晶体三极管型号命名方法
三极管命名规则
三极管的命名规则中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分意义如下:第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2二极管、3三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时: A-N型错材料、B-P型错材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时: A-PNP型错材料、B-NPN型错材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V微波管、w-稳压管、C参量管、Z 整流管L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K开关管、x-低频小功率管(F3MHz,Pc1W),A-高频大功率管(P3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、Y体效应器件、B-雪崩管、J阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如: 3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、--依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
二极管命名规则
各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN 型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
三极管型号判断
一、晶体三极管的命名方法及型号字母意义晶体三极管的命名方法见图5-18，型号字母意义见表5-6二、晶体三极管的种类晶体三极管主要有NPN 型和PNP型两大类,一般我们可以从晶体管上标出的型号来识别。
详见表5－6。
晶体三极管的种类划分如下。
①按设计结构分为 : 点接触型、面接触型。
②按工作频率分为 : 高频管、低频管、开关管。
③按功率大小分为 : 大功率、中功率、小功率。
④从封装形式分为 : 金属封装、塑料封装。
三、三极管的主要参数一般情况晶体管的参数可分为直流参数、交流参数、极限参数三大类。
①直流参数 : 集电极 -基极反向电流 I CBO。
此值越小说明晶体管温度稳定性越好。
一般小功率管约10μA左右,硅晶体管更小。
集电极－发射极反向电流I CEO, 也称穿透电流。
此值越小说明晶体管稳定性越好。
过大说明这个晶体管不宜使用。
②极限参数:晶体管的极限参数有: 集电极最大允许电流I CM；集电极最大允许耗散功率I CM；集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO。
③晶体管的电流放大系数:晶体管的直流放大系数和交流放大系数近似相等,在实际使用时一般不再区分,都用β表示,也可用h FE表示。
为了能直观地表明三极管的放大倍数 , 常在三极管的外壳上标注不同的色标。
锗、硅开关管 , 高、低频小功率管 , 硅低频大功率管所用的色标标志如表 2-9-6 所示。
表5-7 部分三极管β值色标表示④特性频率f T：晶体三极管的β值随工作频率的升高而下降,三极管的特性频率f是当β下降到 1 时的频率值。
也就是说 , 在这个频率下的三极管,己失去放大能力,因为晶体管的工作频率必须小于晶体管特性频率的一半以下。
四、常用晶体三极管的外形识别①小功率晶体三极管外形电极识别:对于小功率晶体三极管来说,有金属外壳和塑料外壳封装两种,如图5-25 所示。
图5-25小功率晶体三极管电极识别②大功率晶体三极管外形电极识别:对于大功率晶体三极管,外形一般分为F型，G型两种,如图5-26(a) 所示。
晶体管型号命名方法
管
D:＜0.6电子伏特 G:复合器件,其它
②类型/特性
H:磁敏二极管
K:开放磁路霍尔元件 L:高频大功率三极 管M:开放磁路霍尔元
件
P:光敏器件
Q:发光器件
R:小功率晶闸管
S:小功率开关管 T:大功率晶闸管 U:大功率开关管 X:倍增二极管 Y:整流二极管 Z:稳压二极管
R:复合材料
备注:小功率:RTJ＞15℃/W,大功率:RTJ＜15℃/W
美国电子工 业协会注册号
C
⑤分档
A
B C D . .
同一型号划分 的不同档次
B
T
①材料
A:锗(0.6-1.0
A:检波开关混频二极
管
电子伏特材料) B:变容二极管
B:硅(1.0-1.3
电子伏特材料)
C:低频小功率三极 管D:低频大功率三极
管
C:＞1.3电子伏特 E:隧道二极管
材料如砷化镓 F:高频小功率三极
F：P极控晶闸管
M：双向晶闸管
G：N极控晶闸管 H：N基极单结晶体
管
C
日本电子工业 协会（JEIA）
D
注册登记号
.
.
原型号的改进 产品
① JAN
J
（表示军用品）
无
（非军用）
1
②电极数目
1
（一个PN结）
2
（二个PN结）
3
（三个PN结）
N
n个PN结
N③ 注Βιβλιοθήκη 标志N美国电子工业协会注册标志
4148
④登记号码
A26
-600B
③登记号 ④分档标记
A
三位数字:通用
B
半导体器件
三极管命名及使用
同一器件的
不同档次
符 意义
号
A、 B、 C…
表 器 改 型
示 件 进
例如 1N4148 表示开关二极管，2N3464 表示高频大功率 NPN 型硅管。
2.3 日本半导体器件命名法
表 2-17 日本半导体器件命名法
第一部分
第二部分
用数字表示器件 用 字 母 表 示 半
的电极数目
导体器件
符 意义 符
号
号
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
用符号表示器 件的等级
符 意义
号 J 军品
非军品 无
用数字表示 PN 结 数目
符 意义
号 1 二极管 2 三极管
3 四极管
用字母表示材 料
符 意义
号
表示不加 热即半导 N 体器件
用数字表示器 件登记序号
符号 意 义
2～4 登 记 位 顺序 数字 号
用字母表示
CS9018 310 100 12
8050 1000 1500 25
0.5
0.6
0.5
0.6
0.05 0.3 0.5
0.05 0.7 0.05 0.3 0.05 0.5 0.05 0.5
64
78
96
118 150
144
64
78
96 118 150
144
60
60
100 200 150
400
60 50
60
第四部分 用 2～3 位数字 表示器件登记 顺序号
第五部分 用拉丁字母表 示同一种型号 器件的改进型
例如 2SA53 表示高频 PNP 型三极管，1S92 表示半导体二极管。
晶体管的命名方法
晶体管的命名方法晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。
三极管以符号BG（旧）或T（新）表示，二极管以D表示。
按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。
按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。
多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。
第二位代表材料和极性。
A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C代表PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。
第三位表示用途，X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。
最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。
二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。
对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。
上面例子，具体说就是PNP型锗材料低频小功率管。
常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。
常用中小功率三极管参数表型号材料与极性Pcm(W) I cm(mA) BVcbo(V) ft(MHz)3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 >1003DG7C SI-NPN 0.5 100 >60 >1003DG12C SI-NPN 0.7 300 40 >3003DG111 SI-NPN 0.4 100 >20 >1003DG112 SI-NPN 0.4 100 60 >1003DG130C SI-NPN 0.8 300 60 1503DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150C9012 SI-PNP 0.625 -500 -40C9013 SI-NPN 0.625 500 40C9014 SI-NPN 0.45 100 50 150C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100C9016 SI-NPN 0.4 25 30 620C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1GC8050 SI-NPN 1 1.5A 40 190C8580 SI-PNP 1 -1.5A -40 2002N5551 SI-NPN 0.625 600 1802N5401 SI-PNP 0.625 -600 160 1002N4124 SI-NPN 0.625 200 30 300四、用万用表测试三极管（1）判别基极和管子的类型选用欧姆档的R×100（或R×1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，重复上述步骤，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，重复上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。
三极管的编码规则
三极管的编码规则
三极管的编码规则是根据其型号和特性来命名的。
一般来说，三极管的型号由几个字母或数字组成，每个字母或数字代表不同的特性。
常见的三极管型号一般包括以下几个方面的信息：
1. 依据芯片和封装形式的字母：一般情况下，字母N代表晶体管是NPN型，字母P代表晶体管是PNP型。
2. 代表材料和技术特性的字母：例如，字母B代表晶体管是硅材料，字母C代表晶体管是高频型，字母D代表晶体管是低功耗型，字母G代表晶体管是高压型，字母H代表晶体管是温度补偿型等。
3. 代表封装形式的字母和数字：例如，TO-92是一种常见的小功率三极管封装形式，TO-220是一种常见的高功率三极管封装形式，SOT-23是一种常见的表面贴装型封装形式等。
4. 其他特定性能信息的编码：有些三极管型号中还会包含其他特定的性能信息，例如最大集电极-基极电压、最大集电极-发射极电压、最大集电极电流等。
总之，三极管的编码规则是根据其型号和特性来进行命名的，以便于识别和选择适合的三极管。
不同的厂家和地区可能会有略微的差异，因此在使用三极管时需要参考具体的型号和数据手册。
晶体管的命名方法
1 ．国产半导体器件的命名方法二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定，由五部分组成。
第一部分：用数字表示器件电极的数目。
第二部分：用汉语拼音字母表示器件材料和极性。
第三部分：用汉语拼音字母表示器件的类型。
第四部分：用数字表示器件序号。
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。
如表 5 ． 1 所示。
表 5 ． 1 国产半导体器件的命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分符号意义字母意义字母意义字母意义意义意义2二极管AN 型，锗材料P 普通X低频小功率(fa<3MHz ，Pc<1W) 反映二极管、三极管参数的差别反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。
如A 、B 、C 、D …其中 A 承受的反向击穿电压最BP 型，锗材料W稳压管CN 型，硅材料Z整流管G高频小功率(fa>3MHz ，Pc<1W)DP 型，硅材料L整流堆3三极管APNP 型，锗材料N阻尼管D低频大功率(fa<3MHz ，Pc>1W) BNPN 型，锗材料K开关管C PNP 型，硅材料F发光管A高频大功率(fa>3MHz ，Pc>1W)低， B 稍高D NPN 型，硅材料S隧道管E 化合物材料U光电管T 可控硅CS 场效应管BT 特殊器件2 ．日本半导体器件的命名方法日本半导体器件命名型号由五部分组成。
第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型。
1 表示二极管， 2 表示三极管。
第二部分：用 S 表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件。
第三部分：用字母表示该器件使用材料、极性和类型。
第四部分：表示该器件在日本电子工业协会的登记号。
第五部分：表示同一型号的改进型产品。
具体符号意义如表 5 · 2 所示。
表 5 ． 2 日本半导体器件的命名第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分序号意义符号意义序号意义序号意义序号意义O光电二极管或三极管S已在日本电子工业协会注册APNP 高频晶体管多位数字该器件在日本电子工AB该器件为原型号产品的改BNP 低频晶体管登记的半导体器件CNPN 高频晶体管业协会的注册登记号CD进产品1 二极管 D NPN 低频晶体管2 三极管或有三个电极的其他器件EP 控制极可控硅GN 控制极可控硅HN 基极单结晶管JP 沟道场效应管3 四个电极的器件N 沟道场效应管M 双向可控硅3 ．美国半导体器件的命名方法美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。
国内三极管的命名规则
国内三极管的命名规则在电子领域中，三极管是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
国内三极管的命名规则是一种对三极管进行统一命名的规范，它规定了三极管的命名方式和代号的含义。
遵循这个规则，可以方便地识别和使用各种类型的三极管。
国内三极管的命名规则主要包括以下几个方面：1. 代号中的字母：国内三极管的代号中通常包含两个字母。
第一个字母表示三极管的类型，常见的有N（NPN型）和P（PNP型）。
第二个字母表示三极管的功率等级，常见的有A、B、C、D等。
其中，A代表小功率，B代表中功率，C代表大功率，D代表超大功率。
2. 代号中的数字：国内三极管的代号中通常包含两个数字。
第一个数字表示三极管的最大集电极电流，单位为毫安。
第二个数字表示三极管的最大集电极电压，单位为伏特。
3. 代号中的其他字母：有些国内三极管的代号中还包含其他字母，表示一些特殊的功能或参数。
例如，代号中的字母H表示高频特性好，字母L表示低噪声，字母R表示可靠性好，字母T表示温度特性好等。
根据这些规则，我们可以通过三极管的代号来了解它的基本性能和特点。
例如，一个代号为2N3904的三极管，其中的字母N表示NPN型，数字2表示最大集电极电流为200毫安，数字3表示最大集电极电压为30伏特，字母90表示该三极管的特殊功能或参数。
除了代号中的字母和数字，国内三极管还有一些其他的参数和性能指标需要注意。
例如，最大集电极电流、最大集电极电压、最大功率等是选择三极管时需要考虑的重要参数。
此外，三极管的频率响应特性、噪声系数、放大倍数等也是需要了解的关键指标。
在实际应用中，我们需要根据具体的需求选择合适的国内三极管。
根据不同的电路要求，我们可以选择不同类型、功率等级和特殊功能的三极管。
通过合理选择和使用三极管，可以有效地实现电子设备的各种功能，提高设备的性能和可靠性。
国内三极管的命名规则是一种对三极管进行统一命名的规范，它规定了三极管的命名方式和代号的含义。
半导体三极管的命名方法(中日欧韩美)
半导体三极管的命名方法（中日欧韩美）按国家标准GB/T 249- 89 的规定，三极管的型号命名同二极管一样由五部分组成，其型号组成部分及其含义见表。
一、我国三极管的型号组成部分及其含义常见的三极管型号有3DG130C, 3AX52B等，其含义如下:头，日本产的半导体三极管是以“2S”开头，目前市场上以“2S”开头的日本品比较多。
日本产半导体器件命名方法如下:半导体三极管型号中的第三部分用A表示PNP型高频管，用B表示PNP型低频管，用C表示NPN型高频管，用D表示NPN型低频管;第四部分由数字组成，表示日本电子工业协会注册登记的顺序号，数字越大，表示产品越新;第五部分用字母表示对原型号的改进产品。
二、日本三极管的型号组成部分及其含义（常用）例子：三、欧洲常采用国际联合会制定的标准，对三极管型号的命名方法是:第一部分用A或B开头(A表示锗管，B表示硅管);第二部分用C表示低频小功率管，用F表示高频小功率管，用D表示低频大功率管，L表示高频大功率管，用S和U表示小功率开关管和大功率开关管;第三部分用数字表示登记序号，如BC87表示硅低频小功率管。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。
A、B、C、D、E┄┄表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。
常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀。
其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
芯片命名规则
芯片命名规则一、分立器件（除三扩系列）及集成电路芯片命名方式X X 表示必须表示可选(10)(9)(8)(7)(6)(5)(4)(3)(2)(1)(1) 1位大写英文字母，表示晶圆尺寸。
W 表示5吋晶圆；S 表示6吋晶圆；E 表示8吋晶圆。
(2) 1位数字或大写英文字母，表示芯片种类。
1表示二极管；2表示三极管、MOS 管；3表示可控硅；B 代表双极型集成电路；C 代表MOS 型集成电路；M 代表混合型集成电路等。
(3) 1位大写英文字母，表示产品版权。
X 代表新顺公司自主开发产品；其余代表客户定制产品。
(4) 1位大写英文字母，表示系列代码三极管系列：N 表示NPN 双极型晶体管、P 表示PNP 双极型晶体管、D 表示达林顿管；二极管系列：A 表示阻尼二极管、K 表示开关二级管/快恢复二极管、T 表示TVS 二极管、S 表示平面结构肖特基二极管、Z 表示整流二极管、V 表示沟槽结构肖特基二极管；W 表示稳压二极管； 可控硅系列：R 表示可控硅；MOS 结构系列：M 表示VDMOS 管、B 表示超势垒MOS 结构二极管（SBR ）；集成电路系列：表示不同版图结构，A 、B 、C 、D 、……依次区分。
(5) 4位数字，表示管芯尺寸。
管芯为正方形时，采用边长表示管芯尺寸；管芯为长方形时，用面积的平方根表示管芯尺寸。
其中末位数字为0、5表示正方形，其余表示长方形。
① 边长或面积的平方根<10mm ，管芯尺寸为xxxx ×1μm ，精确到1μm 。
如：0.215mm 表示为0215、1.5mm 表示为1500；② 边长或面积的平方根>10mm ，管芯尺寸为xxxx ×10μm ，精确到10μm ，首位用大写英文字母代替。
如：10.55mm表示为A055、31.6mm表示为C160。
(6) 1位大写英文字母，表示系列特征。
NPN/PNP双极型晶体管：B表示小信号放大普通三极管、K表示开关三极管、G表示GR结构三极管、F表示高频三极管、W表示音响管（包括中功率管）；达林顿管：N表示N型外延材料、P表示P型外延材料、T表示N型三扩材料；阻尼二极管：N表示N型材料、P表示P型材料开关/快恢复二极管：N表示N型材料、P表示P型材料；TVS二极管：N表示N型材料、P表示P型材料；平面结构肖特基二极管：代表不同金属势垒；沟槽结构肖特基二极管（TMBS）：代表不同金属势垒；MOS结构系列：：N表示N沟道、P表示P沟道；稳压二极管：N、E、W等表示测试电流代码；整流二极管：N表示N型材料、P表示P型材料；集成电路系列：N表示采用N型材料、P表示采用P型材料。
国际电子联合会晶体管型号命名
国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：1) 这种命名法被欧洲许多国家采用。
因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
2) 第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP 型）。
3) 第二个字母表示器件的类别和主要特点。
如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。
若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。
例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。
4) 第三部分表示登记顺序号。
三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。
例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN 型。
5) 第四部分字母表示同一型号的某一参数（如h FE或N F）进行分档。
6) 型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。
极性的确定需查阅手册或测量。
(3) 美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。
这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。
如表11所示。
1) JAN2N29042) 1N4001JAN2N2904 1N4001EIA登记序号EIA登记序号EIA注册标志EIA注册标志三极管二极管军用品美国晶体管型号命名法的特点：1) 型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。
例如，对于材料、极性、主要特性和类型，在型号中不能反映出来。
例如，2N开头的既可能是一般晶体管，也可能是场效应管。
因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。
2) 组成型号的第一部分是前缀，第五部分是后缀，中间的三部分为型号的基本部分。
3) 除去前缀以外，凡型号以1N、2N或3N 开头的晶体管分立器件，大都是美国制造的，或按美国专利在其它国家制造的产品。
5.晶体三极管
5、晶体三极管的主要参数 1）、共发射极直流放大倍数HFE 共发射极直流放大倍数HFE是指在没有交流信号输入时，共发 射极电路输出的集电极直流电流与基极输入的直电流之比。这 是衡量晶体三极管有无放大作用的主要参数，正常三极管的 HFE应为几十至几百倍。常用的三极管的外壳上标有不同颜色 点，以表明不同的放大倍数。 放大倍数：-15-25-40-55-80-120-180-270-400 色标点： 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 黑 例如：色点为黄色的三极管的放大倍数是40～55倍之间，色点 是灰色的三极管的放大倍数为180～270倍之间等等。
iB 30A
iB 20A
iB 10 A
放大区
iB 0A
0 VCE(sat)
截止区
V(BR)CEO
v CE
它分为四个区域： 放大区 截止区 饱和区 击穿区
称为击穿电压。
操作2: 三极管各个极的对地电压及其判断 根据表中给出的在放大电路中测得的三极管各个极对地的电压， 判断各个极的名称、管型和材料。 表 三极管的各个极的对地电压及其判断
晶体管在放大状态下内部载流子的传递
N+ IE E IEP
注入空穴
P 扩散电子 IB1 IB B IB2
N
收集电子
IEN 注入电子
ICN1
IC C
ICN2 ICBO ICP
发射结 复合电子
集电结
漂移空穴 漂移电子
VBE
VCB
8、三极管的工作状态 半导体三极管在工作时，根据各引脚所施加的工作电压大小，可以 使晶体三极管工作在饱合、截止、放大等状态下。 依据晶体管的发射结(EBJ)和集电结(CBJ)的偏置情况，晶体管的工 作状态如表所示： 注：VBE＝VB－VE VBC=VB-VC VB－晶体三极管基极电压 VC－晶体三极管集电极电压 VE－晶体三极管发射极电压
三极管
1.3.4 T的主要参数 的主要参数
一、直数 β 2. 共基直流电流放大系数 直流电流放大系数 α 3. 极间反向电流
___
___
___
IC β ≈ IB ___ IC α ≈ IE
I CBO I CEO
I CBO — e极开路时 结的反向饱和电流 极开路时c结的反向饱和电流 极开路时
E
ICEO = (1 + β ) ICBO
二、交流参数 交流参数
1. 共射交流电流放大系数 2. 共基交流电流放大系数 交流电流放大系数 3. 特征频率
∆iC β≈ ∆iB
∆iC α≈ ∆iE
数值下降到1的信号频率称为 使 β 数值下降到 的信号频率称为 特征频率
例：UCE=6V时：IB = 40 µA, IC =1.5 mA； 时 ； IB = 60 µA, IC =2.3 mA。求共射极放大电路的直 。 流放大倍数和交流放大倍数
4 3 2 1
IC(mA ) 此区域中U 100µA 此区域中 CE<UBE, µ 集电结正偏， 集电结正偏， βIB>IC，UCE≈0.3V 80µA µ ， 饱和区。 称为饱和区 称为饱和区。 60µA µ 40µA µ 20µA µ IB=0 12 UCE(V)
3
6
9
IC(mA ) 4 3 2 1 3 6 9
2011-10-13
1.3.1 结构与符号(Structures and Circuit Symbol)
一、结构 两种: 两种 NPN PNP
发射区 集电区
三极: 三极 e(Emitter) ：发射极 b(Base） ：基极 c(Collector)：集电极 三区: 三区 e,b,c 特点:b区薄 e区掺杂多 c区面积大 两节: 两节 Je,Jc
晶体管命名方法
•
B：低频PNP三极管
•
C：高频NPN三极管 C945，C815
•
D：低频NPN三极管
•
F：P型可控硅
•
-MOSFET ：K3986
•
J：P-MOSFET
•
M：双向可控硅
• 有些日产三极管受管面积较小的限制，为打印型号的方便，往
往把型号的前两个部分2s省掉。如zsa733型三极管可简化为
5oomhz以上。 • 9012、9013型三极管为功放管，它的耗散功率为
625mw。
a733，2sd869可简写为d869，2sd903型可简写成d903等。
美国晶体管命名方法
• 二极管 ：IN4148 • 三极管：几个N级 ：2n3906 • MOSFET：电流-极性-耐压 8N60 ，11P09
• 1代表二极管：1n4148，1n4007，1n5408 • 2代表三极管：2n3906 • 凡是以1N，2N开头的是美国命名方法
韩国三星电子
• 韩国三星电子公司产的三极管在我国电子产品中应 用也很多，他是以四位数字表示管子的型号。常用 的有9011-9018等儿种型号。
• NPN：9011、9013、9014、9016、9018 • PNP： 9012、9015 • 低频管： 9011、9013、9014， 9012、9015 • 高频管：9016、9018它们的特征频率f(t)都在
常用晶体管命名方法
二极管，三极管，场效应管 日本，美国，三星
日本晶体管
• 前面4部分的含义：2SA733 • 第一部分：数字 • 0：光电二极管或者三极管 • 1：二极管 • 2：三极管或者具有三个电极的管子 • 第二部分 ： • S ：在日本电子协会注册
三极管规格书
三极管规格书（实用版）目录1.三极管简介2.三极管的分类3.三极管的主要参数4.三极管的结构和工作原理5.三极管的应用领域6.三极管的命名规则7.结束语正文一、三极管简介三极管，又称晶体管，是一种常见的半导体器件。
它可以实现电流的放大、开关控制、振荡等功能，被广泛应用于放大器、稳压器、脉冲发生器等电子设备中。
二、三极管的分类根据结构和材料不同，三极管主要分为两类：NPN 型和 PNP 型。
NPN 型三极管由两个 N 型半导体和一个 P 型半导体组成，而 PNP 型三极管由两个 P 型半导体和一个 N 型半导体组成。
根据电流放大系数不同，三极管还可以分为两类：共射极、共基极和共集极。
三、三极管的主要参数三极管的主要参数包括：电流放大系数、截止电流、饱和电流、发射极电阻、集电极电阻等。
电流放大系数是衡量三极管放大电流能力的重要指标，它表示在输入端施加一个微小信号时，输出端电流与输入端电流之比。
截止电流是指三极管处于关断状态时，集电极电流为零的最小值。
饱和电流是指当输入端电流足够大时，输出端电流不再增加的最大值。
发射极电阻和集电极电阻则影响三极管的工作稳定性和输出功率。
四、三极管的结构和工作原理三极管的结构包括：发射极、基极和集电极。
发射极和集电极由 N 型半导体制成，基极由 P 型半导体制成。
当发射极施加正向电压，基极施加正向电压时，三极管处于导通状态，电流从发射极流入集电极。
当发射极施加负向电压，基极施加正向电压时，三极管处于截止状态，电流几乎不流动。
通过改变基极的电流，可以控制三极管的导通程度，实现电流放大。
五、三极管的应用领域三极管广泛应用于各种电子设备，如放大器、稳压器、脉冲发生器、振荡器、信号处理器等。
在放大器中，三极管可以实现输入信号的放大，提高信号的质量和传输距离。
在稳压器中，三极管可以实现输出电压的稳定，保证电子设备的正常工作。
在脉冲发生器和振荡器中，三极管可以实现脉冲信号和振荡信号的产生，为各种电子设备提供时钟信号。
晶体二极管与晶体三极管
第四章晶体二极管与晶体三极管本章概述：晶体管是采用半导体晶体材料（如硅、锗、砷化镓等）制成的，在电子产品中应用十分广泛。
本章从二、三极管的型号、分类、外形识别及检测等多个方面，对常用二、三极管进行了较为详细和系统的讲解。
第一节晶体二极管和晶体三极管的型号命名方法一、中华人民共和国国家标准（GB249-74）国标（GB249-74）半导体器件型号命名由五部分组成，见表4-1。
表4-1 国标半导体器件型号命名方法例如：锗PNP高频小功率管为3AG11C，即３（三极管）Ａ（PNP型锗材料）Ｇ（高频小功率管）１１（序号）Ｃ（规格号）二、美国电子半导体协会半导体器件型号命名法表4-2 美国电子半导体协会半导体器件型号命名法三、日本半导体器件型号命名方法表4-3 日本半导体器件型号命名方法第二节半导体器件的外形识别一、晶体二极管的外形识别1.晶体二极管的结构与特性定义：晶体二极管由一个PN结加上引出线和管壳构成。
所以，二极管实际就是一个PN结。
电路图中文字表示符号为用V表示。
基本结构：PN结加上管壳和引线，就成为了半导体二极管。
图4-1 二极管的结构和电路符号二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图4-2所示。
1）正向特性当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。
不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。
2）反向特性二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。
不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。
3）击穿特性当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。
国际晶体管的型号命名及定义(精)
国产二极管的型号命名及含义国家标准国产二极管的型号命名分为五个部分，各部分的含义见下表。
第一部分用数字“2”表示主称为二极管。
第二部分用字母表示二极管的材料与极性。
第三部分用字母表示二极管的类别。
第四部分用数字表示序号。
第五部分用字母表示二极管的规格号。
第一部分：主称第二部分：材料与极性第三部分：类别第四部分：序号第五部分：规格号数字含义字母含义字母含义用数字表示同一类别产品序号用字母表示产品规格、档次2 二极管 A N型锗材料P 小信号管（普通管）W 电压调整管和电压基准管（稳压管）L 整流堆B P型锗材料N 阻尼管Z 整流管U 光电管C N型硅材料K 开关管B或C 变容管V 混频检波管D P型硅材料JD 激光管S 遂道管CM 磁敏管E 化合物材料H 恒流管Y 体效应管EF 发光二极管例如：2AP9(N型锗材料普通二极管2CW56(N型硅材料稳压二极管2——二极管2——二极管A——N型锗材料C——N型硅材料P——普通型W——稳压管9——序号56——序号按用途分类：整流二极管系列二极管稳压二极管系列触发二极管系列开关二极管系列检波二极管系列变容二极管系列双向二极管系列瞬态电压吸收二极管系列发光二极管系列快恢复整流二极管系列汽车整流二极管系列高效整流二极管系列光敏二极管系列整流桥系列圆珠快速二极管系变阻二硅整流二极管列极管系列碰撞雪崩渡越时间二极管锗二极管与硒二极管隧道二极管稳流二极管段与微波段混频二极管段与微波段检波二极管二极管阵列瞬变抑制二极管硅微波二极管贴片二极管（二）国产三极管的型号命名方法国产三极管的型号命名由五部分组成，各部分的含义见下表。
第一部分用数字“3”表示主称和三极管。
第二部分用字母表示三极管的材料和极性。
第三部分用字母表示三极管的类别。
第四部分用数字表示同一类型产品的序号。
第五部分用字母表示规格号。
第一部分：主称第二部分：三极管的材料和特性第三部分：类别第四部分：序号第五部分：规格号数字含义字母含义字母含义用数字表示同一类型产品的序号用字母A或B、C、D……等表示同一型号的器件的档次等3三极管A锗材料、PNP型G 高频小功率管X低频小功率管B 锗材料、NPN型A高频大功率管D低频大功率管C 硅材料、NPN型T闸流管K开关管D 硅材料、NPN型V微波管B雪崩管E化合物材料J阶跃恢复管U 光敏管（光电管）J 结型场效应晶体管国产晶闸管的型号命名方法国产晶闸管的型号命名（JB1144-75部颁发标准）主要由四部分组成，各部分的含义见下表。
晶导微二三极管的命名规格
晶导微二三极管的命名规格
晶导微二三极管的命名规格包括以下几个方面：
1. 极性：NPN型和PNP型。
NPN型晶导微二三极管的名称中通常含有PNP，而PNP型晶导微二三极管的名称中通常含有NPN。
2. 封装形式：晶导微二三极管有不同的封装形式，如TO-92、SOT-23等。
具体的封装形式通常在型号名称中有明确的表示。
3. 工作电压和电流：晶导微二三极管的工作电压和电流范围会对其进行命名规格，通常在型号名称中有相应的表示。
4. 额定功率：晶导微二三极管的额定功率由其设计和制造限制确定。
常见的晶导微二三极管型号中会有对应的额定功率的表示。
5. 品牌标识和标志：不同的晶导微二三极管品牌会在型号名称中标明自己的品牌标识和标志，以便消费者识别和购买。
总之，晶导微二三极管的命名规格通常涵盖了极性、封装形式、工作电压和电流、额定功率以及品牌标识等方面的信息。
不同的制造商可能在命名规格上有所差异，消费者在购买时应仔细查看产品规格表和说明书，以确保选择正确的型号和规格
的晶导微二三极管。
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各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA 注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N 基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。
两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。
A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
3、美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。
美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。
JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。
第二部分：用数字表示pn结数目。
1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n 个pn结器件。
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。
N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。
多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分：用字母表示器件分档。
A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。
如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。
4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。
这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：第一部分：用字母表示器件使用的材料。
A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0 eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。
A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。
三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。
A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。
常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀。
其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。
5、欧洲早期半导体分立器件型号命名法欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。
第一部分：O-表示半导体器件第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、R P-光电器件。
第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。
第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。
俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。
品名极性管脚功能参数MPSA42 NPN 21E 电话视频放大300V0.5A0.625WMPSA92 PNP 21E 电话视频放大300V0.5A0.625WMPS2222A NPN 21 高频放大75V0.6A0.625W300MHZ9011 NPN EBC 高频放大50V30mA0.4W150MHz9012 PNP 贴片低频放大50V0.5A0.625W9013 NPN EBC 低频放大50V0.5A0.625W9013 NPN 贴片低频放大50V0.5A0.625W9014 NPN EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ9015 PNP EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ9018 NPN EBC 高频放大30V50MA0.4W1GHZ8050 NPN EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ8550 PNP EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ2N2222 NPN 4A 高频放大60V0.8A0.5W25/200NSβ=452N2222A NPN 小铁高频放大75V0.6A0.625W300MHZ2N2369 NPN 4A 开关40V0.5A0.3W800MHZ2N2907 NPN 4A 通用60V0.6A0.4W26/70NSβ=2002N3055 NPN 12 功率放大100V15A115W2N3440 NPN 6 视放开关450V1A1W15MHZ2N3773 NPN 12 音频功放开关160V16A150W COP 2N66092N3904 NPN 21E 通用60V0.2Aβ=100-4002N3906 PNP 21E 通用40V0.2Aβ=100-4002N5401 PNP 21E 视频放大160V0.6A0.625W100MHZ2N5551 NPN 21E 视频放大160V0.6A0.625W100MHZ2N5685 NPN 12 音频功放开关60V50A300W2N6277 NPN 12 功放开关180V50A250W2N6609 PNP 12 音频功放开关160V15A150W COP 2N37732N6678 NPN 12 音频功放开关650V15A175W15MHZ 2N6718 NPN 小铁音频功放开关100V2A2W50MHZ3DA87A NPN 6 视频放大100V0.1A1W3DG6A NPN 6 通用15V20mA0.1W100MHz3DG6B NPN 6 通用20V20mA0.1W150MHz3DG6C NPN 6 通用20V20mA0.1W250MHz3DG6D NPN 6 通用30V20mA0.1W150MHz3DG12C NPN 7 通用45V0.3A0.7W200MHz3DK2B NPN 7 开关30V30mA0.2W3DK4B NPN 7 开关40V0.8A0.7W3DK7C NPN 7 开关25V50mA0.3W3DD15D NPN 12 电源开关300V5A50W3DD102C NPN 12 电源开关300V5A50W3522V 5.2V稳压管录像机用A634 PNP 28E 音频功放开关40V2A10WA708 PNP 6 NF/S 80V0.7A0.8WA715C PNP 29 音频功放开关35V2.5A10W160MHZA733 PNP 21 通用50V0.1A180MHZA741 PNP 4 S 20V0.1A <70/120nSA781 PNP 39B 开关20V0.2A <80/160NSA928 PNP ECB 通用20V1A0.25WA933 PNP 21 Uni 50V0.1A140MHzA940 PNP 28 音频功放开关150V1.5A25W4MHZ /C2073A950 PNP 21 通用30V0.8A0.6WA966 PNP 21 音频激励输出30V1.5A0.9W COP:C2236A968 PNP 28 音频功放开关160V1.5A25W100MHZ /C2238A1009 PNP BCE 功放开关350V2A15WA1012 PNP 28 音频功率放60V5A25WA1013 PNP 21 视频放大160V1A0.9WA1015 PNP 21 通用60V0.15A0.4W8MHZA1020 PNP 21 音频开关50V2A0.9W A1123 PNP 21 低噪放大150V0.05A0.75WA1162 PNP 21d 通用贴片50V0.15A0.15WA1216 PNP BCE 功放开关180V17A200W20MHZ /2922A1220 PNP 29 音频功放开关120V1.5A20W150MHZ/C2690A1265 PNP BCE 功放开关140V10A100W30MHZ /C3182A1295 PNP BCE 功放开关230V17A200W30MHZ /C3264A1301 PNP BCE 功放开关160V10A100W30MHZ /C3280A1302 PNP BCE 功放开关200V15A150W30MHZ /C3281A1358 ? PNP 高频120V1A10W120MHZA1444 PNP BCE 高速电源开关100V15A30W80MHZA1494 PNP BCE 功放开关200V17A200W20MHZ /C3858A1516 PNP BCE 功放开关180V12A130W25MHZA1668 PNP 28B 电源开关200V2A25W20MHZA1785 PNP BCE 驱动400V1A1W/120V1A0.9W140MHA1941 PNP BCE 功放开关140V10A100WCOP:5198A1943 PNP BCE 功放开关230V15A150W /C5200 原A1988 PNP 30 功放开关B449 PNP 12 功放开关50V3.5A22.5W 锗管B631K PNP 29 音频功放开关120V1A8W130MHZ /D600KB647 PNP 21 通用120V1A0.9W140MHZ /D667B649 PNP 29 视放180V1.5A1W /D669B669 PNP 28 达林顿功放70V4A40WB673 PNP 28 达林顿功放100V7A40WB675 PNP 28 达林顿功放60V7A40WB688 PNP BCE 音频功放开关120V8A80W /D718B734 PNP 39B 通用60V1A1W /D774B744 PNP 21 通用30V0.1A0.25WB772 PNP 29 音频功放开关40V3A10WB774 PNP 21 通用30V0.1A0.25WB817 PNP 30 功放开关160V12A100W /D1047 B834 PNP 28 功放开关60V3A30WB937A PNP 功放开关60V2A35 DRALB1020 PNP 28 功放开关达林顿100V7A40Wβ=6000B1079 PNP 30 达林顿功放100V20A100Wβ=5000/D1559B1185 PNP 28B 功放开关60V3A25W 70MHZ /D1762B1238 PNP ECB 功放开关80V0.7A1W 100MHZB1240 PNP 39B 功放开关40V2A1W100HZB1243 PNP 39B 功放开关40V3A1W70HZB1316 PNP 54B 驱动功放达林顿100V2A10Wβ=15000B1317 PNP BCE 音频功放180V15A150W COP:D1975B1335 PNP 28 音频功放低噪80V4A30W 12MHZB1375 PNP BCE 音频功放60V3A2W9MHZB1400 PNP 28B 达林顿功放120V6A25W β=1000-20000 B1429 PNP BCE 功放开关180V15A150WB1494 PNP BCE 达林顿功放120V25A120Wβ=2000-20000 C106 NPN EBC 音频功放开关60V1.5A15WC380 NPN 21 高频放大35V0.03A250MHZC458 NPN 21 通用30V0.1A230MHzC536 NPN 21 通用40V0.1A180MHZC752 NPN 21 通用30V0.1A300MHzC815 NPN 21 通用60V0.2A0.25WC828 NPN 21 通用45V0.05A0.25WC900 NPN 21 低噪放大30V0.03A100MHZC943 NPN 4A 通用60V0.2A200MHZC945 NPN 21 通用50V0.1A0.5W250MHZC1008 NPN 6 通用80V0.7A0.8W50MHZC1162 NPN 29 音频功放开关35V1.5A10WC1213 NPN 39B 监视器专用35V0.5A0.4WC1222 NPN 21 低噪放大60V0.1A100MHZ。