场效应管放大电路习题答案

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基本放大电路习题解答

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第2章自测题、习题解答自测题2一、在括号内用“”或“X”表明下列说法是否正确。

(1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;()(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;()(3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;()(4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;()(5 )放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;()(6)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;()(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。

()解:(1 )X (2)V (3)X (4)X (5)V (6)X (7)X试分析图所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。

设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

解:(a ) 不能。

因为输入信号被直流电源U BB 短路。

(b ) 可能。

(c ) 不能。

因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载(叠加)在静 态电压之上,必然失真。

(d ) 不能。

晶体管将因发射结电压过大而损坏。

(e ) 不能。

因为输入信号被C 2短路。

(f ) 不能。

因为输出信号被U CC 短路,恒为零。

(g ) 可能。

(h ) 可能。

(i ) 不能。

因为T 截止。

已知U cc = 12V ,晶体管的=100 , R b = 100k Q 。

填空:要求先填文字表达式后填得数。

(1)当U j = 0V 时,测得U BEQ =,若要基极电流I BQ = 20 A ,则R b 和R W 之和R b = ____ k Q; 而右测得 U CEQ = 6V ,贝~ ____________________________ k Qo (2)若测得输入电压 有效值U i =5mV 时,输出电压(d> to m(g!1 (h) (0图 T2- 2在图T2 — 3所示电路中,有效值U ° =, 则电压放大倍数 A = __________________ 沁 ____ 。

第3章 场效应管及其基本放大电路 参考答案

第3章 场效应管及其基本放大电路 参考答案

第 3章 场效应管及其基本放大电路3.1填空题(1)按照结构,场效应管可分为 。

它属于 型器件,其最大的优点是 。

(2)在使用场效应管时,由于结型场效应管结构是对称的,所以 极和 极可互换。

MOS 管中如果衬底在管内不与 极预先接在一起,则 极和 极也可互换。

(3)当场效应管工作于恒流区时,其漏极电流D i 只受电压 的控制,而与电压 几乎无关。

耗尽型D i 的表达式为 ,增强型D i 的表达式为 。

(4)一个结型场效应管的电流方程为2GS D 161mA 4U I=×− ,则该管的DSS I = ,p U = 。

(5)某耗尽型MOS 管的转移曲线如习题3.1.5图所示,由图可知该管的DSS I = ,p U = 。

(6)N 沟道结型场效应管工作于放大状态时,要求GS 0u ≥≥ ,DS u > ;而N 沟道增强型MOS 管工作于放大状态时,要求GS u > ,DS u > 。

(7)耗尽型场效应管可采用 偏压电路,增强型场效应管只能采用 偏置电路。

(8)在共源放大电路中,若源极电阻s R 增大,则该电路的漏极电流D I ,跨导m g ,电压放大倍数 。

(9)源极跟随器的输出电阻与 和 有关。

答案:(1)结型和绝缘栅型,电压控制,输入电阻高。

(2)漏,源,源,漏,源。

(3)GS u ,DS u ,2GS D DSS P 1u i I U =− ,2GS D DO T 1u i I U=−。

(4)16mA ,4V 。

(5)习题3.1.5图4mA ,−3V 。

(6)p U ,GS p u U −,T U ,GS T u U −。

(7)自给,分压式。

(8)减小,减小,减小。

(9)m g ,s R 。

3.2试分别画出习题3.2图所示各输出特性曲线在恒流区所对应的转移特性曲线。

解:3.3在带有源极旁路电容s C 的场效应管放大电路如图3.5.6(a )所示。

若图中的场效应管为N 沟道结型结构,且p 4V U =−,DSS 1mA I =。

模拟电子技术基础 第三版 王远 张玉平 机械工业出版社第3章习题答案khdaw

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3-7:如图所表示的电路图。已知 UGS=-2V,场效应 管子的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V。
• 3.计算电压增益Au。
gm
= − 2I DSS U GS(off)
(1 − U GS ) U GS ( off )
= − 2 × 2 (1 − − 2 ) = 0.5ms −4 −4
1. UGD> UGS(off)
当UGS=-1V, UDS=3V时 UGD =UGS —UDS
=-4V> -5V =UGS(off)
• 所以,管子工作在可变电阻区。
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2. UGD< UGS(off)
当UGS=-2V, UDS=4V时 UGD = UGS —UDS
3-7:如图所表示的电路图。已知 UGS=-2V,场 效应管子的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V。
• 1.计算ID和Rs1的值。
解:
I DQ
= I DSS
(1 − U GSQ ) 2 = U GS ( off )
−2 2 × (1 −
) 2 = 0 . 5 mA
−4
U GSQ = U GQ − U SQ = −2V
• 能。
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3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ,并说明原因。
• 图中绝缘栅型N沟道增 强型的场效应管。
• d)是一个自给偏压式 共源放大电路,只用 于耗尽型和结型场效 应管。
• 不能。
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=
gmU̇ gs RL′ U̇gs + gmU̇gsRL′

(完整版)第四章场效应管习题答案..

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第四章 场效应管基本放大电路4-1 选择填空1.场效应晶体管是用_______控制漏极电流的.a 。

栅源电流b 。

栅源电压c 。

漏源电流d 。

漏源电压 2.结型场效应管发生预夹断后,管子________。

a 。

关断b 。

进入恒流区c 。

进入饱和区 d. 可变电阻区 3.场效应管的低频跨导g m 是________.a. 常数 b 。

不是常数 c. 栅源电压有关 d. 栅源电压无关 4。

场效应管靠__________导电.a 。

一种载流子b 。

两种载流子 c. 电子 d. 空穴 5。

增强型PMOS 管的开启电压__________。

a. 大于零 b 。

小于零 c. 等于零 d. 或大于零或小于零 6. 增强型NMOS 管的开启电压__________。

a. 大于零b. 小于零 c 。

等于零 d. 或大于零或小于零 7. 只有__________场效应管才能采取自偏压电路。

a. 增强型b. 耗尽型 c 。

结型 d 。

增强型和耗尽型 8. 分压式电路中的栅极电阻R G 一般阻值很大,目的是__________。

a 。

设置合适的静态工作点b 。

减小栅极电流c. 提高电路的电压放大倍数 d 。

提高电路的输入电阻 9. 源极跟随器(共漏极放大器)的输出电阻与___________有关。

a. 管子跨导g m b 。

源极电阻R S c. 管子跨导g m 和源极电阻R S 10。

某场效应管的I DSS 为6mA ,而I DQ 自漏极流出,大小为8mA ,则该管是_______.a 。

P 沟道结型管b 。

N 沟道结型管c 。

增强型PMOS 管d 。

耗尽型PMOS 管e 。

增强型NMOS 管 f. 耗尽型NMOS 管解答:1。

b 2。

b 3.b ,c 4. a 5.b 6.a 7。

b,c 8。

d 9.c 10。

d4-2 已知题4—2图所示中各场效应管工作在恒流区,请将管子类型、电源V DD 的极性(+、—)、u GS 的极性(>0,≥0,〈0,≤0,任意)分别填写在表格中。

模电课后习题 (2)

模电课后习题 (2)

习题八8.1选择正确的答案填入空内。

(1)场效应管的漏极电流是由( )的漂移运动形成的。

A.少子 B.多子 C.两种载流子 (2)场效应管是一种( )控制型的电子器件。

A.电流 B.光 C.电压(3)场效应管是利用外加电压产生的( )来控制漏极电流的大小的。

A.电流 B.电场 C.电压 (4)与双极型晶体管比较,场效应管( )。

A.输入电阻小B.制作工艺复杂C.放大能力弱(5)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为3mA 时,它的低频跨导将( )。

A.增大 B.减小 C.不变(6)某场效应管的转移特性如由题8.1图所示,则该管是( )场效应管 。

A.增强型NMOS B.耗尽型NMOS C.耗尽型PMOS(7)当耗尽型场效应管工作于放大区时, 场效应管I D 的数学表达式为( )。

A.GSv D SS D eI i = B.2)(D S G S D SS D v v I i -= C.2)()1(off GS GS DSS D v v I i -=(8)当栅源电压V GS =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有( )。

A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管答案(1)B (2)C (3)B (4)C (5) A (6) B (7) C (8)A C8.2 已知场效应管的输出特性曲线如题8.2图(a)所示,画出它在恒流区的转移特性曲线。

题8.2图v DS /Vi D /mAi D /mAv GS /V (a) 输出特性曲线 (b) 转移特性曲线题8.1图P v GS /V解:在场效应管输出特性曲线的恒流区作横坐标的垂线,如题8.2图(a)所示,读出其与各条曲线交点的纵坐标值及V GS 值,建立i D =f (v GS )坐标系,描点,连线,即可得到转移特性曲线,如题8.2图(b)所示。

8.3在题8.3图所示电路中,已知场效应管的V P =-5V ;问在下列三种情况下,管子分别工作在哪个状态?(1)v GS =-8V ,v DS =4V (2)v GS =-3V ,v DS =4V (3)v GS =-3V ,v DS =1V8.4测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位及其开启电压如题8.4表所示。

电子技术学习指导与习题解答:第3章 多级放大电路

电子技术学习指导与习题解答:第3章   多级放大电路

第3章 多级放大电路3.1 如图 3.7所示为两级阻容耦合放大电路,已知12CC =U V ,20B1B1='=R R k Ω,10B2B2='=R R k Ω,2C2C1==R R k Ω,2E2E1==R R k Ω,2L =R k Ω,5021==ββ,6.0BE2BE1==U U V 。

(1)求前、后级放大电路的静态值。

(2)画出微变等效电路。

(3)求各级电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。

u s+u o -CC图3.7 习题3.1的图分析 两级放大电路都是共发射极的分压式偏置放大电路,各级电路的静态值可分别计算,动态分析时需注意第一级的负载电阻就是第二级的输入电阻,即i2L1r R =。

解 (1)各级电路静态值的计算采用估算法。

第一级:412102010CC B2B1B2B1=⨯+=+=U R R R U (V )7.126.04E1BE1B1E1C1=-=-=≈R U U I I (mA )0.034507.11C1B1===βI I (mA )2.5)22(7.112)(E1C1C1CC CE1=+⨯-=+-=R R I U U (V ) 第二级:412102010CC B2B1B2B2=⨯+='+''=U R R R U (V )7.126.04E2BE2B2E2C2=-=-=≈R U U I I (mA )电子技术学习指导与习题解答46 0.034507.12C2B2===βI I (mA ) 2.5)22(7.112)(E2C2C2CC CE2=+⨯-=+-=R R I U U (V )(2)微变等效电路如图3.8所示。

R U +-图3.8 习题3.1解答用图(3)求各级电路的电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。

三极管V 1的动态输入电阻为:10807.126)501(30026)1(300E11be1=⨯++=++=I r β(Ω) 三极管V 2的动态输入电阻为:10807.126)501(30026)1(300E22be2=⨯++=++=I r β(Ω) 第二级输入电阻为:93.008.1//10//20////be2B2B1i2==''=r R R r (k Ω) 第一级等效负载电阻为:63.093.0//2//i2C1L1==='r R R (k Ω) 第二级等效负载电阻为:12//2//L C2L2==='R R R (k Ω) 第一级电压放大倍数为:3008.163.050be1L11u1-=⨯-='-=r R A β 第二级电压放大倍数为:5008.1150be2L22u2-=⨯-='-=r R A β 两级总电压放大倍数为:1500)50()30(u2u1u =-⨯-==A A A3.2 在 如图 3.9所示的两级阻容耦合放大电路中,已知12CC =U V ,30B1=R k Ω,20B2=R k Ω,4E1C1==R R k Ω,130B3=R k Ω,3E2=R k Ω,5.1L =R k Ω,5021==ββ,8.0BE2BE1==U U V 。

模拟电子技术 随堂练习

模拟电子技术  随堂练习

模拟电子技术随堂练习第1章常用半导体器件4. 电路如图所示,设全部二极管均为理想元件,当输入电压ui=10sin tV时,输出电压最大值为10V的电路是( )。

参考答案:C5. 电路如图所示,D1,D2均为理想二极管,设U1=10V,ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。

6.稳压管的动态电阻rZ是指( )。

A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值3. 晶体管的电流放大系数是指( )。

A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数参考答案:B4. 低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于( )。

A. B.C.参考答案:B5. 某电路如下图所示,晶体管集电极接有电阻RC,根据图中的数据判断该管处在( )。

参考答案:B6. 某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则该场效应管为( )。

A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管参考答案:B7. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则此管子的夹断电压约为( )。

A.0VB.+2VC.-2VD.-1V参考答案:C8. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则在UDS=10V,UGS=0V处的跨导gm约为( )。

A.1mA./VB.0.5mA./VC.-1mA./VD.-0.5mA./V参考答案:A9. 如图示放大电路中接线有错误的元件是( )。

A.RLB.RBC.C1D.C2参考答案:B10. 放大电路如图所示,由于RB1,和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真,为了改善失真,正确的做法是( )。

A.适当增加RB2,减小RB1B.保持RB1不变,适当增加RB2C.适当增加RB1,减小RB2D.保持RB2不变,适当减小RB1参考答案:C11. 图示电路,已知晶体管,,忽略UBE,如要将集电极电流IC调整到1.5mA.,RB应取( )。

实验四场效应管放大电路

实验四场效应管放大电路

实验四场效应管放大电路1.实验目的(1)研究场效应晶体管放大电路的特点。

(2)比较场效应管放大电路与双极型晶体管放大电路的不同。

(3)掌握场效应管放大电路性能指标的测试方法。

2.实验涉及的理论知识和实验知识本实验涉及了场效应管的原理与应用。

3.实验仪器直流稳压电源、万用表、信号发生器和示波器4.实验电路如图4.1.1所示为实验参考电路,它由一级场效应管和一级三极管放大电路组成。

图4.1.1场效应管放大电路5.实验原理场效应管是一种电压控制型的半导体器件。

按其结构和工作原理不同,可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管。

它不仅像双极型晶体管一样具有体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点。

而且与双极型晶体管相比,它的输入阻抗很高,可达109~1012Ω,热稳定性好,抗辐射能力强。

它的最大优点是占用硅片面积小,制作工艺简单,成本低,很容易在硅片上大规模集成。

因此在大规模集成电路中占有极其重要的地位。

与三极管放大电路一样,为了使电路正常放大,必须设置合适的静态工作点,以保证在信号整个周期内,场效应管均工作在恒流区。

(1)结型场效应管的特性和参数图4.1.2为N沟道结型场效应管的输出特性曲线和转移特性曲线。

在转移特性曲线中,当U GS=0时的漏极电流称为饱和漏极电流I DSS。

当U GS变化到使I D≈0时,相应的U GS称为夹断电压U P。

转移特性曲线的斜率称为跨导g m,显然g m的值与场效应管的工作点有关。

输出特性曲线分为四个区。

它们分别是可变电阻区、恒流区、夹断区和击穿区。

/V图4.1.2 N 沟道结型场效应管的输出特性和转移特性曲线1)可变电阻区图4.1.2中的予夹断轨迹是各条曲线上,使U DS =U GS -U P ,即U GD =U P 的点连接而成的。

U GS 越大,予夹断时的U DS 值也越大。

予夹断轨道的左边区域称为可变电阻区,该区域中的曲线近似为不同斜率的直线。

当U GS 确定时,直线的斜率也唯一地被确定,该斜率的倒数即为漏源间的等效电阻。

2习题解答

2习题解答

习题【2-1】填空、选择正确答案1.对于阻容耦合放大电路,耦合电容器的作用是A.将输入交流信号耦合到晶体管的输入端;√B.将输入交流信号耦合到晶体管的输入端;同时防止偏置电流被信号源旁路;C.将输入交流信号加到晶体管的基极。

2.在基本放大电路中,如果集电极的负载电阻是R c,那么R c中:A.只有直流;B.只有交流;√ C.既有直流,又有交流。

3.基本放大电路在静态时,它的集电极电流的平均值是();动态时,在不失真的条件下,它的集电极电流的平均值是()。

(I CQ;I CQ)4.下列说法哪个正确:A.基本放大电路,是将信号源的功率加以放大;√B.在基本放大电路中,晶体管受信号的控制,将直流电源的功率转换为输出的信号功率;C.基本放大电路中,输出功率是由晶体管提供的。

5.放大电路如图2.1.7所示,试选择以下三种情形之一填空。

a:增大、b:减少、c:不变(包括基本不变)(1) 要使静态工作电流I c减少,则R b1应。

(a)(2) R b1在适当范围内增大,则电压放大倍数,输入电阻,输出电阻。

(b;a;c)(3) R e在适当范围内增大,则电压放大倍数,输入电阻,输出电阻。

(b;a;c)(4) 从输出端开路到接上R L,静态工作点将,交流输出电压幅度要。

(c;b)(5) V cc减少时,直流负载线的斜率。

(c)6.放大电路的输出电阻越小,放大电路输出电压的稳定性()。

(越好)7.放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的()而引起的非线性失真。

(饱和区)8.在共射基本放大电路中,若适当增加 ,放大电路的电压增益将()。

(基本不增加)9.在共射基本放大电路中,若适当增加I E,电压放大倍数将如何变化()。

(增加)10.在共射基本放大电路中,适当增大R c,电压放大倍数和输出电阻将有何变化。

√ A.放大倍数变大,输出电阻变大B.放大倍数变大,输出电阻不变C.放大倍数变小,输出电阻变大D.放大倍数变小,输出电阻变小11.有两个电压放大电路甲和乙,它们的电压放大倍数相同,但它们的输入输出电阻不同。

2章习题答案

2章习题答案

2 半导体三极管自我检测题一.选择和填空1.三极管工作在放大区时,发射结为_A_,集电结为_B_,工作在饱和区时,发射结为_A_,集电结为_A_。

(A.正向偏置,B.反向偏置,C.零偏置)2. NPN和PNP型三极管的区别取决于D 。

(A.半导体材料硅和锗的不同,B.掺杂元素的不同,C.掺杂浓度的不同,D.P区和N区的位置不同)3.三极管的共射交流电流放大系数βI C 变化量(或ΔI C)与I B 变化量(或ΔI B)之比,共基交流电流放大系数α定义为I C 变化量(或ΔI C)与I E 变化量(或ΔI E)之比。

已知某三极管的α=0.99,那么该管的β≈ 99 。

4.三极管的I CBO是指_发射_极开路时,集电_极与基极间的反向饱和电流;I CEO是指基极开路时,_集电_极与_发射__极之间的穿透电流。

5.随着温度升高,晶体管的穿透电流CEOI A。

(A.增大,B.减小,C.不变)6.对于同一个三极管来说,CBOI A C E OI;BR(CBO)V。

(A.小于,B.大于,V B B R(C E O)C.等于)7. V CE增加时,晶体管的共射极输入特性曲线_ A __,V CE达到1V以后,输入特性曲线_C___。

(A.右移,B.左移,C.不变)8. 已知某三极管的P CM=800mW,I CM=500mA,,V=30V。

若该管子在电路中工BR(CEO)作电压V CE =10V,则工作电流I C不应超过80 mA;若V CE=1V,则I C不应超过500 mA。

若管子的工作电流I C=10mA,则工作电压V CE不应超过30 V;若I C=200mA,则V CE不应超过 4 V。

9. N沟道和P沟道场效应管的区别在于 C 。

(A.衬底材料前者为硅,后者为锗,B.衬底材料前者N型,后者为P型,C.导电沟道中载流子前者为电子,后者为空穴)10. 场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流小;绝缘栅型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的小。

电子技术习题解答.第2章.基本放大电路及其分析习题解答

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第 2 章基本放大电路及其分析习题解答2.1 三极管放大电路为什么要设置静态工作点,它的作用是什么?解:防止产生非线性失真。

2.2 在分压式偏置电路中,怎样才能使静态工作点稳定,发射极电阻的旁路电容C E 的作用是什么,为什么?解:使静态工作点稳定条件l2»l B和V B»U B E。

称为发射极电阻的旁路电容C E 对直流而言,它不起作用,电路通过R E 的作用能使静态工作点稳定;对交流而言,它因与R E并联且可看成短路,所以R E不起作用,保持电路的电压放大倍数不会下降。

2.3 多级放大电路的通频带为什么比单级放大电路的通频带要窄?解:因为多级放大电路的电压放大倍数大于单级放大电路的电压放大倍数,而放大电路的电压放大倍数和通频带的乘积基本为常数,所以多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要窄。

2.4 对于共集电极放大电路,下列说法是否正确?(1) 输出信号方向与输入信号方向相反。

(2) 电压放大倍数小于且约等于1。

(3) 输入电阻大。

(4) 输出电阻小。

解:(1) 不正确。

(2) 、(3) 和(4) 正确。

2.5 放大电路的甲类、乙类和甲乙类三种工作状态各有什么优缺点?解:甲类:静态工作点Q大致落在交流负载线的中点,功率损耗大效率低,不失真。

乙类:静态工作点Q下移到截止区处,功率损耗很小,效率高。

但此时将产生严重的失真。

甲乙类:静态工作点Q下移到接近截止区,功率损耗较小,失真也较小。

2.6 什么是交越失真?如何克服交越失真,试举例说明?解:放大电路工作于乙类状态,因为三极管的输入特性曲线上有一段死区电压,当输入电压尚小,不足以克服死区电压时,三极管就截止,所以在死区电压这段区域内(即输入信号过零时)输出电压为零,将产生失真,这种失真叫交越失真。

为了避免交越失真,可使静态工作点稍高于截止点,即避开死区段,也就是使放大电路工作在甲乙类状态。

2.7为什么增强型绝缘栅场效应管放大电路无法采用自给偏压电路? 解:因为增强型绝缘栅场效应管的U GS 为正,所以,自给偏压电路不适应增强型绝缘栅场效应管,只适应耗尽型绝缘栅场效应管。

机械工程出版社第三章 场效应管电路习题答案

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第3章 场效应晶体管放大电路3.1知识要点3.1.1场效应管有结型和MOS 型两大类,每类都有N 沟道和P 沟道之分,MOS 场效应管还有增强型和耗尽型之分,故场效应管有6种类型。

它们的结构、工作原理、伏安特性、作用、主要参数、电路组成、分析方法相似;正向控制原理都是利用栅源电压改变导电沟道的宽度而实现对漏极电流的控制;小信号模型完全相同;但由于沟道类型不同,结构上也有不同,因此6种管子对偏置电压的要求各不相同。

栅源电压为零时存在原始导电沟道的场效应管称为耗尽型场效应管;天然原始导电沟道,只有在U GS绝对值大于开启电压U GS(th)绝对值后才能形成导电沟道的,则称为增强型场效应管。

2GS D DSS P(1) U I I U =−当工作于放大区时,对耗尽型场效应管1.2.4 场效应晶体管表5.1 晶体管与场效应管比较比较项目晶体管场效应管载流子两种不同极性的载流子(电子与空穴)同时参与导电,故又称为双极型晶体管只有一种极性的载流子(电子或空穴)参与导电,故又称为单极型晶体管 控制方式电流控制电压控制类型 NPN 型和PNP 型两种 N 沟道和P 沟道两种 放大参数 200~20=β5~1m =g mA/V输入电阻 42be 10~10=r Ω较小147gs 10~10=r Ω很大 输出电阻 r ce 很大 r ds 很大 热稳定性 差 好制造工艺 较复杂简单,成本低,便于集成对应电极基极-栅极,发射极-源极,集电极-漏极3.1.2 场效应晶体管放大电路共源极分压式偏置放大电路及其直流通路、交流通路和微变等效电路如图2.6所示。

U DDo +U DD(a )放大电路(b )直流通路+u o -o(c )交流通路 (d )微变等效电路图5.1 共源极分压式偏置放大电路(1)静态分析:DD G2G1G2G U R R R U +=SG S S D R U R U I ==)(S D D DD DSR R I U U +−= (2)动态分析:Lm u R g A ′−= 式中L D L//R R R =′。

模拟电子技术基础(第四版)习题解答

模拟电子技术基础(第四版)习题解答

第1章常用半导体器件自测题一、判断以下说法是否正确,用“×〞和“√〞表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,那么其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)假设耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.根本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3四、稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。

求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。

试问:(1)R b =50k Ω时,U o=?(2)假设T 临界饱和,那么R b =?解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

第2章 放大电路分析基础习题

第2章   放大电路分析基础习题

+Ucc=12V + C1
560kΩ
V
Rb
+
C2
+ Uo
5.6kΩ
Re RL
ri
Ce
ro
_
+
Re
V Rb2
+ Cc +
Rc RL Rb1
+ Ui _
2.9kΩ
+
Cb
60kΩ 2.1kΩ 1kΩ
Ucc
Uo _
60kΩ
17.某放大电路,当输入直流电压为10mV时 17.某放大电路,当输入直流电压为10mV时,输出直流电压 某放大电路 10mV 为7V,输入直流电压为15mV,输出直流电压为6.5V.它的 7V,输入直流电压为15mV,输出直流电压为6.5V.它的 输入直流电压为15mV 6.5V. 电压放大倍数为____ ____。 电压放大倍数为____。 18.有两个放大倍数相同的放大电路 有两个放大倍数相同的放大电路A B,分别对同一电压信 18.有两个放大倍数相同的放大电路A和B,分别对同一电压信 号进行放大, 其输出电压分别为 号进行放大, 。由此可得出放大电 优于放大电路____其原因是它的____ 放大倍数大, ___优于放大电路____其原因是它的____。(a)放大倍数大 路___优于放大电路____其原因是它的____。(a)放大倍数大, (b)输入电阻大 (c)输出电阻小 输入电阻大, 输出电阻小。 (b)输入电阻大,(c)输出电阻小。 19._________耦合放大电路各级Q点相互独立,_______耦合 19._________耦合放大电路各级Q点相互独立,_______耦合 _________耦合放大电路各级 放大电路温漂小,_____耦合放大电路能放大直流信号. 放大电路温漂小,_____耦合放大电路能放大直流信号. 耦合放大电路能放大直流信号 20.电路如图所示,三极管 的β均为50. (1)求两极的静态工作点, 设UBE=-0.2V (2)求总的电压放大倍数Au (3)求ri和ro

第3章场效应管及其放大电路习题解

第3章场效应管及其放大电路习题解

第3章场效应管及其放大电路习题解3.1教学内容与要求本章介绍了场效应管的结构、类型、主要参数、工作原理及其基本放大电路。

教学内容与教学要求如表1.1所示。

表3.1第3章教学内容与要求3.2内容提要3.1.1场效应晶体管1.场效应管的结构及分类场效应管是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的,是电压控制型器件。

工作过程中起主要导电作用的只有一种载流子(多数载流子),故又称单极型晶体管。

场效应管有两个PN结,向外引出三个电极:漏极D、栅极G和源极S。

(1)栅源控制电压的极性对JFET,为保证栅极电流小,输入电阻大的特点,栅源电压应使PN结反偏。

N沟道JFET:UGS<0;P沟道JFET:UGS>0。

对增强性MOS管,N沟道增强型MOS管,参加导电的是电子,栅源电压应吸引电子形成反型层构成导电沟道,所以UGS>0;同理,P沟道增强型MOS管,UGS<0。

对耗尽型MOS管,因二氧化硅绝缘层里已经掺入大量的正离子(或负离子:N沟道掺入正离子;P沟道掺入负离子),吸引衬底的电子(或空穴)形成反型层,即UGS=0时,已经存在导电沟道,所以,栅源电压UGS 可正可负。

(2)夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)对JFET和耗尽型MOS管,当|UGS|增大到一定值时,导电沟道就消失(称为夹断),此时的栅源电压称为夹断电压UGS(off)。

N沟道场效应管UGS(off)<0;P沟道场效应管UGS(off)>0。

对增强型MOS管,当UGS增加到一定值时,才会形成导电沟道,把开始形成反型层的栅源电压称为开启电压UGS(th)。

N沟道增强型MOS管UGS(th)>0;P沟道增强型MOS管UGS(th)<0。

(3)栅源电压uGS对漏极电流iD的控制作用场效应管的导电沟道是一个可变电阻,栅源电压uGS可以改变导电沟道的尺寸和电阻的大小。

当uDS=0时,uGS变化,导电沟道也变化但处处等宽,此时漏极电流iD=0;当uDS≠0时,产生漏极电流,iD≠0,沿沟道产生了电位梯度使导电沟道变得不等宽。

放大电路

放大电路

1.电路如图所示,从括号内选择正确答案,用A 、B 、C …填空。

1.用直流电压表测出U CE ≈V CC ,可能是因为_____。

A 、CC V 过大 ,B 、c R 开路,C 、b R 开路,D 、β 过大 2.用直流电压表测出U CE ≈0,可能是因为_____。

A 、CC V 过大 ,B 、c R 短路,C 、b R 过大,D 、β 过大答案:C|D2.假设图示电路工作在线性放大区,C1、C2对交流信号可视为短路。

1.用直流电压表测得CE U 和O U ,两者数值____。

A 、相等, B 、不等, C 、相近2.输入1kHZ 正弦信号后,用双踪示波器Y 轴交流耦合输入档测出输出电压波形和集电极对地电压波形,两者____。

A 、相同,B 、不同,C 、反向;测出输入电压和输出电压波形,两者相位差____。

A 、0°, B 、90°, C 、180°答案:B|A|C3.调整图示电路有关参数,试分析电路性能指标的变化 A 、增大, B 、减小, C 、变化不大1.当e R 增大,则静态电流CQ I 将____,电压放大倍数uA 将____,输入电阻i R 将____; 2.当CC V 增大,则静态电流CQ I 将_____,电压放大倍数uA 将____,输入电阻i R 将____。

答案:BCA|ACC4.在图示放大电路中,当输入一正弦电压后,输出电压顶部出现削平失真,说明管子进入了____(A 、夹断区, B 、可变电阻区)为了减小失真程度应增大____(A 、g1R ,B 、g2R )L答案:A|A、共射组态, B 、共集组态, C 、共基组态在共射、共集、共基组态放大电路中输入电阻最大的是_____;输入电阻最小的是____,输出电阻最小的是____,电压放大倍数uA 最小的是____,电流放大能力最小的是____。

答案:B|C|B|B|C、共射组态, B 、共集组态, C 、共基组态在共射、共集、共基三种组态的放大电路中____的电压放大倍数uA 一定小于1,____的电流放大倍数i A 一定小于1,____的输出电压与输入电压反相。

场效应管放大电路习题答案

场效应管放大电路习题答案

场效应管放⼤电路习题答案第3章场效应管放⼤电路3-1判断下列说法是否正确,⽤“√”和“×”表⽰判断结果填⼊空内。

(1)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS ⼤的特点。

(?)(2)若耗尽型N沟道MOS管的U GS⼤于零,则其输⼊电阻会明显变⼩。

(?)3-2选择正确答案填⼊空内。

(1)U GS=0V时,不能够⼯作在恒流区的场效应管有 B 。

A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管(2)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将 A 。

A.增⼤B.不变C.减⼩3-3改正图P3-3所⽰各电路中的错误,使它们有可能放⼤正弦波电压。

要求保留电路的共源接法。

图P3-3解:(a)源极加电阻R S。

(b)漏极加电阻R D。

(c)输⼊端加耦合电容。

(d)在R g⽀路加-V G G,+V D D改为-V D D改正电路如解图P3-3所⽰。

解图P3-33-4已知图P3-4(a)所⽰电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)(c)所⽰。

A 、R i和R o。

(1)利⽤图解法求解Q点;(2)利⽤等效电路法求解u图P3-4解:(1)在转移特性中作直线u G S =-i D R S ,与转移特性的交点即为Q 点;读出坐标值,得出I D Q =1mA ,U G S Q =-2V 。

如解图P3-4(a )所⽰。

解图P3-4在输出特性中作直流负载线u D S =V D D -i D (R D +R S ),与U G S Q =-2V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点,U D S Q ≈3V 。

如解图P3-4(b )所⽰。

(2)⾸先画出交流等效电路(图略),然后进⾏动态分析。

mA/V 12DQ DSS GS(off)GS Dm DS =-=??=I I U u i g UΩ==Ω==-=-=k 5 M 1 5D o i Dm R R R R R g A g u &3-5 已知图P3-5(a )所⽰电路中场效应管的转移特性如图(b )所⽰。

放大电路

放大电路

1.电路如图所示,从括号内选择正确答案,用A 、B 、C …填空。

1.用直流电压表测出U CE ≈V CC ,可能是因为_____。

A 、CC V 过大,B 、c R 开路,C 、b R 开路,D 、β过大2.用直流电压表测出U CE ≈0,可能是因为_____。

A 、CC V 过大,B 、c R 短路,C 、b R 过大,D 、β过大答案:C|D2.假设图示电路工作在线性放大区,C1、C2对交流信号可视为短路。

1.用直流电压表测得CE U 和O U ,两者数值____。

2.输入1.当; 2.当V 。

答案:4.(A 、答案:B|C|A7.共射放大电路即能放大____,也能放大____;共集放大电路能放大____;但不能放大____;共基放大电路能放大____,但不能放大____。

A 、电压,B 、电流答案:A|B|B|A|A|B8.A 、共射组态,B 、共集组态,C 、共基组态在共射、共集、共基组态三种放大电路中,只能放大电压、不能放大电流的是____;只能放大电流不能放大电压的是____;即能放大电压又能放大电流的是____。

答案:C|B|A9.在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中,希望电压放大倍数绝对值大,可选用_____;希望带负载能力强,应选用____;希望从信号源索取电流小,应选用____;希望即能放大电压,又能放大电流,应选用____;希望高频响应性能好,应选用____。

A 、共射组态,B 、共集组态,C 、共基组态答案:A|B|B|A|C10.场效应管属于____(A 、电压,B 、电流)控制型元件,栅极的____(A 、电压,B 、电流)几乎等于零,所以共源放大电路的输入电阻通常比共射放大电路的输入电阻____(A 、大,B 、小)。

答案:A|B|A11.共射放大电路的输入电阻通常比共源放大电路的输入电阻(A 、大,B 、小)这是因为双极型晶体管属于____(A 、电压,B 、电流)控制型元件,基极电流比场效应管的栅极电流____(A 、大12.答案:C 15.16.dB ,折合为倍。

模电(第四版)习题解答

模电(第四版)习题解答

自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。

试问:(1)R b =50k Ω时,U o=?(2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

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第3章场效应管放大电路
3-1判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

(1)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS 大的特点。

(⨯)
(2)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。

(⨯)
3-2选择正确答案填入空内。

(1)U GS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有 B 。

A. 结型管
B. 增强型MOS管
C. 耗尽型MOS管
(2)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将 A 。

A.增大
B.不变
C.减小
3-3改正图P3-3所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波电压。

要求保留电路的共源接法。

图P3-3
解:(a)源极加电阻R S。

(b)漏极加电阻R D。

(c)输入端加耦合电容。

(d)在R g支路加-V G G,+V D D改为-V D D
改正电路如解图P3-3所示。

解图P3-3
3-4已知图P3-4(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)(c)所示。

A 、R i和R o。

(1)利用图解法求解Q点;(2)利用等效电路法求解
u
图P3-4
解:(1)在转移特性中作直线u G S =-i D R S ,与转移特性的交点即为Q 点;读出坐标值,得出I D Q =1mA ,U G S Q =-2V 。

如解图P3-4(a )所示。

解图P3-4
在输出特性中作直流负载线u D S =V D D -i D (R D +R S ),与U G S Q =-2V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点,U D S Q ≈3V 。

如解图P3-4(b )所示。

(2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。

mA/V 12DQ DSS GS(off)GS D
m DS =-=∂∂=I I U u i g U
Ω
==Ω==-=-=k 5 M 1 5D o i D
m R R R R R g A g u &
3-5 已知图P3-5(a )所示电路中场效应管的转移特性如图(b )所示。

求解
电路的Q 点和u
A &。

图P3-5
解:(1)求Q 点:
根据电路图可知, U G S Q =V G G =3V 。

从转移特性查得,当U G S Q =3V 时的漏极电流
I D Q =1mA
因此管压降 U D S Q =V D D -I D Q R D =5V 。

(2)求电压放大倍数:
20V mA 22
D
m DO DQ GS(th)m -=-===R g A I I U g u &
3-6电路如图3-6所示,已知场效应管
的低频跨导为g m ,试写出u
A &、R i 和R o 的表达式。

图P3-6
解:u
A &、R i 和R o 的表达式分别为 D
o 213i L
D )(R R R R R R R R g A m u =+=-=∥∥&
3-7 电路如图3-7所示。

已知V DD =12V ,GG V =2V ,R G =100kΩ,R D =1kΩ,? 场效应管T 的 I DSS =8mA 、U GS(off)=-4V 。

求该管子的I DQ 及静态工作点处的g m 值。

图P3-7
解:DQ I =2mA m g =2ms
3-8已知某种场效应管的参数为U GS(th)=2V ,U (BR)GS =30V, U (BR)DS =15V ,当U GS =4V 、 U DS =5V 时,管子的I DQ =9mA 。

现用这种管子接成如图p3-8所示的四种电 路,电路中的R G =100kΩ, R D1=Ω,R D2=Ω,R D3=Ω,R S =1kΩ。

试问各电路中的管子各工作于:放大、截止、可变电阻、击穿四种状态中的哪一种?
图P3-8
解:先求场效应管的x 值。

由已知的GS U =4v 时DQ I =9mA 及
()GS th U =2v ,代人公式2()[]D GS GS th i K u U =-,可求得K =/2V .
图(a)管子击穿.图(b)管子击穿 图(c)可变电阻区 图(d )放大区 3-9在图p3-9所示的四种电路中,R G 均为100 kΩ,R D 均为Ω,V DD =10V ,GG V =2V 。

又已知:T 1的I DSS =3mA 、U GS(off)=-5V ;T 2的U GS(th)=3V ;T 3的I DSS =-6mA 、U GS(off)=4V ;T 4的I DSS =-2mA 、U GS(off)=2V 。

试分析各电路中的场效应管工作于放大区、截止区、可变电阻区中的哪一个工作区?
图P3-9
解:图 a T1为N 沟道JFET ,由图可知T1工作于放大区
图 b T2工作于截止状态
图c 工作于可变电阻区
图 d 工作于放大区
3-10 试判断图p3-10所示的四种电路中,哪个(或哪几个)电路具有电压放大作用。

图P3-10
解d
3-11 电路如图3-11所示。

其中-V DD =-20V ,R G =1MΩ, R D =10kΩ, U GSQ =2V ,管子的I DSS =-2mA 、U GS(off)=4V ,各电容器的电容量均足够大。

试求:
(a)? I DQ 及R S1的数值;
(b) 为使管子能工作于恒流区,R S2不能超过什么值。

解:(a ) DQ I =mA 14S R K =Ω
(b) 222S R K <Ω
3-12 电路如图3-12所示。

已知V DD =30V ,R G1=R G2=1MΩ, R D =10kΩ,管子的U GS(th)=3V ,且当U GS =5V 时I D 为。

试求管子的U GSQ 、I DQ 、U DSQ 。

解: 1.8DQ I mA = 12DSQ U V = GSQ U =6V
3-13电路如图3-13所示。

已知-V DD =-40V ,R G =1MΩ,R D =12kΩ,R S =1kΩ,场效应管的I DSS =-6mA 、U GS(off)=6V 、r ds >>R D ,各电容器的电容量均足够大。

试求:
(a) ?电路静态时的I DQ 、U GSQ 、U DQ 值;
(b)? 电路的A u 、R i 、R o 值。

解(a )? 2.3DQ I mA =-??12.4DQ U V =- 10.1DSQ U V =-
(b)?14.9112u i o A R M R k =-=Ω=Ω????????????????????????3-14电路如图3-14所示。

其中R G =Ω,R S =10kΩ,场效应管的g m =、 r ds 可以忽略,各电容器的电容量均足够大,电源电压V DD 的大小已足以保证管子能工作于恒流区。

试求A u 、R i 和R o 的值。

解:0.9 1.11u i o A R M R k ==Ω=Ω
图P3-11 图P3-12
图P3-13 图P3-14
3-15 在图3-15所示的电路中,R D = R S =Ω,R G2=1MΩ, V DD =24V ,场效应管的I DSS =、U GS(off)=-6V ,各电容器的电容量均足够大。

若要求管子的U GSQ = ,求:
(a) 1G R 的数值;
(b) DQ I 的值;
(c) 11o u i U A U = 及2
2o u i U A U = 的值。

解: (a)1 4.7G R M =Ω (b) 1.18DQ I mA = (c) 11o u i U A U == 22o u i U A U ==
图P3-15 图P3-16
3-16 电路如图3-16所示。

设场效应管的跨导为g m ,r ds 的影响必须考虑,各电容器的电容量均足够大。

试求该电路输出电阻R o 的表达式。

解://'//['(1')]O D O D S ds m S R R R R R r g R ==++
3-17 电路如图3-17所示。

已知电路中的R G =1MΩ, R D =10kΩ,R S =2kΩ,负载电阻R L =4kΩ,负载电容C L =1000pF ,场效应管的C gs 、C gd 、C ds 和r ds 的影响均可以忽略。

试求该电路的上限截止频率f H 。

图P3-17 解:155.72(//)H D L L
f kHz R R C π==。

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