场效应管放大电路习题答案
放大电路练习题和答案解析
一、填空题
1．射极输出器的主要特点是电压放大倍数小于而接近于1，输入电阻高、输出电阻低。
2．三极管的偏置情况为发射结正向偏置，集电结反向偏置时，三极管处于饱和状态。
3．射极输出器可以用作多级放大器的输入级，是因为射极输出器的输入电阻高。
4．射极输出器可以用作多级放大器的输出级，是因为射极输出器的输出电阻低。
5．常用的静态工作点稳定的电路为分压式偏置放大电路。
6．为使电压放大电路中的三极管能正常工作，必须选择合适的静态工作点。
7．三极管放大电路静态分析就是要计算静态工作点，即计算I B 、 I C 、 U CE三个值。
8．共集放大电路（射极输出器）的集电极极是输入、输出回路公共端。
9．共集放大电路（射极输出器）是因为信号从发射极极输出而得名。（）
10．射极输出器又称为电压跟随器，是因为其电压放大倍数电压放大倍数接近于1 。
11．画放大电路的直流通路时，电路中的电容应断开。
12．画放大电路的交流通路时，电路中的电容应短路。
13．若静态工作点选得过高，容易产生饱和失真。
14．若静态工作点选得过低，容易产生截止失真。
15．放大电路有交流信号时的状态称为动态。
16．当输入信号为零时，放大电路的工作状态称为静态。
17．当输入信号不为零时，放大电路的工作状态称为动态。
18．放大电路的静态分析方法有估算法、图解法。
19．放大电路的动态分析方法有微变等效电路法、图解法。
20．放大电路输出信号的能量来自直流电源。
二、选择题
1、在图示电路中，已知U C C＝12V，晶体管的β＝100，'
R＝100kΩ。当i U＝0V时，
模电习题二-2(答案)
习题二
2.16 已知一N 沟道JFET 的夹断电压U GS (off) = —4 V ，饱和漏极电流I DSS = 4mA ，试估算： (1) 若U GS = 0，漏极电流为多少？ (2)若U GS = —1 V ，I D 和g m 各是多少?
解：(1) 若U GS = 0，漏极电流为饱和漏极电流I DSS = 4mA (2) U GS = —1 V ，
)
(5.12
)(25.2)4
1
1(4)1)
22)ms I I U g mA U U I I D DSS off GS m off GS GS
DSS D =-
=∴=-⨯=-=（（（
2.17 场效应管放大电路如图题2.17所示，电路参数如图所示。FET 在工作点上的互导
g m = 1ms , (1)画出微变等效电路; (2) 试 计算 u
A 、R i 、R o;。
U +
U +o
图题2.17
图题2.18
解：（1
）微变等效电路如图所示。
.
微变等效电路
（2）u A .
=－g m R D =－1ms ×30K=－30
R i ≈R G =10M Ω
R o ≈R D =30K Ω
2.18 由JFET 组成的放大电路如图题2.18所示，夹断电压V U off GS 5)(-=，mA I DSS 4=， 试求：（1）静态工作点D I ，GS U 和DS U ；
（2）电压增益u A ； （3）输入电阻i R 和输出电阻O
R 。 解 （1） 该自给偏压放大电路
D S GS I R U -= （1）
)(S d D DD DS R R I U U +-= （2）
放大电路练习题及答案
一、填空题
1．射极输出器的主要特点是电压放大倍数小于而接近于1， 输入电阻高 、 输出电阻低 。
2．三极管的偏置情况为 发射结正向偏置，集电结反向偏置 时，三极管处于饱和状态。
3．射极输出器可以用作多级放大器的输入级，是因为射极输出器的 输入电阻高 。
4．射极输出器可以用作多级放大器的输出级，是因为射极输出器的 输出电阻低 。
5．常用的静态工作点稳定的电路为 分压式偏置放大 电路。
6．为使电压放大电路中的三极管能正常工作，必须选择合适的 静态工作点 。
7．三极管放大电路静态分析就是要计算静态工作点，即计算 I B 、 I C 、 U CE 三个值。
8．共集放大电路（射极输出器）的 集电极 极是输入、输出回路公共端。
9．共集放大电路（射极输出器）是因为信号从 发射极 极输出而得名。（）
10．射极输出器又称为电压跟随器，是因为其电压放大倍数 电压放大倍数接近于1 。
11．画放大电路的直流通路时，电路中的电容应 断开 。
12．画放大电路的交流通路时，电路中的电容应 短路 。
13．若静态工作点选得过高，容易产生 饱和 失真。
14．若静态工作点选得过低，容易产生 截止 失真。
15．放大电路有交流信号时的状态称为 动态 。
16．当 输入信号为零 时，放大电路的工作状态称为静态。
17．当 输入信号不为零 时，放大电路的工作状态称为动态。
18．放大电路的静态分析方法有 估算法 、 图解法 。
19．放大电路的动态分析方法有 微变等效电路法 、 图解法 。
20．放大电路输出信号的能量来自 直流电源 。
模拟电子技术胡宴如主编耿苏燕版习题解答第2章
第2章
放大电路中某三极管三个管脚○1○2○3测得对地电位-8V ，-3V,和3V 、12V 、，试判别此
管的三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，是硅管还是锗管
解：放大电路中的发射结必定正偏导通，其压降对硅管为，对锗管则为。
（1）三极管工作在放大区时，U B 值必介于U C 和U E 之间，故对应的管脚○
3为基极，U B =，○
2脚电位与○3脚基极电位差为，所以○2脚为发射极，则○1脚为集电极，该管为PNP 锗管。 （2）由于○
3脚电位为介于3V 和12V 之间，故○3脚为基极，○1脚电位低于○3脚，故○1脚为发射极，则○
2脚为集电极，该管为NPN 硅管。 对图所示各三极管，试判别其三个电极，并说明它是NPN 管还
是PNP 管，估算其β值。
解：（a ）因为i B
4904.096.1==≈
mA
mA
i i B C β （b ）①、②、③脚分别为基极、集电极和发射极。由电流流向知是PNP 管
10001.01==≈
mA
mA i i B C β 图所示电路中，三极管均为硅管，β=100，试判断各三极管的工作状态，并求各管的
图
图
I B 、I C 、U CE 。
解：（a ）mA k V
V I B 1.0517.06≈Ω
-=
设三极管工作在放大状态，则 I C =βI B =100×=10mA U CE =16V －10mA ×1k Ω=6V
由于U CE =6V>U CE =，三极管处于放大状态，故假设成立。因此三极管工作在放大状态，I B =，I C =10 mA ，U CE =6V 。
3场效应管放大电路
三、场效应管放大电路
1、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将。
A.增大
B.不变
C.减小
答案：A
2.已知场效应管的输出特性曲线如图P1.22所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图P1.22
解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线〔如解图P1.22（a）所示〕，读出其与各条曲线交点的纵坐标值及U GS值，建立i D＝f（u GS）坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图P1.22（b）所示。
解图P1.22
3.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。（）
答案：√
4.若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（）
答案：×
5.电路如图1.23所示，T的输出特性如图P1.22所示，分析当u I＝4V、8V、12V三种情况下场效应管分别
工作在什么区域。
解：根据图P1.22所示T的输出特性可知，其开启电压为5V，根据图P1.23所示电路可知所以u GS＝u I。
当u I＝4V时，u GS小于开启电压，故T截止。
当u I＝8V时，设T工作在恒流区，根据
输出特性可知i D≈0.6mA，管压降
u DS≈V DD－i D R d≈10V
因此，u GD＝u GS－u DS≈－2V，小于开启电压，
图P1.23 说明假设成立，即T工作在恒流区。
当u I＝12V时，由于V DD ＝12V，必然使T工作在可变电阻区。
6.U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管
B. 增强型MOS管
C. 耗尽型MOS管
第3章 场效应管及其基本放大电路 参考答案
第 3
章 场效应管及其基本放大电路
3.1填空题
（1）按照结构，场效应管可分为 。它属于 型器件，其最大的优点是 。
（2）在使用场效应管时，由于结型场效应管结构是对称的，所以 极和 极可互换。MOS 管中如果衬底在管内不与 极预先接在一起，则 极和 极也可互换。
（3）当场效应管工作于恒流区时，其漏极电流D i 只受电压 的控制，而与电压 几乎无关。耗尽型D i 的表达式为 ，增强型D i 的表达式为 。
（4）一个结型场效应管的电流方程为2
GS D 161mA 4U I
=×− ，则该管的
DSS I = ，p U = 。
（5）某耗尽型MOS 管的转移曲线如习题3.1.5图所示，由图可知该管的DSS I = ，p U = 。
（6）N 沟道结型场效应管工作于放大状态时，要求
GS 0u ≥≥ ，DS u > ；而N 沟道增强型MOS 管
工作于放大状态时，要求GS u > ，DS u > 。
（7）耗尽型场效应管可采用 偏压电路，增强型场效应管只能采用 偏置电路。
（8）在共源放大电路中，若源极电阻s R 增大，则该电路的漏极电流D I ，跨导m g ，电压放大倍数 。
（9）源极跟随器的输出电阻与 和 有关。
答案：（1）结型和绝缘栅型，电压控制，输入电阻高。（2）漏，源，源，漏，
源。（3）GS u ，DS u ，2GS D DSS P 1u i I U =− ，2
GS D DO T 1u i I U
=−
。（4）16mA ，4V 。（5）
习题3.1.5图
4mA ，−3V 。（6）p U ，GS p u U −，T U ，GS T u U −。（7）自给，分压式。（8）减小，
(完整版)第四章场效应管习题答案..
第四章 场效应管基本放大电路
4-1 选择填空
1．场效应晶体管是用_______控制漏极电流的.
a 。 栅源电流
b 。 栅源电压
c 。 漏源电流
d 。 漏源电压 2．结型场效应管发生预夹断后，管子________。
a 。 关断
b 。 进入恒流区
c 。 进入饱和区 d. 可变电阻区 3．场效应管的低频跨导g m 是________.
a. 常数 b 。 不是常数 c. 栅源电压有关 d. 栅源电压无关 4。 场效应管靠__________导电.
a 。 一种载流子
b 。 两种载流子 c. 电子 d. 空穴 5。 增强型PMOS 管的开启电压__________。
a. 大于零 b 。 小于零 c. 等于零 d. 或大于零或小于零 6. 增强型NMOS 管的开启电压__________。
a. 大于零
b. 小于零 c 。 等于零 d. 或大于零或小于零 7. 只有__________场效应管才能采取自偏压电路。
a. 增强型
b. 耗尽型 c 。 结型 d 。 增强型和耗尽型 8. 分压式电路中的栅极电阻R G 一般阻值很大,目的是__________。
a 。 设置合适的静态工作点
b 。 减小栅极电流
c. 提高电路的电压放大倍数 d 。 提高电路的输入电阻 9. 源极跟随器(共漏极放大器)的输出电阻与___________有关。
a. 管子跨导g m b 。 源极电阻R S c. 管子跨导g m 和源极电阻R S 10。 某场效应管的I DSS 为6mA ，而I DQ 自漏极流出，大小为8mA ，则该管是_______.
第3章 场效应管及其放大电路习题解
2
(2) 转移特性：指当漏源电压 uDS 为常量时，漏极电流 iD 与栅源电压 uGS 之间的关系，即
iD f (u GS ) uDS 常数
（3-2）
转移特性表示栅源电压 uGS 对漏极电流 iD 的控制作用。 4．场效应管的主要参数 (1) 直流参数：夹断电压 UGS（off） ；开启电压 UGS(th)；饱和漏极电流 IDSS ；直流输入电阻 RGS(DC)。 (2) 交流参数：低频跨导 gm ；极间电容。 (3) 极限参数：最大漏极电流 IDM ；最大漏源电压 U(BR)DS ； 最大栅源电压 U(BR)GS ；最 大耗散功率 PDM。
际方向，并说明管子导通的条件。 解：与图 3-18(b)对应的 P 沟道耗尽型 MOS 管共源放大电路如图解 T3.6，静态电流的实 际方向如图中所示。管子导通的条件是：UGSUGS(off） ，UDSUGSUGS(off)。
IDQ +
+
+
图解 T3.6
习题 3.1 电路如图 P3.1 所示。已知 RD=3.3k，RG=100k，｜VDD｜=10V，｜VGG｜=2V，VT1 的 UGS(th)=3V，VT2 的 UGS(off)=3V，IDSS=－5mA，VT3 的 UGS(off)=2V，IDSS=－2mA，试分析场 效应管分别工作在什么区域。
3.1.2 场效应管放大电路
《模拟电子技术基础》第三版习题解答第2章 基本放大电路题解
第二章基本放大电路
自测题
一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）
（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）
（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）
（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）
（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）
（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）
（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（）解：（1）×（2）√（3）×（4）×（5）√（6）×（7）×
二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T2.2
解：（a）不能。因为输入信号被V B B短路。
（b）可能。
（c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。
（d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。因为输入信号被C2短路。
（f）不能。因为输出信号被V C C短路，恒为零。
（g）可能。
（h）不合理。因为G-S间电压将大于零。
（i）不能。因为T截止。
三、在图T2.3所示电路中， 已知V C C ＝12V ，晶体管的β＝100，'
b R ＝
100k Ω。填空：要求先填文字表达式后填得数。
（1）当i
U ＝0V 时，测得U B E Q ＝0.7V ，若
要基极电流I B Q ＝20μA ， 则'
b R 和R W 之和R b
＝ ≈ k Ω；而若测得U C E Q ＝6V ，则R c ＝ ≈ k Ω。
放大电路练习题与答案
一、填空题
1．射极输出器的主要特点是电压放大倍数小于而接近于1，输入电阻高、输出电阻低。
2．三极管的偏置情况为发射结正向偏置，集电结反向偏置时，三极管处于饱和状态。
3．射极输出器可以用作多级放大器的输入级，是因为射极输出器的输入电阻高。
4．射极输出器可以用作多级放大器的输出级，是因为射极输出器的输出电阻低。
5．常用的静态工作点稳定的电路为分压式偏置放大电路。
6．为使电压放大电路中的三极管能正常工作，必须选择合适的静态工作点。
7．三极管放大电路静态分析就是要计算静态工作点，即计算I B 、I C 、U CE三个值。
8．共集放大电路（射极输出器）的集电极极是输入、输出回路公共端。
9．共集放大电路（射极输出器）是因为信号从发射极极输出而得名。（）
10．射极输出器又称为电压跟随器，是因为其电压放大倍数电压放大倍数接近于1 。
11．画放大电路的直流通路时，电路中的电容应断开。
12．画放大电路的交流通路时，电路中的电容应短路。
13．若静态工作点选得过高，容易产生饱和失真。
14．若静态工作点选得过低，容易产生截止失真。
15．放大电路有交流信号时的状态称为动态。
16．当输入信号为零时，放大电路的工作状态称为静态。
17．当输入信号不为零时，放大电路的工作状态称为动态。
18．放大电路的静态分析方法有估算法、图解法。
19．放大电路的动态分析方法有微变等效电路法、图解法。
20．放大电路输出信号的能量来自直流电源。
二、选择题
1、在图示电路中，已知U C C＝12V，晶体管的β＝100，'
R＝100kΩ。当i U＝0V时，
放大电路练习题及答案
一、填空题
1．射极输出器的主要特点是电压放大倍数小于而接近于1， 输入电阻高 、 输出电阻低 。 2．三极管的偏置情况为 发射结正向偏置，集电结反向偏置 时，三极管处于饱和状态。
3．射极输出器可以用作多级放大器的输入级，是因为射极输出器的 输入电阻高 。
4．射极输出器可以用作多级放大器的输出级，是因为射极输出器的 输出电阻低 。
5．常用的静态工作点稳定的电路为 分压式偏置放大 电路。
6．为使电压放大电路中的三极管能正常工作，必须选择合适的 静态工作点 。
7．三极管放大电路静态分析就是要计算静态工作点，即计算 I B 、 I C 、 U CE 三个值。
8．共集放大电路（射极输出器）的 集电极 极是输入、输出回路公共端。
9．共集放大电路（射极输出器）是因为信号从 发射极 极输出而得名。（）
10．射极输出器又称为电压跟随器，是因为其电压放大倍数 电压放大倍数接近于1 。
11．画放大电路的直流通路时，电路中的电容应 断开 。
12．画放大电路的交流通路时，电路中的电容应 短路 。
13．若静态工作点选得过高，容易产生 饱和 失真。
14．若静态工作点选得过低，容易产生 截止 失真。
15．放大电路有交流信号时的状态称为 动态 。
16．当 输入信号为零 时，放大电路的工作状态称为静态。
17．当 输入信号不为零 时，放大电路的工作状态称为动态。
18．放大电路的静态分析方法有 估算法 、 图解法 。
19．放大电路的动态分析方法有 微变等效电路法 、 图解法 。
20．放大电路输出信号的能量来自 直流电源 。
提高习题场效应管放大电路
场效应管放大电路
1．图1所示为MOSFET的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如是增强型，说明它的开启电压V T＝？如是耗尽型，说明它的夹断电压V P＝？（图中i D的假定正向为流进漏极。）
GS
（a）（b）（c）
图1
2．已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为K P＝0.2mA/V2，V P＝0.5V，i D＝－0.5mA（假定正向为流进漏极）。试求此时的预夹断点栅源电压v GS和漏源电压v DS等于多少？
3．设N沟道增强型MOSFET的参数为V T＝1V，W＝100μm，L＝5μm，μn＝650cm2/V·s，C ox＝76.7×10－9F/cm2。当V GS＝2V T，MOSFET工作在饱和区，试计算此时场效管的工作电流I D。
4．电路如图4所示，设R g1＝90kΩ，R g2＝60kΩ，R d＝30kΩ，V DD＝5V，V T＝1V，K n ＝0.1mA/V2。试计算电路的漏极电流I D和漏源电压V DS。
图4
5．电路如图5所示。已知R d ＝10k Ω，R s ＝R ＝0.5k Ω，R g1＝165k Ω，R g2＝35k Ω，V T
＝0.8V ，K n ＝1mA/V 2，场效应管的输出电阻r ds ＝∞（λ＝0），电路静态工作点处V GS ＝1.5V 。试求电路的小信号电压增益A v ＝v o /v i 和源电压增益s o
s v v v =
A 。（提示：先根据K n 、V GS 和V T
求出g m ，再求A v ）
SS
v s
图5
6．电路如图6所示。设电流源电流I ＝0.5mA 、V DD ＝V SS ＝5V ，R d ＝9k Ω，C S 很大，对信号可视为短路。场效应管的V T ＝0.8V ，K n ＝1mA/V 2，输出电阻r ds ＝∞。试求电路的小信号电压增益A v 。
第3章自测题习题参考答案
第3章场效应管及其基本放大电路
自测题
3.1填空题
1．按照结构，场效应管可分为。它属于型器件，其最大的优点是。
2．在使用场效应管时，由于结型场效应管结构是对称的，所以极和极可互换。MOS 管中如果衬底在管内不与极预先接在一起，则极和极也可互换。
3．当场效应管工作于线性区时，其漏极电流D i 只受电压的控制，而与电压几乎无关。耗尽型D i 的表达式为，增强型D i 的表达式为。
4．某耗尽型MOS 管的转移曲线如题3.1.4图所示，
由图可知该管的DSS I =，U P =。
5．一个结型场效应管的电流方程为
2GS D 161(mA)4U I ⎛⎫=⨯- ⎪⎝
⎭，则该管的DSS I =，U P =；当GS 0u =时的m g =。
6．N 沟道结型场效应管工作于放大状态时，要求
GS 0u ≥≥，DS u >；而N 沟道增强型MOS 管工作于放
大状态时，要求GS u >，DS u >。 7．耗尽型场效应管可采用偏压电路，增强型场效应管只能采用偏置电路。
8．在共源放大电路中，若源极电阻s R 增大，则该电路的漏极电流D I ，跨导m g ，电压放大倍数。
9．源极跟随器的输出电阻与和有关。
答案：1．结型和绝缘栅型，电压控制，输入电阻高。2．漏，源，源，漏，源。
3．GS u ，DS u ，2GS D DSS P 1u i I U ⎛⎫=- ⎪⎝⎭，2GS D DO T 1u i I U ⎛⎫=- ⎪⎝⎭
。4．4mA ，-3V 。5．16mA ，
4V ，8ms 。6．p U ，GS P u U -，T U ，GS T u U -。7．自给，分压式。8．减小，减小，减小。9．m g ，s R 。
2习题解答
习题
【2-1】填空、选择正确答案
1．对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是
A．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；
√B．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；同时防止偏置电流被信号源旁路；
C．将输入交流信号加到晶体管的基极。
2．在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是R c，那么R c中：
A．只有直流；
B．只有交流；
√ C．既有直流，又有交流。
3．基本放大电路在静态时，它的集电极电流的平均值是（）；动态时，在不失真的条件下，它的集电极电流的平均值是（）。（I CQ；I CQ）
4．下列说法哪个正确：
A．基本放大电路，是将信号源的功率加以放大；
√B．在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率；
C．基本放大电路中，输出功率是由晶体管提供的。
5．放大电路如图2.1.7所示，试选择以下三种情形之一填空。
a:增大、b:减少、c:不变（包括基本不变）
(1) 要使静态工作电流I c减少，则R b1应。（a）
(2) R b1在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻
。（b；a；c）
(3) R e在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻
。（b；a；c）
(4) 从输出端开路到接上R L，静态工作点将，交流输出电压幅度要。
（c；b）
(5) V cc减少时，直流负载线的斜率。（c）
6．放大电路的输出电阻越小，放大电路输出电压的稳定性（）。（越好）
7．放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的（）而引起的非线性失真。（饱和区）
8．在共射基本放大电路中，若适当增加 ，放大电路的电压增益将（）。（基本不增加）
机械工程出版社第三章 场效应管电路习题答案
第3章 场效应晶体管放大电路
3.1知识要点
3.1.1场效应管有结型和MOS 型两大类，每类都有N 沟道和P 沟道之分，MOS 场效应管还有增强型和耗尽型之分，故场效应管有6种类型。它们的结构、工作原理、伏安特性、作用、主要参数、电路组成、分析方法相似；正向控制原理都是利用栅源电压改变导电沟道的宽度而实现对漏极电流的控制；小信号模型完全相同；但由于沟道类型不同，结构上也有不同，因此6种管子对偏置电压的要求各不相同。
栅源电压为零时存在原始导电沟道的场效应管称为耗尽型场效应管；天然原始导电沟道，只有在U GS
绝对值大于开启电压U GS（th）绝对值后才能形成导电沟道的，则称为增强型场效应管。
2
GS D DSS P
(1) U I I U =−
当工作于放大区时，对耗尽型场效应管
1.2.4 场效应晶体管
表5.1 晶体管与场效应管比较
比较项目
晶体管
场效应管
载流子
两种不同极性的载流子（电子与空
穴）同时参与导电，故又称为双极型晶体管
只有一种极性的载流子（电子或空穴）参与导电，故又称为单极型晶体管 控制方式
电流控制
电压控制
类型 NPN 型和PNP 型两种 N 沟道和P 沟道两种 放大参数 200~20=β
5~1m =g mA/V
输入电阻 42be 10~10=r Ω较小
147gs 10~10=r Ω很大 输出电阻 r ce 很大 r ds 很大 热稳定性 差 好
制造工艺 较复杂
简单，成本低，便于集成
对应电极
基极-栅极，发射极-源极，集电极-漏极
3.1.2 场效应晶体管放大电路
共源极分压式偏置放大电路及其直流通路、交流通路和微变等效电路如图2.6所示。
(完整版)放大电路练习题及答案
一、填空题
1．射极输出器的主要特点是电压放大倍数小于而接近于1， 输入电阻高 、 输出电阻低 。 2．三极管的偏置情况为 发射结正向偏置，集电结反向偏置 时，三极管处于饱和状态。
3．射极输出器可以用作多级放大器的输入级，是因为射极输出器的 输入电阻高 。
4．射极输出器可以用作多级放大器的输出级，是因为射极输出器的 输出电阻低 。
5．常用的静态工作点稳定的电路为 分压式偏置放大 电路。
6．为使电压放大电路中的三极管能正常工作，必须选择合适的 静态工作点 。
7．三极管放大电路静态分析就是要计算静态工作点，即计算 I B 、 I C 、 U CE 三个值。
8．共集放大电路（射极输出器）的 集电极 极是输入、输出回路公共端。
9．共集放大电路（射极输出器）是因为信号从 发射极 极输出而得名。（）
10．射极输出器又称为电压跟随器，是因为其电压放大倍数 电压放大倍数接近于1 。
11．画放大电路的直流通路时，电路中的电容应 断开 。
12．画放大电路的交流通路时，电路中的电容应 短路 。
13．若静态工作点选得过高，容易产生 饱和 失真。
14．若静态工作点选得过低，容易产生 截止 失真。
15．放大电路有交流信号时的状态称为 动态 。
16．当 输入信号为零 时，放大电路的工作状态称为静态。
17．当 输入信号不为零 时，放大电路的工作状态称为动态。
18．放大电路的静态分析方法有 估算法 、 图解法 。
19．放大电路的动态分析方法有 微变等效电路法 、 图解法 。
20．放大电路输出信号的能量来自 直流电源 。
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第3章场效应管放大电路
3-1判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。（⨯）
（2）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（⨯）
3-2选择正确答案填入空内。
（1）U GS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有 B 。
A. 结型管
B. 增强型MOS管
C. 耗尽型MOS管
（2）当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将 A 。
A.增大
B.不变
C.减小
3-3改正图P3-3所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共源接法。
图P3-3
解：（a）源极加电阻R S。
（b）漏极加电阻R D。
（c）输入端加耦合电容。
（d）在R g支路加－V G G，＋V D D改为－V D D
改正电路如解图P3-3所示。
解图P3-3
3-4已知图P3-4(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(c)所示。
A 、R i和R o。（1）利用图解法求解Q点；（2）利用等效电路法求解
u
图P3-4
解：（1）在转移特性中作直线u G S ＝－i D R S ，与转移特性的交点即为Q 点；读出坐标值，得出I D Q ＝1mA ，U G S Q ＝－2V 。如解图P3-4（a ）所示。
解图P3-4
在输出特性中作直流负载线u D S ＝V D D －i D （R D ＋R S ），与U G S Q ＝－2V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点，U D S Q ≈3V 。如解图P3-4（b ）所示。
（2）首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。
mA/V 12DQ DSS GS(off)GS D
m DS =-=∂∂=I I U u i g U
Ω
==Ω==-=-=k 5 M 1 5D o i D
m R R R R R g A g u &
3-5 已知图P3-5（a ）所示电路中场效应管的转移特性如图（b ）所示。求解
电路的Q 点和u
A &。
图P3-5
解：（1）求Q 点：
根据电路图可知， U G S Q ＝V G G ＝3V 。
从转移特性查得，当U G S Q ＝3V 时的漏极电流
I D Q ＝1mA
因此管压降 U D S Q ＝V D D －I D Q R D ＝5V 。
（2）求电压放大倍数：
20V mA 22
D
m DO DQ GS(th)m -=-===R g A I I U g u &
3-6电路如图3-6所示，已知场效应管
的低频跨导为g m ，试写出u
A &、R i 和R o 的表达式。
图P3-6
解：u
A &、R i 和R o 的表达式分别为 D
o 213i L
D )(R R R R R R R R g A m u =+=-=∥∥&
3-7 电路如图3-7所示。已知V DD =12V ，GG V =2V ，R G =100kΩ，R D =1kΩ,? 场效应管T 的 I DSS =8mA 、U GS(off)=－4V 。求该管子的I DQ 及静态工作点处的g m 值。
图P3-7
解：DQ I =2mA m g =2ms
3-8已知某种场效应管的参数为U GS(th)=2V ，U (BR)GS =30V, U (BR)DS =15V ，当U GS =4V 、 U DS =5V 时，管子的I DQ =9mA 。现用这种管子接成如图p3-8所示的四种电 路，电路中的R G =100kΩ， R D1=Ω，R D2=Ω，R D3=Ω，R S =1kΩ。试问各电路中的管子各工作于：放大、截止、可变电阻、击穿四种状态中的哪一种？
图P3-8
解：先求场效应管的x 值。由已知的GS U ＝4v 时DQ I ＝9mA 及
()GS th U ＝2v ，代人公式2()[]D GS GS th i K u U =-，可求得K ＝／2V .
图(a)管子击穿.图(b)管子击穿 图(c)可变电阻区 图（d ）放大区 3-9在图p3-9所示的四种电路中，R G 均为100 kΩ，R D 均为Ω，V DD =10V ，GG V =2V 。又已知：T 1的I DSS =3mA 、U GS(off)=－5V ；T 2的U GS(th)=3V ；T 3的I DSS =－6mA 、U GS(off)=4V ；T 4的I DSS =－2mA 、U GS(off)=2V 。试分析各电路中的场效应管工作于放大区、截止区、可变电阻区中的哪一个工作区？
图P3-9
解：图 a T1为N 沟道JFET ，由图可知T1工作于放大区
图 b T2工作于截止状态
图c 工作于可变电阻区
图 d 工作于放大区
3-10 试判断图p3-10所示的四种电路中，哪个（或哪几个）电路具有电压放大作用。
图P3-10
解d
3-11 电路如图3-11所示。其中－V DD =－20V ，R G =1MΩ， R D =10kΩ, U GSQ =2V ，管子的I DSS =－2mA 、U GS(off)=4V ，各电容器的电容量均足够大。试求：
(a)? I DQ 及R S1的数值;
(b) 为使管子能工作于恒流区，R S2不能超过什么值。
解：（a ） DQ I =mA 14S R K =Ω