自然光照条件下硅光电池组件伏安特性
硅光电池特性的研究
硅光电池特性的研究班级：物本0701姓名：学号：2007091100指导老师：硅光电池特性的研究摘要：目前，太阳能的利用主要集中在热能和发电两方面。
而硅光电池是一种半导体光电转换器件,它能把光能直接转换成电能，具有效率高、重量轻、体积小、寿命长等一系列特点。
是工农业生产和国防建设中开发利用太阳能和用于控制、检测的一种重要元件。
为此，我们尝试在普通物理实验中开设了太阳能电池的特性研究实验，介绍硅光电池的电学性质和光学性质，并对这两种性质进行测量。
关键词：半导体；PN；硅光电池；光电子；光伏电池；伏安特性引言:目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理﹑光电效应理论和光伏电池产生机理.本实验对硅光电池的基本特性作了初步的探讨，这对广泛认识和利用各种光器件有十分重要的意义。
1 实验原理1.1 PN结的形成及单向导电性原理采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。
PN结：一块单晶半导体中，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称。
PN结有同质结和异质结两种。
用同一种半导体材料制成的PN 结叫同质结，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。
制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。
制造异质结通常采用外延生长法。
在P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。
在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。
N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。
当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。
空穴和电子相遇而复合，载流子消失。
硅光电池特性研究
综合设计实验小论文硅光电池特性研究摘要:当今世界能源日益短缺，开发太阳能资源成为世界各国能源发展的主要课题。
硅光电池可将太阳能转换为电能，实现太阳能的利用。
本实验的目的主要是探讨太阳能电池的基本特性，测量太阳能电池下述特性：1、在没有光照时，太阳能电池主要结构为一个二极管，测量该二极管在正向偏压时的伏安特性曲线，并求得电压和电流关系的经验公式。
2、测量太阳能电池在光照时的输出特性并求得它的短路电流( I SC)、开路电压( U OC)、最大输出功率 P m及填充因子 FF，填充因子是代表太阳能电池性能优劣的一个重要参数。
3、光照效应：（1）测量短路电流 I SC和相对光强度J /J0之间关系，画出 I SC与相对光强J /J0之间的关系图。
（2）测量开路电压U OC和相对光强度J /J0之间的关系，画出U OC与相对光强J /J0之间的关系图关键字:硅光电池 PN结相对光强开路电压短路电流1 实验原理目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深入学习硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理﹑光电效应理论和光伏电池的机理。
1.1 PN结的形成及单向导电性如果采用某种工艺，使一块硅片的一边成为P型半导体，另一边为N型半导体，由于P区有大量空穴（浓度大），而N区的空穴极少（浓度小），因此空穴要从浓度大的P区向浓度小的N区扩散，并与N区的电子复合，在交界面附近的空穴扩散到N区，在交界面附近一侧的P区留下一些带负电的三价杂质离子，形成负空间电荷区。
同样，N区的自由电子也要向P区扩散，并与P区的空穴复合，在交界面附近一侧的N区留下一些带正电的五价杂质离子，形成正空间电荷区。
这些离子是不能移动的，因而在P型半导体和N型半导体交界面两侧形成一层很薄的空间电荷区，也称为耗尽层，这个空间电荷区就是PN结。
正负空间电荷在交界面两侧形成一个电场，称为内电场，其方向从带正电的N区指向带负电的P区，如图1所示。
硅光电池伏安特性
实验 项目： 硅光电池伏安特性（综合设计 2-1） 实验 目的： 了解硅光电池的基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。
实验 仪器： DH-CGOP 型光敏传感器实验仪（包括灯泡盒，硅光电池 PHC，直流恒压源 DH-VC3，九孔板实验箱，电阻箱，导线） 实验 原理： 硅光电池的工作原理 光电转换器件主要是利用物质的光电效应，即当物质在一定频率的照射下，释放出光电子的现象。
当光照射金属、 金属氧化物或半导体材料的表面时，会被这些材料内的电子所吸收，如果光子的能量足够大，吸收光子后的电子可 挣脱原子的束缚而溢出材料表面，这种电子称为光电子，这种现象称为光电子发射，又称为外光电效应。
有些物质 受到光照射时，其内部原子释放电子，但电子仍留在物体内部，使物体的导电性增强，这种现象称为内光电效应。
光电二极管是典型的光电效应探测器，具有量子噪声低、响应快、使用方便等优点，广泛用于激光探测器。
外加反 偏电压与结内电场方向一致，当 PN 结及其附近被光照射时，就会产生载流子（即电子-空穴对）。
结区内的电子-空 穴对在势垒区电场的作用下，电子被拉向 N 区，空穴被拉向 P 区而形成光电流。
同时势垒区一侧一个扩展长度内的 光生载流子先向势垒区扩散，然后在势垒区电场的作用下也参与导电。
当入射光强度变化时，光生载流子的浓度及 通过外回路的光电流也随之发生相应的变化。
这种变化在入射光强度很大的动态范围内仍能保持线性关系。
硅光电池是一个大面积的光电二极管，它被设计用于把入射到它表面的光能转化为电能，因此，可用作光电探测器 和光电池，被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。
光电池的基本结构如图 1 所示，当半导体 PN 结处于零偏或负偏时，在它们的结合面耗尽区存在一内电场。
图 1 光 电池结 构示意 图图1光电池结构示意图当没有光照射时，光电二极管相当于普通的二极管，其伏安特性是 （1） 式（1）中 I 为流过二极管的总电流，Is 为反向饱和电流，e 为电子电荷，k 为玻耳兹曼常量，T 为工作绝对温度，V 为加在二极管两端的电压。
硅光电池特性的研究实验报告2
硅光电池基本特性的研究太阳能是一种清洁能源、绿色能源，许多国家正投入大量人力物力对太阳能接收器进行研究和利用。
硅光电池是一种典型的太阳能电池，在日光的照射下，可将太阳辐射能直接转换为电能，具有性能稳定，光谱范围宽，频率特性好，转换效率高，能耐高温辐射等一系列优点，是应用极其广泛的一种光电传感器。
因此，在普通物理实验中开设硅光电池的特性研究实验，介绍硅光电池的电学性质和光学性质，并对两种性质进行测量，联系科技开发实际，有一定的新颖性和实用价值。
[实验目的]1．测量太阳能电池在无光照时的伏安特性曲线；2.测量太阳能电池在光照时的输出特性，并求其的短路电流I SC、开路电压U OC、最大FF3.测量太阳能电池的短路电流I及开路电压U与相对光强J /J0的关系，求出它们的近似函数关系；[实验原理]1、硅光电池的基本结构目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理﹑光电效应理论和光伏电池产生机理。
零偏反偏正偏图 2-1. 半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区图2-1是半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区，当P型和N型半导体材料结合时，由于P型材料空穴多电子少，而N型材料电子多空穴少，结果P 型材料中的空穴向N型材料这边扩散，N型材料中的电子向P型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两侧的P型区出现负电荷，N型区带正电荷，形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN结两侧形成一个耗尽区，耗尽区的特点是无自由载流子，呈现高阻抗。
当PN 结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；当PN结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，势垒削弱，使载流子扩散运动继续形成电流，此即为PN 结的单向导电性,电流方向是从P 指向N 。
硅光电池特性的研究实验报告2
硅光电池基本特性的研究太阳能是一种清洁能源、绿色能源，许多国家正投入大量人力物力对太阳能接收器进行研究和利用。
硅光电池是一种典型的太阳能电池，在日光的照射下，可将太阳辐射能直接转换为电能，具有性能稳定，光谱范围宽，频率特性好，转换效率高，能耐高温辐射等一系列优点，是应用极其广泛的一种光电传感器。
因此，在普通物理实验中开设硅光电池的特性研究实验，介绍硅光电池的电学性质和光学性质，并对两种性质进行测量，联系科技开发实际，有一定的新颖性和实用价值。
[实验目的]1．测量太阳能电池在无光照时的伏安特性曲线；2.测量太阳能电池在光照时的输出特性，并求其的短路电流 I SC 、开路电压 U OC 、最大FF3.测量太阳能电池的短路电流 I 及开路电压U 与相对光强 J /J 0 的关系，求出它们的近似函数关系；[实验原理]1、硅光电池的基本结构目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN 结原理﹑光电效应理论和光伏电池产生机理。
图2-1是半导体PN 结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区，当P 型和N 型半导体材料结合时，由于P 型材料空穴多电子少，而N 型材料电子多空穴少，结果P 型材料中的空穴向N 型材料这边扩散，N 型材料中的电子向P 型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两侧的P 型区出现负电荷，N 型区带正电荷，形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN 结两侧形成一个耗尽区，耗尽区的特点是无自由载流子，呈现高阻抗。
当PN 结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；当PN 结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，势垒削弱，使载流子扩散运动继续形成电流，此即为PN 结的单向导电性,电流方向是从P 指向N 。
硅光电池基本特性的研究
实验5 硅光电池基本特性的研究硅光电池又称光生伏特电池，简称光电池.它是一种将太阳或其他光源的光能直接转换成电能的器件.由于它具有重量轻、使用安全、无污染等特点，在目前世界性能源短缺和环境保护形势日益严峻的情况下，人们对硅光电池寄予厚望.硅光电池很可能成为未来电力的重要来源，同时，硅光电池在现代检测和控制技术中也有十分重要的地位，在卫星和宇宙飞船上都用硅光电池作为电源.本实验对硅光电池的基本特性做初步研究.一.实验目的1. 了解硅光电池的基本结构及基本原理.2. 研究硅光电池的基本特性：3．硅光电池的开路电压和短路电流以及它们与入射光强度的关系;4．硅光电池的输出伏安特性等。
二. 实验仪器YJ-CGQ-I典型传感特性综合实验仪、光源、负载电阻箱.数字万用表.连接线1. 实验装置实验装置由光源和硅光电池两部分组成, 如图1所示.图12. 负载电阻箱如图2所示.图2三. 实验原理1.硅光电池的基本结构.硅光电池用半导体材料制成，多为面结合PN 结型，靠PN 结的光生伏特效应产生电动势.常见的有硅光电池和硒光电池.在纯度很高、厚度很薄（0.4mm ）的N 型半导体材料薄片的表面，采用高温扩散法把硼扩散到硅片表面极薄一层内形成P 层，位于较深处的N 层保持不变，在硼所扩散到的最深处形成PN 结.从P 层和N 层分别引出正电极和负电极，上表面涂有一层防反射膜，其形状有圆形、方形、长方形，也有半圆形.硅光电池的基本结构如图3所示.图32.硅光电池的基本原理当两种不同类型的半导体结合形成PN 结时.由于分界层（PN 结）两边存在着载流子浓度的突变，必将导致电子从N 区向P 区和空穴从P 区向N 区扩散运动，扩散结果将在PN 结附近＋ ＋ 负电极N 层PN 结P 层正电极层防反射层产生空间电荷聚集区，从而形成一个由N区指向P区的内电场.当有光照射到PN结上时，具有一定能量的光子，会激发出电子-空穴对.这样，在内部电场的作用下，电子被拉向N区，而空穴被拉向P区.结果在P区空穴数目增加而带正电，在N区电子数目增加而带负电，在PN结两端产生了光生电动势，这就是硅光电池的电动势.若硅光电池接有负载，电路中就有电流产生.这就是硅光电池的基本原理.单体硅光电池在阳光照射下，其电动势为0.5-0.6V，最佳负荷状态工作电压为0.4-0.5V，根据需要可将多个硅光电池串并联使用.3.硅光电池的光电转换效率硅光电池在实现光电转换时，并非所有照射在电池表面的光能全部被转换为电能.例如，在太阳照射下，硅光电池转换效率最高，但目前也仅达22%左右.其原因有多种，如：反射损失；波长过长的光（光子能量小）不能激发电子空穴对，波长过短的光固然能激发电子-空穴对，但能量再大，一个光子也只能激发一个电子-空穴对；在离PN较远处被激发的电子-空穴对会自行重新复合，对电动势无贡献；内部和表面存在晶格缺陷会使电子-空穴对重新复合；光电流通过PN结时会有漏电等.4. 硅光电池的基本特性4.1 硅光电池的开路电压与入射光强度的关系硅光电池的开路电压是硅光电池在外电路断开时两端的电压，用U∞表示，亦即硅光电池的电动势.在无光照射时，开路电压为零.硅光电池的开路电压不仅与硅光电池材料有关，而且与入射光强度有关，而且与入射光强度有关.在相同的光强照射下，不同材料制做的硅光电池的开路电压不同.理论上，开路电压的最大值等于材料禁带宽度有1/2.例如，禁带宽度为1.1eV的硅做硅光电池，开路电压为0.5-0.6V.对于给定的硅光电池，其开路电压随入射光强度变化而变化.其规律是：硅光电池开路电压与入射光强度的对数成正比，即开路电压随入射光强度增大而增大，但入射光强度越大，开路电压增大得越缓慢.4.2 硅光电池的短路电流与入射光的关系硅光电池的短路电流就是它无负载时回路中电流，用I SC表示.对给定的硅光电池，其短路电流与入射光强度成正比.对此，我们是容易理解的，因为入射光强度越大，光子越多，从而由光子激发的电子-空穴对越多，短路电流也就越大.4.3在一定入射光强度下硅光电池的输出特性当硅光电池两端连接负载而使电路闭合时，如果入射光强度一定，则电路中的电流I和路端电压U均随负载电阻的改变而改变，同时，硅光电池的内阻也随之变化.硅光电池的输出伏安特性曲线如图4所示.图4中，I SC 为U =0，即短路时的电流，I SC .U∞为I=0，即开路时的路端电压，也就是硅光电池在该入射光强度下的开路电压，曲线上任一点对对应的I 和U 的乘积（在图中则是一个矩形的面积），就是硅光电池在相应负载电阻时的输出功率P .曲线上有一点M ，它的对应I mp 和U mp 的乘积（即图中画斜线的矩形面积）最大.可见，硅光电池仅在它的负载电阻值为U mp 和Imp 值时，才有最大输出功率.这个负载电阻称为最佳负载电阻，用R mp 表示.因此，我们通过研究硅光电池在一定入射光强度下的输出特性，可以找出它在该入射光强度下的最佳负载电阻.它在该负载电阻时工作状态为最佳状态，它的输出功率最大.4.4硅光电池在一定入射光强度下的曲线因子（或填充因子）F ·F曲线因子定义式为F ·F =（U mp I mp ）/（U ∞I SC ）我们知道，在一定入射光强度下，硅光电池的开路电压U ∞和短路电流I SC 是一定的.而U mp 和I mp 分别为硅光电池在该入射光强度下输出功率最大时的电压和电流.可见，曲线因子的物理意义是表示硅光电池在该入射光强度下的最大输出效率.从硅光电池的输出伏安特性曲线来看，曲线因子F ·F 的大小等于斜线矩形的面积（与M 点对应）与矩形I SC U ∞的面积（与M 点对应）之比.如果输出伏安特性曲线越接近矩形，则M 与M ′就越接近重合，曲线因子F · F 就越接近1，硅光电池的最大输出效率就越大.四．实验内容与步骤1. 硅光电池基本常数的测定(1) 测定在一定入射光强度下硅光电池的开路电压U∞和短路电流ISC.调节光源与硅光电池处于适当位置不变.b.测出硅光电池的开路电压U∞c.测出硅光电池的短路电流ISC.(2) 测定硅光电池的开路电压和短路电流与入射光强度的关系.a.光源与硅光电池正对时，测出开路电压U∞1和短路电流ISC1.b.转动硅光电池一定角度（如15o）测出U∞2和ISC2.c.转动硅光电池角度为30o、45o、60o、75o、90o时，测出不同位置下的U∞和ISC.d. 自拟数据表格，并用坐标纸画出ISC—Ө及U∞—Ө曲线.2. 在一定入射光强度下，研究硅光电池的输出特性.保持光源和硅光电池处于适当的位置不变，即保持入射光强度不变.(1) 测量开路电压U∞和短路电流ISC.(2) 分别测出不同负载电阻下的电流I和电压U.(3) 根据U∞、ISC及一系列相应的R、U、I值.填入自拟表格中.(4) 计算在该入射光强度下，与各个R相对应的输出功率P=IU，求出最大输出功率P max，以及相应的硅光电池的最佳负载电阻Rmp、Ump、Imp值.(5) 作P—R及输出伏安特性I—U曲线.(6) 计算曲线因子F·F=（UmpImp）/(U∞ISC).。
硅光电池特性研究
硅光电池特性研究硅光电池特性研究【实验目的】1.了解硅光电池工作原理2.掌握硅光电池的工作特性。
【实验原理】硅光电池是根据光伏效应而制成的将光能转换成电能的一种器件，它的基本结构就是一个P-N 结。
硅光电池P-N 结的制造，一般是在P 型硅片上扩散磷形成N 型薄层，是N/ P 型电池。
也可在N 型硅片上扩散硼形成P 型薄层，形成P/N 型电池。
光电池是在N（P）型硅基底上扩散P（N）型杂质并作为受光面，构成个P-N 结后，再经过各种工艺处理，分别在基底和光敏面上制作输出电极，涂上二氧化硅作保护膜（一方面起防潮保护作用，另一方面对入射光起抗反射作用），即成硅光电池（图1 所示）。
图 1 硅光电池结构1、P-N 结偏置特性当P 型和N 型半导体材料结合时，由于P 型材料空穴多电子少，而N 型材料电子多空穴少，结果P 型材料中的空穴向N 型材料这边扩散，N 型材料中的电子向P 型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两侧的P 型区出现负电荷，N 型区带正电荷，形成一个势垒。
由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN 结两侧形成一个耗尽区，耗尽区的特点是无自由载流子，呈现高阻抗。
当PN 结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；当PN 结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，使势垒削弱，使载流子扩散运动继续形成电流，这就是PN 结的单向导电性，电流方向是从P 指向N。
图2 所示是半导体PN 结在零偏、反偏、正偏下的耗尽区。
(a)零偏(b) 反偏(c) 正偏图 2 硅光电池PN 结在零偏，反偏和正偏下的耗尽区2、光伏效应当硅光电池PN 结处于零偏或反偏时，在它们的结合面耗尽区存在一内电场，当有光照时，电池对光子的本征吸收和非本征吸收都产生光生载流子，但能引起光伏效应的只能是本征吸收所激发的少数载流子。
入射光子将把处于价带中的束缚电子激发到导带，激发出的电子空穴对在内电场作用下分别飘移到N 型区和P 型区，当在PN 结两端加负载时就有一光生电流流过负载。
光电检测实验报告(2)硅光电池
光电检测实验报告实验名称：硅光电池特性测试实验实验者：实验班级：实验时间：指导老师：宋老师一：实验目的1、学习掌握硅光电池的工作原理2、学习掌握硅光电池的基本特性3、掌握硅光电池基本特性测试方法4、了解硅光电池的基本应用二、实验内容1、硅光电池短路电路测试实验2、硅光电池开路电压测试实验3、硅光电池光电特性测试实验4、硅光电池负载特性测试实验5、硅光电池光谱特性测试实验三、实验仪器1、硅光电池综合实验仪 1个2、光通路组件 1只3、光照度计 1台4、2#迭插头对（红色，50cm） 10根5、2#迭插头对（黑色，50cm） 10根6、三相电源线 1根7、实验指导书 1本8、20M 示波器 1台四、实验步骤1、硅光电池短路电流特性测试：（1）组装好光通路组件，将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑为负极），将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。
（2）“光照度调节”调到最小，连接好光照度计，直流电源调至最小，打开照度计，此时照度计的读数应为0。
（3）“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”，将拨位开关S1拨上，S2，S3，S4，S5，S6，S7均拨下。
（4）按图2-11所示的电路连接电路图（5）记录下此时的电流表读数I即为硅光电池短路电流。
图2-11 硅光电池短路电流特性测试2、硅光电池开路电压特性测试（1）组装好光通路组件，将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑为负极），将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。
（2）“光照度调节”调到最小，连接好光照度计，直流电源调至最小，打开照度计，此时照度计的读数应为0。
（3）“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”，将拨位开关S1拨上，S2，S3，S4，S5，S6，S7均拨下。
（4）按图2-12所示的电路连接电路图（5）记录下此时电压表的读数u即为硅光电池开路电压。
硅光电池特性的实验研究
随着光电池的广泛使用，对光电池特性的研究也 越来越引起人们的重视。１９５８年太阳能电池被用作 “先锋１号”卫星的电源，这一重大突破为太阳能利用 进入现代发展时期奠定了技术基础。此后，很快开发 出多种太阳电池，包括多晶硅电池、非晶硅电池、硫化 镉电池、砷化镓电池等，光电转换效率已达２０％以上。 除用于卫星、空间站外，已在灯塔、航标、微波中继站、 铁路信号中得到广泛应用，采用太阳电池的汽车、飞机 也在积极研制，还建成了太阳电池节能住房和太阳电 池电站等。
图８伏安特性曲线
尔霍夫定律可得
张玮，等：硅光电池特性的实验研究
４３
光 照
ＲＬ （ａ）硅光电池结构
【∥ Ｊ，Ｄ
］
）】
由凤 ｕ
岛
Ｉ
１
．＝ ｏ．一Ｉ
（ｂ）理想模型
如Ｊ ，
）】 厂 ｛
（ｃ）简化模型
图１硅光电池的工作原理图
Ｊ（１＋瓦Ｒｓ）一ｊ曲一瓦Ｕ—ｂ．
（２）
假定Ｒ。ｈ一∞和Ｒ。＝０，则有
ｊ—Ｊｐｂ—Ｊ。＝ｊｐｈ—ｊ。（ｅ而ｅＶＤ一１）．
可视为一个半导体ｐ－ｎ结二极管，其正向偏压与通过
电流的关系式为
Ⅳ“
ｂ—ｊ。ｆｅ甘一１、．
（１）
式中：ＪＤ为流过二极管的正向电流；Ｊ。为反向饱和电 流；ｅ为电子电荷；ｋ为玻耳兹曼常量；Ｔ为工作绝对温
度；ＶＤ为结电压。
当半导体ｐ－ｎ结处于零偏或负偏、光照射太阳能
电池时，将产生一个由Ｙｌ区到Ｐ区的光生电流Ｊ。。。同 时，由于ｐ－ｎ结二极管的特性，存在正向二极管电流
文章编号：１００２—４９５６（２００９）０９—００４２—０５
Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ ｒｅｓｅａｒｃｈ ｏｎ ｔｈｅ ｐｒｏｐｅｒｔｙ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ
硅光电池特性的研究实验报告2
.页脚硅光电池基本特性的研究太阳能是一种清洁能源、绿色能源，许多国家正投入大量人力物力对太阳能接收器进行研究和利用。
硅光电池是一种典型的太阳能电池，在日光的照射下，可将太阳辐射能直接转换为电能，具有性能稳定，光谱围宽，频率特性好，转换效率高，能耐高温辐射等一系列优点，是应用极其广泛的一种光电传感器。
因此，在普通物理实验中开设硅光电池的特性研究实验，介绍硅光电池的电学性质和光学性质，学性质，并对两种性质进行测量，并对两种性质进行测量，并对两种性质进行测量，联系科技开发实际，联系科技开发实际，联系科技开发实际，有一定的新颖性和实用价有一定的新颖性和实用价值。
[实验目的实验目的] ]1．测量太阳能电池在无光照时的伏安特性曲线；2.2.测量太阳能电池在光照时的输出特性，并求其的短路电流测量太阳能电池在光照时的输出特性，并求其的短路电流I SC 、开路电压U OC 、最大FF3.3.测量太阳能电池的短路电流测量太阳能电池的短路电流I 及开路电压U 与相对光强J /J 0的关系，求出它们的近似函数关系；[ [实验原理实验原理实验原理] ]1、硅光电池的基本结构目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN 结原理﹑光电效应理论和光伏电池产生机理。
图2-1是半导体PN 结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区，当P 型和N 型半导体材料结合时，由于P 型材料空穴多电子少，而N 型材料电子多空穴少，结果P 型材料中的空穴向N 型材料这边扩散，型材料这边扩散，N N 型材料中的电子向P 型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两侧的P 型区出现负电荷，型区出现负电荷，N N 型区带正电荷，形成一个势垒，由此而产生的电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN 结两侧形成一个耗尽区，耗尽区的特点是无自由载流子，呈现高阻抗。
硅光电池特性实验
硅光电池特性实验硅光电池是一种能够将太阳能转化为电能的半导体器件。
在这个实验中，我们将探究硅光电池的特性，包括其随着光照强度、温度和负载电阻的变化，以及其I-V曲线和P-V 曲线。
实验材料：1.硅光电池2.台式数字万用表3.90W白色LED灯4.恒流源5.电阻箱实验步骤：1.电路连接：将硅光电池通过恒流源连接到数字万用表上，并用电阻箱连接一个负载电阻。
2.测量I-V曲线：将电路连接好后，使用数字万用表测量电路中的电流和电压，记录数据。
3.测量P-V曲线：根据上一步测量所获得的数据，计算出该电路对应的功率，并绘制出P-V曲线。
4.测量光照强度对硅光电池输出功率的影响：在不同光照强度下，使用相同的负载电阻测量输出功率，并绘制出曲线。
5.测量温度对硅光电池输出功率的影响：在不同温度下，使用相同的负载电阻测量输出功率，并绘制出曲线。
6.观察负载电阻对硅光电池输出功率的影响：在相同光照强度和温度下，使用不同的负载电阻测量输出功率，并绘制出曲线。
实验结果：1.I-V曲线和P-V曲线：随着电压的增加，电流也会逐渐增加，但当电压达到一定值后，电流增加缓慢。
而功率则是电流和电压的乘积，呈现出一个“山峰”状的曲线，当电压达到一个最大值后，功率也会达到最大值，随后急剧下降。
2.光照强度对输出功率的影响：当光照强度增加时，输出功率也会随之增加。
但是当光照强度超过一定范围后，输出功率不再增加，反而开始下降。
3.温度对输出功率的影响：随着温度的升高，输出功率逐渐下降。
这是因为高温会使硅光电池的导电能力下降，从而降低其输出功率。
4.负载电阻对输出功率的影响：负载电阻的变化会影响电路中的电流和电压，从而对输出功率产生影响。
当负载电阻较小时，电路的电流较大，但电压较小，这会导致输出功率较低。
而当负载电阻较大时，电路的电流较小，但电压较大，可以使输出功率达到最大值。
结论：通过本次实验，我们得到了以下结论：1.硅光电池的I-V曲线和P-V曲线呈现出一定规律性，当电压达到一定值后，电流增加缓慢，随后Gong率开始下降。
不同光照强度下太阳能电池的伏安特性
三、太阳能电池在不同光照强度下的伏安特性
1.实验目的
通过实验，了解并掌握光照强度对太阳能电池的影响。
2.实验设备
光伏太阳能电池特性实验箱。
3.实验原理及内容
实验装置原理框图如图所示
负载伏安特性测试
按照图所示设计测量电路图，并连接电路。
连接图如下：如图一所示，选取组件2的端口103，连接电流表的正极105，电流表负极106和电阻箱上红色接线柱连接，电阻箱负极的黑色接线柱和组件2的端口104连接，电压表正极107和组件2端子103连接，电压表负极108和组件2端子104连接，这样即连接完成。
光源的发光方向对着太阳能电池组件，打开白色电源，等光源发光亮度稳定后开始测量。
将太阳能光伏组件，电压表，电流表，负载电阻按照连接成回路，改变电阻阻值，用万用表分别测量的电阻阻值，使阻值由小到大变化。
测量流经电阻的电流I和电阻上的电压V，即可得到该光伏组件的伏安特性曲线。
测量过程中辐射光源与光伏组件的距离要保持不变，辐照面积与角度不变化，以保证整个测量过程是在相同条件下进行的。
白色光源的亮度，可根据照度表显示数字调节。
4.结论：
不同光照强度下充电电压和充电电流均不相同，中午的充电效果最好，早上和晚上效果相对较差。
实验四 硅光电池的特性测试
实验四硅光电池的特性测试一、实验目的:1.熟悉硅光电池的结构与工作原理；2.掌握实验测试硅光电池光电特性的方法；3.了解硅光电池的光电特性。
二、实验原理:硅光电池按基底材料不同分2DR型和2CR型。
2DR型硅光电池是以P型硅作基底（即在本征型半导体中掺入三价元素硼、镓等）, 然后在基底上扩散磷而形成N型并作为受光面。
2CR型光电池则是以N型作基底（在本征型硅材料中掺入五价元素磷、砷等）, 然后在基底上扩散而形成P型并作为受光面。
构成P-N结后, 再经过各种工艺处理, 分别在基底和光敏面上制作输出电极, 涂上二氧化硅作保护, 即成光电流。
如图4-1(a)所示。
图4-1 硅光电池结构及工作原理图光电池的主要功能是在不加偏置的情况下能将光信号转换为电信号。
硅光电池的工作原理如图4-1(c)所示。
有光照时, 光电池外接上负载电阻RL, 此时在P-N结内出现两种方向相反的电流: 一种是光激发产生的电子-空穴对, 在内建电场的作用下, 形成的光生电流Ip, 它与光照有关, 其方向与P-N结反向饱和电流I0相同；另一种是光生电流Ip流过负载电阻RL产生电压降, 相当于在P-N结施加正向偏压, 从而产生正向电流ID, 总电流是两者之差。
即:三、实验仪器及部件:光电池、直流稳压电源、采样电阻、照度测量器件、照度表、光源、微安表、F/V 表。
四、实验步骤:1.了解所需单元、部件在实验仪上的位置、观察光电池的结构。
2.测量光电池的短路电流:按图4-2接线, 装上光源, 对准光电池, 关闭发光管电源, 移出遮光罩, 光电池完全被遮盖, 微安表显示的电流值即为暗电流, 即照度为0时。
开启光源, 改变照度（方法如实验一）, 并记录电流表的读数填入下表, 作出照度—电流曲线。
表4-1 短路电流与光照度关系表照度（Lx ） 0 200 400 600 800 1000 电流（uA ）3.测量光电池的开路电压:按图4-3接线, 装上电源, 对准光电池, 关闭发光管电源, 移出遮光罩, 光电池完全被遮盖, 电压表显示的电压为照度为0时的电压。
硅光电池伏安特性
100
200
300
400
500
600
700
800
900
100 0
U (10-1 mV)
光强 (10-2 mV)
110 120 130 140 150 160 170 180 190 000000000
U (10-1 mV)
3.硅光电池伏安特性测定(发送光强300~400)，
以负载电流为纵坐标，输出电压为横坐标，作曲线。
光强
110 120 130 140 150 160 170 180 190
(102 mA) 0
0
0
0
0
0
0
0
0
零偏
（10-1 mV）
反偏
（10-1 mV）
2.测定硅光电池输出连接恒定负载(10k~15k)时，产 生的光电压与输入光强的关系。
以硅光电池输出电压为纵坐标，输入光强为横坐标， 作曲线。
光强 (10-2 mV)
实验7.4 硅光电池伏-安特性的研究
一.实验目的 （p198~200） 1.了解硅光电池的工作原理。 2 . 测定硅光电池的伏-安特性。 二. 实验原理 1.晶体的能带
E
空带
0.1 ~ 0.5ev
价带 禁带
半导体能带结构
2.pn结及单向导电性
E
p
n
pn结示意图
单向导电性
E
p
n
I
R
pn结正向导通
E
p
n
R
pn结反向阻流
3. 实验原理
eV
I Is (e kT 1) I p
Is -饱和电流 I p -光生电流 V -pn结两端的电压 T -绝对温度
硅光电池伏安特性的实验设计与分析研究
硅光电池伏安特性的实验设计与分析研究【摘要】光伏技术可直接将太阳的光能转换为电能，近年来微小型半导体逆变器迅速发展，促使其应用更加快捷，因而光伏技术制作的光电池有望成为21世纪的新能源，探索硅光电池的光电特性能为其开发应用提供更多的方向和途径。
【关键词】硅光电池；特性；实验实验器材：硅光电池综合实验仪，1个；光通路组件，1只；光照度计，1台；2#迭插头对（红色，50cm），10根；2#迭插头对（黑色，50cm），10根；三相电源线，1根；实验指导书，1本；20M示波器，1台。
硅光电池的基本结构是半导体PN结，通过光照射到硅光电池的光照面上，射入粒子的能量大于硅的能隙时，光子能量将被半导体吸收，产生电子―空穴对。
它们在运动中一部分重新复合，其余部分在到达PN结附近时受PN结内电场的作用，空穴向P区迁移，使P区显示正电性，电子向N区迁移，使N区带负电，因此在PN结产生电动势。
一、硅光电池伏安特性如图1，在硅光电池输入光强度不变时，测量当负载一定的范围内变化时，光电池的输出电压及电流随负载电阻变化关系曲线称为硅光电池的伏安特性。
二、硅光电池伏安特性测试设计（1）组装好光通路组件，将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑为负极），将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。
（2）“光照度调节”调到最小，连接好光照度计，直流电源调至最小，打开照度计，此时照度计的读数应为0。
（3）“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”，将拨位开关S1拨上，S2，S3，S4，S5，S6，S7均拨下。
（4）电压表档位调节至2V档，电流表档位调至200uA档，将“光照度调节”旋钮逆时针调节至最小值位置。
（5）按图1所示的电路连接电路图，R取值为200欧，打开电源顺时针调节照度调节旋钮，增大光照度值至500lx。
记录下此时的电压表和电流表的读数。
（6）关闭电源，将R分别换为下表中的电阻值，重复上述步骤，分别记录电流表和电压表的读数。
硅光电池实验设计
硅光电池实验设计代如成;郭强;王中平;张增明;孙腊珍【摘要】采用开放式的实验平台设计了硅光电池系列实验, 测量了硅光电池在全暗和光照下的伏安特性, 开路电压、短路电流和输出电压与光照强度的关系, 以及短路电流和开路电压与温度的依赖关系.实验内容包含电学和光度学知识, 学生可以掌握硅光电池的工作原理和基本特性.%A series of experiments of silicon photocell were designed on an open experimental platform.The voltage-current characteristic of silicon photocell under full darkness and illumination were measured, the relationship between open-circuit voltage, short-circuit current and output voltage and illumination intensity, and the temperature dependences of short-circuit current and open-circuit voltage were also measured.The experiment contents included the electricity and photometry, students could master the working principle and basic characteristics of silicon photocell.【期刊名称】《物理实验》【年(卷),期】2019(039)001【总页数】4页(P15-18)【关键词】硅光电池;伏安特性;光照特性;温度特性【作者】代如成;郭强;王中平;张增明;孙腊珍【作者单位】中国科学技术大学物理学院, 安徽合肥 230026;中国科学技术大学物理学院, 安徽合肥 230026;中国科学技术大学物理学院, 安徽合肥 230026;中国科学技术大学物理学院, 安徽合肥 230026;中国科学技术大学物理学院, 安徽合肥 230026【正文语种】中文【中图分类】TM914.41在光照射作用下，物质吸收光子能量并且激发自由电子的现象称为内光电效应，其主要包括光电导效应和光伏(特)效应. 光伏效应是指一定波长的光照射在非均匀半导体(特别是PN结)上，在内建电场的作用下，半导体内部产生光电压的现象. 硅光电池是基于光伏效应能够将光能直接转换成电能的半导体器件，它具有转换效率高、重量轻、使用安全、无污染等特点，在光电技术、自动控制、计量检测以及光能利用等领域都有广泛的应用.1 实验原理硅光电池的核心是大面积的光电二极管，在没有光照的情况下，硅光电池可以看作PN结二极管，其电流与电压关系可以表示为[1](1)式中，U为硅光电池两端电压，T为热力学温度，q为电子电荷，k为玻尔兹曼常量，n为二极管的品质因子,I0为硅光电池的反向饱和暗电流(主要由半导体材料的禁带宽度决定),Id为流过硅光电池的电流.在光照的情况下，硅光电池可以看作恒流源与正偏理想二极管的并联. 对于实际的硅光电池而言，其等效电路要复杂得多，需要考虑PN结的品质和实际存在的串联电阻Rs和并联电阻Rsh[2-3]. 其中串联电阻来源于半导体材料的体电阻、电极与半导体接触电阻以及电极金属的电阻. 并联电阻是由于PN结漏电产生的，包括绕过电池边缘漏电、PN结区域存在晶体缺陷和杂质所引起的内部漏电. 在光照时，硅光电池产生一定的光生电流Iph，其中一部分流过PN结为暗电流Id，另一部分为供给负载电流I，其等效电路如图1所示[2-3].图1 硅光电池的等效电路因此考虑串并联电阻后，硅光电池的电流与电压关系表示为I=Iph-Id-Ish=式中，I为流过负载R的电流，Iph为光生电流，Id为流过二极管电流，Ish为流过并联电阻Rsh的电流,n为硅光电池PN结的品质因子(正偏压大时n值为1；正偏压小时n值为2).传统电池的输出电压和输出功率是恒定的，但是硅光电池的输出电压、电流及其功率与光照条件和负载都有很大关系. 通常采用以下参量来表征太阳能电池的性能：短路电流Isc、开路电压Uoc、最大输出功率Pm、填充因子FF以及转换效率η[4-5].2 结果与分析2.1 硅光电池的暗伏安特性曲线全暗情况下硅光电池的正向I-U特性曲线如图2所示，硅光电池的暗伏安特性表现出与普通二极管类似的伏安特性. 由图2可见，当硅光电池的正向电压较小时，正向电流较小，几乎为零. 当硅光电池两端电压超过死区电压时，正向电流才迅速增大，电流与电压的关系基本上是指数曲线. 根据式(1)，由最小二乘法拟合实验数据可以得到，I0=3.8×10-2 mA，n=6.5.图2 硅光电池的暗伏安特性太阳能电池始终有杂质和缺陷，有些是硅片本身就有的，有些是在工艺中形成的. 这些杂质和缺陷起到复合中心的作用，可以俘获空穴和电子使之复合，必然会有微小的电流产生，这些电流对硅光电池的暗电流有贡献，它们共同导致了非理想二极管特性[3].2.2 硅光电池的光照伏安特性曲线在光照情况下，硅光电池的PN结相当于电流源，当与外电路接通时，会有电流通过电路. 在无外加偏压时的硅光电池的正向I-U特性曲线如图3所示. 由图3可知，在相同光照强度下，硅光电池的输出电压与电流呈非线性变化，当PN结的正向电流全部抵消其光电流时，硅光电池的光生电压趋于稳定达到开路电压.图3 不同光照强度下硅光电池的伏安特性不同光照强度对硅光电池的伏安特性有明显影响. 在相同负载下，光照越强，硅光电池的输出功率也越大，硅光电池的内阻随光照强度增加而减小. 在纯电阻电路中，当外电路负载与硅光电池的内阻相等时，其输出功率达到最大，如图4所示.图4 不同光照强度下硅光电池的输出特性在室温条件下，根据硅光电池的输出特性，计算其基本参量如表1所示. 随光照强度增加，硅光电池的Uoc,Isc和Pm增大，内阻减小.表1 不同光照强度下硅光电池的基本特性参量E/lxUoc/VIsc/μAR/ΩPm/μWFF400.4070.85 96015.90.69650.4190.03 86025.20.681100.43160.62 32043.40.632500.45359.71 16081.30.532.3 硅光电池的Uoc和Isc与光照强度关系硅光电池的Uoc与Isc随光照强度变化如图5所示. 由图5可知，硅光电池的Uoc 随着光照强度的增加而非线性增大，光照强度较小时，电压变化率较大，当达到一定光照强度后，电压变化率较小[4,6]. 硅光电池的Uoc与E呈对数关系：Uoc=0.31+0.03ln E .硅光电池的Isc随光照强度增加而线性增大[4,6]. 硅光电池的Isc与E呈线性关系：Isc=-2.1×10-4+1.4×10-4E.图5 硅光电池的开路电压、短路电流随光照强度变化2.4 硅光电池的输出电压与光照强度关系硅光电池的输出电压与光照强度依赖关系如图6所示. 由图6可知，在相同光照强度下，负载越大，硅光电池的输出电压越大. 在所选定的光照强度范围内，较小负载情况下(R=100 Ω)，硅光电池的输出电压随光照强度增加而线性增大；随着负载增大(R=1 000 Ω)，一定光照强度范围内，硅光电池的输出电压与光照强度呈线性关系；当光照更强时，呈非线性关系；随着负载继续增大(R=5 000 Ω,10 000Ω)，硅光电池的输出电压与光照强度呈非线性关系.图6 不同负载下硅光电池的输出电压随光照强度变化2.5 硅光电池的Uoc和Isc与温度关系硅光电池的输出功率与环境温度密切相关，如图7所示. 由图7可知，Uoc随温度升高而线性减小，温度系数为-2.2 mV/℃；Isc随温度升高而线性增大，温度系数为0.3 μA/℃. 当温度超过200 ℃，硅光电池会损坏[8]. 因此，硅光电池应该安装在日照强无阴影处并且电池上下面空气流通，保持尽可能低的温度.图7 硅光电池的Uoc与Isc随温度变化3 结束语设计了硅光电池系列实验，内容涉及了硅光电池的伏安特性、光照输出特性和温度特性等. 该实验旨在让学生掌握硅光电池的基本特性和重要参量，内容包含电学和光度学知识. 本实验的设计原理、方法可行，测量数据可靠，该实验已在我校大学物理基础实验课程中开设多年，教学效果良好.【相关文献】[1] 种法力，滕道祥. 硅太阳电池光伏材料[M]. 北京：化学工业出版社，2015:51-70．[2] 王文静，李海玲，周春兰，等. 晶体硅太阳电池制造技术[M]. 北京：机械工业出版社，2013:5-20．[3] 张春福，张进成，马晓华，等. 半导体光伏器件[M]. 西安：西安电子科技大学出版社，2014:6-13．[4] 张玮，杨景发，闫其庚. 硅光电池特性的实验研究[J]. 实验技术与管理，2009，26(9)：42-46．[5] 周帧，卢佃清，史林兴. 硅光电池特性研究[J]. 实验室研究与探索，2011，30(11)：36-39．[6] 王志军，李守春，王连元，等. 硅太阳能电池特性的实验研究[J]．大学物理实验，2013，26(6)：27-30．[7] 塔金星. 《硅光电池特性》实验教学探索和实践[J]. 大学物理实验，2015，28(1)：38-40．[8] 曾振武，肖荣辉，林映燕. 温度对硅光电池光电特性影响的实验设计[J]. 科技经济市场，2013(10)：3-4．。
硅光电池特性研究
硅光电池特性的研究实验人：林晔顺023012037 合作人：林宗祥组号：A8【实验目的】1．设计简单的光路，研究硅光电池的主要参数和基本特性。
2．设计使用硅光电池对有关参量进行探测的实验方法及其简单应用。
【实验仪器】实验用具：电位差计、硅光电池（2DR65型，面积Φ=15nm2，光强100mW/cm2,温度为20oC时，开路电压大于500mV，短路电流为31~55mA，光谱峰值在0.45~1.1um范围内），光源，聚光透镜，检流计，滤色片，偏振片，开关等。
【实验基本原理】光电池是一种光电转换元件，不用外加电源而能直接把光能转换成电能。
它的种类很多，常见的有硒、锗、硅、砷化镓、氧化铜、硫化铊、硫化镉等。
其中最受重视、应用最广的是硅光电池。
它有一系列的优点：性能稳定，光谱范围宽，频率响应好，转换效率高，能耐高温辐射等。
同时它的光谱灵敏度与人眼的灵敏度最相近，所以，它在很多分析仪器、测量仪器、曝光表以及自动控制监测、计算机的输入和输出上用作探测元件，在现代科学技术中占有十分重要地位。
本实验仅对硅光电池的基本特性和简单应用作基本的了解和研究。
硅光电池是一种P—N结的单结光电池，当光照射到P—N结时，由于光激发的光生载流子的迁移，使P—N结两端产生了光生电动势，如果他与外电路中的负载接通，则负载电路中将由光电流产生。
硅光电池可分为单晶硅光电池和多晶硅光电池，其中本实验中使用的2DR型硅光电池属于单晶硅光电池。
下圖是常用的硅光电池的外形及结构示意图，为提高效率，在器件的受光面上进行氧化，形成SiO2保护膜，以防止表面反射光，并且表面电极做成梳妆，减少光生载流子的复合机会。
单晶硅光电池的转换率一般在10%左右，最高可达15%~20%。
目前，使用较广发的太阳能电池属于多晶硅光电池，转换率约为7%。
多晶硅光电池采用价格低廉的多晶硅作材料，而且可用简单的真空涂镀法制造，其大小不受晶体的大小限制，可制作大面积光电池。
太阳能硅光电池的主要参数和基本特性的测量
太阳能硅光电池的主要参数和基本特性的测量实验目的1. 在没有光照的时候，测量太阳能电池的伏安特性曲线。
2. 测量太阳能电池的短路电流、开路电压、最大输出功率及填充因子3. 测量太阳能电池的短路电流、开路电压与相对光强的关系，求出它们的近似函数关系。
原理：太阳能电池在没有光照时其特性可视为一个二极管，在没有光照时其正向偏压U 与通过电流I 的关系式为：(1)(1)式中，I 0和β是常数。
由半导体理论，二极管主要是由能隙为EC －EV 的半导体构成，如图1所示。
EC 为半导体电带，EV 为半导体价电带。
当入射光子能量大于能隙时，光子会被半导体吸收，产生电子和空穴对。
电子和空穴对会分别受到二极管之内电场的影响而产生光电流。
假设太阳能电池的理论模型是由一理想电流源（光照产生光电流的电(1)U oI I e β=-流源）、一个理想二极管、一个并联电阻与一个电阻所组成，如图2所示。
图2图2中，为太阳能电池在光照时该等效电源输出电流，为光照时，通过太阳能电池内部二极管的电流。
由基尔霍夫定律得：，（2）(2）式中，I为太阳能电池的输出电流，U为输出电压。
由（1）式可得，（3）假定和，太阳能电池可简化为图3所示电路。
图3这里，。
在短路时，U＝0，；而在开路时，I＝0，；()0s ph d shIR U I I I R+---=(1)sph dsh shR UI I IR R+=--shR=∞0sR=(1)Uph d phI I I I I eβ=-=--ph scI I=(1)0ocUscI I eβ--=（4），（4）式即为在 和 的情况下，太阳能电池的开路电压 和短路电流 的关系式。
其中 为开路电压， 为短路电流，而I 0 、β是常数。
实验器材光具座、滑块、白炽灯、太阳能、电池、光功率计、遮光罩、电压表、 电流表、电阻箱 步骤数据记录1、 全暗情况下太阳能电池在外加偏压时伏安特性∴1ln[1]scOCI U I β=+sh R =∞0s R =OC U SC I OC U SC I2、在不加偏压时，在使用遮光罩条件下，保持白光源到太阳能电池距离20CM，测量太阳能电池的输出电流对太阳能电池的输出电压的关系。