电子元件基础知识4

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电子厂元器件基础认知

电子厂电子元器件基础认知一、电阻器：（单位换算、功率大小辨别、色标法计算阻值与误差。

）1.碳膜电阻器2.金属膜电阻器3.线绕电阻器4.氧化膜电阻器5.压敏电阻器6.热敏电阻器7.湿敏电阻器8.水泥电阻器a.电阻器：在电路图中用字母R表示，单位为欧姆，单位符号用Ω表示。

欧姆是德国物理学家，电阻的国际单位制“欧姆”以他的名字命名。

b.电阻单位换算：常用的电阻单位有毫欧(mΩ)、欧姆(Ω)、千欧(KΩ)、兆欧(MΩ)，换算进率为1000。

1000毫欧(mΩ)=1欧姆(Ω)=0.001千欧(KΩ)=0.000001兆欧(MΩ)c.额定功率：规定环境温度下，常见允许消耗功率有1/16W 、 1/8W 、 1/4W 、 1/2W 、 1W 、 2W 、 5W 、10W。

d.色环电阻器电阻值色标法识别：a.国内贴片电阻的命名方法：1、5%精度的命名：RS-05K102JT2、1%精度的命名：RS-05K1002FTR －表示电阻S －表示功率：05 －表示尺寸(英寸)：02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1812表示1812、10表示2010、12表示2512。

K －表示温度系数为100PPM。

102－5%精度阻值表示法：前两位为有效数字，第三位表示有多少零，单位Ω，102=1000Ω=1KΩ。

1002－1%精度阻值表示法：前三位为有效数字，第四位表示有多少零，单位Ω，1002=10000Ω=10KΩ。

J －表示精度为5%F －表示精度为1%T －表示编带包装b.误差精度：贴片电阻阻值误差精度有±1%、±2%、±5%、±10%精度，常规用的最多的是±1%和±5%，±5%精度的常规是用三位数来表示，例512，前面两位是有效数字，第三位数2表示有多少个零，单位Ω,这样就是5100Ω=5.1KΩ。

电子元器件的基础知识及焊接

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b、换算公式﹔ 1F=106UF=1012PF
4﹒电解电容(EC)的参数：容量﹑耐压系数﹑温度系数。其中 10UF表示电容容量﹐ 50V表示耐压系数﹐ 105℃为温度系数。电解电容的特点是容量大﹑漏电大﹑耐压低。按其制作材料又分为铝电解电容及钽质电解电容。
前者体积大﹐损耗大；后者体积小﹐损耗小﹐性能较稳定。极性区分﹔长脚为正﹐短脚为负﹓ 负极有一条灰带。常用单位为UF级。
常用术语
3.金属化孔(PTH) :一般用来插元件和布明线的金属化孔；连接孔: （相对与金属化孔）一般不用来插元件和布明线的金属化孔；空焊:零件脚或引线脚与锡垫间没有锡或其它因素造成没有接合。假焊:假焊之现象与空焊类似，但其锡垫之锡量太少，低于接合面标准。冷焊:锡或锡膏在回风炉气化后，在锡垫上仍有模糊的粒状附着物。桥接:有脚零件脚与脚之间焊锡联接短路
允许电流单向流动放大倍数用作放大器或开关多种电路的集合赫兹（Hz）安培（A）触点数引脚数
伏特（安培）
晶振crystal 保险丝fuse 开关switch 连接器电池
金属体
有无有有
产生振荡频率电路过载保护通断电路连接电路板提供直流电流
有触发式、按键式及旋转式，通常为DIP

常用电子元器件及电子电路基础知识4

常用电子元器件及电子电路基础知识（四）
——Powered BY:Simon.Z(郑路明）
基本元件——二极管
二极管(diode)又称晶体二极管,简称D,它是只往一个方向传送电流的电子零件。

二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，其应用非常广泛。

二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V,发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。

在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。

从图中可以看出，当电压为负的时候，二极管电流基本为零（理想状态，实际有很小的漏电流），当反向电压超过二极管的击穿电压的时候，二极管击穿，反向电流猛增，电压为正的时候，当电压大于二极管导通电压（也就是管压降）。

二极管导通，电流迅速增加。

常见的二极管
滤波电路0t 3u 稳压电
路t 04u t L R 0o U 整流
电路0t 2u 0t Tr 1u。

电子技术基础-第4章

整理得 uO1R Rf 13uI1uI2
图4-18 同相加法运算电路
28
【例4-1】电路如图4-19所示。设A为理想集成运放， R1=10kΩ，Rf=100kΩ。试求：输出电压uO与输入电压uI之间的关系，并说明该电路实现了什么运算功能。
解根据理想集成运放的两条结论，利用“虚短”和“虚断” 的概念，有：uN=up=uI， iI=0
（ a）
（ b）
（ c）
非线性集成电路
3
（ d）
（ e）
（a）为圆壳式
（b）为双列直插式（c）为扁平式（d）为单列直插式（e）为菱形式
（ a）
（ b）
（ c）
（ d）
（ e）
4
4.1 直接耦合放大电路
两级直接耦合放大电路如图4-1所示
图4 –1 两级直接耦合放大器电路
5
4.1.1 直接耦合放大器和组成及其零点漂移现象
③输出级输出级具有输出电压线性范围宽，输出电阻小（即带负载能力强），非线性失真小等优点。多采用互补对称发射极输出电路。
17
Байду номын сангаас
④偏置电路偏置电路用于设置集成运放各级放大电路的静态工作点。与分立元件不同，集成运放多采用电流源电路为各级提供合适的集电极（或发射极、漏极）静态工作电流，从而确定了合适的静态工作点。集成运放的电路符号如图4-10所示。图(a)为国外常用符号，图(b)为我国常用符号。
19
(2)直流参数 ①输入失调电压UIO及其温漂dUIO/dT 理想集成运放，当输入为零时，输出也为零。但实际集成运放的差分输入级不易做到完全对称，在输入为零时，输出电压可能不为零。为使其输出为零，人为的在输入端加一补偿电压，称此补偿电压为输入失调电压，用UIO表示。 ②输入失调电流IIO及其温漂dIIO/dT 集成运放在常温下，当输出电压为零时，两输入端的静态电流之差，称为输入失调电流，用IIO表示，

电子行业电子元器件基本知识

电子行业电子元器件基本知识在电子行业中，电子元器件是构建和控制电路的基础组成部分。

它们可以被分为被动元器件和主动元器件两大类。

本文将详细介绍电子元器件的基本概念、分类以及常见的被动元器件和主动元器件。

1. 电子元器件的基本概念电子元器件是指用于将电能转化为其他形式能量，或者用于控制电流、电压、电磁场等的器件。

它们通常由特定的材料制成，具有特定的物理特性。

电子元器件在电子设备中扮演着重要的角色，可以实现电流的控制、信号处理、数据传输等功能。

2. 电子元器件的分类电子元器件可以按照不同的标准进行分类。

按照功能分，可以将电子元器件分为被动元器件和主动元器件；按照器件材料分，可以将电子元器件分为半导体元器件和非半导体元器件；按照器件形状分，可以将电子元器件分为插件式元器件和表面贴装元器件等。

2.1 被动元器件被动元器件是指在电子电路中不负责放大信号或产生电能的元器件，它们主要用于控制电流、电压等参数。

常见的被动元器件有：2.1.1 电阻器（Resistor）电阻器是一种用来控制电流的被动元件，它的主要功能是限制电流的流动。

电阻器的阻值单位是欧姆（Ω），阻值越大，电流通过的越小。

常用的电阻器有固定电阻器和可变电阻器两种，分别用于稳定电流和调节电流。

2.1.2 电容器（Capacitor）电容器是一种用来存储电荷的被动元件，它由两个导体板和介质构成。

电容器的主要功能是在电路中储存和释放电能，其容量单位是法拉（F）。

电容器可以存储电能的原因是介质可以吸收和存储电荷。

电容器可以用于滤波、耦合和储能等应用。

2.1.3 电感器（Inductor）电感器是一种用来储存能量的被动元件，它由导线卷成的线圈构成。

电感器的主要功能是储存磁能，其单位是亨利（H）。

电感器的储能原理是通过线圈中产生的磁场来储存能量。

电感器常用于滤波、变压器和振荡电路等应用。

2.2 主动元器件主动元器件是指能够放大信号或产生电能的元器件，它们可以控制电流和电压的大小。

半导体电子元器件基本知识

半导体电子元器件基本知识四、光隔离器件光耦合器又称光电耦合器，是由发光源和受光器两部分组成。

发光源常用砷化镓红外发光二极管，发光源引出的管脚为输入端。

常用的受光器有光敏三极管、光敏晶闸管和光敏集成电路等。

受光器引出的管脚为输出端。

光耦合器利用电---光----电两次转换的原理，通过光进行输入与输出之间的耦合。

光耦合器输入与输出之间具有很高的绝缘电阻，可以达到10的10次方欧姆，输入与输出间能承受2000V以上的耐压，信号单向传输而无反馈影响。

具有抗干扰能力强、响应速度快、工作可靠等优点，因而用途广泛。

如在：高压开关、信号隔离转换、电平匹配等电路中。

光隔离常用如图：五、电容有电解电容、瓷片电容、涤纶电容、纸介电容等。

利用电容的两端的电压不能突变的特性可以达到滤波和平滑电压的目的以及电路之间信号的耦合。

电解电容是有极性的（有+、-之分）使用时注意极性和耐压。

电路原理图一般用C1、C2、C？等表示。

半导体二极管、三极管、场效应管是电路中最常用的半导体器件，PN结是构成各种半导体器件的重要基础。

导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。

具有热敏、光敏、掺杂特性；根据掺入的杂质不同，可分为：N型半导体、P型半导体。

PN结是采用特定的制造工艺，使一块半导体的两边分别形成P型半导体和N型半导体，它们交界面就形成PN结。

PN结具有单向导电性，即在P端加正电压，N端接负时PN结电阻很低，PN结处于导通状态，加反向电压时，PN结呈高阻状态，为截止,漏电流很小。

一、二极管将PN结加上相应的电极引线和管壳就成为半导体二极管。

P结引出的电极称为阳极（正极），N结引出的电极称为阴极（负极），原理图中一般常用D1、D2、D？等表示。

二极管正向导通特性（死区电压）：硅管的死区电压大于0。

5V，诸管大于0。

1V。

用数字式万用表的二极管档可直接测量出正极和负极。

利用二极管的单向导电性可以组成整流电路。

将交流电压变为单向脉动电压。

电子元器件基础知识(4)——半导体器件

电子元器件基础知识（4）——半导体器件一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分立器件型号命名方法二、日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

电子元器件基础知识及万用表的使用(精简)

按容量是否可调分类：
a. 固定电容器 b. 可变电容器（空气介质、塑膜介质） c. 微调电容器（陶瓷介质、空气介质、塑膜介质）
+
一般电容器
极性电容器可变电容器
3.3 主要性能参数（一）
⑴ 标称容量是指在电容上所标注的容量。 ⑵ 额定工作电压与击穿电压当电容两极板之间所加的电压达到某一数值时，电容就会被击穿，该电压叫做电容的击穿电压。电容的额定工作电压又称电容的耐压，它是指电容器长期安全工作所允许施加的最大直流电压，其值通常为击穿电压的一半。
按制造材料：碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻，无感电阻，薄膜电阻等。
按安装方式：插件电阻、贴片电阻。按使用功能：负载电阻，采样电阻，分流电阻，保护电阻等。
①碳膜电阻（RT）：
碳膜电阻为最早期也最普遍使用的电阻器，利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂一层碳膜，再将碳膜外层加工切割成螺旋纹状，依照螺旋纹的多寡来定其电阻值，螺旋纹愈多时表示电阻值愈大。最后在外层涂上环氧树脂密封保护而成。其阻值误差较金属皮膜电阻高，但价钱便宜。
3.2 分类
按介质材料分类：
a. 有机介质：复合介质、纸介质、塑料介质（涤纶、聚
苯乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚四氟乙烯）、薄膜复
合。 b. 无机介质：云母电容、玻璃釉电容（圆片状、管状、
矩形、片状电容、穿心电容）、陶瓷（独石）电容。
c. 气体介质：空气电容、真空电容、充气电容。 d. 电解质：普通铝电解、钽电解、铌电解。
标称值0. 01μF 偏差±10% 工作电压63V 卧式色环电容器
3.5 电容的检测方法
⑴ 电容的常见故障开路故障：指电容的引脚在内部断开的情况。此时电容的电阻为无穷大。电容击穿：指电容两极板之间的介质绝缘性被破坏，变为导体的情况。此时电容的电阻变为零。

电工电子技术基础4-2- 电阻元件、电感元件与电容元件

3. 电容元件描述电容两端加电源后，其两个极板上分别
聚集起等量异号的电荷，在介质中建立起电场，并储存电场能量的性质。
当电压 u 变化时，在电路中产生电流:
i
+
u
C
_
电容元件
i dq C du dt dt
u、i 参考方向不同时，项前加一负号。
当电容两端加恒定电压时，其中电流 I 为零，电容元件可视为开路。
根据基尔霍夫定律：
u
eL
L di dt
上式两边同乘上 i ，积分可得：
t ui dt
t Lidi 1 Li20 Nhomakorabea0
2
磁场能
W 1 Li 2 2
电感将电能转换为磁场能储存在线圈中。
当电流增大时，磁场能增大，电感元件从电源取用电能；
当电流减小时，磁场能减小，电感元件向电源放还能量。
工字型电感
磁场能量的性质。
u
(1) 物理意义
电流通过一匝线圈产生 Φ (磁通)
电流通过N匝线圈产生 ψ NΦ (磁链)
i
+
u eL L
+
电感元件
电感: L ψ NΦ (H) ii
线性电感: L为常数; 非线性电感: L不为常数
(2)自感电动势
eL
dψ dt
L di dt
方向：与电流参考方向相同；或符合右手螺旋定则。
涤纶电容
云母电容
电解电容
陶瓷电容
瓷片电容
独石电容
钽电容
电机启动电容贴片电容
可调电容
小结
1. 电阻元件
电压电流基本关系： u iR
2. 电感元件
电压电流基本关系： u L di dt

电子元器件基础知识

表.误差允许范围标识方法
贴片电阻分为普通电阻（J）和精密电阻（F）两种，一般情况下，精密电阻可替代普通电阻.
A、三号码：用三位数字表示阻值的大小，一般为普通电阻，误差为5%
●第一、二1）位三数位：数有字效（数普字通电阻）
第三位数：倍率
R =第1、2位有效数字组合×10n
●范例：
其中n为第3位数字
2）带小数点 R 代表小数点
变压器二极管
三极管集成电路IC 晶振crystal 保险丝fuse 开关switch
连接器电池
两个或以上线圈小玻璃体，一条色环标记为
1Nxxx/LED 三只引脚，通常标记为
2Nxxx/DIP/SOT
金属体
有触发式、按键式及旋转式，通常为DIP
正负极，电压
有有
有有四脚晶振有方向无有有有
或
B、电路上以 R+数字表示电阻。
3.电阻的作用基本用途：限流和分压其它应用：发热（电炉丝）
4.常见电阻类型
碳膜电阻
金属氧化膜电阻
水泥电阻
电位器
金属膜电阻
贴片电阻
线绕电阻
热敏电阻
光敏电阻
压敏电阻
直插排阻
片式排阻
5.常见电阻的结构和特点
电阻种类
电阻结构和特点
碳膜电阻
气态碳氢化合物在高温和真空中分解，碳沉积在瓷棒或者瓷管上，形成一层结晶碳膜。改变碳膜厚度和用刻槽的方法变更碳膜的长度，可以得到不同的阻值。碳膜电阻成本较低，性能一般。
第三环：倍率 ●范例：阻值：15×100=15Ω
误差：±20%
数数倍
字字率
2）四色环：误差＞2%，多为碳膜电阻环环

电子技术基础第四章习题答案

答：应选用C7650 因为其共模抑制比最高 KCMR=120~150最高。
4.3 在分析反相加法、差分式减法、反相积分和微分电路中，所根据的基本概念是什么？KCL是否得到应用？如何导出它们输入-输出的关系？
答：所根据的基本概念是虚短、虚断。KCL在分析反馈电流与比较电流的关系时得到应用。根据反馈电流与比较电流的关系导出输出-输入的关系。
第4章习题
4.1 在反相求和电路中，集成运放的反相输入端是如何形成虚地的？该电路属于何种反馈类型？
答：在反相求和电路中，集成运放的反相输入端是等于同相输入端的电压，而同相端接地，所以在反相形成虚地。该电路属于电压并联负反馈
4.2 说明在差分式减法电路中，运放的两输入端存在共模电压，为提高运算精度，应选用何种运放？
输出波形如图（b）。传输特性如图（c）.
答： 4.10求图所示电路的输出电压uo，设运放是理想的
；；；；将电路中的电阻参数代入上式得
；；；
整理后：代入中 =2.31u3+1.16u4-2u2-1.25u1 4.11 画出实现下述运算的电路：
uo=2ui1－6ui2+3ui3－0.8ui4
4.12 图为积分求和运算电路，设运放是理想的，试推导输出电压与各输入电压的关系式。
解：根据虚断：i1+i2+i3=if 4.13 实用积分电路如图所示，设运放和电容均为理想的。（1）试求证：；
（2）说明运放A1、A2各起什么作用？
解：
；； ∵ Rf＝R2 R1＝R3 ∴ ∵ ①；将代入①后u01得：
对等式两边积分得：－ 4.14 求图所示比较器的阀值，画出传输特性。又若输入电压uI波形如图所示时，画出uo波形（在时间上必须与uI对应）。解：uo=6V时 uo=-6V时

电子部品基础知识

常用电子部品知识一、电阻代码：R 单位：Ω（欧姆） 1、电阻的种类常见的种类：金属膜电阻（RJ ）、金属氧化膜电阻（RY ）、碳膜电阻（RT ）、线绕电阻（RX ）、等。

电阻器的种类：固定电阻、可变电阻、热敏电阻、电位器。

金属膜电阻：体积小、噪声低、元件本身耐热；性能好，成本高。

线绕电阻：电阻值小而准；精密度较高，耐热性能好。

电阻的结构：电阻由碳膜、碳质、金属膜、金属氧化膜、瓷管引出端子组成。

热敏电阻：是利用半导体的电阻值随温度显著变化这一特性制成的热敏元件。

是一种将温度变换成电量的敏感元件。

主要用于温度控制、温度测量、温度补偿及过载保护等场合。

2、什么叫电阻器？在电路中作降压作用，限制电流并且有一定的电阻值的元件称电阻器，简称电阻。

作用：降压、限流；在电源电路中作为去耦电阻使用等，作用很多，电路中无处不使用电阻。

3、电阻的单位一般用欧姆“Ω”表示，比其大的单位有千欧“K Ω”及兆欧“M Ω” 它们的换算关系： 1兆欧=1000千欧=10 欧姆 1M Ω=1000K=10Ω66按外形区分：色环电阻、片状电阻、排阻。

按功能区分：固定电阻、热敏电阻、压敏电阻、可变电阻、电位器。

按功率区分：4/16W、1/8W、1/4W、1/2W、1W等，功率由形状大小可区分，体积越大，功率越大。

4、电阻的基本特征：电阻器对于电路中流过的电流，电压的阻碍大小，也就是用来控制电路中的电流大小及电压高低，阻碍的大小为电阻器的电阻值也叫电阻值细标称值。

5、电阻命名符号及意义第一部分第二部分第三部分第四部分主称材料分类序号符号意义符号意义符号意义一般用数字表示产品的序号，Ｒ电阻器Ｔ炭膜１普通以区分外形尺寸和性能指标。

Ｊ金属膜２普通Ｙ氧化膜３超高频Ｈ合成膜 4 高阻Ｓ有机实心５高温Ｎ无机实心６Ｉ玻璃釉膜７精密Ｘ线绕８高压９特殊Ｇ高功率Ｔ可调例如，ＲＸ２２表示普通线绕电阻，ＲＪ７５表示精密金属膜电阻。

常用的ＲＪ为金属膜电阻；ＲＸ为线绕电阻；ＲＴ为炭膜电阻。

电子元器件基础知识大全

电子元器件基础知识Ⅰ.电阻导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。

一、电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。

如R表示电阻，W表示电位器。

第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。

第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。

1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。

第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻二、电阻器的分类1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。

2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。

3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。

4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。

三、电阻器主要特性参数1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。

2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。

允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。

线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500非线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、1004、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。

电子元件基础知识培训

电子元件基础知识培训随着科技的不断发展，电子技术已经成为了我们日常生活中不可或缺的一部分。

对于电子工程师、电子爱好者等人群来说，理解电子元件最基础的知识是非常重要的。

因为这些知识将为后续的学习和工作奠定良好的基础。

本文将从以下几个方面对电子元件的基础知识进行详细的介绍和培训。

一、电子元件的分类电子元件主要可以分为被动元件和主动元件两种。

被动元件指的是不能产生电信号或不具有放大、开关等主动功能的器件。

包括电阻器、电容器、电感器等。

而主动元件就是那些能够在电路中起主要作用的器件。

包括二极管、三极管、场效应管、集成电路等。

二、电阻器电阻器是一种可以储存能量的元件。

电阻器的主要作用是将电能转换为热能，使电流通过元件时所消耗的能量变成热能消耗掉。

构成电阻器的材料有金属、碳、铜等常见材质。

电阻器的特性一般由其阻值、耐功率、精度以及温度系数等几个方面来定义。

其中，阻值指的是电阻器的电阻大小，单位为欧姆；耐功率指的是电阻器所能承受的最大功率值；精度指的是电阻器的输出电阻值与实际值之间的误差；温度系数指的是随着温度的变化，电阻值所发生的变化。

三、电容器电容器是储存电荷的元件，主要由两个导电板之间的介质层构成。

常见的介质层材质有金属膜、陶瓷、聚合物等。

电容器的特性主要由其容量、极限电压、损耗角正切、极间电阻等方面来定义。

其中，容量指的是电容器的储存电荷的能力，通常用法拉表示；极限电压指的是电容器所能承受的最大电压值；损耗角正切指的是电容器内部电流与电场之间的相位差；极间电阻指的是介质层与导电板之间的电阻。

四、电感器电感器是一种能够储存电磁能的元件。

主要由绕组和磁芯结构组成。

磁芯材质有磁性材料、铁氧体等。

电感器的特性主要由其参数、品质因数、极间电阻等几个方面来定义。

其中，参数指的是电感器的电感值，通常用亨利表示。

品质因数指的是电感器的能量损失、电耗能力等方面的指标，通常用无量纲指数表示。

极间电阻指的是电感器内部的电阻。

常用电子元器件的认识

电子元器件的认识开关电源(SＰS）是由众多的元器件构成，因此,要了解开关电源的原理,学会看电路图.首先必须掌握元器件的主要性能,结构,工作原理,电路符号,参数标准方法和质量检测方法,下面将作逐一介绍.一.电阻器电阻器简称电阻,英文Resiｓｔoｒ1.电路符号和外形.（a） (b) (c)(a)国外电阻器电路符号．(b)国内符号．（c)色环电阻外形2.电阻概念：电阻具有阻碍电流的作用.公式R=U/I常用单位为欧姆(Ω）,千欧(ＫΩ）和兆欧（MΩ）．1M=10 K10 Ω3.种类电阻器的种类有:碳膜电阻,金属氧化膜电阻，绕线电阻,贴片电阻, 可调电阻,水泥电阻.4.性能参数(1)标称阻值与允许误差(2)额定功率:指在特定（如温度等)条件下电阻器所能承受的最大功率,当超过此功率,电阻器会过热而烧坏．通用碳膜电阻Power RatｉnｇCurve （Fi ｇurｅ1）(3)电阻温度系数(4). 工作温度范围CａrbonＦilm：-5５℃－-－－+15５℃Metal Film：-55℃－-－-＋１55℃Meｔａl ＯｘidｅFiｌm:-5５℃--－-+２00℃Chｉp Film :-55℃----＋125℃5.标注方法：(1)直标法(2)色标法色标法是用色环或色点来表示电阻的标称阻值,误差.色环有四道环和五道环两种.读色环时从电阻器离色环最进的一端读起,在色标法中，色标颜色表示数字如下:颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰白金银数字0 1 ２ 3 4 5 ６７8 ９-１－2四色环中，第一,二道色环表示标称阻值的有效值，第三道色环表示倍数,第四道色环表示允许偏差，五色环中,前三道表示有效值,第四到为倍数,第五道为允许误差.精密电阻常用此法.例１:有一电阻器,色环颜顺序为:棕,黑,橙,银，则阻值为:１０X１0±10%（Ω)6.误差代码Tｏleｒance ±1%±２% ±２.５%±3％±5％±10%±２０％Ｓｙｍboｌs FG H I J K M7.电阻的分类(1）. 碳膜电阻(2).金属膜电阻(保险丝电阻)(3）. 金属氧化膜电阻(4). 绕线电阻(5).保险丝二:电容器英文Capaciｔｏr1．电路符号(a)(b)(a）,(b)分别表示为无极性,有极性的电容器的电路符号．2.电容慨念电容器是储存电荷的容器.电容器的容量C由下式决定:C=Q/U=ΣS/4πｄ，单位法拉(F)．3.种类电容器可分为:陶瓷电容，电解电容,安规电容，贴片电容,塑料电容.４.主要性能参数(1)标准容量及允许偏差(2)额定电压(3)损耗系数DF值DF=Ｐ耗/P总P耗为充放电损耗功率,P总为充放电总能量．(4)温度系数5.标注方法(1)直标法(2)色标法:类似电阻器之色标法,三色环无偏差表示,单位PF6．多层陶瓷电容器电介质分类NPＯ(COG)﹕一类电介质﹐电气性能最稳定﹐基本上不随温度﹐电压与时间的改变而改变﹐适用于对稳定性要求高的电路﹒X7R（2X１） : 二类电介质﹐电气性能较稳定﹐在温度﹐电压与时间改变时性能变化并不显著﹐适用于隔直,偶合旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路.由于X７R是一种强电介质，因而能造出容量比NPO介质更大的电容器.Ｙ5V（2F４) : 二类电介质,具有较高的介电常数,常用于生产比容较大的/标称容量较高的大容量电容器产品,但其容量稳定性较X7R差,容量/损耗对温度,电压等测试条件较敏感．7. Plastiｃ Film Ｃａpacitoｒs(1).Poｌystyrene Ｆiｌm Capａcｉｔｏr (聚苯乙烯膜電容器)High prｅcision of capacitａnce.Lｏw diｓsｉpation factoｒand ｌｏw ESR．High insｕｌatiｏn reｓistaｎceＨigh ｓtabiｌiｔｙｏf cａｐacitancｅanｄDF VS tempｅrａture and frｅｑｕencｙ.（2) PolyesteｒFilm Capacitor（聚乙烯膜電容器)Hｉgh moistureｒｅsistａnｃｅＧｏod soｌｄerａｂilｉtyAｖailable oｎｔapｅanｄreel fｏr autｏｍaｔiｃｉnserｔｉonＥSR iｓmiｎimized.(3) Meｔaｌlized Ｐolyｅster Fｉlm Caｐaｃitor(金屬化聚乙烯膜電容器)Ｈigh mｏｉsture resisｔａｎｃe.Good solderabilｉty.Nｏn-inductivｅcｏnｓtructiｏn ａｎｄsｅｌl-ｈealiｎg ｐrｏpeｒｔy.(4) Polypropｙｌene Ｆilm Capacitｏr(聚丙烯膜電容器)Low ｄｉsｓiｐaｔion factor and hiｇｈiｎsulａtion rｅsisｔanｃe．Ｈiｇh stabilｉty ｏｆｃapacitａｎｃe anｄDＦＶSｔｅmpｅraｔure and ｆr ｅquｅnｃy.Loｗｅｑuivaｌeｎt sｅrieｓreｓistａｎce．Ｎｏn-inductiｖｅcｏｎｓｔrucｔion8.X電容9.Ｙ電容三．电感器(英文Ｃｈｏke 即线圈)1.电路符号（普通电感无极性) 2.主要参数(1)电感量及允许偏差 (2)品质因子(Ｑ值）感抗x L =W L=2πｆL Q ＝２πfL/Ｒ Q 即为品质因子3.种类可分为固定电感器,带磁心电感线圈，可变电感器四.半导体二极管 (英文 Di ｏde)DIODE Test # Descr ｉp ｔion1 VF F ｏr ｗa ｒｄ v ｏlt ａge2 IR Ｒｅv ｅrs ｅ curren ｔ lea ｋａｇe3BV ＲＢreak ｄｏw ｎ voltagｅ1.电路符号2.单向导电性二极管只能一个方向流过电流,即电能只能从它正极流向负极．在正常情况下，硅管的正向压降为０.６~０.7V,锗管0.2~0．3Ｖ，即二极管正向压降基本保持不变,当外加正向电压达到一定程度,二极管正向电流会很大,将烧坏二极管.当加在二极管上的反向电压小于一个临界值时,二极管的反向电流很小,即反向时二极管的内阻很大,相当于二极管截止.当二极管的反向电压大于临界值时,二极管会反向击穿.3.结构是由一个P型半导体和一个Ｎ型半导体构成,组成一个PN结，P Ｎ结具有单向导电性.４.种类（1)普通二极管 (2）发光二极管（3)稳压二极管 (４)变容二极管（6）肖特基二极管5．主要参数(1)最大平均整流电流I F:表征二极管所能流过的最大正向电流.在一个周期内的平均电流值不能超过IＦ，否则二极管将会烧坏.(2)最大反向工作电压ＶR(3)反向电流I R：是在最大反向工作电压下的二极管反向电流值(4)工作频率:表示二极管在高频下的单向导电性能.五.稳压二极管DescriptionZENEＲTｅｓt#1 VＦFoｒward volｔage2 BV Z Miｎｉmｕm Zeｎｅr ｖｏlｔａge.(Use tesｔ#5)3 ＢＶZ ＭａxiｍuｍZｅnｅｒｖoltaｇe.(Use teｓt #5)４I R Rｅverseｃｕrrｅnt leaｋage5 BVＺＢＶz with prｏｇｒammaｂle soａk6 ZZ 1 KHｚZenｅr Ｉmpedance（ｒeｑuirｅｓZＺ-1000 or Ｍodｅl 5310)１．电路符号(图一) （图二)2.稳压原理从（图二）稳压特性曲线可以看出,当稳压管反向击穿后，流过二极管的工作电流发生很大变化时，稳压二极管的电压降压V2基本不变,所以稳压管稳压就是利用二极管两端的电压能稳定不变.若加在稳压管上的反向电压小于反向击穿电压值,那么稳压管处于截止状态，即开路.3.主要参数(1)稳定电压(2)稳定电流：稳压管工作对参考电流值,电流小于该值,稳压效果会略差些.(3)额定功率损耗(4)电压温度系数(5)动态电阻六．半导体三极管(又称晶体三极管)TRＡNSＩSTO ＲTest#Deｓcｒipｔion１h FE Forｗard－cｕrrenｔｔｒanｓｆer ratio2 V BE Ｂasｅemittｅr ｖｏltage（ｓee also Apｐendix F）3 IＥBＯEmittｅr ｔo base cｕｔｏff currｅnt4 VＣESAT Sａturaｔion ｖolｔagｅ5 IＣＢO Cｏlｌｅctoｒto base ｃutｏff ｃurｒeｎt6 I CEO Collｅｃtor to eｍｉter cutoｆfｃurrｅｎｔI CER, ｗｉｔh bａsｅto eｍiterload,I CEX, ｒeverse ｂias,orI CEＳshorｔ（see also Ａｐpendｉx F)7 BV CEO Bｒeａkdown volｔage，ｃoｌleｃtor ｔoemitter,BV CＥR wiｔh base tｏｅmｉteｒｌoａd,ＢV CEＸrevｅrse biaｓ，orUBV ＣES s ｈort(s ｅｅ a ｌs ｏ App ｅndix F)8 BV ＣBO Br ｅakd ｏwn ｖｏl ｔage,coll ｅc ｔｏr to ｂase９ BV E ＢO Br ｅa ｋｄo ｗｎ v ｏｌt ａｇe,ｅmitter to base10V B ＥSAT Bas ｅ emi ｔter s ａturation vo ｌtage１．电路符号(ｂ）PNP(a) NＰN三极管是由三块半导体组成,构成两个PN 结,即集电结,分别是集电极,基极,发射极,管子中工作电流有集电极电流Ｉc ，基极电流Ib,发射极电流Ｉe,I ｅ＝I ｂ+Ic Ic ＝βＩb ， β为三极管电流放大倍数． (1）NP Ｎ (2） PNP（3)共(b) PNP发射极输出特性曲线(1)放大区发射结正偏,集电结反偏，E１>E２，即NＰN型三极管V c>Vｂ>V e，ＰNＰ型三极管V c＜Ｖｂ<Ｖe.三极管处于放大状态．由于Ic=βIb,即Iｃ受Iｂ控制,而Ic的电流能量是由电源提供的，此时Ube=0.6～0.7Ｖ（ＮPN硅管)(2)截止Ib≦０的区域称截止区,U BE＜0.5V时，三极开始截止,为了截止可靠,常使ＵBＥ≦0，即发射结零偏或反偏,截止时,集电结也反向偏置.(3)饱和区当VＣE<V BE,即集电结正向偏置，发射结正向偏置时,三极管处于饱和区.饱和压降U CE(saｔ）,小功率硅管U CE(ｓａt)≒0．3V,锗管ＵCE(sat)≒0.1V4.主要参数(1)共发射极直流电流放大系数β,即Hｆe,β=I C/ＩB(2)共发射极交流电流放大系数β. β＝ΔI C/ΔI B(3)集电极，基极反向饱和电流I CBO(4)集电极，发射极反向饱和电流I CＥO,即穿透电流(5)集电极最大允许功耗ＰＣM(6)集电极最大允许电流ＩCＭ(7)集电极,基极反向击穿电压Ｕ(BR)ＣＢO(8)发射极,基极反向击穿电压U(BR)CBO(9)集电极,发射极反向击穿电压U(ＢR）ＣBO七.可控硅(英文简称ＳＣＲ，也叫晶闸管）SCR Ｔｅst # Ｄescriptｉｏn1 ＩＧT Gatｅ-triggｅr cｕrrent2 I GＫO Ｒｅveｒｓe gate ｃurrent５VＧT Ｇate-triggｅｒｖｏltage6 BＶGＫO Ｒeverｓｅgaet breａkｄowｎｖｏltagｅ7 ＩDRM Forward Blｏｃｋｉng curｒｅｎｔ８I RRM ＲeveｒsｅBloｃkinｇcurrｅnt9 I L Laｔching ｃurrｅnt11 IＨHｏｌdｉng ｃurｒent(see alsｏAｐpendｉx F)１3 VＴM Forwaｒd oｎｖolｔａge1５ＶＤRM Forｗａrｄｂlocｋｉｎg voltage1６V RRM Reversｅblｏcking ｖoltage1.电路符号A K阳极 G 控制极阴极2.工作原理(1)在阳，阴极间加上一个正电压,再在控制极和阴极之间加上正电压,可控硅导通.(2)可控硅导通后,去掉控制极上的电压,可控硅仍然导通,所以控制极上的电压称为触发电压．(3)导通后,U AK=0.6~1.2V(4)要使导通的可控硅截止,得降低 U AK,同时阳极电流也下降,当阳极电流小于最小维持电流I H时,可控硅仍能截止.3.主要参数(1)正向转折电压UB0,指在控制极开路，使可控硅导通所对应的峰值电压（2)通态平均电压ＵF，约为０.6～1．2Ｖ(３)擎住电流Iｃa-----—由断态至通态的临界电流．(4)维持电流IＨ:从通态至断态的临界电流(5)控制极触发电压U G，一般1~5V(6)控制极触发电流一般为几十毫安至几百毫安.八．变压器变压器是变换电压的器件1.电路符号. .L１ L2(a)(a)图中是带铁芯（或磁芯)的变压器的符号，它有两组线圈L1,Ｌ2,其中L1为初级，L2为次级.圈中黑点表示线圈的同名端，它表明是同名端的两端上的信号相位是同样的．1.结构构成变压器的部件一般有初级线圈,次级线圈.铁芯线圈骨架,外壳等组成．为了防潮,绝缘，坚固,有时还泡有几立水.铁芯是用来提供磁路的． 3.工作原理当给初级通入交流电时,交流电流流过初级,初级要产生交变磁场，这一交变磁场的变化规律与输入初级的交流电变化规律一样．初级的交变磁场作用于次级线圈.次级线圈由磁励电,在次级两端便有感生电压,这样初级上的电压便传输到次级了.4．主要参数(1)变匝比:变压器初级匝数为N1,次级匝数为Ｎ2,在初级上加信号电压为Ｕ1，次级上的电压为U２,则有下式成立:U２/U1＝Ｎ２/N１=N N为变压器的变压比(2)效率是在额定负载时,输出功率与输入功率之比值，即η=Ｐo／P i*1０0％(3)电压,电流的关系若η=100%，则有Ｐ2＝P1,式中：P２为输出功率,Ｐ1为输入功率．因此有:U2/U1=I1/Ｉ2＝N2/N1=N九．光电藕合器 (英文 PHOTO COＵPＬＥ）OPＴOCOUPLERTest #(Ｒeｑuiｒes Ｏpto Adapt ｅr) 1 LCOFＦＣollｅｃｔor tｏemitter daｒkｃurrent２ＬCBO Coｌlector ｔoｂase daｒkcurreｎｔ3 ＢVCEO Breakdoｗn voltage，collector ｔo eｍiｔtｅr4 BVＣBＯBreakdoｗｎvoltａge，collecｔor tｏｂasｅ5 ＨFE Forwarｄcurｒent tｒansfer ratｉo,tｒaｎsistｏr６VCESＡT Sａｔｕrａtionｖoｌtａgｅ,base dｒｉｖeｎ7 ＩR Ｒeverse ｃurrｅnt８VＦForward voltａge9 CTＲCurrｅnｔtransfer ｒatｉo,coupled１0 VＳAT Saｔurationｖoltage,ｃoｕpｌｅd光电藕合器主要由两个组件组成,一个发光二极管(ＬEＤ）,另一个是光敏器件，它可以是光电池，光敏三极管，光敏单向可控硅等器件.1.电路符号2.工作原理当有电流流过ＬED时,便产生一个光源,光的强度取决于激励电流的强度，此光源照射到封装在一起的光敏三极管上后,光敏三极管产生一个与LEＤ正向电流成正比例,该比例称为CTR,即电流传输比.I FＩCＩC/I F＝CTR十.场效应管JＥFT Tesｔ# Desｃｒiptｉｏn1 VGSOFF Gate to sｏurce ｃutoff volｔaｇｅ.2 lDss Zero gａtｅvoltage draｉnｃｕrreｎｔ.3 BVDGＯDraｉn tｏgate brｅａkｄown vｏlｔage.4 IＧSS Ｇａte revｅrse curｒenｔ.5 IDGＯDｒａｉn to gａte leaｋａge.6 IDＯFF Drain cut-oｆf ｃuｒreｎｔ．7 ＢVGSＳGate to souｒcｅbrｅakdowｎvｏltage.８VDSＯN Dｒaiｎto source on-ｓtａte ｖoltage.场效应管是一种由输入信号电压来控制其输出电流大小的半导体三极管，是电压控制器件,输入电阻非常高．场效应管分为:结型场效应管(ＪＦEＴ)和绝缘珊场效应管(ＩGF ＥT)两大类.结型应管一.结型场效应管有N型和Ｐ型沟道两种，电路符号如下ｄ d结型场效应管有三极:珊极g源极N型ｓP型ｓ漏极二.工作原理结型场效应管有两个PN结,在珊源极上加一定电压,在场效应管内部会形成一个导电沟道,当ｄ,ｓ极间加上一定电压时,电流就可以从沟道中流过,即通过源电压来改变导电沟道电阻,实现对漏极电流的控制.三.结型场效应管的主要参数1.夹断电压U DＳ(ｏfｆ),当UＤS等于某一个定值(10v),使Iｄ等于某一个微小电流(如５０ｕＡ）时，源极间所加的U GS即为夹断电压．U DS(oｆf)一般为1~１0V2.饱和漏极电流I DS：当U GS=0时,场效应管发生预夹断时的漏极电流.3.直流输入电阻R GS4.低频跨导GM5.漏源击穿电压Ｕ（BR)DS6.珊源击穿电压U（BR)ＧS7.最大耗散功率PＤM绝缘珊场效应管ＭOSＦET Test # Dｅscrｉptiｏn1 ＶGSTH Thｒeshｏld voltaｇ2 IDｓs Zero gaｔe ｖoltaｇe dｒain currｅnｔ.lDSx with gateｔo Sourｃe revｅrｓｅbｉas.3 BVDｓs Drａin ｔo Sｏｕrcｅbreakdｏwｎvoltａgｅ.4 VDSＯＮDrａin to Ｓource oｎ－sｔate voltaｇｅ.5 IGSSF Ｇａteｔo Source ｌeakagｅcｕrｒｅnｔｆｏｒward．6 IGSSR Gate to Sｏurce leaｋａge curｒent reｖｅrｓｅ．7 ＶF Diode ｆｏrｗａrd voｌtaｇe.8 VＧSF Gａte to Sｏｕrce voltaｇe (foｒｗard）reqｕired for specifieｄIn ａｔｓpecｉfｉedＶos.(ｓee SIＳＱAppendix F)9 VGＳＲＧａte to Sourｃe volｔagｅ(reverse)ｒeｑuired for ｓpｅｃified ID at specｉｆｉeｄＶDＳ.(ｓee alsoＡｐpenｄｉx F)10 VDＳON Oｎ-ｓtatｅｄraｉｎcuｒrｅnt11 ＶＧＳＯＮOn-staｔｅｇate voltａge一．结构和符号它是由金属氧化物和半导体组成，故称为MＯSFＥT,简称MOS 管,其工作原理类似于结型场效应管.符号和极性iＤ+ｓ(1)增强型 NMOS (2)增强型 PM ＯSｉD(３)耗尽型 NM ＯS (４)耗尽型P ＭOS二.主要参数1.漏源击穿电压B ＶＤＳ２.最大漏极电流I ＤMSX3.阀值电压V GS （开启电压)4.导通电阻R ＯN５.跨导（互导) (ＧM ） 6.最高工作濒率7.导通时间TON 和关断时间十一.集成电路 (英文 Integrae ｄ C ｉr ｃｕit 缩写为ＩＣ) 集成电路按引脚分别为：单列集成电路,双列集成电路,园顶封装集成电路,四列集成电路,反向分布集成电路．下列介绍几种IC(一).TL ４３1 它是一个基准电压稳压器电路,电路符号如图:阴极(K)参考输入端®(a) 阳极(A ）TL4３1内部结构如图(b),其内部有一个2.5Ｖ的基准电压,当U-Ｒ>2.5时，K，A极处于导通状态,当ＵR<2．5V时,K,A极截止.KRA(b）（二）．PWM开关电源的集成电路(IC)片1.DＮA1０01DP共１６ Pin，各Pin功能如下:1)．CＳ此脚做为电流模式控制,当此脚电压超过１.0V时,IC失去作用２)．GND 电源地3）.DRIVE 驱动MOＳＦET管的输出(方波输出)4).VCC 电源5)．UＲEＦ +５V参考电压6)．RT/CT此脚接RT到Pin5接CＴ到地,从而设定振荡频率与最大占空比.7).FＭ接电容到地,则会影响振荡频率,并且减少传导与辐射的电磁干扰,街地则无此功能.８).COMＰ内部此脚接到电流比较器上,外部电路此脚一般接到光耦合器的集电极端做回授之用.9)．SS 接一个电容到地.,可达到柔和起动功能.１0)．FAULT此脚电压超过2.5V,则IC失去作用,一般此脚作保护作用.11).BROＷN OUＴ此脚用来感应BUＬＫ CAPACTIOR上电压，若电压小于2.5V则IＣ失去作用.12).RＥX 此脚接一个电阻到地,用来作为电流产生器.1３).ADC 此脚用来限制占空比,当此脚电压高于2.5V时，占空比控比例开始减少.当V=1．5V时，占空比减少到最大占空比的65%. 1４)．POＣＰ接一个电容到地,将提供OCＰ功能,当此脚有一连串１.２V臃冲时,此IＣ失去功能．15）ＣSLOＰＥ此脚为振荡电路做电压补偿.1６0. ＧＮD 信号地.2.UＣ３８42（1)ＵＣ3842有８个Pin,其各Piｎ功能如下:１)．内部误差放大器输出端2）.反馈电压输入端3).电压供电端,当该脚电压超过１V时,6脚无臃冲输出4)．接KＴ,CT产生ｆ=1/RTＧ的振荡信号５).GND6).Dｒivｅ,驱动臃冲输出７).Ｖcc８).+5ｖ参考电压,由IＣ的内部产生(2)使UC3842输出端关闭的方法有三：１).关掉Vcc２).将3脚电压升至1Ｖ以上3).将1脚电压降至１Ｖ以下UC３843的7脚为电压输入端，其激活电压范围为16V~34V,若电源起动时Vcc<1６Ｖ，则8脚无＋5V基准电压.3．ＴＬ494ＴＬ４94有16Ｐin,各Pin功能如下:1）采样电压2)从14脚分压得2.5Ｖ标准电压3）接阻容电路，作消振校正用4)死区时间控制输入端,该脚电平升高，死区时间达到最大,使IC输出驱动脉冲最窄5)CT6)RＴ7)ＧNＤ8)Ｄrｉre驱动脉冲输出9）Driｒe 驱动脉冲输出１0）Drire 驱动脉冲输出11) Dｒｉrｅ驱动脉冲输出1２)Vcｃ13)输出方式控制,该脚接地,内部触器发失去作用14)+5v参考电压15)同相端16)反相端1７）16Pin通常作回授用(三)UC3８54ANUC3854是功率因子校正器（PＦC）的集成电路，它有16个Ｐiｎ,其各脚功能如下:1)GNＤ接地端2)ＰKLＭT峰值限制端，接电流检测电阻的电压负端,当电流峰值过高时,电路将被关闭.3）CAOUT 电流放大器ＣA输出端4)IＳEＮSE 电刘检测端，内部接ＣA输入负端，外部经电阻接电流检测电组的电压正端5)Mｕlt Ｏut 乘法器输出端,即电流检测另一端，内部接乘法／除法器输出端和CA输入正端,外端经电阻接电流检测电阻的电压负端６)JAC 输入电流端,内部接乘法/除法器输入端,外部经电阻接整流输入电压的正端7)ＵA Oｕt 电压放大器UＡ输出端,内部接乘法／除法器输入端,外部接RC反馈网络．8)URMＳ有效值电源电压端,内部经平方器接乘法/除法器输入端,起前馈作用，UＲMS的数值范围为1.５～4.7７v9)ＲEＦ基准电压端,产生7.5V基准电压10)ＥNA起动端,通过逻辑电路控制基准电压,振荡器,软起动等11)USEＮSE输出电压检测端,接电压放大器UA的输入负端1２）ＲSEＴ外接电阻ＲSET端,控制振荡器充电电流及限制乘法/除法器最大输出１3)SS软起动端14）CＴ外接电容CT端,ＣＴ为振荡器定时电容,使产生振荡频率为 f=1．25/ＲＳET*CT15)Ｖcc 集成电路的供电电压Vcc，额定值22V１6)ＧTＤRV 门极驱动端，通过电阻接功率MOS开关管门极,该端电位钳在１5V(四)DNＡ 1002 CＰ共16Pｉｎ，该IC有OUP,UＶP功能,其各Pｉｎ功能如下:1）ＬAＴCH 当过电压欠电压时，此脚为高电平，此脚为低电平表示输出正常．2)COＭ信号地3)PＧ正常工作时此脚为高电平PG信号输出．４)TＤON接个电容到地,产生PG延时.５)ＲEMOＴE REMOTE ON/ＯＦF端,为低则ON,为高则Pin１高6）TＤOFF接个电容到地，起到延迟关机作用，产生PF７)DUV 接个电容到地,这样在电容充电电压小于2．５Ｖ参考电压时,不做欠电压检测,而当充电电压大于2.5V参考电压时，欠电压检测恢复.8)BSENSE在ＩC内部，此Pin是电压供应比较器的同相输入,当此Pin 电压低于2.5v时，则Pin3与Pｉn７会变低.９）V5检测+5V的过电压与欠电压,其UUP点4．0~4.24V,ＯＶP 点为6.0~6．39V1０)V12检测+12V的过电压与欠电压,其UUＰ点为9.4～9.99V,OV Ｐ点为14.45~15.35V11)Ｖ-12 检测-12V的过电压与欠电压,此脚接参考电压,失去此功能12)V３.３检测３.3Ｖ的过电压与欠电压,此脚接Vcｃ，则失去此功能,其ＵUP点为１.09~１．16V，OVＰ点为1.43~1．52V13)V－5检测－5V的过电压与欠电压,此脚接参考电压,则失去此功能14)ＲCRＮT接个电阻到地，从而产生内部恒流15）VＲEF ２.5V参考电压输出16)Vcc IＣ电源。