IRF530N
IRF530NS中文资料
IRF530NS/LHEXFET ® Power MOSFETPD - 91352Al Advanced Process Technology l Surface Mount (IRF530NS)l Low-profile through-hole (IRF530NL)l 175°C Operating Temperature l Fast SwitchinglFully Avalanche RatedAbsolute Maximum RatingsFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.The D 2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The D 2Pak is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.The through-hole version (IRF530NL) is available for low-profile applications.Description2 D PakT O -262ParameterTyp.Max.UnitsR θJC Junction-to-Case––– 1.9R θJAJunction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**–––40°C/WParameterMax.UnitsI D @ T C = 25°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V 17I D @ T C = 100°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V 12A I DMPulsed Drain Current 60P D @T A = 25°C Power Dissipation 3.8W P D @T C = 25°C Power Dissipation 79W Linear Derating Factor 0.53W/°C V GS Gate-to-Source Voltage± 20V E AS Single Pulse Avalanche Energy 150mJ I AR Avalanche Current•9.0A E AR Repetitive Avalanche Energy 7.9mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt 5.0V/ns T J Operating Junction and-55 to + 175T STGStorage Temperature RangeSoldering Temperature, for 10 seconds300 (1.6mm from case )°C5/13/98 1IRF530NS/LIRF530NS/LIRF530NS/LIRF530NS/LIRF530NS/LIRF530NS/LIRF530NS/LIRF530NS/LIRF530NS/L。
低压大电流mos管型号
低压大电流mos管型号一、引言低压大电流MOS管，是指工作电压低于100V，电流能够达到几百安培的金属氧化物半导体场效应管。
由于其在各种电子设备中的广泛应用，已成为电子行业中不可或缺的重要元件。
本文将就低压大电流MOS管的不同型号及其特点进行探讨。
二、N沟道和P沟道MOS管N沟道和P沟道MOS管是低压大电流MOS管的两种常见类型。
其中，N沟道MOS管是指其沟道为N型半导体材料构成，P沟道MOS 管则为P型半导体材料构成。
它们在特性上有所差异，适用于不同的电子电路设计。
1. N沟道MOS管N沟道MOS管通常分为增强型和耗尽型两种。
增强型N沟道MOS 管工作电压较低，具有较大的导通电流和较小的开启电压。
耗尽型N 沟道MOS管的工作电压范围较高，适用于高压环境，但其导通电流较小。
常见的N沟道MOS管型号有IRF530、IRF632等。
2. P沟道MOS管P沟道MOS管适用于负载开关和功率放大，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
不同于N沟道MOS管，P沟道MOS管在关闭状态下电流通过，而在开启状态下电流截断。
一些常见的P沟道MOS管型号包括IRF9540、IRF540等。
三、低压大电流MOS管的选择要素在选择低压大电流MOS管型号时，需要考虑以下几个要素：1. 峰值电压（Vds）峰值电压是MOS管能够承受的最大电压，超过该电压则易引发击穿现象。
根据实际工作电压需求，选择适当的峰值电压范围。
2. 漏极电流（Id）漏极电流是指在非导通状态下，MOS管的漏极电流大小。
根据实际应用需求，选择合适的漏极电流范围，以确保MOS管的工作稳定性。
3. 导通电阻（Rds(on)）导通电阻是指在导通状态下，MOS管的电流和电压之比。
导通电阻的大小直接影响MOS管的功耗和效率，选择较小的导通电阻有利于提高电路效率。
4. 开启时间（t-on）和关闭时间（t-off）开启时间和关闭时间是指MOS管从关断到导通、从导通到关断所需的时间。
直流开关稳压电源设计
直流开关稳压电源设计一、设计背景及意义随着电子技术的飞速发展，各类电子设备对电源的需求日益增长。
直流开关稳压电源以其高效、稳定、体积小、重量轻等优点，在通信、计算机、家用电器等领域得到了广泛应用。
设计一款性能优越、可靠性高的直流开关稳压电源，对于提高电子设备的整体性能具有重要意义。
二、设计目标1. 输出电压范围：12V±1V；2. 输出电流：2A；3. 转换效率：≥85%；4. 工作温度范围：25℃~+85℃；5. 具有过压、过流、短路保护功能；6. 体积小，便于安装。
三、设计方案1. 电路拓扑选择本设计采用开关电源的主流拓扑——反激式变换器。
反激式变换器具有电路简单、体积小、效率高等优点，适用于中小功率电源设计。
2. 主控芯片选型选用ST公司的STM32F103系列微控制器作为主控芯片，该芯片具有高性能、低功耗、丰富的外设资源等特点，能够满足开关电源的设计需求。
3. 功率开关管选型功率开关管是开关电源的核心元件，本设计选用N沟道MOSFET作为功率开关管。
根据设计指标，选用IRF530N型号MOSFET，其导通电阻低，可降低开关损耗，提高转换效率。
4. 输出整流滤波电路设计输出整流滤波电路采用肖特基二极管和LC滤波电路。
肖特基二极管具有正向压降低、开关速度快的特点，适用于开关电源整流。
LC滤波电路能有效抑制输出电压纹波，提高输出电压稳定性。
5. 保护电路设计为实现过压、过流、短路保护功能，设计如下保护电路：（1）过压保护：在输出端设置一个电压比较器，当输出电压超过设定值时，触发保护动作，切断功率开关管的驱动信号。
（2）过流保护：在功率开关管源极串联一个取样电阻，实时监测电流值。
当电流超过设定值时，触发保护动作，切断功率开关管的驱动信号。
（3）短路保护：在输出端设置一个电流比较器，当输出电流超过设定值时，触发保护动作，切断功率开关管的驱动信号。
四、实验验证与优化1. 搭建实验平台，对设计的直流开关稳压电源进行测试，观察输出电压、电流、效率等参数是否符合设计要求。
IRF系列高压MOS管
高压MOS管----IRF系列学习杂记2008-01-29 15:04:28 阅读2856 评论2 字号：大中小订阅IRF024 N-场效应60 17 60 TO-204AAIRF034 N-场效应60 30 90 TO-204AEIRF035 N-场效应60 25 90 TO-204AEIRF044 N-场效应60 30 150 TO-204AEIRF045 N-场效应60 30 150 TO-204AEIRF054 N-场效应60 30 180 TO-204AAIRF120 N-场效应100 8.0 40 TO-3IRF121 N-场效应60 8.0 40 TO-3IRF122 N-场效应100 7.0 40 TO-3IRF123 N-场效应60 7.0 40 TO-3IRF130 100V 14A 79W N-场效应IRF130(铁)NMOS GDS 100V14A79W75/45nS0.16 功放开关IRF131 N-场效应60V14A 75W TO-3IRF132 N-场效应100V12A75W TO-3IRF133 N-场效应60V12A 75W TO-3IRF140 N-场效应100V 27A 125W TO-204AEIRF141 N-场效应60V 27A 125W TO-204AEIRF142 N-场效应100V24A 125W TO-204AEIRF143 N-场效应60V 24A 125W TO-204AEIRF150 N-场效应100V 40A 150W TO-204AEIRF151 N-场效应60V 40A 150W TO-204AEIRF152 N-场效应100V 33A 150W TO-204AEIRF153 N-场效应60V33A 150W TO-204AEIRF15N65 650V 5A 80W MOSIRF16N65 650V 6A 80W MOSIRF220 N-场效应200V 5.0A 40W TO-3IRF221 N-场效应150V 5.0A 40W TO-3IRF223 N-场效应150V 4.0A 40W TO-3IRF224 N-场效应250V3.8A 40W TO-204AAIRF225 N-场效应250V 3.3A 40W TO-204AAIRF230 N-场效应200V 9.0A 75W TO-3IRF230(铁)NMOS GDS 200V9A75W50/40nS0.4 功放开关IRF231 N-场效应150V 9.0A 75W TO-3IRF232 N-场效应200V 8.0A 75W TO-3IRF233 N-场效应150V 8.0A 75W TO-3IRF234 N-场效应250V 8.1A 75W TO-204AAIRF235 N-场效应250V 6.5A 75W TO-204AAIRF240 N-场效应200V 18A 125W TO-204AEIRF241 N-场效应150V 18A 125W TO-204AEIRF242 N-场效应200V 16A 125W TO-204AEIRF243 N-场效应150V 16A 125W TO-204AEIRF244 N-场效应250V 14A 125W TO-204AAIRF245 N-场效应250V 13A 125W TO-204AAIRF250 N-场效应200V 30A 150W TO-204AEIRF251 N-场效应150V 30A 150W TO-204AEIRF252 N-场效应200V 25A 150W TO-204AEIRF253 N-场效应150V 25A 150W TO-204AEIRF254 N-场效应250V 22A 150W TO-204AEIRF255 N-场效应250V 20A 150W TO-204AEIRF2807 70V 78A 180W MOSIRF320 N-场效应400V 3.0A 40W TO-3IRF3205 55V 110A 200W MOSIRF321 N-场效应350V 3.0A 40W TO-3IRF322 N-场效应400V 2.5A 40W TO-3IRF323 N-场效应350V 2.5A 40W TO-3IRF330 N-场效应400V 5.5A 75W TO-3IRF332 N-场效应400V 4.5A 75W TO-3IRF333 N-场效应350V 4.5A 75W TO-3IRF340 N-场效应400V 10A 125W TO-3IRF341 N-场效应350V 10A 125W TO-3IRF342 N-场效应400V 8.0A 125W TO-3IRF343 N-场效应350V 8.0A 125W TO-3IRF350 N-场效应400V 15A 150W TO-3IRF351 N-场效应350V 15A 150W TO-3IRF352 N-场效应400V 13A 150W TO-3IRF353 N-场效应350V 13A 150W TO-3IRF360 N-场效应400V 25A 300W TO-204AEIRF362 N-场效应400V 22A 300W TO-204AEIRF3710 100V 46A 150W MOSIRF420 N-场效应500V 2.5A 50W TO-3IRF421 N-场效应450V 2.5A 50W TO-3IRF422 N-场效应500V 2.0A 50W TO-3IRF423 N-场效应450V 2.0A 50W TO-3IRF430 N-场效应500V 4.5A 75W TO-3IRF431 N-场效应450V 4.5A 75W TO-3IRF432 N-场效应500V 4.0A 75W TO-3IRF433 N-场效应450V 4.0A 75W TO-3IRF440 N-场效应500V 8.0A 125W TO-3IRF440(铁)NMOS GDS 500V8A125W35/30nS0.85 功放开关IRF441 N-场效应450V 8.0A 125W TO-3IRF442 N-场效应500V 7.0A 125W TO-3IRF443 N-场效应450V 7.0A 125W TO-3IRF448 N-场效应500V 9.6A 130W TO-204AAIRF449 N-场效应500V 8.6A 130W TO-204AAIRF450 N-场效应500V 13A 150W TO-3IRF450(铁)NMOS GDS 500V13A125W66/60nS0.4 功放开关IRF451 N-场效应450V 13A 150W TO-3IRF452 N-场效应500V 12A 150W TO-3IRF453 N-场效应450V 12A 150W TO-3IRF460 N-场效应500V 21A 300W TO-204AEIRF460(铁)NMOS GDS 500V 21AW66/60nS0.4 功放开关IRF462 N-场效应500V 19A 300W TO-204AEIRF48 N-场效应60V50A190W TO-220ABIRF510 N-场效应100V 5.6A 43W TO-220ABIRF511 N-场效应80V 5.6A 43W TO-220ABIRF512 N-场效应100V 4.9A 43W TO-220ABIRF513 N-场效应80V 4.9A 43W TO-220ABIRF520 N-场效应100V 9.2A 60W TO-220ABIRF521 N-场效应80V 9.2A 60WTO-220ABIRF522 N-场效应100V 8A 60W TO-220ABIRF523 N-场效应80V 8A 60W TO-220ABIRF530 N-场效应100V 14A 79W TO-220ABIRF530 N-FET100V14A79W 51/36ns0.18ohmIRF530 NMOS GDS 100V14A79W51/36nS0.18 功放开关IRF531 N-场效应80V 14A 79W TO-220ABIRF532 N-场效应100V 12A 79W TO-220ABIRF533 N-场效应80V 12A 79W TO-220ABIRF540 NMOS+D GDS 100V28A150W110/75nS0.077 功放开关IRF540A NMOS GDS 100V28A107W Id m=110A/0.052Ω 功放开关IRF541 NMOS GDS 80V28A150W110/75nS0.077 功放开关IRF542 N-场效应100V 25A 150W TO-220ABIRF543 N-场效应80V 25A 150W TO-220ABIRF610 NMOS GDS 200V3.3A43W26/13nS1.5 功放开关IRF611 N-场效应150V 3.3A 43W TO-220ABIRF612 N-场效应200V 2.6A 43W TO-220ABIRF614 N-场效应250V 2.0A 20W TO-220ABIRF615 N-场效应250V 1.6A 20W TO-220ABIRF620 N-场效应200V 5A 40W TO-220ABIRF621 N-场效应150V 5A 40W TO-220ABIRF622 N-场效应200V 4A 40W TO-220ABIRF623 N-场效应150V 4A 40W TO-220ABIRF624 N-场效应250V 3.8A 40W TO-220ABIRF625 N-场效应250V 3.3A 40W TO-220ABIRF630 NMOS GDS 200V9A75W50/40nS0.4 功放开关IRF631 N-场效应150V 9A 75W TO-220ABIRF632 N-场效应200V 8A 75W TO-220ABIRF633 N-场效应150V 8A 75W TO-220ABIRF634 N-场效应250V 8.1A 75W TO-220ABIRF635 N-场效应250V 6.5A 75W TO-220ABIRF640 N-FET GDS 200V18A125W 77/54ns0.18ohm功放开关IRF641 N-场效应150V 18A 125W TO-220ABIRF642 N-场效应200V 16A 125W TO-220ABIRF643 N-场效应150V 16A 125W TO-220ABIRF644 N-场效应250V 14A 125W TO-220ABIRF645 N-场效应250V 13A 125W TO-220ABIRF710 N-场效应400V 2.0A 36W TO-220ABIRF711 N-场效应350V 2.0A 36W TO-220ABIRF712 N-场效应400V 1.7A 36W TO-220ABIRF713 N-场效应350V 1.7A 36W TO-220ABIRF720 N-场效应GDS 400V 3.3A 50W TO-220AB 20nS1.8功放开关IRF721 N-场效应350V 3.3A 50W TO-220ABIRF722 N-场效应400V 2.8A 50W TO-220ABIRF723 N-场效应350V 2.8A 50W TO-220ABIRF730 NMOS GDS 400V5.5A75W29/24nS1.0 功放开关IRF732 N-场效应400V 4.5A 74W TO-220ABIRF733 N-场效应350V 4.5A 74W TO-220ABIRF740 N-FET400V10A125W 41/36ns0.55ohm 功放开关IRF741 N-场效应350V 10A 125W TO-220ABIRF742 N-场效应400V 8.3A 125W TO-220ABIRF743 N-场效应350V 8.3A 125W TO-220ABIRF820 N-场效应500V 2.5A 50W TO-220ABIRF821 N-场效应450V 2.5A 50W TO-220ABIRF822 N-场效应500V 2.2A 50W TO-220ABIRF823 N-场效应450V 2.2A 50W TO-220ABIRF830 NMOS GDS 500V4.5A75W23/23nS1.5 功放开关IRF831 N-场效应450V 4.5A 74W TO-220ABIRF832 N-场效应500V 4.0A 74W TO-220ABIRF833 N-场效应450V 4.0A 74W TO-220ABIRF840 NMOS GDS 500V8A125W35/33nS0.85 功放开关IRF841 N-场效应450V 8.0 125W TO-220ABIRF842 N-场效应500V 7.0 125W TO-220ABIRF843 N-场效应450V 7.0 125W TO-220ABIRF9130 P-场效应100V-12A 75W TO-3IRF9131 P-场效应60V-12A 75W TO-3IRF9132 P-场效应100V-10A 75W TO-3IRF9133 P-场效应60V –10A 75W TO-3IRF9140 P-场效应100V –19A 125W TO-3IRF9141 P-场效应60V –19A 125W TO-3IRF9142 P-场效应100V –15A 125W TO-3IRF9143 P-场效应60V –15A 125W TO-3IRF9230 P-场效应200V6.5A 75W TO-3IRF9231 P-场效应150V6.5A 75W TO-3IRF9232 P-场效应200V5.5A 75W TO-3IRF9233 P-场效应150V5.5A 75W TO-3IRF9240 P-场效应200V –11A 125W TO-3IRF9241 P-场效应150V –11A 125W TO-3IRF9242 P-场效应200V9.0A 125W TO-3IRF9243 P-场效应150V9.0A 125W TO-3IRF9510 P-场效应100V3.0A 20W TO-220ABIRF9511 P-场效应60V3.0A 20W TO-220ABIRF9512 P-场效应100V2.5A 20W TO-220ABIRF9513 P-场效应60V2.5A 20W TO-220ABIRF9520 P-场效应100V6.0A 40W TO-220ABIRF9521 P-场效应60V6.0A 40W TO-220ABIRF9522 P-场效应100V5.0A 40W TO-220ABIRF9523 P-场效应60V5.0A 40W TO-220ABIRF9530 PMOS GDS 100V12A75W140/140nS0.4 功放开关IRF9531 PMOS GDS 60V12A75W140/140S0.3 功放开关IRF9532 P-场效应100V –10A 75W TO-220ABIRF9533 P-场效应60V –10A 75W TO-220ABIRF9540 P-场效应100V –19A 125W TO-220ABIRF9541 PMOS GDS 60V19A125W140/141nS0.2 功放开关IRF9542 P-场效应100V –15A 125W TO-220ABIRF9543 P-场效应60V –15A 125W TO-220ABIRF9610 PMOS GDS 200V1A20W25/15nS2.3 功放开关IRF9611 P-场效应150V1.75A 20W TO-220ABIRF9612 P-场效应200V1.5A 20W TO-220ABIRF9613 P-场效应150V1.5A 20W TO-220ABIRF9620 P-场效应200V3.5A 40W TO-220ABIRF9621 P-场效应150V3.5A 40W TO-220ABIRF9622 P-场效应200V3.0A 40W TO-220ABIRF9623 P-场效应150V3.0A 40W TO-220ABIRF9630 PMOS GDS 200V6.5A75W100/80nS0.8 功放开关IRF9631 P-场效应150V 6.5A 75W TO-220ABIRF9632 P-场效应200V 5.5A 75W TO-220ABIRF9633 P-场效应150V 5.5A 75W TO-220ABIRF9634 P-场效应250V 3.4A 33W TO-220ABIRF9640 P-FET200V11A125W15/12ns0.5ohmIRF9641 P-场效应150V 11A 125W TO-220ABIRF9642 P-场效应200V 9A 125W TO-220ABIRF9643 P-场效应150V 9A 125W TO-220ABIRF9Z30 50V 18A 74W MOSIRF9Z34 60V 18A 74W MOSIRFBC20 NMOS GDS 600V2.2A50W15/30nS4.4 功放开关IRFBC30 NMOS GDS 600V3.6A74W20/21nS2.2 功放开关IRFBC40 NMOS GDS 600V6.2A125W27/30nS1.2 功放开关IRFBE30 NMOS GDS 800V2.8A75W15/30nS3.5 功放开关IRFD113 NMOS GDS 60V0.8A1W0.8 功放开关IRFD120 NMOS GDS 100V1.3A1W70/70nS0.3 功放开关IRFD123 NMOS GDS 80V1.1A1W70/70nS0.3 功放开关IRFD9120 PMOS GDS 100V1A1W0.6 功放开关IRFI730 NMOS GDS 400V4A32W1.0 功放开关IRFI744 NMOS GDS 400V4A32W1.0 功放开关IRFP054 NMOS GDS 60V65A180W0.022 功放开关IRFP064 60V 70A 300W MOSIRFP140 NMOS GDS 100V29150W0.85 功放开关IRFP150 NMOS GDS 100V40A180W210/140nS0.55 功放开关IRFP240 NMOS GDS 200V19A150W0.18 功放开关IRFP250 NMOS GDS 200V33A180W180/120nS0.08 功放开关IRFP254 250V 23A 180W MOSIRFP260 200V 46A 280W MOSIRFP264 250V 38A 280W MOSIRFP340 NMOS GDS 400V10A150W0.55 功放开关IRFP350 NMOS GDS 400V16A180W77/71nS0.3 功放开关IRFP353 NMOS GDS 350V14A180W77/71XnS0.4 功放开关IRFP360 NMOS GDS 400V23A250W140/99nS0.2 功放开关IRFP440 NMOS GDS 500V8.1A150W0.85 功放开关IRFP450 NMOS GDS 500V14A180W66/60nS0.4 功放开关IRFP460 NMOS GDS 500V20A250W120/98nS0.27 功放开关IRFP9140 PMOS GDS 100V19A150W100/70nS0.2 功放开关IRFP9240 PMOS GDS 200V12A150W68/57nS0.5 功放开关IRFPC40 600V 6.5A 150W MOSIRFPC50 600V 10A 180W MOSIRFPC60 600V 13A 200W MOSIRFPE40 800V 5.3A 150W MOSIRFPF40 NMOS GDS 900V4.7A150W2.5 功放开关IRFPF50 900V 6.8A 180W MOSIRFPG42 NMOS GDS 1000V3.9A150W4.2 功放开关IRFPG50 1000V 6.1A 180W MOSIRFS630B NMOS GDS 200V9A38W50/40nS0.4 =IRF630 IRFS634B NMOS GDS 250V8.1A38W50/40nS0.4 =IRF634 IRFS640B NMOS GDS 200V18A43W50/40nS0.4 =IRF640 IRFS9630 PMOS GDS 200V6.5A75W100/80nS0.8 功放开关IRFU020 NMOS GDS 50V15A42W 83/39nS0.1 功放开关IRFZ34 N-FET60V30A90W110/80ns0.05ohmIRFZ44 60V 35A 150W MOSIRFZ48 60V 50A 250W MOS。
常用N沟道场效应管及参数
常用N沟道场效应管及参数N沟道场效应管（N-channel MOSFET）是一种常用的场效应管，也称为N沟道型MOSFET。
它是电子设备中最常见的功率晶体管之一，被广泛用于各种电路中，如放大、开关、调节电路等。
本文将介绍N沟道场效应管的常用型号及其参数。
1.2N7000：2N7000是一款低功率N沟道MOSFET，具有较低开启电压和适中的功率处理能力。
它经常用于电路中的开关和开关保护。
2.IRF3205：IRF3205是一款高功率N沟道MOSFET，具有较低的导通电阻和较高的功率承载能力。
它广泛应用于高功率开关电源和电机驱动等领域。
3.IRF540：IRF540是另一种高功率N沟道MOSFET，具有类似的特点和应用于IRF3205，被广泛应用于功率放大和电源控制电路中。
4.2SK2231：2SK2231是一款高压高功率N沟道MOSFET，具有较高的耐压和较大的功率承载能力。
它常用于高压电源和交流电机驱动等领域。
N沟道场效应管的参数：1.饱和漏源电压（VDS）：指在控制极（栅极）与源极之间的电压达到一定值时，MOSFET的通态转变，从导通状态进入截止状态。
一般，N沟道MOSFET的饱和电压应小于供电电压。
2. 控制极电压（VGS）：指控制极（栅极）与源极之间的电压，通过改变VGS可以控制MOSFET的导通和截止。
对于饱和区工作的N沟道MOSFET，VGS一般应大于阈值电压（Vth）才能使其导通。
3. 极间电容（Ciss， Coss， Crss）：指MOSFET的栅-源电容、栅-极电容和栅-源-极电容，它们在高频应用中具有重要的影响。
极间电容的大小与MOSFET的尺寸和结构等因素有关。
4.漏极电流（ID）：指通过MOSFET的源-漏电流，是导通状态下的重要参数。
漏极电流的大小与MOSFET的控制极电压和源-漏电阻有关。
5.导通电阻（RDS(ON)）：指在MOSFET导通状态下的导通电阻，反映了MOSFET导通时的电阻特性。
IRF系列高压MOS管
IRF系列高压MOS管高压MOS管----IRF系列学习杂记2008-01-29 15:04:28 阅读2856 评论2 字号：大中小订阅IRF024 N-场效应60 17 60 TO-204AAIRF034 N-场效应60 30 90 TO-204AEIRF035 N-场效应60 25 90 TO-204AEIRF044 N-场效应60 30 150 TO-204AEIRF045 N-场效应60 30 150 TO-204AEIRF054 N-场效应60 30 180 TO-204AAIRF120 N-场效应100 8.0 40 TO-3IRF121 N-场效应60 8.0 40 TO-3IRF122 N-场效应100 7.0 40 TO-3IRF123 N-场效应60 7.0 40 TO-3IRF130 100V 14A 79W N-场效应IRF130(铁)NMOS GDS 100V14A79W75/45nS0.16 功放开关IRF131 N-场效应60V14A 75W TO-3IRF132 N-场效应100V12A75W TO-3IRF133 N-场效应60V12A 75W TO-3IRF140 N-场效应100V 27A 125W TO-204AEIRF141 N-场效应60V 27A 125W TO-204AEIRF142 N-场效应100V24A 125W TO-204AEIRF143 N-场效应60V 24A 125W TO-204AEIRF150 N-场效应100V 40A 150W TO-204AEIRF151 N-场效应60V 40A 150W TO-204AEIRF152 N-场效应100V 33A 150W TO-204AEIRF153 N-场效应60V33A 150W TO-204AEIRF15N65 650V 5A 80W MOSIRF16N65 650V 6A 80W MOSIRF220 N-场效应200V 5.0A 40W TO-3IRF223 N-场效应150V 4.0A 40W TO-3IRF224 N-场效应250V3.8A 40W TO-204AAIRF225 N-场效应250V 3.3A 40W TO-204AAIRF230 N-场效应200V 9.0A 75W TO-3IRF230(铁)NMOS GDS 200V9A75W50/40nS0.4 功放开关IRF231 N-场效应150V 9.0A 75W TO-3IRF232 N-场效应200V 8.0A 75W TO-3IRF233 N-场效应150V 8.0A 75W TO-3IRF234 N-场效应250V 8.1A 75W TO-204AAIRF235 N-场效应250V 6.5A 75W TO-204AAIRF240 N-场效应200V 18A 125W TO-204AEIRF241 N-场效应150V 18A 125W TO-204AEIRF242 N-场效应200V 16A 125W TO-204AEIRF243 N-场效应150V 16A 125W TO-204AEIRF244 N-场效应250V 14A 125W TO-204AAIRF245 N-场效应250V 13A 125W TO-204AAIRF250 N-场效应200V 30A 150W TO-204AEIRF251 N-场效应150V 30A 150W TO-204AEIRF252 N-场效应200V 25A 150W TO-204AEIRF253 N-场效应150V 25A 150W TO-204AEIRF254 N-场效应250V 22A 150W TO-204AEIRF255 N-场效应250V 20A 150W TO-204AEIRF2807 70V 78A 180W MOSIRF320 N-场效应400V 3.0A 40W TO-3IRF3205 55V 110A 200W MOSIRF321 N-场效应350V 3.0A 40W TO-3IRF322 N-场效应400V 2.5A 40W TO-3IRF323 N-场效应350V 2.5A 40W TO-3IRF330 N-场效应400V 5.5A 75W TO-3IRF333 N-场效应350V 4.5A 75W TO-3IRF340 N-场效应400V 10A 125W TO-3IRF341 N-场效应350V 10A 125W TO-3IRF342 N-场效应400V 8.0A 125W TO-3IRF343 N-场效应350V 8.0A 125W TO-3IRF350 N-场效应400V 15A 150W TO-3IRF351 N-场效应350V 15A 150W TO-3IRF352 N-场效应400V 13A 150W TO-3IRF353 N-场效应350V 13A 150W TO-3IRF360 N-场效应400V 25A 300W TO-204AEIRF362 N-场效应400V 22A 300W TO-204AEIRF3710 100V 46A 150W MOSIRF420 N-场效应500V 2.5A 50W TO-3IRF421 N-场效应450V 2.5A 50W TO-3IRF422 N-场效应500V 2.0A 50W TO-3IRF423 N-场效应450V 2.0A 50W TO-3IRF430 N-场效应500V 4.5A 75W TO-3IRF431 N-场效应450V 4.5A 75W TO-3IRF432 N-场效应500V 4.0A 75W TO-3IRF433 N-场效应450V 4.0A 75W TO-3IRF440 N-场效应500V 8.0A 125W TO-3IRF440(铁)NMOS GDS 500V8A125W35/30nS0.85 功放开关IRF441 N-场效应450V 8.0A 125W TO-3IRF442 N-场效应500V 7.0A 125W TO-3IRF443 N-场效应450V 7.0A 125W TO-3IRF448 N-场效应500V 9.6A 130W TO-204AAIRF449 N-场效应500V 8.6A 130W TO-204AAIRF450 N-场效应500V 13A 150W TO-3IRF450(铁)NMOS GDS 500V13A125W66/60nS0.4 功放开关IRF452 N-场效应500V 12A 150W TO-3IRF453 N-场效应450V 12A 150W TO-3IRF460 N-场效应500V 21A 300W TO-204AEIRF460(铁)NMOS GDS 500V 21AW66/60nS0.4 功放开关IRF462 N-场效应500V 19A 300W TO-204AEIRF48 N-场效应60V50A190W TO-220ABIRF510 N-场效应100V 5.6A 43W TO-220ABIRF511 N-场效应80V 5.6A 43W TO-220ABIRF512 N-场效应100V 4.9A 43W TO-220ABIRF513 N-场效应80V 4.9A 43W TO-220ABIRF520 N-场效应100V 9.2A 60W TO-220ABIRF521 N-场效应80V 9.2A 60WTO-220ABIRF522 N-场效应100V 8A 60W TO-220ABIRF523 N-场效应80V 8A 60W TO-220ABIRF530 N-场效应100V 14A 79W TO-220ABIRF530 N-FET100V14A79W 51/36ns0.18ohmIRF530 NMOS GDS 100V14A79W51/36nS0.18 功放开关IRF531 N-场效应80V 14A 79W TO-220ABIRF532 N-场效应100V 12A 79W TO-220ABIRF533 N-场效应80V 12A 79W TO-220ABIRF540 NMOS+D GDS 100V28A150W110/75nS0.077 功放开关IRF540A NMOS GDS 100V28A107W Id m=110A/0.052Ω 功放开关IRF541 NMOS GDS 80V28A150W110/75nS0.077 功放开关IRF542 N-场效应100V 25A 150W TO-220ABIRF543 N-场效应80V 25A 150W TO-220ABIRF610 NMOS GDS 200V3.3A43W26/13nS1.5 功放开关IRF611 N-场效应150V 3.3A 43W TO-220ABIRF612 N-场效应200V 2.6A 43W TO-220ABIRF614 N-场效应250V 2.0A 20W TO-220ABIRF615 N-场效应250V 1.6A 20W TO-220ABIRF620 N-场效应200V 5A 40W TO-220ABIRF621 N-场效应150V 5A 40W TO-220ABIRF622 N-场效应200V 4A 40W TO-220ABIRF623 N-场效应150V 4A 40W TO-220ABIRF624 N-场效应250V 3.8A 40W TO-220ABIRF625 N-场效应250V 3.3A 40W TO-220ABIRF630 NMOS GDS 200V9A75W50/40nS0.4 功放开关IRF631 N-场效应150V 9A 75W TO-220ABIRF632 N-场效应200V 8A 75W TO-220ABIRF633 N-场效应150V 8A 75W TO-220ABIRF634 N-场效应250V 8.1A 75W TO-220ABIRF635 N-场效应250V 6.5A 75W TO-220ABIRF640 N-FET GDS 200V18A125W 77/54ns0.18ohm功放开关IRF641 N-场效应150V 18A 125W TO-220ABIRF642 N-场效应200V 16A 125W TO-220ABIRF643 N-场效应150V 16A 125W TO-220ABIRF644 N-场效应250V 14A 125W TO-220ABIRF645 N-场效应250V 13A 125W TO-220ABIRF710 N-场效应400V 2.0A 36W TO-220ABIRF711 N-场效应350V 2.0A 36W TO-220ABIRF712 N-场效应400V 1.7A 36W TO-220ABIRF713 N-场效应350V 1.7A 36W TO-220ABIRF720 N-场效应GDS 400V 3.3A 50W TO-220AB 20nS1.8功放开关IRF721 N-场效应350V 3.3A 50W TO-220ABIRF722 N-场效应400V 2.8A 50W TO-220ABIRF723 N-场效应350V 2.8A 50W TO-220ABIRF730 NMOS GDS 400V5.5A75W29/24nS1.0 功放开关IRF732 N-场效应400V 4.5A 74W TO-220ABIRF733 N-场效应350V 4.5A 74W TO-220ABIRF740 N-FET400V10A125W 41/36ns0.55ohm 功放开关IRF741 N-场效应350V 10A 125W TO-220ABIRF742 N-场效应400V 8.3A 125W TO-220ABIRF743 N-场效应350V 8.3A 125W TO-220ABIRF820 N-场效应500V 2.5A 50W TO-220ABIRF821 N-场效应450V 2.5A 50W TO-220ABIRF822 N-场效应500V 2.2A 50W TO-220ABIRF823 N-场效应450V 2.2A 50W TO-220ABIRF830 NMOS GDS 500V4.5A75W23/23nS1.5 功放开关IRF831 N-场效应450V 4.5A 74W TO-220ABIRF832 N-场效应500V 4.0A 74W TO-220ABIRF833 N-场效应450V 4.0A 74W TO-220ABIRF840 NMOS GDS 500V8A125W35/33nS0.85 功放开关IRF841 N-场效应450V 8.0 125W TO-220ABIRF842 N-场效应500V 7.0 125W TO-220ABIRF843 N-场效应450V 7.0 125W TO-220ABIRF9130 P-场效应100V-12A 75W TO-3IRF9131 P-场效应60V-12A 75W TO-3IRF9132 P-场效应100V-10A 75W TO-3IRF9133 P-场效应60V –10A 75W TO-3IRF9140 P-场效应100V –19A 125W TO-3IRF9141 P-场效应60V –19A 125W TO-3IRF9142 P-场效应100V –15A 125W TO-3IRF9143 P-场效应60V –15A 125W TO-3IRF9230 P-场效应200V6.5A 75W TO-3IRF9231 P-场效应150V6.5A 75W TO-3IRF9232 P-场效应200V5.5A 75W TO-3IRF9233 P-场效应150V5.5A 75W TO-3IRF9240 P-场效应200V –11A 125W TO-3IRF9241 P-场效应150V –11A 125W TO-3IRF9242 P-场效应200V9.0A 125W TO-3IRF9243 P-场效应150V9.0A 125W TO-3IRF9510 P-场效应100V3.0A 20W TO-220ABIRF9511 P-场效应60V3.0A 20W TO-220ABIRF9512 P-场效应100V2.5A 20W TO-220ABIRF9513 P-场效应60V2.5A 20W TO-220ABIRF9520 P-场效应100V6.0A 40W TO-220ABIRF9521 P-场效应60V6.0A 40W TO-220ABIRF9522 P-场效应100V5.0A 40W TO-220ABIRF9523 P-场效应60V5.0A 40W TO-220ABIRF9530 PMOS GDS 100V12A75W140/140nS0.4 功放开关IRF9531 PMOS GDS 60V12A75W140/140S0.3 功放开关IRF9532 P-场效应100V –10A 75W TO-220ABIRF9533 P-场效应60V –10A 75W TO-220ABIRF9540 P-场效应100V –19A 125W TO-220ABIRF9541 PMOS GDS 60V19A125W140/141nS0.2 功放开关IRF9542 P-场效应100V –15A 125W TO-220ABIRF9543 P-场效应60V –15A 125W TO-220ABIRF9610 PMOS GDS 200V1A20W25/15nS2.3 功放开关IRF9611 P-场效应150V1.75A 20W TO-220ABIRF9612 P-场效应200V1.5A 20W TO-220ABIRF9613 P-场效应150V1.5A 20W TO-220ABIRF9620 P-场效应200V3.5A 40W TO-220ABIRF9621 P-场效应150V3.5A 40W TO-220ABIRF9622 P-场效应200V3.0A 40W TO-220ABIRF9623 P-场效应150V3.0A 40W TO-220ABIRF9630 PMOS GDS 200V6.5A75W100/80nS0.8 功放开关IRF9631 P-场效应150V 6.5A 75W TO-220ABIRF9632 P-场效应200V 5.5A 75W TO-220ABIRF9633 P-场效应150V 5.5A 75W TO-220ABIRF9634 P-场效应250V 3.4A 33W TO-220ABIRF9640 P-FET200V11A125W15/12ns0.5ohmIRF9641 P-场效应150V 11A 125W TO-220ABIRF9642 P-场效应200V 9A 125W TO-220ABIRF9643 P-场效应150V 9A 125W TO-220ABIRF9Z30 50V 18A 74W MOSIRF9Z34 60V 18A 74W MOSIRFBC20 NMOS GDS 600V2.2A50W15/30nS4.4 功放开关IRFBC30 NMOS GDS 600V3.6A74W20/21nS2.2 功放开关IRFBC40 NMOS GDS 600V6.2A125W27/30nS1.2 功放开关IRFBE30 NMOS GDS 800V2.8A75W15/30nS3.5 功放开关IRFD113 NMOS GDS 60V0.8A1W0.8 功放开关IRFD120 NMOS GDS 100V1.3A1W70/70nS0.3 功放开关IRFD123 NMOS GDS 80V1.1A1W70/70nS0.3 功放开关IRFD9120 PMOS GDS 100V1A1W0.6 功放开关IRFI730 NMOS GDS 400V4A32W1.0 功放开关IRFI744 NMOS GDS 400V4A32W1.0 功放开关IRFP054 NMOS GDS 60V65A180W0.022 功放开关IRFP064 60V 70A 300W MOSIRFP140 NMOS GDS 100V29150W0.85 功放开关IRFP150 NMOS GDS 100V40A180W210/140nS0.55 功放开关IRFP240 NMOS GDS 200V19A150W0.18 功放开关IRFP250 NMOS GDS 200V33A180W180/120nS0.08 功放开关IRFP254 250V 23A 180W MOSIRFP260 200V 46A 280W MOSIRFP264 250V 38A 280W MOSIRFP340 NMOS GDS 400V10A150W0.55 功放开关IRFP350 NMOS GDS 400V16A180W77/71nS0.3 功放开关IRFP353 NMOS GDS 350V14A180W77/71XnS0.4 功放开关IRFP360 NMOS GDS 400V23A250W140/99nS0.2 功放开关IRFP440 NMOS GDS 500V8.1A150W0.85 功放开关IRFP450 NMOS GDS 500V14A180W66/60nS0.4 功放开关IRFP460 NMOS GDS 500V20A250W120/98nS0.27 功放开关IRFP9140 PMOS GDS 100V19A150W100/70nS0.2 功放开关IRFP9240 PMOS GDS 200V12A150W68/57nS0.5 功放开关IRFPC40 600V 6.5A 150W MOSIRFPC50 600V 10A 180W MOSIRFPC60 600V 13A 200W MOSIRFPE40 800V 5.3A 150W MOSIRFPF40 NMOS GDS 900V4.7A150W2.5 功放开关IRFPF50 900V 6.8A 180W MOSIRFPG42 NMOS GDS 1000V3.9A150W4.2 功放开关IRFPG50 1000V 6.1A 180W MOSIRFS630B NMOS GDS 200V9A38W50/40nS0.4 =IRF630 IRFS634B NMOS GDS 250V8.1A38W50/40nS0.4 =IRF634 IRFS640B NMOS GDS 200V18A43W50/40nS0.4 =IRF640 IRFS9630 PMOS GDS 200V6.5A75W100/80nS0.8 功放开关IRFU020 NMOS GDS 50V15A42W 83/39nS0.1 功放开关IRFZ34 N-FET60V30A90W110/80ns0.05ohmIRFZ44 60V 35A 150W MOSIRFZ48 60V 50A 250W MOS。
IRF530N中文资料
EAS
Non-repetitive avalanche Unclamped inductive load, IAS = 7.8 A;
energy
tp = 300 µs; Tj prior to avalanche = 25˚C;
VDD ≤ 25 V; RGS = 50 Ω; VGS = 10 V; refer
VDS = 25 V; ID = 9 A VGS = ± 20 V; VDS = 0 V VDS = 100 V; VGS = 0 V VDS = 80 V; VGS = 0 V; Tj = 175˚C
ID = 9 A; VDD = 80 V; VGS = 10 V
Turn-on delay time Turn-on rise time Turn-off delay time Turn-off fall time
Tj = 25 ˚C to 175˚C Tj = 25 ˚C to 175˚C; RGS = 20 kΩ
Tmb = 25 ˚C; VGS = 10 V Tmb = 100 ˚C; VGS = 10 V Tmb = 25 ˚C Tmb = 25 ˚C
MIN.
- 55
MAX.
100 100 ± 20 17 12 68 79 175
Applications:• d.c. to d.c. converters • switched mode power supplies
The IRF530N is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.
PINNING
Fig.6. Typical on-state resistance, Tj = 25 ˚C. RDS(ON) = f(ID)
基于单片机的电动车36V锂电池组保护电路设计实施方案
基于单片机的电动车36V锂电池组保护电路设计方案随着电动自行车普及，锂电池也成为众人关心的焦点。
锂电池与镍镉、镍氢电池不太一样，因其能量密度高，对充放电要求很高。
当过充、过放、过流及短路保护等情况发生时，锂电池内的压力与热量大量增加，容易产生爆炸，因此通常都会在电池包内加保护电路，用以提高锂电池的使用寿命。
针对目前电动车锂电池组所用的保护电路大多都由分立原件构成，存在控制精度不够高、技术指标低、不能有效保护锂电池组等特点，本文中提出一种基于单片机的电动车36V锂电池组（由10节3. 6 V锂电池串联而成）保护电路设计方案，利用高性能、低功耗的ATmega16L 单片机作为检测和控制核心，用由MC34063构成的DC /DC变换控制电路为整个保护电路提供稳压电源，辅以LM60 测温、MOS管IRF530N作充放电控制开关，实现对整个电池组和单个电池的状态监控和保护功能，达到延长电池使用寿命的目的。
1 保护电路硬件设计本系统以单片机为数据处理和控制的核心，将任务设计分解为电压测量、电流测量、温度测量、开关控制、电源、均衡充电等功能模块。
系统的总体框图如图1所示。
图1 系统的总体框图电池组电压、电流、温度等信息通过电压采样、电流采样和温度测量电路，加到信号采集部分的A /D输入端。
A /D模块将输入的模拟信号转换为数字信号，并传输给单片机。
单片机作为数据处理和控制的核心，一方面实时监控电池组的各项性能指标和状态，一方面根据这些状态参数控制驱动大功率开关。
由于使用了单片机，使系统具有很大的灵活性，便于实现各种复杂控制，从而能方便地对系统进行功能扩展和性能改进。
1. 1 ATmega16 L单片机模块从低功耗、低成本设计角度出发，单片机模块采用高性能、低功耗的ATmega16 L 单片机作为检测与控制核心。
ATmega16 L 是基于增强的AVRR ISC结构的低功耗8位C MOS微控制器，内部带有16 k 字节的系统内可编程Flash, 512 字节EEPROM, 1 k字节SRAM, 32个通用I/O口线， 32个通用工作寄存器（用于边界扫描的JTAG接口，支持片内调试与编程） , 3个具有比较模式的灵活定时器/计数器（ T/C）（片内/外中断） ,可编程串行USART,有起始条件检测器的通用串行接口， 8路10位具有可选差分输入级可编程增益（ TQFP封装）的ADC,具有片内振荡器的可编程看门狗定时器，一个SP I串行端口，以及6个可以通过软件进行选择的省电模式。
单片机控制的开关电源系统的设计
单片机控制的开关电源系统的设计作者：林竹清来源：《科学与财富》2016年第07期摘要：本文阐述了一种单片机控制的智能型开关电源的设计方案，STC89C51 单片机的应用，开关电源目前的发展状况。
根据现有电源技术，为了适应当前电子设备对电源的实用、高效、节能、智能和环保等性能的需求，研究实现了以STC89C51 单片机为核心，能通过外置的键盘，改变输出电压的大小，使得步进可调，输出的电压大小通过 LCD1602 液晶屏显示。
关键词：单片机；开关电源；数控电源是电子产品的能量来源。
随着电子产品的广泛应用，电源的作用也日渐凸现它的重要性。
传统的线性电源具有效率较低等缺点，而开关电源具有高效率、高可靠、低耗、低噪声、抗干扰和模块化等优点。
本文设计的智能开关电源通过 STC89C51 单片机产生的 PWM 波控制开关管的工作状态，经过一系列的电源控制芯片，来改变其后的输出。
其效率远超线性电源，可达80%以上，如加入计算机控制，还可实现智能化[1]。
同时，在电路设计上运用了适当的电压调整电路，自动修正输出误差，并且还使用了保护电路，弥补了传统稳压电源的不足。
1工作原理开关电源是指开关管工作在导通和截止状态。
如图1所示的开关电源工作原理是：预设一个标准电压为10V，但是因为外部供电不稳定原因引起输入电压Vi会有上下浮动，导致输出Vo也将会上下浮动，这样，所采集到的电压就一定不是10V，假设为9V，误差为1V，系统比较处理之后，PWM电路会根据这个差值数据调节开关管导通的时间和截止时间的比值，使输出电压尽量和标准电压相一致。
例如，采样电压偏小时，系统提高占空比使开关管工作在导通状态的时间长一些，这样使得输出电压增大。
同理，当采样电压偏大时，系统降低占空比使开关管工作在截止状态的时间长一些，这样使得输出电压减小，以此来控制输出电压的稳定[2]。
图1 开关电源原理框图2总体结构的设计外部电流通过二极管组成的滤波电路和整流电路后，从7812芯片获得12V电压，它作为开关变换电路的输入电压。
元件选型型号
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我们视“客户+企业=共赢”作为企业发展的基础，做最诚信的供应商，希望真诚与您携手共进、共同成长，为国家的和谐发展和电子行业的繁荣作出应有的贡献！++++系列场效应管（MOSFET）：IRF1010E，IRF1404，IRF1405，IRF5305，IRF2807，IRF3205，IRF3710，I RF4905，IRF5210，IRF530，IRF530N，IRF540N，IRF630N，IRF640N，IR F730，IRF740，IRF830，IRF840，IRF9510，IRF9520，IRF9530N，IRF954 0，IRF9540N，IRF9630，IRF9640，IRFZ24N，IRFZ34N，IRFZ44N，IRFZ4 4R，IRFZ44V，IRLZ44N，IRFZ46N，IRFZ46Z，IRFZ48V，IRFZ48N，IRF9 Z24N，IRF9Z34N，IRFP150，IRFP150N，IRFP250N，IRFP260N，IRFP25 4N，IRFP264，IRFP264N，IRFP350，IRFP360，IRFP450，IRFP450LC，I RFP460，IRFP460A，IRFP460LC，IRFP054N，IRFP064N，IRFBE30，IRF 520N，IRF634，IRF710，IRF720，IRF820，IRF4905L，IRF5303，IR2520D，IRFP240，IRFP9240，IRF610，IRF9610，IRF5210，IRFR024N，IRFR120N，IRFR220N，IRFR9024，IRFR420，IRFR5305，IRF7313，IRF7314，IRF741 3，IRFL9110，IRL3705，IRL3803，IRL3803S，IRFD110，IRFD9110，IRFD9220，IRFD220，IRFD120，IRFD9120，IRFU9120，IRF6216，IRF640NS，IRF3415，IRFB4310，IRF7210，IRF9530S，IRF7832，IRFP140N，IRFP44 8，IRFP2907，IRFP9140N，IRFPC50，IRFPC60，IRFBE30，IRFPE40，IR FPE50，IRFPF50，IRFPG50，IRFBC20，IRFBC30，IRFBC40，IRFBG20，IRFBG30，IRLML6302TR，IRLML2402TR，IRLML2502TR，IRLML2803TR，IRLML5103TR，IRLML5203TR，IRLML6401TR，IRLML6402TR，IRFB4710，IRFB4212，IRFB11N50A，IRFB38N20D，IRFB31N20D，STP60NF06，STP 75NF75，STP55NF06，2SK2645，IRF630B，IRF640B，IRF840B，FQPF2 N60C，FQP5N60C，FQF5N60C，SSS7N60B，FQPF8N60C，FQPF10N60 C，FQPF12N60C，FYP2010DNTU，FQP50N06，FGA15N120ANTDTU，FGA25N120ANTDTU。
常用的P沟道场效应管
常用大功率P沟道场效应管的选型2009-11-16 14:24IRF系列 POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换带有"-"号的参数为P沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管,没注明的均为N沟道场效应管.型号 Drain-to-Source Voltage漏极到源极电压 Static Drain-SourceOn-State Resistance静态漏源通态电阻 Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃) PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃） Package 封装 Toshiba Replacement 替换东芝型号 Vender 供应商型号---V ---A---W----封装IRF48 60 - 50 190 TO-220AB - IRIRF024 60 - 17 60 TO-204AA - IRIRF034 60 - 30 90 TO-204AE - IRIRF035 60 - 25 90 TO-204AE - IRIRF044 60 - 30 150 TO-204AE - IRIRF045 60 - 30 150 TO-204AE - IRIRF054 60 - 30 180 TO-204AA - IRIRF120 100 - 8.0 40 TO-3 - IRIRF121 60 - 8.0 40 TO-3 - IRIRF122 100 - 7.0 40 TO-3 - IRIRF123 60 - 7.0 40 TO-3 - IRIRF130 100 - 14 75 TO-3 - IRIRF131 60 - 14 75 TO-3 - IRIRF132 100 - 12 75 TO-3 - IRIRF133 60 - 12 75 TO-3 - IRIRF140 100 - 27 125 TO-204AE - IRIRF141 60 - 27 125 TO-204AE - IRIRF142 100 - 24 125 TO-204AE - IRIRF143 60 - 24 125 TO-204AE - IRIRF150 100 - 40 150 TO-204AE - IRIRF151 60 - 40 150 TO-204AE - IRIRF152 100 - 33 150 TO-204AE - IRIRF153 60 - 33 150 TO-204AE - IRIRF220 200 - 5.0 40 TO-3 - IRIRF221 150 - 5.0 40 TO-3 - IRIRF222 200 - 4.0 4.0 TO-3 - IRIRF223 150 - 4.0 40 TO-3 - IRIRF224 250 - 3.8 40 TO-204AA - IRIRF225 250 - 3.3 40 TO-204AA - IRIRF231 150 - 9.0 75 TO-3 - IRIRF232 200 - 8.0 75 TO-3 - IRIRF233 150 - 8.0 75 TO-3 - IRIRF234 250 - 8.1 75 TO-204AA - IR IRF235 250 - 6.5 75 TO-204AA - IR IRF240 200 - 18 125 TO-204AE - IR IRF241 150 - 18 125 TO-204AE - IR IRF242 200 - 16 125 TO-204AE - IR IRF243 150 - 16 125 TO-204AE - IR IRF244 250 - 14 125 TO-204AA - IR IRF245 250 - 13 125 TO-204AA - IR IRF250 200 - 30 150 TO-204AE - IR IRF251 150 - 30 150 TO-204AE - IR IRF252 200 - 25 150 TO-204AE - IR IRF253 150 - 25 150 TO-204AE - IR IRF254 250 - 22 150 TO-204AE - IR IRF255 250 - 20 150 TO-204AE - IR IRF320 400 - 3.0 40 TO-3 - IRIRF321 350 - 3.0 40 TO-3 - IRIRF322 400 - 2.5 40 TO-3 - IRIRF323 350 - 2.5 40 TO-3 - IRIRF330 400 - 5.5 75 TO-3 - IRIRF331 350 - 5.5 75 TO-3 - IRIRF332 400 - 4.5 75 TO-3 - IRIRF333 350 - 4.5 75 TO-3 - IRIRF340 400 - 10 125 TO-3 - IRIRF341 350 - 10 125 TO-3 - IRIRF342 400 - 8.0 125 TO-3 - IR IRF343 350 - 8.0 125 TO-3 - IR IRF350 400 - 15 150 TO-3 - IRIRF351 350 - 15 150 TO-3 - IRIRF352 400 - 13 150 TO-3 - IRIRF353 350 - 13 150 TO-3 - IRIRF360 400 - 25 300 TO-204AE - IR IRF362 400 - 22 300 TO-204AE - IR IRF420 500 - 2.5 50 TO-3 - IRIRF421 450 - 2.5 50 TO-3 - IRIRF422 500 - 2.0 50 TO-3 - IRIRF423 450 - 2.0 50 TO-3 - IRIRF430 500 - 4.5 75 TO-3 - IRIRF431 450 - 4.5 75 TO-3 - IRIRF432 500 - 4.0 75 TO-3 - IRIRF433 450 - 4.0 75 TO-3 - IRIRF441 450 - 8.0 125 TO-3 - IRIRF442 500 - 7.0 125 TO-3 - IRIRF443 450 - 7.0 125 TO-3 - IRIRF448 500 - 9.6 130 TO-204AA - IRIRF449 500 - 8.6 130 TO-204AA - IRIRF450 500 - 13 150 TO-3 - IRIRF451 450 - 13 150 TO-3 - IRIRF452 500 - 12 150 TO-3 - IRIRF453 450 - 12 150 TO-3 - IRIRF460 500 - 21 300 TO-204AE - IRIRF462 500 - 19 300 TO-204AE - IRIRF1010 55 0.014 75 150 TO-220AB 2SK2312 IRIRF1010E 60 0.012 81 170 TO-220AB 2SK2985 IR IRF1010EL 60 0.012 83 170 TO-262 2SK2986 IRIRF1010ES 60 0.012 83 170 D2PAK 2SK2986 IRIRF1010N 55 0.012 72 130 TO-220AB - IRIRF1010NL 55 0.011 84 170 TO-262 - IRIRF1010NS 55 0.011 84 3.8 D2PAK - IRIRF1010S 55 0.014 75 150 D2PAK 2SK2376 IRIRF1310 100 0.04 43 150 TO-220AB 2SK2466 IRIRF1310N 100 0.036 36 120 TO-220AB - IRIRF1310NS 100 0.036 36 120 D2PAK - IRIRF1310S 100 0.04 43 150 D2PAK 2SK2466 IRIRF2807 75 0.013 71 150 TO-220AB - IRIRF2807L 75 0.013 71 150 TO-262 - IRIRF2807S 75 0.013 71 150 D2PAK - IRIRF3205 55 0.008 98 150 TO-220AB 2SK2985 IRIRF3205L 55 0.008 110 200 TO-262 2SK2986 IRIRF3205S 55 0.008 110 200 D2PAK 2SK2986 IRIRF3315 150 0.082 21 94 TO-220AB - IRIRF3315L 150 0.082 21 94 TO-262 - IRIRF3315S 150 0.082 21 94 D2PAK - IRIRF3415 150 0.042 37 150 TO-220AB - IRIRF3415S 150 0.042 37 150 D2PAK - IRIRF3710 100 0.028 46 150 TO-220AB - IRIRF3710S 100 0.028 46 150 D2PAK - IRIRF4905 -55 0.02 64 150 TO-220AB - IRIRF4905L -55 0.02 -74 200 TO-262 - IRIRF4905S -55 0.02 -74 3.8 D2PAK - IRIRF510 100 0.54 5.6 43 TO-220AB 2SK2399 IRIRF510A 100 0.4 5.6 33 TO-220AB 2SK2399 Samsung IRF510S 100 0.54 5.6 43 D2PAK 2SK2399 IRIRF511(R) 80 0.54 5.6 - TO-220AB 2SK2399 HarrisIRF512(R) 100 0.74 4.9 - TO-220AB 2SK2399 Harris IRF513(R) 80 0.74 4.9 - TO-220AB 2SK2399 Harris IRF520 100 0.27 9.2 60 TO-220AB 2SK2399 IRIRF520 100 0.27 10 - TO-220AB 2SK2399 STIRF520A 100 0.2 9.2 45 TO-220AB 2SK2399 Samsung IRF520FI 100 0.27 7 - TO-220FP 2SK2399 STIRF520N 100 0.2 9.5 47 TO-220AB 2SK2399 IRIRF520NS 100 0.2 9.5 47 D2PAK 2SK2399 IRIRF520S 100 0.27 9.2 60 D2PAK 2SK2399 IRIRF521(R) 80 0.27 9.2 - TO-220AB 2SK2399 Harris IRF5210 -100 0.06 -35 150 TO-220AB - IRIRF5210S -100 0.06 -35 150 D2PAK - IRIRF522(R) 100 0.36 8 - TO-220AB - HarrisIRF523(R) 80 0.36 8 - TO-220AB 2SK2399 HarrisIRF530 100 0.16 14 88 TO-220AB 2SK2314 IRIRF530 100 0.16 16 - TO-220AB 2SK2314 STIRF5305 -55 0.06 -31 110 TO-220AB 2SJ349 IRIRF5305L -55 0.06 -31 110 TO-262 2SJ401 IRIRF5305S -55 0.06 -31 110 D2PAK 2SJ401 IRIRF530A 100 0.11 14 55 TO-220AB 2SK2314 Samsung IRF530FI 100 0.16 10 - TO-220FP 2SK2391 STIRF530N 100 0.11 15 60 TO-220AB 2SK2314 IRIRF530NS 100 0.11 15 63 D2PAK 2SK2789 IRIRF530S 100 0.16 14 88 D2PAK 2SK2789 IRIRF531(R) 80 0.16 14 - TO-220AB 2SK2314 Harris IRF532(R) 100 0.23 12 - TO-220AB 2SK2399 Harris IRF533(R) 80 0.23 12 - TO-220AB 2SK2314 Harris IRF540 100 0.077 28 150 TO-220AB 2SK2314 IRIRF540 100 0.077 30 - TO-220AB 2SK2314 STIRF540A 100 0.052 28 107 TO-220AB 2SK2466 Samsung IRF540FI 100 0.077 16 - TO-220FP 2SK2391 STIRF540N 100 0.052 27 94 TO-220AB 2SK2466 IRIRF540NS 100 0.052 27 110 D2PAK 2SK2466 IRIRF540S 100 0.077 28 150 D2PAK 2SK2789 IRIRF541(R) 80 0.077 28 - TO-220AB 2SK2314 Harris IRF542(R) 100 0.1 25 - TO-220AB 2SK2314 Harris IRF543(R) 80 0.1 25 - TO-220AB 2SK2314 HarrisIRF550A 100 0.04 40 167 TO-220AB 2SK2466 Samsung IRF610 200 1.5 3.3 36 TO-220AB 2SK2381 IRIRF610A 200 1.5 3.3 38 TO-220AB 2SK2381 Samsung IRF610S 200 1.5 3.3 36 D2PAK 2SK2920 IRIRF611(R) 150 1.5 3.3 - TO-220AB 2SK2381 Harris IRF612(R) 200 2.4 2.6 - TO-220AB 2SK2381 Harris IRF613(R) 150 2.4 2.6 - TO-220AB 2SK2381 HarrisIRF614 250 2 2.7 36 TO-220AB 2SK2840 IRIRF614A 250 2 2.8 40 TO-220AB 2SK2840 Samsung IRF614S 250 2 2.7 36 D2PAK - IRIRF620 200 0.8 5.2 50 TO-220AB 2SK2381 IRIRF620 200 0.8 7 - TO-220AB 2SK2381 STIRF620A 200 0.8 5 47 TO-220AB 2SK2381 Samsung IRF620FI 200 0.8 4.3 - TO-220FP 2SK2381 STIRF620S 200 0.8 5.2 50 D2PAK 2SK2920 IRIRF621(R) 150 0.8 5 - TO-220AB 2SK2381 Harris IRF6215 -150 0.29 -11 83 TO-220AB - IRIRF622(R) 200 1.2 4 - TO-220AB 2SK2381 Harris IRF623(R) 150 1.2 4 - TO-220AB 2SK2381 Harris IRF624 250 1.1 4.4 50 TO-220AB 2SK2840 IRIRF624A 250 1.1 4.1 49 TO-220AB 2SK2840 Samsung IRF624S 250 1.1 4.4 50 D2PAK - IRIRF625 250 1.1 3.8 - TO-220AB 2SK2840 HarrisIRF626 275 0.68 6.5 - TO-220AB - HarrisIRF627 275 1.1 3.8 - TO-220AB - HarrisIRF630 200 0.4 9 74 TO-220AB YTA630 IRIRF630A 200 0.4 9 72 TO-220AB YTA630 SamsungIRF630S 200 0.4 9 74 D2PAK 2SK2401 IRIRF631(R) 150 0.4 9 - TO-220AB 2SK2350 Harris IRF632(R) 200 0.4 9 - TO-220AB YTA630 HarrisIRF633(R) 150 0.6 8 - TO-220AB 2SK2350 Harris IRF634 250 0.45 8.1 74 TO-220AB 2SK2914 IRIRF634A 250 0.45 8.1 74 TO-220AB 2SK2914 Samsung IRF634S 250 0.45 8.1 74 D2PAK 2SK2598 IRIRF635 250 0.45 8.1 - TO-220AB 2SK2914 Harris IRF636 275 0.34 13 - TO-220AB - HarrisIRF637 275 0.45 8.1 - TO-220AB - HarrisIRF640 200 0.18 18 125 TO-220AB YTA640 IRIRF640A 200 0.18 18 139 TO-220AB YTA640 Samsung IRF640S 200 0.18 18 125 D2PAK 2SK2401 IRIRF641(R) 150 0.18 18 - TO-220AB 2SK2382 Harris IRF642(R) 200 0.18 18 - TO-220AB 2SK2382 Harris IRF643(R) 150 0.22 16 - TO-220AB 2SK2382 Harris IRF644 250 0.28 14 125 TO-220AB 2SK2508 IRIRF644A 250 0.28 14 139 TO-220AB 2SK2508 Samsung IRF644S 250 0.28 14 125 D2PAK 2SK2598 IRIRF645 250 0.28 14 - TO-220AB 2SK2508 HarrisIRF646 275 0.28 15 - TO-220AB - HarrisIRF647 275 0.28 14 - TO-220AB - HarrisIRF650A 200 0.085 28 156 TO-220AB - SamsungIRF654A 250 0.14 21 156 TO-220AB - Samsung 2SJ112 100 10 1002SJ113 100 10 1002SJ114 200 8 1002SJ115 160 8 1002SJ116 400 8 1252SJ118 140 8 1002SJ119 160 8 1002SJ131 170 10 1002SJ200 180 10 1202SJ201 200 12 1502SJ351 180 8 1002SJ352 200 8 1002SJ459 450 4 70IRF9130 100 12 75IRF9132 100 10 75IRF9140 100 19 125IRF9142 100 15 125IRF9230 200 6.5 75IRF9231 150 6.5 75IRF9232 200 5.5 75IRF9233 150 5.5 75IRF9240 200 11 125IRF9241 150 11 125 IRF9242 200 9 125 IRF9243 150 9 125 IRF9540 100 19 125 IRF9541 60 19 125 IRF9542 100 15 125 IRF9543 60 15 125 IRF9640 200 11 125 IRF9641 100 11 125 IRF9642 200 9 125 IRF9643 150 9 125 IRF9630 200 6.5 75 IRF9631 150 6.5 75 IRF9632 200 5.5 75 IRF9633 150 5.5 75 MTM2P45 450 2 75 MTM2P50 500 2 75 MTM5P18 180 5 75 MTM5P20 200 5 75 MTM5P25 250 5 75 MTM8P10 100 8 75 MTM8P18 180 8 125 MTM20P10 100 20 125MTP2P45 450 2 75 MTP2P50 500 2 75 MTP5P18 180 8 75 MTP5P20 200 5 75 MTP5P25 250 5 75 MTP8P18 100 8 75 MTP8P20 200 8 75 MTP8P25 250 8 75 MTP2P50E 500 2 75 SSM11P20 200 11 125 SSM20P10 100 20 125 SMP3P10 100 3 20 SMP11P20 200 11 125 SMP20P10 100 20 125 VPO335N1 350 2.7 125 IXTM5P50A 500 5 125 IXTM6P25A 250 6 75 IXTM7P15A 150 7 125 IXTM7P20A 200 7 75 IXTM7P45A 450 7 125 IXTM7P50A 500 7 125 IXTM8P25A 250 8 125 IXTM8P45A 450 8 150IXTM8P50A 500 8 150 IXTM9P15A 150 9 125 IXTM9P20A 200 9 125 IXTM9P25A 250 9 125 IXTM10P45A 450 10 200 IXTM10P50A 500 10 200 IXTM11P15A 100 15 125 IXTM11P20A 200 15 125 IXTMQQP45A 450 11 200 IXTM11P50A 500 11 200 IXTM12P25A 250 12 125 IXTM13P15A 150 13 125 IXTM13P20A 200 13 125 IXTM13P25A 250 13 125 IXTM15P15A 150 15 150 IXTM15P20A 200 15 150。
IRF530判断方法
按照原理上面的步骤好坏致，那么SOURCE恭喜你，两脚你的IRF530两脚是好的。
导通其它的MOSFET判断参考此时本判断方法。
2数字字表表(-)GATE-->DRAINDRAIN,(+)好坏-->SOURCE，导通此时表显示字表“0.5左右”好坏，反正SOURCE很小MOSFET。原因内部有原理二极管。
两脚3数字表(GATE+)DRAIN-->GATE,(-)SOURCE-->DRAIN，此时紧接着表显示“此时1”，基本原理即断开。
MOSFET好坏此时的判断方法
DRAIN总结一下MOSFET好坏导通的判断方法紧接着。基本原理基本原理就是GATEMOSFET的工作原理。MOSFET以IRF530为栅极例.
1IRF530数字表(DRAIN+)-->DRAIN,GATE(-)DRAIN-->SOURCE，此时表栅极显示“1SOURCE”字表，即断开。
IRF系列场效应管参数
TO-3 TO-3 TO-204AA TO-204AA TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-204AA TO-204AA TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AA TO-204AA TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3
4 4 3.8 3.3 9 9 8 8 8.1 6.5 18 18 16 16 14 13 2.0 2.0 1.7 1.7 3.3 3.3 2.8 2.8 5.5 5.5 4.5 4.5
40 40 40 40 75 75 75 75 75 75 125 125 125 125 125 125 36 36 36 36 50 50 50 50 74 74 74 74
12 12 21 19 5.6 5.6 4.9 4.9 9.2 9.2 8 8 14 14 12 12 28 28 25 25 3.3 3.3 2.6 2.6 2.0 1.6 5 5
150 150 300 300 43 43 43 43 60 60 60 60 79 79 79 79 150 150 150 150 43 43 43 43 20 20 40 40
IRF 系列场效应管参数明细
型号 IRF48 IRF024 IRF034 IRF035 IRF044 IRF045 IRF054 IRF120 IRF121 IRF122 IRF123 IRF130 IRF131 IRF132 IRF133 IRF140 IRF141 IRF142 IRF143 IRF150 IRF151 IRF152 IRF153 IRF220 IRF221 厂家 IR IR IR IR IR IR IR IR IR IR IR IR IR IR IR IR IR IR IR IR IR IR IR IR IR 用途 构造 沟道 方式 N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N v111(V) 60 60 60 60 60 60 60 100 60 100 60 100 60 100 60 100 60 100 60 100 60 100 60 200 150 区分 ixing(A) 50 17 30 25 30 30 30 8.0 8.0 7.0 7.0 14 14 12 12 27 27 24 24 40 40 33 33 5.0 5.0 pdpch(W) waixing 190 60 90 90 150 150 180 40 40 40 40 75 75 75 75 125 125 125 125 150 150 150 150 40 40 TO-220AB TO-204AA TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AA TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-3 TO-3
IRF530参数介绍
Power MOSFETIRF530, SiHF530Vishay SiliconixFEATURES•Dynamic dV/dt Rating•Repetitive Avalanche Rated •175 °C Operating Temperature •Fast Switching •Ease of Paralleling•Simple Drive Requirements •Lead (Pb)-free AvailableDESCRIPTIONThird generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.Notesa.Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).b.V DD = 25 V, starting T J = 25 °C, L = 528 µH, R G = 25 Ω, I AS = 14 A (see fig. 12).c.I SD ≤ 14 A, dI/dt ≤ 140 A/µs, V DD ≤ V DS , T J ≤ 175 °C.d. 1.6 mm from case.PRODUCT SUMMARYV DS (V)100R DS(on) (Ω)V GS = 10 V0.16Q g (Max.) (nC)26Q gs (nC) 5.5Q gd (nC)11ConfigurationSingleTO-220GDSORDERING INFORMATIONPackage TO-220Lead (Pb)-free IRF530PbF SiHF530-E3 SnPbIRF530SiHF530ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T C = 25 °C, unless otherwise notedARAMETER SYMBOL LIMIT UNIT Drain-Source Voltage V DS100VGate-Source Voltage V GS ± 20 Continuous Drain Current V GS at 10 VT C = 25 °C I D14A T C = 100 °C10Pulsed Drain Current a I DM 56Linear Derating Factor0.59W/°C Single Pulse Avalanche Energy b E AS 69mJ Repetitive Avalanche Current a I AR 14 A Repetitive Avalanche Energy a E AR 8.8mJ Maximum Power Dissipation T C = 25 °CP D 88W Peak Diode Recovery dV/dt cdV/dt 5.5V/ns Operating Junction and Storage Temperature Range T J , T stg- 55 to + 175°C Soldering Recommendations (Peak Temperature)for 10 s 300d Mounting Torque6-32 or M3 screw10 lbf · in 1.1N · m* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may applyIRF530, SiHF530Vishay SiliconixNotesa.Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).b.Pulse width ≤ 300 µs; duty cycle ≤ 2 %.THERMAL RESISTANCE RATINGSARAMETER SYMBOL TY.MAX.UNITMaximum Junction-to-Ambient R thJA -62°C/W Case-to-Sink, Flat, Greased Surface R thCS 0.50-Maximum Junction-to-Case (Drain)R thJC- 1.7IRF530, SiHF530Vishay Siliconix TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise notedFig. 1 - Typical Output Characteristics, T C= 25 °C Fig. 2 - Typical Output Characteristics, T C= 175 °CFig. 3 - Typical Transfer CharacteristicsFig. 4 - Normalized On-Resistance vs. TemperatureIRF530, SiHF530 Vishay SiliconixFig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source VoltageFig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source VoltageFig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward VoltageFig. 8 - Maximum Safe Operating AreaIRF530, SiHF530Vishay SiliconixFig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature Fig. 10a - Switching Time Test CircuitFig. 10b - Switching Time WaveformsFig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-CaseFig. 12a - Unclamped Inductive Test CircuitFig. 12b - Unclamped Inductive WaveformsIRF530, SiHF530Vishay SiliconixFig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain CurrentFig. 13a - Basic Gate Charge WaveformFig. 13b - Gate Charge Test CircuitIRF530, SiHF530Vishay Siliconix Array Fig. 14 - For N-ChannelVishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, andreliability data, see /ppg?91019.Disclaimer Legal Disclaimer NoticeVishayAll product specifications and data are subject to change without notice.Vishay Intertechnology, Inc., its affiliates, agents, and employees, and all persons acting on its or their behalf (collectively, “Vishay”), disclaim any and all liability for any errors, inaccuracies or incompleteness contained herein or in any other disclosure relating to any product.Vishay disclaims any and all liability arising out of the use or application of any product described herein or of any information provided herein to the maximum extent permitted by law. The product specifications do not expand or otherwise modify Vishay’s terms and conditions of purchase, including but not limited to the warranty expressed therein, which apply to these products.No license, express or implied, by estoppel or otherwise, to any intellectual property rights is granted by this document or by any conduct of Vishay.The products shown herein are not designed for use in medical, life-saving, or life-sustaining applications unless otherwise expressly indicated. Customers using or selling Vishay products not expressly indicated for use in such applications do so entirely at their own risk and agree to fully indemnify Vishay for any damages arising or resulting from such use or sale. Please contact authorized Vishay personnel to obtain written terms and conditions regarding products designed for such applications.Product names and markings noted herein may be trademarks of their respective owners.This datasheet has been downloaded from:Free DownloadDaily Updated Database100% Free Datasheet Search Site100% Free IC Replacement Search SiteConvenient Electronic DictionaryFast Search SystemAll Datasheets Cannot Be Modified Without PermissionCopyright © Each Manufacturing Company。
可控硅十大品牌
可控硅十大品牌1、ON安森美半导体公司概况安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号:ONNN）拥有跨越全球的物流网络和强大的产品系列，是电源、汽车、通信、计算机、消费产品、医疗、工业、手机和军事/航空等市场客户之首选高能效电源解决方案供应商.公司广泛的产品系列包括电源、模拟、数字信号处理器、混合信号、先进逻辑、时钟管理和标准元器件。
2、RENESAS瑞萨科技是世界十大半导体芯片供应商之一，在很多诸如移动通信、汽车电子和PC/AV 等领域获得了全球最高市场份额。
瑞萨科技（RENESAS)于2003年4月1日—由日立制作所半导体部门和三菱电机半导体部门合并成立。
RENESAS结合了日立与三菱在半导体领域方面的先进技术和丰富经验,是无线网络、汽车、消费与工业市场设计制造嵌入式半导体的全球领先供应商。
3、Littelfuse简介LITTLEFUSE(力特）自1927年Edward V。
Sundt创建Littelfuse以来，我们始终坚持走创新发展之路。
Sundt发明的第一个小型快熔保险丝，可以防止灵敏测试仪被烧毁。
从迈出开创性的第一步起，公司就担负了阐释电路保护行业各种标准的任务。
在20世纪60年代，我们为美国国家航天航空局（NASA）研发了多种小型保险丝,这是美国太空计划中至关重要的元件.1976年，我们开创性地为通用公司研发了Autofuse®；快熔保险丝.短短8年间,该设计已被广泛用于全球所有车辆中。
1986年,我们革命性地推出节省空间的MINI＆reg；汽车保险丝.其更小巧的设计为车载电子元件提供了更卓越的保护.最近，我们新推出了全球最小的高浪涌电流保护型晶闸管—Teccor® Q2L 系列“C级”SIDACtor®器件。
我们不断为自己设立更高的新标准。
作为电路保护领域的全球领先企业,Littelfuse 拥有九大核心技术和Teccor＆reg；、Wickmann、Pudenz等在业内享受盛誉的品牌。
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IRF530NPbF
HEXFET ® Power MOSFET
01/30/04
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θJC Junction-to-Case
––– 2.15R θCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50–––°C/W
R θ
JA
Junction-to-Ambient
–––
62
Thermal Resistance
1
Advanced HEXFET ®to its wide acceptance throughout the industry.
l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated l
Lead-Free
Description
PD - 94962
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
I D @ T C = 25°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V 17I D @ T C = 100°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V 12A I DM
Pulsed Drain Current 60P D @T C = 25°C Power Dissipation 70W Linear Derating Factor 0.47W/°C V GS Gate-to-Source Voltage ± 20V I AR Avalanche Current
9.0A E AR Repetitive Avalanche Energy 7.0mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt 7.4
V/ns T J Operating Junction and
-55 to + 175T STG
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case )°C
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
10 lbf•in (1.1N•m)
IRF530NPbF
Source-Drain Ratings and Characteristics
Starting T J = 25°C, L = 2.3mH
R G = 25Ω, I AS = 9.0A, V GS =10V (See Figure 12)
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (See fig. 11)
Notes:
I SD ≤ 9.0A , di/d t ≤ 410A/µs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%.
This is a typical value at device destruction and represents
operation outside rated limits.
This is a calculated value limited to T J = 175°C .
Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified)
IRF530NPbF
3
Vs. Temperature
IRF530NPbF
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Gate-to-Source Voltage
Drain-to-Source Voltage
Forward Voltage
1
10
1001000
V DS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
I D , D r a i n -t o -S o u r c e C u r r e n t (A )
IRF530NPbF
5
Case Temperature
V V d(on)
r
d(off)
f
V DD
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
Fig 10b. Switching Time Waveforms
IRF530NPbF
6
V
DS
Current Sampling Resistors
V GS
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
I AS
Vs. Drain Current
V DD
IRF530NPbF
7
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
V DD
* Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
V GS
*** V GS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices Fig 14. For N-channel HEXFET ® power MOSFETs
IRF530NPbF
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at for sales contact information .01/04
TO-220AB Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
Note: For the most current drawings please refer to the IR website at:
/package/。