o n a l I n 2O 3n a n o a r r a y s a r e c o m p o s e dof t h e r eg u l a r a r r a n g e m e n to f s i n g l ec r y s t a l s u b g l o b o s e I n 2O 3p a r t i c l e sw i t had i a m e t e ro f a b o u t 15n m ,a n d th e s p a ci n g o f i n t e r w i r e s i s a b o u t 1n ma n d t h eb a n d g a p wi d t h i s 3.63e V.W h e n t h e t e m p e r a t u r e i s 320ħ,t h e v o l u m e r a t i oo f e t h a n o l g a s i n a i r i s 10-4,t h e s e n s i t i v i t y i s 42.3.T h e g a ss e n s i n g p r o p e r t i e s o ft h e n a n o s t r u c t u r e d s a m pl e s a r e b e t t e rt h a n t h o s e o ft h e s a m e g r a d e n a n o p a r t i c l e s a n dm e s o p o r o u s n a n o m a t e r i a l s .K e y w o r d s :n a n o w i r ea r r a y ;d e g r e eo fo r d e ro fn a n o s t r u c t u r e ;m e s o p o r o u ss t r u c t u r e ;g a ss e n s i n g p r o p e r t y 收稿日期:2018-12-27.第一作者简介:周玉意(1994 ),女,汉族,硕士研究生,从事气敏材料合成与性能的研究,E -m a i l :732211748@q q.c o m.通信作者简介:宫 杰(1964 ),男,汉族,博士,教授,从事纳米功能材料合成㊁结构与性能的研究,E -m a i l :j l s f d x g j@163.c o m.基金项目:国家自然科学基金(批准号:51172220).纳米半导体材料由于具有较大的比表面积㊁表面活性㊁表面气体吸附能力和导电能力,且电导率随吸附不同气体而变化较大,因而成为理想的电阻型气敏传感器材料之一.目前,各种氧化半导体气476吉林大学学报(理学版)第57卷敏传感器已广泛用于检测有害㊁有毒气体[1-6],包括以氧化铟㊁氧化锡㊁氧化钛㊁氧化锌和氧化铁等材料为代表的n型氧化半导体传感器[1-4]及以氧化镍㊁氧化铜㊁氧化钴和氧化铬等材料为代表的p型氧化半导体传感器[5-6].其中n型半导体氧化物气体传感器的主要工作机制为:当半导体气敏材料在空气中时,其表面通过对空气中的O-和O2-吸附而引起内部电子向表面转移,在表面形成势垒区,使体电导率减小;在具有还原性气体的气氛中,半导体表面吸附的O-和O2-被还原性脱附,表面势垒区减弱㊁消失,电子从表面势垒区返回内部,使体电导率变大,利用半导体氧化物材料的电导率随还原性气体浓度变化而引起材料电导率的变化,可实现对具有还原性气体中有害气体浓度的测量[7].I n2O3为n型半导体,具有较大的带隙宽度(3.55~3.75e V)和高电导率,包括纳米颗粒㊁纳米线㊁纳米花㊁纳米片㊁纳米管㊁中空和介孔等结构[8-16].由于纳米介孔材料具有较大的比表面积,因此有利于材料表面O-和O2-的吸附和脱附,使其气敏性能良好,目前已引起人们广泛关注[17-20]. L i a n g等[21]用易溶性路易斯酸催化糠醛树脂模板法合成了颗粒和气孔尺寸均约为15n m的纳米介孔I n2O3样品,在最佳工作温度下,当乙醇气体在空气中的体积比为10-4时,其灵敏度达19.7,远高于相同尺寸的纳米颗粒,表明气体扩散通道对气体的灵敏度影响较大.S B A-15硬模板复制技术是可规模化生产获得三维有序纳米线阵列结构材料的有效方法,该方法制备样品的纳米结构形态相同㊁纳米结构有序度高[22],并具有利于气体吸附和扩散的三维有序通道.本文利用S B A-15硬模板合成具有三维有序纳米线阵列结构的I n2O3,并分析材料的纳米结构对气敏性能的影响机制.结果表明,在最佳工作温度下,当乙醇气体在空气中的体积比为10-4时,其灵敏度约为43.2,远高于纳米介孔I n2O3的灵敏度19.7.1实验1.1样品制备所用药品均为分析纯.先将正硅酸乙酯(T E O S)滴入由表面活性剂P123和盐酸混合的水溶液中,于45ħ充分搅拌后静置24h,再将混合溶液置于高压反应釜中130ħ反应24h,将得到的反应物经抽滤洗涤㊁干燥后,置于马弗炉中550ħ烧结6h,得到S B A-15模板.将I n(N O3)3和S B A-15加入乙醇中,于45ħ搅拌干燥后,再加入一定量的正己烷进一步搅拌干燥.将干燥后的样品650ħ烧结6h 后,置于80ħ的N a OH水溶液中溶去模板,经10000r/m i n离心洗涤,干燥后得到最终样品.1.2测试及条件用D/M a x-2500型X射线衍射仪(日本理学R i g a k u公司)测试分析样品的晶体结构,其中X射线的线源为C u Kα,管流200m A,管压40k V,步长0.02ʎ;用S U-8010型扫描电子显微镜(日本H I T A C H I公司)测试分析样品的微观形貌;用L a m b d a-750S型紫外可见近红外分光光度计(美国P e r k i nE l m e r公司)分析样品的带隙宽度.1.3气敏元件制备及气敏性能测试用半导体旁热式气敏元件的装配工艺制备气敏元件.首先,取一定量的样品与去离子水混合研磨至糊状;其次,将N i-C r加热线插入A l2O3陶瓷管中提供加热温度,并将已制备的气敏元件在300ħ老化,以提高其稳定性;最后,用W S-60A型智能气敏测试仪(郑州炜盛电子科技有限公司)对样品在不同温度乙醇气体中的气敏性能进行测试,由于I n2O3为n型半导体,因此其灵敏度为,(1)S=R a i rR g a s其中:R a i r为样品在空气中的电阻值;R g a s为样品在乙醇气体中的电阻值.当注入和移除目标气体后的阻值变化量为稳定阻值的90%时,其所用的时间分别为响应和恢复时间.2 结果与讨论2.1 X 射线衍射分析图1为样品的X 射线衍射(X R D )谱.由图1可见,样品的各衍射峰均与立方I n 2O 3(P D F 卡片图1 样品的X R D 谱F i g .1 X R D p a t t e r no f s a m p l e N o .71-2194)的特征衍射峰对应,且未观察到其他衍射峰,表明所得样品均为单相立方结构的I n 2O 3.将I n 2O 3样品的各衍射峰经指标化分析处理,并用S c h e r r e r 公式计算,得到样品的晶粒尺寸约为15n m.2.2 扫描电子显微镜分析图2为I n 2O 3样品的扫描电子显微镜(S E M )照片.由图2可见:I n 2O 3样品为近似球形纳米颗粒有序定向排列生长而成的三维束状纳米线阵列结构[23];样品纳米线直径(纳米颗粒直径)约为15n m ,纳米线间距(相邻纳米线颗粒间的平均间距)约为1n m.纳米直径与X R D 结果相符,即构成三维束状纳米线结构球形I n 2O 3颗粒为单晶结构.表明该材料具有利于材料表面O -和O 2-吸附和脱附的三维气体扩散通道及利于伴随电子转移三维有序的I n 2O 3束状纳米线阵列骨架.图2 样品的S E M 照片(A )及局部放大照片(B )F i g .2 S E M (A )a n d p a r t i a l e n l a r g e d i m a g e (B )o f s a m p l e 2.3 紫外可见光谱分析图3 样品的紫外可见光谱F i g .3 U V -V i s s p e t r u mo f s a m p l e 图4 样品紫外吸收光谱的(A h ν)2-h ν曲线F i g .4 C u r v e o f (A h ν)2-h νo fU V -V i s s p e c t r u mo f s a m p l e 图3为I n 2O 3样品的紫外可见光谱.样品的带隙宽度(E g )通过T a u c 方程计算:αh ν=[A (h ν-E g )]n ,其中:α为吸收系数;h 为P l a n c k 常量;ν为光子频率;A 为吸光度;n 为直接带隙半导体的1/2的电子跃迁参数.根据L a m b e r t -B e e r 定律,α与A 成比例,当(αh ν)2-h ν曲线的线性区域延伸至零坐标时,会与x 轴产生一个交点,该交点的值即为E g [24].图4为I n 2O 3样品紫外可见光谱的(A h ν)2-h ν曲线.576 第3期 周玉意,等:I n 2O 3纳米线阵列的合成及表征由图4可见,I n2O3样品的带隙宽度(E g)为3.63e V,表明该纳米结构样品表面具有较强的氧吸附能力,有利于提高气敏灵敏度.2.4气敏性能测试分析选用具有代表性的乙醇气体为测试气体.I n2O3样品处于空气中,空气中的O2吸附在I n2O3表面,吸附的O2在表面俘获I n2O3中的电子后成为O-和O2-,从而在表面形成势垒区,同时I n2O3内部的电子密度减小㊁电导率降低,反应过程如下:O2+e췍췍=-O-2(2)O-2+e췍췍=-2O-(3)O-+e췍췍=-O2-(4)将表面吸附O-和O2-的I n2O3放入含有乙醇的气体中,表面吸附的O-和O2-与乙醇发生反应失去电子,表面势垒区降低,I n2O3内部的电子密度增大㊁电导率升高,反应过程如下:C2H5OH+O2췍췍=-C2H3OH+H2O+2e-(5)C2H3OH+5O2췍췍=-2C O2+2H2O+10e-(6)在不同温度下,当空气中乙醇气体的体积比为10-4时,测试I n2O3样品的灵敏度性能,图5为样品的气敏灵敏度随温度的变化曲线.由图5可见,样品的气敏灵敏度随气体温度变化呈先升高㊁后降低的趋势,在320ħ附近的灵敏度达到最大值42.3,即样品对乙醇气体的最佳温度约为320ħ.当温度小于320ħ时,气体灵敏度急剧增大的主要原因为:首先,随着温度升高,气体的热动能增大,扩散能力增强,使氧更容易失去电子,氧吸附效果增强,同时吸附氧逐渐由O-向O2-转变,导致传感器的体电阻急剧增大;其次,温度升高使乙醇气体的活性增大,还原性增强,与表面吸附氧的反应效率提高,使传感器的体电阻急剧减小.当温度高于320ħ时,样品对乙醇的气敏灵敏度随温度的降低而减小,这是由于高温乙醇气体具有较强的还原性,以及I n2O3的高温稳定性较差易被还原,在表面形成了I n O等新相,使样品体电阻增大所致.图6为样品在320ħ时对空气中不同乙醇气体体积比的灵敏度动态曲线.由图6可见:随着乙醇气体体积比的增加,气敏灵敏度急剧增大,这是由于乙醇气体的浓度升高使反应效率提高所致.当乙醇气体的体积比为5ˑ10-5和10-4时,其气敏灵敏度分别为32.7和42.3.图5样品的气敏灵敏度随温度的变化曲线F i g.5V a r i a t i o n c u r v e o f g a s s e n s i t i v i t yw i t h t e m p e r a t u r e图6320ħ时样品对空气中不同乙醇气体体积比的灵敏度动态曲线F i g.6S e n s i t i v i t y d y n a m i c c u r v e s o f s a m p l e s t o e t h a n o lw i t hd i f f e r e n t v o l u m e r a t i o s i na i r a t320ħ2.5纳米结构对气敏性能的影响将制备的I n2O3纳米线阵列样品与颗粒尺寸相近的纳米颗粒[25]及介孔纳米颗粒[22]样品对乙醇气体的气敏灵敏度进行比较,结果列于表1.由表1可见,对于颗粒尺寸相近组成不同纳米结构的样品,当乙醇在空气中的体积比相同时,在反应的最佳温度下,其气敏灵敏度的差异较大.其中纳米颗粒之间为表面接触,颗粒间的表面接触电阻很大,不利于表面氧吸附和脱附时颗粒间的电子转移,同时颗粒间的空隙较小㊁杂乱无序,不利于气体流通,使其在乙醇气体加入前后的体电阻变化率较小,其对乙醇气体的气敏灵敏度最小.介孔纳米颗粒之间通过结构连接,具有利于电子转移和气体流通的三维676吉林大学学报(理学版)第57卷网络通道,在氧吸附和脱附时其电阻率变化较大,其气敏灵敏度较纳米颗粒样品明显提高.由于纳米线阵列颗粒之间通过三维有序结构生长连接,具有利于材料表面O -和O 2-吸附和脱附的三维气体扩散通道及利于伴随电子转移的三维有序I n 2O 3束状纳米线阵列骨架,因此氧吸附和脱附的效率更高,其体电阻率变化更大,其气敏灵敏度最大.表1 不同纳米结构的I n 2O 3颗粒对乙醇气体的气敏灵敏度T a b l e 1 G a s s e n s i t i v i t y o f I n 2O 3p a r t i c l e sw i t hd i f f e r e n t n a n o s t r u c t u r e s t o e t h a n o l g a s 纳米结构 颗粒尺寸/n m 乙醇在空气中的体积比最佳温度/ħ灵敏度纳米颗粒11.595ˑ10-53006介孔纳米颗粒14.25ˑ10-53001710-430019.7纳米线阵列155ˑ10-532032.710-432042.3 综上,本文利用S B A -15硬模板复制技术合成了粒径约为15n m 的I n 2O 3颗粒,纳米线的间距约为1n m ,该样品具有较大的带隙宽度及利于电子转移和气体流通的三维网络通道,当乙醇气体在空气中的体积比为10-4时,其灵敏度约为43.2,明显优于相同级别纳米颗粒和纳米介孔材料的气敏性能.该样品的纳米结构有序度较高,具有利于氧吸附和脱附所需的电子转移通道和气体通道,在相同条件下具有更强的氧吸附和脱附能力.参考文献[1] B HA T I AS ,V E R MA N ,B E D I R K.E f f e c to f A g i n g T i m eo n G a s S e n s i n g P r o p e r t i e sa n d P h o t o c a t a l yt i c E f f i c i e n c y o fD y e o n I n -S nC o -d o p e dZ n O N a n o p a r t i c l e s [J ].M a t e r i a l sR e s e a r c hB u l l e t i n ,2017,88:14-22.[2] G U O W e i ,F E N G Q i n g q i n ,T A O Y u f a n g ,e ta l .S y s t e m a t i cI n v e s t i g a t i o no nt h e G a s -S e n s i n g P e r f o r m a n c eo f T i O 2Na n o p l a t eS e n s o r sf o rE n h a n c e d D e t e c t i o no n T o x i c G a s e s [J ].M a t e r i a l s R e s e a r c h B u l l e t i n ,2016,73:302-307.[3] MO O N H G ,S H I M Y S ,K I M D H ,e ta l .S e l f -a c t i v a t e d U l t r a h i g h C h e m o s e n s i t i v i t y o f O x i d e T h i n F i l m N a n o s t r u c t u r e s f o rT r a n s p a r e n t S e n s o r s [J /O L ].S c i e n t i f i cR e p o r t s ,2012-08-17.d o i :10.1038/s r e p 00588.[4] L ID a n p i n g ,Z HA N G B e ib e i ,X U J i n gc a i ,e ta l .W id eB a n d g a p Me s o po r o 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