内存编号大集合

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内存条一般都有标注大小

内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看：samsung内存例：samsungk4h280838b-tcb0第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表dram。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。

例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。

颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。

关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。

通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。

所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。

从内存条芯片编号看内存条的大小

从内存条芯片编号看内存条的大小(2009-11-22 08:12:39)转载▼标签：刷新速度tsop封装字段ddr266台湾itSDRAM 内存芯片的新编号HY XX X XX XX X X XX X X X-XX XA B C D E F G H I J K L MA字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。

B字段表示产品类型。

57代表SDRAM内存。

C字段表示工作电压。

V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为3.3V；Y代表VDD电压为3.0V、VDDQ电压为3.0v；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V/ D字段表示密度与刷新速度。

16代表16Mbit密度、2K刷新速度；32代表32Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、4K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；2A代表128Mbit密度(TCSR)、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度。

E字段表示内存结构。

4代表x4；8代表x8；16代表x16 ;32代表x32。

F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。

1代表2Bank；2代表4Bank。

G字段表示电气接口。

0代表LVTTL；1代表SSTL_3。

H字段表示内存芯片的修正版本。

空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。

也有一些特殊的编号规则，如：编号为HY57V64420HFT是第7版；编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版；编号为HY57V28420AT是第3版；编号为HY57V56420HDT是第5版。

I字段表示功率消耗能力。

空白代表正常功耗；L代表代功耗；S代表超代功耗。

J字段表示内存芯片的封装方式。

内存编号大集合

内存编号大集合内存是计算机不可缺少的部件之一，常用的芯片有现代、三星……但并不是每个DIY 的高手们都熟悉刻在内存芯片上编号型号的。

现在我们就详细列出内存编号的各项含义。

（1）HYUNDAI（现代）现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。

其SDRAM芯片编号格式为：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s，具体的编号含义可以在现代的网站上找到：点击放大其中HY代表现代的产品：5<1>表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；<2> 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；<345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；<67> 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；<9> 代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；<10> 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；<11.12>代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；<13.14>代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。

内存1代2代3代详细表

DDR3: 1333 1600 1800 1866 2000 2133 2200 2400(MHZ)
DDR3是“3代内存”频率分1066 1333 1600 1800 2000 规格 PC8500是DDRIII1066内存 PC10600是DDRIII1333内存 PC10700是DDRIII1333内存
ห้องสมุดไป่ตู้
DDR: 333 400(MHZ)
DDR2: 533 667 800 1066 1200(MHZ)
注意：不同型号内存，不要“硬插”！开机容易烧坏不能提供保修服务！
4、常用内存有DDR、DDR2、DDR3之分，3种内存不能混用，拍前请确定自己电脑使用的是什么型号内存、什么频率。
5、如果您不确定自己电脑使用什么内存！可以用下面这个“CPU-Z”软件检测一下，谢谢！
运行软件后看“SPD”选项的“最大带宽”一栏,会看到“PCxx00”，如下：
1、DDR代表是1代内存、DDR2代表是2代内存、DDR3代表是3代内存。
2、比如金士顿 512M DDR 400 台式机内存的“400”是频率的意思！
常用内存频率有266、333、400、533、667、800、1066、1333……等频率。
频率越高，速度越快！ 3、内存须选择同型号的。
DDR 是“1代内存”频率分266 333 400 规格 PC2100是DDR 266内存 PC2700是DDR 333内存 PC3200是DDR 400内存 DDR2 是“2代内存”频率分533 667 800 规格 PC4200是DDRII533内存
PC4300是DDRII533内存 PC5300是DDRII667内存 PC6400是DDRII800内存

内存大全

内存大全Samsung具体含义解释：例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。

例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。

颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。

关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。

通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。

所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。

内存知识--颗粒编号

内存知识内存颗粒编号,内存知识具体含义解释：例：samsungk4h280838b-tcb0 主要含义：第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表dram。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a 代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。

例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。

注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。

通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。

所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。

在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。

内存芯片型号

内存芯片型号内存芯片是一种常见的集成电路芯片，用于存储和处理计算机数据。

在计算机系统中，内存芯片承担着临时存储和快速数据访问的功能，是计算机运行和数据传输的重要组成部分。

下面是一些常见的内存芯片型号的详细介绍：1. DDR3：DDR3是一种双数据速率3的SDRAM（同步动态随机存取存储器），在2007年首次推出。

DDR3内存芯片具有高带宽和低功耗的优点，广泛应用于个人电脑、工作站和服务器等计算设备。

2. DDR4：DDR4是DDR3的后继产品，在2014年发布。

DDR4内存芯片相比于DDR3芯片在带宽和能效方面有所提升，能够提供更快的数据传输速度和更低的功耗，适用于高性能计算和数据中心等领域。

3. LPDDR4：LPDDR4（低功耗高速动态随机存取存储器4）是一种专门用于移动设备的内存芯片。

相比于DDR4，LPDDR4芯片功耗更低，且具有更高的数据传输速度和更高的带宽，适合于手机、平板电脑和笔记本电脑等便携设备。

4. XDR：XDR（eXtreme Data Rate）内存芯片是由Rambus公司开发的一种高端内存技术。

XDR芯片在带宽和时钟速度上相比于其他内存技术有很大提升，适用于高性能计算和高要求多媒体应用等领域。

5. HBM：HBM（高带宽内存）是一种先进的堆叠式内存技术，提供了优异的带宽和能效。

HBM芯片具有多个独立的内存层次，可以实现大容量的数据存储和高速数据传输，广泛应用于显卡、服务器和人工智能等领域。

6. SLC NAND：SLC NAND（单层单元闪存）是一种高性能、高可靠性的闪存存储技术。

SLC NAND芯片以单层存储单元来存储数据，速度快、寿命长，适用于需要高速读写和长时间数据保持的应用，如车载导航、工业控制等。

总结起来，以上是一些常见的内存芯片型号。

每种型号的内存芯片都有其特定的优点和应用领域，根据不同的需求和预算，选择适合的内存芯片可以提升计算机系统的性能和稳定性。

教你看懂内存编码

教你看懂内存编码!内存大小识别方法（详）内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。

看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考：主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下：现代电子HYUNDAI : HY ［注：代号］三星SAMSUNG : KM 或M NBM : AAA 西门子SIEMENS : HYB高士达LG-SEMICON : GM HITSUBISHI : M5M 富士通FUJITSU: MB摩托罗拉MOTOROLA : MCM MATSUSHITA : MN OKI: MSM 美凯龙MICRON : MT 德州仪器TMS : TI 东芝TOSHIBA : TD或TC日立HITACHI : HM STI : TM 日电NEC : uPDIBM : BM NPNX : NN•日本产系列：主要厂家有Hitachi ［日立］‘Toshiba ［东芝］,NEC ［日电］‘Mitsubishi［三菱］等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。

1.H ITACHI [日立]。

1 日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。

它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHIHM521XXXXXCTTA60 或B60,区别是A60 的CL 是2，B60 的CL 是3。

市面上B60的多，但完全可超133MHz外频，HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式：HM 52 XX XX 5 X X TT-XXHM 代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。

第1、2个X代表容量。

第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。

第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F" 了。

第6个X如果是字母"L"就是低功耗。

空白则为普通。

TT为TSOII封装。

内存芯片厂家

各厂商内存芯片编号内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。

内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。

由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，先来看看它们的内存芯片编号。

（1）HYUNDAI（现代）现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mmTSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns 〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns 〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

教大家识别内存颗粒上的编号

教大家识别内存颗粒上的编号教大家识别内存颗粒上的编号2009/2/181、海力士(Hynix)/image/upload/memory/200731012431014077801.jpg海力士DDR2内存颗粒的第一排编号通常由HY开头·第3、4位“5P”代表DDR2·第5位“S”代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V·第6、7位代表容量，本例中“12”代表512Mb，其它如“28”为128Mb、“56”为256Mb、“1G”为1Gb、“2G”为2Gb。

该值除以8即为单颗容量，再乘以颗粒数便是整条内存的容量·第8、9位代表颗粒位宽，如果为“4”和“8”，则只占编号中的第8位，如本例所示；如果为“16”和“32”，则占第8、9位·第10位代表逻辑Bank数。

其中“1”为2Banks，“2”为4Banks，而“3”为8Banks·第11位代表接口类型。

比如“1”为SSTL_18，另外，“2”为SSTL_2·第12、13位代表产品的规格，比如C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3，字母越靠后越好海力士内存颗粒的超频性一向不错，比如C5、C3，特别是目前代号S6的DDR2-800内存颗粒比较好超，一般都可以超到1000MHz 的水准，因此对于组建扣肉、AM2超频平台的朋友来说，是极不错的选择常采用的内存模块厂商：很多品牌的DDR2内存都有采用海力士DDR2内存颗粒，如创见、威刚、超胜等。

2、三星(Samsung)/image/upload/memory/200731012431048477802.jpg·三星DDR2内存颗粒的第一排编号通常由K4开头，代表Memory DRAM的意思·第三位“T”代表内存为DDR2内存·第四、第五位代表容量，其中51代表512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量·第六、第七位代表位宽，08：×8位宽，如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、08为×8、16为×16·第八位代表逻辑Bank，其中“3”的逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks·第九位代表接口类型，一般为“Q”，表示接口类型工作电压为SSTL 1.8V·第十位代表颗粒版本，其中“B”代表的产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推、越新越好·第十一位代表封装类型，其中“G”代表封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA(Small)、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF(Small) ·第十二位代表功耗类型，其中“C”表示普通能耗，如果是L则为低能耗·第十三、十四位代表内存速度，其中D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2 677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。

DDR内存识别

DDR内存识别部分主流显存颗粒识别MT——Micron 美光芯片颗粒美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商，目前显卡厂商采用它显示芯片较少，它主要供应内存OEM商，下面用上图的实例对Micron（美光）颗粒编号的简单含义作介绍：MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。

48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供电电压。

LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

8M8——内存颗粒容量为8M。

A2——内存内核版本号。

TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

颗粒编号MT 48LC8M8A2 TG-75，从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒，采用TSOP封装方式，速度为7.5ns，单颗粒为8M，位宽8bit。

Infineon 亿恒也叫英飞凌Infineon（亿恒）颗粒Infineon是德国西门子的一个分公司，它主要生产内存颗粒。

目前，Infineon 在全球排名已经跃居为第四位，超过了韩国的Hynix。

它的编号简单，编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。

它的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。

所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

对它颗粒编号的简单介绍：HYB－内存编号开头25－25是时间（周）D－D代表DDR颗粒，S代表SDR颗粒128－128代表单颗容量为128/8=16M32－32表示位宽32bit3.3－3.3代表颗粒速度这颗编号为HYB25D128323C-3.3，编号中正数第10、11位，也就是“32”代表了该颗粒的数据输出位宽。

32也就是单颗32位。

顺便说一下，这是DDR SGRAM 显存颗粒。

Samsung 韩国三星目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。

由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。

三星内存颗粒的型号采用一个15位数字编码命名的。

内存芯片型号

三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。

由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。

三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。

这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。

编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。

例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。

看编号识内存

看编号识内存——Hynix内存芯片篇相信许多朋友在购买内存时，感觉每条内存的外表都差不多。

实际上，它们之间有着本质的差别。

这就需要我们从内存芯片上所特有的编号进行辨别了。

从内存芯片的编号中，我们了解到内存的生产厂家、内存种类、电压、容量、芯片密度、电气接口、功耗、版本、封装方式、速度等参数，这样就会被JS所蒙骗了。

小怪特意为大家整理了目前市场上一些常见品牌的内存芯片的编号规则，相信你看了以后，就不会为内存的编号而一头雾水了！不过，受到版面的限制，小怪也只能逐期刊登一种品牌的内存芯片的编号，还请大家多多谅解哦！Hynix是非常知名的内存品牌，以前称为Hyundai（现代）。

在前两年的DIY市场，大家常用的LGS 内存已被Hynix收归门下，所以现代的内存芯片会出现以上三种品牌，最新的当然是Hynix。

下面，就向大家介绍现代SDRAM、DDR SDRAM、DRDRAM内存芯片的编号规则。

一、SDRAM内存芯片的旧编号第1字段由HY组成，代表现代（Hynix）内存芯片的前缀。

第2字段表示产品类型。

57代表SDRAM内存；5D代表DDR SDRAM内存。

第3字段表示工作电压。

U代表CMOS、2.5V电压；V代表CMOS、3.3V电压。

第4字段表示密度与刷新速度。

4代表4Mbit密度、1K刷新速度；16代表16Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、8K刷新速度；65代表64Mbit密度、4K刷新速度；129代表128Mbit密度、4K刷新速度；257代表256Mbit密度、8K刷新速度。

第5字段表示内存结构。

40代表×4；80代表×8；16代表×16；32代表×32。

第6字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。

1代表2Bank；2代表4Bank。

第7字段表示电气接口。

0代表LVTTL；1代表SSTL；2代表SSTL_2。

第8字段表示内存芯片的修正版本。

从内存条芯片编号看内存条的大小

从内存条芯片编号看内存条的大小(2009-11-22 08:12:39)标签：SDRAM 内存芯片的新编号A字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。

B字段表示产品类型。

57代表SDRAM内存。

C字段表示工作电压。

E字段表示内存结构。

4代表x4；8代表x8；16代表x16 ;32代表x32。

F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。

1代表2Bank；2代表4Bank。

G字段表示电气接口。

0代表LVTTL；1代表SSTL_3。

H字段表示内存芯片的修正版本。

空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。

也有一些特殊的编号规则，如：编号为HY57V64420HFT是第7版；编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版；编号为HY57V28420AT是第3版；编号为HY57V56420HDT是第5版。

I字段表示功率消耗能力。

空白代表正常功耗；L代表代功耗；S代表超代功耗。

J字段表示内存芯片的封装方式。

T代表TSOP封装；K代表Stack封装(Type1)；J代表Stack封装(Type2)。

K字段表示内存芯片的封装材料。

空白代表正常；P代表Pb free；H代表Halogen free；R代表Pb & Halogen free。

现代内存颗粒型号命名

GM,代表LGS产品.72,代表SDRAM.66,代表64M8,代表8bit位宽4,代表4个芯片T,代表TSOP2封装75,代表133MHZ内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看：samsung内存例：samsungk4h280838b-tcb0第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表dram。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。

例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。

注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。

常见内存型号

常见内存型号DDR=Double Data Rate双倍速率同步固态随机处理器严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。

DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。

DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

什么是DDR1?有时候大家将老的存储技术DDR称为DDR1，使之与DDR2加以区分。

尽管一般是使用“DDR”，但DDR1与DDR的含义相同。

DDR1规格DDR-200:DDR-SDRAM记忆芯片在100MHz下运行DDR-266:DDR-SDRAM记忆芯片在133MHz下运行DDR-333:DDR-SDRAM记忆芯片在166MHz下运行DDR-400:DDR-SDRAM记忆芯片在200MHz下运行（JEDEC制定的DDR最高规格）DDR-500:DDR-SDRAM记忆芯片在250MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格）DDR-600:DDR-SDRAM记忆芯片在300MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格）DDR-700:DDR-SDRAM记忆芯片在350MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格）什么是DDR2?DDR2/DDR II（Double Data Rate2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。

换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

常见内存的编号与标识

常见内存的编号与标识
佚名
【期刊名称】《电脑采购》
【年(卷),期】2001(000)019
【摘要】<正> 1.LGS 曾经最为多见的内存芯片品牌,但现在已经被现代所并购,所以我们现在见到的大多数HY就是以前的LGS,LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式 GM72V xx xx 1x T/x -xx最前面的两个xx表示容量,其中16为
16MB,66为64MB,28为128MB。

最后两个xx即代表速度: 其中:7--143MHz;
7.5--133MHz;8--125MHz;7K--100MHz(CL为2);7J--100MHz(CL为3);10K--100MHz(不是PC100规格) 从中可见,常见的7J内存只是刚刚达到PC100的规格,而7.5和7两种才可达到PC133
【总页数】1页(P17-17)
【正文语种】中文
【中图分类】F764.6
【相关文献】
1.常见内存的编号与标示 [J],
2.明明白白买DDR2内存看清DDR2内存颗粒编号 [J], 小团子
3.极品内存如何找?颗粒编号揭示超频性能 [J], 小团子
4.标准编号（标识）与标准性质标识的区别 [J], 茆殿宝
5.买内存需要知道编号吗？ [J],
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