7-1 磁感应强度 磁场的高斯定理

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磁感应强度磁场的高斯定理课件

磁感应强度磁场的高斯定理课件

电磁感应现象分析
高斯定理可以用于分析电 磁感应现象中的电动势和 电流散布。
磁场能量密度分析
通过高斯定理可以计算出 磁场能量密度,进而分析 磁场储能和能量转换问题 。
04
高斯定理的实际应用
在电磁学中的应用
电场散布研究
高斯定理用于研究带电物体周围 的电场散布,通过测量电场强度 和电荷量,可以推算出电场的散
布情况。
磁场测量
在电磁感应实验中,高斯定理用于 测量磁场强度和方向,对于研究电 磁波的传播和电磁力的作用机制具 有重要意义。
电磁场理论验证
高斯定理是电磁场理论的重要组成 部分,通过实验验证高斯定理的正 确性,有助于检验电磁场理论的可 靠性。
在粒子物理中的应用
粒子轨迹分析
在粒子加速器和粒子对撞机实验 中,高斯定理用于分析粒子的运 动轨迹和速度,有助于研究粒子
广泛应用
高斯定理不仅在物理学中有广泛应用,还在工程 、化学、生物学等学科中发挥了重要作用。
解决实际问题
通过高斯定理,可以解决许多实际问题,如计算 电场强度、磁场强度等。
对未来研究和学习的建议
深入研究高斯定理
建议进一步深入学习高斯定理的推导和应用,了解其在不同领域 的应用。
探索相关领域
建议探索与高斯定理相关的领域,如电磁波传播、电磁屏蔽等,以 加深对电磁场理论的理解。
高斯定理的背景和重要性
高斯定理的起源可以追溯到19世纪 初,当时科学家们开始深入研究磁场 和电场的性质。
高斯定理的重要性在于它揭示了磁场 和空间之间的关系,为电磁场理论的 发展奠定了基础。
02
高斯定理的基本概念
磁场和磁感应强度的定义
磁场定义
磁场是磁力作用的空间散布,它 是由磁体、电流和变化的电场产 生的。磁场对处于其中的磁体、 电流和运动电荷施加力。

7第七章稳恒磁场课件

7第七章稳恒磁场课件

稳恒磁场是涡旋场,静电场不是涡旋场。
例题: P237 7-19
电场与磁场比较
力线
电场 起于正电荷止于负电荷 不形成闭合曲线
高斯定理
S
E

dS

10(s内)qi
磁场
无头无尾闭合曲线

B dS 0
S

环路定理 E dl 0 L

B dl L
0 I
enB
B
s s

通过任意面元dS的磁通 量: d B dS
穿过整个曲面S的磁通量为:

d B dS
S
S
B cosdS
S
B
dS

B
规定:外法线方向为正
(1)当 < 90°时: 0
s
(2)当 > 90°时: 0
B Bx L dBx dBsin

0IR 4 r3
2 R dl 0
0
2
R2I r3

0
2
(R2
R2I x2)3/2

Idl

r
dB
o
P
R
x
*
x
I
方向:图示沿x轴正向,即沿圆电流的轴线,与电流的环绕 方向成右手螺旋关系。
如果令x=0,则圆电流圆心O处的磁感应强度的大小为
第七章 稳恒磁场
第七章 稳恒磁场
7-1 磁感应强度 磁场的高斯定理 7-2 安培定律 7-3 毕奥-萨伐尔定律 7-4 安培环路定律
7-1 磁感应强度 磁场的高斯定理
一.磁感应强度
1. 磁场

磁感应强度磁场的高斯定理

磁感应强度磁场的高斯定理
磁感应强度与磁场的 高斯定理
目 录
• 磁感应强度简介 • 磁场的高斯定理 • 磁场与电流的关系 • 磁场与物质相互作用 • 磁场的应用 • 总结与展望
01
磁感应强度简介
定义与物理意义
定义
磁感应强度是描述磁场强弱的物理量 ,表示磁场中某点单位面积上磁力线 的条数。
物理意义
磁感应强度是描述磁场对通电导体作 用力大小的物理量,也是描述磁场对 磁体作用力大小的物理量。
磁感应强度的测量方法
1 2
霍尔效应法
利用霍尔效应测量磁感应强度,通过测量霍尔电 压的大小来确定磁感应强度的大小。
磁通量法
通过测量穿过某一面积的磁通量,再根据磁通量 与磁感应强度的关系计算出磁感应强度的大小。
3
磁力线描绘法
利用磁力线描绘仪描绘出磁场分布,再根据磁力 线的疏密程度判断磁感应强度的大小。
磁感应强度的单位
特斯拉(T)
国际单位制中的基本单位,表 示垂直于磁场方向上单位面积
上所通过的磁力线数。
高斯(G)
辅助单位,表示垂直于磁场方 向上单位长度上所通过的磁力 线数。
毫特斯拉(mT)
常用单位,表示垂直于磁场方 向上单位面积上所通过的磁力 线数。
微特斯拉(μT)
常用单位,表示垂直于磁场方 向上单位面积上所通过的磁力
03
合曲面的磁通量密度。
03
磁场与电流的关系
安培环路定律
安培环路定律
描述磁场与电流之间的关系,指出磁场线总是围绕电流闭合 ,且磁感应线的积分与穿过某一闭合曲线的电流成正比。
安培环路定律的数学表达式
B·dS = μ₀I,其中B表示磁感应强度,dS表示微小面积元素,I 表示穿过该面积元素的电流。

7-1 磁感应强度 磁场的高斯定理

7-1 磁感应强度 磁场的高斯定理
5
7-1
磁感应强度 磁场的高斯定理
奥 斯 特 像
奥斯特
丹麦物理学家。他寻找 电与磁的关系的想法酝酿已 久。1820年4月,奥斯特在一 次讲课中,发现磁针在通电 导线的作用下动了一下,后 经反复实验,发现电流具有 磁效应。1820年7月,发表了 《电流对磁针的作用的实验 》,引起学术界的轰动。他 的实验第一个揭示了电和磁 的联系,为电磁场理论的发 展奠定了基础。 6
H.C.Oersted (1777-1851)
7-1
磁感应强度 磁场的高斯定理
安培 法国科学家,由于家庭 几经磨难,几乎没受过正规 教育,只好以他父亲和百科 全书做老师,但没有动摇他 对科学的追求。奥斯特的实 验,引起了安培的兴趣。他夜 以继日地工作,于1820年9月 发现电流间也存在着相互作 用力,1820年12月,又提出 了著名的安培定律,1825年 提出分子电流假设。他的工 作,为电动力学的研究和发 展开拓了新的基础。 7
B
R
26
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磁感应强度 磁场的高斯定理
B
R
27
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磁感应强度 磁场的高斯定理
B
R
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磁感应强度 磁场的高斯定理
B
R
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磁感应强度 磁场的高斯定理
B
R
30
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磁感应强度 磁场的高斯定理
B
R
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磁感应强度 磁场的高斯定理
B
R
32
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磁感应强度 磁场的高斯定理
y
o
v v
F 0
+
v v
z
x
11

磁场中高斯定理公式(一)

磁场中高斯定理公式(一)

磁场中高斯定理公式(一)
磁场中高斯定理公式
什么是磁场中高斯定理公式?
磁场中的高斯定理是电磁学中一个重要的定理,它描述了一个闭合曲面所围成的空间中的磁场总通量与该曲面上的磁场分布的关系。

根据磁场中的高斯定理公式,我们可以计算磁场通过一个封闭曲面的总磁通量。

高斯定理公式
高斯定理公式可以表示为:
∮B⋅dA=ΦB
其中, - $ $ 是磁感应强度(磁场向量), - $ $ 是封闭曲面上的面积微元(法向量), - $ _B $ 是磁场通过封闭曲面的总磁通量。

根据高斯定理,磁场通过一个封闭曲面的总磁通量等于磁场在该曲面上的散度。

示例解释
假设有一个半径为 $ R $ 的均匀磁场源,产生的磁感应强度为$ B $。

我们希望计算这个磁场通过一个半径为 $ r $ 的封闭曲面的总磁通量。

根据高斯定理公式,我们有:
∮B⋅dA=ΦB
根据对称性,磁场 $ $ 与面积微元 $ $ 的夹角为 0,因此上式可以简化为:
B⋅A=ΦB
其中, - $ A $ 是封闭曲面的面积。

由于磁场源是均匀的,磁感应强度 $ B $ 在封闭曲面上的每个面积微元 $ $ 上的取值都相同,因此可以提出来进行简化:
B⋅∫dA=ΦB
由于封闭曲面是一个圆柱体的侧表面,面积为 $ A = 2r L $,其中 $ L $ 是圆柱体的高度。

将这个表达式代入上式,可得:
B⋅2πrL=ΦB
总磁通量 $ _B $ 等于磁感应强度 $ B $ 乘以面积 $ 2r L $,即:
ΦB=2πrLB
这样,我们就计算出了磁场通过一个半径为 $ r $ 的封闭曲面的总磁通量。

磁场的高斯定理课件

磁场的高斯定理课件

高斯定理的应用领域
磁场测量
利用高斯定理测量磁场强度、磁 通量等物理量,应用于地球磁场 测量、磁力勘探等领域。
电磁感应
高斯定理在电磁感应现象中有重 要应用,如发电机、变压器等设 备的原理分析。
磁性材料研究
高斯定理对于研究磁性材料的性 质和磁性物理现象具有重要意义 ,如磁滞现象、磁畴结构等。
02
磁场的高斯定理的数学表述
高斯定理与麦克斯韦方程组的关系
高斯定理是麦克斯韦方程组的一部分
高斯定理是麦克斯韦方程组中的一个重要组成部分,它描述了磁场线闭合的特性 。通过麦克斯韦方程组的推导,可以进一步理解高斯定理在电磁场中的作用和意 义。
高斯定理与安培环路定律的关系
高斯定理和安培环路定律是相互关联的,它们描述了磁场和电流之间的关系。通 过安培环路定律,可以推导出高斯定理,进一步证明其在电磁场中的重要性和应 用。
实验操作过程与注意事项
01
操作过程
02
搭建实验装置,包括磁场产生器、测量线圈和数据采集系统。
将测量线圈放置在封闭曲面上,并确保测量过程中线圈与曲面
03
保持相对静止。
实验操作过程与注意事项
01
启动磁场产生器,记录测量线圈 中的感应电动势。
02
重复实验,改变封闭曲面的形状 和大小,以验证高斯定理的普遍 性。
关理论的理解和应用。
06
总结与展望
高斯定理的重要性和应用价值
高斯定理是磁场理论中的基本定理之一,它揭示了磁场与电荷散布之间的关系,对 于理解磁场和电磁现象的本质具有重要意义。
高斯定理的应用价值在于,它为解决各种磁场问题提供了重要的理论工具,如磁场 计算、电磁感应、磁力应用等。
高斯定理在物理学、工程学、电子学等领域有着广泛的应用,对于推动科学技术的 发展具有重要作用。

磁感应强度--磁场的高斯定理

磁感应强度--磁场的高斯定理
7
●磁感应强度的大小
③如果电荷沿着与磁场方向垂直的方向运动时,
所受到的磁力Fm最大,而且这个最大磁力正比于运 动试探电荷的速率v,也正比于其所带的电荷量q ,
但比Fm值qv 却在该点具有确定的量值而与运动试探 电荷的q、v的大小无关.由此Fm可q见v , 反映了该点 磁场的性质.所以,我们就定义磁场中某点的磁感应
磁通量(θ为钝角)为负.又因为磁感线是闭合曲线,
穿入闭合曲面的磁感线肯定还要穿出闭合曲面,所以
磁通量正负相抵,有:

Φ SB cosdS SB dS 0 (10-17)
即通过任一闭合曲面的磁通量为零,这就是磁场的 高斯定磁理场静.的电高场斯的定高理斯表定明理了:Φ磁e 场SE的 d一S 个10 重q要内 特性,
方向的单位面积的磁感线的条数,与该点B 的大小
成正比(密强疏弱). 典型载流导体的磁感线图见299页(人为画出
的或想象的,但磁场中铁屑的图案近似磁感线图)
9
(a) 直电流
10
2.磁感线的特点: S
N
①闭合:磁感线是环绕电流的无 头无尾的闭合曲线——磁场是涡旋 场(无源场)(注:磁铁外部的磁 感线由磁铁的N极到S极,而磁铁内 部的磁感线由磁铁的S极到N极,所 以仍是闭合的。若存在磁单极子则 还有不闭合的磁感线——起自N 极
Φ SB dS SB cosdS (10-16)
θS
θ BD
注意:只有匀强磁场、平面,才有: Φm=B cosθS 若又有匀强磁场垂直平面,才有: Φm=BS
3. 单位:韦伯( Wb )1 Wb=1 T ·m2
所以 1T=1Wb/m2 12

四、磁场的高斯定理 Φ SB dS SB cosdS 由于对任一闭合曲面,因为规定面积元 dS 的方向均 向外,所以向外的磁通量(θ为锐角)为正,向里的

磁场的高斯定理

磁场的高斯定理

ΔN B ΔS
磁场中某点处垂直 B 矢量的单位面积上 通过的磁力线数目等于该点 B 的数值.
定义:通过任一曲面的磁力线的条数 称为通过这一面元的磁通量Φm 。
dΦm B dS
s

s

en
B
B
穿过某一曲面的磁通量
Φm
s
B dS
dΦm
dS
B
磁通量单位:韦伯,Wb
一致,
B 的方向与环路方向 (3)要求环路上各点 B 大小相等,
I 0 B d l I 写成 目的是将: B 0 L dl 或 B 的方向与环路方向垂直, B dl , cos 0 B dl 0
L
【例9-4 】求长直密绕螺线管内磁场.
R
B
2π R
dl
0 I l B dl 2π Rdl
B dl 0 I
l
l
设闭合回路 l 为圆 形回路( l 与 I成右螺 旋)
I
o
R
B
若回路绕向为逆时针
dl
l
dl
0 I l B d l 2 π


0
dφ 0 I
l
r2
l
多电流情况
B B1 B2 B3 B d l 0 ( I 2 I 3 )
l
I1
I2
I3
推广: 安培环路定理
n B dl 0 Ii i 1
l
§9.2
安培环路定理
2.定理表述
在真空中的稳恒磁场内,磁感应强度沿闭合回路的 线积分等于环路所包围的电流代数和乘以 0。 数学表达式:

高二物理竞赛课件:磁场 磁感应强度 磁场的高斯定理

高二物理竞赛课件:磁场 磁感应强度 磁场的高斯定理
磁场 磁感应强度 磁场的高斯 定理
磁场 磁感应强度 磁场的高斯定理
一、磁场
1、磁铁有南北极,同性相斥,异性相吸。 2、无独立的磁极-磁单极。
3、所有磁现象的根源是电流产生的-安培 分子电流假说
NN
S
2
磁铁
磁铁
磁场
电流
电流
问题:磁铁和电流产生的磁场在本质上是否一 致?
答案:所有磁现象的根源是电流产生的-安培分 子电流假说
n
4
磁场中的高斯定理
1、磁 感 线(B线,磁力线)
规定:曲线上每一点的切线方向就是该点的磁感强度B 的 方向,曲线的疏密程度表示该点的磁感强度 B 的大小.
I
I
I
5
一些典型的磁感应线的分布:
直线电流的磁感线
圆形电流的磁感线
6
直螺线管电流的磁感线 环形螺线管电流的磁感线
7
2、磁通量
enB
s s
7
N
/
A2
电流 I 在P点的磁场:B
dB
0 4
Id l r0 r2
12
d B 0 Id l r 0 4 r 2
所有电流元在该点产生的总磁场:
B 0 Idl r0
4 r 2
B
分量式:B
x y
dBx dB y
Bz dBz
B Bx i By j Bz k
三)磁场计算举例:
14
13
【ˆ
r2
方向指 向里面
dB
0 4
I d l sin
r2
2
Idl rˆ l r
0r
I
r' r sin
rd
l rctg
dl sin2

磁场的高斯定理原理及应用详解

磁场的高斯定理原理及应用详解

磁场的高斯定理原理及应用详解1. 介绍磁场的高斯定理是电磁学中一个重要的定理,它可以用来描述磁场在一个闭合曲面上的总磁通量与该曲面所包围磁源的数量之间的关系。

本文将详细介绍磁场的高斯定理的原理及其应用。

2. 高斯定理原理磁场的高斯定理可以表述如下:磁场的高斯定理:闭合曲面上的总磁通量等于该曲面所包围的磁源的数量乘以磁通量密度。

2.1 磁通量磁通量是一个描述穿过某个曲面的磁场线的数量的物理量,用$\\Phi$表示。

磁通量的单位是韦伯(Weber)。

2.2 Gauss单位制为了方便计算,我们采用高斯单位制。

在高斯单位制下,磁通量的单位被定义为高斯(Gauss),1韦伯等于10000高斯。

2.3 磁通量密度磁通量密度是单位面积上通过的磁通量,用B表示。

磁通量密度的单位是高斯(Gauss)。

2.4 高斯面高斯定理中的闭合曲面称为高斯面,它可以是任意形状的曲面。

2.5 磁源的数量磁源的数量指的是高斯面所包围的磁源的数量,称为磁偶极矩。

3. 高斯定理的数学表达式高斯定理可以用以下的数学表达式表示:∯B・dA = μ0Σm其中,∯B・dA表示磁通量,μ0为真空中的磁导率,Σm表示磁源的数量。

4. 高斯定理的应用高斯定理在电磁学中有广泛的应用,下面介绍一些常见的应用。

4.1 计算磁场强度高斯定理可以用来计算磁场强度,只需要知道闭合曲面上的总磁通量和磁源的数量。

通过测量磁通量和确定磁源的数量,可以得到磁场强度的数值。

4.2 判断磁场的性质通过测量闭合曲面上的总磁通量,可以判断磁场的性质。

如果总磁通量为零,则表示磁场源在闭合曲面之外,否则表示磁场源在闭合曲面之内。

4.3 设计磁屏蔽材料高斯定理还可以用来设计磁屏蔽材料。

通过控制磁通量密度和磁源的数量,可以实现对磁场的屏蔽效果。

磁屏蔽材料在电子设备、医疗设备等领域有广泛的应用。

4.4 磁场的均匀性检测利用高斯定理可以检测磁场的均匀性。

通过在闭合曲面上测量磁通量,如果磁通量在曲面上均匀分布,则表示磁场是均匀的,否则表示磁场存在非均匀性。

真空中磁场的高斯定理

真空中磁场的高斯定理

高斯定理在磁场中的应用
计算磁场强度
确定磁场性质
通过高斯定理,可以计算出闭合曲面 内的磁场强度,从而了解磁场分布情 况。
高斯定理可以帮助我们确定磁场性质 ,例如在地球磁场中,高斯定理可以 帮助我们了解地球磁场的分布和强度 。
判断磁感应线的分布
高斯定理可以帮助我们判断磁感应线 的分布情况,例如在电流周围产生的 磁场中,高斯定理可以帮助我们判断 磁感应线的走向和密度。
数学表达式为
∮S B·dS = ΣI / μ0,其中B是磁场强度 ,dS是曲面S上的面积元素,ΣI是曲面 内包围的电流的代数和,μ0是真空中 的磁导率。
高斯定理的意义
高斯定理是磁场的基本定理之一,它反映了磁场与电流之间的关系。
高斯定理表明,在真空中,磁场是由电荷和电流产生的,并且磁场的分布可以通过电流来描述和预测 。
磁场高斯定理在科研问题中的应用
在科研领域,磁场高斯定理的应用也十分广泛。例如 ,在粒子物理和天体物理研究中,我们需要了解磁场 分布和演化规律,以便更好地理解宇宙中的各种现象 。
磁场高斯定理是研究这些问题的基本工具之一,它可以 帮助我们揭示宇宙中磁场的奥秘,进一步推动相关领域 的发展。此外,在生物医学研究中,磁场高斯定理也被 用于研究生物体的磁场感应和磁性药物等方向。
高斯定理的证明方法
高斯定理可以通过微积分的方法进行 证明,包括对磁场强度B的散度进行 积分运算。
VS
证明的关键在于理解磁场线无头无尾 的特性以及磁场与电流之间的关系。
高斯定理的应用
高斯定理在电磁学中有着广泛的应用,例如 计算磁场的分布、确定电流产生的磁场等。
高斯定理还可以与其他电磁学定理结合使用 ,例如与安培环路定律、法拉第电磁感应定

磁场的高斯定理(1)

磁场的高斯定理(1)

磁场的高斯定理什么是磁场的高斯定理?磁场的高斯定理是电磁学中的一项重要定理,用于描述磁场在闭合曲面上的表现。

它类似于电场的高斯定理,但与电场的高斯定理稍有不同。

在电磁学中,磁场是由电荷产生的,而通过磁化的物质(如永磁体或电流)也能产生磁场。

磁场是一个矢量场,有大小和方向。

磁场的高斯定理描述了磁场通过一个闭合曲面的通量与该曲面所包围的总磁荷的关系。

高斯定理的公式表达磁场的高斯定理的数学表达如下:∮ B·dA = µ₀·∫ J·dV其中,左边的积分表示磁场矢量B与闭合曲面上的微元面积矢量dA的点积之和。

右边的积分表示磁场中的磁荷密度J与整个空间的微元体积dV的点积之和。

µ₀是真空中的磁导率,其数值为4π×10⁻⁷ T·m/A。

高斯定理的解释与电场的高斯定理类似,磁场的高斯定理表明,磁场线经过一个闭合曲面上的通量与该曲面所包围的总磁荷(或磁矩)成正比。

如果闭合曲面不包围任何磁荷,则通量为零。

要注意的是,由于自由磁荷的稀缺性,磁场的高斯定理通常不被广泛使用,而更多的是应用于磁化体(如永磁体)或电流产生的磁场。

高斯定理的应用磁场的高斯定理在许多电磁学问题中都有广泛的应用。

以下是一些常见的应用示例:1. 计算磁场分布磁场的高斯定理可以用于计算磁场在闭合曲面上的总通量,从而了解磁场的分布情况。

通过选取不同的闭合曲面,可以获得不同位置的磁场特性,有助于对磁场的理解和分析。

2. 计算磁场与磁荷之间的关系通过高斯定理,可以计算闭合曲面上磁场与所包围磁荷之间的关系。

这对于研究磁场与磁荷之间的相互作用非常有用。

3. 计算磁化体的磁场磁场的高斯定理可以用于计算磁化体(如永磁体)内部的磁场分布。

通过选取适当的闭合曲面,可以将磁化体内部的磁场与外部的磁场相分离,从而提供更准确的磁场计算。

4. 计算电流线圈的磁场高斯定理可以用于计算通过电流线圈产生的磁场分布。

07_01_磁场 磁感应强度 磁场的高斯定理.

07_01_磁场 磁感应强度 磁场的高斯定理.

第七章 真空中的稳恒磁场本章研究由稳恒电流(运动电荷)产生的稳恒磁场以及稳恒磁场对处于其中的稳恒电流(运动电荷)作用的性质和规律。

之所以称之为稳恒磁场是指该磁场在空间的分布不随时间变化。

本章的前半部分从运动电荷在磁场中受力的角度出发,引入重要的物理量——磁感应强度来描述稳恒磁场的性质。

学习时可采用与静电场类比的方法,从场的观点把握稳恒磁场的性质,理解磁场的高斯定理和环路定理。

本章的后半部分讨论稳恒磁场对运动电荷、电流或线圈的作用,介绍它们在磁场中所受的磁场力或磁力矩或磁场力做功所遵循的规律。

07_01磁场 磁感应强度 磁场的高斯定理1 电流和电流密度电荷的定向运动形成电流 —— 形成电流的带电粒子统称为载流子载流子 —— 电子、质子、正负离子载流子 —— 半导体中的空穴电流强度 —— 单位时间里,通过某一截面的电量:dq I dt= 在大块导体中的电流形成一个“电流场” —— 导体中各点电荷的定向运动用电流密度描写 如图XCH003_091_02所示,假设导体中每个载流子带电q ,所有载流子均以平均速度v运动,载流子密度n 。

在导体中选一个底面积为dS、长度为vdt 的斜圆柱体。

dt 时间内圆柱体内的载流子全部通过dS穿过dS 的电流强度:()qn vdt dS dI dt⋅= —— dI qnv dS =⋅ 定义电流密度矢量:j qnv =穿过dS 的电流强度:dI j dS =⋅ —— cos dI jdS θ=dI j dS ⊥= —— 大小等于通过垂直于载流子运动方向上单位面积的电流在电流区域通过一个有限面积S 电流:SI j dS =⋅⎰ —— 如图XCH003_092所示通过闭合曲面S 的电流:SI j dS =⋅⎰ —— 如图XCH003_225所示将S I j dS =⋅⎰ 和e SE dS Φ=⋅⎰ 对比,可以看到电流密度构成一个矢量场,电流强度具有电流通量的意义2 电流连续性方程在导体内选取一个闭合曲面S ,S 包围的区域中电荷的变化(电荷流进和流出)和通过闭合曲面S 的电流通量有关,如果dt 时间内,电荷的增加int dq ,穿过闭合曲面的电流通量:int Sdq j dS dt ⋅=-⎰ —— 电流连续方程 稳恒电流 —— 导体内任一闭合曲面内电荷的分布不随时间变化:int 0dq dt= 0Sj dS ⋅=⎰ —— 稳恒电流的电流线是闭合的 3 磁感应强度运动的电荷之间除了有电场力外,还有一种相互作用力 —— 磁力20世纪初,随着原子结构理论的建立与发展,认识到磁场也是物质存在的一种形式,磁力是运动电荷之间的一种作用力,磁场现象起源于电荷的运动,磁力就是运动电荷之间的一种相互作用力。

7-1 2 磁感应强度 安培定律10.26

7-1 2 磁感应强度 安培定律10.26
方向:沿转轴向下
磁场第一次作业 P 119 ~ 128页 第1、 7和 20题写在作业本上
第37 题自己课外做
B
v
Fmax
实验发现: + q 电荷q受到的磁力 F 的方向垂直 v 与B 构成的平面。 F 的大小与q的大小, v 的大小及 v 的方向均有关 电荷q沿磁场方向运动时,F = 0 电荷q垂直磁场方向运动时, F =Fmax
在垂直磁场的方向改变速率v,改变点电荷电量q,还发现:
Idl
b

L
B
a
F df Idl B I ( dl ) B dl L
方向垂直电流与 B 构成的平面向里
整条载流导线受的磁力

F IL B
F BIL sin
均匀磁场中,弯曲载流导线所受磁场力与从起点到终点间载 有同样电流的直导线所受的磁场力相同。 闭合电流在均匀磁场中受磁场作用的合力为零。
v
v
//
+ v
mv sin R qB 2 m T qB
螺距:
h
B
2 m hv T v cos qB
霍尔效应*
中, 导体板与电流垂直的上、下表面上出现电势差。这种现 象叫霍尔效应。 y B 霍尔电势差
一块通电流I 的导体板,置于磁感应强度为 B的均匀磁场
IB U H RH d 1 RH nq
安培力

B
df BIdl sin 方向: df 垂直Id l 与 B 构成的平面,指向由右手螺旋确定。
大小:
(3)任意有限长载流导线受的磁力
L L
实际中,建立坐标,把 df 分解为 df x 和 df y

7-1 磁感应强度 磁场的高斯定理

7-1 磁感应强度 磁场的高斯定理
单位 特斯拉 1(T) 1N/A m
§7 – 1
磁感应强度 磁场的高斯定理
4
三 洛伦兹力
§7 – 1
磁感应强度 磁场的高斯定理
5
三 洛伦兹力
F qv B
运动电荷在磁场中受力
q
v
+
α
B
F qv B
若q>0,则 F 与 B 同向 若q<0,则 F 与 B 反向
单位 1Wb 1T 1m
2
12
B
S
dS1 1 B1
dS2
2
B2
dΦ 1B 1 dS1 0 dΦ2 B2 dS2 0
B cos d S 0
S
磁场高斯定理
S B d S 0
物理意义:通过任意闭合曲面的磁通量必等于零 (故磁场是无源的.)
§7 – 1
磁感应强度 磁场的高斯定理
8

磁感应线
规定:曲线上每一点的切线方向就是该点的磁感 强度 B 的方向,曲线的疏密程度表示该点的磁感强度 B 的大小.
I
I
I
§7 – 1
磁感应强度 磁场的高斯定理
9
I S S N I N
磁感线的特点: (1)磁感线是闭合曲线,无头无尾; (2)两根磁感线不会相交; (3)磁感线密处磁感强度大,磁感线稀处磁感强度小。
b
I
-----------
f qvB q UH , UH vBd 霍尔电压 d vBd B U H 霍尔电阻:RH I nqvdb nqb
在霍尔效应中,霍尔电阻与 B 成正比。
§7 – 1 磁感应强度 磁场的高斯定理 20

-磁感应强度磁场的高斯定理

-磁感应强度磁场的高斯定理

学习方法: 类比法
3
7-1 磁感应强度 磁场的高斯定理
7-1 磁感应强度 磁场的高斯定理
4
7-1 磁感应强度 磁场的高斯定理
教学基本要求
一、掌握磁感应强度的概念,理解洛伦兹力公式。 二、了解用磁感应线形象描述磁感应强度的方法,会计算简单情况下的磁 通量,理解磁场高斯定理的内涵。 三、理解洛伦兹关系式,能分析点电荷在均匀电场或均匀磁场中的运动, 了解洛仑兹力关系的应用。
5
奥 斯 特 像
H.C.Oersted (1777-1851)
7-1 磁感应强度 磁场的高斯定理
奥斯特
丹麦物理学家。他寻找 电与磁的关系的想法酝酿已 久。1820年4月,奥斯特在一 次讲课中,发现磁针在通电 导线的作用下动了一下,后 经反复实验,发现电流具有 磁效应。1820年7月,发表了 《电流对磁针的作用的实验 》,引起学术界的轰动。他 的实验第一个揭示了电和磁 的联系,为电磁场理论的发 展奠定了基础。
2.大小的判定
⑴ 带电粒子的运动方向与磁感应强度方向平行时,不 受力的作用。
y

o vv
F 0
+ vv
x
z
11
7-1 磁感应强度 磁场的高斯定理

带电粒子在磁场中沿其他方向运动时,F
垂直于 v
与磁感应强度方向所组成的平面。
⑶ 当带电粒子在磁场中垂直于磁场方向运动时受力
最大。

(2) v与B垂直
f qvB
qvB m v2 R
R mv qB
T 2R 2m
v qB

B
粒子做直线运动
× ×× × ××
× × × × × ×B f × × × × × ×

7.1磁感应强度,磁场的高斯定理

7.1磁感应强度,磁场的高斯定理
带电粒子在磁场中运动所受的力与运 动方向有关. y F 0 实验发现带电粒 v + v 子在磁场中沿某一特定 v v 直线方向运动时不受力, o x 此直线方向与电荷无关.
z
带电粒子在磁场中 沿其他方向运动时 F 垂直于 v 与特定直线 所组成的平面. 当带电粒子在磁场 中垂直于此特定直线运 动时受力最大.
B1
dΦ B1 dS1 0 1 dΦ2 B2 dS2 0
B cos dS 0
S
磁场高斯定理
S B d S 0
物理意义:通过任意闭合曲面的磁通 量必等于零(故磁场是无源的).
例 如图载流长直导线的电流为 I , 试求 通过矩形面积的磁通量. 0 I 解 B B 2π x 0 I dΦ BdS ldx 2π x l I 0 Il d2 dx Φ S B dS d1 d1 d2 2π x o x Φ 0 Il ln d 2 2π d1
F Fmax F
Fmax qv
Fmax 大小与 qv
q, v 无关
磁感强度 B 的定义:
当正电荷垂直于 特定直线运动时,受力 Fmax 在磁场中的方向定义为该点的 将 Fmax v B 的方向.
磁感强度大小:
Fmax B qv
Fmax
运动电荷在磁场中受力
N N
D2
O
B
~
频率与半径无关 qB f 2π m
到半圆盒边缘时
D1
S
回旋加速器原理图
qBR 0 v m 1 2 Ek mv 2 q 2 B 2 R02 Ek 2m
我国于1994 年建成的第 一台强流质 子加速器 , 可产生数十 种中短寿命 放射性同位 素.

磁场的高斯定理,说明

磁场的高斯定理,说明

磁场的高斯定理,说明高斯定律(gauss' law),属物理定律。

在静电场中,穿过任一封闭曲面的电场强度通量只与封闭曲面内的电荷的代数和有关,且等于封闭曲面的电荷的代数和除以真空中的电容率。

该定律表明在闭合曲面内的电荷分布与产生的电场之间的关系。

静电场中通过任意闭合曲面(称高斯面)s 的电通量等于该闭合面内全部电荷的代数和除以真空中的电容率,与面外的电荷无关。

物理定律由于磁力线总是闭合曲线,因此任何一条进入一个闭合曲面的磁力线必定会从曲面内部出来,否则这条磁力线就不会闭合起来了。

如果对于一个闭合曲面,定义向外为正法线的指向,则进入曲面的磁通量为负,出来的磁通量为正,那么就可以得到通过一个闭合曲面的总磁通量为0。

这个规律类似于电场中的高斯定理,因此也称为高斯定理。

与静电场中的高斯定理相比较,两者有著本质上的区别。

在静电场中,由于自然界中存有着单一制的电荷,所以电场线存有起点和终点,只要闭合面内有净余的也已(或负)电荷,沿着闭合面的电通量就不等于零,即为静电场就是有源场;而在磁场中,由于自然界中没单独的磁极存有,n极和s极就是无法拆分的,磁感线都就是无头无尾的滑动线,所以通过任何闭合面的磁通量必等于零。

特别要强调两点: 1.关于电场线的方向的规定:电场线上每一点的切线方向就是该点电场的方向。

2.关于电场线的疏密的规定:电场线在某处的疏密要反映电场强度的大小,即在电场中通过某一点的电场线的数密度与该点电场强度的大小呈正相关,即: e=dn/ds,其中ds是在电场中的某一点取一个通过该点的且与电场线垂直的微分面,dn就是穿过该面ds的电场线的根数。

高斯定理来源于库仑定律,依赖场强共振原理,只有当电场线密度等同于场强悍小时场线通量就可以与场强通量等同于,并统一遵守高斯定理。

高斯面上的实际场强就是其内外所有电荷产生的场强共振而变成的合场强。

但利用高斯面所求出的场强则仅仅就是分析高斯面上场强原产时所牵涉的电荷在高斯面上产生的合场强,而不涵盖未牵涉的电荷所产生的场强。

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y
F =0
+
v v
o
v v
x B
z
当带电粒子运动方 垂直, 向和 B 垂直,它所受到 的磁场力最大,用 Fmax 的磁场力最大, 表示。 表示。 带电粒子在磁场中 沿其他方向运动时 F 垂 直于 v 与 B 所组成的平 面.并且三者构成右螺旋 并且三者构成右螺旋 关系. 关系
的定义: 磁感应强度 B 的定义:当
频率与半径无关 N N
qB f= 2π m
~
到半圆盒边缘时
D2
O
B
D1
S 回旋加速器原理图
qBR0 v= m 1 2 Ek = mv 2 2 2 2 q B R0 Ek = 2m
速器, 有一回旋加 速器,他 的交变 电压的 频率 12 ×106 Hz ,半圆形电极的半径为 半圆形电极的半径为0.532m . 问 加速 为 氘核所需的磁感应强度为多大? 氘核所需的磁感应强度为多大?氘核所能达到的最大 动能为多大?其最大速率有多大? 动能为多大?其最大速率有多大?(已知氘核的质量 3.3 ×10 −27 kg ,电荷为 1.6 × 10 −19 C ). 为 由粒子的回旋频率公式, 解 由粒子的回旋频率公式,可得
θ
en
B
B
均匀磁场
Φ = BS cosθ = BS⊥
s⊥
θ
s
B
Φ = B ⋅ S = B ⋅ enS
任意磁场
dS
θ B
dΦ = B ⋅ dS dΦ = BdS cosθ
s
Φ = ∫ dΦ = ∫ B ⋅ dS
s s
单位 1Wb = 1T × 1m
2
B
S
由于磁感应线是无 始无终的闭合线, 始无终的闭合线,所以 对磁场中的任一闭合面 来说, 来说,有多少条磁感线 线穿入曲面, 线穿入曲面,就必有同 样条数的磁感线线穿出 曲面, 曲面,所以穿过任意闭 合曲面的磁通量恒等于 零。
§7-1磁感应强度 磁场的高斯定理 磁感应强度 一 磁场 作用 激发 运动电荷 磁场 运动电荷 激பைடு நூலகம் 作用 二 磁 感 应强 度
B
的定义 实验发现带电粒子运动 实验发现带电粒子运动 平行时, 方向和 B 平行时,不发生偏 转,即带电粒子所受磁场力 为零; 为零;当运动方向和 B 不平 行时,将发生偏转, 行时,将发生偏转,即收到 磁场力的作用, 磁场力的作用,且磁场力的 大小随带电粒子的运动方向 不同而变化。 不同而变化。
五 磁通量 磁场的高斯定理
∆S B
磁场中某点处垂直B 矢量 的单位面积上通过的磁感 的大小. 线条数等于该点 B 的大小
dΦ B= dS ⊥
B的大小等于通过垂直于磁感应强度的单位面积 的大小等于通过垂直于磁感应强度的单位面积 的磁通量。因此 称磁通密度 称磁通密度。 的磁通量。因此B称磁通密度。 磁通量: 磁通量:通过磁场中某一曲面的磁感应线条数叫 做通过此曲面的磁通量.( 做通过此曲面的磁通量 Φ )
Fm
UH
-
+
I
B Fm - - - vd + + +
N 型半导体
-
UH
+
P 型半导体 2)测量磁场 ) 霍耳电压
IB U H = RH d
例2
2 π mf 2 π× 3.3 ×10 ×12 ×10 B= = T = 1.56T −19 q 1.6 ×10 2 q 2 B 2 R0 = 16.7 MeV Ek = 2m
6
−27
qBR0 7 −1 v= = 4.02 ×10 m ⋅ s m
4.
霍耳效应
霍 耳 效 应
B
b
d
vd
+
+
+
Fm
B ⋅ dS = 0 = BπR 2 + Φ S ∫
S
Φ S = − BπR
R
2
六 洛伦兹关系式 的运动( 带电 q 的运动(速度为 υ )粒子同时受电场 E 和磁场 B 的作用
F = q( E + υ × B)
洛伦兹关系的应用举例: 洛伦兹关系的应用举例: 1. 静电加速和静电偏转 2. 磁偏转和磁聚焦 3. 磁流体发电 4. 质谱仪 5. 回旋加速器 *洛伦兹关系还可以用来解释霍尔效应 洛伦兹关系还可以用来解释霍尔效应 洛伦兹关系还可以用来解释
Fmax
q
+
正电荷垂直于特定直线运动 时,受力 Fmax 。将 Fmax × v
v
B
N
的方向. 方向定义为该点的 B 的方向 这个方向与将小磁针置于
此处时小磁针N极的稳定指向是一致的. 此处时小磁针N极的稳定指向是一致的. 极的稳定指向是一致的
Fmax ∝ qv
Fmax 大小与 q , v 无关 qv
v 与 B 不垂直
v // = vcosθ
v = v // + v⊥
v⊥ = vsinθ
mv⊥ mv sinθ R= = qB qB
2π m T= qB
2πm 螺距 d = v // T = v cosθ qB
发射一束初速相差 磁聚焦 在均匀磁场中某点 A 发射一束初速相差 不大的带电粒子 的带电粒子, 不大的带电粒子 它们的v 与 B 之间的夹角 θ 不尽相同 , 都很小, 但都很小 各粒子 v⊥ = vsinθ ≈ vθ 不同 , 这些粒子沿 半径不同的螺旋线运动, 因各粒子回旋周期相同, 半径不同的螺旋线运动 因各粒子回旋周期相同 v// 接 近似相等, 近相等 v // = vcosθ ≈ v , 故螺距 近似相等 都汇聚于 屏上同一点, 屏上同一点 此现象称之为磁 聚焦 .
F ⊥υ
F⊥B
所以洛伦兹力对运动电荷不作功, 所以洛伦兹力对运动电荷不作功,它只改变运动 电荷速度的方向,不改变速度的大小。 电荷速度的方向,不改变速度的大小。
四 磁感应线 规定:曲线上每一点的切线方向 切线方向就是该点的磁感 规定:曲线上每一点的切线方向就是该点的磁感 的方向,曲线的疏密程度 疏密程度表示该点的磁感应 应强度 B 的方向,曲线的疏密程度表示该点的磁感应 强度 B 的大小. 的大小
+
IB 霍耳电压 U H = RH d
+ +
I
q
- - -
Fe
-
-
UH
qEH = qvd B EH = vd B
U H = vd Bb
I = qn v d S = qn v d bd
IB UH = nqd
霍耳 系数
1 RH = nq
霍耳效应的应用 1)判断半导体的类型 )
B
I
- d -
+ + + v +
磁场高斯定理
∫S B ⋅ d S = 0
物理意义: 物理意义:通过任意闭合曲面的磁通量必等于零 故磁场是无源的.) (故磁场是无源的 ) 无源的
静电场: 静电场:通过任意闭合曲面的电通量可以不 电场线始于正电荷,止于负电荷, 为 零,电场线始于正电荷,止于负电荷, 是不闭合的,静电场是有源场; 是不闭合的,静电场是有源场; 磁场:通过任意闭合曲面的磁通量必为零, 磁场:通过任意闭合曲面的磁通量必为零,磁 感线是闭合的,磁场是无源场。 感线是闭合的,磁场是无源场。 均匀磁场的磁感强度为B,垂直于半径为R的圆面 的圆面, 例1 均匀磁场的磁感强度为 ,垂直于半径为 的圆面, 以该圆周为边线,作任意曲面S,则通过S面的磁通量的 以该圆周为边线,作任意曲面 ,则通过 面的磁通量的 2 π 大小为 B R 。 分析: 分析: B 根据磁场的高斯定理 S
1 .磁偏转 磁偏转
v0 ⊥ B
v0 qv0 B = m R v0 回旋半径 R = q ( )B )B m 2πR 2π 回旋周期 T = = v0 ( q )B m 1 B q 回旋频率 ν = = ( )
T 2π m
2
2 . 磁聚焦 洛仑兹力
Fm = q v × B
(洛仑兹力不做功) 洛仑兹力不做功)
应用
电子光学 , 电子显微镜等 .
3. 回旋加速器
1932年劳伦斯研制第一台回旋加速器的 型室 年劳伦斯研制第一台回旋加速器的D型室 年劳伦斯研制第一台回旋加速器的 型室. 此加速器可将质子和氘核加速到1MeV的能量, 的能量, 此加速器可将质子和氘核加速到 的能量 为此1939年劳伦斯获得诺贝尔物理学奖 年劳伦斯获得诺贝尔物理学奖. 为此 年劳伦斯获得诺贝尔物理学奖
Fmax 磁感应强度大小 B = qv
单位 特斯拉 1(T ) = 1N/A ⋅ m
三 洛伦兹力
F
q
+
运动电荷在磁场中受力 F = q v B sinθ
θ
B
F = qv × B
若q>0,则 F 与 υ × B 同向 , 若q<0,则 F 与 υ × B 反向 ,
v
洛伦兹力的一个重要特征: 洛伦兹力的一个重要特征
I I I
I S S N I N
磁感应线的特点: 磁感应线的特点: 闭合曲线, (1)磁感应线是闭合曲线,无头无尾; )磁感应线是闭合曲线 无头无尾; 不会相交; (2)两条磁感应线不会相交; )两条磁感应线不会相交 (3)磁感应线密处磁感应强度大,磁感应线稀处磁感 )磁感应线密处磁感应强度大 密处磁感应强度 应强度小。 应强度小。
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