2N5401L-A-T92-R中文资料
常用二极管三极管参数
9月28日常用二极管参数整流二极管主要参数50V 100V 200V 300V 400V 500V 600V 800V 1000V1A 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N40071.5A 1N5391 1N5392 1N5393 1N5394 1N5395 1N5396 1N5397 1N5398 1N5399 2A PS200 PS201 PS202 PS204 PS206 PS208 PS2093A 1N5400 1N5401 1N5402 1N5404 1N5405 1N5406 1N5407 1N5408 1N5409 稳压二极管主要参数型号最大功耗(mW) 稳定电压(V) 电流(mA) 代换型号国产稳压管日立稳压管最小值最大值新型号旧型号HZ4B2 500 3.8 4 5 2CW102 2CW21 4B2HZ4C1 500 4 4.2 5 2CW102 2CW21 4C1HZ6 500 5.5 5.8 5 2CW103 2CW21A 6B1HZ6A 500 5.2 5.7 5 2CW103 2CW21AHZ6C3 500 6 6.4 5 2CW104 2CW21B 6C3HZ7 500 6.9 7.2 5 2CW105 2CW21CHZ7A 500 6.3 6.9 5 2CW105 2CW21CHZ7B 500 6.7 7.3 5 2CW105 2CW21CHZ9A 500 7.7 8.5 5 2CW106 2CW21DHZ9CTA 500 8.9 9.7 5 2CW107 2CW21EHZ11 500 9.5 11.9 5 2CW109 2CW21GHZ12 500 11.6 14.3 5 2CW111 2CW21HHZ12B 500 12.4 13.4 5 2CW111 2CW21HHZ12B2 500 12.6 13.1 5 2CW111 2CW21H 12B2HZ18Y 500 16.5 18.5 5 2CW113 2CW21JHZ20-1 500 18.86 19.44 2 2CW114 2CW21KHZ27 500 27.2 28.6 2 2CW117 2CW21L 27-3HZT33-02 400 31 33.5 5 2CW119 2CW21MRD2.0E(B) 500 1.88 2.12 20 2CW100 2CW21P 2B1RD2.7E 400 2.5 2.93 20 2CW101 2CW21SRD3.9EL1 500 3.7 4 20 2CW102 2CW21 4B2RD5.6EN1 500 5.2 5.5 20 2CW103 2CW21A 6A1RD5.6EN3 500 5.6 5.9 20 2CW104 2CW21B 6B2RD5.6EL2 500 5.5 5.7 20 2CW103 2CW21A 6B1RD6.2E(B) 500 5.88 6.6 20 2CW104 2CW21BRD7.5E(B) 500 7 7.9 20 2CW105 2CW21CRD10EN3 500 9.7 10 20 2CW108 2CW21F 11A2RD11E(B) 500 10.1 11.8 15 2CW109 2CW21GRD12E 500 11.74 12.35 10 2CW110 2CW21H 12A1RD12F 1000 11.19 11.77 20 2CW109 2CW21GRD13EN1 500 12 12.7 10 2CW110 2CW21H 12A3RD15EL2 500 13.8 14.6 15 2CW112 2CW21J 12C3RD24E 400 22 25 10 2CW116 2CW21H 24-1RD24F 400 24 28 10 2CW117 2CW21LRD36EL1 500 32 34 15 2CW119 2CW21M 33-2RD57E 500 48 54 10 1DS55-1805Z5.1Y 500 4.94 5.2 2CW103 2CW21A 5C205Z5.6Z 500 5.61 5.91 2CW104 2CW21B 6B205Z6.2Y 500 5.96 6.27 41 2CW104 2CW21B 6C205Z7.5Y 500 7.07 7.45 34 2CW105 2CW21C05Z7.5Z 500 7.3 7.7 34 2CW105 2CW21C 7C205Z9.1Y 500 8.9 9.3 30 2CW107 2CW21E 9C105Z12 500 11.13 12.35 21 2CW110 2CW21H05Z12Z 500 12 12.6 20 2CW110 2CW21H 12A305Z13X 500 12.11 12.75 19 2CW110 2CW21H 12A305Z13Z 500 13.5 14.1 18 2CW111 2CW21H 12C205Z13Y 500 12.55 13.21 19 2CW111 2CW21H 12B205Z15 500 14.4 15 17 2CW112 2CW21J 15-205Z15Y 500 13.89 14.62 17 2CW111 2CW21H 12C305Z18 500 16.5 18.5 14 2CW113 2CW21J05Z18Y 500 16.82 17.7 14 2CW113 2CW21J 18-1EQA01-11B 500 10.1 11.8 15 2CW109 2CW21GEQA01-12Z 500 11.2 13.1 15 2CW110 2CW21HEQA02-07B 400 6.66 7.01 20 2CW105 2CW21C 7A3EQA02-25A 500 24 25.5 2CW116 2CW21L 24-3TVSQA106SB 500 5.88 6.6 20 2CW104 2CW21BTVSQA111SB 500 10.4 11.6 10 2CW109 2CW21GTVSQA111SE 500 11 11.5 10 2CW109 2CW21G 11C2MA1130 1000 12.4 14.1 5 2CW111 2CW21HMA1330 500 31 35 25 2CW120 2CW21NM4030 500 2.9 3 5 2CW101 2CW21SuPC574JAG 200 31 35 25 2CW120 2CW21NRIMV 135 160 ZDW59恒流二极管主要参数型号恒定电流(ma) 起始电压Us(V) 动态电阻(MΩ) 耐压分档(UHV) 2DH00 ≤0.05 〈0.5 ≥8 A:≥202DH01 0.1±0.05 〈0.8 ≥82DH02 0.2±0.05 〈1.5 ≥52DH03 0.3±0.05 〈1.5 ≥5 B:≥302DH04 0.4±0.05 〈2 ≥2.52DH05 0.5±0.05 〈2 ≥2.52DH06 0.6±0.05 〈2 ≥2.5 C:≥402DH07 0.7±0.05 〈2 ≥1.52DH08 0.8±0.05 〈3 ≥1.52DH09 0.9±0.05 〈3 ≥1 D:≥502DH1 1±0.05 〈3 ≥12DH2 2±0.05 〈3 ≥0.52DH3 3±0.05 〈3.5 ≥0.42DH4 4±0.05 〈3.5 ≥0.32DH5 5±0.05 〈4.5 ≥0.252DH6 6±0.05 〈4.5 ≥0.152DH7 7±0.05 〈5 ≥0.15变容二极管主要参型号电容量（工作电压）电容比率工作频率最小值最大值303B 3~5p(25V) 18p(3V) 〉6 1000MHz2AC1 2p(25V) 27p(3V) 〉7 50MHz2CC1 3.6p(25V) 20p(3V) 4~6 50MHz2CB14 3p(25V) 18~30p(3V) 5~7 50MHz2CC-32 2.5p(25V) 25p(3V) 4.5 〉800MHzISV-101 12p(10V) 32p(2.5V) 2.4 100MHzAM-109 30p(9V) 460p(1V) 15 AMBB-112 17p(6V) 12p(3V) 1.8 AMISV-149 30p(8V) 540p(1V) 18 AMS-153 2.3p(9V) 16p(2V) 7 〉600MHzMV-209 11p(9V) 33p(1.5V) 3 UHFKV-1236 30p(8V) 540p(1V) 20 AMKV-1310 43p(8V) 93p(2V) 2.3 〉100MHzIS149 30p(8V) 540p(1V) 18 AMS208 2.7p(9V) 17p(4V) 〉4.5 〉900MHzMV2105 6p(9V) 22p(4V) 2.5 UHFDB300 6.8p(25V) 18p(3V) 1.8 50MHzBB112 10p(25V) 180p(3V) 〉16 AM快恢复二极管主要参数国外型号Vr(V) If(A) Ifsm(A) VF(V) Trr(us) Ir(ua) 适用机型代用型号ES1A 400 0.75 30 2.5 1.5 10 日立三洋CN08EEU1 400 0.35 15 2.5 0.4 10 东芝三洋2CZ34HEU01A 600 0.35 15 2.5 0.4 10 三洋CF03-06EU2 400 1 15 1.4 0.3 10 三洋CFR10-04EU2Z 200 1 15 1.4 0.3 10 三洋CFR10-02EU3A 600 1.5 20 1.5 0.4 10 三洋CFR15-06RC2 600 1 20 1.5 0.4 10 松下CRR02-20RU3 800 1.5 20 1.5 0.4 10 三菱CRF15-06S5295G 400 0.5 30 2 0.4 10 东芝CFR05-04S5295J 600 0.5 30 1.5 0.4 10 东芝CFR05-06RGP10 600 1 30 1.3 0.4 10 胜利夏普CFR10-06RU2 600 1 20 1.5 0.4 10 松下胜利NEC CFR10-06 TVSC2406SM1-02FRA 200 0.8 35 1 0.4 10 东芝CFR08-02TVR06 400 0.6 25 1.4 0.3 10 NEC CFR06-04V09 400 0.8 35 1.6 0.4 10 日立胜利2CZ305V09C 200 0.8 35 1.6 0.4 10 日立CFR08-02V11 日立2CZ306IS2471 60 0.15 1 0.8 0.03 10 三菱IS2096IS1553 70 0.1 1 1.4 ---- 0.5 东芝IS1553IS1555 35 0.1 1 1.4 ---- 0.5 东芝IS15553JH61 600 3 60 1.5 0.2 10 东芝CFR30-0611:21 | 阅读评论(1) | 固定链接 | 电器维修资料常用三极管参数MPSA42 NPN 21E 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA92 PNP 21E 电话视频放大300V 0.5A 0.625WMPS2222A NPN 21 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 9011 NPN EBC 高频放大50V 30mA 0.4W 150MHz9012 PNP 贴片低频放大50V 0.5A 0.625W9013 NPN EBC 低频放大50V 0.5A 0.625W9013 NPN 贴片低频放大50V0.5A0.625W9014 NPN EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ9015 PNP EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ9018 NPN EBC 高频放大30V50MA0.4W1GHZ8050 NPN EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ8550 PNP EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ2N2222 NPN 4A 高频放大60V0.8A0.5W25/200NSβ=452N2222A NPN 小铁高频放大75V0.6A0.625W300MHZ2N2369 NPN 4A 开关40V0.5A0.3W800MHZ2N2907 NPN 4A 通用60V0.6A0.4W26/70NSβ=2002N3055 NPN 12 功率放大100V15A115W2N3440 NPN 6 视放开关450V1A1W15MHZ2N3773 NPN 12 音频功放开关160V16A150W COP 2N6609 2N3904 NPN 21E 通用60V0.2Aβ=100-4002N3906 PNP 21E 通用40V0.2Aβ=100-4002N5401 PNP 21E 视频放大160V0.6A0.625W100MHZ2N5551 NPN 21E 视频放大160V0.6A0.625W100MHZ2N5685 NPN 12 音频功放开关60V50A300W2N6277 NPN 12 功放开关180V50A250W2N6609 PNP 12 音频功放开关160V15A150W COP 2N3773 2N6678 NPN 12 音频功放开关650V15A175W15MHZ2N6718 NPN 小铁音频功放开关100V2A2W50MHZ3DA87A NPN 6 视频放大100V0.1A1W3DG6A NPN 6 通用15V20mA0.1W100MHz3DG6B NPN 6 通用20V20mA0.1W150MHz3DG6C NPN 6 通用20V20mA0.1W250MHz3DG6D NPN 6 通用30V20mA0.1W150MHz3DG12C NPN 7 通用45V0.3A0.7W200MHz3DK2B NPN 7 开关30V30mA0.2W3DK4B NPN 7 开关40V0.8A0.7W3DK7C NPN 7 开关25V50mA0.3W3DD15D NPN 12 电源开关300V5A50W3DD102C NPN 12 电源开关300V5A50W3522V 5.2V稳压管录像机用A634 PNP 28E 音频功放开关40V2A10WA708 PNP 6 NF/S 80V0.7A0.8WA715C PNP 29 音频功放开关35V2.5A10W160MHZA733 PNP 21 通用50V0.1A180MHZA741 PNP 4 S 20V0.1A <70/120nSA781 PNP 39B 开关20V0.2A <80/160NSA928 PNP ECB 通用20V1A0.25WA933 PNP 21 Uni 50V0.1A140MHzA940 PNP 28 音频功放开关150V1.5A25W4MHZ /C2073A950 PNP 21 通用30V0.8A0.6WA966 PNP 21 音频激励输出30V1.5A0.9W COP:C2236A968 PNP 28 音频功放开关160V1.5A25W100MHZ /C2238 A1009 PNP BCE 功放开关350V2A15WA1012 PNP 28 音频功率放60V5A25WA1013 PNP 21 视频放大160V1A0.9WA1015 PNP 21 通用60V0.15A0.4W8MHZA1020 PNP 21 音频开关50V2A0.9WA1123 PNP 21 低噪放大150V0.05A0.75WA1162 PNP 21d 通用贴片50V0.15A0.15WA1216 PNP BCE 功放开关180V17A200W20MHZ /2922A1220 PNP 29 音频功放开关120V1.5A20W150MHZ/C2690 A1265 PNP BCE 功放开关140V10A100W30MHZ /C3182 A1295 PNP BCE 功放开关230V17A200W30MHZ /C3264 A1301 PNP BCE 功放开关160V10A100W30MHZ /C3280 A1302 PNP BCE 功放开关200V15A150W30MHZ /C3281 A1358 ? PNP 高频120V1A10W120MHZA1444 PNP BCE 高速电源开关100V15A30W80MHZA1494 PNP BCE 功放开关200V17A200W20MHZ /C3858 A1516 PNP BCE 功放开关180V12A130W25MHZA1668 PNP 28B 电源开关200V2A25W20MHZA1785 PNP BCE 驱动400V1A1W/120V1A0.9W140MHA1941 PNP BCE 功放开关140V10A100WCOP:5198A1943 PNP BCE 功放开关230V15A150W /C5200 原A1988 PNP 30 功放开关B449 PNP 12 功放开关50V3.5A22.5W 锗管B631K PNP 29 音频功放开关120V1A8W130MHZ /D600K B647 PNP 21 通用120V1A0.9W140MHZ /D667B649 PNP 29 视放180V1.5A1W /D669B669 PNP 28 达林顿功放70V4A40WB673 PNP 28 达林顿功放100V7A40WB675 PNP 28 达林顿功放60V7A40WB688 PNP BCE 音频功放开关120V8A80W /D718B734 PNP 39B 通用60V1A1W /D774B744 PNP 21 通用30V0.1A0.25WB772 PNP 29 音频功放开关40V3A10WB774 PNP 21 通用30V0.1A0.25WB817 PNP 30 功放开关160V12A100W /D1047B834 PNP 28 功放开关60V3A30WB937A PNP 功放开关60V2A35 DRALB1020 PNP 28 功放开关达林顿100V7A40Wβ=6000B1079 PNP 30 达林顿功放100V20A100Wβ=5000/D1559 B1185 PNP 28B 功放开关60V3A25W 70MHZ /D1762B1238 PNP ECB 功放开关80V0.7A1W 100MHZB1240 PNP 39B 功放开关40V2A1W100HZB1243 PNP 39B 功放开关40V3A1W70HZB1316 PNP 54B 驱动功放达林顿100V2A10Wβ=15000B1317 PNP BCE 音频功放180V15A150W COP:D1975B1335 PNP 28 音频功放低噪80V4A30W 12MHZB1375 PNP BCE 音频功放60V3A2W9MHZB1400 PNP 28B 达林顿功放120V6A25W β=1000-20000 B1429 PNP BCE 功放开关180V15A150WB1494 PNP BCE 达林顿功放120V25A120Wβ=2000-20000 C106 NPN EBC 音频功放开关60V1.5A15WC380 NPN 21 高频放大35V0.03A250MHZC458 NPN 21 通用30V0.1A230MHzC536 NPN 21 通用40V0.1A180MHZC752 NPN 21 通用30V0.1A300MHzC815 NPN 21 通用60V0.2A0.25WC828 NPN 21 通用45V0.05A0.25WC900 NPN 21 低噪放大30V0.03A100MHZC943 NPN 4A 通用60V0.2A200MHZC945 NPN 21 通用50V0.1A0.5W250MHZC1008 NPN 6 通用80V0.7A0.8W50MHZC1162 NPN 29 音频功放开关35V1.5A10WC1213 NPN 39B 监视器专用35V0.5A0.4WC1222 NPN 21 低噪放大60V0.1A100MHZC1494 ? NPN 40A 发射36V6A PQ=40W/175MHZC1507 NPN 28 视放300V0.2A15WC1674 NPN 21 HF/ZF 30V0.02A600MHzC1815 NPN 21 通用60V0.15A0.4W8MHZC1855 NPN 21f HF/ZF 20V0.02A550MHzC1875 NPN 12 彩行1500V3.5A50WC1906 NPN 21 高频放大30V0.05A1000MHZC1942 NPN 12 彩行1500V3A50WC1959 NPN 21 通用30V0.4A0.5W300MHzC1970 NPN 28 手机发射40V0.6A PQ=1.3W/175MHZC1971 NPN 28A 手机发射35V2.0A PQ=7.0W/175MHZC1972 NPN 28A 手机发射35V3.5A PQ=15W/175MHZC2012 NPN 21 HF 30V0.03A200MHZC2027 NPN 12 行管1500V5A50WC2036C2068 NPN 28E 视频放大300V0.05A1.5W80MHZC2073 NPN 28 功率放大150V1.5A25W4MHZ /A940C2078 NPN 28 音频功放开关80V3A10W150MHZC2120 NPN 21 通用30V0.8A0.6WC2228 NPN 21 视频放大160V0.05A0.75WC2230 NPN 21 视频放大200V0.1A0.8WC2233 NPN 28 音频功放开关200V4A40WC2236 NPN 21 通用30V1.5A0.9W /A966C2238 NPN 28 音频功放开关160V1.5A25W100MHZ /A968 C2320 NPN 21 通用50V0.2A0.3W200MHZC2335 NPN 28 视频功放500V7A40WC2373 NPN 28 功放200V7.5A40WC2383 NPN 21 视频开关160V1A0.9W /A1015C2443 NPN 大铁功放开关600V50A400WC2481 NPN 29 音频功放开关150V1.5A20WC2482 NPN 21 视频放大300V0.1A0.9WC2500 NPN 21 通用30V2A0.9W150MHZC2594 NPN 29 音频功放开关40V5A10WC2611 NPN 29 视频放大300V0.1A1.25WC2625 NPN 30 音频功放开关450V10A80WC2682 NPN 29 NF/Vid 180V0.1A8WC2688 NPN 29 视放管300V0.2A10W80MHZC2690 NPN 29 音频功放开关120V1.2A20W150MHZ/A1220P C2751 NPN BCE 电源开关500V15A120Wβ=40C2837 NPN 30 音频功放开关150V10A100WC2898 NPN 28 音频功放开关500V8A50WC2922 NPN 43 音频功放开关180V17A200W50MHZ /A1216 C3026 NPN 12 开关管1700V5A50Wβ=20C3030 NPN BCE 开关管达林顿900V7A80Wβ=15C3039 NPN 28 电源开关500V7A50Wβ=40C3058 NPN 12 开关管600V30A200W β=15C3148 NPN 28 电源开关900V3A40Wβ=15C3150 NPN 28 电源开关900V3A50Wβ=15C3153 NPN 30 电源开关900V6A100Wβ=15C3182 NPN 30 功放开关140V10A100Wβ=95/A1265C3198 NPN 21 高频放大60V0.15A0.4W130MHZC3262 NPN BCE 达林顿功放800V10A100WC3264 NPN BCE PA功放开关230V17A200Wβ=170/A1295 C3280 NPN 30 音频功放开关160V12A120Wβ=100C3281 NPN 30 音频功放开关200V15A150W30MHZβ=100 C3300 NPN 30 音频功放开关100V15A100W β=600C3310 NPN 28C 电源开关500V5A40W β= 20C3320 NPN 28C 电源开关500V15A80W β= 15C3355 NPN 21F 高频放大20V0.1A6500MHZC3358 NPN 40B 高频放大20V0.1A7000MHZC3457 NPN BCE 电源开关1100V3A50Wβ=12C3460 NPN BCE 电源开关1100V6A100Wβ=12C3466 NPN BCE 电源开关1200V8A120Wβ=10C3505 NPN 28B 电源开关900V6A80W β=20C3527 NPN BCE 电源开关500V15A100Wβ=13C3528 NPN BCE 电源开关500V20A150Wβ=13C3595 NPN 29 射频30V0.5A1.2Wβ=90C3679 NPN BCE 电源开关900V5A100W6MHZC3680 NPN BCE 电源开关900V7A120W6MHZC3688 NPN BCE 彩行1500V10A150WC3720 NPN BCE 彩行1200V10A200WC3783 NPN BCE 高压高速开关900V5A100W 黄河21"C3795 NPN BCE 高压高速开关900V5A2W8MHzC3807 NPN BCE 低噪放大30V2A1.2W260MHZC3858 NPN BCE 功放开关200V17A200W20MHZ /A1494 C3866 NPN BCE 高压高速开关900V3A40WC3873 NPN BCE 高压高速开关500V12A75W30MHZC3886 NPN BCE 开关,行管1400V8A50W8MHZC3893 NPN 28B 行管1400V8A50W8MHZC3907 NPN 28B 功放开关180V12A130W30MHZC3953 NPN 29 视放120V0.2A1.3W 4000MHZC3987 NPN 28 达林顿50V3A20W β=1000C3995 NPN BCE 行管1500V12A180W 34寸C3997 NPN BCE 行管1500V15A250WC3998 NPN BCE 行管1500V25A250WC4024 NPN BCE 功放开关100V10A35W 24MHZC4038 NPN BCE 门电路50V0.1A0.3W180MHZC4059 NPN BCE 高速开关600V15A130W 0.5/2.2USC4106 NPN BCE 电源开关500V7A50W20MHZ?C4111 NPN BCE 开关行管1500V10A150WC4119 NPN BCE 微波炉开关1500V15A250WC4231 NPN 50C 音频功放800V2A30WC4237 NPN BCE 高压高速开关1000V8A120W30MHZC4242 NPN BCE 高压高速开关450V7A40WC4288 NPN BCE 行管1400V12A200W8MHZC4297 NPN BCE 电源开关500V12A75W10MHZC4517 NPN BCE 音频功放550V3A30W6MHZC4532 NPN BCEC4582 NPN 28b 电源开关600V15A75W20MHZON4673 NPN BCEON4873 NPN BCEC4706 NPN BCE 电源开关900V14A130W6MHzC4742 NPN 46 彩行1500V6A50W(带阻尼)C4745 NPN 46 彩行1500V6A50WC4747 NPN 46 彩行1500V10A50WC4769 NPN BCE 微机行管1500V7A60W(带阻尼)C4913 NPN BCE 大屏视放管2000V0.2A35WC4924 NPN BCE 音频功放800V10A70WC4927 NPN BCE 行管1500V8A50WC4927 NPN BCE SONY29"行管1500V8A50W 原装C4941 NPN BCE 行管1500V6A65W 500/380NSC4953 NPN BCE 500V2A25WC5020 NPN BCE 彩行1000V7A100WC5068 NPN BCE 彩行1500V10A50WC5086 NPN BCE 彩行1500V10A50WC5088 NPN BCE 彩行1500V10A50WC5129 NPN BCE 彩显行管1500V8A50W(带阻)C5132 NPN BCE 彩行1500V16A50WC5144 NPN BCE 大屏彩行1700V20A200WC5148 NPN BCEC5149 NPN BCE 高速高频行管1500V8A50W(带阻)C5198 NPN BCE 功放开关140V10A100WC5200 NPN BCE 功放开关230V15A150W /A1943 原C5207 NPN BCE 彩行1500V10A50W 原C5243 NPN BCE 彩行1700V15A200W 原C5244 NPN BCE 彩行1700V15A200WC5249 NPN BCEC5250 NPN BCE 开关1000V7A100W 原C5251 NPN BCE 彩行1500V12A50W 原C5252 NPN BCE 彩行1500V15A100W 原C5294 NPN BCEC5296 NPN BCE 开关管25"--34"大屏彩显电源管C5297 NPN BCE 开关管25"--34"大屏彩显电源管C5331 NPN BCE 大屏彩显行管1500V15A180WC5423 NPN BCED40C NPN ECB 对讲机用40V0.5A40W75MHZ(达林顿) D325 NPN BCE 功放开关50V3A25WD385 NPN 11 达林顿功放100V7A30WD400 NPN 21 通用25V1A0.75WD415 NPN 29 音频功放开关120V0.8A5WD438 NPN 21 通用500V1A0.75W100MHzD547 NPN 大铁功放开关600V50A400WD560 NPN BCE 达林顿功放150V5A30WD600K NPN 29 音频功放开关120V1A8W130MHZ/B631K D637 NPN 39E 通用60V0.1A150MHZ ****D667 NPN 21 视频放大120V1A0.9W140MHZ/B647D669 NPN 29 视频放大180V1.5A1W140MHZ/D669D718 NPN 30 音频功放开关120V8A80W /B668D774 NPN 39B 通用100V1A1W /B734D789 NPN 21 音频输出100V1A0.9WD820 NPN 12 彩行1500V5A50WD870 NPN 12 彩行1500V5A50W RRRRD880 NPN 28 音频功放开关60V3A10WD882 NPN 29 音频功放开关40V3A30WD884 NPN 28 音频功放开关330V7A40WD898 NPN 12 彩行1500V3A50WD951 NPN 12 彩行1500V3A65WD965 NPN 21 音频40V5A0.75WD966 NPN 21 音频40V5A1WD985 NPN 29 功放150V1.5A10WD986 NPN 29 功放150V1.5A10WD1025 NPN 28 达林顿功放200V8A50WD1037 NPN BCE 音频功放开关150V30A180WD1047 NPN 30 音频功放开关160V12A100W /B817D1071 NPN 28 功放300V6A40W DRA-LD1163A NPN 28 行偏转用350V7A40W60MHzD1175 NPN 12 行偏转用1500V5A100W β=15 原D1273 NPN 28 音频功放80V3A40W50MHZβ=1500D1302 NPN 21 音频25V0.5A0.5W200MHZD1397 NPN BCE 开关1500V3.5A50W3MHzD1398 NPN BCE 开关1500V5A50W3MHzD1403 NPN 28B 彩行1500V6A120WD1403 NPN 28B 彩行1500V6A120W 原D1415 NPN 28B 功放电源开关100V7A40Wβ=6000达林顿D1416 NPN 28B 功放电源开关80V7A40Wβ=6000(达林顿) D1426 NPN 28B 彩行1500V3.5A80Wβ=12 RRRRRD1427 NPN 28B 彩行1500V5A80Wβ=12 RRRRRD1428 NPN 28B 彩行1500V6A80Wβ=12 RRRRD1431 NPN 28B 彩行1500V5A80Wβ=20D1433 NPN 28B 彩行1500V7A80Wβ=20D1439 NPN BCE 彩行1500V3A80Wβ=8D1541 NPN 28B 彩行1500V3A80Wβ=20D1545 NPN 28B 彩行1500V5A50Wβ=20D1547 NPN BCE 彩行1500V7A80Wβ=20D1554 NPN BCE 彩行1500V3.5A80Wβ=12D1555 NPN BCE 彩行1500V5A80Wβ=12D1556 NPN BCE 彩行1500V6A80Wβ=12D1559 NPN BCE 达林顿功放100V20A100Wβ=5000/B1079 D1590 NPN 28 达林顿功放150V8A25W β=15000D1632 NPN 28B 彩行1500V4A70WD1640 NPN 29 达林顿功放120V2A1.2W β=4000-40000D1651 NPN SP 彩行1500V5A60W3MHZD1710 NPN BCE 彩行1500V5A50WD1718 NPN 28C 音频功放180V15A3.5W20MHZD1762 NPN BCE 音频功放开关60V3A25W90MHZ /B1185 D1843 NPN BCE 低噪放大50V1A1WD1849 NPN 50A 彩行1500V7A120WD1850 NPN 50A 彩行1500V7A120WD1859 NPN 50A 音频80V0.7A1W120MHZD1863 NPN 50A 音频120V1A1W100MHZD1877 NPN 30 彩行1500V4A50W(带阻尼)D1879 NPN 30 彩行1500V6A60W(带阻尼)D1887 NPN 30 彩行1500V10A70WD1930 NPN 21 达林顿达林顿100V2A1.2Wβ=1000D1975 NPN 53A 音频功放180V15A150W COP:B1317D1978 NPN 21 达林顿120V1.5A0.9Wβ=30000D1980 NPN 61B 达林顿100V2A10Wβ=1000-10000D1981 NPN ECB 达林顿100V2A1WD1993 NPN 45B 音频低噪55V0.1A0.4WD1994A NPN ECB 音频驱动60V1A1WD1997 NPN 45B 激励管40V3A1.5W100MHZD2008 NPN ECB 音频功放80V1A1.2WD2012 NPN BCE 音频功放60V3A2W3MHZD2136 NPN ECB 功放80V1A1.2WD2155 NPN 53A 音频功放180V15A150WD2256 NPN 46 达林顿功放120V25A125Wβ=2000-20000 D2334 NPN 28B 彩行1500V5A80WD2335 NPN BCE 彩行1500V7A100WD2349 NPN BCE 大屏彩显行管D2374 NPN BCED2375 NPN BCED2388 NPN EBC 达林顿90V3A1.2WD2445 NPN BCE 彩行1500V12.5A120WD2498 NPN BCE 彩行1500V6A50WD2588 NPN BCE 点火器用DK55 NPN BEC 开关400V4A60WBC307 PNP 21a 通用50V0.2A0.3WBC327 PNP CBE 低噪音频50V0.8A0.625W COM BC337 BC337 NPN 21a 音频激励低噪50V0.8A0.625W COM BC327 BC338 NPN 21a 通用激励50V0.8A0.6BC546 NPN 21a 通用80V0.2A0.5WBC547 NPN CBE 通用50V0.2A0.5W300MHZBD135 NPN 29 音频功放45V1.5A12.5WBD136 PNP 29 音频功放45V1.5A12.5WBD137 NPN 29 音频功放60V1.5A12.5WBD138 PNP 29 音频功放60V1.5A12.5WBD139 PNP 29 音频功放80V1.5A12.5WBD237 NPN 29 音频功放100V2A25WBD238 PNP 29 音频功放100V2A25WBD243 NPN 28 音频功放45V6A65WBD244 PNP 28 音频功放45V6A65WBD681 NPN 29 达林顿功放100V4A40WBD682 NPN 29 达林顿功放100V4A40WBF458 NPN 29 视放250V0.1A10WBU208A NPN 12 彩行1500V5A12.5WBU208D NPN 12 彩行1500V5A12.5W (带阻尼)BU323 NPN 28 达林顿功放450V10A125WBU406 NPN 28 行管400V7A60WBU508A NPN 28 行管1500V7.5A75WBU508A NPN 28 行管1500V7.5A75W 原BU508D NPN 28 行管1500V7.5A75W (带阻尼)BU806 NPN 28 功放400V8A60W DAR-LBU932R NPN 12 功放500V15A150W DAR-LBU941 NPN 12BU1508DX NPN 28 开关功放BU2506DX NPN 30 开关功放1500V7A50W /600NSBU2508AF NPN 30 开关功放700V8A125W /600NSBU2508AX NPN 30 开关功放700V8A125W /600NSBU2508DF NPN 30 开关功放700V8A125W/600NS(带阻尼) BU2508DX NPN 30 开关功放1500V8A50W/600NS(带阻尼) BU2520AF NPN 30 开关功放800V10A150W 1/500NSBU2520AX NPN 30 开关功放1500V10A150W 1/500NS BU2520DF NPN 30 开关功放800V10A150W1/500NS(带阻) BU2520DX NPN 30 开关功放1500V10A50W/600NS (带阻) BU2522AF NPN 30 开关功放1500V11A150W /350NSBU2522AX NPN 30 开关功放1500V11A150W /350NSBU2525AF NPN 30 开关功放1500V12A150W /350NSBU2525AX NPN 30 开关功放1500V12A150W /350NSBU2527AF NPN 30 开关功放1500V15A150WBU2532AW NPN 30 开关功放1500V15A150W(大屏)BUH515 NPN BCE 行管1500V10A80WBUH515D NPN BCE 行管1500V10A80W(带阻尼)BUS13A NPN 12 开关功放1000V15A175WBUS14A NPN 12 开关功放1000V30A250WBUT11A NPN 28 开关功放1000V5A100WBUT12A NPN 28 开关功放450V10A125WBUV26 NPN 28 音频功放开关90V14A65W /250nsBUV28A NPN 28 音频功放开关225V10A65W /250nsBUV48A NPN 30 音频功放开关450V15A150WBUW13A NPN 30 功放开关1000V15A150WBUX48 NPN 12 功放开关850V15A125WBUX84 NPN 30 功放开关800V2A40WBUX98A NPN 12 功放开关400V30A210W5MHZDTA114 PNP 10K-10K 160V0.6A0.625W(带阻)DTC143 NPN 录像机用4.7K-4.7KHPA100 NPN BCE 大屏彩显行管21#HPA150 NPN BCE 大屏彩显行管21#HSE830 PNP BCE 音频功放80V115W1MHZHSE838 NPN BCE 音频功放80V115W1MHZ COP/MJ4502MN650 NPN BCE 行管1500V6A80WMJ802 NPN 12 音频功放开关90V30A200WMJ2955 PNP 12 音频功放开关60V15A115WMJ3055 NPN 12 音频功放开关60V15A115WMJ4502 PNP 12 音频功放开关90V30A200W COP/MJ802MJ10012 NPN 12 达林顿400V10A175WMJ10015 NPN 12 电源开关400V50A200WMJ10016 NPN 12 电源开关500V50A200WMJ10025 12 电源开关850V20A250WMJ11032 NPN 12 电源开关120V50A300W DAR-LMJ11033 PNP 12 电源开关120V50A300W DAR-LMJ13333 NPN 12 电源开关400V20A175WMJ15024 NPN 12 音频功放开关400V16A250W4MHZ(原25.00) MJ15025 PNP 12 音频功放开关400V16A250W4MHZ(原25.00) MJE271 PNP 29 达林顿MJE340 NPN 29 视放300V0.5A20WMJE350 PNP 29 视放300V0.5A20WMJE2955T PNP BCE 音频功放开关60V1075W2MHZMJE3055T NPN BCE 音频功放开关70V1075W2MHZMJE5822 PNP BCE 音频功放开关500V8AMJE9730 NPN BCEMJE13003 NPN 29 功放开关400V1.5A14WMJE13005 NPN 28 功放开关400V4A60WMJE13007 NPN 28 功放开关1500V2.5A60WSE800TIP31C NPN BCE 功放开关100V3A40W3MHZTIP32C PNP BCE 功放开关100V3A40W3MHZTIP35C NPN 30 音频功放开关100V25A125W3MHZTIP36C PNP 30 音频功放开关100V25A125W3MHZTIP41C NPN 30 音频功放开关100V6A65W3MHZTIP42C PNP 30 音频功放开关100V6A65W3MHZTIP102 NPN 28 音频功放开关100V8A2WTIP105 28 音频功放开关TIP122 NPN 28 音频功放开关100V8A65W DARLTIP127 PNP 28 音频功放开关100V8A65W DARLTIP137 PNP 28 音频功放开关100V8A70W DARLTIP142 NPN 30 音频功放开关100V10A125W DAR-LTIP142大NPN 30 音频功放开关100V10A125W DAR-L TIP147 PNP 30 音频功放开关100V10A125W DAR-L 0 TIP147大PNP 30 音频功放开关100V10A125W DAR-L 0 TIP152 电梯用TL431 21 电压基准源UGN3120 SGO 霍尔开关UGN3144 SGO 霍尔开关60MIAL1 电磁/微波炉1000V60A300WT30G40 NPN BCE 大功率开关管400V30A300W5609 COML:56105610 COML:56099626 NPN 21 通用。
2N5401RLRP中文资料
2N5400, 2N5401Preferred DeviceAmplifier TransistorsPNP SiliconFeatures•Pb−Free Packages are Available*MAXIMUM RATINGSRating Symbol2N54002N5401Unit Collector − Emitter Voltage V CEO120150Vdc Collector − Base Voltage V CBO130160Vdc Emitter − Base Voltage V EBO 5.0Vdc Collector Current − Continuous I C600mAdcT otal Device Dissipation @ T A = 25°C Derate above 25°C P D6255.0mWmW/°CT otal Device Dissipation @ T C = 25°C Derate above 25°CP D1.512WattsmW/°COperating and Storage JunctionT emperature RangeT J, T stg−55 to +150°CMaximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not nor-mal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are ex-ceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and reli-ability may be affected.THERMAL CHARACTERISTICSCharacteristic Symbol Max Unit Thermal Resistance,Junction−to−AmbientR q JA200°C/WThermal Resistance, Junction−to−Case R q JC83.3°C/W2N540xAYWW GGA= Assembly LocationY= YearWW= Work WeekG= Pb−Free Package(Note: Microdot may be in either location)MARKING DIAGRAMTO−92CASE 29STYLE 1Preferred devices are recommended choices for future useand best overall value.See detailed ordering and shipping information in the packagedimensions section on page 5 of this data sheet.ORDERING INFORMATION*For additional information on our Pb−Free strategyand soldering details, please download theON Semiconductor Soldering and MountingT echniques Reference Manual, SOLDERRM/D.ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)Characteristic Symbol Min Max Unit OFF CHARACTERISTICSCollector−Emitter Breakdown Voltage(1)(I C = 1.0 mAdc, I B = 0)2N54002N5401V(BR)CEO120150−−VdcCollector−Base Breakdown Voltage(I C = 100 m Adc, I E = 0)2N54002N5401V(BR)CBO130160−−VdcEmitter−Base Breakdown Voltage(I E = 10 m Adc, I C = 0)V(BR)EBO 5.0−VdcCollector Cutoff Current(V CB = 100 Vdc, I E = 0)2N5400 (V CB = 120 Vdc, I E = 0)2N5401 (V CB = 100 Vdc, I E = 0, T A = 100°C)2N5400 (V CB = 120 Vdc, I E = 0, T A = 100°C)2N5401I CBO−−−−1005010050nAdcm AdcEmitter Cutoff Current(V EB = 3.0 Vdc, I C = 0)I EBO−50nAdc ON CHARACTERISTICS (Note 1)DC Current Gain(I C = 1.0 mAdc, V CE = 5.0 Vdc)2N54002N5401 (I C = 10 mAdc, V CE = 5.0 Vdc)2N54002N5401 (I C = 50 mAdc, V CE = 5.0 Vdc)2N54002N5401h FE305040604050−−180240−−−Collector−Emitter Saturation Voltage (I C = 10 mAdc, I B = 1.0 mAdc)(I C = 50 mAdc, I B = 5.0 mAdc)V CE(sat)−−0.20.5VdcBase−Emitter Saturation Voltage (I C = 10 mAdc, I B = 1.0 mAdc) (I C = 50 mAdc, I B = 5.0 mAdc)V BE(sat)−−1.01.0VdcSMALL−SIGNAL CHARACTERISTICSCurrent−Gain — Bandwidth Product(I C = 10 mAdc, V CE = 10 Vdc, f = 100 MHz)2N54002N5401f T100100400300MHzOutput Capacitance(V CB = 10 Vdc, I E = 0, f = 1.0 MHz)C obo− 6.0pFSmall−Signal Current Gain(I C = 1.0 mAdc, V CE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)2N54002N5401h fe3040200200−Noise Figure(I C = 250 m Adc, V CE = 5.0 Vdc, R S = 1.0 k W, f = 1.0 kHz)NF−8.0dB 1.Pulse T est: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2.0%.Figure 1. DC Current GainI C , COLLECTOR CURRENT (mA)30100150h , C U R R E N T G A I NF E 7050Figure 2. Collector Saturation RegionI B , BASE CURRENT (mA)1.00.10.5 2.0100.21.05.020500.90.80.70.60.50.40.30.20.100.0050.010.020.05Figure 3. Collector Cut−Off RegionV BE , BASE−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)V C E , C O L L E C T O R −E M I T T E R V O L T A G E (V OL T S ), C O L L E C T O R C U R R E N T ( A )μI C 1030.10.30.210210110010−110−210−300.10.20.30.40.50.60.7Figure 4. “On” Voltages I C , COLLECTOR CURRENT (mA)0.40.60.71.00.2Figure 5. Temperature CoefficientsI C , COLLECTOR CURRENT (mA)V , V O L T A G E (V O L T S )2.50.5102050100C , C A P A C I T A N C E (p F )100Figure 6. Switching Time Test Circuit V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)0.90.80.50.30.10.330V , T E M P E R A T U R E C O E F F I C I E N T (m V /C )°θFigure 7. CapacitancesoutValues Shown are for I C @ 10 mA 0.51020501000.3302.01.51.00.50−0.5−1.0−1.5−2.0−2.51.02.03.05.07.010********t , T I M E (n s )100010020030050070010203050700.510200.33050100200I C , COLLECTOR CURRENT (mA)Figure 8. Turn−On Time t , T I M E (n s )20001002003005007002030700.20.51.02.0 5.010200.3 3.03050100200I C , COLLECTOR CURRENT (mA)Figure 9. Turn−Off Time1000ORDERING INFORMATIONDevice Package Shipping†2N5400TO−925000 Unit / Bulk5000 Unit / Bulk2N5400G TO−92(Pb−Free)2N5400RLRP TO−922000 T ape & Reel2000 T ape & Reel2N5400RLRPG TO−92(Pb−Free)2N5401TO−925000 Unit / Bulk5000 Unit / Bulk2N5401G TO−92(Pb−Free)2N5401RL1TO−922000 T ape & Reel2000 T ape & Reel2N5401RL1G TO−92(Pb−Free)2N5401RLRA TO−922000 T ape & Reel2000 T ape & Reel2N5401RLRAG TO−92(Pb−Free)2N5401RLRM TO−922000 T ape & Ammo Box2000 T ape & Ammo Box2N5401RLRMG TO−92(Pb−Free)2N5401ZL1TO−922000 T ape & Ammo Box2N5401ZL1G TO−922000 T ape & Ammo Box(Pb−Free)†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our T ape and Reel Packaging Specifica-tions Brochure, BRD8011/D.PACKAGE DIMENSIONSSTYLE 1:PIN 1.EMITTER2.BASE3.COLLECTORTO−92CASE 29−11ISSUE ALNOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.2.CONTROLLING DIMENSION: INCH.3.CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION R IS UNCONTROLLED.4.LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P AND BEYOND DIMENSION K MINIMUM.PLANEDIMMIN MAX MIN MAX MILLIMETERSINCHES A 0.1750.205 4.45 5.20B 0.1700.210 4.32 5.33C 0.1250.165 3.18 4.19D 0.0160.0210.4070.533G 0.0450.055 1.15 1.39H 0.0950.105 2.42 2.66J 0.0150.0200.390.50K 0.500−−−12.70−−−L 0.250−−− 6.35−−−N 0.0800.105 2.04 2.66P −−−0.100−−− 2.54R 0.115−−− 2.93−−−V0.135−−−3.43−−−ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body,or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees,subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part.SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.PUBLICATION ORDERING INFORMATION。
2N5401中文资料
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
ICBO
IEBO hFE
VCEsat
Cc fT F
collector cut-off current
IE = 0; VCB = −120 V
−
IE = 0; VCB = −120 V; Tamb = 100 °C
−
emitter cut-off current
OUTLINE
VERSION
IEC
REFERENCES
JEDEC
EIAJ
EUROPEAN PROJECTION
SOT54
TO-92
SC-43
ISSUE DATE 97-02-28
1999 Apr 08
5
元器件交易网
Philips Semiconductors
PNP high-voltage transistor
IC = 0; VEB = −4 V
−
DC current gain
IC = −1 mA; VCE = −5 V; see Fig.2
50
IC = −10 mA; VCE = −5 V; see Fig.2
60
IC = −50 mA; VCE = −5 V; see Fig.2
50
collector-emitter saturation voltage IC = −10 mA; IB = −1 mA
IC mA
−103
1999 Apr 08
4
元器件交易网
Philips Semiconductors
PNP high-voltage transistor
FOSAN富信电子 三级管 2N5401-产品规格书
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.2N5401 TO-92Bipolar Transistor双极型三极管▉Features特点PNP High Voltage高压▉Absolute Maximum Ratings最大额定值Characteristic特性参数Symbol符号Rat额定值Unit单位Collector-Base Voltage集电极基极电压V CBO-160V Collector-Emitter Voltage集电极发射极电压V CEO-150V Emitter-Base Voltage发射极基极电压V EBO-5V Collector Current集电极电流I C-600mA Power dissipation耗散功率P C(T a=25℃)625mW Thermal Resistance Junction-Ambient热阻RΘJA200℃/WJunction and Storage TemperatureT J,T stg-55to+150℃结温和储藏温度■Device Rank产品分档Rank档位A BH FE(2)Range100-200200-300ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.2N5401■ElectricalCharacteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号Min 最小值Type 典型值Max 最大值Unit 单位Collector-Base Breakdown V oltage集电极基极击穿电压(I C =-100µA ，I E =0)BV CBO -160——V Collector-Emitter Breakdown Voltage集电极发射极击穿电压(I C =-1mA ，I B =0)BV CEO -150——V Emitter-Base Breakdown V oltage发射极基极击穿电压(I E =-10µA ，I C =0)BV EBO -5——V Collector-Base Leakage Current集电极基极漏电流(V CB =-160V ，I E =0)I CBO ——-100nA Collector-Emitter Leakage Current集电极发射极漏电流(V CE =-120V ，I B =0)I CEO ——-100nA Emitter-Base Leakage Current发射极基极漏电流(V EB =-5V ，I C =0)I EBO ——-100nADC Current Gain直流电流增益(V CE =-5V ，I C =-1mA)H FE (1)80——DC Current Gain直流电流增益(V CE =-5V ，I C =-10mA)H FE (2)100—300DC Current Gain直流电流增益(V CE =-5V ，I C =-100mA)H FE (3)50——Collector-Emitter Saturation Voltage集电极发射极饱和压降(I C =-10mA ，I B =-1mA)(I C =-50mA ，I B =-5mA)V CE(sat)——-0.2-0.5VBase-Emitter Saturation V oltage基极发射极饱和压降(I C =-10mA ，I B =-1mA)(I C =-50mA ，I B =-5mA)V BE(sat)——-1-1V Transition Frequency特征频率(V CE =-5V ，I C =-10mA)f T 100——MH Z Output Capacitance输出电容(V CB =-5V ，I E =0,f=1MH Z )C ob—6—pFANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.2N5401■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.2N5401■Dimension外形封装尺寸。
2N5401中文资料_数据手册_参数
2N5401中⽂资料_数据⼿册_参数DATA SHEETProduct speci?cationSupersedes data of 1997 May 221999Apr 08DISCRETE SEMICONDUCTORS2N5401PNP high-voltage transistorbook, halfpageM3D186PNP high-voltage transistor2N5401FEATURESLow current (max. 300mA)High voltage (max. 150V).APPLICATIONSGeneral purpose switching and amplification Telephony applications.DESCRIPTIONPNP high-voltage transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. NPN complement: 2N5551.PINNING PIN DESCRIPTION1collector2base3emitterFig.1Simplified outline (TO-92; SOT54)and symbol.handbook, halfpage132MAM280123LIMITING VALUESIn accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC134).SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN.MAX.UNIT V CBO collector-base voltage open emitter??160V V CEO collector-emitter voltage open base??150VV EBO emitter-base voltage open collector??5VI C collector current (DC)??300mAI CM peak collector current??600mAI BM peak base current??100mAP tot total power dissipation T amb≤25°C?630mWT stg storage temperature?65+150°CT j junction temperature?150°CT amb operating ambient temperature?65+150°CPNP high-voltage transistor2N5401THERMAL CHARACTERISTICS Note1.Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.CHARACTERISTICST amb =25°C unless otherwise speci?ed.SYMBOL PARAMETERCONDITIONS VALUE UNIT R th j-a thermal resistance from junction to ambientnote 1200K/WSYMBOL PARAMETERCONDITIONSMIN.MAX.UNIT I CBO collector cut-off current I E =0; V CB =?120V50nA I E =0; V CB =?120V; T amb =100°C 50µA I EBO emitter cut-off current I C =0; V EB =?4V50nAh FEDC current gainI C =?1mA; V CE =?5V; see Fig.250?I C =?10mA; V CE =?5V; see Fig.260240I C =?50mA; V CE =?5V; see Fig.250?V CEsat collector-emitter saturation voltage I C =?10mA; I B =?1mA200mV I C =?50mA; I B =?5mA500mV C c collector capacitance I E =i e =0; V CB =?10V; f =1MHz ?6pF f T transition frequency I C =?10mA; V CE =? 10V; f =100MHz 100300MHz Fnoise ?gureI C =?200µA; V CE =?5V; R S =2k ?;f =10Hz to 15.7kHz8pFPNP high-voltage transistor 2N5401Fig.2 DC current gain; typical values.handbook, full pagewidth015020050100MGD813101110102103h FEI C mAV CE = ?5 VPNP high-voltage transistor2N5401PACKAGE OUTLINEUNIT A REFERENCESOUTLINE VERSION EUROPEAN PROJECTIONISSUE DATE IECJEDEC EIAJ mm5.25.0b 0.480.40c 0.450.40D 4.84.4d 1.71.4E 4.23.6L 14.512.7e 2.54e 11.27L 1(1)2.5b 10.660.56DIMENSIONS (mm are the original dimensions)Note1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities. SOT54SC-4397-02-28AL0 2.5 5 mmscalebcDb 1L 1dE Plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leadsSOT54e 1e123PNP high-voltage transistor2N5401DEFINITIONSData sheet statusObjective speci?cation This data sheet contains target or goal speci?cations for product development. Preliminary speci? cation This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later. Product speci?cation This data sheet contains ?nal product speci?cations.Limiting valuesLimiting values given are in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one or more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and operation of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of the speci?cation is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.Application informationWhere application information is given, it is advisory and does not form part of the speci?cation.LIFE SUPPORT APPLICATIONSThese products are not designed for use in life support appliances, devices, or systems where malfunction of these products can reasonably be expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products for use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting from such improper use or sale.PNP high-voltage transistor2N5401Internet: /doc/eacdd8a926d3240c844769eae009581b6ad9bdd4.htmlPhilips Semiconductors – a worldwide companyPhilips Electronics N.V. 1999SCA63All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner.The information presented in this document does not form part of any quotation or contract, is believed to be accurate and reliable and may be changed without notice. No liability will be accepted by the publisher for any consequence of its use. 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PHILIPS Pty Ltd., 195-215Main Road Martindale,2092JOHANNESBURG, P.O.Box 7430 Johannesburg 2000,Tel.+27114705911,Fax.+27114705494South America: Al.Vicente Pinzon,173, 6th floor,04547-130S?O PAULO,SP, Brazil,Tel.+55118212333,Fax.+55118212382Spain: Balmes 22, 08007BARCELONA,Tel.+34933016312,Fax.+34933014107Sweden: Kottbygatan 7, Akalla, S-16485STOCKHOLM,Tel.+46859852000,Fax.+46859852745Switzerland: Allmendstrasse 140, CH-8027ZüRICH,Tel.+4114882741Fax.+4114883263Taiwan: Philips Semiconductors, 6F, No.96, Chien Kuo N.Rd.,Sec.1,TAIPEI, TaiwanTel.+886221342886,Fax.+886221342874Thailand: PHILIPS ELECTRONICS (THAILAND) Ltd.,209/2Sanpavuth-Bangna Road Prakanong, BANGKOK 10260,Tel.+6627454090,Fax.+6623980793Turkey: Talatpasa Cad. No.5, 80640GüLTEPE/ISTANBUL,Tel.+902122792770,Fax.+902122826707Ukraine : PHILIPS UKRAINE, 4Patrice Lumumba str., Building B, Floor 7,252042KIEV, Tel.+380442642776, Fax.+380442680461United Kingdom: Philips Semiconductors Ltd., 276Bath Road, Hayes,MIDDLESEX UB35BX,Tel.+441817305000,Fax.+441817548421United States: 811East Arques Avenue, SUNNYVALE, CA 94088-3409,Tel.+18002347381, Fax.+18009430087Uruguay: see South AmericaVietnam: see SingaporeYugoslavia: PHILIPS, Trg N. Pasica 5/v, 11000BEOGRAD,Tel.+38111625344,Fax.+38111635777For all other countries apply to: Philips Semiconductors,International Marketing &Sales Communications,Building BE-p, P.O.Box 218,5600MD EINDHOVEN, The Netherlands,Fax.+31402724825Argentina: see South AmericaAustralia: 34 Waterloo Road, NORTH RYDE, NSW 2113,Tel.+61298054455,Fax.+61298054466Austria:Computerstr. 6, A-1101 WIEN, P.O. Box 213,Tel.+431601011248, Fax.+431601011210Belarus: Hotel Minsk Business Center, Bld.3, r.1211, Volodarski Str.6,220050MINSK,Tel.+375172200733,Fax.+375172200773Belgium: see The Netherlands Brazil:see South AmericaBulgaria:Philips Bulgaria Ltd., Energoproject, 15th floor,51James Bourchier Blvd.,1407SOFIA,Tel.+3592689211,Fax.+3592689102Canada: PHILIPS SEMICONDUCTORS/COMPONENTS,Tel.+18002347381, Fax.+18009430087China/Hong Kong: 501Hong Kong Industrial Technology Centre,72Tat Chee Avenue, Kowloon Tong, HONGKONG,Tel.+852********,Fax.+852********Colombia: see South America Czech Republic: see AustriaDenmark: Sydhavnsgade 23, 1780COPENHAGEN V,Tel.+4533293333,Fax.+4533293905Finland: Sinikalliontie 3, FIN-02630ESPOO,Tel.+3589615800,Fax.+358961580920France: 51Rue Carnot, BP317, 92156SURESNES Cedex,Tel.+33140996161,Fax.+33140996427Germany: Hammerbrookstra?e 69, D-20097HAMBURG,Tel.+4940235360,Fax.+494023536300Hungary:see AustriaIndia: Philips INDIA Ltd, Band Box Building, 2nd floor,254-D,Dr.Annie Besant Road, Worli, MUMBAI400025,Tel.+91224938541,Fax.+91224930966Indonesia: PT Philips Development Corporation, Semiconductors Division,Gedung Philips, Jl. Buncit Raya Kav.99-100, JAKARTA 12510,Tel.+62217940040ext.2501, Fax.+62217940080Ireland: Newstead, Clonskeagh, DUBLIN14,Tel.+35317640000,Fax.+35317640200Israel: RAPAC Electronics, 7Kehilat Saloniki St, PO Box 18053,TEL AVIV 61180,Tel.+97236450444,Fax.+97236491007Italy: PHILIPS SEMICONDUCTORS, Piazza IV Novembre 3,20124MILANO,Tel.+39267522531,Fax.+39267522557Japan: Philips Bldg 13-37, Kohnan 2-chome, Minato-ku,TOKYO 108-8507, Tel.+81337405130,Fax.+81337405077Korea: Philips House, 260-199Itaewon-dong, Yongsan-ku, SEOUL,Tel.+8227091412,Fax.+8227091415Malaysia: No.76Jalan Universiti, 46200PETALING JAYA, SELANGOR,Tel.+60 37505214,Fax.+6037574880Mexico: 5900Gateway East, Suite 200, EL PASO, TEXAS 79905,Tel.+9-58002347381, Fax +9-58009430087Middle East: see ItalyPrinted in The Netherlands115002/00/03/pp8 Date of release: 1999Apr 08Document order number: 939775005406万联芯城专注电⼦元器件配单服务，只售原装现货库存，万联芯城在业内有三⼗年电⼦元器件配单经验，客户遍布全国，物料供应链完善，元器件价格优势明显，原装质量有保障，电⼦元器件⼀站式采购可为客户省去逐个查找环节，只需提供BOM 表，即可为您报价，整单采购可节省成本，万联芯城完善的产品供应链体系可以应对多种不同物料需求的报价，点击进⼊万联芯城。
1n5401二极管参数代换
1N5401二极管参数代换1.引言本文旨在介绍1N5401二极管的参数代换方法，帮助读者理解该二极管的特性以及如何根据需要选择合适的代换元件。
首先，我们将简要介绍1N5401二极管的基本信息，然后深入探讨参数代换的原理和步骤。
2. 1N5401二极管简介1N5401是一种具有正向导通电压较高、正向电流较大的整流二极管。
它的主要特性如下：-正向导通电压：1.0V-正向电流：3.0A-反向峰值电压：50V-最大连续反向电流：500mA-封装类型：D O-201A D3.参数代换原理参数代换是根据元件的功能和特性，找到一个或多个可以替代的元件，以满足电路设计或故障维修的要求。
在进行1N5401二极管参数代换时，我们需要重点考虑以下参数：-正向导通电压-正向电流-反向峰值电压-最大连续反向电流4. 1N5401二极管参数代换步骤4.1确定代换元件类型根据实际需求，首先确定所需代换元件的类型。
在选择代换元件时，需考虑是否需要满足相同或类似的电性能参数。
4.2确定代换元件参数根据实际需求，选择满足或接近1N5401二极管参数的代换元件。
可以参考元件规格手册或在线电子元件数据库来寻找合适的代换元件。
4.3验证代换元件适用性选择代换元件后，需要验证其适用性。
可通过仿真软件或实际电路测试来验证代换元件的性能是否满足电路设计或故障维修需求。
4.4调整电路设计根据代换元件的参数特点，对原有电路进行适当调整，以确保整体电路工作正常。
5.示例以下是一个针对1N5401二极管参数代换的示例：假设我们需要替换一个工作电流为2.5A的1N5401二极管。
根据步骤4.2，我们可以选择一个代换元件，其正向电流大于等于2.5A，反向峰值电压大于等于50V的二极管。
经过查找资料，我们选择了2N5401二极管作为代换元件。
其正向导通电压为1.0V，正向电流为3.0A，反向峰值电压为150V，最大连续反向电流为600m A。
经过验证（步骤4.3），我们确认2N5401二极管适用于我们的需求。
2n5401的管脚和参数
2n5401的管脚和参数
2N5401是一种PNP极性的晶体管，它有三个引脚，发射极（E），基极（B）和集电极（C）。
在引脚排列上，通常来说，从正
面看，引脚从左到右的排列顺序是，发射极、基极、集电极。
至于参数，2N5401的典型参数包括最大集电极-发射极电压（VCEO）为150V，最大集电极-基极电压（VCBO）为160V，最大发
射极-基极电压（VEBO）为5V。
最大集电极电流（IC）为600mA，最
大功率（Ptot）为625mW。
此外，它的直流增益（hFE）在100到
250之间。
这些参数对于设计电路和选择适当的工作条件非常重要。
除了这些基本参数之外，还有一些其他的参数，比如最大封装
温度（Tj），最大存储温度（Tstg）等等，这些参数对于在特定环
境条件下的应用也非常重要。
总的来说，了解2N5401的管脚和参数对于工程师在电路设计和
应用中起着至关重要的作用，因为它们直接影响着晶体管的工作性
能和可靠性。
希望这些信息能够帮助你更好地了解2N5401晶体管。
三极管2N5401
1.EMITTER
2.BASE
3.COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Value -160 -150 -5 -0.6 0.625 150 -55-150 Units V V V A W ℃ ℃
IC= -100μA, IE=0 IC= -1mA, IB=0 IE= -10μA, IC=0 VCB= -120 V, VEB= -3V, IC=0 VCE= -5V, IC=-1 mA VCE= -5V, IC= -10 mA VCE= -5V, IC=-50 mA IC= -50mA, IB= -5 mA IC= -50mA, IB= -5 mA VCE=-5V, f =30MHz IC=-10mA IE=0
SHENZHEN LONGJINGWEI SEMICONDUCTOR CO.,LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
Байду номын сангаас
2N5401
TRANSISTOR (PNP)
TO-92
FEATURE Switching and amplification in high voltage Applications such as telephony Low current(max. 600mA) High voltage(max.160v)
2N5401L-B-T92-R中文资料
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD2N5401PNP SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTORFEATURES* Collector-emitter voltage: VCEO = -150V * High current gain*Pb-free plating product number:2N5401LORDERING INFORMATIONOrder Number Pin AssignmentNormal Lead Free PlatingPackage 1 2 3 Packing2N5401-x-AB3-R 2N5401L-x-AB3-R SOT-89 B C E Tape Reel 2N5401-x-T92-B 2N5401L-x-T92-B TO-92 E B C Tape Box 2N5401-x-T92-K 2N5401L-x-T92-K TO-92 E B C BulkABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25°C , unless otherwise specified)PARAMETER SYMBOL RATINGS UNITCollector-Base Voltage V CBO -160 V Collector-Emitter Voltage V CEO -150 V Emitter-Base Voltage V EBO -5 V Collector Current I C -600 mATO-92 625 mWCollector Dissipation SOT-89P C500 mWJunction Temperature T J +150Storage Temperature T STG -55 ~ +150 Note Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)PARAMETER SYMBOLTEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT Collector-Base Breakdown Voltage BV CBO Ic = -100µA, I E = 0 -160 V Collector-Emitter Breakdown Voltage BV CEO Ic = -1mA, I B = 0 -150 V Emitter-Base Breakdown Voltage BV EBO I E = -10µA, Ic = 0 -6 V Collector Cut-off Current I CBO V CB = -120V, I E = 0 -50nA Emitter Cut-off Current I EBOV EB = -3V, Ic = 0 -50nA DC Current Gain(Note)h FE1 h FE2 h FE3 V CE = -5V, Ic = -1mA V CE = -5V, Ic = -10mAV CE = -5V, Ic = -50mA8080 80 400 Collector-Emitter Saturation Voltage V CE(SAT) Ic = -10mA, I B = -1mAIc = -50mA, I B = -5mA-0.2-0.5V Base-Emitter Saturation Voltage V BE(SAT) Ic = -10mA, I B = -1mAIc = -50mA, I B = -5mA-1 -1 V Current Gain Bandwidth Product f T V CE = -10V, Ic = -10mAf = 100MHz100 400MHzOutput Capacitance Cob V CB = -10V, I E = 0, f = 1MHz 6.0pF Noise FigureNFIc = -0.25mA, V CE = -5VRs = 1k Ω, f = 10Hz ~ 15.7kHz8 dBNote: Pulse test: PW<300µs, Duty Cycle<2%CLASSIFICATION OF h FERANK A B C RANGE 80-170 150-240 200-400TYPICAL CHARACTERISTICSDC Current Gain vs. Collector CurrentCollector Current , Ic (mA)Capacitance vs. Collector-Base VoltageCollector-Base Voltage (V)C a p a c i t a n c e , C o b (p F )048121620-100-101-102-100-103-10-1-101-102Collector Current vs . Base-EmitterVoltage C o l l e c t o r C u r r e n t , I c (m A )Base-Emitter Voltage (V)0-0.2-0.4-0.6-0.8-1.0Saturation Voltage vs . Collector CurrentCollector Current , Ic (mA)-103-102-101-100-100-103-10-1-101-102Current Gain-Bandwidth Productvs. Collector CurrentC u r r e n t G a i n -B a n d w i d t h P r o d u c t , f (M H z )Collector Current, Ic(mA)103102101100-10-103-10-1-101-102。
1n5401二极管整流参数
1n5401二极管整流参数1. 什么是1N5401二极管1N5401是一种常见的高压整流二极管，也被称为快速恢复二极管。
它的最大反向电压为1000V，最大正向电流为3A，适用于高电压、大电流的整流和开关电路。
2. 1N5401二极管的结构1N5401二极管由PN结组成。
其中P型半导体与N型半导体相接触，构成PN结。
在正向偏置时，P区域中的空穴和N区域中的自由电子会相互扩散并重新组合，在PN结内形成一个低阻抗通道，使电流通过；在反向偏置时，由于PN结两侧形成了较大的空间电荷区，使得只有很小的漏电流通过。
3. 1N5401二极管整流参数(1) 最大反向电压：1000V(2) 最大正向连续工作电流：3A(3) 正向压降：约0.7V(4) 反向漏电流：约5μA(5) 工作温度范围：-65℃～+150℃4. 适用范围由于1N5401具有较高的反向电压和正向电流能力，因此适用于高电压、大电流的整流和开关电路。
常用于家用电器、工业设备和通信设备等领域。
5. 使用注意事项(1) 在使用1N5401二极管时，应注意其最大正向工作电流和最大反向工作电压，以避免超过其额定值而导致损坏。
(2) 在使用前应先检查1N5401二极管是否有损坏或烧毁现象。
(3) 在焊接时应注意温度控制，以避免过高的温度对器件造成损坏。
(4) 在存储时应避免受潮、受热和受光等环境，以保证其质量稳定。
6. 总结1N5401二极管是一种常见的高压整流二极管，具有较高的反向电压和正向电流能力。
在使用时应注意其最大正向工作电流和最大反向工作电压，并遵循相关的使用注意事项。
三极管5401参数
三极管5401参数
摘要：
I.简介
- 介绍三极管5401 参数
II.5401 三极管参数详解
- 类型：PNP 型小功率管
- 封装：TO-92
- 电流放大系数：β=100
- 极性：N-C-E
- 工作温度范围：-40°C to +100°C
- 静态电容：Cc=2.5 pF
III.5401 三极管的替换
- 可以使用9012、9013 二极管代替
- 若要使用大功率管代替，可以考虑使用2N3904、2N3906 等
IV.总结
- 5401 三极管参数及其应用概述
正文：
三极管是一种常用的半导体元器件，广泛应用于放大、开关、调制、稳压等电路中。
今天，我们来详细了解一下三极管5401 的参数。
首先，我们来了解一下三极管5401 的基本参数。
三极管5401 是一种PNP 型小功率管，采用TO-92 封装。
它的电流放大系数β=100，极性为N-
C-E，工作温度范围为-40°C to +100°C。
此外，它的静态电容Cc 为2.5 pF。
接下来，我们来看一下如何替换三极管5401。
如果手头没有5401 三极管，可以使用9012、9013 二极管来代替。
这两种二极管的参数与5401 较为接近，可以满足一般应用需求。
当然，如果需要更高功率的器件，可以考虑使用2N3904、2N3906 等大功率三极管来替代。
综上所述，三极管5401 参数包括类型、封装、电流放大系数、极性、工作温度范围和静态电容等方面，可以根据具体需求选择合适的器件进行替换。
2N5401中文资料(Unisonic Technologies)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
芯片中文手册,看全文,戳
2N5401
高压开关 晶体管
PNP硅晶体管
1
特征
*集电极 - 发射极电压： VCEO = -150V
*高电流增益
订购信息
订单号 正常
2N5401-x-AB3-R 2N5401-x-T92-B 2N5401-x-T92-K
无铅电镀
2N5401L-x-AB3-R 2N5401L-x-T92-B 2N5401L-x-T92-K
集电极 - 发射极击穿电压
发射基地击穿电压 集电极截止电流 发射极截止电流
DC电流增益（注）
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV CBO BV CEO BV EBO I CBO
IEBO hFE1 hFE2 hFE3
VCE(SAT)
基地发射极饱和电压
VBE(SAT)
当前增益带宽产品
fT
输出电容
Cob
噪声系数
基地发射极电压（V）
电流增益-B andwidth产品
主场迎战集电极电流
10 3 V CE=- 10V
10 2 柯伦吨增益-
10 1 带妇母头参与发展THP产品为准,F（兆赫）
2N5401中文资料(motorola)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
INCHES
DIM MIN MAX A 0.175 0.205 B 0.170 0.210 C 0.125 0.165 D 0.016 0.022 F 0.016 0.019 G 0.045 0.055 H 0.095 0.105 J 0.015 0.020 K 0.500 ––– L 0.250 ––– N 0.080 0.105 P ––– 0.100 R 0.115 ––– V 0.135 –––
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽产品 （IC = 10 MADC,VCE = 10伏直流,F = 100兆赫）
输出电容
（VCB = 10 VDC,IE = 0,F = 1.0兆赫）
小信号电流增益
（IC = 1.0 MADC,VCE = 10伏直流,F = 1.0千赫）
噪声系数
(IC = 250 µAdc, VCE = 5.0伏,RS = 1.0千欧,F = 1.0千赫）
IC
600
PD
625
5.0
器件总功耗@ TC = 25°C 减免上述25℃
PD
1.5
12
工作和存储结 温度范围
TJ, Tstg - 55到+150
热特性
特性
符号
Max
热阻,结到环境 热阻,结到外壳
电气特性
RqJA
200
RqJC
83.3
（TA = 25°C除非另有说明）
特性
断特性
集电极 - 发射极击穿电压（1） (IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
0.1
0 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
10 20 30 50 100
IC,集电极电流（mA）
三极管5401参数
三极管5401参数摘要：I.简介- 介绍三极管5401 的基本参数II.5401 三极管的类型和特点- NPN 型三极管- 结构特点- 工作原理III.5401 三极管的参数- 静态参数- 放大倍数- 耗散功率- 极间电容- 动态参数- 输入阻抗- 输出阻抗- 传输特性IV.5401 三极管的应用领域- 电子放大器- 振荡器- 信号处理器正文：三极管5401 是一种NPN 型三极管，具有结构简单、性能稳定等特点。
它主要用于放大电流、开关电路和振荡器等电子电路中。
以下详细介绍了5401 三极管的参数及其应用领域。
首先，我们来了解一下5401 三极管的类型和特点。
它是一种NPN 型三极管，具有三个控制电极，分别为基极、发射极和集电极。
这种三极管具有结构简单、放大倍数高、耗散功率大等优点。
接下来，我们看一下5401 三极管的参数。
静态参数方面，它具有较高的放大倍数，可以满足大多数电子放大器的需求。
耗散功率方面，5401 三极管可以承受较大的功率，因此适用于一些高功率应用场合。
极间电容方面，5401 三极管的极间电容较小，有利于提高电路的频率响应。
在动态参数方面，5401 三极管具有较高的输入阻抗，可以减小信号源的负载影响。
输出阻抗方面，它的输出阻抗较低，有利于提高放大器的驱动能力。
传输特性方面，5401 三极管具有较宽的传输特性，可以在不同的工作状态下保持稳定的性能。
最后，我们来看一下5401 三极管的应用领域。
它广泛应用于电子放大器、振荡器、信号处理器等电子电路中。
在这些应用领域，5401 三极管可以发挥其优秀的放大和开关性能，为电路的稳定工作提供保障。
总之，三极管5401 具有结构简单、性能稳定等优点，广泛应用于电子放大器、振荡器等领域。
2N5401中文资料(Micro Commercial)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
图 6.开关时间测试电路
图 7.电容
1000 700 IC / IB = 10 500 TJ = 25°C
300
200
TR @ VCC = 120 V TR @ VCC = 30 V
100 70 T,TIM5E0（NS） 30 20
10 0.2 0.3 0.5
TD @ VBE（关闭）= 1.0V, VCC = 120 V
产品提供由
***应 用 免 责 声 明 *** 微型商业组件公司
航空航天和军事应用.
. 不打算用于医疗,
修订：4
2006/05/14
0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
IB,基本电流（毫安）
5.0
10
20
图 2.集电极饱和区
103
VCE = 30 V A) 102 µ
101 TJ = 125°C
100
75°C 10-1
REVERSE IC,集1电0极-2电流（ 25°CIC = ICES前进
10-3 0.3 0.2 0.1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 VBE,基射极电压（V）
芯片中文手册,看全文,戳
2N5401
电气特性
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（1） （IC = 1.0 MADC,IB = 0)
（TA = 25°C除非另有说明）
特有
集电极基击穿电压
（IC = 100mAdc, IE = 0)
发射极基极击穿电压
（IE = 10mAdc, 集成电路= 0）
集电极截止电流
（VCB = 120伏,IE = 0) （VCB = 120伏,IE = 0,助教= 100°C）
发射极截止电流
1n5401二极管参数代换
1n5401二极管参数代换
摘要：
1.1n5401 二极管概述
2.1n5401 二极管参数
3.1n5401 二极管参数代换方法
4.1n5401 二极管参数代换的注意事项
正文：
1.1n5401 二极管概述
1n5401 二极管是一种常见的半导体二极管，广泛应用于电子设备中，如电源、放大器、振荡器等。
它具有单向导通特性，即只能在正向电压下导通，而在反向电压下截止。
2.1n5401 二极管参数
1n5401 二极管的主要参数有：
- 正向电压（Vf）：二极管导通时的正向电压。
- 反向电压（Vr）：二极管截止时的反向电压。
- 正向电流（If）：二极管导通时的正向电流。
- 反向电流（Ir）：二极管截止时的反向电流。
3.1n5401 二极管参数代换方法
当需要用其他型号的二极管替代1n5401 二极管时，需要保证替代二极管的参数与1n5401 二极管的参数相近。
具体方法如下：
- 首先查询1n5401 二极管的参数。
- 寻找一个或多个与1n5401 二极管参数相近的二极管型号。
- 对比这些型号的参数，选择最接近1n5401 二极管参数的型号。
- 将选定的二极管型号替换1n5401 二极管，进行测试，确保替换后的电路性能稳定。
4.1n5401 二极管参数代换的注意事项
- 代换二极管时，应尽量选择同一品牌的产品，以保证参数的稳定性。
- 代换后，需要对电路进行充分测试，确保电路性能稳定，避免因参数差异导致的故障。
2N5401中文资料_数据手册_参数
IC mA
−103
1999 Apr 08
4
Philips Semiconductors
PNP high-voltage transistor
PACKAGE OUTLINE Plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads
Product specification
Product specification
2N5401
DEFINITIONS
Data sheet status
Objective specification Preliminary specification Product specification
This data sheet contains target or goal specifications for product development. This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later. This data sheet contains final product specifications.
−
DC current gain
IC = −1 mA; VCE = −5 V; see Fig.2
50
IC = −10 mA; VCE = −5 V; see Fig.2
60
IC = −50 mA; VCE = −5 V; see Fig.2
50
collector-emitter saturation voltage IC = −10 mA; IB = −1 mA
DESCRIPTION PNP high-voltage transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. NPN complement: 2N5551.
1n5401二极管参数代换
1N5401二极管参数代换1. 引言1N5401是一种常见的二极管，用于电子电路中的整流和保护应用。
本文将详细介绍1N5401二极管的参数代换方法，以及如何选择合适的替代型号。
2. 1N5401二极管的参数1N5401是一种高功率二极管，具有以下主要参数：•最大正向工作电压：1000V•最大正向持续电流：3A•正向压降：1.1V（在3A电流下）•反向漏电流：5μA（在1000V反向电压下）•封装类型：DO-201AD这些参数是设计和选择替代型号时的重要参考。
3. 选择替代型号的要求在选择替代型号时，需要考虑以下几个因素：3.1 最大正向工作电压替代型号的最大正向工作电压应大于或等于1N5401的最大正向工作电压。
否则，替代型号可能无法承受所需的工作电压，导致电路故障。
3.2 最大正向持续电流替代型号的最大正向持续电流应大于或等于1N5401的最大正向持续电流。
如果替代型号的最大正向持续电流较小，可能会导致过载，使二极管过热。
3.3 正向压降替代型号的正向压降应接近1N5401的1.1V。
如果正向压降较大，可能会导致电路功耗增加或电压下降。
3.4 反向漏电流替代型号的反向漏电流应小于或等于1N5401的反向漏电流。
如果反向漏电流较大，可能会导致电路失效或功耗增加。
3.5 封装类型替代型号的封装类型应与1N5401相同或兼容。
不同封装类型的二极管可能需要不同的焊接和安装方式。
4. 替代型号选择举例根据以上要求，以下是几个常见的替代型号：•1N4001：最大正向工作电压为50V，最大正向持续电流为1A，正向压降为1V，反向漏电流为5μA，封装类型为DO-41。
适合低功率应用，正向压降和反向漏电流与1N5401相近。
•1N5402：最大正向工作电压为200V，最大正向持续电流为3A，正向压降为1.2V，反向漏电流为5μA，封装类型为DO-201AD。
适合中等功率应用，正向压降和反向漏电流与1N5401相近。
2N55512N5401C9000系列型三极管参数表
2N55512N5401C9000系 列 型 三 极 管 参 数 表
2N5551 2N5401 C9000系列型三极管参数表
2N5551是NPN管， 2N5551参数：极性NPN，耐压160V，最大电流 0.6A ，功率0.625W，频率100MHZ 。其实2N5551这种管满大街都有的，根本就不用考虑代换，3毛钱一只。 互换：C2383、 C2235、2N3440。
2N5401 ： PNP 左 E 中 B 右 C
2N5401参数：
硅 PNP型 三 极 管 、 170V/150V 、 600mA、 625mW 、 β≥40 。 互 换 ： 2SAl013。 2N5401可 用 S9012, 8550三 极 管 代 替 2N5551为NPN管，可用BC533/2N5833/2SC728/2SC2068/2SC1514/代换。 2N5401是PNP管，可用2SA1013代换，这两个管都是做视频放大用的多。 管 脚 排 列 ： 管 脚 向 下 ， 面 向 有 字 的 平 面 看 去 --C9012。 在 一 般 情 况 下 也 可 以 用 C8550代 替 。 C9018用 2N2369/TNT代 替 ， 或 者用 国 产 3DG84B代 替 。 C9014用 BCX58代 替 ， 或 者 用 国 产 3DG120C代 替 。 BC558可 以 用 BC556／ 557直 接 代 换 ， 或 用 2N3906， S8550， 2N5401代 换 常用低频小功率三极管的型号：
9011:NPN 9012:PNP 9013:NPN 9014:NPN 9015:PNP 8550:PNP 8050:NPN
电子有限公司2N5401三极管来料检验标准
电子有限公司来料检验标准版本：第三版
文件编号：WI/HV-12-026
受控状态：
2N5401三极管修改页：
第 26 页共 53 页抽样来料检验标准：
依据MIL-STD-105D-Ⅱ； MI：AQL=1.0；MA：AQL= 0.65；CR：AQL=0.4
MI：次要缺陷 MA：主要缺陷 CR：致命缺陷
三极管： 2N5401 TO-92
序号检验
项目
检验标准及要求AQL 检验方法
1 外观
丝印
丝印是否清晰可辩，标识是否与来料相
符。
MI 目测元件体
检查三极管的引脚是否氧化，元件体是否
有毛刺和破损。
MI 目测
2 尺寸符合产品工程图MA 游标卡尺
3 电性1按三极管的管脚排列把其插到晶体管测试仪测上，测出三
极管的放大倍数60-150倍。
2用晶体管测试仪测量各类三极管的集-发射极击穿电压
VCEO≥160V，发射结反向耐压VEBO≥6V。
3常温下连续工作2小时温升小于10℃(贮存三极管温度范
围-65～150℃)
MA
晶体管测试仪
万用表
稳压电源
4 可焊性用烙铁快速一次上锡，要求焊点饱满，引脚放在230
±5℃锡炉中，一次上锡面积大于85%。
MI
烙铁
小锡炉
5 材料1所用材料与样品相符。
2与配料表中型号规格相符、与工程图相吻合。
MA 目测
6 包装标识1材料用料正确。
2小包装方式、数量无误。
3装箱方式、数量无误。
4（内包装、外箱）标识单内容正确。
MI 目测
拟制：审核：批准：日期日期日期。
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- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
-50 -50 80 80 80 400 -0.2 -0.5 -1 -1 100 400 6.0 8
V V MHz pF dB
Note: Pulse test: PW<300µs, Duty Cycle<2%
CLASSIFICATION OF hFE
RANK RANGE A 80-170 B 150-240 C 200-400
PNP SILICON TRANSISTOR
UTC assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters) listed in products specifications of any and all UTC products described or contained herein. UTC products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where malfunction of these products can be reasonably expected to result in personal injury. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner. The information presented in this document does not form part of any quotation or contract, is believed to be accurate and reliable and may be changed without notice.
10
2
101 100 -1 -10
-10
0
-10
1
-10
2
-10
3
Collector Current, Ic(mA)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
3 of 4
QW-R201-001,D
元器件交易网
2N5401
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
4 of 4
QW-R201-001,D
PNP SILICON TRANSISTOR
1
SOT-89
1
TO-92
*Pb-free plating product number:2N5401L
ORDERING INFORMATION
Order Number Normal Lead Free Plating 2N5401-x-AB3-R 2N5401L-x-AB3-R 2N5401-x-T92-B 2N5401L-x-T92-B 2N5401-x-T92-K 2N5401L-x-T92-K Package SOT-89 TO-92 TO-92 Pin Assignment 1 2 3 B C E E B C E B C Packing Tape Reel Tape Box Bulk
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2 of 4
QW-R201-001,D
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2N5401
TYPICAL CHARACTERISTICS
PNP SILICON TRANSISTOR
Capacitance vs. CollectorBase Voltage 20
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector Cut-off Current Emitter Cut-off Current DC Current Gain(Note) Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Current Gain Bandwidth Product Output Capacitance Noise Figure SYMBOL BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO hFE1 hFE2 hFE3 VCE(SAT) VBE(SAT) fT Cob NF TEST CONDITIONS Ic = -100µA, IE = 0 Ic = -1mA, IB = 0 IE = -10µA, Ic = 0 VCB = -120V, IE = 0 VEB = -3V, Ic = 0 VCE = -5V, Ic = -1mA VCE = -5V, Ic = -10mA VCE = -5V, Ic = -50mA Ic = -10mA, IB = -1mA Ic = -50mA, IB = -5mA Ic = -10mA, IB = -1mA Ic = -50mA, IB = -5mA VCE = -10V, Ic = -10mA f = 100MHz VCB = -10V, IE = 0, f = 1MHz Ic = -0.25mA, VCE = -5V Rs = 1kΩ, f = 10Hz ~ 15.7kHz MIN -160 -150 -6 TYP MAX UNIT V V V nA nA
2N5401L-x-AB3-R (1)Packing Type (2)Package Type (3)Rank (4)Lead Plating (1) B: Tape Box, K: Bulk, R: Tape Reel (2) AB3: SOT-89, T92: TO-92 (3) x: refer to Classification of hFE (4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
Copyright © 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 4
QW-R201-001,D
元器件交易网
2N5401
PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current
Saturation Voltage (V)
-10
3
I C=10*IB VBE(SAT)
-102
VCE =-5 V
-10
0
-101
-10 -1
-2
VCE (SAT)
-100 0 -0.2 -0.4 -0 .6 -0 .8 -1.0 Base-Emitter V oltage (V)
-10 - 10-1
-101
-102
-103
Collector-Base Voltage (V)
Collector Current , Ic (mA)
Collector Current vs. Base-Emitter Voltage
Co llector Curren t, Ic(mA )
Saturation Voltage vs. Collector Current -10 1
元器件交易网
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N5401
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
FEATURES
* Collector-emitter voltage: VCEO = -150V * High current gain
PNP SILICON TRANSISTOR
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25°C , unless otherwise specified)
RATINGS UNIT -160 V -150 V -5 V -600 mA TO-92 625 mW Collector Dissipation PC SOT-89 500 mW Junction Temperature TJ +150 Storage Temperature TSTG -55 ~ +150 Note Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC
-10 0
-101
-102
-103
Collector Current , Ic (mA)
Current Gain-B andwidth Product vs. Collector Current
Curren t GainBand wid thP roduct, f(MHz)
103
V CE=- 10V
DC Current Gain vs. Collector Current
Capa citance, Cob (pF)