计算机组成原理课件——第3章 存储系统3

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计算机组成原理与系统结构 第3章 存储系统.ppt

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Computer System Organization and Architecture
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现代计算机采用典型的多层存储结构, 即cache──主存──辅存,如图3.1所示。其 中,cache的容量最小,但速度最快;辅存的 容量最大,但速度最慢,主存的容量、速度则 处于两者之间。
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(1)高速缓冲存储器(cache):用来存放 正在执行的程序段和数据,以便CPU高速地使 用它们。
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(2)主存储器(简称主存或内存):用来 存放计算机运行期间所需要的程序和数据, CPU可直接随机地进行读写访问。
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3.2 主存储器
3.2.1 主存储器概述 主存储器用于存放计算机运行期间所需要
的程序和数据,CPU可直接地对主存储器进行 读写访问,Байду номын сангаас入/输出设备也直接和主存储器 交换数据。所以主储存器的容量和读写速度会 影响计算机系统的整体性能。
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⒍按访问类型分类
(1)按地址访问:根据存储器的地址来访问该 地址里的信息。
(2)按内容访问:即相联存储器,访问时根据 所要访问信息的全部或部分来跟存储器中的全 部信息进行比较,相等则对该地址中的信息进 行读或者写的操作。
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第3章 存储系统(三)

第3章   存储系统(三)
4.存储器控制电路
动态MOS存储器的刷新需要有硬件电路的支持,包括刷新计数器、刷新/访存裁决、刷新控制逻辑等。这些控制线路可以集中在一个半导体芯片上,形成DRAM控制器。它是CPU和DRAM片子之间的接口电路,即将CPU的信号变换成适合DRAN片子的信号,借助DRAM控制器,可把DRAM看作像SRAM一样使用,为系统设计带来很大方便。
3.DRAM的刷新
动态MOS存储器采用“读出”方式进行刷新。因为在读出过程中恢复了存储单元的MOS栅极电容电荷,并保持原单元的内容,所以读出过程就是再生过程。通常,在再生过程中只改变行选择线地址,每次再生一行。依次对存储器的每一行进行读出,就可完成对整个DRAM的刷新。从上一次对整个存储器刷新结束到下一次对整个存储器全部刷新一遍为止,这一段时间间隔叫刷新周期。一般2ms,4ms或8ms。
采用这种方式的整个存储器的平均读/写周期,与单个存储器片的读/写工作所需的周期相差不多,所以这种刷新方式较适用于高速存储器。
分散式刷新方式的时间分配把一个存储系统周期tC分为两半,周期前半段时间tM用来读/写操作或维持信息,周期后半段时间tR作为刷新操作时间。这样,每经过128个系统周期时间,整个存储器便全部刷新一遍。假如存储器片的读/写周期为0.5μs,则存储器系统周期为1μs。由此可见,整个系统的速度降低了。在这种情况下,只需128μs就可将全部存储单元刷新一遍,这比允许的间隔2ms要短得多。当然,在分散式下,不存在有停止读/写操作的死时间。
2.单管动态存储元
为了进一步缩小存储器的体积,提高它们的集成度,人们又设计了单管动态存储元电路。
单管动态存储元电路如图3-7(b)所示,它由一个管子T1和一个电容C构成。写入时,字选择线为“1”,T1管导通,写入信息由位线(数据线)存入电容C中;读出时,字选择线为“1”,存储在电容C上的电荷,通过T1输出到数据线上,通过读出放大器即可得到存储信息。

计算机组成原理 第3章_存储系统PPT课件

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存取时间又称存储器访问时间,是指从启动一次存储器操作到 完成该操作所经历的时间。具体讲,从一次读操作命令发出到该操 作完成,将数据读入数据缓冲寄存器为止所经历的时间,即为存储 器存取时间。1s=103ms=106μs=109ns
存储周期是指连续启动两次读操作所需间隔的最小时间。通常, 存储周期略大于存取时间,其时间单位为ns(纳秒)。
.
⑶ 字位同时扩展:在字向和位向上同时进行扩展 一个的容量假定为 M ×N 位,若使用 l × k 位的芯片( l < M,
k < N),需要在字向和位向同时进行扩展。此时共需要 ( M / l )) × ( N / k )个存储器芯片。 思考题:
1、32K × 16表什么意思?(32K=215,15根地址线,16根数据线) 2、构成 4M× 32存储器需要16K × 8的芯片多少片? ( 16K= 214 , 4M= 222,故需要芯片: (4M/ 16K)*(32/8)=1024, 22根地址线中有22-14=8根用作片选线,14根地址线。)
外存储器:简称外存,它是大容量辅助存储器。目前主要使用磁盘 存储器、磁带存储器和光盘存储器。
4、主存储器的技术指标:主存储器的性能指标主要是存储容量、 存取时间、存储周期和存储器带宽。
存入一个机器字的存储单元,通常称为字存储单元,相应的单 元地址叫字地址。而存入一个字节的单元,称为字节存储单元,相 应的地址称为字节地址。
芯片的地址线、数据线、读/写控制线并联,而由片选信号来区分各片地址,故片 选信号端连接到片译在码器的输出端。图3.7所示出用16K × 8位的芯片采用字扩 展法组成64K × 8位的存储器连接图。图中4个芯片的数据线与数据总线D0-D7相 连,地址总线低位地址A0-A13与各芯片的14位地址端相连,两位高位地址A14, A15经译码器和4个选端相连。

计算机组成原理-第3章_存储系统

计算机组成原理-第3章_存储系统

存储周期 RW 刷新1 RW 刷新2 …
500ns 500ns
刷新间隔2ms
用在低速系统中
各刷新周期分散安排 在存取周期中。
… RW 128 RW
例如上图所示的DRAM有128行,如果刷新周期为 2ms,则每一行必须每隔2ms÷128=62.5us进行一次。
5、存储器控制电路
DRAM刷新需要硬件电路支持,它们集成在一个芯片 上,形成DRAM控制器,是CPU和DRAM间的接口电路。
写周期:实现写操作,要求CS和WE同时有效,有效期间地址 和数据信号不能变化;为了保证CS和WE变为无效前能把数据 可靠的写入,数据必须提前一段时间在数据总线上稳定存在; 而在WE变为高电平后再经过一段时间地址信号才允许改变。
*** DRAM存储器
1、DRAM存储元的记忆原理
SRAM存储器的存储元是一个 触发器,它具有两个稳定的状态。
外存储器:简称“外存”,大容量辅助存储器;磁表面存储
器或光盘存储器;存放需联机保存但暂时不需要的程序和数 据。容量从几十MB到几百GB,甚至更大。存取速度为若干
ms。
其他功能的存储器:如微程序控制器的控存、在显示和印刷 输出设备中的字库和数据缓冲存储器。
*** 主存储器的技术指标
主要性能指标:存储容量、存取时间、存储周期和存储器带宽。
地址信息到达时,使T5、T6、T7、T8导通,存储 元的信息被送到I/O与I/O线上, I/O与I/O线接上一个 差动读出放大器,从其电流方向,可以得出所存信息 是“1”或“0”。也可I/O或I/O一端接到外部,看其 有无电流通过,得出所存信息。
扩充:存储芯片规格的表示
在很多内存产品介绍文档中,都会用M×W的方式来表示芯 片的容量。

2318胡越明版计算机组成原理课件第三章

2318胡越明版计算机组成原理课件第三章

字长(位)扩展(DBUS) 2Kx2 -> 2Kx8
MREQ# A10-0 R/W# CPU
WE A CS WE A CS WE A CS WE A CS
A10-0
2K ×2
D
2K ×2
D
2K ×2
D
2K ×2
D
D7D6
D5 D4
D3 D2
D1 D0
D7~D0
一个存储系统容量为 N位,若使用k位的芯片,k<N,共需要(N/k)个芯片
解:256K*8位SRAM芯片包含18根地址线 (1)采用字位扩展的方法。 (2)需要(2048/256)x(32/8)=32片SRAM芯片。 (3)2048 K x 32bit=221 x 4 byte=223 byte 故需要23根地址线
首先进行位扩展,构成32bit需要4片256K*8bit芯
二氧化硅
基片
紫外线全部擦洗
4. EEPROM (多次性编程 )
电可擦写
局部擦写
全部擦写
5. Flash Memory (闪速型存储器)
EPROM EEPROM 价格便宜 集成度高 电可擦洗重写
比 EEPROM快 具备 RAM 功能
EPROM
高压写入
紫外线光照擦除
编程器
紫外线擦除器
3.1.2 存储器的基本组织
T2
T0 T6 T1
T3
T7
T1 T3 T5 T7
T2 工作管 T4负载管 T6 X向门控管 T8 Y向门控管
I/O
列选择线 6管双向选择MOS存储电路
I/O
静态MOS存储器
将大量这样的MOS存储单元合起来可以构成一个存储单元阵列, 用来存储大量信息。在存储器芯片中包括存储体、读写电路、地址 译码电路和控制电路等组成部分。 存储体部分由大量的存储单元构成的阵列组成,阵列中有很多行和 列,阵列中用一条行选通线和一条列选通线选择阵列中的单元。 行选通线选择一行中的存储单元,列选通线对列进行选择,被行和 列选择的存储单元才进行一个数据位的读写操作。 列选通线是数据写入线也是数据读出线,有一个数据读写电路。 地址译码器将二进制地址码转换成驱动读写操作的选通线。地址译 码采用双译码方式,输入地址信号分两部分送入两个译码器,分别 产生行选通信号和列选通信号。 数据驱动电路对读写的数据进行读写放大,增强信号的强度。

计算机组成原理(第三版)第 3 章 存储器及存储系统

计算机组成原理(第三版)第 3 章 存储器及存储系统

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3.2 主存储器
• 主存储器按其功能可分为RAM和 ROM。
一 二 随机存取存储器RAM 只读存储器ROM
INFO DEPT@ZUFE HANGZHOU.CHINA
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一、随机存取存储器RAM
MM
Y0
Bm-1
Y1
……
B0
An-1…A0
M A R
M A D

Y2n-2
Y2n-1

CS
WE
R/W读写 控制电路
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三、存储器的层次结构
1.分级原理: 根据程序执行的集中性和局部性原理而构建的分层结构。信 息流动分规律为从低速、大容量层次向高速、小容量层次流动 ,解决速度、价格、价格这三者之间的矛盾,层次间信息块的 调度由硬件和软件自动完成,其过程对用户透明。 2.三级存储管理系统: • Cache: • ·采用TTL工艺的SRAM,哈佛结构; • ·采用MOS工艺的SRAM,指令与数据混存,其与内存之间信息块 的调度(几十字节)全由Cache控制器硬件完成。 • 主存: • ·ROM常用FROM,E2PROM等构成; • ·RAM常用DRAM构成,RAM和ROM采用统一编码。 • 虚存: • 采用磁盘存储器,主存+OS中的存储器管理软件联合构成,其 信息块常用页、段表示,其间的信息块调度由管理软件完成。
字线
数 据 线 Cd
T
C
单管MOS动态存储器结构
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(2)DRAM存储器
RAS CAS WE OE 定时和控制
4M×4位的DRAM

计算机组成原理第三章(3.1,3.2,3.3,姜,15-春,版5)

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图3.4(a) SRAM读周期时序图
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• 各参数意义:
tRC :对存储芯片进行连续两次读操作时所必须间隔 的(最小)时间;
tAQ :从给出有效地址,至外部数据总线上稳定地出 现所读出的数据信息所经历的时间。
tEQ:地址信号有效后,从片选有效,至数据稳定地 出现外部总线上所经历的时间。
• 构成存储器的存储介质:目前主要采用半导体器 件和磁性材料。
• 存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体 电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元, 它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成 一个存储单元,再由诸多个存储单元组成一个存 储器。
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• 存储器的分类:
按存储介质分:
• 半导体存储器:用半导体器件组成的存储器。
• 高速缓冲存储器 (Cache):高速小容量半导体存储器,是为解决CPU和主存之间 速度不匹配而设置的。用于存放最活跃的程序块和数据。
• 主存和Cache一起构成计算机的内存储器(内存),是CPU能直接访问的存储器。
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总结: ① 通过计算机的多级存储管理,发挥各级存储器
的效能; ② Cache主要强调高速存取速度,以便使存储系
1. CPU对存储器的读/写操作过程:
• 通过地址总线给出地址信号; • 通过控制总线发出读操作或写操作的控制信号; • 在数据总线上进行信息交流。
因此,存储器与CPU连接时,要完成三种 总线的连接:地址线、数据线和控制线;同时, 还须使各种信号的时序与存储器的(固有)读 写周期相配合。
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2. 主存储器的构成
字节存储单元即存放一个字节的存储单元,相应的地 址称为字节地址。一个机器字可以包含数个字节。
若计算机中可编址的最小单位是字存储单元,则称该 计算机为按字寻址的计算机。

计算机组成原理第三章多层次的存贮器优秀课件

计算机组成原理第三章多层次的存贮器优秀课件

1、主存的基本组成
… …

存储体
写 电


驱动器

控制电路
译码器

MAR


地址总线
数据总线 MDR
2、 主存和 CPU 的联系
MDR
CPU
MAR
数据总线 读 写
地址总线
主存
3、 半导体存储芯片的基本结构





… …





线



线



片选线
读/写控制线
地址线(单向) 数据线(双向) 芯片容量
• 主存储器简称主存,是计算 机系统的主要存储器,用来 存放计算机运行期间的大量 程序和数据。
• 外存储器简称外存,它是大 容量辅助存储器。
3.1.2 存储器分级结构
• 分层存储器系统之间的连接关系
3.1.3主存储器的技术指标
• 字存储单元:存放一个机器字的存储单元, 相应的单元地址叫字地址。
• 字节存储单元:存放一个字节的单元,相 应的地址称为字节地址。
在计算机存储器体系结构设计时, 我们希望存储器系统的性能高、价格低, 那么在存储器系统设计时,应当在存储器 容量,速度和价格方面的因素作折中考虑, 建立了分层次的存储器体系结构如下图所 示。
3.1.2 存储器分级结构
2、分级结构 • 高速缓冲存储器简称cache,
它是计算机系统中的一个高 速小容量半导体存储器。
磁头、载磁体
非 硬磁材料、环状元件 易

激光、磁光材料
2. 按存取方式分类
(1) 存取时间与物理地址无关(随机访问)

计算机组成原理存储器课件

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高速缓存(Cache)
要点一
总结词
高速存储器,用于要点二
详细描述
高速缓存(Cache)是一种特殊的存储器,它的读写速度 非常快,通常由静态随机存取存储器(SRAM)构成。 Cache用于暂存CPU所需的数据和指令,以减少CPU直接 访问主存的次数,从而提高计算机系统的性能。当CPU需 要访问内存时,它会首先检查所需数据是否在Cache中。 如果是,则直接从Cache中读取数据;否则,需要从主存 中读取数据,并将其复制到Cache中以便将来快速访问。
存储器。
半导体存储器
20世纪60年代出现,以其高速 、低功耗、高集成度的优点逐 渐取代了磁芯存储器。
磁表面存储器
20世纪70年代出现,以其高容 量、低成本、易维护的优点广 泛应用于外存储器领域。
光盘存储器
20世纪80年代出现,以其大容 量、非接触式读写的优点在数 据备份和多媒体领域得到广泛
应用。
02
内存储器的管理方式
• 总结词:操作系统对内存储器的分配、回收、共享、保护和扩充等管理方式的总称。
• 详细描述:内存储器的管理方式是指操作系统对内存储器的分配、回收、共享、保护和扩充等管理方式的总称。操作系统需要有效地管理内存储器,以确保程序的正常运行和系统的稳 定性。具体来说,操作系统会根据程序的运行需求为其分配适当的内存空间,并在程序运行结束后回收这些空间。此外,为了提高内存储器的利用率,操作系统还支持多个程序共享同 一内存空间。同时,为了保护每个程序的正常运行,操作系统会采取相应的保护措施来防止非法访问和修改。此外,操作系统还可以通过一些技术手段来扩充内存储器的容量,以满足 日益增长的计算需求。
03
主存与外存的容量和访问速度 存在较大差异,主存的容量较 小但访问速度较快,而外存的 容量较大但访问速度较慢。

计算机组成原理_第三章

计算机组成原理_第三章

第三章 存储器及存储系统3.1 存储器概述3.1.1存储器分类半导体存储器 集成度高 体积小 价格便宜 易维护 速度快 容量大 体积大 速度慢 比半导体容量大 数据不易丢失按照 存储 介质 分类磁表面存储器激光存储器随机存储器 主要为高速缓冲存储器和主存储器 存取时间与存储元的物理位置无关 (RAM)按照 存取 方式 分类串行访问存 储器 SAS 只读存储器 (ROM)存取时间与存储元的物理位置有关 顺序存取器 磁带 直接存储器 磁盘 只能读 不能写 掩模ROM: 生产厂家写可编程ROM(PROM): 用户自己写 可擦除可编程ROM EPROM :易失性半导体读/写存储器按照 可保 存性 分类存储器非易失性 存储器包括磁性材料半导体ROM半导体EEPROM主存储器按照 作用 分类辅助存储器缓冲存储器 控制存储器3.1.23级结构存储器的分级结构Cache 高速缓冲 存储器 主 存 主机 外 存1 高速缓 冲存储器 2 主存 3 外存CPU 寄 存 器3.2主存储器3.2.1 主存储器的技术指标1 存储容量 字存储单元 字节存储单元 2 存取时间 字地址 字节地址访问 写操作/读操作从存储器接收到访问命令后到从存 储器读出/写 入所需的时间 用TA表示 取决于介质的物理特性 和访问类型 3 存取周期 完成一次完整的存取所需要的时间用TM表示 TM > TA, 控制线路的稳定需要时间 有时还需要重写3.2.2 主存储器的基本结构地 址 译 码 器地址 CPUn位2n位存储体 主存 m位 数据寄存器 m位 CPUR/W CPU 控制线路3.2.3 主存储器的基本操作地址总线k位MAR数据总线n位主存容量 2K字 字长n位MDRCPUread write MAC 控制总线主存3.3半导体存储芯片工 艺速度很快 功耗大 容量小 PMOS 功耗小 容量大 电路结构 NMOS 静态MOS除外 MOS型 CMOS 静态MOS 工作方式 动态MOS 静态存储器SRAM 双极型 静态MOS型 双极型依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存储信息TTL型 ECL型存储 信息 原理动态存储器DRAM 动态MOS型功耗较小,容量大,速度较快,作主存3.3.1 静态MOS存储单元与存储芯片1.六管单元 1 组成T1 T2 工作管 T2 T4 负载管 T5 T6 T7 T8 控制管 XY字线 选择存储单元 T7 WY地址译码线 X地址 译码线Vcc T3 T4 A T1 T2 T8 W B T6T5WW 位线完成读/写操作2 定义 “0” T1导通 T2截止“1” T1截止 T2导通X地址 译码线Vcc T3 T4 A T1 T7 T2 T8Y地址译码线3 工作 XY 加高电平 T5 T6 T7 T8 导通 选中该 单元T5T6 BWW写入 在W W上分别读出 根据W W上有 加高 低电平 写1/0 无电流 读1/04保持XY 加低电平 只要电源正常 保证向导通管提供电流 便能维 持一管导通 另一管截止的状态不变 称静态2.静态MOS存储器的组成1 存储体 2 地址译码器 3 驱动器 4 片选/读写控制电路存储器外部信号引线D0 A0传送存储单元内容 根数与单元数据位数相同 9地址线 选择芯片内部一个存储单元 根数由存储器容量决定7数据线CS片选线 选择存储器芯片 当CS信号无效 其他信号线不起作用 R/W(OE/WE)读写允许线 打开数据通道 决定数据的传送方向和传 送时刻例.SRAM芯片2114 1K 4位Vcc A7 A8 A9 D0 D1 D2 D3 WE1外特性18 12114 1K 410 9地址端 数据端A9 A0 入 D3 D0 入/出 片选CS = 0 选中芯片 控制端 = 1 未选中芯片 写使能WE = 0 写 = 1 读 电源 地线A6 A5 A4 A3 A0 A1 A2 CS GND2内部寻址逻辑寻址空间1K 存储矩阵分为4个位平面 每面1K 1位 每面矩阵排成64行 16列 64 16 64 16 6 行 位 行 译 X0 地 1K 1K 码址 X63 X63 Y0 Y1564 161K64 161K列译码 4位列地址两 级 译 码一级 地址译码 选择字线 位线 二级 一根字线和一组位线交叉 选 择一位单元W W W WXi读/写线路 Yi存储器内部为双向地址译码 以节省内部 引线和驱动器 如 1K容量存储器 有10根地址线 单向译码需要1024根译码输出线和驱动器双向译码 X Y方向各为32根译码输出线和 驱动器 总共需要64根译码线和64个驱动器3.3.2 动态MOS存储单元与存储芯片1.四管单元 1 组成T1 T2 记忆管 C1 C2 柵极电容 T3 T4 控制门管W T3 T1C1 C2W A B T2 T4字线 W W 位线 Z 2 定义 “0” T1导通 T2截止 C1有电荷 C2无电荷 “1” T1截止 T2导通 C1无电荷 C2有电荷 3 工作 Z 加高电平 T3 T4导通 选中该单元Z写入 在W W上分别加高 低电平 写1/0 读出 W W先预 充电至高电平 断开充电回路 再根据W W上有 无电流 读1/0 W T3 T1C1 C2T4 T2W4保持Z 加低电平 需定期向电容补充电荷 动态刷新 称动态 四管单元是非破坏性读出 读出过程即实现刷新Z2.单管单元 C 记忆单元 T 控制门管 1 组成Z 字线 W 位线 W T Z C2定义“0” C无电荷 电平V0 低 “1” C有电荷 电平V1 高3工作写入 Z加高电平 T导通 读出 W先预充电 断开充电回路 Z加高电平 T导通 根据W线电位的变化 读1/0 4 保持 Z 加低电平 单管单元是破坏性读出 读出后需重写3.存储芯片例.DRAM芯片2164 64K 1位 外特性GND CAS Do A6 16 1 A3 A4 A5 A7 9 82164 64K 1空闲/刷新 Di WE RAS A0 A2 A1 VccA7—A0 入 分时复用 提供16位地址 数据端 Di 入 Do 出 = 0 写 写使能WE 高8位地址 = 1 读 控制端 行地址选通RAS =0时A7—A0为行地址 片选 列地址选通CAS =0时A7—A0为列地址 电源 地线 低8位地址 1脚未用 或在新型号中用于片内自动刷新 地址端动态存储器的刷新1.刷新定义和原因 定期向电容补充电荷 刷新动态存储器依靠电容电荷存储信息 平时无电源 供电 时间一长电容电荷会泄放 需定期向电容 补充电荷 以保持信息不变 注意刷新与重写的区别 破坏性读出后重写 以恢复原来的信息 非破坏性读出的动态M 需补充电荷以保持原来的 信息2.最大刷新间隔 2ms 3.刷新方法各动态芯片可同时刷新 片内按行刷新 刷新一行所用的时间 刷新周期 存取周期4.刷新周期的安排方式 1 集中刷新 2ms内集中安排所有刷新周期R/W R/W50ns刷新 刷新 2ms 死区用在实时要 求不高的场 合2分散刷新用在低速系 统中各刷新周期分散安排在存取周期中 R/W 刷新 R/W 刷新100ns3异步刷新 各刷新周期分散安排在2ms内 每隔一段时间刷新一行每隔15.6微秒提一次刷新请求 刷新一行 2毫秒内刷新完所有 15.6 微秒 行例. 2ms 128行R/W R/W 刷新 R/W R/W 刷新 R/W 15.6 微秒 15.6 微秒 15.6 微秒 刷新请求 刷新请求 DMA请求 DMA请求用在大多数计算机中3.3 只读存储器1掩模式只读存储器 MROM采用MOS管的1024 8位的结构图 UDDA0 A1 A90 地 址 译 1 码 驱 动 1023 器读出放大器读出放大器cs D7D0D12可编程读存储器 PROM用户可进行一次编程 存储单元电路由熔丝 相连 当加入写脉冲 某些存储单元熔丝熔 断 信息永久写入 不可再次改写3.EPROM 可擦除PROM用户可以多次编程 编程加写脉冲后 某些存 储单元的PN结表面形成浮动栅 阻挡通路 实 现信息写入 用紫外线照射可驱散浮动栅 原 有信息全部擦除 便可再次改写4.EEPROM 可电擦除PROM 既可全片擦除也可字节擦除 可在线擦除信息 又能失电保存信息 具备RAM ROM的优点 但写 入时间较长 .NOVRAM 不挥发随机存取存储器 实时性好 可以组成固态大容量存储装置 Flash Memor 闪存 集成度和价格接近EPROM,按块进行擦除 比普 通硬盘快的多3.4 主存储器组织存储器与微型机三总线的连接 1 数据线D0 2 地址线A0 3.片选线CS 连接地址总线高位ABN+1 4 读写线OE WE(R/W) 连接读写控制线RD WR微型机n nDB0 AB0Nn连接数据总线DB0ND0 A0 CSnNN连接地址总线低位AB0ABN+1 R/ WR/ W 存储器1存储器芯片的扩充用多片存储器芯片组成微型计算机系统所要求的存储器系统 要求扩充后的存储器系统引出线符合微型计算机 机的总线结构要求 一.扩充存储器位数 例1用2K 1位存储器芯片组成 2K 8位存储器系统 例2用2K 8位存储器芯片组成2K 16位存储器系统例1用2K 1位存储器芯片组成 2K 8位存储器系统当地址片选和读写信号有效 可并行存取8位信息例2用2K 8位存储器芯片组成2K 16位存储器系统D0D8715D0 R/W CE A0107R/W CE A010D0 R/W CE A0107地址片选和读写引线并联后引出 数据线并列引出二.扩充存储器容量字扩展法例用1K 4位存储器芯片组成4K 8位存储器系统存储器与单片机的连接存储器与微型机三总线 的一般连接方法和存储器 读写时序 1.数据总线与地址总线 为两组独立总线AB0 DB0NDB0 AB0n ND0 A0 CSn NABN+1 R/ W 微型机 地址输出 数据有效采 样 数 据R/ W 存储器nR/W2.微型机复用总线结构 数据与地址分时共用一 组总线AD0nD0Di Qi G 地址 锁存器nA0nALE R/W 单片机R/W 存储器ALE锁 存地 址 数据 有效 采 样 数 据 地址 输出 存锁 址地AD0n地址 输出数据 有效 采 样数 据R/W半导体存储器逻辑设计需解决 芯片的选用 地址分配与片选逻辑 信号线的连接例1.用2114 1K 4 SRAM芯片组成容量为4K 8的存储 器 地址总线A15 A0 低 ,双向数据总线D7 D0 低 ,读/写信号线R/W 1.计算芯片数 1 先扩展位数 再扩展单元数 2片1K 4 1K 8 8片 4组1K 8 4K 82 先扩展单元数 再扩展位数4片1K 4 4K 4 4K 8 2组4K 4 2.地址分配与片选逻辑存储器寻址逻辑8片芯片内的寻址系统(二级译码) 芯片外的地址分配与片选逻辑 由哪几位地址形成芯 片选择逻辑 以便寻 找芯片为芯片分配哪几位地址 以便寻找片内的存储单元 存储空间分配4KB存储器在16位地址空间 64KB 中占据 任意连续区间芯片地址 任意值 片选 A15…A12A11A10A9……A0 0 0 0 …… 0 0 0 1 …… 1 0 1 0 …… 0 0 1 1 …… 1 1 0 0 …… 0 1 0 1 …… 1 1 1 0 …… 0 1 1 1 …… 164KB1K 1K 1K 1K 4 4 4 4 1K 1K 1K 1K 4 4 4 44KB需12位地址 寻址 A11— A0低位地址分配给芯片 高位地址形成片选逻辑 芯片 芯片地址 片选信号 片选逻辑 1K A9 A0 CS0 A11A10 A11A10 1K A9 A0 CS1 A11A10 1K A9 A0 CS2 1K A9 A0 CS3 A11A103.连接方式1 扩展位数 2 扩展单元数 4 形成片选逻辑电路D7~D4 D3~D0 4 4 4 1K 4 4 R/W 1K 4 4 4 1K 4 4 4 1K 4 43 连接控制线1K 4 A9~A0 CS0 10 CS11K 4 10 CS21K 4 10 CS31K 4 10A11A10A11A10A11A10A11A10例2.某半导体存储器 按字节编址 其中 0000H 07FFH为ROM区 选用EPROM芯片 2KB/片 0800H 13FFH为RAM区 选用RAM芯片 2KB/片和1KB/片 地址总线A1 A0 低 给出地址分配和片选逻辑1.计算容量和芯片数ROM区 2KBRAM区 3KB2.地址分配与片选逻辑 存储空间分配 先安排大容量芯片 放地址低端 再安排小容量芯片便于拟定片选逻辑64KBA15A14A13A12A11A10A9…A00 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 0 1 0 1 0 0 …… 0 …… 1 …… 0 …… 1 0 … 0 1 … 12K 2K 1KROM 5KB 需13 位地 RAM 址寻 址低位地址分配给芯片 高位地址形成片选逻辑 芯片 芯片地址 片选信号 片选逻辑 2K A10 A0 CS0 A12A11 2K A10 A0 CS1 A12A11 1K A9 A0 CS2 A12A11 A10 A15A14A13为全03.4.2 高速缓冲存储器。

计算机组成原理-存储系统

计算机组成原理-存储系统
需要Z=U/NxW/M个这样的存储器芯片,每 W/M个为一组,共有U/N组;CPU每次访问, 同时选中一组中的W/M个芯片中的同一个单元;
1K*4bits扩展成4K*32bits的存储器
00
A10
译 01
A11
码 10 器 11
… … … …
CPU
A0
CE
A1 1K*4
A9
WE
WR
D0~D31
CE 1K*4
T3,T4是负载管; T1,T2构成基本RS 触发器,存储信息。
写工作过程: 存储的0写为1
0
1. A=1、B=0时,T2导通T1截止使得触发 器处于稳定状态;A=0、B=1时,T1导 通T2截止使得触发器处于稳定状态。
2. .结构特点:T3,T4是负载管;T1,T2 构成基本RS触发器;T5,T6,T7,T8 是控制管/开门管。
数据信号
AB K 位(给出地址)
CPU
DB n 位(传送数据) 主
READ

WRITE
READY
返回
• 位扩展法 用NxM位(N个存储单元,每个存储单元有M
个存储元)的存储器芯片 构成NxW位的存储 器,需要L=W/M个这样的存储器芯片;CPU每 次访问同时选中这L个芯片上的同一个存储单 元;连接实例
WE
CE 1K*4
WE
CE 1K*4
WE
一、静态存储器(SRAM)
5. SRAM存储器的读写操作及时序
➢ 读操作
➢写操作
• 读的过程:
• 写的过程:
(1)CPU送地址信号 (1)CPU送地址信号及
及读控制信号;
写控制信号;
(2)SRAM地址译码 (2)SRAM地址译码;

计算机组成原理第三章存贮系统

计算机组成原理第三章存贮系统

03
辅助存贮器
辅助存贮器的类型与特点
01
02
03
磁带
以磁记录方式保存信息, 容量大、价格低、速度慢。
磁盘
以磁记录方式保存信息, 存取速度较快、容量较大、 价格适中。
光盘
以光记录方式保存信息, 容量大、价格低、速度较 慢。
磁盘存贮器的工作原理与性能指标
工作原理
磁盘存贮器采用磁记录方式,在磁盘表面涂有一层磁性材料,通过磁头在磁盘表面的读写操作来实现信息的存储 和读取。
实现方式
虚拟存贮器的实现方式主要有请求分页和请求分段两种。在请求分页方式下,系统将程序的页面按照 需要加载到物理内存中,并通过页表来管理页面的映射关系。在请求分段方式下,系统将程序划分为 多个逻辑段,每个段对应一个连续的地址空间,并通过段表来管理段的映射关系。
请求分页管理方式下的虚拟存贮器
• 请求分页的基本原理:请求分页是一种基于页面的虚拟存贮器管理方式。它将 程序的页面按照需要加载到物理内存中,并通过页表来管理页面的映射关系。 当程序需要访问某个页面时,系统会检查该页面是否已经在物理内存中,如果 不在,则会产生一个页面请求,将所需的页面从外存中加载到物理内存中。
存储效率
随着数据量的增长,存储效率成为一个重要问题,包括如何提高存储 设备的利用率、降低存储成本等。
管理复杂性
随着存贮系统规模的扩大和复杂性的增加,管理复杂性也在不断提高, 如何简化管理、提高管理效率是一个重要问题。
未来存贮系统的展望
全闪存阵列 随着闪存技术的不断成熟和成本 的降低,全闪存阵列将成为未来 存贮系统的一个重要发展方向。
智能化存储 通过人工智能、机器学习等技术 手段,实现存贮系统的智能化管 理和优化,提高存储资源的利用 率和性能表现。

第三章存储系统ppt课件

第三章存储系统ppt课件

“1”:T1截止,T2导通。
Vcc
W
T4 T6 T2
Z
第三章 存储系统
计算机组成与结构
3.2.2 半导体存储器存储原理
⑶ 任务
Z:加高电平,T5、T6导通,选中该单元。
写入:在W、W上分别加高、低电平,写1/0。
读出:根据W、W上有无电流,读1/0。
⑷ 坚持
Z:加低电平,只要电源正常,保证向导通管提 供电流,便能维持一管导通,另一管截止的 状态不变,∴称静态。
静态单元是非破坏性读出,读出后不需重写。
第三章 存储系统
计算机组成与结构
3.2.2 半导体存储器存储原理
⒉ 静态MOS存储芯片举例 (Intel 2114)
地址端: A9~A0〔入)
Vcc A7 A8 A9 D0 D1 D2 D3 WE
数据端: D3~D0〔入/出)
= 0 选中芯片 片选CS
控制端:
存储系统的层次结构
第三章 存储系统
存储器的分类
计算机组成与结构
1. 按存储介质分类
(1) 半导体存储器 TTL 、MOS
易失
(2) 磁表面存储器 (3) 磁芯存储器 (4) 光盘存储器
磁头、载磁体
非 硬磁材料、环状元件 易

激光、磁光材料
第三章 存储系统
存储器的分类
计算机组成与结构
2. 按存取方式分类
⑵ 先扩展单元数,再扩展位数。
4片1K×4 2组4K×4
4K×4 4K×8
8片
⒉ 地址分配与片选逻辑
存储器寻址逻辑 芯片内的寻址系统(二级译码) 芯片外的地址分配与片选逻辑
为芯片分配哪几位地址, 由哪几位地址形成片 以寻找片内的存储单元 选逻辑,以寻找芯片
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9
Cache的命中与缺失
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10
基本参数(1)
命中率(Hit Rate):
在一个程序执行期间,设Nc表示Cache完成存取的总次数,
Nm表示主存完成存取的总次数,则命中率h为: h= Nc / (Nc + Nm) 若tc表示命中时的Cache访问时间,tm表示未命中时的主存 访问时间,则Cache/主存系统的平均访问时间ta为: t a = htc + (1 - h) tm 追求的目标是,以较小的硬件代价使Cache/主存系统的平 均访问时间ta越接近tc越好 设r= tm/tc表示主存慢于cache的倍率,e表示访问效率,则 有
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6
局部性原理
空间局部性(Spatial Locality)
最近被访问的地址附近的地址很可能在将来被访问
时间局部性(Temporal Locality)
如果一个信息项正在被访问,那么在近期它很可能
还会被再次访问
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7
Cache基本原理(2)
Level k: 8 4 9 14 10 3
第3章 存储系统3
1
3.6 Cache存储器
2
引入Cache的目的
由于大容量的主存储器通常由DRAM芯片构成, 其访问速度较慢,而静态存储器SRAM速度快, 但容量小 采用以下策略,可缩短平均访问时间:
在小量、高速的存储器中完成大多数访问
Cache -高速缓冲存储器
CPU Cache Main Memory
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21
主存和cache的分块
容量 主存 cache 2n 2l 块(行) 大小 2b 2b 块数 2n/2b=2m 2l/2b=2c
为便于管理,将主存和cache分别分为大小相等 的若干块(也称行),只需对块地址进行映射
主存地址 = 主存块号(m位)+ 主存块内地址(b位) cache地址= cache块号(c位)+ cache块内地址(b位)
tc tc 1 1 e t a htc (1 h)t m h (1 h)r r (1 r )h
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11
基本参数(2)
命中时间(Hit Time):访问在较高层命中数据的时 间
RAM访问时间+
确定命中/失效的时间
缺失(Miss):需要从较低层的块中找回数据
在第k层,较小、较快、较贵的设备 缓冲来自第k+1层数据块的子集
10 4
数据以块为单位 在层间复制
0 Level k+1: 4 8 12
1 5 9 13
2 6 10 14
3 7 11 15
在第k+1层,较大、较慢、较便宜 的存储设备上的数据分成若干块
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8
Cache基本原理(3)
计算机学院体系结构中心
3
存储系统的层次结构
Smaller, faster, and costlier (per byte) storage devices L0: registers L1: on-chip L1 cache (SRAM) L2: off-chip L2 cache (SRAM) main memory (DRAM)
L3: Larger, slower, and cheaper (per byte) storage devices L5:
Main memory holds disk blocks retrieved from local disks.
L4:
local secondary storage (local disks) remote secondary storage (distributed file systems, Web servers)
容量缺失(Capacity miss)
当活动的cache块的数量超过cache的容量就产生容
量缺失
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14
引入Cache须解决的问题
命中率:希望cache的实际命中率接近于1 透明性:希望cache对CPU而言是透明的
不论是否有cache,CPU访存的方法都是一样的,
h Nc 1900 0.95 N c N m 1900 100
r
m
tc

50ns
5
访问效率: e
1 1 83 . 3 % r (1 r ) h 5 (1 5 ) 0 . 95
平均访问时间:
tc 50 ns ta 60 ns e 0 . 833
失效率(Miss
Rate) = 1 - (命中率) 失效损失(Miss Penalty):替换较高层存储的一个数据块 的时间+ 将该块交付给处理器的时间
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12

CPU执行一段程序时,Cache完成存取的次数为1900次,主存 完成存取的次数为100次,已知Cache存取周期为50ns,主存存 取周期为250ns,求Cache/主存系统的效率和平均访问时间。 解: t 250ns
相联存储器(1)
可按内容寻址的存储器 (CAM:Content Addressable Memory) 相联存储器(联想存储器) (Associative Memory) 可以根据地址进行读和写,也可根据内容进行检索和比较
地址 0 1 …… m-1
关键字 0 1 张 三 李 四 王 五
CPU registers hold words retrieved from L1 cache.
L1 cache holds cache lines retrieved from the L2 cache memory. L2 cache holds cache lines retrieved from main memory.
12 Level k:
0
14
1
Request 12 14
2 3
4* 12
9
14
3
12 4* Level k+1: 0 4 4* 8 12 1 5 9 13
Request 12
2 6 10 14
3 7 11 15
程序需要访问块b中的对象d. Cache命中(Cache hit) 程序在层k Cache找到b, 例如:块 14 Cache缺失(Cache miss) 块b不在层k中,所以层k cache必须 从层k+1去取它,例:块12. 如果层k的cache已满,则当前的某 块必须被替换。哪块被替换出去? 替换策略:哪一块被替换出? 例如:最久未使用LRU策略 放置策略:新块放在何处?例如: b mod 4
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主存
25
全相联映射(2)
主存块号 块内地命中
CAM
主存Cache 地址变换
Bi
bi
主块号B
Cache块号b
优点:命中率较高,Cache的存储空间利用率高 缺点:需要CAM存储器,线路复杂,成本高,速度低
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软件不需增加任何指令就可以访问cache
解决了这两个问题,就CPU访存的角度而言, 内存将具有主存的容量和接近cache的速度 必须增加特定的硬件电路完成控制功能
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15
Cache的基本工作原理
AB
不 命 中 替换控制部件
CPU
主存 地址 寄存 器
MA
主存Cache Cache 地址变换 命 地址 (CAM) 中 寄存器
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22
Cache的结构
主存地址 块号 块内地址 不命中
主存-Cache 地址变换 Cache地址 块号 块内地址
主存
Cache 替换部件
替换块
Cache
装入块 数据或指令
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23
主存与Cache的地址映射
为了把主存块放到Cache中,必须应用某种方 法把主存地址变换成Cache中的地址,称作地 址映射 地址映射方式
2
3
数据 4 …
n-1
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18
补充2:
相联存储器(2)
相联存储器的基本原理
把存储单元中所存内容的某一部分作为检索项(关 键字项),去检索该存储器,并将存储器中与该检 索项符合的存储单元内容读出或写入
相联存储器用途
在虚拟存储器中,主要用于存放分段表、页表和
快表 在高速缓冲存储器中,用于存放cache的行地址 在这两种应用中,都需要进行快速查找
Local disks hold files retrieved from disks on remote network servers.
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4
层次结构实例
Cache Type Registers TLB L1 cache L2 cache Virtual Memory Buffer cache What Cached 4-byte word Address translations 32-byte block 32-byte block 4-KB page Parts of files Where Cached CPU registers On-Chip TLB On-Chip L1 Off-Chip L2 Main memory Main memory Local disk Local disk Remote server disks
Cache 存储器
主 存
Cache控制部件
DB
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