TLP521
TLP521中文资料(2)
3
—
Turn−off time 关断时间
toff
—
3
—
Turn−on time 开启时间
tON
RL = 1.9kΩ (Fig.1) VCC = 5V, IF = 16mA
—
2
—
μs
Storage time 存储时间
ts
—
15
—
Turn−off time 关断时间
tOFF
—
25
—
图3 TLP521-1 封装图 图4 TLP521-2 封装图
—
2
50
μA
Capacitance (collector to emitter) 电容(集电极到发射极)
CCE
V =0, f =1MHz
—
10
—
pF
Coupled Electrical Characteristic 耦合电气特性参数s(Ta = 25℃)
Characteristic 参数
Symbol 符号
V(BR) CEO
IC = 0.5mA
55
—
—
V
Emitter−collector breakdown voltage 发射极集电极击穿电压
V(BR) ECO
IE = 0.1mA
7
—
—
V
Collector dark current 集电极暗电流
ICEO
VCE = 24V
—
10
100
nA
VCE=24V,Ta=85℃
Characteristic 参数
Symbol 符号
Test Condition 测试条件
Min 最小
TLP521中文资料
TLP521中文资料(2)*1: Ex. rank GB: TLP521-1 (GB)(Note): Application type name for certification test, please use standard product type name, i.e. TLP521-1 (GB): TLP521-1, TLP521-2 (GB): TLP521-2Individual Electrical Characteristic单独的电气特性参数(Ta = 25 ℃ )Characteristic参数Symbol Test Condition测 Min Typ Max Unit 符号试条件最小典型最大单位Forward voltage正向电压VF IF = 10mA 1.0 1.15 1.3VLED Reverse current反向电流IR VR=5V——10μA Capacitance 电容CT V=0, f =1MHz—30—pFCollector-emitter breakdown vol tage 集电极发V(BR)IC = 0.5mA55——V 射极击穿电压CEOEmitter-collector breakdown voltage发射极集V(BR)IE = 0.1mA7——V接收电极击穿电压ECO 侧ICEO VCE = 24V—10100nACollector dark current集电极暗电流VCE=24V,Ta=85℃ —250μACapacitance (collector to emitter)电容(集电极CCE V =0, f =1MHz—10—pF 到发射极)Coupled Electrical Characteristic耦合电气特性参数s (Ta = 25 ℃ )Characteristic参数SymbolTest Condition 测试条件Min Typ Max Unit 符号最小典型最大单位Current transfer ratio经常转移的比率IC/IF IF=5mA, VCE =5V Rank GB 50— 600% 100— 600Saturated CTR饱和率IC/IFIF=1mA, VCE=0.4V Rank GB—60—% (sat)30——Collector-emitter saturation voltage集电极 - VCE IC = 2.4 mA, IF = 8 mA—— 0.4V发射极饱和电压(sat)IC=0.2mA, IF=1mA Rank GB—0.2 ——— 0.4Isolation Characteristic 耦合电气特性参数(Ta = 25 ℃ )Characteristic 参数Symbol Test Condition测试条件Min Typ Max Unit符号最小 典型 最大 单位Capacitance(input to output) 电容(输入输CSVS = 0, f = 1 MHz—0.8—pF 出)Isolation resistance隔离电阻RS VS = 500 V, R.H.≤ 60%—10 11 —?AC, 1 Min 最小 ute2500 — —VrmsIsolation voltage隔离电压 BVSAC, 1 second, in oil— 5000 —DC, 1 Min 最小 ute, in oil —5000 —VdcSwitching Characteristic 开关特性参数 (Ta = 25 ℃ )Characteristic参数Symbol 符号Min Typ Max Unit Test Condition 测试条件典型 最大 单位最小Rise time 上升时间tr — 2 —Fall time 下降时间 tf— 3—μ sTurn-on timeton VCC=10V IC=2 mA RL=100?3开启时间 — —Turn-off time 关断时间 toff — 3 — Turn-on time 开启时间 tON — 2 —Storage time存储时间 ts RL = 1.9k Ω (Fig.1) VCC = 5V, IF = 15— μs— Turn-off timetOFF16mA25关断时间——图 3 TLP521-1 封装图 图 4 TLP521-2 封装图图 5 TLP521-4 封装图图 6 开关时间测试电路。
TLP521-4中文资料(光电耦合器 电流不大)
Characteristic 参数
Symbol 符号
Min Typ Max Unit 最典最 单 小型大 位
Supply voltage 电源电压
VCC
―5
24
V
Forward current 正向电流
IF
― 16 25
mA
Collector current 集电极电流
IC
―1
10
mA
Operating temperature 操作温度
mA/℃
LED
Pulse forward current 瞬间
IFP
正向脉冲电流
1 (100μ pulse, 100pps) A
Reverse voltage 反向电压 VR
5
V
Junction temperature 结温 Tj
125
℃
Collector−emitter voltage
VCEO
55
Rank GB 100
600
Blank, GR, BL, GB GR, BL, GB
*1: Ex. rank GB: TLP521−1 (GB)
(Note): Application type name for certification test, please use standard product type name,
集电极-发射极电压: 55V(最小值) 经常转移的比例: 50 %(最小) 隔离电压: 2500 Vrms (最小)
图 1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图
图 2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图
Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)
p521中文资料
软件介绍:
p521中文资料,p521中文PDF应用资料:
东芝TLP521-1 --,2和-- 4包括一张照片晶体管光学对一镓砷化物红外麻省理工学院二极管连接。
TLP521-2在八中提供两个隔离的通道领导TLP521-4在十六种塑料的DIP包装中提供四个隔离的通道的塑料的DIP包装
集极电压50V(min)
电流转移比率50%(min)
等级GB 100%(min)
隔离电压2500Vrms(min)
Anode 阳极
cathode 阴极
emitter; (晶体管的)发射极
collector集电极
东芝连续不断地工作改进其产品的质量和可靠性。
然而,半导体设备能故障或者因为他们的易受物理的压力的固有的灵敏性和攻击而失败。
当利用东芝产品时为了在为了整个的系统做一个保险箱设计时遵照安全的标准同时,避免在其中这样东芝产品的一次故障或者失败能造成人类生活损失的形势对财产的身体的伤害或者破坏是购买者的责任。
推荐操作条件
特性最小值典型值最大值单位提供电
压 5 24 V
转换电流16 25 mA 发射极电
流 1 10 mA
工作温度-25 85 °C
TLP521照片晶体管光耦特点描述:
东芝TLP521 - 1 , -2和4组成的照片晶体管
光耦合到砷化镓红外发光二极管。
该TLP521 - 2提供了两个孤立的渠道,在8引脚塑料DIP封装,而TLP521 - 4提供4个孤立的渠道
1 16塑料DIP封装。
TLP521照片晶体管光耦(图片)
TLP521照片晶体管光耦技术参数。
TLP521中文资料
TLP521是可控制的光电藕合器件,光电耦合器广泛作用在电脑终端机,可控硅系统设备,测量仪器,影印机,自动售票,家用电器,如风扇,加热器等电路之间的信号传输,使之前端与负载完全隔离,目的在于增加安全性,减小电路干扰,减化电路设计。
东芝TLP521-1,-2和-4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521-2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装,而TLP521-4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压: 55V(最小值)经常转移的比例: 50 %(最小)隔离电压: 2500 Vrms (最小)图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)注:使用连续负载很重的情况下(如高温/电流/温度/电压和重大变化等),可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
Recommended Operating Conditions建议操作条件*1: Ex. rank GB: TLP521−1 (GB)(Note): Application type name for certification test, please use standard product type name, i.e.TLP521−1 (GB): TLP521−1, TLP521−2 (GB): TLP521−2Individual Electrical Characteristic 单独的电气特性参数(Ta = 25℃)Coupled Electrical Characteristic 耦合电气特性参数s(Ta = 25℃)Isolation Characteristic 耦合电气特性参数(Ta = 25℃)Switching Characteristic 开关特性参数(Ta = 25℃)图3 TLP521-1 封装图图4 TLP521-2 封装图图5 TLP521-4 封装图图6 开关时间测试电路特性曲线图:应用电路:图7 打开或关闭12V直流电动机的TTL控制信号输入电路图74HC04 特性:∙缓冲输入∙传输延迟(典型值): 6ns at V CC = 5V, C L = 15pF, T A= 25°C∙扇出(驱动)能力: (在温度范围内)- 标准输出 . . . . . . . . . . . . . . . 10 LSTTL Loads- 总线驱动 . . . . . . . . . . . . . . . 15 LSTTL Loads ∙宽工作温度范围 . . . –55°C to 125°C∙对称的传输延迟和转换时间∙相对于LSTTL逻辑IC,功耗减少很多∙HC Types- 工作电压:2V到6V- 高抗扰度: N IL = 30%, N IH= 30% of V CC at V CC = 5V∙HCT Types- 工作电压:4.5V到5.5V- 兼容直接输入LSTTL逻辑信号, V IL= 0.8V (Max), V IH = 2V (Min)- 兼容CMOS逻辑输入, I l1μA at V OL, V O该74HC04/74HCT04是高速CMOS器件,低功耗肖特基的TTL(LSTTL)电路。
tlp521光耦参数
tlp521光耦参数
TLP521是一种可编程场效应晶体管(FET)光耦,其主要用途是将输入信号转换为输出信号并进行隔离。
本文将详细介绍TLP521的参数和特性。
1. 输入电流
TLP521的最大输入电流为50mA,这是光耦工作的关键参数之一。
输入电流过大可能会导致光电元件过热或损坏,因此需要在使用时仔细控制。
2. 工作温度
TLP521光耦的工作温度范围为-55℃到100℃。
正常情况下,光耦应该在其指定的工作温度范围内运行,以免影响性能或寿命。
3. 灵敏度
TLP521的最小发光电流(IFLH)为5mA,这是光耦的灵敏度的关键参数。
发光电流越低,光耦的灵敏度就越高。
因此,TLP521是相对较敏感的光耦。
4. 输出电压
TLP521的最大输出电压为80V,这是光耦输出电信号的关键参数。
如果需要更高的输出电压,可以考虑其他光耦型号。
5. 响应时间
TLP521的最大响应时间为4微秒,这也是光耦的关键参数之一。
响应时间越短,光耦的应用范围就越广。
6. 绝缘电阻
TLP521的最小绝缘电阻为10^10欧姆,这是光耦进行隔离的关键参数之一。
绝缘电阻越高,光耦进行隔离的效果就越好。
总之,TLP521是一种功能强大的光耦,适用于许多应用,包括自动化控制、通信、电力等领域。
了解TLP521的参数和特性有助于更好地选择和使用这种光耦。
(整理)TLP521中文资料.
摘要线性光耦合器是目前国际上正推广应用的一种新型光电隔离器件。
文中介绍其性能特点、产品分类,以及它在单片开关电源中的应用。
关键词光耦合器线性电流传输比通信单片开关电源光耦合器(optical coupler,英文缩写为OC)亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。
它是以光为媒介来传输电信号的器件,通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。
当输入端加电信号时发光器发出光线,受光器接受光线之后就产生光电流,从输出端流出,从而实现了“电—光—电”转换。
普通光耦合器只能传输数字(开关)信号,不适合传输模拟信号。
近年来问世的线性光耦合器能够传输连续变化的模拟电压或模拟电流信号,使其应用领域大为拓宽。
1 光耦合器的类型及性能特点1.1 光耦合器的类型光耦合器有双列直插式、管式、光导纤维式等多种封装形式,其种类达数十种。
光耦合器的分类及内部电路如图1所示。
图中是8种典型产品的型号:(a)通用型(无基极引线);(b)通用型(有基极引线);(c)达林顿型;(d)高速型;(e)光集成电路;(f)光纤型;(g)光敏晶闸管型;(h)光敏场效应管型。
1.2 光耦合器的性能特点光耦合器的主要优点是单向传输信号,输入端与输出端完全实现了电气隔离,抗干扰能力强,使用寿命长,传输效率高。
它广泛用于电平转换、信号隔离、级间隔离、开关电路、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。
在单片开关电源中,利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路,通过调节控制端电流来改变占空比,达到精密稳压目的。
光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
电流传输比是光耦合器的重要参数,通常用直流电流传输比来表示。
(完整版)TPL521中文资料 光耦
TLP521是可控制的光电藕合器件,光电耦合器广泛作用在电脑终端机,可控硅系统设备,测量仪器,影印机,自动售票,家用电器,如风扇,加热器等电路之间的信号传输,使之前端与负载完全隔离,目的在于增加安全性,减小电路干扰,减化电路设计。
东芝TLP521-1,-2和-4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521-2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装,而TLP521-4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压:55V(最小值)经常转移的比例:50 %(最小)隔离电压:2500 Vrms (最小)图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Characteristic 参数Symbol符号Rating 数值Unit 单位TLP521−1TLP521−2TLP521−4LED Forward current 正向电流IF70 50 mA Forward current derating 正向电流减率ΔIF/℃−0.93(Ta≥50℃) −0.5(Ta≥25℃) mA/℃Pulse forward current 瞬间正向脉冲电流IFP 1 (100μ pulse, 100pps) A Reverse voltage 反向电压VR 5 V Junction temperature 结温Tj125 ℃接收侧Collector−emitter voltage 集电极发射极电压VCEO55 V Emitter−collector voltage 发射极集电极电压VECO7 V Collector current 集电极电流IC50 mA注:使用连续负载很重的情况下(如高温/电流/温度/电压和重大变化等),可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
(Note): Application type name for certification test, please use standard producttype name, i.e.TLP521−1 (GB): TLP521−1, TLP521−2 (GB): TLP521−2。
TLP521-4中文说明
TLP521-4中文资料TLP521是可控制的光电藕合器件,光电耦合器广泛作用在电脑终端机,可控硅系统设备,测量仪器,影印机,自动售票,家用电器,如风扇,加热器等电路之间的信号传输,使之前端与负载完全隔离,目的在于增加安全性,减小电路干扰,减化电路设计。
东芝TLP521-1,-2和-4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521-2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装,而TLP521-4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压: 55V(最小值)经常转移的比例: 50 %(最小)隔离电压: 2500 Vrms (最小)图1 TLP521 TLP521-2TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)Characteristic 参数Symbol 符号Rating 数值Unit 单位TLP521−1TLP521−2 TLP521−4LED Forward current 正向电流IF7050mAForward current derating正向电流减率ΔIF/℃−(Ta≥50℃)−(Ta≥25℃)mA/℃Pulse forward current 瞬间正向脉冲电流IFP1 (100μ pulse, 100pps)AReverse voltage 反向电压VR5VJunction temperature 结温Tj125℃接收侧Collector−emitter voltage 集电极发射极电压VCEO55VEmitter−collector voltage 发射极集电极电压VECO7VCollector current 集电极电流IC50mACollector power dissipation (1 circuit) 集电极功耗PC150100mWCollector power dissipation derating (1 circuit Ta ≥ 25℃) 集电极功耗减率ΔPC/℃−−mW/℃Junction temperature 结温Tj125℃Storage temperature range 储存温度范围Tstg−55~125℃Operating temperature range 工作温度范围Topr−55~100℃Lead soldering temperature 无铅焊接温度Tsol260 (10 s)℃Total package power dissipation整体功耗PT250150mWTotal package power dissipation derating (Ta≥25℃) 整体功耗减率ΔPT/℃−−mW/℃Isolation voltage 隔离电压BVS2500(AC,1Min 最小, .≤60%)Vrms注:使用连续负载很重的情况下(如高温/电流/温度/电压和重大变化等),可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
TLP521-4中文资料
—3
—
Turn−on time 开启时
tON
间
—2
—
Storage time 存储时间 ts
RL = 1.9kΩ (Fig.1) VCC = 5V,
IF = 16mA
— 15 —
μs
Turn−off time 关断时间 tOFF
— 25 —
图 3 TLP521-1 封装图
图 4 TLP521-2 封装图
Symbol 符 号
Test Condition 测试条件
Capacitance(input to output)电容(输入输出)
CS
VS = 0, f = 1 MHz
Isolation resistance 隔离电阻
RS
VS = 500 V, R.H.≤ 60%
Isolation voltage 隔离电压
集电极-发射极电压: 55V(最小值) 经常转移的比例: 50 %(最小) 隔离电压: 2500 Vrms (最小)
图 1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图
图 2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图
Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)
ΔPC/
circuit Ta ≥ 25℃) 集电 ℃
−1.5
−1.0
极功耗减率
Junction temperature
Tj
125
结温
Storage temperature range 储存温度范围 Tstg
−55~125
Operating temperature range 工作温度范 Topr 围
TLP521-4中文说明
TLP521-4中文资料TLP521是可控制的光电藕合器件,光电耦合器广泛作用在电脑终端机,可控硅系统设备,测量仪器,影印机,自动售票,家用电器,如风扇,加热器等电路之间的信号传输,使之前端与负载完全隔离,目的在于增加安全性,减小电路干扰,减化电路设计。
东芝TLP521-1,-2和-4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521-2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装,而TLP521-4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压: 55V(最小值)经常转移的比例: 50 %(最小)隔离电压: 2500 Vrms (最小)图1 TLP521 TLP521-2TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)Characteristic 参数Symbol 符号Rating 数值Unit 单位TLP521−1TLP521−2 TLP521−4LED Forward current 正向电流IF7050mAForward current derating正向电流减率ΔIF/℃−0.93(Ta≥50℃)−0.5(Ta≥25℃)mA/℃Pulse forward current 瞬间正向脉冲电流IFP1 (100μ pulse, 100pps)AReverse voltage 反向电压VR5VJunction temperature 结温Tj125℃接收侧Collector−emitter voltage 集电极发射极电压VCEO55VEmitter−collector voltage 发射极集电极电压VECO7VCollector current 集电极电流IC50mACollector power dissipation (1 circuit) 集电极功耗PC150100mWCollector power dissipation derating (1 circuit Ta ≥ 25℃) 集电极功耗减率ΔPC/℃−1.5−1.0mW/℃Junction temperature 结温Tj125℃Storage temperature range 储存温度范围Tstg−55~125℃Operating temperature range 工作温度范围−55~100℃Lead soldering temperature 无铅焊接温度Tsol260 (10 s)℃Total package power dissipation整体功耗PT250150mWTotal package power dissipation derating (Ta≥25℃) 整体功耗减率ΔPT/℃−2.5−1.5mW/℃Isolation voltage 隔离电压BVS2500(AC,1Min 最小, R.H.≤60%)Vrms注:使用连续负载很重的情况下(如高温/电流/温度/电压和重大变化等),可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
tlp521
TLP521的使用
主要作用是实现不同电压的隔离
第一种接法正确,第二种接法有问题,在第二种接法中的发射极要通过电阻下拉接地才对。
第一种接法叫上拉;第二种接法叫下拉;第一种接法先把电平拉高,然后单片机P1.0输出低电平,发光二极管发光,第四引脚的输出电平被拉低。
第二种接法先把电平拉低,然后单片机P1.1输出低电平,发光二极管发光,第四引脚输出电平拉高。
1、光耦的输入端可以看做一个发光二极管来计算。
限流20mA。
输入电压减去二极管压降
再除以20mA就是R1的阻值。
2、R3是个纯粹的上拉电阻,只要和输出端的设备匹配并不会使光耦输出三极管电流过大
即可,一般1K-100K都可以,具体选多少,要看另一段的设备需要多少电流。
3、以TLP521-1为例,输出端为NPN型光电三极管结构,3脚为发射极,4脚为集电极,受光点为基极,接线方式有两种:(1)3脚下拉电阻接地,4脚接电源正极,3脚为I/O输出端,这种接法导通输出为1,截止输出为0。
(2)4脚上拉电阻接电源正极,3脚接地,4脚为I/O输出端,这种接法导通输出为0,截止输出为1。
两种接法效果一样,使用后者
较多,供参考。
TLP521资料
TLP521资料1、TLP521是可控制的光电藕合器件,光电耦合器广泛作用在电脑终端机,可控硅系统设备,测量仪器,影印机,自动售票,家用电器,如风扇,加热器等电路之间的信号传输,使之前端与负载完全隔离,目的在于增加安全性,减小电路干扰,减化电路设计。
东芝TLP521-1,-2和-4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521-2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装,而TLP521-4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压:55V(最小值)经常转移的比例:50 %(最小)隔离电压:2500 Vrms (最小)图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图注:使用连续负载很重的情况下(如高温/电流/温度/电压和重大变化等),可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
*1: Ex. rank GB: TLP521 1 (GB)(Note): Application type name for certification test, please use standard product type name, i.e.TLP521 1 (GB): TLP521 1, TLP521 2 (GB): TLP521 2Individual Electrical Characteristic 单独的电气特性参数(Ta = 25℃)voltage 集电极发射极饱和电压集电极-发射极饱和电压(sat)mA ― ― 0.2 ― ― 0.4IC=0.2mA, IF=1mA Rank GBIsolation Characteristic 耦合电气特性参数(Ta = 25℃) ℃ Characteristic 参数Symbol 符号CS RS Test Condition 测试条件Min 最小― ― 2500 ― ―output)电容输入输出) 电容( Capacitance(input to output)电容(输入输出) Isolation resistance 隔离电阻Isolation 隔离电阻VS = 0, f = 1 MHz VS = 500 V, R.H.≤ 60% R.H.≤ AC, 1 Min 最小uteIsolation voltage 隔离电压BVSAC, 1 second, in oil DC, 1 Min 最小ute, in oil25℃ Switching Characteri stic 开关特性参数(Ta = 25℃) Symbol 符号Min 最小― ― RL=100 VCC=10V IC=2mA RL=100 ― Typ 典型2 3 3 Max 最大― ― μ ― s Unit 单位Characteristic 参数Test Condition 测试条件Rise time 上升时间Fall time 下降时间tr tfTurn Turn on time 开启时间ton Turn Turn off time 关断时toff 间Turn Turn on time 开启时间Storage time 存储时间ts―3―tON1.9kΩ RL = 1.9kΩ (Fig.1) VCC = 5V, IF = 16mA―2― sμ―15―图3 TLP521-1 封装图图4 TLP521-2 封装图。
TLP521光耦合器亦称光电隔离器
TLP521光耦合器亦称光电隔离器,简称光耦。
光耦合器以光为媒介传输电信号。
它对输入、输出电信号有良好的隔离作用,所以,它在各种电路中得到广泛的应用。
目前它已成为种类最多、用途最广的光电器件之一。
光耦合器一般由三部分组成:光的发射、光的接收及信号放大。
输入的电信号驱动发光二极管(LED),使之发出一定波长的光,被光探测器接收而产生光电流,再经过进一步放大后输出。
这就完成了电-光-电的转换,从而起到输入、输出、隔离的作用。
由于光耦合器输入输出间互相隔离,电信号传输具有单向性等特点,因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。
又由于光耦合器的输入端属于电流型工作的低阻元件,因而具有很强的共模抑制能力。
所以,它在长线传输信息中作为终端隔离元件可以大大提高信噪比。
在计算机数字通信及实时控制中作为信号隔离的接口器件,可以大大增加计算机工作的可靠性。
1.光耦合器(TLP521)的主要优点信号单向传输,输入端与输出端完全实现了电气隔离隔离,输出信号对输入端无影响,抗干扰能力强,工作稳定,无触点,使用寿命长,传输效率高。
光耦合器现已广泛用于电气绝缘、电平转换、级间耦合、驱动电路、开关电路、斩波器、多谐振荡器、信号隔离、级间隔离、脉冲放大电路、数字仪表、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。
在单片开关电源中,利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路,通过调节控制端电流来改变占空比,达到精密稳压目的。
2.光耦合器(TLP521)的性能及类型用于传递模拟信号的光耦合器的发光器件为二极管、光接收器为光敏三极管。
当有电流通过发光二极管时,便形成一个光源,该光源照射到光敏三极管表面上,使光敏三极管产生集电极电流,该电流的大小与光照的强弱,亦即流过二极管的正向电流的大小成正比。
由于光耦合器的输入端和输出端之间通过光信号来传输,因而两部分之间在电气上完全隔离,没有电信号的反馈和干扰,故性能稳定,抗干扰能力强。
TLP521中文资料
TLP521是可控制的光电藕合器件,光电耦合器广泛作用在电脑终端机,可控硅系统设备,测量仪器,影印机,自动售票,家用电器,如风扇,加热器等电路之间的信号传输,使之前端与负载完全隔离,目的在于增加安全性,减小电路干扰,减化电路设计。
东芝TLP521-1,-2和-4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521-2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装,而TLP521-4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压: 55V(最小值)经常转移的比例: 50 %(最小)隔离电压: 2500 Vrms (最小)图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)注:使用连续负载很重的情况下(如高温/电流/温度/电压和重大变化等),可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
Recommended Operating Conditions建议操作条件*1: Ex. rank GB: TLP521−1 (GB)(Note): Application type name for certification test, please use standard product type name, i.e.TLP521−1 (GB): TLP521−1, TLP521−2 (GB): TLP521−2Individual Electrical Characteristic 单独的电气特性参数(Ta = 25℃)Coupled Electrical Characteristic 耦合电气特性参数s(Ta = 25℃)Isolation Characteristic 耦合电气特性参数(Ta = 25℃)Switching Characteristic 开关特性参数(Ta = 25℃)图3 TLP521-1 封装图图4 TLP521-2 封装图图5 TLP521-4 封装图图6 开关时间测试电路特性曲线图:应用电路:图7 打开或关闭12V直流电动机的TTL控制信号输入电路图74HC04 特性:∙缓冲输入∙传输延迟(典型值): 6ns at V CC = 5V, C L = 15pF, T A= 25°C ∙扇出(驱动)能力: (在温度范围内)- 标准输出 . . . . . . . . . . . . . . . 10 LSTTL Loads- 总线驱动 . . . . . . . . . . . . . . . 15 LSTTL Loads ∙宽工作温度范围 . . . –55°C to 125°C∙对称的传输延迟和转换时间∙相对于LSTTL逻辑IC,功耗减少很多∙HC Types- 工作电压:2V到6V- 高抗扰度: NIL = 30%, NIH= 30% of VCCat VCC= 5V∙HCT Types- 工作电压:4.5V到5.5V- 兼容直接输入LSTTL逻辑信号, VIL = 0.8V (Max), VIH= 2V (Min)- 兼容CMOS逻辑输入, Il 1μA at VOL, VO该74HC04/74HCT04是高速CMOS器件,低功耗肖特基的TTL(LSTTL)电路。
TL431与TLP521的光耦反馈电路几种连接方式及其工作原理
在一般的隔离电源中,光耦隔离反馈是一种简单、低成本的方式。
但对于光耦反馈的各种连接方式及其区别,目前尚未见到比较深入的研究。
而且在很多场合下,由于对光耦的工作原理理解不够深入,光耦接法混乱,往往导致电路不能正常工作。
本研究将详细分析光耦工作原理,并针对光耦反馈的几种典型接法加以对比研究。
1 常见的几种连接方式及其工作原理常用于反馈的光耦型号有TLP521、PC817等。
这里以TLP521为例,介绍这类光耦的特性。
TLP521的原边相当于一个发光二极管,原边电流If越大,光强越强,副边三极管的电流Ic越大。
副边三极管电流Ic与原边二极管电流If的比值称为光耦的电流放大系数,该系数随温度变化而变化,且受温度影响较大。
作反馈用的光耦正是利用“原边电流变化将导致副边电流变化”来实现反馈,因此在环境温度变化剧烈的场合,由于放大系数的温漂比较大,应尽量不通过光耦实现反馈。
此外,使用这类光耦必须注意设计外围参数,使其工作在比较宽的线性带内,否则电路对运行参数的敏感度太强,不利于电路的稳定工作。
通常选择TL431结合TLP521进行反馈。
这时,TL431的工作原理相当于一个内部基准为2.5 V的电压误差放大器,所以在其1脚与3脚之间,要接补偿网络。
常见的光耦反馈第1种接法,如图1所示。
图中,Vo为输出电压,Vd为芯片的供电电压。
com信号接芯片的误差放大器输出脚,或者把PWM 芯片(如UC3525)的内部电压误差放大器接成同相放大器形式,com信号则接到其对应的同相端引脚。
注意左边的地为输出电压地,右边的地为芯片供电电压地,两者之间用光耦隔离。
图1所示接法的工作原理如下:当输出电压升高时,TL431的1脚(相当于电压误差放大器的反向输入端)电压上升,3脚(相当于电压误差放大器的输出脚)电压下降,光耦TLP 521的原边电流If增大,光耦的另一端输出电流Ic增大,电阻R4上的电压降增大,com 引脚电压下降,占空比减小,输出电压减小;反之,当输出电压降低时,调节过程类似。
tlp521
tlp521TLP521: 透光耦合器的工作原理与应用摘要:TLP521是一种光电器件,属于透光耦合器的一种。
本文将深入探讨TLP521的工作原理以及其在实际应用中的特点和优势。
此外,还将介绍一些常见的TLP521的应用领域,并分析其在这些领域中的具体应用案例。
第一节:介绍TLP521是一种常见的透光耦合器,由光电二极管(Phototransistor)和发光二极管(Light Emitting Diode,LED)组成。
它能够将输入端的光信号传输到输出端实现光电隔离。
TLP521具有高耐压、高反向电压和高耐共模噪声等特点,使其在各种工业控制系统和电气设备中得到广泛应用。
第二节:工作原理TLP521的工作原理基于光电效应和电光效应。
当通过输入端的LED注入电流时,LED会发出特定波长的光,该光被耦合到输出端的光电二极管中。
光电二极管会将光信号转换为电流信号,并通过输出端的电阻负载产生电压。
通过调节输入端的LED电流,可以实现输出端电压的调节。
第三节:TLP521的特点和优势1. 高度隔离:TLP521能够实现输入端和输出端之间的电气隔离,有效防止电气干扰,提高系统的稳定性和可靠性。
2. 快速响应时间:TLP521具有较快的响应速度,能够快速传输光信号,适用于高速数据传输和快速开关应用。
3. 宽工作温度范围:TLP521可在较宽的温度范围内正常工作,适应各种环境要求。
4. 高耐压和耐共模噪声:TLP521具有高耐压和高耐共模噪声的特性,能够有效抵御外部电压冲击和干扰,增强系统的抗干扰能力。
第四节:TLP521的应用领域1. 工业自动化控制系统:TLP521可用于PLC、DCS和工业机器人等自动化控制系统中,实现输入和输出信号之间的隔离和转换。
2. 电力电气设备:TLP521可用于开关电源、电机控制和电力仪表等设备中,提高系统的稳定性和安全性。
3. 通信设备:TLP521可用于光纤通信设备、以太网交换机等通信设备中,实现输入输出信号的隔离和转换。
卓 睿 CYTLP521 可控制光电藕合器件说明书
概述CYTLP521是可控制的光电藕合器件,电路之间的信号传输,使之前端与负载完全隔离,目的在于增加安全性,减小电路干扰,减化电路设计。
四引脚封装,三种形式(DIP 、DIP-M 、SMD )特性∙ 电流转换比 (CTR)范围: 50~600% (I F =5mA ,V CE =5V ) ∙ 输入-输出隔离电压 (Viso=5000 Vrms) ∙ 集电极-发射极击穿电压BV CEO ≥80V ∙ UL 和cUL 认证(NO.:E497745) ∙符合EU REACH 和RoHSApplications光电特性 (Ta=25 C)Parameter Symbol Condition Min. Typ. Max. Unit 正向电压 V F1 I F =10mA 1.0 - 1.3 V 正向电压V F2 I F =20mA 1.1 - 1.4 V 反向电流 I R V R =5V - - 10 µA 输入终端电容 C t V=0, f=1kHz - 30 250 pF 集电极暗电流I CEO V CE =50V - - 100 nA 集电极-发射极击穿电压 BV CEO I C =0.1mA, I F =0 80 - - V 输出发射极-集电极击穿电压 BV ECO I E =10µA, I F =0 7 - - V 电流转换比 CTR I F =5mA, V CE =5V 130 - 600 % 隔离电阻V CE(sat) I F =2mA, I C =5mA - 0.25 0.8 V 集电极-发射极饱和压降 R ISO DC500V, 40~60%R.H. 1x1012 - - Ω 隔离电容 Cf V=0, f=1MHz - 0.6 1.0 pF 传输特性截止频率 Fc V CE =5V, I C =2mA, R L =100Ω, -3dB - 80 - kHz 上升时间 Tr - 2 - µs 下降时间 Tf - 3 - µs 开启时间Ton - 3 - µs 关断时间 Toff V CE =10V, I C =2mA,R L =100Ω- 3 - µs 开启时间 Ton - 2 - µs 存储时间Ts - 15 - µs 开关时间关断时间ToffR L = 1.9 kΩV CC = 5 V, I F = 16 mA-25-µs* CTR=I C /I F x 100%CTR 分级表电流转换率(%)(I C /I F )IF = 5mA, VCE = 5V, Ta = 25°C 型号 分级标准MinMax标志分类A 50 600 Rank Y50 150 Rank GR 100 300 Rank BL 200 600 CYTLP521 Rank GB100600外形尺寸回流焊温度曲线图T e m p e r a t u r e ()℃25℃包装■ 汇总表 封装形式 包装方式 盘/管 数量 盒数量 箱数量静电袋 盒规格 箱规格备注SMD-4 卷盘 (ϕ330m 蓝盘)2千只/盘 2 盘/盒 10 盒 /箱 380*380mm 340*60*340mm 620*360*365mm 首尾端空至少200mm min. DIP-4 管装(500*12*11mm) 100只 /管 60 管/盒 6 盒 /箱NA 525*128*56mm 535*275*300 mm DIP-4(M)管装 (500*13*11mm)100只 /管60 管/盒 6盒 /箱 NA525*136*58mm 535*295*310 mm■ DIP-4 条管包装1) 每箱数量:36000只 2) 内包装:i. 每条管100 只,采用防静电条管,条管上有商标、防静电标志。
关于TLP521的使用
关于TLP521的使用做毕业设计要用到光耦合,选了个TLP521型的感觉是电流驱动型的,中间出现了些问题,拿出来探讨,希望大家不要出现类似的错误。
重要参数:输入输出电流都是50MA左右,这是最大值吧,最好不要超过80MA,不过太小了也不行,太小了输入端不能使发光二极管导通。
限流一般用限流电阻实现。
电压范围较大,就输入级而言,导通时就不用说,就是发光二极管的电压,不过正反向偏压好像不能超过5~6V的样子。
输出级电压范围更大,只要不大于50V就行,不过我有点怀疑受光三极管是否能承受,不过怀疑是怀疑,我也没做过具体实验测试。
下面是TLP的引脚图,他有三种封装,不过用法都一样:TLP521光耦的1、2两个脚是发光侧,3、4两个脚是受光侧。
1、1-2脚之间并联电阻是分流作用,防止发光二极管暗亮产生误动作,也可以不要这个,没什么影响。
2、以TLP521-1为例,输出接单片机IO口,输出端为NPN型光电三极管结构,3脚为发射极,4脚为集电极,受光点为基极,接线方式有两种:(1)3脚下拉电阻接地,4脚接+5V,3脚为I/O输出端,这种接法导通输出为1,截止输出为0。
(2)4脚上拉电阻接+5V,3脚接地,4脚为I/O输出端,这种接法导通输出为0,截止输出为1。
网上大都采用这两种接法,好像采用方法一的比例多谢,不过我用方法一出现了问题,就是在不接入单片机IO口单独测试时,峰峰值电压可以达到接近+5V的方波信号(我本来要得到是方波信号,用来输入单片机INT0口做中断)。
不过当按方法一将输出接入单片机IO口INT0时,输出方波信号被拉低了,只有3.2V左右的峰值,根本驱动不了IO口,也就产生不了中断。
所以我改用了方法二,后来发现方法二可行,输出方波电压没有被拉低,可以很好驱动IO口。
下面是我用两种方法所连接的protues图:方法一:4脚下拉电阻接地,5脚接+5V,4脚为I/O输出端,这种接法导通输出为1,截止输出为0方法二:5脚上拉电阻接+5V,4脚接地,5脚为I/O输出端,这种接法导通输出为0,截止输出为1关于为何用方式一输出电压被拉低,具体原因我也不清楚,我想大概是用方式二有个三极管在输出端和地之间做隔离所以不会被拉低吧相当于是灌电流了,而方式一直接是IO口与电阻,地相接,产生的是拉电流。
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7/4/03
DB92546m-AAS/A3
Collector Power Dissipation vs. Ambient Temperature 200 Collector power dissipation PC (mW) 25 Collector current IC (mA) 150 20 15 10 5 0 -30 0 25 50 75 100 125 0
OUTPUT TRANSISTOR Collector-emitter Voltage BVCEO Emitter-collector Voltage BVECO Power Dissipation POWER DISSIPATION Total Power Dissipation
(derate linearly 2.67mW/°C above 25°C)
55V 6V 150mW
200mW
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( TA = 25°C Unless otherwise noted ) PARAMETER Input Forward Voltage (VF) Reverse Current (IR) Output Collector-emitter Breakdown (BVCEO) 55 ( Note 2 ) Emitter-collector Breakdown (BVECO) 6 Collector-emitter Dark Current (ICEO) Current Transfer Ratio (CTR) (Note 2) TLP521, TLP521-2, TLP521-4 CTR selection available BL GB GB Collector-emitter Saturation VoltageVCE (SAT) -GB Input to Output Isolation Voltage VISO Input-output Isolation Resistance RISO Response Time (Rise), tr Response Time (Fall), tf 5300 7500 5x1010 4 3 50 200 100 30 MIN TYP MAX UNITS 1.0 1.15 1.3 10 V
A
TEST CONDITION IF = 10mA VR = 4V IC = 0.5mA IE = 100A VCE = 20V 5mA IF , 5V VCE 1mA IF , 0.4V VCE 8mA IF , 2.4mA IC 1mA IF , 0.2mA IC See note 1 See note 1 VIO = 500V (note 1) VCE = 2V , IC = 2mA, RL = 100
7/4/03
ISOCOM INC 1024 S. Greenville Ave, Suite 240, Allen, TX 75002 USA Tel: (214) 495-0755 Fax: (214) 495-0901 e-mail info@
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Collector-emitter voltage VCE ( V ) Collector Current vs. Collector-emitter Voltage 50 50 30 Collector current IC (mA) 40 30 20 10 0 20 15 10 TA = 25°C
APPROVALS l UL recognised, File No. E91231 'X' SPECIFICATION APPROVALS l VDE 0884 in 3 available lead form : - STD - G form - SMD approved to CECC 00802
Collector Current vs. Low Collector-emitter Voltage TA = 25°C 50 40 30 20 10 5 IF = 2mA
100
50
0 Ambient temperature TA ( °C ) Forward Current vs. Ambient Temperature 60
TLP521GB, TLP521-2GB, TLP521-4GB, TLP521, TLP521-2, TLP521-4 TLP521XGB, TLP521-2XGB, TLP521-4XGB TLP521X, TLP521-2X, TLP521-4X
HIGH DENSITY MOUNTING PHOTOTRANSISTOR OPTICALLY COUPLED ISOLATORS
OPTION SM
SURFACE MOUNT OPTION G
3.0
TLP521-2
0.5 2.54
3.35
1 7.0 6.0 2 3 4 7.62 4.0 3.0 0.5
8 7 6 5
1.2 10.16 9.16
3.0 3.35 0.5
13° Max 0.26 1 2 3 4 5 7.0 6.0 6 7 8 7.62 13° Max 0.26 16 15 14rent IF (mA) 40 30 20 10 0 -30 0 25 50 75 100 125 Ambient temperature TA ( °C ) Collector-emitter Saturation Voltage vs. Ambient Temperature 0.28 IF = 5mA IC = 1mA Current transfer ratio CTR (%) 0.24 0.20 0.16 0.12 0.08 0.04 0 -30 0 25 50 75 100 Ambient temperature TA ( °C )
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Collector-emitter saturation voltage VCE(SAT) (V)
VCE = 5V TA = 25°C
�
V V nA
100
Coupled
600 600 600
% % % % V V VRMS VPK s s
0.4 0.4
Note 1 Note 2
Measured with input leads shorted together and output leads shorted together. Special Selections are available on request. Please consult the factory.
DB92546m-AAS/A3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (25°C unless otherwise specified) Storage Temperature -55°C to + 125°C Operating Temperature -30°C to + 100°C Lead Soldering Temperature (1/16 inch (1.6mm) from case for 10 secs) 260°C INPUT DIODE Forward Current Reverse Voltage Power Dissipation 50mA 6V 70mW
l
TLP521
2.54 7.0 6.0 1.2 5.08 4.08 1 2
Dimensions in mm
4 3
7.62 4.0 3.0 0.5 13° Max 0.26
BSI approved - Certificate No. 8001
DESCRIPTION The TLP521, TLP521-2, TLP521-4 series of optically coupled isolators consist of infrared light emitting diodes and NPN silicon photo transistors in space efficient dual in line plastic packages. FEATURES l Options :10mm lead spread - add G after part no. Surface mount - add SM after part no. Tape&reel - add SMT&R after part no. l High Current Transfer Ratio ( 50% min) l High Isolation Voltage (5.3kVRMS ,7.5kVPK ) l High BVCEO ( 55Vmin ) l All electrical parameters 100% tested l Custom electrical selections available APPLICATIONS l Computer terminals l Industrial systems controllers l Measuring instruments l Signal transmission between systems of different potentials and impedances
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IF = 5mA
0
2
4
6
8
10
Collector-emitter voltage VCE ( V ) Current Transfer Ratio vs. Forward Current 320 280 240 200 160 120 80 40 0 1 2 5 10 20 50 Forward current IF (mA)
TLP521-4
2.54
7.62
1.2 20.32 19.32 4.0 3.0 0.5 0.5 3.35