BZT52C3V3S

IZT (mA)
5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 2 2 2 2 2
ZZT@IZT
ZZK@IZK
Ω
100
600
100
600
95
600
95
600
90
600
90
600
90
600
80
500
60
480
40
400
10
150
15
80
15
80
15
80
总机：025-52188228 技术支持：025-84712971 客服：400-888-5058 传真：025-84710486 电邮：Tech@
客户基本资料
公司名称 联系方式 收货地址 生产产品
联络人
电话：
姓名： 电话：
传真：
职务： 手机：
网址： □生产型企业
□贸易商
□技术 电邮：
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
3. f = 1kHz.
Unit V
mW ℃/W
℃
B,Aug,2012
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】

Electrical Characteristics(Ta = 25℃ unless otherwise specified )
15
100
20
150
20
150
25
150
30
170
30
200
40
200
45
225
55
225
55
250
70
250
80
300
80
300
80
325
90
350
130
350
IZK (mA) 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
FEATURES： z Planar die construction z 200mW power dissipation on ceramic PBC z General purpose, Medium current z Ideally suited for automated assembly processes z Available in Lead free version
VZ@IZT Min(V) 2.20 2.5 2.8 3.1 3.4 3.7 4.0 4.4 4.8 5.2 5.8 6.4 7.0 7.7 8.5 9.4 10.4 11.4 12.4 13.8 15.3 16.8 18.8 20.8 22.8 25.1 28.0 31.0 34.0 37.0
Max(V) 2.60 2.9 3.2 3.5 3.8 4.1 4.6 5.0 5.4 6.0 6.6 7.2 7.9 8.7 9.6 10.6 11.6 12.7 14.1 15.6 17.1 19.1 21.2 23.3 25.6 28.9 32.0 35.0 38.0 41.0
PD
200
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air
RθJA
625
Operating and Storage Temperature Range
Tj,TSTG
-65 ~ +150
Notes:1. Device mounted on ceramic PCB; 7.6mm x 9.4mm x 0.87mm with pad areas 25mm2.
SOD-323
Maximum Ratings (Ta=25℃ unless otherwise specified )
Characteristic
Symbol
Value
Forward Voltage (Note 2) @ IF = 10mA
VF
0.9
Power Dissipation(Note 1)
TYPE
Marking
Zener Voltage Range (Note 2)
Maximum Zener Impedance (Note 3)
BZT52C2V4S
WX
BZT52C2V7S
W1
BZT52C3V0S
W2
BZT52C3V3S
W3
BZT52C3V6S
W4
BZT52C3V9S
W5
BZT52C4V3S
0
-3.5
0
-3.5
0.2
-2.7
1.2
-2
2.5
0.4
3.7
1.2
4.5
2.5
5.3
3.2
6.2
3.8
7.0
4.5
8.0
5.4
9.0
6.0
10.0
7.0
11.0
9.2
13
10.4
14
12.4
16
14.4 18.0
16.4 20.0
18.4 22.0
21.4 25.3
24.4 29.4
27.4 33.4
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes
BZT52C2V4S-BZT52C39S ZENER DIODE
□采购
□其他
样品明细资料
元器件名称 型号及封装
单机用量 申请数量 备注
预计生产情况
预计小批量生产日期：
规模生产日期：
样品申请日期：
样品申请流程
1、请详细、全面、真实填写上列各项。表格不够填写，可自行复制。 2、请以附件的形式将该文档通过 E-mail 发送，并请将此单打印盖章后，传真至：025-84710486。 3、公司将根据客户所填信息并综合相关情况，由样品小组负责确定该样品申请单是否执行及如何执行。 4、收到样品申请单并经审核通过后，南京库有现货2个工作日内发出；如需订货，交期3-4周，非常规品顺延1-2周。 5、样品免费，运费到付(一般选择顺丰快递)；样品数量：单个型号5～20pcs， 或根据 BOM 表清单按2～5套提供。 6、说明：接单后，样品小组将努力跟进，但由于原厂生产等环节存有不确定因素，我们无法保证样品数量、型号完
WJ
BZT52C16S
WK
BZT52C18S
WL
BZT52C20S
WM
BZT52C22S
WN
BZT52C24S
WO
BZT52C27S
WP
BZT52C30S
WQ
BZT52C33S
WR
BZT52C36S
WS
BZT52C39S
WT
Nom(V) 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39
30.4 37.4
33.4 41.2
Test Current
IZTC
mA 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 2 2 2 2 2
B,Aug,2012
【南京南山—领先的片式无源器件整合供应商】

样品申请单
南山联系资料
Maximum
Reverse
Current
(Note 2)
IR
VR
μA
V50 1.020 来自.010 1.05
1.0
5
1.0
3
1.0
3
1.0
3
2.0
2
2.0
1
2.0
3
4.0
2
4.0
1
5.0
0.7 5.0
0.5 6.0
0.2 7.0
0.1 8.0
0.1 8.0
0.1 8.0
0.1 10.5
0.1 11.2
全符合要求，也不承诺一定按期交出。
跟进记录
□已联系客户
□ 已中止进行 □ 已建议生产
□ 中止原因描述： □ 已发送样品/日期
□ 客户已签收/日期
第1页共1页
W6
BZT52C4V7S
W7
BZT52C5V1S
W8
BZT52C5V6S
W9
BZT52C6V2S
WA
BZT52C6V8S
WB
BZT52C7V5S
WC
BZT52C8V2S
WD
BZT52C9V1S
WE
BZT52C10S
WF
BZT52C11S
WG
BZT52C12S
WH
BZT52C13S
WI
BZT52C15S
0.1 12.6
0.1 14.0
0.1 15.4
0.1 16.8
0.1 18.9
0.1 21.0
0.1 23.1
0.1 25.2
0.1 27.3
Typical Temperature Coefficient @IZTC mV/℃
Min Max
-3.5
0
-3.5
0
-3.5
0
-3.5
0
-3.5
0
-3.5