硅基薄膜太阳电池(二)
项目二 薄膜太阳电池制造工艺
非晶硅太阳能电池结构图
知识应用
2.P-I-N 结
由于a-Si(非晶硅)多缺陷的特点,a-Si的p-n结是不稳定的,而
且光照时光电导不明显,几乎没有有效的电荷收集。所以,aSi太阳能电池基本结构不是p-n结而是p-i-n结。
掺硼形成P区,掺磷形成n区,i为非杂质或轻掺杂的本征层(因
为非掺杂的a-Si是弱n型)。重掺杂的p、n区在电池内部形成内
知识应用
五、产品实例
保定天威薄膜光伏有限公司非晶硅薄膜组件
任务三 非晶硅/微晶硅薄膜太阳电池制造工艺
任务分析
由于非晶硅具有光致衰减效应(S-W效应)等缺点,故新一代 的硅基薄膜太阳电池技术通常使用双结或多结叠层技术,堆叠其它 具有较高光吸收系数的光吸收层,以减少光能损耗并提高电池转换 效率。国内以正泰太阳能的薄膜非晶硅/微晶硅叠层电池为代表, 即 以非晶硅为顶电池, 以微晶硅为底电池的叠层电池, 是目前获得高效 率高稳定性硅基薄膜太阳电池的最佳途径。
知识应用
三、多晶硅基薄膜的间接制备法
在硅基薄膜的各种直接制备法中,通过调节制备 过程中的关键参数,可以制备出非晶硅和多晶硅基薄 膜。多晶薄膜也可以通过非晶薄膜再结晶方法。固相 晶化法,激光诱导退火,金属诱导晶化。
任务二 非晶硅薄膜太阳电池制造工艺
任务分析
随着技术的进步,目前主流的非晶硅薄膜电池使用寿命已
知识应用
封装工艺
(2) 电池/EVA/PET(或TPT) 适用:一般太阳能应用产品,如应急灯,户用发电系统等 制造工艺流程:电池芯板(或芯板切割→边缘处理)→焊涂锡带→检测→EVA/PET 层压→检测→装边框(边框四周注电子硅胶)→装接线盒(或装插头)→连接线夹 →检测→包装 该方法制造的组件特点:防水性、防腐性、可靠性好,成本高。 (3)电池/EVA/普通玻璃 适用:发电系统等 制造工艺流程:电池芯板→电池四周喷砂或激光处理(10mm)→超声焊接→检测 →层压(电池/EVA/经钻孔的普通玻璃)→装边框(或不装框)→装接线盒→连接 线夹→检测→包装 该方法制造的组件特点:防水性、防腐性、可靠性好,成本高。
薄膜太阳能电池分类
薄膜太阳能电池分类21世纪初之前,太阳能电池主要以硅系太阳能电池为主,超过89%的光伏市场由硅系列太阳能电池所占领,但自2003年以来,晶体硅太阳能电池的主要原料多晶硅价格快速上涨,因此,业内人士自热而然将目光转向了成本较低的薄膜电池。
薄膜太阳电池可以使用在价格低廉的玻璃、塑料、陶瓷、石墨,金属片等不同材料当基板来制造,形成可产生电压的薄膜厚度仅需数μm,目前转换效率最高可达13%以上。
薄膜电池太阳电池除了平面之外,也因为具有可挠性可以制作成非平面构造其使用范围大,可和建筑物结合或是变成建筑体的一部份,使用非常广泛。
1.硅基薄膜电池硅基薄膜电池包括非晶硅薄膜电池、微晶硅薄膜电池、多晶硅薄膜电池,而目前市场主要是非晶硅薄膜电池产品。
非晶硅的禁带宽度为1.7eV,通过掺硼或磷可得到p型或n型a-Si。
为了提高效率和改善稳定性,还发展了p-i-n/p-i-n双层或多层结构式的叠层电池。
2.碲化镉(CdTe)薄膜电池碲化镉薄膜电池是最早发展的太阳电池之一,由于其工艺过程简单,制造成本低,实验室转换效率已超过16%,大规模效率超过12%,远高于非晶硅电池。
不过由于镉元素可能对环境造成污染,使用受到限制。
近年来美国FirstSolar公司采取了独特的蒸气输运法沉积等特殊措施,解决了污染问题,开始大规模生产,并为德国建造世界最大的光伏电站提供40MW 碲化镉太阳电池组件。
3.铜铟镓硒(CIGS)薄膜电池铜铟镓硒薄膜电池是近年来发展起来的新型太阳电池,通过磁控溅射、真空蒸发等方法,在基底上沉积铜铟镓硒薄膜,薄膜制作方法主要有多元分布蒸发法和金属预置层后硒化法等。
基底一般用玻璃,也可用不锈钢作为柔性衬底。
实验室最高效率已接近20%,成品组件效率已达到13%,是目前薄膜电池中效率最高的电池之一。
4.砷化镓(GaAs)薄膜电池砷化镓薄膜电池是在单晶硅基板上以化学气相沉积法生长GaAs薄膜所制成的薄膜太阳电池,其直接带隙1.424eV,具有30%以上的高转换效率,很早就被使用于人造卫星的太阳电池板。
太阳能电池的发展历史
太阳能电池的发展历史太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的设备,它在能源领域具有重要的意义。
本文将详细介绍太阳能电池的发展历史,包括关键的里程碑和技术发展。
1. 太阳能电池的起源太阳能电池的概念最早可以追溯到19世纪初。
1839年,法国科学家贝克勒尔发现了光电效应,即光线照射到某些材料上时会产生电流。
这个发现为太阳能电池的发展奠定了基础。
2. 第一代太阳能电池:硅基太阳能电池20世纪50年代,贝尔实验室的科学家们首次成功创造出可用的太阳能电池。
这种太阳能电池采用硅作为半导体材料,通过光照射到硅材料上产生电流。
硅基太阳能电池具有较高的效率和稳定性,成为当时主要的太阳能电池技术。
3. 第二代太阳能电池:薄膜太阳能电池20世纪70年代,科学家们开始研发新型的太阳能电池技术,以降低成本并提高效率。
薄膜太阳能电池应运而生,它采用较薄的材料作为光吸收层,如铜铟镓硒(CIGS)和铜铟镓硫(CIGS)。
这些材料具有较高的光吸收系数和较高的转换效率,同时可以通过卷绕和灵便的设计实现更广泛的应用。
4. 第三代太阳能电池:多结太阳能电池随着对太阳能电池技术的不断研究,人们开始寻求更高效率和更低成本的解决方案。
第三代太阳能电池的代表是多结太阳能电池,它采用多层结构,每一个层都能吸收不同波长的光线。
这样可以提高光电转换效率,并实现更广泛的光谱范围的吸收。
多结太阳能电池目前仍在研究和开辟阶段,但已经显示出巨大的潜力。
5. 未来发展趋势太阳能电池作为一种清洁、可再生的能源技术,具有广阔的应用前景。
随着技术的进步和成本的降低,太阳能电池的市场份额将不断增加。
未来的发展趋势包括提高效率、降低成本、增加可靠性和延长寿命。
同时,太阳能电池与其他能源技术的结合,如储能技术和智能电网,将进一步推动太阳能电池的发展。
总结:太阳能电池的发展历史经历了多个阶段,从硅基太阳能电池到薄膜太阳能电池,再到多结太阳能电池。
每一个阶段都有重要的技术突破和发展,推动太阳能电池的效率和可靠性不断提高。
薄膜太阳能电池技术
薄膜太阳能电池技术
薄膜太阳能电池技术是一种太阳能电池的制造技术。
与传统的硅基太阳能电池相比,薄膜太阳能电池采用了更薄、更轻的材料来制造电池片。
薄膜太阳能电池技术具有以下特点:
1.轻薄柔性:薄膜太阳能电池使用的是薄膜材料,相对于硅基太阳能电池的玻璃基底,薄膜太阳能电池更轻薄,也更柔性,可以适应弯曲和复杂的表面形状。
2.成本低:薄膜太阳能电池制造过程相对简单,不需要高温和高真空条件,可以以较低的成本大规模生产。
3.高温稳定性:薄膜太阳能电池具有较好的高温稳定性,相对于硅基太阳能电池,在高温环境下性能衰减较小。
4.良好的低光强效果:薄膜太阳能电池对于低光强度环境有较好的适应能力,相对于硅基太阳能电池,在阴天或弱光条件下也能产生较高的电能输出。
薄膜太阳能电池技术目前有几种不同材料的薄膜电池,包括硅薄膜太阳能电池、铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池、半导体量子点薄膜太阳能电池等。
每种薄膜材料都有其独特的特性和应用领域。
薄膜太阳能电池技术在光伏发电领域得到广泛应用,并且不断进行研发和改进,以提高效率、降低成本,推动太阳能产业的发展。
硅基太阳能电池的制备与表征
硅基太阳能电池的制备与表征硅基太阳能电池是目前最常见的太阳能电池之一。
它们被广泛应用于计算机芯片和太阳能板等领域。
本文将介绍硅基太阳能电池的制备和表征方法。
制备方法硅基太阳能电池通常使用P型硅和N型硅制成。
这两种硅的掺杂不同。
P型硅被掺杂为氧化铝,铜或锋,以提高材料的电子“空穴”浓度。
N型硅被掺杂为磷,锗或砷,以提高电子浓度。
这些材料之间的界面构成了PN结。
为了使PN结产生电流,需要将它们放在阳光下。
这些材料被包含在硅基太阳能电池的层中。
硅基太阳能电池有两个主要的层 - 发射层和基底层。
发射层通常使用氧化硅或氮化硅制成,可以提高太阳能电池的效率。
基底层通过化学沉积或气相沉积形成。
在太阳能电池制造的后期,还需要添加其他材料,如金属和导电聚合物,以增强其电导率和保护性。
这些材料可以使用蒸发,溅射或电化学沉积等方法结合到太阳能电池中。
表征方法表征硅基太阳能电池的一个主要参数是开路电压(Voc)。
Voc 是太阳能电池的开路电势,即在不连接负载时,太阳电池的电压。
在理想情况下,太阳能电池的Voc等于其带隙功函数。
带隙功函数是太阳能电池光生成电势的最高值。
另一个主要的参数是短路电流(Isc)。
Isc是太阳能电池产生的最大电流值,即当太阳能电池的正负极短路连接时的电流值。
Isc通常与光照的强度成正比。
填充因子(FF)通常被用于评估太阳能电池的效率。
FF是太阳能电池输出电流和输出电压的乘积,除以Isc和Voc的乘积的百分比。
太阳能电池的效率可以通过以下公式计算:效率=(Isc ×Voc × FF)/ P0,其中P0是归一化光照下的光功率密度。
结论硅基太阳能电池的制备和表征是太阳能电池领域的基础。
通过控制硅的掺杂,太阳能电池的效率可以得到改善。
而通过表征太阳能电池的关键参数,效率可以得到评估和改进。
随着技术的不断进步,硅基太阳能电池将成为未来的主流太阳能电池之一。
硅基太阳能电池结构
硅基太阳能电池结构引言:随着对可再生能源需求的增加和对环境保护意识的提高,太阳能作为一种清洁、可再生的能源,受到了广泛关注。
硅基太阳能电池作为目前应用最广泛的太阳能电池技术之一,在太阳能领域具有重要的地位。
本文将详细介绍硅基太阳能电池的结构。
一、硅基太阳能电池的基本结构硅基太阳能电池的基本结构由若干层组成,包括:1.1 衬底层:通常由硅材料制成,作为电池的基底,具有良好的导电性和机械强度。
1.2 P型硅层:在衬底层上沉积一层P型硅材料,通过掺杂控制杂质浓度,形成P-N结。
1.3 N型硅层:在P型硅层上沉积一层N型硅材料,形成P-N结。
1.4 金属触媒层:在N型硅层上沉积一层金属触媒层,通常使用铝或银等金属材料,用于提供电子导电通路。
二、硅基太阳能电池的工作原理硅基太阳能电池的工作原理基于光电效应。
当光线照射到硅基太阳能电池表面时,光子能量被吸收并转化为电子能量。
具体步骤如下:2.1 光吸收:光线穿过透明导电层后,被硅基太阳能电池的P-N结吸收。
2.2 电子-空穴产生:光子能量使得硅中的原子中的电子跃迁到导带,留下一个空穴。
2.3 电子-空穴分离:电子和空穴在P-N结的电场作用下被分离,电子向N型区域流动,空穴向P型区域流动。
2.4 电流输出:电子流经过外部电路,产生电流输出,实现能量转化。
三、硅基太阳能电池的优势和不足3.1 优势:硅基太阳能电池具有以下优势:3.1.1 成本低廉:硅材料广泛且廉价,制造成本相对较低。
3.1.2 长寿命:硅基太阳能电池的寿命较长,可稳定工作多年。
3.1.3 良好的稳定性:硅材料具有较好的化学稳定性和热稳定性,适应多种环境条件。
3.1.4 可靠性高:硅基太阳能电池具有较高的可靠性,不易受损或失效。
3.1.5 易于大规模生产:硅基太阳能电池制造工艺成熟,可实现大规模生产。
3.2 不足:硅基太阳能电池也存在一些不足之处:3.2.1 能量转化率较低:硅基太阳能电池的能量转化率通常较低,无法充分利用光能。
硅基太阳能电池的研究和发展
硅基太阳能电池的研究和发展近年来,随着能源短缺的问题日益凸显,人们对新能源的探索和研究越来越急切,其中,太阳能便是备受瞩目的一种。
在太阳能发电中,太阳能电池是至关重要的组成部分,而硅基太阳能电池更是目前应用最广、发展最快的一种太阳能电池。
一、硅基太阳能电池的基本原理硅基太阳能电池的基本原理十分简单,它是利用光的辐射从而将太阳能转化为电能。
在太阳光的照射下,硅基太阳能电池会产生电子和空穴,并且它们会沿着相应的导体移动,从而形成电流。
因此,硅基太阳能电池的本质是将太阳光能够转换为电能。
二、硅基太阳能电池的分类根据硅材料的结晶形态,硅基太阳能电池可以分为单晶硅、多晶硅和非晶硅三种类型。
其中,单晶硅和多晶硅是最常见的两种,它们的转化效率较高,而非晶硅则转化效率较低。
三、硅基太阳能电池的发展历程硅基太阳能电池的发展历程可以追溯到上世纪50年代。
当时,最先提出硅基太阳能电池的概念是贝尔实验室的斯科特·麦克利顿,他发现将硼掺杂的硅晶体暴露在太阳光下,产生的光伏效应可以将太阳光转化为电能。
但是,硅基太阳能电池在早期研究中存在着一些问题,如太阳能转化效率低、生产成本高等问题,这成为了硅基太阳能电池发展的瓶颈。
直到20世纪70年代,随着电池材料技术的改善,硅基太阳能电池的转化效率得以提高,因此,硅基太阳能电池也才逐渐成为了许多国家和地区的发展重点。
四、硅基太阳能电池的发展前景目前,世界范围内已经有许多国家和地区在硅基太阳能电池领域投入了大量资金和人力,以推动这一技术的发展。
而硅基太阳能电池的应用也越来越广泛,如光伏发电、太阳能灯光、太阳能充电器等等。
未来,随着人们对新能源需求的不断增加以及太阳能技术的不断革新,硅基太阳能电池的发展前景一定是非常广阔的。
而且,在硅基太阳能电池的研究和开发过程中,许多新的科技应用和发明也将会进一步推动太阳能领域的发展。
结语:硅基太阳能电池的研究和发展,不仅关乎于人类的环境保护和节能减排,更关乎于人们未来的生活质量和经济发展。
光伏电池的技术路线
光伏电池的技术路线光伏电池的技术路线是指光伏发电技术的发展路径和演进过程。
光伏电池是一种将太阳能转化为电能的设备,其工作原理是利用光电效应将太阳光中的光子转化为电流。
随着对可再生能源需求的增加和环境保护意识的增强,光伏电池技术得到了快速发展。
下面将按照时间顺序介绍光伏电池技术的主要路线和关键技术。
第一阶段:单晶硅和多晶硅光伏电池技术(1960s-1990s)单晶硅和多晶硅光伏电池是最早商业化应用的光伏电池技术。
单晶硅光伏电池由高纯度的硅棒制成,具有较高的转换效率,但成本较高。
多晶硅光伏电池则由多晶硅片制成,虽然转换效率稍低,但成本较低。
这一阶段的关键技术包括晶体生长技术、硅片制备技术、P-N结制备和背面电极技术等。
第二阶段:薄膜太阳能电池技术(1990s-2000s)薄膜太阳能电池是在单晶硅和多晶硅电池的基础上发展起来的一种新型太阳能电池技术。
与传统硅基电池相比,薄膜太阳能电池采用了较薄的光电活性材料层,如非晶硅、铜铟镓硒等。
这些材料具有较低的成本和较高的制备灵活性,但转换效率相对较低。
关键技术包括薄膜材料的制备技术、透明导电氧化物技术和界面工程等。
第三阶段:新型太阳能电池技术(2000s至今)由于传统光伏电池技术在成本和效率方面的限制,人们不断探索和研发新型的太阳能电池技术。
其中,有机太阳能电池、钙钛矿太阳能电池和多接合太阳能电池等新型技术备受关注。
有机太阳能电池利用有机半导体材料制备的薄膜,具有制备简单、柔性可弯曲等特点,但转换效率较低。
钙钛矿太阳能电池则采用了钙钛矿结构的半导体材料,具有较高的转换效率,但稳定性有待提高。
多接合太阳能电池结合了不同材料的优势,通过在电池中构建多个接触面,提高了光吸收和电荷传输效率。
除了这些主要的技术路线,还有一些其他的光伏电池技术也在不断发展,如量子点敏化太阳能电池、有机无机杂化太阳能电池等。
总结起来,光伏电池技术路线的发展经历了单晶硅和多晶硅、薄膜太阳能电池以及新型太阳能电池等阶段。
硅基太阳能电池原理及其研究
硅基太阳能电池原理及其研究【硅基太阳能电池原理及其研究】太阳能光伏技术是一种可再生新能源技术,近年来受到了广泛的关注。
硅基太阳能电池是当前最常见的光伏电池,本文将介绍硅基太阳能电池的原理和研究现状。
一、硅基太阳能电池原理太阳能光伏电池是利用半导体材料对光的吸收来产生一定规模的电流和电压的一种能够将光能直接转换成电能的设备。
而硅基太阳能电池是最常用的太阳能光伏电池。
硅基太阳能电池是由一系列的p型和n型硅晶体组成。
硅晶体的原子结构是由一个核心的硅原子和四个周围的电子构成的。
当硅晶体中有掺杂材料时,它会改变硅晶体的电属性。
p型硅晶体是通过在硅晶体中掺入三价元素如铝、硼等来制成的,存在空穴电子以及正离子。
n型硅晶体是通过在硅晶体中掺入五价元素如砷、锑等来制成的,存在自由电子和负离子。
在硅基太阳能电池中,n型硅晶体和p型硅晶体交界处形成了一个p-n结,也被称为太阳能电池的“主压电部件”。
当光线照射在p-n结上时,光子会将它们的能量传递给p-n结内的电子,并将它们从半导体中释放出来。
这些电子随后将通过外部电路流回另一侧的p-n结。
这个过程中,p-n结上的电子受到反向压力,电流从而流向电路的另一面。
这就是硅基太阳能电池产生电能的基本过程。
二、硅基太阳能电池的研究现状硅基太阳能电池已经被商业化应用了近半个世纪。
随着人们对于太阳能电池技术的日益了解,硅基太阳能电池的效率也在不断提高。
按照国家太阳能光伏发电的计划,中国在未来的十年中将会在光伏装备的制造、材料生产和电池生产等领域重点发力,力争在硅基太阳能电池研究上更多地实现科技突破。
而在硅基太阳能电池的研究上,人们一直在探索提高其效率的方法。
在这些方法中,一种使用背表面反射技术来减少损失的技术已经被广泛应用。
除此之外,还有类似于多级结构、纳米粒子等方案也被逐步运用到硅基太阳能电池的研究当中。
其中多级结构和量子点等技术可以来增加硅基太阳能电池中对光线的吸收,而纳米结构材料可以有效提高硅基太阳能电池中的电荷转移效率,使得太阳能电池可以产生更高的能量输出。
新型晶硅太阳能电池、薄膜太阳能电池-概述说明以及解释
新型晶硅太阳能电池、薄膜太阳能电池-概述说明以及解释1.引言1.1 概述晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池是目前研究和应用最广泛的两种太阳能电池技术。
随着对可再生能源需求的日益增长,这两种太阳能电池的研究和发展在近年来获得了巨大的关注。
晶硅太阳能电池是一种基于单晶硅或多晶硅材料制造的太阳能电池。
其工作原理是利用太阳光照射在硅材料上时会产生光生电流,进而转化为电能。
晶硅太阳能电池具有高转换效率、较长的寿命和良好的稳定性等特点,适用于各种规模的太阳能发电系统,从小型家庭系统到大型商业系统。
而薄膜太阳能电池是一种利用非晶态硅、铜铟镓硫等材料制造的太阳能电池。
相比于晶硅太阳能电池,薄膜太阳能电池可以实现更低的制作成本和更高的柔韧性。
薄膜太阳能电池通常采用卷曲或可弯折的材料制成,可以应用于建筑物外墙、屋顶和其他曲面。
此外,薄膜太阳能电池还具有吸收弱光、高温环境下的较好表现等优势。
研究新型晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池的目的是为了进一步提高太阳能电池的效率、降低制造成本以及拓展其在各个领域的应用。
本文将从工作原理、特点和优势以及应用前景等方面对新型晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池进行详细介绍,并最后对其重要性进行总结以及展望未来的发展方向。
通过深入了解这两种太阳能电池技术,可以为太阳能行业的发展提供有价值的参考。
1.2 文章结构本文将详细介绍新型晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池两种不同类型的太阳能电池。
首先,引言部分将提供对整篇文章的概述,包括对这两种太阳能电池的介绍以及它们的应用前景。
接下来,本文将分别介绍新型晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池的工作原理、特点和优势。
在工作原理部分,将详细解释这两种太阳能电池的工作机制,包括光电转换和能量输出过程。
特点和优势部分将重点介绍新型晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池相比传统太阳能电池的优势和特点,比如转换效率的提高、制造成本的降低等。
在应用前景部分,将探讨这两种太阳能电池在未来的潜在应用领域,比如建筑一体化、电动汽车等。
cigs薄膜太阳能电池的原理及制备
cigs薄膜太阳能电池性能改
04
进及优化
优化设计薄膜结构
优化薄膜厚度
通过调整薄膜厚度,可以优化太阳能电池的光吸收和载流子输运性能。较薄的薄膜可以增 加光吸收,但可能影响载流子的输运效率;较厚的薄膜可以提供更多的载流子输运通道, 但可能降低光吸收。因此,需要找到合适的厚度平衡点,以实现最佳性能。
调整薄膜成分
目前CIGS薄膜太阳能 电池的生产效率相对 较低,影响了其大规 模应用。
环保问题
CIGS薄膜太阳能电池 的生产过程中可能产 生环境污染,需要采 取环保措施降低对环 境的影响。
06
Байду номын сангаас
结论与展望
研究成果总结
高效性能
通过优化薄膜厚度和结构,CIGS薄膜 太阳能电池展现出了高效的性能,其
光电转换效率高达20%以上。
短路电流(ISC)
在零负载条件下,太阳能 电池的最大输出电流。
填充因子(FF)
衡量太阳能电池整体效率 的重要参数,等于最大输 出功率与开路电压和短路 电流乘积之比。
转换效率(η)
太阳能电池将光能转换为 电能的效率,通常以百分 比表示。
cigs薄膜太阳能电池制备方
03
法
真空蒸镀法
原理:真空蒸镀法是一种物理气相沉积技术,其 原理是将待沉积的材料置于真空室中,通过加热 蒸发材料并使其沉积在基底上,形成薄膜。
低成本
相对于传统的硅基太阳能电池,CIGS 薄膜太阳能电池具有较低的生产成本
,有利于大规模应用和推广。
稳定性良好
CIGS薄膜太阳能电池具有良好的热稳 定性和化学稳定性,能够在各种环境 下稳定运行。
应用广泛
CIGS薄膜太阳能电池适用于各种表面 和形状,如建筑、汽车、航空航天等 领域。
硅基薄膜电池的种类
硅基薄膜电池的种类1.非晶硅薄膜太阳能电池:非晶硅薄膜太阳能电池是利用非晶硅材料制成的薄膜电池。
非晶硅材料具有较高的吸收系数,可以吸收较宽波长范围的太阳能辐射。
这种电池的制造工艺简单、成本低,而且可以实现大面积生产,因此具有很大的潜力。
2.微晶硅薄膜太阳能电池:微晶硅薄膜太阳能电池在非晶硅的基础上加入一定比例的晶体硅材料,通过控制制造工艺,可使得薄膜中形成大约10-30纳米的微晶硅颗粒。
微晶硅的晶体结构比非晶硅更有序,因此具有更好的光吸收和电子传输性能,提高了电池的效率。
此外,微晶硅材料还具有较高的稳定性和较低的光衰减率。
3.多结薄膜太阳能电池:多结薄膜太阳能电池是通过堆叠多层不同材料的薄膜形成的。
常见的多结薄膜电池包括硅薄膜太阳能电池与硒化镉薄膜太阳能电池的结合。
通过优化不同材料的能带结构和光学特性,可以实现更高的光吸收和电荷分离效率,提高电池的转化效率。
4.染料敏化薄膜太阳能电池:染料敏化薄膜太阳能电池是利用染料分子吸收光子并将其转化为电子的原理制成的电池。
染料敏化层通常由半导体纳米颗粒组成,染料分子通过与纳米颗粒的接触来实现电荷的分离。
这种电池具有制造成本低、制作工艺简单、使用灵活等优势,适用于各种类型的表面。
在硅基薄膜太阳能电池的研究和应用中,不同类型的电池有着各自的优缺点。
因此,未来的发展趋势将是通过对材料、结构和制造工艺的改进,提高硅基薄膜太阳能电池的光电转换效率,降低制造成本,实现工业化生产。
同时,还需要在电池的稳定性和环境适应性等方面进行进一步研究,以满足不同应用场景的需求。
硅基薄膜电池的种类
硅基薄膜电池的种类
1.非晶硅薄膜太阳能电池:非晶硅薄膜太阳能电池是一种最早应用的
硅基薄膜电池技术。
它通过在基底上沉积非晶硅薄膜来转化太阳能为电能。
这种电池具有较高的光电转换效率和较低的制造成本,但其稳定性相对较差。
2.微晶硅薄膜太阳能电池:微晶硅薄膜太阳能电池是在非晶硅薄膜太
阳能电池的基础上发展起来的。
通过在非晶硅薄膜上正常工作时施加较高
的温度,可以使非晶硅薄膜过渡到微晶硅状态,进而提高光电转换效率和
稳定性。
3.多晶硅薄膜太阳能电池:多晶硅薄膜太阳能电池是将多晶硅材料制
备成薄膜形式的太阳能电池。
多晶硅具有较高的光电转换效率和较好的稳
定性,因此多晶硅薄膜太阳能电池具有较高的整体性能。
4.铜-铟-镓-硒(CIGS)薄膜太阳能电池:CIGS薄膜太阳能电池是一
种基于铜、铟、镓和硒元素的化合物薄膜制备的太阳能电池。
CIGS薄膜
电池具有较高的光电转换效率、较好的稳定性和较低的制造成本,被认为
是硅基薄膜太阳能电池技术中最具潜力的一种。
5.钙钛矿(Perovskite)薄膜太阳能电池:钙钛矿薄膜太阳能电池是
一种利用钙钛矿材料制备的薄膜太阳能电池。
钙钛矿具有较高的光吸收率
和较高的电子迁移率,以及制备过程相对简单的特点。
然而,钙钛矿薄膜
太阳能电池还存在着稳定性和耐久性的挑战。
总的来说,硅基薄膜电池种类繁多,每种电池技术都有其独特的优势
和局限性。
随着技术的不断发展,硅基薄膜电池的光电转换效率和稳定性
不断提高,有望成为太阳能电池领域的重要技术。
硅基太阳能电池的研究和应用
硅基太阳能电池的研究和应用太阳能是一种可以重复使用的清洁能源,在全球能源危机的大背景下,能源效率和节能减排已成为人们关注的焦点,因此太阳能电池得到了广泛的关注和研究。
硅基太阳能电池是太阳能电池的一种主流,今天我们就来介绍一下硅基太阳能电池的研究和应用。
一、硅基太阳能电池概述硅基太阳能电池是将硅晶体材料制作成太阳能电池的一种形式。
硅晶体是半导体晶体中应用最广泛的材料之一,因此硅基太阳能电池得到了广泛的应用。
硅基太阳能电池通过将太阳能转换为电能,从而提供可靠的能源供应。
硅基太阳能电池的类型包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池等,但是单晶硅太阳能电池的效率最高,是最主要的硅基太阳能电池类型。
二、硅基太阳能电池的研究现状1.效率提高目前,硅基太阳能电池的效率已经超过了20%,然而,仍有人们不断地致力于提高硅基太阳能电池的效率。
例如,在单晶硅太阳能电池中,研究者们正在研究如何减轻光照均匀性不良的问题,同时改进电缆和电池连接器等外围设备,以提高装配效率和坚固性。
2.成本降低硅基太阳能电池的生产成本仍然较高,但是研究者们正在研究如何降低硅基太阳能电池的生产成本。
例如,他们正在研究如何改进硅基太阳能电池的制造过程,通过减少使用的原材料等方式来降低成本。
3.新技术开发除此之外,研究者们还在探索新技术,例如通过翻转太阳能电池来提高光吸收和电子收集效率,或通过引入新的掺杂元素来更改硅的组成,以提高电池效率等。
这些新技术让硅基太阳能电池更加高效,同时也让其可以被更广泛地应用。
三、硅基太阳能电池的应用硅基太阳能电池的应用范围非常广泛,主要可以分为以下几类:1.家用太阳能电池系统家用太阳能电池系统通常用于家庭供电,可以为家庭提供洗衣、夏天冷气等耗电设备的电力需求。
2.商业太阳能电池系统商业太阳能电池系统用于商业活动的场所,例如商场、超市、购物中心等地。
这些场所通常需要大量能源来维持正常的运营,使用太阳能电池系统可以在没有额外电源成本的情况下供电。
201904光伏人必看的十本书
201904光伏人必看的十本书•从光伏发电原理到光伏材料,从光伏电站并网技术到后期运维,了解光伏发电的前世今生,这十本书你读了吗?1.《光伏的世界》这是一本全面系统地介绍光伏发展的过去、现在以及未来的汇总文集,涉及内容广泛,可满足不同读者群的需求。
文中不仅包括主编沃尔夫冈·帕尔茨博士本人在其50多年的新能源事业中,对光伏发展的深入了解和系统总结,也包括全球范围内从事新能源或光伏行业的专业人士对光伏艰难发展的回顾、对未来发展趋势的预测,以及个人在光伏建设等工作参与中点点滴滴的记录。
图书不仅在技术层面对光伏领域内单晶硅、多晶硅电池板研发、薄膜发电技术等做了细致讲解,也有对*的研究成果的详尽描述。
本书不仅从宏观层面,对光伏发展涉及到的融资、项目实施有全方位的介绍,并且附有详细的案例分析,更对全球不同地区进行了细致的划分,结合欧盟、亚洲、美国、南非等地区和国家自身的国情和当地实际生活水平,从不同层面对光伏发展的实际应用进行了深入分析和经验分享。
2.太阳电池材料(第二版)太阳能光电方面的研究和应用在全世界范围内方兴未艾,相关太阳能光电工业发展迅速,是令人瞩目的朝阳产业。
本书介绍了太阳能及光电转换的基本原理、太阳电池的基本结构和工艺,着重从材料制备和性能的角度出发,阐述了主要的太阳能光电材料的基本制备原理、制备技术以及材料结构、组成对太阳电池的影响。
太阳能光电材料包括直拉单晶硅、铸造多晶硅、带硅、非晶硅、多晶硅薄膜、GaAs半导体材料、CdTe和CdS薄膜材料、CuInSe2(CuInS2)薄膜材料等。
原书出版后十年时间里,太阳电池材料的技术发展非常迅速,支撑着太阳电池效率的不断提升和太阳能光伏产业规模的不断扩。
因此,有些知识需要更新,有些知识需要增加。
这些都在本书第*版中得到充分反映。
这本《太阳电池材料》(第*版)将继续伴随着广大读者,亲历我国太阳能光伏行业的不断进步与发展。
本书可供大专院校的半导体材料与器件、材料科学与工程以及太阳能光伏等能源领域的师生作为教学参考书,也可供从事相关研究和开发的太阳能相关行业科技工作者和企业工程师参考。
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图 5 下 方 的 能带 图 中 ,在 施 主能 级 上 有一 个 a
可供释放的电子。 当它尚未释放出来时 , 费米能级 被缺陷态所嵌制 , 位于带隙中央 。 但是 , 当靠近 P
原 子 与 之 相邻 的硅 一硅 是 弱键 并 被 打 断形 成 悬 挂 键 时( 5 图 b中 P原 子 下 方 类似 耳 垂 “二”的符 号) ( ] , 断键 放 出 的能 量( 05V) 使 P原 子 由 3 位 变 约 . 就 e 配
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掺 杂作 用 的必 要 条件 。非 晶 硅 网络 结构 的无 序性 ,
S 原 子 无 需形 成 4 共 价键 , 对 杂质 原子 的键 合 i 个 即
结构 没 有限 制 。 但在 原 子排 列近 程 有序 而 远程 无 序 的非 晶 硅材 料 中 , 些 结构 的无 序 化往 往 提 供结 构 那 缺 陷 , 得并 非 有 意掺 杂 的 非 晶硅 材料 ( 为本 征 i 使 称 型 材 料) 的有 效掺 杂 变 得 困难 ,必 须尽 量 降 低非 晶 硅 中的 缺 陷态 密 度 。采 用辉 光 放 电方 法 ( o D s Grw i—
键 ,此 时 悬 挂键 带 负 电 荷 。如 图 5 方 的能 带 图 b下 所 示 , 主 能级 上 的 电子未 释 放 到导 带 , 是 填 充 施 而
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了悬挂键。 此类掺杂的P 原子对材料导电性没有贡
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图 6 随掺杂浓度比非晶硅薄膜的暗 电导率与
费米能级 的变化情况[ g 】
个 悬 挂键 、弱 键 、氢键 之 间相 互 关联 的亚 稳 平
2掺杂 问题
掺 杂是 决定 材料 和 器件 电学性 能 的关键 之 一 ,
希 望材料 的电导特性能够有序调制 ,即能够按照
需 要调 节 导 电类 型 及 其 电导 率 ,以满 足 器 件 性 能 要 求 。 晶体 硅 器 件 中 , 的基 本 材 料 是事 先 预 定 在 它 的 , 后 掺 杂形 成 的 Pn , 有 成 熟 的工 艺 予 以 随 —结 也 调 制, 因此 器 件 的 重 复性 可 得 到 保证 。 在 薄 膜 硅 但 基 器件 中 ,器 件 的形 成 伴 随 着 材料 的生 长 同步 完 成 。 此其 变 数 在 各层 材 料 形 成 的过 程 中 , 之 硅 因 加 基 薄 膜 材 料 多采 用 气 相 沉积 工艺 ,而 气 相 沉 积 的 放 电过 程 伴 随 着 大 量 电 子 和 离 子 的碰 撞 过 程 ,其 很 难予 以精 确 调 控 ,这 也给 薄膜 电学 特 性 的控 制 带 来 困难 。 杂 质 在硅 材 料 中 的掺 杂 作 用 ,来 源 于 杂 质 原 子形成4 配位 , 才能 起 到替 位 作 用 而释 放 出 富裕 的
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硅 基 薄 膜 太 阳 电池 ( ) 二
南开大学光 电子薄膜 器件与技术研 究所 光 电信息技术科 学教育部重点实验室 ■ 张晓丹 赵颖 熊绍珍 光 电子薄膜器件 与技术 天津市重点实验室
电子 或 空穴 。 因此 杂质 原子 结构 的严 格配 位 是起 到
图 5 缺 陷 态对 掺 杂 的 限 制效 应 的模 型 _ 日
导带 t
施主能 级
缺 陷能级
I
I
& 费米能级 删I
( 数=o ) 填充 5 l %
价带
I
价 带
图5描 述 了一 个 磷 () a P原子 位 于 硅 的格 点位 置 上 ( 浅色 圆表 征 ,用 粉 色 圆 圈予 以标 示 ) 时 P 以 ,此 原 子 的 5 价 电子 3 个 小 黑 点 , 个 成 对 的 电 个 s ( P5 2
献 , 正 说 明缺 陷态 对掺 杂 的 限 制作 用 。 鉴 于 此 这 但 时 带 隙 中央 附近 缺 陷态 被 施 主 能级 提 供 的 电 子填 充 ,此 时缺 陷态 带 负 电 ,其 上填 充数 将 大 于 5 %, 0
- | 、
_
备14 0 -
、1 i0
b
子 处 于 S 道 ,3 价 电子 位 于 P 道) 于 3 位 轨 个 轨 处 配
为 中性 ( 见 图 中 浅粉 圆圈 所示 ) 参 。而硅 原 子 为 4 配 位 ,周边 有 4 价 电子 ( 小黑 点) 只有 当 P原 个 4个 。
子 也 处 于 4 位 时 , 有下 述 反 应 , 配 如 才能 提供 多余 的 电子 起 到施 主 的 作 用 。
缺 陷态 密度 降 到 1 m-左 右 ,使掺 杂 成 为可 能 。 0c 图 5显示 了缺 陷 态在 掺 杂 中的作 用[。 8 ]
— — —
卜
SOI . AR ENER GY 5 2 1 配位 , 而将周边富裕 的第 5 电子去饱和悬挂 个
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一
0. 85
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于是使费米能级 向趋近于导带底上抬 ,使得其偏
向n , 导 电能 力 增加 并 不 多 。只有 当掺 杂 到一 型 但 定程 度 后 , 杂 效 应 才呈 现 出 。 此在 无 序 结构 的 掺 因 非 晶 硅 内 ,掺 杂 效率 很 低 。 如 上所 述 ,在 动 态平 衡 的状 态 下 ,非 晶硅 是