Global Foundries宣布2015年将正式启用EUV光刻技术
挺进次世代 ASML披露更多EUV光刻机研发新进展
在最近举办的SPIE高级光刻技术会议上，尽管EUV光刻工具的发展现状仍显得不够成熟，但目前唯一一家推出商用EUV光刻设备的厂商ASML还是给我们带来了一些下一代EUV光刻机的新信息，而我们也趁此机会给大家总结一下A S M L已经上市和正在研发阶段的E U V光刻机的部分性能参数。
IMEC工作人员正在安装NXE:3100如我们以前介绍的那样，ASML目前上市的试产型EUV光刻机型号为NXE:3100，这款机型号称最高成像能力为18nm，尽管这款机型在曝光功率和产出量方面还存在一些问题，但ASML表示他们会进一步优化下一代机型的性能，他们预定于2012年推出3100的后续机型。
我们先来看看他们刚刚推出的试产型NXE:3100机型的情况，之所以称为“试产型”，主要是因为这款机型在产出量方面还不能达到芯片制造厂商量产芯片时的产出量要求。
NXE:3100机型的主要客户和光源系统/产出量指标：目前已经有两台NXE:3100在客户处安装完成，其中首家安装的客户是三星公司，第二家则是比利时的IMEC研究机构。
需要说明的是，目前ASML公司有两家EUV 光源供应商，其一是Cymer公司，他们生产的EUV光源系统采用的是LPP激光等离子体光源，这种光源使用高功率激光来加热负载产生等离子体，据ASML透露，目前Cymer提供的光源系统其持续曝光功率为11W；另外一种则是Ushio 生产的基于DPP放电等离子体技术的光源系统，这种光源利用放电来加热负载(极微小的锡滴)产生等离子体，据ASML称Ushio正在开发过程中的一套DPP光源系统的曝光功率可达12W。
而三星公司安装的那台NXE3100配用的是Cymer 的光源系统，IMEC的那台则采用Ushio的光源系统。
另外还有一家生产EUV光源系统的主要厂商Gigaphoton，据ASML公司透露，这家公司制造的EUV LPP光源系统据称曝光功率可达20W左右。
接触孔(contact hole)的形状据说三星采购这台EUV光刻机的目的是准备将其用于内存芯片的生产制造，原因是如果使用193nm液浸光刻+双重成像技术来制造更高密度的内存芯片中的接触孔结构，其制造成本会很高，因此三星正在寻找其它的制造方案。
挺进次世代：ASML披露更多EUV光刻机研发新进展
在最近举办的SPIE高级光刻技术会议上，尽管EUV光刻工具的发展现状仍显得不够成熟，但目前唯一一家推出商用EUV光刻设备的厂商ASML还是给我们带来了一些下一代EUV光刻机的新信息，而我们也趁此机会给大家总结一下ASML已经上市和正在研发阶段的EUV光刻机的部分性能参数。
IMEC工作人员正在安装NXE:3100如我们以前介绍的那样，ASML目前上市的试产型EUV光刻机型号为NXE:3100，这款机型号称最高成像能力为18nm，尽管这款机型在曝光功率和产出量方面还存在一些问题，但ASML表示他们会进一步优化下一代机型的性能，他们预定于2012年推出3100的后续机型。
我们先来看看他们刚刚推出的试产型NXE:3100机型的情况，之所以称为“试产型”，主要是因为这款机型在产出量方面还不能达到芯片制造厂商量产芯片时的产出量要求。
NXE:3100机型的主要客户和光源系统/产出量指标：目前已经有两台NXE:3100在客户处安装完成，其中首家安装的客户是三星公司，第二家则是比利时的IMEC研究机构。
需要说明的是，目前ASML公司有两家EUV光源供应商，其一是Cymer公司，他们生产的EUV光源系统采用的是LPP激光等离子体光源，这种光源使用高功率激光来加热负载产生等离子体，据ASML透露，目前Cymer提供的光源系统其持续曝光功率为11W；另外一种则是Ushio生产的基于DPP放电等离子体技术的光源系统，这种光源利用放电来加热负载(极微小的锡滴)产生等离子体，据ASML称Ushio正在开发过程中的一套DPP光源系统的曝光功率可达12W。
而三星公司安装的那台NXE3100配用的是Cymer的光源系统，IMEC的那台则采用Ushio的光源系统。
另外还有一家生产EUV光源系统的主要厂商Gigaphoton，据ASML公司透露，这家公司制造的EUV LPP光源系统据称曝光功率可达20W左右。
接触孔(contact hole)的形状据说三星采购这台EUV光刻机的目的是准备将其用于存芯片的生产制造，原因是如果使用193nm液浸光刻+双重成像技术来制造更高密度的存芯片中的接触孔结构，其制造成本会很高，因此三星正在寻找其它的制造方案。
Global Foundries全球首发22nm FD-SOI工艺
次新 尝试 。 这 项举措 之 所 以对ห้องสมุดไป่ตู้于高通公 司如此重 要 ， 则是 由于 高通 是 物联 网联 盟 Ａ ｌ ｌ Ｓ ｅ ｅ ｎ的一 个 关 键 支
持者 ，是为物联 网标准 的设置而努力 的代表之一 。 通过 与线程组 的合作 ， 高通将打开一扇将连接起物
Ｃ ｌ ０ ｈ ａ ｌ Ｆ （ ） ｕ ｎ ｄ ｒ ｉ ｅ ｓ 宣称 ， 该Ｔ艺功耗 比 ２ ８ ｎ ｍ ＨＫ — Ｍ Ｇ降 低 了 ７ ０ ％ ，芯 片 面 积 比 ２ ８ ｎ ｍ Ｂ ｕ ｌ ｋ缩 小
片制造商制造先进内存和逻辑芯片的密集型三维结
构。 Ｃ ｅ ｎ ｔ ｎ ｓ Ｓ ｙ ｍ３蚀 刻 系统 的 反 应 腔采 用 了应 用 材 料 公 司 独创 的 Ｔ ｒ ｕ ｅ Ｓ ｙ ｍ ｍｅ ｔ ｒ ｙ 。 技 术 ， 具 有 多个 调 准
巾 国 集 成 电 路
Ｃ ｈｉ ｎａ Ｉ ｎｔ ｅｇ ｒ ａｔ ｅｄ Ｃｉ ｒ ｃｕｉ ｔ
业 界 要 闻
明下一代 １ Ｏ ｎ ｏ芯片大约会在 ２ ｔ ０ １ ６ 年年中投产。 但
科 再奇 表示 ， 制造 工 艺 的改进 速度 正 在放慢 ， 因此将 该 计划 推 迟到 了 ２ ０ １ ７年 下 半年 。 （ 来 自英特 尔 ）
高通公 司将 与谷歌线程组 合作
Ｉ ｎ ｔ ｅ ｌ 代工厂利用 Ｃ ａ Ｉ ｉ ｂ ｒ ｅ Ｐ Ｅ Ｒ Ｏ
日前 ，高通公 司 宣布将 与 谷歌线 程组 展 开合作
开发 新 业务 ， 这是 谷 歌 利用 网络 实 现设 备 连 接 的一
实 现 可靠 性 检 查
2015年光年
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1921年诺贝尔物理学奖
爱因斯坦（1879-1955）， 德裔美籍物理学家，现代物 理学奠基人之一。因阐明了 光电效应原理而获奖。爱因 斯坦创立了相对论，在量子 力学领域也有重大贡献。
爱因斯坦 Albert Einstein
光电效应是在高 于某特定频率的电磁 波照射下，某些物质 内部的电子会被光子 激发出来而形成光电 流。
涉和衍射原理，将携带物
体信息的光波以干涉图的
形式记录下来，并在一定
条件下再现，形成原物体
逼真的立体像。
因为全息术能记录物
体的全部信息，被认为是
绝佳的真三维显示方案。
此外，在干涉计量、信息
存储、军事、艺术等领域， 电影《阿凡达》对全息
均得到应用。
沙盘的艺术表现
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1981年诺贝尔物理学奖
布罗姆伯根（1920-）， 荷裔美籍物理学家，因激 光光谱学和非线性光学的 研究而获奖。
李 普 曼 （ 1845-1921 ） ， 法国物理学家，因发明基于 干涉现象的彩色照相技术而 获奖。他对干涉现象做了深 入广泛的研究，彩色照相技 术正是以此为基础，并发表 了李普曼干涉定律。
李普曼 Gabriel Lippmann
彩色照片相比黑白 照片能保存更丰富的信 息，该技术已经深入到 人们的日常生活。此外， 里普曼首次提出“集成 成像”的概念，可应用 于三维成像与显示。
兰姆 Willis mb
兰姆位移示意图
氢原子光谱中兰姆 位移的发现显示了氢原 子能级不完全精确符合 量子力学理论计算的结 果，直接促进了量子电 动力学的建立。兰姆位 移的测量实验也成为量 子电动力学的三大实验 支柱之一。
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1964年诺贝尔物理学奖
光刻机发展史
光刻机发展史光刻机是用在半导体制造过程中的重要设备。
它们用于将一种被称为“光刻图案”的微型设计（可能是一个集成电路或芯片的设计）转移到一个硅片上。
这种过程可以多次重复，从而在一个单一的硅片上形成许多相同的图案。
以下是光刻机发展史的要点：1.手工操作时期（1960年代早期）：最初的"光刻机"更像是一种精密的摄影设备，使用手动操作的方式，在硅片上的光阻上形成图案。
2.接触和近接光刻（1960年代到1970年代）：在此阶段，设备开发者将照相底片紧贴在硅片上（接触光刻）或者接近硅片（近接光刻），然后通过底片来暴露硅片，这样得到的图案可以直接复制到硅片上。
3.投影光刻（1970年代到1980年代）：随着集成电路制造对尺寸精度的要求加大，投影光刻逐渐取代了接触和近接光刻。
投影方式可以避免底片和硅片直接接触或靠近，从而减少了硅片受到污染的风险。
4.深紫外光刻和激光光刻（1980年代到1990年代）：在硅片上形成更小尺寸的图案需要使用更短的光波长。
深紫外光的波长比传统的紫外光短，能够实现更高的图案分辨率。
5.248毫米和193毫米波长的材料和光源 1990年代到2000年代）：248毫米和193毫米波长的激光光源被开发出来，并相应地配备了能够抵御这些光源强度的硅片和光阻。
6.光刻技术进一步发展（ 2000年代至今）：为了在硅片上形成更小的图案，人们开发了全息光刻、离子束光刻和电子束光刻等新技术。
其中电子束光刻尤其受到关注，因为它的波长远比光波短，能够实现非常高的分辨率。
7.极紫外光刻（EUV） 2010年代至今）：极紫外光刻使用13.5毫米的波长，比现有的193毫米敏光化学品技术要短得多，降低了芯片制造的复杂性，是目前市场上最新的硅光刻技术。
8.纳米光刻技术（2225年~）: 面对纳米级别光刻的挑战，研发者正在探索使用多种新式的光刻技术来实现制造需要，诸如电子束光刻、离子束光刻、X射线光刻、电介质纳米阵列光刻等。
EUV 曝光技术
【名词解释】EUV2013/03/13EUV是指波长为13.5nm的远紫外光（Extreme Ultra-Violet）。
也称为软X线。
利用远紫外光的EUV曝光技术作为可使半导体进一步微细化的新一代曝光技术而备受期待。
以前的半导体曝光技术是通过缩短所用光线的波长来提高曝光时的分辨率，从而满足微细化需求。
不过，近10年来，曝光波长一直维持在193nm没有改变。
其原因是，业界导入了在镜头与晶圆间充满水的液浸曝光技术，以及反复曝光的二次图形曝光技术等，替代了缩短波长的方法来提高分辨率。
大幅缩短曝光波长EUV曝光将曝光波长缩短至13.5nm，由此提高曝光时的分辨率。
（本图由《日经电子》根据InternationalTechnology Roadmapfor Semiconductors（ITRS）的资料制作，照片由阿斯麦提供。
）然而，这些技术也越来越接近极限。
最新的液浸曝光技术的分辨率为38nm左右，即使使用二次图形曝光技术，19nm已是极限。
继续提高分辨率的话，就需要将曝光次数增加到3次以上，这会使成本升高。
而使用波长仅为13.5nm的EUV曝光技术时，一次曝光便可轻松形成14nm左右的图形。
不过，目前EUV曝光技术的开发变得越来越慢。
其主要原因在于，EUV光源的输出功率目前仅为10～20W，还远远达不到量产所需要的250W。
这样下去的话，会给半导体的微细化发展速度造成巨大影响。
因此，从事EUV曝光装置业务的阿斯麦公司（ASML）于2012年10月宣布收购全球最大的EUV光源厂商西盟（Cymer），以加快开发速度。
阿斯麦的目标是2015年使EUV光源的输出功率达到量产所需要的250W。
（记者：木村雅秀，《日经电子》）。
三项半导体新技术投入使用的时间将后延
三项半导体新技术投入使用的时间将后延
三项半导体新技术投入使用的时间将后延至2015-2016年
半导体技术市场权威分析公司IC Insights近日发布的报告显示，按照他们的估计，450mm技术以及极紫外光刻技术(EUV)投入实用的时间点将再度后延。
据IC Insights预计，基于450mm技术的芯片厂需要到2015-2016年左右才有望开始实用化建设--比预期的时间点后延了两年左右。
另外，预计
16nm级别制程技术中也不会应用EUV光刻技术，这项技术会被后延到2015年，在13nm级别的工艺制程中投入实用。
另外一项较新的半导体制造技术，可用于制造3D堆叠式芯片的硅通孔技术(TSVs)也仍然处于萌芽状态，IC Insight公司的分析师Trevor Yancey 表示，此前外界似乎过高估计了这项技术的成熟度，目前这项技术要投入实用，还需要解决很多有关测试和成本方面的问题。
这样的分析结果意味着曾被人们寄予厚望的，能用来延续摩尔定律寿命的三项新技术：450mm，EUV以及TSVs离投入实用还有一段时间。
450mm技术实用化的后延并不令人感到意外，毕竟转换到450mm技术需要大量的资金投入，而且眼下经济危机的阴云还没有完全散去。
据先前。
euv光刻机概念
euv光刻机概念EUV光刻机是目前半导体芯片制造领域最关键的工具之一。
EUV是英文EUV（Extreme Ultraviolet）的简称，即极紫外光。
极紫外光的波长范围在10纳米至14纳米之间，属于电磁波谱中的较短波长部分。
相比于传统的紫外光刻技术，EUV技术具有更高的分辨率和更小的特征尺寸，可以实现更高密度的芯片制造。
传统的光刻技术使用紫外光来曝光光刻胶，然后通过光刻胶的显影来制造芯片上的图像模式。
然而，随着芯片制造工艺的不断进步，传统的紫外光刻技术已经无法满足对尺寸更小、材料更复杂的芯片制造需求。
EUV光刻机的核心部件是EUV光源，它是通过激光束将锂等金属材料蒸发而产生的。
这些金属蒸汽通过高温等离子体进行加热，然后通过镜片中的追踪系统进行聚焦。
EUV光源的特点是波长短、能量高、穿透力强，可以直接用于刻写更小的特征尺寸。
然而，EUV光源的产生和控制非常复杂，成本也很高，是目前EUV光刻技术面临的主要挑战之一。
另一个重要的部件是光刻胶，它是将芯片模式传输到硅片上的关键材料。
传统的光刻胶主要是基于光聚合反应的化学反应原理，而EUV 光刻胶则需要对更短波长的极紫外光具有较高的响应能力。
目前，有许多公司正在开发新型的EUV光刻胶，以满足EUV光刻技术对更高分辨率和更大透过率的要求。
EUV光刻机中最重要的部件是投影仪，它是将芯片上的图像模式分辨投影到硅片上的关键设备。
投影仪由多个反射镜组成，这些反射镜通过反射和折射来将图像模式投影到硅片上。
与传统的紫外光刻技术不同，EUV光刻技术使用的是反射镜而不是折射镜，因为极紫外光对大多数材料都有很强的吸收能力。
反射镜的制造非常复杂，需要使用高度精密的加工和测试设备。
目前，EUV光刻机中使用的反射镜主要是基于多层膜技术，即将多个不同材料的薄膜堆叠在一起，以实现对极紫外光的多次反射和折射。
总之，EUV光刻机是半导体芯片制造领域最先进的制造工具之一。
它利用极紫外光的高能量和短波长特性，可以实现更高分辨率和更小特征尺寸的芯片制造。
2023届名校大联考高考仿真高效提分物理卷
2023届名校大联考高考仿真高效提分物理卷一、单选题 (共6题)第(1)题如图，港珠澳大桥人工岛建设时，起重机用8根对称分布且长度均为22米的钢索将直径为22米、质量为的钢筒匀速吊起，重力加速度取，则此过程每根钢索所受到的拉力大小为（ ）A．B．C．D．第(2)题某物体左右两侧各有一竖直放置的平面镜，两平面镜相互平行，物体距离左镜4m，右镜8m，如图所示．物体在左镜所成的像中从右向左数的第三个像与物体的距离是A．24m B．32mC．40m D．48m第(3)题在东汉王充所著的《论衡•状留篇》中提到“是故湍濑之流，沙石转而大石不移。
何者？大石重而沙石轻也。
”从物理学的角度对文中所描述现象的解释，下列说法正确的是（）A．水冲沙石，沙石才能运动，因为力是产生运动的原因B．“沙石转而大石不移”是因为物体运动状态改变的难易程度与质量有关C．只有在水的持续冲力作用下沙石才能一直运动，是因为运动需要力来维持D．“大石不移”是因为大石受到的阻力大于水的冲力第(4)题某绝缘空心球如图所示，a、b、c、d、E、F是过球心O的截面的圆周上六个等分点，分别在a、d和b、c固定等量的正、负点电荷，即，AB是与平面abc垂直的直径，设无限远处为电势零点，则（）A．E、F两点的电场强度大小相等、方向相反B．A、O、B三点的电势高低关系为C．将一正的试探电荷从A点沿圆弧AEB移到B点的过程中，电场力先做正功再做负功D．若a、b、c处的电荷固定不动，将d处的电荷移到O处，则电荷的电势能将减少第(5)题降落伞在匀速下降过程中遇到水平方向吹来的风，若风速越大，则降落伞A．下落的时间越短B．下落的时间越长C．落地时速度越小D．落地时速度越大第(6)题EUV光刻机是利用波长为13.5nm的极紫外光进行曝光来制造芯片。
如图为EUV光刻机的简化原理图，为提高光刻机的光刻精度，在投影物镜和光刻胶之间填充了折射率为1.5的浸没液体，则加上浸没液体后，该极紫外光波（ ）A．在浸没液体中的频率变为原来的1.5倍B．在浸没液体中的波长变为9nmC．光从真空区域进入浸没液体传播速度不变D．在浸没液体中比在空气中更容易发生衍射二、多选题 (共4题)第(1)题如图所示，质量为M、长度为L的小车静止在光滑水平面上，质量为m的小物块（可视为质点）放在小车的最左端，现用一水平恒力F作用在小物块上，使小物块从静止开始做直线运动，当小物块滑到小车的最右端时，小车运动的距离为，小物块和小车之间的滑动摩擦力为f，此过程中，下列结论正确的是（ ）A．物块到达小车最右端时，其动能为B．摩擦力对小物块所做的功为C．物块到达小车最右端时，小车的动能为D．物块和小车组成的系统机械能增加量为第(2)题如图所示是某地铁站的安检设施。
EUV与DUV光刻机区别
• 采用水浸没式技术，利用水相的折射率，将可见光或 UV光进行折射，形成掩模版。
光学系统
EUV光刻机
• 采用高精度反射镜和透镜等光学元件，通过多级反射 和聚焦，将光源照射在芯片表面，形成电路图案。
DUV光刻机
• 采用透镜组和反射镜等光学元件，通过多级折射和 聚焦，将光源照射在芯片表面，形成电路图案。
06
市场差异
市场规模
• EUV光刻机市场规模较小，原因是其技术研发难度较大，生产成本较高，导致市场供应量有限 。
• DUV光刻机市场规模相对较大，技术成熟，生产成本相对较低，能够满足不断增长的市场需求 。
市场占有率
• EUV光刻机市场占有率较低，主要被应用于高端芯片制 造领域，因为其技术门槛较高，仅有少数企业能够掌握。
DUV光刻机结构
• DUV光刻机主要包括光源、光栅、镜头、工作台、控制 单元等部分。
设备材料
EUV光刻机材料
• EUV光刻机主要使用高反射率的金银合金，以及抗辐 射、耐高温的材料。
DUV光刻机材料
• DUV光刻机主要使用高透过率的石英和耐辐射的材 料。
设备维护
EUV光刻机维护
• EUV光刻机需要经常进行清洗和更换光学元件，以保证 设备的精度和稳定性。
芯片应用
EUV光刻机
• 适用于高性能处理器、图形处理器、存储器、人工智能 加速器等芯片。
DUV光刻机
• 适用于各类模拟电路、功率器件、传感器、微控制器等 芯片。
生产线
EUV光刻机
• 主要应用于尖端制程生产线。
DUV光刻机
• 广泛应用于成熟制程生产线。
04
设备差异
设备结构
EUV光刻机结构
光刻机的发展史
光刻机的发展史
光刻机在半导体制造过程中扮演着至关重要的角色，它是制造高度集成电路的关键工具之一。
下面是光刻机的发展史：
1、1950年代：第一台手动光刻机出现，用于制备试验样片。
2、1960年代：随着半导体工业的逐渐兴起，光刻机开始走向自动化，可实现光刻图案的自动曝光。
3、1970年代：出现了掩膜对准技术，使曝光精度更高。
同时，也出现了投影式光刻机，它采用菲涅耳透镜放大，能更好地展示小尺寸图案，而且成像分辨率改进，并提供了更快的曝光时间。
4、1980年代：出现了深紫外光刻机，使用波长比传统525纳米还要低的248纳米，导致了更高的分辨率，从而实现精度更高的图案制备。
5、1990年代到实现折射深紫外光刻技术，采用193纳米的波长，能够实现至少70纳米的细节。
6、2000年代：出现了双重折射深紫外光刻技术（双重折射或双层折射光刻技术），用于制造更为高级的芯片，例如DRAM和其他存储器。
7、2010年代：开始出现极紫外光刻技术（EUV），不需要用多重反射设备分级测量反射光，使得曝光时间更短，将领导未来的半导体芯片生产。
总体来说，随着计算机和电子设备等技术需求的增长，光刻机不断更新换代，精测技术不断改进，同时也促进了半导体工业的发展。
euv光刻 光源要求
euv光刻光源要求EUV光刻光源要求EUV光刻技术是一种高分辨率的微影技术，它采用极紫外（Extreme Ultraviolet, EUV）光源进行曝光，具有更小的特征尺寸和更高的分辨率，被广泛应用于半导体制造和集成电路行业。
而光源是EUV光刻中不可或缺的重要组成部分，它直接影响到光刻机的性能和曝光质量。
EUV光刻光源要求非常严格，主要包括以下几个方面：1. 光源亮度：光源的亮度决定了EUV光刻机的分辨率和曝光速度。
亮度越高，分辨率越高，曝光速度越快。
因此，光源亮度是衡量EUV光刻机性能的重要指标之一。
2. 稳定性：光源的稳定性对于EUV光刻机的曝光精度和一致性非常重要。
光源要求具有高度稳定的辐射功率和波长，以确保每次曝光的一致性和准确性。
3. 波长：EUV光刻机使用的光源波长通常为13.5纳米，这是由于13.5纳米的光在大气中有较好的透过性。
因此，光源要求能够产生高纯度、稳定的13.5纳米波长光。
4. 寿命：EUV光刻光源的寿命直接关系到设备的可靠性和使用成本。
光源寿命要求长，能够稳定地工作数千小时，减少更换光源的频率和维护成本。
5. 功率：EUV光刻光源要求具有较高的辐射功率，以实现高效的曝光。
光源功率越高，曝光速度越快，生产效率越高。
6. 真空环境要求：EUV光刻光源通常工作在真空环境中，以避免光在大气中的吸收和散射。
因此，光源要求能够在高真空环境下稳定工作，并具备良好的真空密封性。
为了满足这些光源要求，EUV光刻机使用了一种特殊的光源——等离子体光源。
等离子体光源通过将锂和锗等材料加热至高温，产生高能电子和离子，通过碰撞和复合过程产生EUV光。
与传统的光学光源相比，等离子体光源具有更高的亮度、稳定性和寿命。
然而，EUV光刻光源还存在一些挑战和限制。
首先，等离子体光源的功率密度非常高，容易引起光学元件和掩模的热损伤。
其次，等离子体光源的能量转换效率较低，能量浪费较多。
此外，光源的成本也非常昂贵，是EUV光刻机的重要成本之一。
极紫外光euv光刻技术
极紫外光euv光刻技术随着现代微电子设备的不断升级和发展，对制造工艺的要求也越来越高。
光刻技术，作为微电子制造中不可或缺的关键工艺，其精度和分辨率直接影响了芯片性能的稳定性和可靠性。
然而，传统的紫外光刻技术已经无法满足当今微纳米化趋势下的制造需求，而极紫外光（EUV）光刻技术的出现，则为微电子制造带来了全新的突破。
什么是极紫外光（EUV）光刻技术？极紫外光（EUV）是指波长小于100纳米，即能量大于10 electron-volt（eV）的紫外线，是一种极强辐射能量的光源。
相比传统的紫外光刻技术，EUV光刻技术所使用的波长更短，能量更高，因此具有更高的分辨率和更好的精度。
EUV光刻机由光源、光学系统、控制系统等部分组成。
其中，光源是整个系统的核心部件，通过激光器产生极紫外光，经过光学系统聚焦成一束高能量的光束，并通过控制系统进行控制和调整，最终对芯片进行曝光和雕刻，从而实现微纳米级的结构制造。
EUV光刻技术与传统紫外光刻技术的对比相对于传统的紫外光刻技术，EUV光刻技术具有以下优势：1. 更小的分辨率：EUV光刻技术所使用的波长更短，因此具有更高的分辨率和更好的制造精度。
目前已经可以实现10纳米级别的制造，而传统紫外光刻技术最高只能到达20纳米。
2. 更高的速度：EUV光刻技术可以实现更高的曝光速率，每分钟可进行数百个曝光，相比之下传统紫外光刻技术只能进行数十个曝光。
3. 更低的成本：EUV光刻技术可以使用更简单、更便宜的光刻胶，节省了成本，同时还减少了对环境的污染。
4. 更高的可靠性：EUV光刻技术具有更高的制造稳定性和可靠性，可以有效降低制造中的损耗和产品缺陷率。
EUV光刻技术的应用前景与发展趋势EUV光刻技术在当前半导体制造领域已经得到广泛应用，并在下一代芯片制造中扮演着重要的角色。
EUV光刻机已经可以实现10纳米级别的制造，而未来还可能实现更小的制造精度，为芯片制造提供更强的技术支持。
除此之外，EUV光刻技术还可以应用于其他领域，如生物医药、纳米材料制备等。
euv光刻机波长
euv光刻机波长EUV光刻机波长是在微纳米尺度下使用的一种光刻技术。
这种技术需要使用特殊的光源，产生波长约为13.5纳米的极紫外光（EUV）。
EUV光刻机可在制造芯片时以纳米级的精度进行图案化测量和刻写，因此已成为现代高技术电子行业中不可或缺的一个重要工具。
现代集成电路中，器件尺寸越来越小，图案化的制造技术也越来越复杂。
这就迫使制造商必须不断改进自己的工艺，使芯片芯片上的图案尺寸越来越小。
比如，当今的FinFET 制造技术中，晶体管的栅长只有几十个纳米，制造这种芯片的复杂程度就更高。
因此，为了满足这些要求，曝光波长必须变得越来越短。
在过去，EUV光刻机波长选择的范围为157纳米至193纳米。
这种波长被广泛应用于制造高精度芯片，但却已经无法满足当前芯片制造技术的需求。
目前，EUV光刻机的波长已经达到了13.5纳米，可以实现更小、更低能耗的组件制造。
这种波长可以高度精确地制造各种电子器件和电路，因为它的分辨率更高，可以提供更多的信息。
EUV光刻机所使用的波长具有许多优点。
首先，若干发射源和导体结构可以在13.5纳米波长下制造，可大大改善系统的效率和稳定性，从而减少了集成电路行业的制造成本。
其次，13.5纳米波长的光子对电子器件的渗透能力很强，可实现极高的分辨率，从而可以制造出更为精细、更为高密度的晶体管结构，实现了芯片的大幅度缩小。
最重要的是，这种技术可以使芯片在功耗上得到大幅缩小，使得电子产品在使用电能时更加经济高效。
总之，EUV光刻机波长的研发应用对于芯片制造产业是一个巨大的进步。
使用这种尖端技术制造出来的电子产品，具有更高的性能、更低的功耗和更短的制造周期。
这为电子设备的生产商和消费者都带来了更大的经济效益和科技革新。
2024届陕西省宝鸡市金台区高三下学期教学质量检测(一模)理综试卷-高中物理
2024届陕西省宝鸡市金台区高三下学期教学质量检测（一模）理综试卷-高中物理一、单项选择题：本题共8小题，每小题3分，共24分，在每小题给出的答案中，只有一个符合题目要求。
(共8题)第(1)题放射性同位素钍232经α、β衰衰变会生成氡，其衰变方程为。
则下列说法中正确的是（ ）A．衰变方程中B．氡核的比结合能大于钍核的比结合能C．钍核α衰变的半衰期等于其放出一个α粒子所经历的时间D．衰变后α粒子、β粒子与氡核的质量之和等于衰变前钍核的质量第(2)题如图所示，圆心为O、半径为R的半圆形玻璃砖置于水平桌面上，一束蓝光从P点垂直界面入射（）后，恰好能在玻璃砖圆形表面发生全反射，已知O、P间的距离为。
不考虑玻璃砖圆形内表面反射的光线，以下说法正确的是（ ）A．玻璃砖的折射率为B．当入射角时，从玻璃砖射出的光线与入射光线平行C．选择合适的入射角（），光线也可以在圆形表面发生全反射D．在相同的情况下，红光在玻璃砖中传播的时间比蓝光长第(3)题高速铁路列车通常使用磁刹车系统，磁刹车工作原理可简述如下：将磁铁的N极靠近一块正在以逆时针方向旋转的圆形铝盘，使磁感线总垂直射入铝盘时，铝盘随即减速，如图所示，圆中磁铁左方铝盘的甲区域朝磁铁方向运动，磁铁右方的乙区域朝离开磁铁方向运动，下列说法中正确的是（）A．铝盘甲区域的感应电流会产生垂直纸面向里的磁场B．磁场与感应电流的作用力，会产生将铝盘减速旋转的阻力C．感应电流在铝盘产生的内能，是将铝盘减速的最主要原因D．若将实心铝盘转换成布满小空洞的铝盘，则磁铁对布满空洞的铝盘减速效果比实心铝盘的效果更好第(4)题EUV光刻机是利用波长为13.5nm的极紫外光进行曝光来制造芯片。
如图为EUV光刻机的简化原理图，为提高光刻机的光刻精度，在投影物镜和光刻胶之间填充了折射率为1.5的浸没液体，则加上浸没液体后，该极紫外光波（ ）A．在浸没液体中的频率变为原来的1.5倍B．在浸没液体中的波长变为9nmC．光从真空区域进入浸没液体传播速度不变D．在浸没液体中比在空气中更容易发生衍射第(5)题一同学将针筒的针拔除后，将该端封闭一定质量的理想气体做成弹射玩具，该同学先缓慢推动推杆将针筒内气体进行压缩，然后松开推杆，压缩气体膨胀将推杆弹射，若推杆缓慢压缩气体过程中针筒内气体温度不变，推杆弹射过程中针筒内气体与外界无热交换，则下列说法中正确的是（ ）A．推杆压缩气体过程，针筒内气体吸热B．推杆压缩气体过程，针筒内气体压强减小C．推杆弹射过程，针筒内气体内能增加D．推杆弹射过程，针筒内气体分子平均动能减少第(6)题石墨烯是目前世界上已知的强度最高的材料，它的发现使“太空电梯”缆线的制造成为可能，人类将有望通过“太空电梯”进入太空。
EUV的名词解释
EUV的名词解释随着科技的不断进步和发展，越来越多的新词汇和专业术语出现在人们生活和工作中。
其中一个引起广泛关注的词汇就是“EUV”，也被称为“极紫外光”。
在本文中，我们将对EUV进行详细的解释和解读。
EUV，全称为Extreme Ultraviolet，是一种波长极短的电磁辐射。
它的波长范围位于紫外光和X射线之间，约为100到10纳米。
由于其波长的特殊性，EUV可以穿透一部分物质，因此在科学研究、材料表征、半导体制造等领域有着广泛的应用。
首先，EUV在半导体行业中的应用日益重要。
随着集成电路的不断发展，半导体芯片上的电路元件越来越小，其制造过程也变得更加复杂和精细。
传统的光刻技术已经不能满足对电路尺寸更高要求的制造需求，而EUV技术的出现填补了这一空白。
利用EUV光源进行光刻制程，可以实现更高分辨率和更精细的图案转移到硅片上，进而提升芯片的性能和性价比。
因此，EUV技术被认为是半导体产业的重要突破口，吸引了全球科研机构和企业的密切关注和投资。
其次，EUV在材料表征领域也具有广泛的应用。
通过使用EUV光源进行表征，科学家们可以研究材料在纳米尺度下的结构和性质，从而揭示材料中微小尺度的变化和相互作用。
这对于研究和开发新型材料以满足不同领域的需求非常重要，如制造更高效的太阳能电池、更先进的储能设备。
同时，EUV的高分辨率特性使其成为检测微细缺陷和表征纳米结构的理想工具，对于半导体材料和薄膜的研究起到了关键作用。
除半导体和材料行业外，EUV在科学研究领域也发挥着重要作用。
例如，在天文学研究中，科学家们使用EUV观测宇宙中的恒星、星系和行星等天体物体。
EUV辐射可以穿透地球大气的一部分，提供更多的观测信息，帮助我们更深入地了解宇宙的起源和演化。
此外，医学领域对于EUV的应用也有许多潜力，如使用EUV光源进行病理学研究和医学成像。
然而，在EUV技术的应用过程中，仍然面临许多挑战和困难。
其中之一就是EUV光源的产生和控制问题。
2024届河北省高三下学期三模全真演练物理试题(基础必刷)
2024届河北省高三下学期三模全真演练物理试题（基础必刷）学校：_______ 班级：__________姓名：_______ 考号：__________（满分：100分时间：75分钟）总分栏题号一二三四五六七总分得分评卷人得分一、单项选择题（本题包含8小题，每小题4分，共32分。
在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）(共8题)第(1)题如图，一橡皮筋上端固定在O点，自然伸直后另一端位于O点正下方的A点，在A点固定一光滑铁钉，将橡皮筋跨过铁钉与位于粗糙地面上P点的物块相连，由静止释放物块，物块沿水平地面向左运动并能经过O点正下方。
已知橡皮筋的弹力跟其形变量成正比，橡皮筋始终在弹性限度内，地面上各点动摩擦因数处处相同。
则物块从P点运动至O点正下方的过程中，以下说法正确的是（ ）A．物块所受摩擦力越来越小B．物块对地面的压力越来越小C．物块加速度越来越小D．物块加速度先减小后增大第(2)题如图所示，粗糙水平地面上放有横截面为圆的柱状物体A，A与墙面之间放有表面光滑的圆柱形物体B，A、B均保持静止。
若将A向左移动少许，下列说法正确的是（ ）A．地面对A的支持力不变B．地面对A的摩擦力不变C．墙对B的作用力不变D．B对A的支持力不变第(3)题日本福岛核事故污染废水处置问题受到各国关注。
在核废水中，氚（）是最危险的放射性元素之一，已知氚是氢的一种同位素，氚发生β衰变的半衰期为124.3年，则（ ）A．氚的半衰期和海水温度有关B．氚经历1次β衰变，生成C．β射线的穿透能力比γ射线强D．8个氚核经过12.43年后还剩下4个氚核第(4)题EUV光刻机是利用波长为13.5nm的极紫外光进行曝光来制造芯片。
如图为EUV光刻机的简化原理图，为提高光刻机的光刻精度，在投影物镜和光刻胶之间填充了折射率为1.5的浸没液体，则加上浸没液体后，该极紫外光波（ ）A．在浸没液体中的频率变为原来的1.5倍B．在浸没液体中的波长变为9nmC．光从真空区域进入浸没液体传播速度不变D．在浸没液体中比在空气中更容易发生衍射第(5)题在一次碰撞试验中，质量均为1.2×105kg的两火车头从长为6.4km的直轨道两端同时由静止开始以0.25m/s2相向而行。
2024届上海市虹口区高三上学期高考一模物理核心考点试题
2024届上海市虹口区高三上学期高考一模物理核心考点试题一、单选题 (共7题)第(1)题橡胶板置于绝缘水平桌面上，某同学戴着绝缘手套先用毛皮摩擦橡胶板，使橡胶板带负电，然后手握绝缘手柄将铝板靠近橡胶板，铝板的下表面与橡胶板上凸起的接地铁钉接触，并在其上表面撒上细纸屑，迅速上抬铝板至某一位置后，可以看到细纸屑从铝板上飞溅出来，这就是“静电飞花”实验。
下列说法正确的是（）A．铝板未与橡胶板接触所以始终不带电B．纸屑是因为带正电相互排斥而不断飞散C．铝板与铁钉接触时，电子从大地通过铁钉流向铝板D．铝板与铁钉接触时，铝板上、下表面带等量异种电荷第(2)题挂灯笼的习俗起源于西汉时期，已成为中国人喜庆的象征。
如图所示，由五根等长的轻质细绳悬挂起四个质量相等的灯笼，中间的细绳是水平的，另外四根细绳与水平面所成的角分别和。
若，则关于的说法正确的是正确的是（ ）A．B．C．D．第(3)题以下是有关近代物理内容的若干叙述，说法不正确的是（ ）A．爱因斯坦相对论的两条基本假设中包括时间和空间与物体的运动状态有关B．如上图所示为氢原子的能级图，已知可见光的光子能量范围为1.61~3.10 eV，则处于第4能级状态的氢原子，发射光的谱线在可见光范围内的有2条C．一个静止的放射性原子核()发生了一次α衰变，放射出的α粒子()在与磁场垂直的平面内做圆周运动，其轨道半径为R，磁场磁感应强度为B。
以m、q分别表示α粒子的质量和电荷量，若衰变过程中释放的核能都转化为α粒子和新核的动能，则衰变过程中的质量亏损为D．核衰变中，γ光子是衰变后转变的新核辐射的第(4)题EUV光刻机是利用波长为13.5nm的极紫外光进行曝光来制造芯片。
如图为EUV光刻机的简化原理图，为提高光刻机的光刻精度，在投影物镜和光刻胶之间填充了折射率为1.5的浸没液体，则加上浸没液体后，该极紫外光波（ ）A．在浸没液体中的频率变为原来的1.5倍B．在浸没液体中的波长变为9nmC．光从真空区域进入浸没液体传播速度不变D．在浸没液体中比在空气中更容易发生衍射第(5)题如图所示的交变电路中，理想变压器两端接有四个小灯泡，已知B、C、D三个灯泡完全相同，接通电路后，四个灯泡均正常发光，且电阻值相同，则下列说法正确的是（ ）A．变压器原、副线圈的匝数比为2∶1B．灯泡A、B的额定功率之比3∶1C．电源消耗的总功率是C的12倍D．若四个灯泡完全相同，四个灯泡可能同时正常发光第(6)题在用上下表面平行的同一块玻璃砖测定玻璃折射率的实验中，甲、乙两名同学分别用不同颜色的单色光进行测量，两人做出的光路图如下，，则下列说法正确的是（ ）A．由于是同一块玻璃砖，所以两人测得的折射率是相同的B．在上述实验中，若增大入射角则乙同学所用的单色光在下表面先发生全反射现象C．甲同学所用的单色光在玻璃砖中传播的速度更快D．若用这两种单色光在同一装置先后进行双缝干涉实验，则甲同学用的单色光干涉条纹间距更窄第(7)题一质量为m的行星绕质量为M的恒星运动，如图所示，设在以恒星为球心的球形大空间范围内均匀地分布着稀薄的宇宙尘埃，尘埃的密度很小，略去行星与尘埃之间的直接碰撞作用，行星绕行轨道为圆，半径为，则下列说法正确的是（ ）（已知质量均匀分布的球壳对壳内任一点的万有引力为零，引力常量为G）A．行星绕行圆半径越大，其所受的万有引力的合力越小B．行星绕行的周期为C．行星的绕行的动能为D．若行星的轨道不是圆轨道，则其运动规律仍满足开普勒三定律二、多选题 (共3题)第(1)题间距为L、长度均为2s的光滑平行金属导轨固定在水平面内，静止的金属棒垂直放置在导轨的左端，且始终与导轨接触良好。
2024届河北省高三上学期大数据应用调研联合测评(四)高效提分物理试题(基础必刷)
2024届河北省高三上学期大数据应用调研联合测评（四）高效提分物理试题（基础必刷）一、单项选择题（本题包含8小题，每小题4分，共32分。
在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）(共8题)第(1)题某汽车以恒定功率匀速行驶，看到前方红灯，司机将汽车功率减半，并保持该功率行驶，看到红灯转为绿灯，立即恢复原来功率，以后保持该功率行驶。
设汽车所受阻力大小始终不变，则在该过程中，汽车的速度随时间变化图像可能是（ ）A．B．C．D．第(2)题如图所示，水平面内固定有一平行金属导轨，导轨光滑且电阻不计，匀强磁场垂直导轨平面向下。
同种材料制成长度相同、粗细不同的导体棒a和b垂直于导轨静止放置，且与导轨接触良好。
电源电动势为E，电容器电容为C，将开关S接1，经过足够长时间后，将开关S由1改接到2，此刻开始计时，忽略电流产生的磁场。
下列关于导体棒a和b运动的速度—时间图像可能正确的是（ ）A．B．C．D．第(3)题如图，斜面体M放在粗糙的水平面上。
第一次物块m恰能沿斜面匀速下滑，斜面体静止不动。
第二次用平行于斜面向下的力F推动物块，使物块加速下滑，则（）A．两次地面对斜面的支持力一样大B．第一次地面对斜面的支持力较大C．第二次地面对斜面的摩擦力水平向左D．第二次地面对斜面的摩擦力水平向右第(4)题EUV光刻机是利用波长为13.5nm的极紫外光进行曝光来制造芯片。
如图为EUV光刻机的简化原理图，为提高光刻机的光刻精度，在投影物镜和光刻胶之间填充了折射率为1.5的浸没液体，则加上浸没液体后，该极紫外光波（ ）A．在浸没液体中的频率变为原来的1.5倍B．在浸没液体中的波长变为9nmC．光从真空区域进入浸没液体传播速度不变D．在浸没液体中比在空气中更容易发生衍射第(5)题在一条直线上的A点和B点分别固定一垂直纸面的无限长通电直导线，其电流分别为4I和I，方向如图所示，B A和B B分别表示A处和B处电流在某点产生的磁感应强度的大小。