碳化硅微粉中去除硅和二氧化硅工艺
碳化硅微粉生产工艺
碳化硅微粉生产工艺
碳化硅微粉是一种重要的功能材料，具有高硬度、高热稳定性、耐腐蚀性和优异的力学性能等特点，广泛应用于陶瓷、涂料、橡胶、磨料等领域。
下面将简要介绍碳化硅微粉的生产工艺。
碳化硅微粉生产工艺主要包括原料选取、研碎、分类、去杂、干燥和包装等步骤。
首先，选择高纯度的硅和石墨作为主要原料，硅含量通常在98%以上，同时控制其他杂质成分的含量。
原料的高纯度和合
适的成分对最终产品的质量有着重要的影响。
然后，将选取的原料进行研碎。
首先将硅和石墨经过预处理，包括清洗和破碎等步骤，然后利用砂磨机进行研磨。
研磨过程中需注意控制研磨时间和研磨介质的选择，以获得所需的碳化硅微粉尺寸。
接下来是对研碎后的材料进行分类。
通过筛分或气流分级等方法，将研碎后的材料按照粒度分级，筛选出所需尺寸的碳化硅微粉。
随后，进行去杂处理。
这一步骤主要是对粉体材料进行酸洗或碱洗处理，以去除杂质、氧化物等不纯物质，以提高产品的纯度。
然后，对去杂后的碳化硅微粉进行干燥处理。
通常采用烘箱或流化床干燥器进行干燥，以去除水分和其他挥发性物质，确保
产品的稳定性和质量。
最后，进行包装。
将干燥好的碳化硅微粉进行包装，通常采用塑料袋或桶装包装，确保产品在储存和运输过程中不受污染和损坏。
总结起来，碳化硅微粉生产工艺包括原料选取、研碎、分类、去杂、干燥和包装等步骤。
合理控制每一步的参数和工艺条件，可以获得高纯度、均匀粒度的碳化硅微粉产品。
碳化硅制作工序
碳化硅的制作工序主要包括以下几个步骤：
1. 原料准备：通常使用硅砂和碳粉作为主要原料。
硅砂经过筛选、清洗等处理，以去除杂质。
碳粉可以是木炭、石墨或其他含碳物质。
2. 配料：将硅砂和碳粉按照一定比例混合，以确保最终产品的化学成分符合要求。
3. 反应：将混合好的原料放入高温反应炉中，在一定的温度和压力条件下进行反应。
在这个过程中，硅砂和碳粉会发生化学反应，生成碳化硅。
4. 提纯：反应生成的碳化硅中可能会含有杂质，需要通过提纯步骤去除。
这可以通过物理方法（如浮选、磁选等）或化学方法（如酸洗等）来实现。
5. 粒度调整：根据最终产品的要求，可以对提纯后的碳化硅进行粒度调整。
这可以通过破碎、研磨等方式来实现。
6. 包装：将调整好粒度的碳化硅进行包装，以方便储存和运输。
以上是碳化硅制作的一般工序，具体的生产过程可能会因厂家和产品要求的不同而有所差异。
碳化硅粉体清洗工艺
碳化硅粉体清洗工艺一、引言碳化硅粉体是一种高温耐磨材料，广泛应用于陶瓷、电子、化工等领域。
在生产过程中，由于碳化硅粉体表面存在一定的杂质和污染物，需要进行清洗处理，以确保产品质量。
本文将介绍碳化硅粉体清洗工艺及其相关技术。
二、碳化硅粉体清洗工艺1.清洗前的准备工作在进行碳化硅粉体清洗之前，需要对设备和材料进行准备。
首先，清洗设备包括清洗槽、喷淋装置、超声波清洗器等，要保证设备处于良好的工作状态。
其次，清洗液的配制也是关键，通常使用的清洗溶液包括酸性清洗液、碱性清洗液和有机溶剂。
最后，还需要准备好个人防护用品，如防护手套、护目镜等。
2.酸性清洗工艺酸性清洗是常用的碳化硅粉体清洗工艺之一，主要用于去除表面的金属氧化物、油脂和有机杂质。
具体步骤如下：（1）将碳化硅粉体放入清洗槽中，保证槽内液位覆盖粉体。
（2）加入适量的酸性清洗液，如硝酸、盐酸等，浸泡一定时间。
（3）开启槽内的喷淋装置，使清洗液均匀地喷洒在碳化硅粉体表面。
（4）根据清洗需求，可进行多次清洗，以确保表面干净。
3.碱性清洗工艺碱性清洗是清除碳化硅粉体表面有机杂质的有效工艺。
具体步骤如下：（1）将碳化硅粉体放入清洗槽中，液位覆盖粉体。
（2）加入适量的碱性清洗液，如氢氧化钠、氢氧化钾等，浸泡一定时间。
（3）开启槽内的喷淋装置，使清洗液均匀地喷洒在碳化硅粉体表面。
（4）根据清洗需求，可进行多次清洗，以确保表面干净。
4.超声波清洗工艺超声波清洗是利用超声波的机械振动效应，加速清洗液与碳化硅粉体表面的物质交换。
具体步骤如下：（1）将碳化硅粉体放入超声波清洗器中。
（2）加入适量的清洗液，开启超声波清洗器。
（3）超声波的振动作用使清洗液中的气泡瞬间形成和破裂，产生强大的冲击力，清洗液的微小涡流和涡旋形成，将碳化硅粉体表面的污染物迅速清除。
（4）根据清洗需求，可进行多次清洗，以确保表面干净。
5.其他清洗工艺除了酸性清洗、碱性清洗和超声波清洗之外，还可以根据具体情况采用其他清洗工艺，如高压水清洗、气流清洗等。
碳化硅微粉中硅的去除方法
碳化硅微粉中硅的去除方法碳化硅微粉是一种广泛应用于陶瓷、橡胶、塑料、涂料等领域的材料，其中含有大量的硅元素。
然而，在某些应用中，需要去除碳化硅微粉中的硅元素，以满足特定的要求。
本文将介绍几种常见的碳化硅微粉中硅的去除方法。
一、物理方法物理方法是指利用物理性质对碳化硅微粉中的硅元素进行分离和去除的方法。
常见的物理方法包括重力分离、筛选和磁选。
1. 重力分离：根据碳化硅微粉中硅元素和其他杂质的密度差异，利用重力作用使它们分离。
可以通过重力沉降、离心分离等方式实现。
这种方法简单易行，但效率较低。
2. 筛选：通过不同孔径的筛网，将碳化硅微粉中的硅元素和其他杂质分离。
筛选方法可以根据粒径大小、形状等因素进行选择，适用于粒度较大的碳化硅微粉。
3. 磁选：利用碳化硅微粉中硅元素和其他杂质在磁性上的差异，通过磁场作用使其分离。
磁选方法适用于含有磁性杂质的碳化硅微粉。
二、化学方法化学方法是指利用化学反应对碳化硅微粉中的硅元素进行转化或溶解，从而实现去除的方法。
常见的化学方法包括浸泡、酸洗和碱洗。
1. 浸泡：将碳化硅微粉浸泡在特定溶液中，使硅元素与溶液发生反应，从而溶解或转化为其他化合物。
浸泡方法适用于一些易溶解的硅化合物。
2. 酸洗：利用酸性溶液对碳化硅微粉进行处理，使硅元素与酸反应，从而溶解或转化为其他化合物。
酸洗方法适用于一些难溶解的硅化合物。
3. 碱洗：利用碱性溶液对碳化硅微粉进行处理，使硅元素与碱反应，从而溶解或转化为其他化合物。
碱洗方法适用于一些难溶解的硅化合物。
三、热处理方法热处理方法是指利用高温对碳化硅微粉进行处理，使硅元素发生相变或转化，从而实现去除的方法。
常见的热处理方法包括煅烧和高温氧化。
1. 煅烧：将碳化硅微粉加热至一定温度，在氧气或其他气氛中进行处理，使硅元素发生相变或转化。
煅烧方法适用于一些硅元素含量较高的碳化硅微粉。
2. 高温氧化：将碳化硅微粉加热至高温，在氧气或其他气氛中进行氧化反应，使硅元素转化为氧化物等高熔点化合物。
碳化硅微粉中硅的去除方法
碳化硅微粉中硅的去除方法碳化硅微粉中硅的去除方法引言在碳化硅微粉的生产过程中，微粉中可能含有一定的硅杂质，因此需要采取相应的方法去除硅，以提高碳化硅微粉的纯度和质量。
本文将详细介绍几种常用的去除硅的方法。
方法一：酸洗法1.准备稀硫酸溶液。
2.将碳化硅微粉放入酸槽中，使其完全浸泡在溶液中。
3.酸洗时间容易根据需要进行调整，一般为1-2小时。
4.酸洗完毕后，将碳化硅微粉用大量的水洗净。
5.重复以上步骤，直至达到预期的去硅效果。
方法二：高温氧化法1.将碳化硅微粉放入高温炉中，加热至一定温度。
2.在高温下，硅会与氧气发生氧化反应，生成气体态的二氧化硅。
3.利用高温炉内的通风系统将产生的二氧化硅气体排出。
4.重复以上步骤，直至碳化硅微粉中硅的含量降低到满意的水平。
方法三：湿法磁选法1.准备磁选机和磁性分离液。
2.将碳化硅微粉与磁性分离液混合。
3.磁选机会产生一定的磁场，将其中的磁性颗粒（含硅杂质）被吸附。
非磁性颗粒则不受影响。
4.分离磁性颗粒后，再次洗涤和磁选，直至达到预期的去硅效果。
方法四：溶剂提取法1.将碳化硅微粉与特定的溶剂反应。
2.硅杂质会与溶剂发生化学反应，并溶解于溶剂中。
3.将溶液与固体分离，得到纯净的碳化硅微粉。
结论根据不同的实际情况，可以选择适合的方法去除碳化硅微粉中的硅杂质。
酸洗法能够迅速去除硅，但对设备要求较高；高温氧化法适用于大规模生产，但能源消耗较大；湿法磁选法和溶剂提取法可以较好地实现高纯度的去硅效果，但操作复杂。
在实际操作中，应根据具体要求选择合适的方法，以提高碳化硅微粉的质量和纯度。
以上就是碳化硅微粉中硅的去除方法的详细介绍。
希望能对相关领域的研究者和生产工作者有所帮助。
方法五：氧化还原法1.准备氧化剂和还原剂。
2.将碳化硅微粉与氧化剂反应，使硅被氧化为易于分离的化合物。
3.将反应产物与还原剂反应，使硅化合物还原为纯净的硅。
4.通过过滤或离心等方法将还原后的硅与其它残留物分离。
碳化硅粉生产工艺
碳化硅粉生产工艺
碳化硅粉是一种重要的高温材料，广泛应用于高温陶瓷、电子元器件、光学玻璃等领域。
其生产工艺主要包括原料处理、干燥、烧结和粉碎
等步骤。
1. 原料处理
碳化硅粉的主要原料是二氧化硅和石墨。
在生产过程中，需要将这两
种原料按一定比例混合，并加入适量的助剂（如氧化铝、氮化硅等）
以提高产品性能。
混合后的原料需进行球磨处理，使其颗粒大小均匀。
2. 干燥
混合后的原料需要进行干燥处理，以去除其中的水分和挥发物质。
通
常采用真空干燥或高温干燥等方法进行处理。
3. 烧结
经过干燥处理后的原料需要进行烧结，以形成碳化硅晶体。
通常采用
电阻加热或感应加热等方法进行加热，使得原料中的碳和硅在高温下
发生反应，形成碳化硅晶体。
在此过程中还需控制气氛组成和温度等
参数，以确保产品质量。
4. 粉碎
经过烧结处理后的碳化硅块需要进行粉碎处理，以得到所需的碳化硅粉。
通常采用颚式破碎机、球磨机等设备进行粉碎处理。
在此过程中还需控制粉碎时间和设备参数等因素，以确保产品颗粒大小和分布均匀。
总之，碳化硅粉生产工艺包括原料处理、干燥、烧结和粉碎等步骤。
在每个步骤中都需要控制各种因素，以确保产品质量。
碳化硅粉生产工艺
碳化硅粉生产工艺
碳化硅粉是一种重要的无机化工原料，广泛应用于陶瓷、电子材料、耐火材料等领域。
其生产工艺主要包括碳化硅粉的制备、粉碎、精磨和热处理等环节。
碳化硅粉的制备是整个生产工艺的核心环节。
通常采用煤焦油和石墨为原料，在高温条件下，通过化学反应制备碳化硅。
在制备过程中，控制反应温度、时间和原料比例等参数至关重要，以确保产品质量稳定。
制备完成后，碳化硅粉需要经过粉碎环节进行初步破碎，将块状碳化硅转变为颗粒状碳化硅。
粉碎的目的是为了提高碳化硅的比表面积，增加其活性，为后续精磨和热处理做好准备。
接下来是碳化硅粉的精磨过程，通过精细研磨设备对碳化硅粉进行进一步加工，使其颗粒更加细致均匀。
精磨可以有效提高碳化硅的品质，提高其在电子材料等领域的应用性能。
最后是碳化硅粉的热处理环节，通过高温处理，进一步改善碳化硅的晶体结构和物理性质。
热处理过程中需要控制好温度梯度和保温时间，以确保碳化硅粉具有优良的热稳定性和耐磨性。
总的来说，碳化硅粉的生产工艺包括制备、粉碎、精磨和热处理等环节，每个环节都至关重要。
只有严格控制每一个环节的工艺参数，
才能生产出质量稳定的碳化硅粉产品，满足不同领域的需求。
希望随着技术的不断进步，碳化硅粉生产工艺能够不断优化，为产业发展和科技进步做出更大的贡献。
碳化硅微粉中去除硅和二氧化硅工艺的研究
将 一 定 量 的碳 化 硅 微 粉 按 一 定 比例 加 入 碱 溶
收稿 日期 ：０ ８ ０ 一 ３ ２０ — １Ｏ
１ 原理
碳 化 硅微 粉 中硅 和 二 氧化 硅 与碱 反应 ， 成 可 生
作者简介 ： 利（９ ４ ） 男 ， 王春 １６ 一 ， 山东青州市人 ，９ ５ １８ 年毕业于 昌潍师 专化学系 ， 任潍坊 教育学 院化 学工程 系高级 实验师 ． 现 一直从事 化
中必将产生一些杂质 ， 以硅和二氧化硅为主。由于
２ 实验 部 分
２１ 仪器 和药 品 ． 铂坩 埚 ， 级 恒 温水 浴 ， 锈 钢 反应 器 ， 超 不 电动 搅 拌器 ， 干燥箱 ， 弗炉 。 马
硅与二氧化硅和碳化硅性质的差异性 ， 为杂质能 作 够使碳化硅制品产生裂痕和 白毛等 ， 严重影 响了碳 化硅微粉在各个领域的广泛应用 ， 因此制备高纯度
的碳化硅微粉 ， 必须首先除去碳化硅微粉中的硅和 二 氧化硅 。本 文着 重研究 了除去碳 化 硅微 粉 中硅和
二氧化硅的方法及最佳工艺条件 ， 使碳化硅微粉 的
纯 度达９ ％以上 ８
中位 径 １ ｕ ． ｍ碳 化 硅 微 粉 ，工业 氢 氧化 钠 １ （８ ， 业氢 氧化 钾 （９ 。 ９ ％）工 ９ ％）
，
ｙ ｅｄ ｏ ｒ ｄ ｃ ｅ ｃ ｅ ０％ ． ｉｌ ｆ ｏ ｕ ｔ ａ ｈ ｓ８ ｐ ｒ
Ｋｅ ｏ ｄ ：ｙ ｎ ｅ ｙ ｎ ；ｉ２ ｎｔ ｌ ｈ １ ｍ ｎ ； ｏ ｉ ｓｎｈ ｓ ｙｗ ｒ ｓ ｃａ ｏｔ ｌ ｅｂｓ 一 ｉｉ ｔｙ） ｉｅａ ｎａ ｙ ｔｅｉ ｈｅ （ ｒｅ ａ ｍｍ ｓ
碳化硅微粉因其具有很高 的稳定性 、 良好 的机 械性 能 和 优异 的介 电性 能 等 特 点 而 广 泛 应 用 在 工 业 陶瓷 、 工 、 天 等领域 。但 是 冶炼碳 化 硅是 以石 化 航
碳化硅粉体清洗工艺
碳化硅粉体清洗工艺
碳化硅粉体清洗工艺是指对碳化硅粉末进行清洗和除尘的工艺。
碳化硅粉体作为一种常见的粉状材料，在生产和加工过程中经常需要进行清洗和除尘处理。
碳化硅粉体清洗工艺主要包括以下步骤：
1. 准备清洗液：根据碳化硅粉体的性质和污染程度，选择合适的清洗液。
一般来说，碳化硅粉体的清洗液可以是水或有机溶剂等。
2. 涂布：将清洗液涂布在碳化硅粉体表面，让其充分浸润和湿润。
3. 搅拌或振动：用搅拌器或振动机等设备，将碳化硅粉体和清洗液进行充分混合。
4. 沉淀分离：让碳化硅粉体和清洗液静置一段时间，使污染物沉淀到底部，再将上清液倒出。
5. 冲洗：用清水或其他洗涤剂将碳化硅粉体进行冲洗，使其彻底去除污染物和清洗液。
6. 烘干：将碳化硅粉体放置在通风良好的地方，让其自然干燥或者使用烘干设备进行烘干。
以上就是碳化硅粉体清洗工艺的主要步骤。
需要注意的是，在具体操作中还应该根据不同的碳化硅粉体特性和污染程度，灵活调整清洗液和清洗时间等参数，以达到最佳的清洗效果。
- 1 -。
碳化硅粉体磨细工艺流程
碳化硅粉体磨细工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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1. 原料预处理。
破碎，将块状碳化硅原料破碎成较小尺寸。
硅及碳化硅工艺流程
硅的生产工艺流程和碳化硅（SiC）的工艺流程有所不同，下面分别简述：硅的生产流程：1. 硅矿石提纯：•硅主要以二氧化硅（SiO2）形式存在于自然界中，如石英砂。
首先需要将石英砂经过破碎、筛选等预处理。
•然后通过化学反应将其转化为可提炼的粗硅，常用的方法是西门子法（Silicon Process）。
该过程通常包括以下步骤：•在高温下，利用焦炭还原石英砂中的二氧化硅，生成一氧化碳和粗硅。
•产生的粗硅再进一步精炼，通过多个阶段的沉淀和升华去除杂质元素，得到高纯度多晶硅。
2. 多晶硅制备：•经过一系列熔炼、定向凝固等步骤，可以将高纯度硅材料制成单晶硅或用于太阳能电池制造的多晶硅片。
碳化硅（SiC）的生产流程：1. 原料准备与粉碎：•原料主要包括石英砂（二氧化硅）、石油焦或其他富含碳的物质以及可能的添加剂（如食盐和木屑）。
•这些原料经过破碎、粉磨至一定粒度，然后进行磁选和超声波筛分，确保原料纯净且粒度均匀。
2. 合成反应：•将上述配料混合后放入专用的碳化硅电炉中，在约2000°C到2500°C的高温条件下进行反应。
•高温下，二氧化硅与碳发生化学反应生成碳化硅：•反应过程中释放出的一氧化碳气体被排出，并通过调节温度、时间和气氛来控制产物的质量和粒度。
3. 产品冷却与后续加工：•反应完成后，关闭电源并让电炉自然冷却一段时间，之后取出碳化硅冶炼块。
•冶炼块根据用途进一步粉碎、分级，可能还需要进行整形处理，形成微粉、颗粒或块状等各种规格的产品。
•最终产品需经质量检测合格后包装入库。
这两种工艺流程均具有较高的技术要求和能源消耗，尤其是对于高纯度硅和特定等级碳化硅的生产。
碳化硅粉生产工艺
碳化硅粉生产工艺
碳化硅粉是一种重要的工业原料，广泛应用于陶瓷、冶金、电子等领域。
下面将介绍碳化硅粉的生产工艺。
碳化硅粉的主要生产过程包括原料准备、混合、压制、烧结等环节。
在原料准备阶段，需要选择优质的硅石和碳素材料作为主要原料。
硅石经过破碎、研磨、筛分等处理，得到粒度合适的硅粉；碳素材料也需经过预处理，保证质量稳定。
然后将硅粉和碳素按一定比例混合均匀，以确保最终产品的性能稳定。
接下来是压制工艺，将混合均匀的原料放入模具中，经过压制设备进行成型。
在压制过程中，需要控制压力和温度，确保产品密度和形状的一致性。
压制完成后，还需进行烧结处理，将成型体置于高温炉中进行烧结。
烧结的温度和时间是关键参数，直接影响产品的质量和性能。
在烧结过程中，原料中的碳素会与硅发生化学反应，生成碳化硅。
同时，烧结过程中还会有氧化、还原等复杂的物理化学变化发生。
因此，控制烧结过程是确保产品质量的关键。
烧结完成后，需要进行冷却、清理等后续处理，最终得到碳化硅粉的成品。
总的来说，碳化硅粉的生产工艺是一个复杂的过程，需要严格控制各个环节，确保产品质量稳定。
随着工艺技术的不断进步，碳化硅粉的生产效率和产品质量都得到了提升，为各个行业提供了优质的
原料支持。
希望通过本文的介绍，读者能对碳化硅粉的生产工艺有更深入的了解。
不同高纯碳化硅粉体合成工艺
不同高纯碳化硅粉体合成工艺主要包括以下几种：1. 固相法：固相法是利用固态原料通过化学反应合成高纯碳化硅粉体的一种方法。
其中具有代表性的有碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法。
碳热还原法：这种方法使用碳作为还原剂，将硅石与碳混合后，在高温条件下进行反应，生成碳化硅。
该方法具有原料成本低、来源广泛等优点，但合成的碳化硅粉体杂质含量较高，质量相对较低。
自蔓延高温合成法：这种方法利用高温给予反应物初始热，引发化学反应。
然后利用自身的化学反应热，使未发生反应的物质继续完成化学反应。
为了维持反应进行，通常需要添加其他添加剂。
机械粉碎法：机械粉碎法是将硅石和碳原料进行机械研磨，混合均匀后，在高温高压条件下进行合成。
这种方法可以获得较细的碳化硅粉体，但杂质含量较高。
2. 液相法：液相法是利用溶胶-凝胶法和聚合物热分解法等液态原料合成高纯碳化硅粉体的一种方法。
溶胶-凝胶法：这种方法是将硅酸盐溶液与碳源溶液混合，通过水解、凝胶化等过程，得到碳化硅凝胶。
随后，将凝胶在高温条件下煅烧，得到高纯碳化硅粉体。
聚合物热分解法：这种方法是将硅酸盐聚合物与碳源聚合物混合，加热至高温，使聚合物分解，释放出碳化硅。
然后对分解产物进行煅烧，得到高纯碳化硅粉体。
3. 气相法：气相法是通过化学气相沉积法、等离子体法和激光诱导法等气体反应合成高纯碳化硅粉体的一种方法。
化学气相沉积法（CVD）：这种方法是将硅气体和碳气体在高温条件下反应，生成碳化硅薄膜。
该方法可以获得高纯度的碳化硅粉体，但制备过程较为复杂。
等离子体法：这种方法利用等离子体放电，将硅气体和碳气体混合，生成碳化硅粉体。
该方法具有反应速度快、纯度高等优点。
激光诱导法：这种方法是通过激光束对硅靶材进行照射，使其蒸发，与碳源气体反应，生成碳化硅粉体。
该方法可以获得高纯度的碳化硅粉体，但设备成本较高。
总之，不同高纯碳化硅粉体合成工艺各有优缺点，根据实际需求和应用领域选择合适的合成方法至关重要。
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碳化硅微粉中硅和二氧化硅与碱反应， 生成可 溶性硅酸盐从碳化硅微粉中除去：
Ｓｉ＋２ＮａＯＨ＋Ｈ２Ｏ!Ｎａ２ＳｉＯ３＋２Ｈ２↑ Ｓｉ＋２ＫＯＨ＋Ｈ２Ｏ!Ｋ２ＳｉＯ３＋２Ｈ２↑ ＳｉＯ２＋２ＮａＯＨ!Ｎａ２ＳｉＯ３＋Ｈ２Ｏ ＳｉＯ２＋２ＫＯＨ!Ｋ２ＳｉＯ３＋Ｈ２Ｏ
２ 实验部分
２．１ 仪器和药品
铂坩埚， 超级恒温水浴， 不锈钢反应器， 电动搅 拌器， 干燥箱， 马弗炉。
４ 结论
对于中位径 １．１ ｕｍ、碳化硅含量 ９６．５％的微粉， 用 １５％的 ＮａＯＨ 溶液处理， ７０ ℃保温反应 ５ ｈ， 去除 硅和二氧化硅的效果符合要求， 碳化硅微粉的纯度 大于 ９８％。
Ｓｔｕｄｙ ｏｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ ｒ ｅｍｏｖｉｎｇ ｓｉｌｉｃｏｎ ａｎｄ ｓｉｌｉｃｏｎ ｄｉｏｘｉｄｅ ｆｒ ｏｍ ｓｉｌｉｃｏｎ ｃａｒ ｂｉｄｅ ｍｉｃｒ ｏｐｏｗｄｅｒ
分 别 取 中 位 径 １．１ ｕｍ 的 碳 化 硅 微 粉 各 １００ ｇ， 加入不同浓度的碱 ８０ ｍＬ， ６０ ℃下搅拌保温浸取 ５ ｈ 后， 用水冲洗至中性， 过滤烘干， 分析碳化硅的百分 含量， 其结果见表 １。
从表 １ 中可以看出： 相同质量分数的 ＫＯＨ 溶液 比 ＮａＯＨ 溶液去除硅和二氧化硅的效果略好； 随着 碱溶液质量分数的增加， 去除硅和二氧化硅的效果 愈好， 但是当碱的质量分数大于 １５％以后， 去除的效 果改变不大。考虑到 ＮａＯＨ 和 ＫＯＨ 的价格， 综合两
表 １ 不同质量分数 Ｎａ ＯＨ 和 ＫＯＨ 溶液与去除硅 和二氧化硅的关系
ＮａＯＨ 质量分数（ ％） ＳｉＣ 含量（ ％） ＫＯＨ质量分数（ ％）
０
９６．５
０
５
９７．０
５
１０
９７．６
１０
１５
９８．１
１５
２０
９８．３
２０
ＳｉＣ 含量（ ％） ９６．５ ９７．１ ９７．８ ９８．３ ９８．５
方面的因素， 碱处理工艺中采用 １５％的 ＮａＯＨ 溶液。 ３．２ 碱反应温度对去除硅和二氧化硅效果的影响
第 ２２ 卷第 ４ 期 ２００８ 年 ７ 月
天津化工 Ｔｉａｎｊｉｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ
Ｖｏｌ．２２ Ｎｏ．４ Ｊｕｌ．２００８
碳化硅微粉中去除硅和二氧化硅工艺山东 青州 ２６２５００）
摘要： 本文主要研究了除去碳化硅微粉中硅和二氧化硅的方法及最佳工艺条件。 关键词： 碳化硅； 微粉； 硅； 二氧化硅 中图分类号： ＴＱ４２４．２５ 文献标志码： Ａ 文章编号： １００８－ １２６７（ ２００８） ０４－ ００２９－ ０２
准确称取碳化硅微粉 １．０００ ０ ｇ 于恒重的 ３０ ｍＬ 铂坩埚 中 ， 加 入 １０ ｍＬＨＦ 酸 ， 加 热 蒸 发 至 干 ， 取 下 稍冷， 再加入 ５ ｍＬＨＦ 酸， 加热蒸发至干， 继续加热 ３０ ｍｉｎ， 取 下 ， 冷 却 后 加 入 １０ ｍＬ（ １＋１） 的 盐 酸 ， 加 热 浸 取 １５ ｍｉｎ 后 过 滤 于 ２５０ ｍＬ 容 量 瓶 中 ， 并 用 ５％的温热稀盐酸冲洗碳化硅微粉 ６ 遍， 洗液一起转 移至 ２５０ ｍＬ 容量瓶中， 定容备用。
［ ３］ 高健， 许兴友， 张兴洋， 等．二（ ３－ 腈基乙基） 氨基乙腈的合 成及表征 ［Ｊ］． 淮海工学院学报 （ 自然科学版） ， ２００３， １２ （ １） ： ３９－ ４１．
［ ４］ 许兴友， 魏祥， 林燕， 等．Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－ 四（ ２－ 氰基乙基） 乙二胺 的 合 成 及 表 征 ［Ｊ］． 淮 海 工 学 院 学 报 （ 自 然 科 学 版 ） ， ２００３， １３（ １） ： ３５－ ３７．
碳 化 硅 微 粉 因 其 具 有 很 高 的 稳 定 性 、良 好 的 机 械性能和优异的介电性能等特点而广泛应用在工 业陶瓷、化工、航天等领域。但是冶炼碳化硅是以石 英砂和碳为主要原料， 在一千多度下反应制得。由 于工艺要求和反应不可能等摩尔完全反应， 碳化硅 中必将产生一些杂质， 以硅和二氧化硅为主。由于 硅与二氧化硅和碳化硅性质的差异性， 作为杂质能 够使碳化硅制品产生裂痕和白毛等， 严重影响了碳 化硅微粉在各个领域的广泛应用， 因此制备高纯度 的碳化硅微粉， 必须首先除去碳化硅微粉中的硅和 二氧化硅。本文着重研究了除去碳化硅微粉中硅和 二氧化硅的方法及最佳工艺条件， 使碳化硅微粉的 纯度达９８％以上。
Ｋｅｙ ｗｏｒ ｄｓ： ｃｙａｎｏｅｔｈｙｌｅｎｅ；ｂｉｓ（２－ ｎｉｔｒｉｌｅｔｈｙｌ）ａｍｉｎｅ；ａｍｍｏｎｉａ ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ
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天津化工
２００８ 年 ７ 月
液， 开动搅拌器混合均匀， 在一定温度下保温反应 一定时间， 洗涤碳化硅微粉至中性， 过滤烘干， 分析 碳化硅微粉中碳化硅含量， 计算碳化硅微粉的纯度。 ２．３ 碳化硅微粉纯度的分析方法
Ｋｅｙ ｗｏｒ ｄｓ： ｓｉｌｉｃｏｎ ｃａｒｂｉｄｅ；ｍｉｃｒｏｐｏｗｄｅｒ；ｓｉｌｉｃｏｎ；ｓｉｌｉｃｏｎ ｄｉｏｘｉｄｅ
将滤纸上的碳化硅微粉连同滤纸一起取下， 折 叠好， 放入铂坩埚中， 先在电炉上烘干炭化至无烟冒 出， 然后再将铂坩埚和碳化硅微粉一起放入 ６００ ℃ 的马弗炉中， 灼烧半个小时， 冷却称量， 再灼烧， 再 冷却称重， 至恒重， 根据失重计算碳化硅微粉中碳 化硅的百分含量。
３ 结果与讨论
注： 各因素对去除硅和二氧化硅效果的影响以 碳化硅百分含量的高低为参考依据。 ３．１ 碱的种类和溶液浓度对去除硅和二氧化硅的 影响
取 中 位 径 １．１ ｕｍ、 碳 化 硅 含 量 ９６．５％ 微 粉 各 １００ ｇ， 分别加入 １５％ＮａＯＨ 溶液 ８０ ｍＬ， ７０ ℃保温反 应， 反应结束， 水洗至中性， 过滤烘干， 测定不同时 间下去除硅和二氧化硅的效果， 结果当反应时间 （ ｈ） 为： １、２、３、４、５、６ 时， ＳｉＣ 含量（ ％） 为： ９６．９、９７．３、 ９７．７、９８．０、９８．２、９８．３。可以看出， 随着时间增加， 碳 化硅纯度相应提高； 当反应时间超过 ５ ｈ 时提高减 慢， 综合考虑， 反应时间选 ５ ｈ 为佳。
ＷＡＮＧ Ｃｈｕｎ－ ｌｉ， ＺＨＡＩ Ｊ ｉｎｇ， ＳＵＮ Ｊ ｉａｎ－ ｍｅｉ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ ｏｆ Ｗｅｉｆａｎｇ Ｅｄｕｃａｔｉｏｎ Ｃｏｌｌｅｇｅ，Ｑｉｎｇ ｚｈｏｕ Ｓｈａｎｄｏｎｇ ２６２５００， Ｃｈｉｎａ）
Ａｂｓｔｒ ａｃｔ： Ｔｈｉｓ ａｒｔｉｃｌｅ ｈａｓ ｍａｉｎｌｙ ｓｔｕｄｉｅｄ ｔｈｅ ｍｅｔｈｏｄ ａｎｄ ｔｈｅ ｂｅｓｔ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｃａｌ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ ｏｆ ｒｅｍｏｖｉｎｇ ｓｉｌｉｃｏｎ ａｎｄ ｓｉｌｉｃｏｎ ｄｉｏｘｉｄｅ ｆｒｏｍ ｓｉｌｉｃｏｎ ｃａｒｂｉｄｅ ｍｉｃｒｏｐｏｗｄｅｒ．
Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ａｎｄ ｒ ｅｓｅａｒ ｃｈ ｏｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ ｂｉｓ（２－ ｎｉｔｒ ｉｌｅｔｈｙｌ）ａｍｉｎｅ
ＱＩＮ Ｓｈｉ－ ｊｕｎ （Ｌｉａｎｙｕｎｇａｎｇ Ｈａｉ－ ｚｈｏｕ Ｖｏｃａｔｉｏｎ Ｅｄｕｃａｔｉｏｎ Ｃｅｎｔｅｒ，Ｊｉａｎｇｓｕ Ｌｉａｎｙｕｎｇａｎｇ ２２２００５）
Ａｂｓｔｒ ａｃｔ： Ａｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ ｂｉｓ （２－ ｎｉｔｒｉｌｅｔｈｙｌ）ａｍｉｎｅ ｗａｓ ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ｎｕｃｌｅｏｐｈｉｌｉｃ ａｄｄｉｔｉｖｅ ｒｅａｃｔｉｏｎ ｏｆ ｃｙａｎｏｅｔｈｙｌｅｎｅ ａｎｄ ａｍｍｏｎｉａ ｗａｔｅｒ．Ｔｈｅ ｒｅａｃｔｉｏｎ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ ａｒｅ ｄｉｓｃｕｓｓｅｄ．Ｕｎｄｅｒ ｔｈｅ ｂｅｓｔ ｒｅａｃｔｉｏｎ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ，ｔｈｅ ｙｉｅｌｄ ｏｆ ｐｒｏｄｕｃｔ ｒｅａｃｈｅｓ ８０％．
取中位径 １．１ ｕｍ、碳化硅含量 ９６．５％的微粉各 １００ ｇ， 分 别 加 入 １５％ＮａＯＨ 溶 液 ８０ ｍＬ， 保 温 反 应 ５ ｈ 结束， 水洗至中性， 过滤烘干， 测定不同温度下 去除硅和二氧化硅的效果， 结果当反应温度（ ℃） 为： ４０、５０、６０、７０、８０ 时， ＳｉＣ 含量 （ ％） 为： ９７．１、９７．６５、 ９８．０５、９８．３、９８．４。可以看出， 随着温度的升高， 碳化 硅纯度相应提高； 当温度高于 ７０ ℃时提高缓慢， 综 合考虑， 反应温度以 ７０ ℃为宜。 ３．３ 碱反应时间对去除硅和二氧化硅效果的影响
中 位 径 １．１ｕｍ 碳 化 硅 微 粉 ， 工 业 氢 氧 化 钠 （ ９８％） ， 工业氢氧化钾（ ９９％） 。 ２．２ 除去硅和二氧化硅工艺
将一定量的碳化硅微粉按一定比例加入碱溶
收稿日期： ２００８－ ０１－ ０３ 作者简介： 王春利（ １９６４－ ） ， 男， 山东青州市人， １９８５ 年毕业于昌潍师 专化学系， 现任潍坊教育学院化学工程系高级实验师， 一直从事化 学实验室及实验教学工作， 多次被评为先进工作者、模范共产党员。