13-台州-MOS提升报告v3
关于MOS提升的途径
关于MOS值提升的途径一、目的为达到并提升集团质量竞赛中对MOS值的要求，探讨研究出提升MOS值的路径、方式。
二、影响MOS的因素以及提升途径MOS是一种语音评估方法，最初是根据听者的感受为依据进行统计并规范分值，其结果从低到高为：“1至5”，1为差，2为一般，3为正常，4为好，5为最好。
在实际环境中2-3已经是正常值，人耳很难辨别出差异，1.0-1.9属于衰落比较厉害,人耳可分辨。
目前，MOS算法有PAMS、PESQ、PSQM、PSQM+、MNB等众多算法, PESQ算法目前是最科学,且与MOS相关性最好的算法，为ITU（国际电信联盟）主推的算法。
由于PESQ算法考虑了整个信号传输过程中的中断及衰变, 而不仅是空中接口部分，因此，影响MOS的主要因素有以下几个方面：语音编码方式、Abis传输、Abis压缩、不连续发射、C/I、切换频次及质量(RxQual)对MOS的影响等，下面我们主要针对各种影响MOS的因素进行分析并提出对应的解决途径。
语音编码方式由于不同的编码方式对数据的压缩是不同的，从而造成的语音失真也是不同的，因此在相同的无线环境下，如果编码方式的不同会造成语音测试结果的不同，一般情况下，对于GSM系统来说，如果无线环境相同，各语音编码方式MOS的平均分值关系为：增强型全速率（EFR）>全速率（AMR FR）>半速率（AMR HR）>全速率(FR)> 半速率（HR）。
重庆部分BSC已经开通了AMR功能。
AMR基本功能包括信道分配和小区切换两部分，一般情况下，GSM手机对全速率信道按以下优先级选择：1、AMR FR、EFR、FR；对半速率信道按以下优先级选择：AMR HR、HR。
2、AMR手机能优先占用AMR FR信道，当AMR FR TRAU POOL拥塞时网络将分配EFR信道。
3、AMR HR信道能被正常触发，触发条件受参数DTHAMR控制。
4、在分配半速率信道时，AMR手机能优先占用AMR HR信道，当AMR HR TRAU POOL拥塞时网络将分配HR信道各种编码方式下的MOS情况（引用）可见EFR编码方式下MOS最高，其次为AMR FR、AMR HR、FR、HR，重庆现网部分开通AMR功能的BSC只有AMR HR编码方式，要提升MOS的分值就要降低HR，或者让手机占用半速率时最好优先占用AMR HR。
it工作汇报ppt模板
it工作汇报ppt模板【篇一：it运维工作年度报告模板】it运维服务年度报告河南运维公司信息技术有限公司2015年1月12日目录第一部分概述 ....................................................................................................... ................ 3 第二部分运维网络介绍和拓扑图 ....................................................................................... 3 2．1运维数据中心 ....................................................................................................... ........... 4 2.2运维西区网络中心 ....................................................................................................... ...... 4 2.3运维网络网段划分 ....................................................................................................... ...... 5 2.4运维数据中心系统 ....................................................................................................... ...... 5 第三部分维护设备一览表 (7)第四部分各个系统设备运行情况 ....................................................................................... 8 4.1 erp 数据中心平台 ....................................................................................................... ....... 8 4.1.1数据库服务器ibm p720小型机 .................................................................................... 8 4.1.2应用服务器ibmx3850x5 ............................................................................................. .. 9 4.1.3备份服务器ibm x3650m4和昆腾磁带库i500 .......................................................... 10 4.1.4主存储emcvnx5300 ............................................................................................. ...... 12 4.1.5光纤交换机emc ds300b光纤交换机 ......................................................................... 12 4.2网络与网络安全设备整体运行 ....................................................................................... 13 4.2.1核心交换机 9306主交换机 ......................................................................................... 13 4.2.2核心交换机 9306备交换机 ......................................................................................... 14 4.2.3西区汇聚交换机 9303交换机 ..................................................................................... 15 4.2.4东区汇聚交换机s5700 .................................................................................................16 4.3 配电系统 ....................................................................................................... ................... 22 4.4精密空调系统 ....................................................................................................... ............ 23 4.5.环境监控系统 ....................................................................................................... ............ 24 4.6门禁系统 ....................................................................................................... .................... 24 第五部分问题反馈 ....................................................................................................... ...... 25 5.1.数据中心精密空调 ....................................................................................................... .... 25 5.2.数据中心应用服务器出现面板log灯报黄色警报 ........................................................ 26 5.3数据中心上网行为是深信服ac1200 .. (26)5.4运维无线控制器是深信服wac3100 .............................................................................. 26 第六部分优化建议 ....................................................................................................... (27)6.1运维无专业的杀毒软件，建议上专业的网络版杀毒软件。
集成CMOS正弦信号发生器的电路设计
１ 正 弦信号发 生 电路 的工作原理
本文设计的文氏桥 Ｒ Ｃ正弦振荡电路原理图如 图 １ 示， 所 由以下 四个 部 分 组成 … ：
１ 放大 电路 ． 证 电路 能 够有 从 起 振 到 动态 平 ） 保
正弦信号发生器是模拟集成电路 中一个重要模 块， 它具有广泛的应用性． 正弦信号发生器 电路种类 较多 ， Ｒ 有 Ｃ振荡器 、Ｃ振荡器 、 Ｌ 晶体 振荡器等． ｃ Ｌ 振 荡器 的缺 点是 电感 所 占芯 片 面 积 过 大 ， 时存 在 同 许多寄生效应 ， 对整体电路产生不利影响． 而晶体振 荡器又存在着造价高 ， 功耗 和体积偏大 等问题． Ｃ Ｒ 正 弦波 振荡 电路 可分 为 桥式 振 荡 电路 、 Ｔ型 网络 双
维普资讯
第 １ ２卷Leabharlann 第 ３期 哈 尔 滨 理 工 大 学 学 报
Ｊ ＯＵＲＮＡＬ ＨＡＲＢ Ｎ ＵＮＩ Ｓ Ｉ Ｉ Ｖ． Ｃ ．＆ Ｔ ＣＨ． Ｅ
Ｖ０－１ Ｎｏ ３ ｌ ２ ．
２０ ０ ７年 ６月
Ｊｎ ． ０ ７ ｕ ． ２ ｏ
集成 Ｃ ＭＯＳ正 弦信 号发 生器 的 电路设 计
曹 一江 ， 罗 彬
（ 哈尔滨理工大学 应用科学学院 ， 黑龙江 哈尔滨 １０ ８ ） ５ ０ ０
摘
要 ： 计 了一种 集成 Ｃ Ｓ正 弦信 号发 生 器 ， 正弦信 号发 生 器采 用 文 氏桥 振 荡 电路 ． 设 ＭＯ 该 利
用基于无锡 华润上 华科技 有 限公 司的 ０ ６ ｍ ｎ阱双层 多晶双 层金 属 的 数模 混合 工艺 ＳＩＥ ．ｔ Ｌ ＰＣ
ｂ ｅ ｆｒｌ ｏｔ ｅ ｐ ｗｅ ｕ ｐ ｙ ｓ ｓ ａ ｌ ｏ ｗ ｖ ｌ ｇ ｏ ｒ ｓ ｐ ｌ ｙ ｔｍ ｐ ｌ ａ ｏ ｓ ｏ ａ ｅ ａ ｐｉ ｔ ｎ ． ｃ ｉ Ｋｅ ｒ ｓ ｓｎ ｓ ｉ ａ ｉ ａ ｅ ｅ ａｏ ；ｗｉｎ ｂ ｄ ｅ ｏ ｃ ｌ ｔｒ ＭＯＳ ｙ ｗｏ ｄ ： ｉ ｕ ｏｄ ｌｓ ｎ ｇ ｌ ｎ ｒｔｒ ｇ ｅ ｒ ｇ ｓ ｉ ａ ｏ ；Ｃ ｉ
国家民用建筑能效测评机构
附件3：国家民用建筑能效测评机构National Center of Testing and Evaluation for Energy Efficiency of Civil Buildings 国家可再生能源建筑应用示范项目测评报告T e s t R e p o r t№：详见“项目编号说明”项目名称：×××可再生能源建筑应用示范项目申报单位：××公司示范技术：XXXX委托单位：住房和城乡建设部检验类别：委托检验××建筑科学研究院××I n s t i t u t e o f B u i l d i n g R e s e a r c h单位地址：XXXX 邮政编码：XXXX 邮箱：XXXX 业务咨询电话：XXXX 投诉电话：XXXX 传真：XXXX目录1测评指标汇总表 (1)2项目概述 (5)3 测评依据 (6)4 测评内容 (7)5 存在问题及建议 (7)附1《××示范项目形式检查报告》 (8)附2《××示范项目性能检测报告》 (16)附3《××示范项目能效评估报告》 (17)附4 工程立项、申报、审批及其他文件 (26)注：项目编号说明1. 项目编号主要由8位数字和字母组成，格式：KZS-**-***（**）；2. 前三位字母“KZS”代表“可再生”的中文缩写；3. 第四、五位字母代表报告类型的中文缩写，分别如下：《××示范项目测评报告》为CP、《××示范项目形式检查报告》为XS、《××示范项目性能检测报告》为XN、《××示范项目能效评估报告》为PG；4. 第六、七、八位为数字，根据国家委托项目数量，从001开始编号；5. 括号中的字母代表检测机构的中文缩写，如：中国建筑科学研究院（ZG）、深圳市建筑科学研究院（SZ）、上海市建筑科学研究院（SH）、河南省建筑科学研究院（HN）、四川省建筑科学研究院（SC）、辽宁省建筑科学研究院（LN）。
常用MOS管型号大全
高频低噪放大
20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB
2SK214
NMOS
GSD
高频高速开关
160V0.5A30W
2SK241
NMOS
DSG
高频放大
-20V0.03A0.2W100MHz1.7dB
2SK304
NJ
GSD
音频功放
30V0.6-12mA0.15W
2SK385
NMOS
GDS
高速开关
J177
PMOS
2SJ177
PMOS
GDS
激励(无)
-60V20A35W140/580nS0.085
J201
PMOS
GDS
高频放大
10V0.4A1.3W8GHZ
2SJ312
PMOS
GDS
激励
60V14A40W30/120nS0.12
2SK30
NJ
SDG
低放音频
-50V0.5mA0.1W0.5dB
2SK30A
NMOS
GDS
高速开关
500V15A100W0.4
2SK623
NMOS
GDS
高速开关
250V20A120W0.15
2SK727
NMOS
GDS
电源开关
-900V5A125W110/420nS2.5
2SK734
NMOS
GDS
电源开关
450V15A150W160/250nS0.52
2SK785
NMOS
GDS
2SK2487
NMOS
GDS
监视器用电源
900V8A140W 50/153nS1.1
长虹LED32580原理图
8. 电气方框图KEY RC278.2 主板电源框图28299. 电路图9.1 主板715G5654P01001002SBL_ADJ Vddr=0.8*(1.5+1.2)/1.2=1.8VPOWER_ON_LV2: High Active Low StandbyMake on boardA3V3D3V3POWER_ON_LV2R740DDR_POWER0.5AMac: 1.8V Pac': 2.5V0.5A BL_PWMBL_PWMPOWER_ON_LV10.5A SOT-223 80CDel co-layout U702TitleSize Document Number Rev Date:Sheetof<Doc>1.0PowerC 12Wednesday , July 04, 2012Vout = 1.25x(1+Rd/Rup)=3.31V3/19 Realtek requestHigh / Low change define change Pull high volBL_EN BL_ENBL_ADJ POWER_ON_LV2POWER_ON_LV130TitleSize Document Number Rev Date:Sheetof<Doc>1.0Main ChipC 13Wednesday , June 27, 201231From Main ChipTEDP_1TEDN_1R4068NC/680Rstatus on 2/17'12R713360R 1/10W 5%R4050SPI_WPSPI_SCLK SPI_DI SPI_CS#SPI_DO TitleSizeDocument Number Rev Date:Sheetof<Doc>1.0LVDSB 23Wednesday , July 04, 2012For Rtice Check12348765RP400122 OHM12348765RP400222 OHM12348765RP400522 OHM 12348765RP400322 OHM R40630oHM12348765RP400422 OHM TEDNTEDP PANEL_ENTEBP TECN TECPTEANTEAP TEBN TOCLKP TODN TODP TOBP TOCN TOCP TOCLKN TOANTOAP TOBN SPI_DO SPI_WPSPI_DI SPI_CS#SPI_SCLK Del co-layout Q4001Del co-layout U4004TOCLKP_1TOCLKN_1TEBP_1TOAN TOBP_1TEAN TOBN_1TOAP TEAP TODN_1TOAP_1TOAN_1TODP_1TOBP TOBN LVDS(10-bit)BL_PWM TEBP TEAN_1BL_PWM TEBN TOCN TOCP TEAP_1TECN_1TEBN_1TOCP_1TOCN_1TOCLKP TOCLKN TODPTECP TECN TECP_1TODN 3/19 Realtek request Add 10uF CapTEDP TEDN TOCLKN TOCLKP TODN TODP TOANTOAP TOBN TOBP TOCN TOCP PANEL_EN TEDN TEDP TEBN TEBP TECN TECP TEANTEAP32TitleSize Document Number Rev Date:Sheetof<Doc>1.0YPbPrB 14Thursday , May 10, 2012PB0+YPBPR1_IN_R YPBPR1_IN_L PR0+Y0+YPbPr0-VIN_A0-AV1_CVBS+VIN_A0-AV1_CVBS+YPbPr0-PB0+PR0+Y0+AV INPUT & Video outputClose to Main ChipTo ChipCVBS_OUTCVBS_OUTAV OutputYPBPR1_IN_L YPBPR1_IN_R R12275 OHMYPbPr/AV Video inAV share with YPbPr33AGNDHSUSB1_DP USB1_DM USB1_DM USB1_DP TitleSize Document Number Rev Date:Sheetof<Doc>1.0VGAB 24Wednesday , June 27, 2012VSVGA_SDA HP_OUT_L VGA_B-VGA_B+HP_OUT_R VGA_HS VGA_R+VGA_G+VGA_DDC_SDA VGA_DDC_SCL VGA_VS HP_OUT_JD VGA_IN_R VGA_IN_L RX0RX0VGA_5V VGA_SCLQ1022N7002VGA_RIN From Main ChipTX0TX0PC_LINE_INClose to Main ChipDGND USB_Shield_GNDFB102VGA_BIN CN108USB CONNVGA_5V AGNDHP_OUT_L HP_OUT_JD VGA_VS VGA_HS HP_OUT_R VGA_DDC_SDA VGA_DDC_SCL VGA_IN_R VGA_B-VGA_B+VGA_IN_L VGA_G+VGA_R+VGA_RX0VGA_TX0VGA_RX0VGA_TX0VGA_GINCONNFor Lesson learn check list, change R140/R141 from 2k to 2.2k on 2/14I/O11GND 2I/O23I/O34VDD 5I/O46U100AOZ8105CII/O11GND 2I/O23I/O34VDD 5I/O46U102AOZ8105CI34Del co-layout (IE command)TitleSize Document Number Rev Date:Sheetof<Doc>1.0HDMIC 12Friday , June 15, 2012U501U502U503U504HDMI_D2-HDMI_D2+HOTPLUG HDMI_D0-HDMI_D0+HDMI_D1-HDMI_D1+HDMI_DDC_SCL HDMI_CLK-HDMI_CLK+HDMI_CECHDMI_DDC_SDA HDMI_DDC_SCL HDMI_D2+HDMI_D1+HDMI_D0-HDMI_D0+HDMI_D2-HDMI_DDC_SDA HOTPLUG HDMI_CECHDMI_CLK-HDMI_CLK+HDMI_D1-To Main ChipR17322 OHM 1/10WTUN_I2C_SDA TUN_I2C_SDA TUN_I2C_SCL TUN_I2C_SCL3512FB601PVDD+24V_AMPSize Document Number Rev Date:Sheet of TitleDesign CheckAuditingModif y Rev00.00B 12Wednesday , June 27, 2012AUDIO AMPCheck of name Auditing of nameModif y RevTPA3110D2AOUT_RAMP_MUTELow: Mute disablde High: Mute enable1.2A MaxAMPNC/15PF 50VSilicon TunerTitleSize Document Number RevDate:Sheet of<Doc> 1.0TunerCustom34Thursday, May 10, 2012C127ATV_IF_AGCTUN_I2C_SDATUN_I2C_SCLTUN_IF-TUN_IF+IF_AGC Control CircuitTU101TUNERTUN_I2C_SDATUN_I2C_SCLclose TunerTUN_IF-TUN_IF+Main Chip <-->ATV_IF_AGC3.3V_TUNER300mA36VGA_TX0VGA_TX0VGA_RX0VGA_RX0LSADC1LEDGIRRXTo KeypadIRRX LEDRLSADC0LEDRLEDGLSADC0LSADC1 CN4004TitleSize Document Number RevDate:Sheet of<Doc> 1.0Key padB34Wednesday, June 06, 2012300R 4AIR & KEYPAD CONNECTOR:Pin01: LED-RPin02: LED-GPin03: IRRX1Pin04/07: GNDPin05/06: POWERPin08: KEY_ADC1Pin09: POWER_KEY9.2 电源板OEM MODEL Size RevDateSheetofTPV MODELPCB NAME 称爹T P V ( Top Victory Electronics Co . , Ltd. )Key Component絬隔瓜絪腹Custom12Thursday , May 24, 201201.POWERBasic on G5259-P0CCN801VLED+OEM MODEL Size RevDateSheetofTPV MODELPCB NAME 称爹T P V ( Top Victory Electronics Co . , Ltd. )Key Component絬隔瓜絪腹B22Friday , June 01, 201202.LED DRIVER NEW-P0A VLED+C8116SLPR8118R813920R 1%LED39580 715G5193P02000002MTitleSize Document Number RevDate:Sheetof<Doc><Rev Code><Title>A311Monday , March 05, 2012:OEM MODEL Size RevDateSheetofTPV MODELPCB NAME 称爹T P V ( Top Victory Electronics Co . , Ltd. )Key Component絬隔瓜絪腹C 23称爹<>02.POWER715G5654-P0E-001-0020Wednesday , July 18, 2012180*240*25mmOEM MODEL Size RevDateSheetofTPV MODELPCB NAME 称爹T P V ( Top Victory Electronics Co . , Ltd. )Key Component絬隔瓜絪腹C 33称爹<>03. LED DRIVER715G5654-P0E-001-0020Wednesday , July 18, 2012180*240*25mmLED32580/LED39580/LED32B2200 /LED39B2200/LED32B2100C/ LED39B2100C 715G5471R02000004S081G 14 24 ELOEM MODEL Size RevDateSheetofTPV MODELPCB NAME 称爹T P V ( Top Victory Electronics Co . , Ltd. )Key Component絬隔瓜絪腹A A 22Wednesday , February 01, 2012715G5471-R0B-000-0040称爹<>02-IR&LEDLED201LED32580/LED39580 715G5298K01000004SSource Select MENU VOL-VOL+Power ON/OFFCH+CH-OEM MODEL Size RevDateSheetofTPV MODELPCB NAME 称爹T P V ( Top Victory Electronics Co . , Ltd. )Key Component絬隔瓜絪腹A Custom 22Friday , September 02, 2011715GXXXX称爹<>02-Keypad1.24~1.45V2.04V~2.22V2.48V~2.72V1.58V~1.79V0.47V~0.63V0.85V~1.02VSW01SW07。
管代换表
07N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2NS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道，8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道，N沟道MOS管各一A0D405 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D408 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V，38/27A，N 高压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1，60V 4。
CMOS反相器设计与仿真报告
CMOS 反相器设计与仿真报告CMOS 反相器相当于非门，是数字集成电路中最基本的单元电路。
搞清楚CMOS 反相器的特性，可为复杂数字电路的设计打下基础。
如图0所示电路为反相器，P 管衬底接Udd ，N 管衬底接地，栅极与各自的源极相接，消除了背栅效应，而且P 管和N 管轮流导通和截止，输出非0即Udd ，故CMOS 反相器又称为“无比电路”。
反相器的输入输出端口的关系如表一所示：表格 1 反相器输入输出端口反相器关系式：OUT=~IN 。
一、使用S-Edit 编辑CMOS 反相器原理图在此次实例设计中采用Tanner Pro 软件中的S-Edit 组件设计CMOS 反相器的原理图，进而掌握S-Edit 的基本功能和使用方法。
操作流程如下：进入S-Edit —>建立新文件—>环境设置—>引用模块—>建立反相器电路。
1）打开S-Edit 程序，并将新文件另存以合适的文件名存储在一定的文件夹下：在自己的计算机上一定的位置处打开S-Edit 程序。
在本例中在S-Edit 文件夹中新建立“反相器原理图”文件夹，并将新文件以文件名“Ex2”存与此文件夹中。
如图二所示。
图0：CMOS 反相器图 a 另存新文件为Ex22）环境设置：S-Edit 默认的工作环境是黑底白线，但可以按照用户的喜好自行设定。
即选择Setup->Colors 命令，打开Colors 对话框，可分别设置背景色、前景色、选取颜色、栅格颜色、原点颜色和可更换颜色等。
如图二所示。
图二 环境设置3）编辑模块并浏览组件库：S-Edit 编辑方式是以模块为单位而不是以文件为单位，一个文件中可以包含多个模块，而每一个模块则表示一种基本组件或者一种电路。
每次打开一个新文件时便自动打开一个模块并命名为“Module0”；也可以重命名模块名。
方法是选择Module->Rename 命令，在弹出的对话框中的New Name 中输入符合实际电路的名称，如“inv_dc ” 即可,之后单击OK 按钮就可以。
案例-Volte业务MOS值提升方法探究及实践
Volte业务MOS值提升方法探究及实践摘要VoLTE的MOS值直接影响到用户的直观语音体验，因此保证一个良好的VoLTEMOS值对于提升用户感知有着巨大的作用。
针对目前移动场景，VoLTE与VoLTE通话协商的编码为AMR-WB宽带编解码，提供高清语音体验；VoLTE与2G/3G CS业务互通协商的编码为AMR-NB窄带编码(与CS域的编解码相同），因此MOS测试采用VoLTE拨打VoLTE的方式，测试宽带VoLTE编码的语音质量。
影响VoLTEMOS值的因素主要有语音编码、端到端时延、抖动、丢包率等，需着手针对这些方面进行VoLTE的MOS值优化。
厦门电信通过对MOS值优化理清思路，从测试方法、配置参数、提升策略等方面寻找最优方案，进而解决因覆盖、资源、干扰、切换等问题导致的MOS差点问题，提升VoLTE的MOS 值，从而改善用户终端体验。
总结出了如高RRC重建导致MOS值偏低、切换问题的影响提升VoLTE用户感知等方面的解决案例来提升MOS值。
这些案例的解决方案都具备良好的推广价值，为后续打造一张精品VoLTE网络提供了坚实的基础。
关键词：MOS值、覆盖、资源、干扰、SON MRO功能、TAU更新1.MOS值简介1.1.MOS指标定义MOS值（Mean Opinion Score）,即语音质量的平均意见值，是衡量通信系统语言质量的重要指标。
MOS与人的主观感受映射关系如下：表1 MOS分和用户满意度一般情况下，MOS值大于等于3.8被认为是较优的语音质量，大于等于3.0被认为是可以接受的语音质量，低于3.0被认为是难以接受的语音质量。
1.2.MOS评分原则针对目前场景，VoLTE与VoLTE通话协商的编码为AMR-WB宽带编解码，提供高清语音体验；VoLTE与CDMA-CS业务互通协商的编码为AMR-NB窄带编码(与CS域的编解码相同），因此MOS 测试采用VoLTE拨打VoLTE的方式，测试宽带VoLTE编码的语音质量。
台州市人民政府办公室关于表彰2013年度优秀决策咨询成果的通报
台州市人民政府办公室关于表彰2013年度优秀决策咨询成果的通报文章属性•【制定机关】台州市人民政府•【公布日期】2014.03.31•【字号】台政办发[2014]60号•【施行日期】2014.03.31•【效力等级】地方规范性文件•【时效性】现行有效•【主题分类】机关工作正文台州市人民政府办公室关于表彰2013年度优秀决策咨询成果的通报（台政办发〔2014〕60号）各县（市、区）人民政府，市政府直属各单位：2013年度，台州市政府决策咨询委员会积极履行决策咨询职责，提交了一批优秀决策咨询成果，为市委、市政府决策提供了重要参考。
经市政府决策咨询委员会评定，报市政府同意，决定对台州市2013年度优秀咨询报告和优秀委员建议予以通报表彰，以资鼓励。
附件：1. 2013年度优秀咨询报告2. 2013年度优秀委员建议台州市人民政府办公室2014年3月31日附件12013年度优秀咨询报告一等奖（1项）关于加快台州海洋经济发展建设海洋经济强市若干建议的报告二等奖（3项）关于市区普通高中教育管理体制调整和改革的咨询报告关于加强台州乐清湾区域开发与保护的建议报告关于深化行政审批制度改革优化台州发展环境的咨询报告三等奖（2项）关于加快市区相向发展的建议报告关于2013年经济运行分析和2014年经济工作建议的报告附件22013年度优秀委员建议（共11篇，以《咨询建议》刊发时间为序）1. 关于2013年加快建设海洋经济强市的建议撰写人：杨国耀周素琴卢昌彩2. 关于促进台州山区经济发展的建议撰写人：余英3. 台州市慢性病防控工作现状及建议撰写人：江福东章正会王金富4. 关于加强土壤污染治理的对策和建议撰写人：张加正5. 关于提高台州城市环境质量的建议撰写人：万林6. 从税收角度思考台州经济的可持续发展撰写人：徐建荣7. 关于推进市区融合区块规划建设的建议撰写人：牟永清王文勇8. 关于加快台州海洋经济发展的几个问题撰写人：林希才9. 关于台州市制造业转型升级的对策研究撰写人：曹桂芝乔洁10. 关于加快申办台州大学的建议撰写人：陈建吉11. 关于促进农民持续普遍较快增收的建议撰写人：赵明友。
现代模拟集成电路技术
n/2
n/2
( uBEj )CW ( uBEj )CCW
j 1
j 1
(8—4)
n / 2
( UT
j 1
ln
I I
C Sj
)CW
n/2
( U T ln
j 1
I Cj I Sj
)CCW
(8—5)
n / 2
(
j 1
I Cj I Sj
)CW
n/2
(
j 1
I Cj I Sj
)CCW
(8—6)
Ia
其中A1、…、Am为各管相对V0管的宽长比，相当于电 流加权系数。该电路为高阻输出，可实现加、减、反 相、比例(定标)、放大、衰减、存贮等功能
1
：
A1 ： Am
UDD
i1
J
i2
iD0
i3
V0
A1J V1
AmJ io
iDm
Vm
图8—10不带开关的电流镜
我们知道，在MOS管结构参数相同的情况下，场
效应管的电流与宽长比W/L成正比，即
＋ －
＋ －
＋ －
u BE2
Ib
u BE1
Ic
u BE3
＋ －
u BE4
Id
图8—1简化的跨导线性环原理图
因为反向饱和电流ISj等于发射区面积Aj与饱和电流 密度JSj的乘积：
I Sj A j J Sj
(8—7)
n / 2
(
j1
I Cj Aj
) CW
n /2
(
j1
I Cj Aj
) CCW
(8—8)
1
Rf
Auf(s) 1 Rf RT
台州市人民政府关于印发2020年政府工作报告目标任务责任分解的通知-
台州市人民政府关于印发2020年政府工作报告目标任务责任分解的通知
正文：
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台州市人民政府关于印发2020年
政府工作报告目标任务责任分解的通知
各县（市、区）人民政府，市政府直属各单位：
《政府工作报告目标任务责任分解》已经市政府第69次常务会议研究同意，现印发给你们，请认真贯彻执行。
今年是高水平全面建成小康社会和“十三五”规划收官之年。
市五届人大五次会议通过的《政府工作报告》明确了今年市政府工作目标和任务清单。
各级各部门要坚持稳中求进工作总基调，扎实做好“六稳”工作，全面落实“六保”任务，以非常举措确保全年目标任务完成，奋力推进新时代民营经济高质量发展强市建设，为浙江努力成为“新时代全面展示中国特色社会主义制度优越性的重要窗口”多作台州贡献。
要强化组织领导，各责任单位要精心组织、细化方案，加强工作协同、形成工作合力，确保一级抓一级，层层抓落实；要强化实干担当，按照项目化、清单式、销号制的要求，只争朝夕、奋勇争先，确保高效率、高标准落实各项工作；要强化跟踪督查，市政府督查室要切实加大督查力度，推动各项目标任务落细落实，确保“十三五”规划圆满收官。
台州市人民政府
2020年4月30日
——结束——。
【质量】XX通话质量提升专项MOS优化成果报告
【关键字】质量XX移动通话质量提升专项MOS 优化成果报告华为技术有限公司2021年2月目录7.2.4厦坭工业区1小区方向弱覆盖......................................... 错误!未定义书签。
7.2.5雁田长表附近弱覆盖....................................................... 错误!未定义书签。
7.2.6金凤凰百运厂附近弱覆盖导致掉话............................... 错误!未定义书签。
7.2.7金龙工业区附近弱覆盖................................................... 错误!未定义书签。
7.2.8雁田村口2覆盖路段弱覆盖............................................. 错误!未定义书签。
7.3切换类........................................................................................... 错误!未定义书签。
7.3.1余良围D3小区层间切换门限设置过低 .......................... 错误!未定义书签。
7.3.2谢坑村1小区层间切换门限设置过高............................. 错误!未定义书签。
7.3.3凤岗雁鸣湖山庄掉话事件分析....................................... 错误!未定义书签。
7.3.4长塘工业区2小区掉话事件分析..................................... 错误!未定义书签。
7.3.5五联2小区被叫掉话事件分析......................................... 错误!未定义书签。
MOSFET单相全桥无源逆变电路
电力电子技术课程设计说明书MOSFET单相桥式无源逆变电路设计（纯电阻负载）院、部：电气与信息工程学院学生姓名：指导教师：王翠职称副教授专业：自动化班级：自本1004班完成时间：2013-5-24本次基于MOSFET的单相桥式无源逆变电路的课程设计，主要涉及MOSFET 的工作原理、全桥的工作特性和无源逆变的性能。
本次所设计的单相全桥逆变电路采用MOSFET作为开关器件，将直流电压Ud 逆变为频率为1KHZ的方波电压，并将它加到纯电阻负载两端。
本次课程设计的原理图仿真是基于MATLZB的SIMULINK，由于MATLAB软件中电源等器件均为理想器件，使得仿真电路相对较为简便，不影响结果输出。
设计主要是对电阻负载输出电流、电压与器件MOSFET输出电压的波形仿真。
关键词：单相；全桥；无源；逆变；MOSFET;1 MOSFET的介绍及工作原理 (4)2 电压型无源逆变电路的特点及主要类型 (5)2.1电压型与电流型的区别 (5)2.2逆变电路的分类 (5)2.3有源与无源的区别 (5)3 电压型无源逆变电路原理分析 (6)4 主电路设计及参数选择 (7)4.1主电路仿真图 (7)4.2参数计算 (7)4.3参数设置 (8)5 仿真电路结果与分析 (11)5.1触发电平的波形图 (11)5.2电阻负载输出波形图 (12)5.3器件MOSFET的输出波形图 (12)5.4仿真波形分析 (14)6 总结 (15)参考文献 (16)致谢 (17)1 MOSFET的介绍及工作原理MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor 场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS 型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。
逻辑门电路使用中的几个实际问题（精）
逻辑门电路使⽤中的⼏个实际问题（精）逻辑门电路使⽤中的⼏个实际问题以上讨论了⼏种逻辑门电路特别是重点地讨论了 TTL和CMOS两种电路。
在具体的应⽤中可以根据要求来选⽤何种器件。
器件的主要技术参数有传输延迟时间、功耗、噪声容限，带负载能⼒等，据此可以正确地选⽤⼀种器件或两种器件混⽤。
下⾯对⼏个实际问题，如不同门电路之间的接⼝技术，门电路与负载之间的匹配等进⾏讨论。
⼀、各种门电路之间的接⼝问题在数字电路或系统的设计中，往往由于⼯作速度或者功耗指标的要求，需要采⽤多种逻辑器件混合使⽤，例如，TTL和CMOS 两种器件都要使⽤。
由前⾯⼏节的讨论已知，每种器件的电压和电流参数各不相同，因⽽需要采⽤接⼝电路，⼀般需要考虑下⾯三个条件：1.驱动器件必须能对负载器件提供灌电流最⼤值。
2.驱动器件必须对负载器件提供⾜够⼤的拉电流。
3.驱动器件的输出电压必须处在负载器件所要求的输⼊电压范围，包括⾼。
低电压值。
其中条件１和２，属于门电路的扇出数问题，已在第四节作过详细的分析。
条件３属于电压兼容性的问题。
其余如噪声容限、输⼊和输出电容以及开关速度等参数在某些设计中也必须予以考虑。
下⾯分别就CMOS门驱动TTL 门或者相反的两种情况的接⼝问题进⾏分析。
1.CMOS门驱动TTL门在这种情况下，只要两者的电压参数兼容，不需另加接⼝电路，仅按电流⼤⼩计算出扇出数即可。
下图表⽰CMOS门驱动TTL门的简单电路。
当CMOS门的输出为⾼电平时，它为TTL负载提供拉电流，反之则提供灌电流。
例2.9.1——74HC00与⾮门电路⽤来驱动⼀个基本的TTL反相器和六个74LS门电路。
试验算此时的CMOS门电路是否过载？解：（1）查相关⼿册得接⼝参数如下：⼀个基本的TTL门电路，IIL＝1.6mA，六个74LS门的输⼊电流IIL＝6×0.4mA＝2.4mA。
总的输⼊电流IIL(total＝1.6mA＋2.4mA＝4mA。
（2）因74HC00门电路的IOL＝IIL＝4mA，所驱动的TTL门电路未过载。
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台州移动MOS提升报告目录1.概述 (3)2.影响MOS值的因素分析 (3)2.1语音质量测试方法及原理 (3)2.1.1客观MOS分评价方法 (4)2.1.2MOS测试方法 (5)2.2玉环语音MOS关系分析 (6)2.2.1路测中每call切换次数和HR占用与MOS情况 (6)2.2.2路测中RxQual与MOS情况 (7)2.2.3路测中DCS1800占比与MOS值情况 (7)2.3玉环语音MOS散点关系分析 (8)2.3.1语音MOS与半数率占比 (8)2.3.2语音MOS与切换次数 (9)2.3.3语音MOS，DCS1800占比与RxQual (9)2.3.4DCS1800占用率与RxQual (10)2.3.5小结 (10)3.黄岩语音MOS提升试验 (11)3.1优化策略 (11)3.2参数设臵 (12)3.3优化结果 (13)3.4黄岩语音MOS散点关系分析 (14)3.4.1语音MOS与半数率占比 (14)3.4.2语音MOS与切换次数 (14)3.4.3语音MOS，DCS1800占比与RxQual (15)3.4.4DCS1800占用率与RxQual (16)3.5路测指标成果 (16)3.6OMC指标评估 (19)4.总结 (23)1. 概述随着移动网络的发展，各运营商之间对市场的竞争也日趋激烈，终端用户对网络质量的要求也不断的提高，同时也将提供语音质量的高低作为选者运营商的考虑因素之一。
从运营商方面而言，语音质量的好坏也是反映GSM网络质量的重要因素，在日常的DT测试中，原来单纯的用RxQual只能用于来衡量网络侧的情况，不能真实的反映终端用户对网络的感受情况，而MOS值恰是从终端方面对语音质量的一个较为真实的反映。
介于MOS值的重要性，对语音而言，现阶段如何优化网络，提升MOS值改善终端用户的感知度，将会是一个较为重要的方面。
台州移动资源均衡小组对此进行了探讨，首先针对玉环的语音MOS历史数据作出分析，过后在台州核心区域黄岩进行了参数实验成功提升该区域MOS值，取得了一定的进展。
2. 影响MOS值的因素分析2.1 语音质量测试方法及原理“手机打手机”的语音传输流程：说话者的语音经过语音编码后，数据量减少到原来的近20%，通过信道编码加上保护比特后经无线信道传送到GSM网络。
并再由无线信道传送到接收端，通过信道解码以及语音解码恢复成语音送达到收听者。
在这整个过程中，采用不同的语音编码方式会影响到语音的质量，无线信道的复杂性可能会造成语音质量的恶化，而GSM的接入网与核心网也可能引入回声、延时、单通、串话和噪声等，最终会影响到接收者的收听效果。
因此语音质量的评估其实是对整个系统性能的综合评估。
而MOS测试法正是从终端用户角度对网络质量评估的一种方法。
【MOS测试示意图】常用MOS分评价方法包括主观MOS分评价和客观MOS分评价，目前在用的是客观评价方法。
2.1.1客观MOS分评价方法PESQ是目前常用于端到端网络语音质量测试的方法。
原理下图所示：发送一个语音参考信号通过网络，在网络的另一端采用数字信号处理的方式比较样本信号和接收到的信号，进而估算出网络的语音质量。
它是一种基于听觉模型的语音评估方法，能提供主客观相关性较高的音质评价。
可提供上、下行PESQ语音评分，对上、下行语音评分结果进行综合比较。
【PESQ原理图】2.1.2MOS测试方法目前，对于DT方面的MOS测试方法主要采用鼎利测试软件进行测试，通过一个语音盒单元将主、被叫手机的语音链路相连。
对于主叫手机的下行MOS 值是通过被叫手机端发一个标准的声音波形，经过网络达到主叫手机，测试软件对收到的波形与发出的波形进行比较、计算后得出下行MOS，上行MOS为相反过程。
对于主叫手机的下行MOS值也为被叫手机的上行，因此，该软件测试的最终结果，主、被叫手机的MOS值是一样的。
2.2玉环语音MOS关系分析目前采用的MOS评分方式主要是PESQ算法，由于PESQ算法考虑了整个信号传输过程中的中断及衰变, 而不仅是空中接口部分。
因此，影响MOS的主要因素有：语音编码方案、Abis传输、C/I、切换频次及质量(RxQual)等。
为验证这些因素对MOS值的影响，针对玉环的2010年4月-6月的路测指标情况进行了对比分析，具体如下所示：2.2.1路测中每call切换次数和HR占用与MOS情况（备注：图中空白处为无数据的天数）2.2.2路测中RxQual与MOS情况（备注：图中空白处为无数据的天数）2.2.3路测中DCS1800占比与MOS值情况（备注：图中空白处为无数据的天数）从上图可以看出，语音编码方式，切换频次，RxQual等跟MOS密切相关，这几项因素中哪一样变化都会影响到MOS值。
玉环在5月20日进行了双频网的话务均衡工作，使得DCS1800的占比有大幅上升，从而带动了RxQual的上升，半速率占比和切换频度的下降，并使得MOS值也有较明显的上升。
图示中6月13日-16日有恶化，主要是这期间为端午节，这期间增开了大量的应急半速率，同时也暂时关闭了双频共站小区的Umbrella HO参数，使得半速率占比上升，DCS1800占比和RxQual都有明显下降，使得MOS值下降明显。
2.3玉环语音MOS散点关系分析2.3.1语音MOS与半数率占比在浮动较小的半数率占比与MOS值对比关系较不明显，玉环一般的半数率占比介于0%至3%之间浮动，即路测中占用半数率在这范围内没有绝对的影响MOS值高低。
2.3.2 语音MOS 与切换次数y = -0.035x + 3.74963.203.30 3.40 3.50 3.60 3.703.80 4567y =M O S 值x=每CALL 切换次数语音MOS 与切换次数语音MOS （AVG ）Linear (语音MOS （AVG ）)Linear (语音MOS （AVG ）)每呼叫切换次数与MOS 值的关系在玉环显示了明显的直接关系，而切换成功率的提高也提升了RxQual 。
2.3.3 语音MOS ，DCS1800占比与RxQualy = 0.0038x + 3.4203语音MOS 与DCS1800占比MOS 值与1800占用率在玉环显示绝对的关系，但与RxQual 的关系则最为明显， RxQual 的提升是基于1800话务占比的上升而来，MOS 值也相应提高。
2.3.4 DCS1800占用率与RxQualy = -0.035x + 3.74963.203.30 3.40 3.50 3.60 3.703.80 4567y =M O S 值x=每CALL 切换次数语音MOS 与切换次数语音MOS （AVG ）Linear (语音MOS （AVG ）)Linear (语音MOS （AVG ）)1800占比的上升和RxQual 的提升关系也是一致的。
2.3.5 小结基于对玉环整体路测指标的分析，确定选择黄岩核心城区进行提升MOS 值的优化实验，重点通过调整开启Umbrella 功能，优化HRI 、FRU 、FRL 参数来减低半速率占比。
3. 黄岩语音MOS提升试验3.1 优化策略目前对台州移动网络的优化策略重点是对GSM900和DCS1800双频网的优化，具体策略和参数设臵如下：空闲阶段–现网个别区域由于资源限制，REO/RXP个性化设臵比较多，而且台州各区域1800非连续覆盖较多，目前对空闲状态的驻留仍选择在GSM900上，后续实验会继续跟进。
呼叫阶段–GSM900小区如话务负荷高时采用DADL/B参数，使得呼叫可从GSM900 SDCCH直接接入到DCS1800 的TCH上该参数主要是呼叫阶段，基于对BTS load的监控对话务进分流。
通话阶段–采用以分层网Umbrella HO 参数为主均衡双频网的话务，并用防止快速或草率切入的参数FMT和控制上下行边缘切换门限的LDR/LUR作以辅助；同时对切换阶段的语音编码方式选择参数HRI和控制半速率启动的门限的FRU/FRL参数来降低半速率的使用占比。
3.2参数设臵为提高路测占用1800频段的比例，应用了台州双频网切换新策略以UmbrellaHO,ACL, FMT,LDR/LUR 参数将话务转移为降低半速率的占用比例，制定了调整HRI、FRU/FRL两组参数来降低半速率的比例，以达到提升MOS的目的HRI: TCH Rate Internal Ho，BSC级参数，该参数的取值不同影响的主要是inter-cell 和intra-cell切换过程中目标小区的选择和切换后手机使用的信道类型和语音编码方式；FRU：Upper limit for FR TCH resources，启动全速率的门限，即当空闲的半速率时隙站可用TCH资源的比例高于这个门限值时，全速率时隙将会被分配，FRL：Lower Limit for FR TCH Resources，启动半速率门限，即当空闲的全速率时隙占可用TCH资源的比例低于这一门限时，半速率时隙将会被分配。
通过调整FRU/FRL的设定门限，以降低半速率时隙的占用比例。
修改参数如下：注：FRL、FRU参数模板只针对半速率话务占比在10%以下的小区。
3.3 优化成果通过对玉环的指标分析，我们在黄岩完成双频网参数推广的基础上，重点进行了质量提升与半速率占比的优化，优化后MOS值有明显的提升，详细优化结果如下：语音MOS值随着半速率占比的降低，RxQual以及切换频度的改善有较大幅度上升，由均值由3.53上升至3.60。
DCS1800占比优化后提升较大，由22.56%提升值54.23%半速率占比有较明显下降，平均下降了一倍。
RxQual也有明显提升。
3.4 黄岩语音MOS散点关系分析3.4.1语音MOS与半数率占比在浮动较大的半数率占比与MOS值对比关系较明显，即路测中占用半数率比例越高，则MOS值偏低，黄岩一般的半数率占比介于1%至10%之间浮动3.4.2语音MOS与切换次数每呼叫切换次数与MOS值的关系未显示明显的直接关系，判断可能切换成功率高所以未影响RxQual3.4.3语音MOS，DCS1800占比与RxQualMOS值与1800占用率未显示绝对的关系，但与RxQual的关系则最为明显，RxQual的提升是基于1800话务占比的上升而来，MOS值也相应提高3.4.4 DCS1800占用率与RxQualy = 0.0446x + 93.0729293949596971020304050607080y =语音R x Q u alX=1800占比DCS/PCS 占用率Linear (DCS/PCS 占用率)1800占比的上升和RxQual 的提升关系也是一致的3.5 路测指标成果从路测整体上的指标统计看，在优化调整HRI 、FRU 、FRL 参数后，半速率占用比例明显下降，其他关键指标都保持稳定并有升上升趋势，具体如下所示：优化前后的MOS 值对比：在对黄岩区域优化调整后，黄岩区域的MOS值由原来的日平均3.53提升到3.60，平均提升了0.07，并且在6月25日平均达到3.65。