贴片三极管的标记
贴片三极管的标记
0L MUN5134DW1 Mot DO SOT363MUN5135DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr 2k2+47k
4 DTC114TUA Roh N SC70 npn dtr R1 10k 50V 100mA
4 DTC114TKA Roh N SC59 npn dtr R1 10k 50V 100mA
4 MRF5211L Mot X SOT143 pnp RF MRF521
4 Gali-4 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 17.5 dBm
t06 PMBS3906 Phi N SOT23 2N3906
20 SSTPAD20 Sil J - PAD-20 20pA leakage diode
50 SSTPAD50 Sil J - PAD-50 50pA leakage diode
81 SO2369AR SGS R SOT23R 2N2369A
2 BST82 Phi M - n-ch mosfet 80V 175mA
2 MRF5711L Mot X SOT143 npn RF MRF571
2 DTCC114T Roh N - 50V 100mA npn sw + 10k base res
2 Gali-2 MC AZ SOT89 DC-8GHz MMIC amp 16dB gain
10 MRF9411L Mot X SOT143 npn Rf 8GHz MRF941
10A PZM10NB2A Phi A SOT346 dual ca 10V 0.3W zener
贴片三极管引脚 三极管的识别分类和测量
贴片三极管引脚三极管的识别分类和测量贴片三极管引脚三极管的识别分类及测量符号：“Q、VT”三极管有三个电极，即b、c、e，其中c为集电极（输入极）、b为基极（控制极）、e为发射极（输出极）三极管实物图：贴片三极管功率三极管普通三极管金属壳三极管二、三级管的分类：按极性划分为两种：一种是NPN型三极管，是目前最常用的一种，另一种是PNP型三极管。
按材料分为两种：一种是硅三极管，目前是最常用的一种，另一种是锗三极管，以前这种三极管用的多。
三极按工作频率划分为两种：一种是低频三极管，主要用于工作频率比较低的地方；另一种是高频三极管，主要用于工作频率比较高的地方。
按功率分为三种：一种是小功率三极管，它的输出功率小些；一种是中功率三极管，它的输出功率大些；另一种是大功率三极管，它的输出功率可以很大，主要用于大功率输出场合。
按用途分为：放大管和开关管。
三、三极管的组成：三极管由三块半导体构成，对于ＮＰＮ型三极管由两块Ｎ型和一块Ｐ型半导体构成，如图Ａ所示，Ｐ型半导体在中间，两块Ｎ型半导体在两侧，各半导体所引出的电极见图中所示。
在Ｐ型和Ｎ型半导体的交界面形成两个ＰＮ结，在基极与集电极之间的ＰＮ结称为集电结，在基极与发射极之间的ＰＮ结称为发射结。
图Ｂ是ＰＮＰ型三极管结构示意图，它用两块Ｐ型半导体和一块Ｎ型半导体构成。
ＡＢ四、三极管在电路中的工作状态：三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。
当三极管用于不同目的时，它的工作状态是不同的。
1、截止状态：当三极管的工作电流为零或很小时，即IB=0时，IC和IE也为零或很小，三极管处于截止状态。
2、放大状态：在放大状态下，IC=βIB，其中β(放大倍数)的大小是基本不变的（放大区的特征）。
有一个基极电流就有一个与之相对应的集电极电流。
3、饮和状态：在饮和状态下，当基极电流增大时，集电极电流不再增大许多，当基极电流进一步增大时，集电极电流几乎不再增大。
工作状态定义电流特征解流截止状态集电极与发射极之间电阻很大 IB=0或很小，IC或IE为零或很小因为IC＝βIB利用电流为零或很小特征，可以判断三极管已处于截止状态放大状态集电极与发射极之间内阻受基极电流大小控制，基极电流大，其内阻小 IC＝βIBIE=(1+β)IB有一个基极电流就有一个对应的集电极电流和发射极电流，基极电流能有效地控制集电极电流和发射极电流饱和状态集电极与发射之间内阻很小各电极电流均很大，基极电流已无法控制集电极电流和发射极电流电流放大倍数β已很小，甚至小于1（用直流电控制信号的一种方式）五、三极管的作用：放大、调制、谐振、开关1、电流放大：三极管是一个电流控制器件，它用基极电流IB来控制集电极电流IC和发射极电流IE，没有IB就没有IC和IE，只要有一个很小的IB，就有一个很大的IC。
用万用表测量贴片三极管 SOT-23封装 的方法
用万用表测量贴片三极管 SOT-23封装的方法
贴片三极管SOT23封装是比较常见的封装样式, 其管脚功能定义（包括此封装下NPN和PNP两种类别的三极管）为：
上面是集电极集c，左下是基极b，右下是发射集e.
辨别方法：
万用表打到蜂鸣二极管档，
1：NPN 型贴片三极管判别方法：红表笔放在左下基极b的位置，黑表笔分别触碰另外两集，分别得到两组相差不大的读数，由于生产厂家不同，可能略有差异，一般两组读数都在600左右，300-800之间为正常。
2：PNP 型贴片三极管判别方法：同上，不过要将红黑表笔的顺序反过来！
至于原理则很简单：主要是利用PN结的单向导电性！看下面这张图再想想红黑表笔的位置就能想明白！
三极管的好坏判断
把数字万用表打到二极管档，bc，be极正向读数在600左右；反向没有阻值（e 极正向反向均没有阻值为好管）反之为坏管。
贴片电容的精度表示
1、贴片三极管标号意义：符号的第一部分“3”表示三极管。
符号的第二部分表示器件的材料和结构：A——PNP型锗材料；B——NPN型锗材料；C——PNP型硅材料；D——NPN 型硅材料。
符号的第三部分表示功能：U——光电管；K——开关管；X——低频小功率管；G——高频小功率管；D——低频大功率管；A——高频大功率管。
另外，3DJ型为场效应管，BT打头的表示半导体特殊元件。
贴片电容的精度表示方法电容的型号命名：1）各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成：第一部分：用字母表示名称，电容器为C。
第二部分：用字母表示材料。
第三部分：用数字表示分类。
第四部分：用数字表示序号。
2）电容的标志方法：（1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。
（2）文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。
文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。
和电阻的表示方法相同。
标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。
小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。
（3）色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。
小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示：颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰耐压 4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V（4）进口电容器的标志方法：进口电容器一般有6项组成。
第一项：用字母表示类别：第二项：用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。
第三项：温度补偿型电容器的温度特性，有用字母的，也有用颜色的，其意义如下表所示：序号字母颜色温度系数允许偏差字母颜色温度系数允许偏差1 A 金 +100 R 黄 -2202 B 灰 +30 S 绿 -3303 C 黑 0 T 蓝 -4704 G ±30 U 紫 -7505 H 棕 -30 ±60 V -10006 J ±120 W -15007 K ±250 X -22008 L 红 -80 ±500 Y -33009 M ±1000 Z -470010 N ±2500 SL +350~-100011 P 橙 -150 YN -800~-5800备注：温度系数的单位10e -6/℃；允许偏差是 % 。
贴片三极管上文字代表
贴片三极管上的符号代表意义电子装配与调试参赛技巧思索学校的电工电子组在最近几年的比赛中取得了一些成绩，我也有幸加入了这一团队中来，通过主带了三年电子装配与调试项目，再加上同组老师的帮助，汇聚团队的智慧以及参赛学生的心得，谈谈这个项目的一些小技巧。
一、过好元器件的识别与检测关注重积累，遇到没有见过的元件，大家可通过看书或上网搜索的方式来认识，也可以到元器件市场去逛逛，明白元器件符号的表示意思。
一般每个训练选手都会有几本最新并且比较齐全的元器件识别的书，尽可能地掌握基本元器件的检测方法。
合理利用万用表检测，一般学生都要配备两个万用表：一个是机械万用表，一个是数字万用表。
使用时要注意姿势，可以采用类似拿筷子夹东西的方法来检测，既方便又快捷。
同时在元器件识别的时候可以结合一些基本电路，这样对器件的认识有一定的帮助作用。
同时可以掌握基本器件的功能，也能了解基本电路的运用，对整体电路的功能有个很好的帮助。
二、练好焊接基本功每一个参加电子装配与调试比赛项目的选手都知道，掌握焊接这项基本功是很关键的，需要学生每天不厌其烦的练习，从分立元件到集成块再到贴片元件，都需要不断地实践和摸索。
参加比赛的选手也经常在一起交流各自的技巧。
焊接贴片元件时，学生可以利用电烙铁尖头的侧面拖焊，这样操作可使上锡的速度快，焊点成形快、光亮、美观。
如果元器件两脚之间的间距太小时，搭锡的处理也是很关键的，否则一不小心就会导致电路板出现短路，严重时甚至会把电路板烧毁。
去掉搭锡的一种方法是将板子垂直放置，用电烙铁的侧面吸掉，其前提条件是电烙铁保持干净。
另一种方法是将两脚间的锡加热，将板子利用重力的作用，轻轻将多余的锡敲掉。
如今，电路板做得越来越小，板子上出现了大量的贴片元件。
在焊接贴片的时候也有不少讲究，焊贴片集成块时一般先焊接对角的两个点，然后利用拖焊的方法快速焊接，快速处理好搭锡。
焊普通的贴片元件时应先固定一点，再快速焊接另一点，然后用烙铁的侧边擦掉多余的焊锡，使得焊点成斜坡状。
贴片三极管上的印字_对照表
t06
PMBS3906
Phi
N
SOT23
2N3906
20
SSTPAD20
Sil
J
-
PAD-20 20pA leakage diode
50
SSTPAD50
Sil
J
-
PAD-50 50pA leakage diode
81
SO2369AR
SGS
R
SOT23R
2N2369A
9
DTC115TUA
Roh
9
DTC115TKA
SOT89
DC-4GHz MMIC amp 17.5 dBm
23
2N3904
t04
PMBS3904
Phi
N
SOT23
2N3904
5
Gali-4
MC
AZ
SOT89
DC-4GHz MMIC amp 18 dBm o/p
5
DTC124TE
Roh
N
EMT3
npn dtr R1 22k 50V 100mA
我的文档
3
DTC143TUA
Roh
N
SC70
npn dtr R1 4k7 50V 100mA
3
DTC143TKA
Roh
4
DTC114TCA
Roh
N
SC59
N
SOT23
npn dtr R1 4k7 50V 100mA npn dtr R1 10k 50V 100mA
4
DTC114TE
Roh
N
EMT3
Gali-1 SSTPAD10 SO2369R
BST82 MRF5711L DTCC114T
SMD_贴片三极管,稳压管,二极管标识手册
Codes / Markings SMD codes1st character/以第一个字符为基准0123456789A B C D EF G H I JK L M N OP Q R S TU V W X YZ印字器件厂商类型封装器件用途及参数0 2SC3603 Nec CX SOT173Npn RF fT 7GHz005 SSTPAD5 Sil J -PAD-5 5pA leakage diode p01PDTA143ET Phi N SOT23pnp dtr 4k7+4k7t01PDTA143ET Phi N SOT23pnp dtr 4k7+4k701Gali-1MC AZ SOT89DC-8GHz MMIC amp 12dB gain 010 SSTPAD10 Sil J -PAD-10 10pA leakage diode 011 SO2369R SGS R SOT23R2N236902 BST82 Phi M -n-ch mosfet 80V 175mA02 MRF5711L Mot X SOT143npn RF MRF57102 DTCC114T Roh N -50V 100mA npn sw + 10k base res02Gali-2MC AZ SOT89DC-8GHz MMIC amp 16dB gain p02PDTC143ET Phi N SOT23npn 4k7+4k7 bias rest02PDTC143ET Phi N SOT23npn 4k7+4k7 bias res03Gali-3MC AZ SOT89DC-3GHz MMIC amp 22dB gain 03DTC143TE Roh N EMT3npn dtr R1 4k7 50V 100mA 03DTC143TUA Roh N SC70npn dtr R1 4k7 50V 100mA 03DTC143TKA Roh N SC59npn dtr R1 4k7 50V 100mA04 DTC114TCA Roh N SOT23npn dtr R1 10k 50V 100mA04 DTC114TE Roh N EMT3npn dtr R1 10k 50V 100mA04 DTC114TUA Roh N SC70npn dtr R1 10k 50V 100mA04 DTC114TKA Roh N SC59npn dtr R1 10k 50V 100mA04 MRF5211L Mot X SOT143pnp RF MRF52104Gali-4MC AZ SOT89DC-4GHz MMIC amp 17.5 dBm -04PMSS3904Phi N SOT3232N3904t04PMBS3904Phi N SOT232N390405Gali-4MC AZ SOT89DC-4GHz MMIC amp 18 dBm o/p05 DTC124TE Roh N EMT3npn dtr R1 22k 50V 100mA05 DTC124TUA Roh N SC70npn dtr R1 22k 50V 100mA05 DTC124TKA Roh N SC59npn dtr R1 22k 50V 100mA05F TSDF1205R Tfk WQ -fT12GHz npn 4V 5mA 06Gali-6MC AZ SOT89DC-4GHz MMIC amp 115 dBm o/p06 DTC144TE Roh N EMT3npn dtr R1 47k 50V 100mA06 DTC144TUA Roh N SC70npn dtr R1 47k 50V 100mA06 DTC144TKA Roh N SC59npn dtr R1 47k 50V 100mA-06PMSS3906Phi N SOT3232N3906t06PMBS3906Phi N SOT232N3906020 SSTPAD20 Sil J -PAD-20 20pA leakage diode 050 SSTPAD50 Sil J -PAD-50 50pA leakage diode 081 SO2369AR SGS R SOT23R2N2369A09 DTC115TUA Roh N SC70npn dtr R2 100k 50V 100mA 09 DTC115TKA Roh N SC59npn dtr R2 100k 50V 100mA 0A MUN5111DW1 Mot DO SOT363dual pnp dtr 10k+10k0A DTC125TUA Roh N SC70npn dtr R2 100k 50V 100mA 0A DTC125TKA Roh N SC59npn dtr R2 100k 50V 100mA 0B MUN5112DW1 Mot DO SOT363dual pnp dtr 22k+22k0C MUN5113DW1 Mot DO SOT363dual pnp dtr 47k+47k0D MUN5114DW1 Mot DO SOT363dual pnp dtr 10k+47k0E MUN5115DW1 Mot DO SOT363dual pnp dtr R1 10k0F MUN5116DW1 Mot DO SOT363dual pnp dtr R1 4k70G MUN5130DW1 Mot DO SOT363dual pnp dtr 1k0+1k00H MUN5131DW1 Mot DO SOT363dual pnp dtr 2k2+2k20J MUN5132DW1 Mot DO SOT363dual pnp dtr 4k7+4k70K MUN5133DW1 Mot DO SOT363dual pnp dtr 4k7+47k0L MUN5134DW1 Mot DO SOT363dual pnp dtr 22k+47k0M MUN5135DW1 Mot DO SOT363dual pnp dtr 2k2+47k Code Device Manufacturer Base Package Leaded Equivalent/Data 12SC3587Nec CX-npn RF fT10GHz1BA277Phi I SOD523VHF Tuner band switch diode 1 (red)BB669Sie I SOD32356-2.7 pF varicap10MRF9411L Mot X SOT143npn Rf 8GHz MRF94110A PZM10NB2A Phi A SOT346dual ca 10V 0.3W zener10V PZM10NB Phi C SOT34610V 0.3W zener10Y BZV49-C10Phi O SOT8910V 1W zener11MRF9511L Mot X SOT143npn RF 8GHz MRF95111MUN5311DW1Mot DP SOT363npn/pnp dtr 10k+10k11PDTA114EU Phi N SOT416pnp dtrp11PDTA114TT Phi N SOT23pnp dtrt11PDTA114TT Phi N SOT23pnp dtr11A PZM11NB2A Phi A SOT346dual ca 11V 0.3W zener11A MMBD1501A Nat C SOT23Si diode 200V 100mA11V PZM11NB Phi C SOT34611V 0.3W zener11Y BZV49-C11Phi O SOT8911V 1W zener12MUN5312DW1Mot DP SOT363npn/pnp dtr 22k+22k12DTA123EUA Rho N SC70pnp dtr 2k2+2k2 50V 100ma 12DTA123EKA Rho N SC59pnp dtr 2k2+2k2 res 50V 100ma p12PDTC114TT Phi N SOT23npn dtrt12PDTC114TT Phi N SOT23npn dtr12A MMBD1502A Nat K SOT23Si diode 200V 100mA12A PZM12NB2A Phi A SOT346dual ca 12V 0.3W zener12E ZC2812E Zet D SOT23dual series RF schottky15V 20mA 12V PZM12NB Phi C SOT34612V 0.3W zener12Y BZV49-C12Phi O SOT8912V 1W zener13DTA143EUA Rho N SC70pnp dtr 4k7+4k7 50V 100ma 13DTA143EKA Rho N SC59pnp dtr 4k7+4k7 50V 100ma 13DTA143ECA Rho N SOT23pnp dtr 4k7+4k7 50V 100ma 13t BC846BPN Phi N SOT363BC546B13s BAS125Sie C SOT23Schottky sw 24V 100mA13s BAS125W Sie C SOT323Schottky sw 24V 100mA13MA4CS103A M/A C SOT23Schottky RF 20V 100mA13MUN5313DW1Mot DP SOT363npn/pnp dtr 47k+47k13A MMBD1503A 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SOT323MPSA562GM MMBTA56Mot N SOT23MPSA562GR BC850CR Phi R SOT23R BC550C2GT SOA56SGS N SOT23MPSA562H FMMT-A55Zet N SOT23MPSA552HT SOA55SGS N SOT23MPSA552H MMBTA55Mot N SOT23MPSA55t2H PMBTA55Phi N SOT23MPSA55t2H PMSTA55Phi N SOT323MPSA552J MMBT3640Mot N SOT23MPS3640 pnp sw2K FMMT4402Zet N SOT232N44022K MMBT8598Mot N-2N4125 pnp 60V2L MMBT5401Mot N SOT232N5401 pnp 150V2L FMMT4403Zet N SOT232N4403p2L PMBT5401Phi N SOT232N5401 pnp 150Vt2L PMBT5401Phi N SOT232N5401 pnp 150Vt2L PMST5401Phi N SOT3232N5401 pnp 150V2M FMMT5087Zet N SOT232N50872M MMBT404Mot N SOT23pnp-chopper 24V 150mA 2N MMBT404A Mot N SOT23pnp-chopper 35V 150mA 2N0ZXT11N20DF Zet N SOT23npn 20V 2.5A low sat switch 2P FMMT2222R Zet R SOT23R2N22222P MMBT5086Mot N SOT232N50862Q MMBT5087Mot N SOT232N50872R HSMS-8102HP Z SOT2310-14GHz schottky mixer pair 2T SO4403SGS N SOT232N44032T MMBT4403Mot N SOT232N4403p2T PMBT4403Phi N SOT232N4403p2T PXT4403Phi O SOT892N4403t2T PMBT4403Phi N SOT232N4403t2T PMST4403Phi N SOT3232N44032T HT2Zet N 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Fch M SOT23n-ch 'digital' fet 25V 0.22A302FDV302P Fch M SOT23p-ch 'digital' fet 25V 0.13A303FDV303N Fch M SOT23n-ch 'digital' fet 25V 0.68A304FDV304P Fch M SOT23p-ch 'digital' fet 25V 0.46A31MUN5331DW1Mot DP SOT363npn/pnp dtr 2k2+2k231MMBD1402Nat K SOT23Si diode 200V 100mAp31PDTA143XT Phi N SOT23pnp dtr 4k7+10kt31PDTA143XT Phi N SOT23pnp dtr4k7+10k32MUN5332DW1Mot DP SOT363npn/pnp dtr 4k7+4k732MMBD1403Nat D SOT23dual Si diode 200V 100mA32BAT32Sie CS-18GHz zero-bias schottkyp32PDTC143XT Phi N SOT23pnp dtr 4k7+10kt32PDTC143XT Phi N SOT23pnp dtr 4k7+10ks33MUN5333DW1Mot DP SOT363npn/pnp dtr 4k7+47k33DTA143XE Roh N EMT3pnp dtr 4k7+10k 50V 100mA33DTA143XUA Roh N SC70pnp sw 4k7+10k bias res 50V 100mA 33DTA143XKA Roh N SC59pnp sw 4k7+10k bias res 50V 100mA 33MMBD1404Nat B SOT23dual cc Si diode 200V 100mA33 Gali-33 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 19dB gain 33V PZM33NB1Phi C SOT34633 300mW zener33Y BZV49-C33Phi O SOT8933V 1W zener34MUN5334DW1Mot DP SOT363npn/pnp dtr 22k+47k34MMBD1405Nat A SOT23dual ca Si diode 200V 100mA 331NDS331N Fch M SOT23n-ch mosfet 1.3A 20V331PZM3.3NB1Phi C SOT346 3.3V 300mW zener332PZM3.3NB2Phi C SOT346 3.3V 300mW zener332NDS332N Fch M SOT23p-ch mosfet 0.4A, 1A pk, 20V 335NDS335N Fch M SOT23n-ch mosfet 70 mA, 1.7A pk, 20V 336NDS336N Fch M SOT23p-ch mosfet 0.27A, 1.2A pk, 20V 337NDS337N Fch M SOT23n-ch mosfet 50 mA, 2.5A pk 20V 338NDS338N Fch M SOT23p-ch mosfet 0.13A, 1.6Apk 20V 342SC5007Nec N-npn RF fT 7GHz @3V 7mA 340FDV340P Fch M SOT23p-ch mosfet 20V 70 mA35MUN5335DW1Mot DP SOT363npn/pnp dtr 2k2+47k35DTA124XE Roh N EMT3pnp dtr 22k+47k 50V 50mA 35DTA124XUA Roh N SC70pnp dtr 22k+47k 50V 50mA 35DTA124XKA Roh N SC59pnp dtr 22k+47k 50V 50mA 351NDS351N Fch M SOT23n-ch mosfet 1.1A 30V 352NDS352N Fch M SOT23p-ch mosfet 0.5A 20V 355NDS355N Fch M SOT23n-ch mosfet 0.1A, 1.6A pk 30V 356NDS356N Fch M SOT23p-ch mosfet 0.3A, 1.1A pk 20V 357NDS357N Fch M SOT23n-ch mosfet 2.5Apk 30V 358NDS358N Fch M SOT23p-ch mosfet 0.2A, 1.6A pk 30V 358FDN358N Fch M SOT23p-ch mosfet 0.2A 1.6A pk 30V 360FDN360P Fch M SOT23p-ch mosfet 80mA, 2a PK, 30V 361PZM3.6NB1Phi C SOT346 3.6V 300mW Zener362PZM3.3NB2Phi C SOT346 3.6V 300mW Zener36V PZM36NB1Phi C SOT34636V 300mW Zener36Y BZV49-C36Phi O SOT8936V 1W zener391PZM3.9NB1Phi C SOT346 3.9V 300mW Zener392PZM3.9NB2Phi C SOT346 3.9V 300mW Zener39V PZM39NB1Phi C SOT34639V 300mW Zener39Y BZV49-C39Phi O SOT8939V 1W zener3A BC856A ITT N SOT23BC556A3A BC856AT Phi N SOT416BC556A3Ap BC856A Phi N SOT23BC556A3At BC856A Phi N SOT23BC556A3As BC856A Sie N SOT23BC556A3At BC856AW Phi N SOT323BC556A3A-BC856AW Phi N SOT323BC556A3A MMBTH24Mot N SOT23VHF mixer npn fT 600MHz 3A0PZM3.0NB2A Phi C SOT346dual 3.0V Zener3A3PZM3.3NB2A Phi C SOT346dual 3.3V Zener3A6PZM3.6NB2A Phi C SOT346dual 3.6V Zener3A9PZM3.9NB2A Phi C SOT346dual 3.9V Zener3AR BC856AR Phi R SOT23R BC556A3B BC856B ITT N SOT23BC556B3B BC856BT Phi N SOT416BC556B3Bp BC856B Phi N SOT23BC556B3Bs BC856B Sie N SOT23BC556B3Bt BC856B Phi N SOT23BC556B3Bt BC856BW Phi N 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BCV62C Phi VQ SOT143pnp current mirror hFe 520 3M BC858Phi N SOT23BC5583M FMMT5087R Zet R SOT23R2N5087 BC322 3Ms BCV62Sie VQ SOT143pnp current mirror3Mp BCV62Phi VQ SOT143pnp current mirror 3N MMBT4402Nat N SOT232N4402 pnp3P FMT2222AR Zet R SOT23R2N2222A3R MMBT5571Nat N SOT23pnp sw 850MHz 3S MMBT5551Nat N SOT23npn 160V3T HT3Zet N SOT23npn 80V 100mA 3V0PZM3.0NB Phi C SOT346 3.0V 300mW Zener 3V3PZM3.3NB Phi C SOT346 3.3V 300mW Zener 3V6PZM3.6NB Phi C SOT346 3.6V 300mW Zener 3V9PZM3.9NB Phi C SOT346 3.9V 300mW Zener 3W FMMT-A12Zet N-MPSA123Y3BZV49-C3V3Phi O SOT89 3.3V 1W zener 3Y6BZV49-C3V6Phi O SOT89 3.6V 1W zener 3Y9BZV49-C3V9Phi O SOT89 3.9V 1W zener Code Device Manufacturer Base Package Leaded Equivalent/Data4 (white)BAS140W Sie I SOD32340V 120mA sw schottky 4 (yellow)BB644Sie I SOD323Varicap 42-2.5pF4 (red)BB57-03W Sie I SOD323Varicap4BB664Sie I SCD80Varicap 42-2.5pF 41BAT14-115S Sie CS SOT17340GHz schottky diode 41BAT14-115R Sie CZ SOT17340GHz schottky ring quad 41A FMMT491A Zet N SOT23npn 40v 1A max 41D BAT14-115D Sie CY SOT17340GHz schottky dual 42BAT14-025S Sie CS SOT1734GHz schottky diode 42BAT14-025R Sie CZ SOT1734GHz schottky ring quad 42D BAT14-025D Sie CY SOT1734GHz schottky dual 43BAS40Sie C SOT23schottky diode 40V 100mA 43DTA143EE Mot N SOT416pnp dtr 4k7 + 4k7 43DTC143XE Roh N EMT3npn dtr 4k7+10k 50V 100mA 43DTC143XUA Roh N SC70npn dtr 4k7+10k 50V 100mA。
贴片三极管的标记与型号对照表
贴片三极管的标记与型号对照表标记三极管的型号AA BCW60AAB BCW60BAB 2SA1312AC 2SA1313AC BCX51-10AD BCW60DAE 2SA1362AE BCX52AF BCX52-6AG BCX70GAG BCX52-10AH BCX70HAJ BCX70JAK BCX70KAL BCX52--16 AM BCX53-16AN BCW60FNAN 2SC2532AO BCW60RAAP BCW60RBAR BCW60RCAR1 BSR40AR2 BSR41AR3 BSR42AR4 BSR43AS BCW60RDAS1 BST50AS2 BST51AS3 BST52AT1 BST39AU BCX70RGAW BCX70RHAX BCX70RJAY BCX70RKB 2SC2880BA BCW61ABB BCW61BBC BCW61CBD BCW61DBE BCX55BF BCW61FFBG BCX71GBH BCX71HBJ BCX71JBK BCX71KBL BCX56-16 BM BCX55-16 BN BCW61FNBN MMBT3638A BO BCW61RABP BCW61RBBR BCW61RCBR1 BSR30BR2 BSR31BR3 BSR32BR4 BSR33BS BCW61RDBS1 BST60BS2 BST61BS3 BST62BT1 BST15BT2 BST16BU BCX71RGBW BCX71RHBX BCX71RJBY BCX71RKB2 BSV52B3 MMBC1621B3 B4 BSV52RC 2SA1163CA BCW61RACA BCX68CB BCW61RBCB BCX68-10CC BF554CC BCW61RCCC 2SC3326CD BSS81BCD BCW61RDCE BSS79BCE 2SC3325CE BCX69CEC BC869CF BSS79CCF1 CF910CF2 CF911CF3 CF912CF4 CF913CF5 CF930CF6 CF940CG BSS81CCG BCX71RGCG 2SC3246注意，标号相同，三极管的型号不一定相同，要看图纸下面是赠送的几篇网络励志文章需要的便宜可以好好阅读下，不需要的朋友可以下载后编辑删除！！谢谢！！出路出路，走出去才有路"出路出路，走出去才有路。
(整理)贴片三极管引脚三极管的识别分类及测量
贴片三极管引脚三极管的识别分类及测量符号：“Q、VT”三极管有三个电极，即b、c、e，其中c为集电极（输入极）、b为基极（控制极）、e为发射极（输出极）三极管实物图：贴片三极管功率三极管普通三极管金属壳三极管二、三级管的分类：按极性划分为两种：一种是NPN型三极管，是目前最常用的一种，另一种是PNP型三极管。
按材料分为两种：一种是硅三极管，目前是最常用的一种，另一种是锗三极管，以前这种三极管用的多。
三极按工作频率划分为两种：一种是低频三极管，主要用于工作频率比较低的地方；另一种是高频三极管，主要用于工作频率比较高的地方。
按功率分为三种：一种是小功率三极管，它的输出功率小些；一种是中功率三极管，它的输出功率大些；另一种是大功率三极管，它的输出功率可以很大，主要用于大功率输出场合。
按用途分为：放大管和开关管。
三、三极管的组成：三极管由三块半导体构成，对于ＮＰＮ型三极管由两块Ｎ型和一块Ｐ型半导体构成，如图Ａ所示，Ｐ型半导体在中间，两块Ｎ型半导体在两侧，各半导体所引出的电极见图中所示。
在Ｐ型和Ｎ型半导体的交界面形成两个ＰＮ结，在基极与集电极之间的ＰＮ结称为集电结，在基极与发射极之间的ＰＮ结称为发射结。
图Ｂ是ＰＮＰ型三极管结构示意图，它用两块Ｐ型半导体和一块Ｎ型半导体构成。
ＡＢ四、三极管在电路中的工作状态：三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。
当三极管用于不同目的时，它的工作状态是不同的。
1、截止状态：当三极管的工作电流为零或很小时，即IB=0时，IC和IE也为零或很小，三极管处于截止状态。
2、放大状态：在放大状态下，IC=βIB，其中β(放大倍数)的大小是基本不变的（放大区的特征）。
有一个基极电流就有一个与之相对应的集电极电流。
3、饮和状态：在饮和状态下，当基极电流增大时，集电极电流不再增大许多，当基极电流进一步增大时，集电极电流几乎不再增大。
工作状态定义电流特征解流截止状态集电极与发射极之间电阻很大IB=0或很小，IC或IE为零或很小因为IC＝βIB利用电流为零或很小特征，可以判断三极管已处于截止状态放大状态集电极与发射极之间内阻受基极电流大小控制，基极电流大，其内阻小IC＝βIBIE=(1+β)IB有一个基极电流就有一个对应的集电极电流和发射极电流，基极电流能有效地控制集电极电流和发射极电流饱和状态集电极与发射之间内阻很小各电极电流均很大，基极电流已无法控制集电极电流和发射极电流电流放大倍数β已很小，甚至小于1（用直流电控制信号的一种方式）五、三极管的作用：放大、调制、谐振、开关1、电流放大：三极管是一个电流控制器件，它用基极电流IB来控制集电极电流IC和发射极电流IE，没有IB就没有IC和IE，只要有一个很小的IB，就有一个很大的IC。
贴片三极管上的印字，与真实名称的对照表4
贴片三极管上的印字，与真实名称的对照表4贴片三极管上的印字，与真实名称的对照表4印字器件厂商类型封装器件用途及参数X (white) BB833 Sie I SOT323 9.3-0.75pF varicapX(yellow) BB835 Sie I SOT323 9.1-0.6pF varicapX1 BFT93 Sie N SOT23 BFQ23 BFQ75X1 IMX1 Roh DC - dual 2SC2412K npnX1 BZX84-C27 Phi C SOT23 0.3W zener 27V±5%X1p BFT93 Phi N SOT23 BFQ23 BFQ75X2 IMX2 Roh DD - dual 2SC2412K npnX2 BZX99-C13 Phi C SOT23 13V 0.3W zener ±5%X2 BZX84-C30 Zet C SOT23 0.3W zener 30V±5%X2 BZV49C30 Zet O SOT89 1W zener 30V±5%X3 BZX99-C15 Phi C SOT23 15V 0.3W zener ±5%X3 BZX84-C33 Zet C SOT23 0.3W zener 33V±5%X4 BFT93R Sie R SOT23R BFQ23 BFQ75X4 BZX84-C36 Zet C SOT23 0.3W zener 36V±5%X5 BZV49C39 Zet O SOT89 1W zener 39V±5%X5 MMBV409G Mot C SOT23 Hyperabrupt varicapX6 BZV49C43 Zet O SOT89 1W zener 43V±5%X6 BZX84-C43 Zet C SOT23 0.3W zener 43V±5%X7 BZX84-C47 Zet C SOT23 0.3W zener 47V±5%XA BZX284-B7V5 Phi I SOD110 0.4W zener 7.5V E24 ±2% XA BZX99-C4V7 Phi C SOT23 4.7V 0.3W zenerXAs BCR503 Sie N SOT23 npn dtr 50V 0.5A 2k2 +2k2XB BZX284-B8V2 Phi I SOD110 0.4W zener 8.2V 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16V 0.4W zenerZM BZX284-C24 Phi I SOD110 0.4W zener 24V ±5% ZM PDZ18B Phi I SOD323 18V 0.4W zenerZN BZX284-C27 Phi I SOD110 0.4W zener 27V ±5% ZN PDZ20B Phi I SOD323 20V 0.4W zenerZO BZX284-C30 Phi I SOD110 0.4W zener 30V ±5% ZP BZX284-C33 Phi I SOD100 0.4W zener 33V ±5% ZP PDZ22B Phi I SOD323 22V 0.4W zenerZQ BZX284-C36 Phi I SOD110 0.4W zener 36V ±5% ZQ PDZ24B Phi I SOD323 24V 0.4W zenerZ-Q 2PC4081Q Phi N SOT323 gp npn hfe 120-270 ZR MSD1819A Mot N SOT323 npn gp 50VZR BZX284-C39 Phi I SOD110 0.4W zener 39V ±5% ZR PDZ27B Phi I SOD323 27V 0.4W zenerZ-R 2PC4081R Phi N SOT323 gp npn hfe 180-390 ZS BZX284-C43 Phi I SOD110 0.4W zener 43V ±5% ZS PDZ30B Phi I SOD323 30V 0.4W zenerZ-S 2PC4081S Phi N SOT323 gp npn hfe 270-560 ZS1 ZHCS1000 Zet E SOT23 30V 1A schottky diode ZS1 ZHCS1000 Zet C SOT23 schottky 1A 30VZS5 ZHCS500 Zet E SOT23 40V 0.5A schottky diode ZS7 ZHCS750 Zet E SOT23 30V 0.75A schottky diode ZS7 ZHCS750 Zet C SOT23 schottky 0.75A 30VZT BZX284-C47 Phi I SOD110 0.4W zener 47V ±5% ZT PDZ33B Phi I SOD323 33V 0.4W zenerZtQ 2PC4081Q Phi N SOT323 gp npn hfe 120-270 ZtR 2PC4081R Phi N SOT323 gp npn hfe 180-390 ZtS 2PC4081S Phi N SOT323 gp npn hfe 270-560 ZU BZX284-C51 Phi I SOD110 0.4W zener 51V ±5%ZU PDZ36B Phi I SOD323 36V 0.4W zenerZV BZX284-C56 Phi I SOD110 0.4W zener 56V ±5% ZW BZX284-C62 Phi I SOD110 0.4W zener 62V ±5% ZX BZX284-C68 Phi I SOD110 0.4W zener 68V ±5% ZY BZX284-C75 Phi I SOD110 0.4W zener 75V ±5%。
贴片三极管标识代号
行 业 新 闻 | 技 术 前 沿 | 新 品 速 递 | 技 术 专 题 问 答 平 台 供 求 信 息 投 稿 投 稿 指 南 RS S 订 阅 网 站 地 图 资 讯 通 告 :
搜 索 : 当 前 位 置 : 电 子 电 路 图 > 基 础 知 识 > 元 器 件 资 料 > 贴 片 三 极 管 识 别 贴 片 三 极装 贴 片 电 阻 封 装 尺 寸 · 话 筒 放 大 器 电 路 图 _ 电 容 话 筒 ( 麦 克 风 · 常 用 门 电 路 74 系 列 器 件
· 电 阻 电 路 符 号 ( 电 阻 器 的 符 号 ) · 电 阻 R 的 公 式 · 插 件 贴 片 三 极 管 90 12 封 装 及 外 形 和 尺
来 源 : 未 知 作 者 : 无 线 电 【 大 中 小 】 下 图 是 贴 片 三 极 管 s9 01 4L T1 的 SO T23 封 装 识 别
各 三 极 管 的 对 应 的 标 示 代 号 简 称 :
90 11 1T 90 12 2T 90 13 J3 90 14 J6 90 15 M6 90 16 Y6 90 18 J8 S8 05 0 J3 Y S8 55 0 2T Y
· 可 调 电 阻 封 装 精 密 电 阻 封 装 · NP N 三 极 管 C9 45 参 数 资 料 性 能 特 性 · 人 体 电 阻 多 大 人 体 允 许 的 电 流 有 多
· 贴 片 电 阻 的 识 别 _ 贴 片 电 阻 读 数 · 热 电 阻 对 照 表 _ 热 电 阻 温 度 对 照 表
80 50 Y1 85 50 Y2 2S A1 01 5 BA 2S C1 81 5 HF 2S C9 45 CR MM BT 39 04 1A M MM BT 39 06 2A MM BT 22 22 1P MM BT 54 01 2L MM BT 55 51 G1
贴片三极管引脚三极管的识别分类及测量
贴片三极管引脚三极管的识别分类及测量符号：“Q、VT”三极管有三个电极，即b、c、e，其中c为集电极（输入极）、b为基极（控制极）、e为发射极（输出极）三极管实物图：贴片三极管功率三极管普通三极管金属壳三极管二、三级管的分类：按极性划分为两种：一种是NPN型三极管，是目前最常用的一种，另一种是PNP型三极管。
按材料分为两种：一种是硅三极管，目前是最常用的一种，另一种是锗三极管，以前这种三极管用的多。
三极按工作频率划分为两种：一种是低频三极管，主要用于工作频率比较低的地方；另一种是高频三极管，主要用于工作频率比较高的地方。
按功率分为三种：一种是小功率三极管，它的输出功率小些；一种是中功率三极管，它的输出功率大些；另一种是大功率三极管，它的输出功率可以很大，主要用于大功率输出场合。
按用途分为：放大管和开关管。
三、三极管的组成：三极管由三块半导体构成，对于ＮＰＮ型三极管由两块Ｎ型和一块Ｐ型半导体构成，如图Ａ所示，Ｐ型半导体在中间，两块Ｎ型半导体在两侧，各半导体所引出的电极见图中所示。
在Ｐ型和Ｎ型半导体的交界面形成两个ＰＮ结，在基极与集电极之间的ＰＮ结称为集电结，在基极与发射极之间的ＰＮ结称为发射结。
图Ｂ是ＰＮＰ型三极管结构示意图，它用两块Ｐ型半导体和一块Ｎ型半导体构成。
ＡＢ四、三极管在电路中的工作状态：三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。
当三极管用于不同目的时，它的工作状态是不同的。
1、截止状态：当三极管的工作电流为零或很小时，即IB=0时，IC和IE也为零或很小，三极管处于截止状态。
2、放大状态：在放大状态下，IC=βIB，其中β(放大倍数)的大小是基本不变的（放大区的特征）。
有一个基极电流就有一个与之相对应的集电极电流。
3、饮和状态：在饮和状态下，当基极电流增大时，集电极电流不再增大许多，当基极电流进一步增大时，集电极电流几乎不再增大。
工作状态定义电流特征解流截止状态集电极与发射极之间电阻很大IB=0或很小，IC或IE为零或很小因为IC＝βIB利用电流为零或很小特征，可以判断三极管已处于截止状态放大状态集电极与发射极之间内阻受基极电流大小控制，基极电流大，其内阻小IC＝βIBIE=(1+β)IB有一个基极电流就有一个对应的集电极电流和发射极电流，基极电流能有效地控制集电极电流和发射极电流饱和状态集电极与发射之间内阻很小各电极电流均很大，基极电流已无法控制集电极电流和发射极电流电流放大倍数β已很小，甚至小于1（用直流电控制信号的一种方式）五、三极管的作用：放大、调制、谐振、开关1、电流放大：三极管是一个电流控制器件，它用基极电流IB来控制集电极电流IC和发射极电流IE，没有IB就没有IC和IE，只要有一个很小的IB，就有一个很大的IC。
贴片三极管引脚 三极管的识别分类及测量
贴片三极管引脚三极管的识别分类及测量符号：“Q、VT”三极管有三个电极，即b、c、e，其中c为集电极（输入极）、b为基极（控制极）、e为发射极（输出极）三极管实物图：贴片三极管功率三极管普通三极管金属壳三极管二、三级管的分类：按极性划分为两种：一种是NPN型三极管，是目前最常用的一种，另一种是PNP型三极管。
按材料分为两种：一种是硅三极管，目前是最常用的一种，另一种是锗三极管，以前这种三极管用的多。
三极按工作频率划分为两种：一种是低频三极管，主要用于工作频率比较低的地方；另一种是高频三极管，主要用于工作频率比较高的地方。
按功率分为三种：一种是小功率三极管，它的输出功率小些；一种是中功率三极管，它的输出功率大些；另一种是大功率三极管，它的输出功率可以很大，主要用于大功率输出场合。
按用途分为：放大管和开关管。
三、三极管的组成：三极管由三块半导体构成，对于ＮＰＮ型三极管由两块Ｎ型和一块Ｐ型半导体构成，如图Ａ所示，Ｐ型半导体在中间，两块Ｎ型半导体在两侧，各半导体所引出的电极见图中所示。
在Ｐ型和Ｎ型半导体的交界面形成两个ＰＮ结，在基极与集电极之间的ＰＮ结称为集电结，在基极与发射极之间的ＰＮ结称为发射结。
图Ｂ是ＰＮＰ型三极管结构示意图，它用两块Ｐ型半导体和一块Ｎ型半导体构成。
ＡＢ四、三极管在电路中的工作状态：三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。
当三极管用于不同目的时，它的工作状态是不同的。
1、截止状态：当三极管的工作电流为零或很小时，即IB=0时，IC和IE也为零或很小，三极管处于截止状态。
2、放大状态：在放大状态下，IC=βIB，其中β(放大倍数)的大小是基本不变的（放大区的特征）。
有一个基极电流就有一个与之相对应的集电极电流。
3、饮和状态：在饮和状态下，当基极电流增大时，集电极电流不再增大许多，当基极电流进一步增大时，集电极电流几乎不再增大。
工作状态定义电流特征解流截止状态集电极与发射极之间电阻很大IB=0或很小，IC或IE为零或很小因为IC＝βIB利用电流为零或很小特征，可以判断三极管已处于截止状态放大状态集电极与发射极之间内阻受基极电流大小控制，基极电流大，其内阻小IC＝βIBIE=(1+β)IB有一个基极电流就有一个对应的集电极电流和发射极电流，基极电流能有效地控制集电极电流和发射极电流饱和状态集电极与发射之间内阻很小各电极电流均很大，基极电流已无法控制集电极电流和发射极电流电流放大倍数β已很小，甚至小于1（用直流电控制信号的一种方式）五、三极管的作用：放大、调制、谐振、开关1、电流放大：三极管是一个电流控制器件，它用基极电流IB来控制集电极电流IC和发射极电流IE，没有IB就没有IC和IE，只要有一个很小的IB，就有一个很大的IC。
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13s BAS125 Sie C SOT23 Schottky sw 24V 100mA
13s BAS125W Sie C SOT323 Schottky sw 24V 100mA
13 MA4CS103A M/A C SOT23 Schottky RF 20V 100mA
0E MUN5115DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr R1 10k
0F MUN5116DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr R1 4k7
0G MUN5130DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr 1k0+1k0
0H MUN5131DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr 2k2+2k2
12 DTA123EKA Rho N SC59 pnp dtr 2k2+2k2 res 50V 100ma
p12 PDTC114TT Phi N SOT23 npn dtr
t12 PDTC114TT Phi N SOT23 npn dtr
12A MMBD1502A Nat K SOT23 Si diode 200V 100mA
0B MUN5112DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr 22k+22k
0C MUN5113DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr 47k+47k
0D MUN5114DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr 10k+47k
0M MUN5135DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr 2k2+47k
Code Device Manufacturer Base Package Leaded Equivalent/Data
1 2SC3587 Nec CX - npn RF fT10GHz
1 BA277 Phi I SOD523 VHF Tuner band switch diode
10 SSTPAD10 Sil J - PAD-10 10pA leakage diode
11 SO2369R SGS R SOT23R 2N2369
2 BST82 Phi M - n-ch mosfet 80V 175mA
2 MRF5711L Mot X SOT143 npn RF MRF571
5 Gali-4 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 18 dBm o/p
5 DTC124TE Roh N EMT3 npn dtr R1 22k 50V 100mA
5 DTC124TUA Roh N SC70 npn dtr R1 22k 50V 100mA
5 DTC124TKA Roh N SC59 npn dtr R1 22k 50V 100mA
05F TSDF1205R Tfk WQ - fT12GHz npn 4V 5mA
6 Gali-6 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 115 dBm o/p
6 DTC144TE Roh N EMT3 npn dtr R1 47k 50V 100mA
6 DTC144TUA Roh N SC70 npn dtr R1 47k 50V 100mA
14 BAT114-099R Sie DQ - Quad Schottky crossover ring
14 DTA114EUA Roh N SC70 pnp dtr 10k + 10k
14 DTA114EKA Roh N SC59 pnp dtr 10k + 10k
14 MUN5314DW1 Mot DP SOT363 npn/pnp dtr 10k R1
14 DTA114ECA Roh N SOT23 pnp dtr 10k + 10k
14A MMBD1504A Nat B - dual cc Si diode 200V 100mA
15s BAS125-05 Sie B SOT23 dual cc Schottky 25V 100mA
15s BAS125-05W Sie B SOT323 dual cc Schottky 25V 100mA
13 MUN5313DW1 Mot DP SOT363 npn/pnp dtr 47k+47k
13A MMBD1503A Nat D SOT23 dual Si diode 200V 100mA
13A PZM13NB2A Phi A SOT346 dual ca 13V 0.3W zener
13E ZC2813E Zet A SOT23 dual ca RF schottky15V 20mA
11V PZM11NB Phi C SOT346 11V 0.3W zener
11Y BZV49-C11 Phi O SOT89 11V 1W zener
12 MUN5312DW1 Mot DP SOT363 npn/pnp dtr 22k+22k
12 DTA123EUA Rho N SC70 pnp dtr 2k2+2k2 50V 100ma
0A MUN5111DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr 10k+10k
0A DTC125TUA Roh N SC70 npn dtr R2 100k 50V 100mA
0A DTC125TKA Roh N SC59 npn dtr R2 100k 50V 100mA
1 (red) BB669 Sie I SOD323 56-2.7 pF varicap
10 MRF9411L Mot X SOT143 npn Rf 8GHz MRF941
10A PZM10NB2A Phi A SOT346 dual ca 10V 0.3W zener
10V PZM10NB Phi C SOT346 10V 0.3W r
13 DTA143EUA Rho N SC70 pnp dtr 4k7+4k7 50V 100ma
13 DTA143EKA Rho N SC59 pnp dtr 4k7+4k7 50V 100ma
13 DTA143ECA Rho N SOT23 pnp dtr 4k7+4k7 50V 100ma
4 DTC114TCA Roh N SOT23 npn dtr R1 10k 50V 100mA
4 DTC114TE Roh N EMT3 npn dtr R1 10k 50V 100mA
4 DTC114TUA Roh N SC70 npn dtr R1 10k 50V 100mA
4 DTC114TKA Roh N SC59 npn dtr R1 10k 50V 100mA
5 SSTPAD5 Sil J - PAD-5 5pA leakage diode
p01 PDTA143ET Phi N SOT23 pnp dtr 4k7+4k7
t01 PDTA143ET Phi N SOT23 pnp dtr 4k7+4k7
1 Gali-1 MC AZ SOT89 DC-8GHz MMIC amp 12dB gain
10Y BZV49-C10 Phi O SOT89 10V 1W zener
11 MRF9511L Mot X SOT143 npn RF 8GHz MRF951
11 MUN5311DW1 Mot DP SOT363 npn/pnp dtr 10k+10k
11 PDTA114EU Phi N SOT416 pnp dtr
50 SSTPAD50 Sil J - PAD-50 50pA leakage diode
81 SO2369AR SGS R SOT23R 2N2369A
9 DTC115TUA Roh N SC70 npn dtr R2 100k 50V 100mA
9 DTC115TKA Roh N SC59 npn dtr R2 100k 50V 100mA
6 DTC144TKA Roh N SC59 npn dtr R1 47k 50V 100mA
-6 PMSS3906 Phi N SOT323 2N3906
t06 PMBS3906 Phi N SOT23 2N3906
20 SSTPAD20 Sil J - PAD-20 20pA leakage diode
2 DTCC114T Roh N - 50V 100mA npn sw + 10k base res
2 Gali-2 MC AZ SOT89 DC-8GHz MMIC amp 16dB gain
p02 PDTC143ET Phi N SOT23 npn 4k7+4k7 bias res
t02 PDTC143ET Phi N SOT23 npn 4k7+4k7 bias res
0J MUN5132DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr 4k7+4k7
0K MUN5133DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr 4k7+47k
0L MUN5134DW1 Mot DO SOT363 dual pnp dtr 22k+47k
p11 PDTA114TT Phi N SOT23 pnp dtr
t11 PDTA114TT Phi N SOT23 pnp dtr
11A PZM11NB2A Phi A SOT346 dual ca 11V 0.3W zener