光电子集成芯片的封装结构[实用新型专利]

专利名称：光电子集成芯片的封装结构专利类型：实用新型专利
发明人：成璇璇,樊士彬,黄国涛,李凤申请号：CN201420040487.1
申请日：20140123
公开号：CN203707560U
公开日：
20140709
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本实用新型提供了一种光电子集成芯片的封装结构，包括金属管壳、集成芯片、射频过渡块、直流过渡块以及芯片过渡块；集成芯片、射频过渡块、直流过渡块以及芯片过渡块、均装设于金属管壳内，集成芯片贴附于芯片过渡块上的金锡焊料区域，射频过渡块和直流过渡块均电性连接集成芯片，且直流过渡块设于射频过渡块的正上方，直流过渡块与射频过渡块之间设有垫块，射频过渡块和直流过渡块采用上下层设置，并且中间使用垫块连接，因此相对于在平面内设计的封装结构，光电子集成芯片的封装结构可有效的减小封装空间，使得产品微型化。

申请人：武汉电信器件有限公司
地址：430074 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号
国籍：CN
代理机构：北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人：张瑾
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