湖北成立年产xx吨金属靶材公司可行性报告

湖北成立年产xx吨金属靶材公司可行性报告投资分析/实施方案报告摘要说明高纯溅射靶材行业是典型的技术密集型行业，要求业内厂商具有较强的技术研发实力和先进的生产工艺，具有完善的品质控制能力。

其主要技术门槛表现在以下几个方面。

纯度和杂质含量控制是靶材质量最重要的指标。

靶材的纯度对溅射薄膜的性能有很大影响。

若靶材中夹杂物的数量过高，在溅射过程中，易在晶圆上形成微粒，导致互连线短路或断路。

靶材的成分与结构均匀性也是考察靶材质量的关键。

对于复相结构的合金靶材和复合靶材，不仅要求成分的均匀性，还要求组织结构的均匀性。

晶粒晶向控制是产品研发主要攻克的方向。

溅射镀膜的过程中，致密度较小的溅射靶材受轰击时，由于靶材内部孔隙内存在的气体突然释放，造成大尺行业深度研究寸的靶材颗粒或微粒飞溅，或成膜之后膜材受二次电子轰击造成微粒飞溅，这些微粒的出现会降低薄膜品质。

例如在极大规模集成电路制作工艺过程中，每150mm直径硅片所能允许的微粒数必须小于30个。

怎样控制溅射靶材的晶粒，并提高其致密度以解决溅射过程中的微粒飞溅问题是溅射靶材的研发的关键。

靶材溅射时，靶材中的原子最容易沿着密排面方向优先溅射出来，材料的结晶方向对溅射速率和溅射膜层的厚度均匀性影响较大，最终影响下游产品的品质和性能。

需根据靶材的组织结构特点，采用不同的成型方法，进行反复的塑性变形、热处理工艺加以控制。

xxx公司由xxx投资公司（以下简称“A公司”）与xxx投资公司（以下简称“B公司”）共同出资成立，其中：A公司出资1090.0万元，占公司股份77%；B公司出资320.0万元，占公司股份23%。

xxx公司以金属靶材产业为核心，依托A公司的渠道资源和B公司的行业经验，xxx公司将快速形成行业竞争力，通过3-5年的发展，成为区域内行业龙头，带动并促进全行业的发展。

xxx公司计划总投资10664.53万元，其中：固定资产投资8952.22万元，占总投资的83.94%；流动资金1712.31万元，占总投资的16.06%。

根据规划，xxx公司正常经营年份可实现营业收入15188.00万元，总成本费用11551.76万元，税金及附加197.80万元，利润总额3636.24万元，利税总额4335.59万元，税后净利润2727.18万元，纳税总额1608.41万元，投资利润率34.10%，投资利税率40.65%，投资回报率25.57%，全部投资回收期5.41年，提供就业职位263个。

溅射工艺属于物理气相沉积（PVD）技术的一种，是制备电子薄膜材料的主要技术之一。

在电子信息产业的发展过程中，金属薄膜的制备十分重要。

溅射工艺利用离子源产生的离子，在真空中加速聚集成高速离子流，轰击固体表面，离子和固体表面的原子发生动能交换，使固体表面的原子离开靶材并沉积在基材表面，从而形成纳米（或微米）薄膜。

被轰击的固体是溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。

靶材质量的好坏对薄膜的性能起着至关重要的决定作用，因此，靶材是溅射过程的关键材料。

第一章总论一、拟筹建公司基本信息（一）公司名称xxx公司（待定，以工商登记信息为准）（二）注册资金公司注册资金：1410.0万元人民币。

（三）股权结构xxx公司由xxx投资公司（以下简称“A公司”）与xxx投资公司（以下简称“B公司”）共同出资成立，其中：A公司出资1090.0万元，占公司股份77%；B公司出资320.0万元，占公司股份23%。

（四）法人代表梁xx（五）注册地址xxx保税区（以工商登记信息为准）湖北省，简称鄂，中华人民共和国省级行政区，省会武汉。

地处中国中部地区，东邻安徽，西连重庆，西北与陕西接壤，南接江西、湖南，北与河南毗邻，介于北纬29°01′53″—33°6′47″、东经108°21′42″—116°07′50″之间，东西长约740千米，南北宽约470千米，总面积18.59万平方千米，占中国总面积的1.94%。

最东端是黄梅县，最西端是利川市，最南端是来凤县，最北端是郧西县。

湖北省地势大致为东、西、北三面环山，中间低平，略呈向南敞开的不完整盆地。

在全省总面积中，山地占56%，丘陵占24%，平原湖区占20%，属长江水系。

湖北省地处亚热带，全省除高山地区属高山气候外，大部分地区属亚热带季风性湿润气候。

截至2019年末，湖北省共辖12个地级市、1个自治州、4个省直辖县级行政单位，共有25个县级市、36个县、2个自治县、1个林区，常住人口5927万人。

实现地区生产总值（GD）45828.31亿元，其中，第一产业完成增加值3809.09亿元，第二产业完成增加值19098.62亿元，第三产业完成增加值22920.60亿元。

（六）主要经营范围以金属靶材行业为核心，及其配套产业。

（七）公司简介xxx公司由A公司与B公司共同投资组建。

顺应经济新常态，需要公司积极转变发展方式，实现内涵式增长。

为此，公司要求各级单位通过创新驱动、结构优化、产业升级、提升产品和服务质量、提高效率和效益等路径，努力实现“做实、做强、做大、做好、做长”的发展理念。

依托A公司的渠道资源和B公司的行业经验，xxx公司将快速形成行业竞争力，通过3-5年的发展，成为区域内行业龙头，带动并促进全行业的发展。

二、公司主营业务说明根据规划，依托xxx保税区良好的产业基础和创新氛围，充分发挥区位优势，全力打造以金属靶材为核心的产业示范项目。

溅射是制备薄膜材朴的主要技术之一，它利用离子源产生的离子，在真空中经过加速聚集，而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材籵，称为溅射靶材。

靶材是溅射薄膜制备的源头材料，又称溅射靶材。

是制备晶圆、面板、太阳能电池等表面电子薄膜的关键材料。

第二章公司组建背景分析一、金属靶材项目背景分析高纯溅射靶材行业是典型的技术密集型行业，要求业内厂商具有较强的技术研发实力和先进的生产工艺，具有完善的品质控制能力。

其主要技术门槛表现在以下几个方面。

纯度和杂质含量控制是靶材质量最重要的指标。

靶材的纯度对溅射薄膜的性能有很大影响。

若靶材中夹杂物的数量过高，在溅射过程中，易在晶圆上形成微粒，导致互连线短路或断路。

靶材的成分与结构均匀性也是考察靶材质量的关键。

对于复相结构的合金靶材和复合靶材，不仅要求成分的均匀性，还要求组织结构的均匀性。

晶粒晶向控制是产品研发主要攻克的方向。

溅射镀膜的过程中，致密度较小的溅射靶材受轰击时，由于靶材内部孔隙内存在的气体突然释放，造成大尺行业深度研究寸的靶材颗粒或微粒飞溅，或成膜之后膜材受二次电子轰击造成微粒飞溅，这些微粒的出现会降低薄膜品质。

例如在极大规模集成电路制作工艺过程中，每150mm直径硅片所能允许的微粒数必须小于30个。

怎样控制溅射靶材的晶粒，并提高其致密度以解决溅射过程中的微粒飞溅问题是溅射靶材的研发的关键。

靶材溅射时，靶材中的原子最容易沿着密排面方向优先溅射出来，材料的结晶方向对溅射速率和溅射膜层的厚度均匀性影响较大，最终影响下游产品的品质和性能。

需根据靶材的组织结构特点，采用不同的成型方法，进行反复的塑性变形、热处理工艺加以控制。

金属精密加工和外形控制直接影响下游客户的使用效果。

用于靶材溅射的机台十分精密，对溅射靶材的尺寸要求很高，这对靶材厂商的金属加工精度和加工质量提出了很高的要求，如表面平整度等。

例如，靶材粗糙化处理可使靶材表面布满丰富的凸起尖端，这些凸起尖端的电势将大大提高，从而击穿介质放电，但过大的凸起对于溅射的质量和稳定性是不利的。

随着薄膜技术的发展、芯片性能的提升，对配套溅射靶材在纯度、微观结构、可靠性等方面提出了越来越高的要求。

集成电路产业60年代起源于美国，80年代行业重心转向日本，90年代又转向韩国、台湾。

因而在靶材生产方面，日、美靶材企业得以与Intel、IBM等微电子巨头一起调试工艺，推进薄膜制备技术发展，具有很大的技术和品牌优势。

与之相比，虽然近年来半导体产业加速向我国转移，国内半导体产业正在迎来黄金期，但总体而言我国半导体行业尤其是中上游的电子化学品、化学材料产业仍处于起步阶段。

而我国一些靶材生产商是冶金材料企业，对半导体企业等使用方的实际需求很难做到“量体裁衣”。

这也要求国内靶材厂商对客户实际需要进行深刻、透彻的研究，与使用方一起完善工艺。

随着国内下游半导体、平面显示产业的发展，电子化学品需求量巨大，进口替代空间广阔，国内靶材企业有很大的发展空间。

溅射靶材产业链主要包括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用等环节，其中，靶材制造和溅射镀膜环节是整个溅射靶材产业链中的关键环节。

化学纯度是影响薄膜材料性能的关键因素，高纯金属原材料是靶材生产制造的基础。

高纯金属提纯分为化学提纯和物理提纯，在实际应用中，通常使用多种物理、化学手段联合提纯实现高纯材料的制备。

我国虽然拥有丰富的有色金属矿产资源，但我国高纯金属制备技术与国外相比仍存在一定差距，高纯金属有较大比重需从国外进口。

全球范围内，高纯金属产业集中度较高，美、日等国家的高纯金属生产商依托先进的提纯技术在整个产业链中居于十分有利的地位，具有较强的议价能力。

高纯溅射靶材是伴随着半导体工业的发展而兴起的，集成电路产业是目前高纯溅射靶材的主要应用领域之一。

受困于2008年爆发的金融危机，全球半导体市场2009年陷入全面衰退。

此后，全球半导体市场迅速反弹。

自2011年起，全球半导体市场进入平稳增长期。

半导体材料的市场规模也随着整个半导体行业市场规模的增长而增长。

国内高纯金属产业在靶材上游率先取得突破。

2004年以前，我国99%以上的高纯铝只能从美国和日本进口。

近年来随着技术的发展，我国也出现了一些高纯铝生产企业，有新疆众和、包头铝业、霍煤鸿骏、山西关铝、宜都东阳光铝、中铝贵州、神火铝业等，与美、日企业的差距正在缩小。

2016年我国国内高纯铝产量达11.8万吨，生产的高纯铝甚至部分返销国外。

在市场需求和政策鼓励下，国内半导体市场保持着平稳较快发展，国内半导体材料产业、靶材产业规模也日益扩大，其增速高于全球增速，在全球市场中所占份额逐渐提升。

得益于中国大陆晶圆厂建设的迅猛势头，中国已经成为全球最具潜力的半导体材料新兴市场。

2016年国内半导体用溅射靶材市场规模突破14亿元，全球半导体用溅射行业深度研究靶材市场规模突破12亿美元。

我们预测，未来5年，国内高纯溅射靶材市场规模年复合增长率可达到13%，总规模超过25亿元。

国内靶材市场将在2020年翻倍。

在全球处于规划或建设阶段、预计于2017年～2020年间投产的62座半导体晶圆厂中，有26座设于中国，占全球总数的42%，仅2018年，中国大陆就会有13座晶圆厂建成投产。