PMOS开关管的选择与使用说明

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PMOS管driver问题-单管与推挽的差别

这段时间在整理ABS的MOS及其driver，总结一下关于PMOS管driver的问题，在论坛里经常看到说开关频率高驱动就用三极管组成推挽，频率低就用一只三极管1.从工作原理上面分析：推挽的话：上管通对MOS充电，下管通MOS放电单管的话：截止，MOS充电；导通，MOS放电2. 从实际效果来看：单管驱动，就相当于给MOS开关管栅极充电时是驱动管饱和，电源直接加在电容上充电，充电相当快，但放电时驱动管截止了，只能靠下拉电阻放电，当然慢了推挽也就是图腾驱动充电时是上面的三极管饱和导通，电源直接给栅容充电放电时是下面的三极管饱和导通，电容相当于直接对地短路放电（当然为了说明差别，理想化了，实际上受引线阻抗以及三极管集电极最大电流的限制），你说哪个放的快？下面附带几张电路图，是从网上搜集来的，仅供参考1. 用于PMOS的开关控制的驱动电路（即单个三极管驱动PMOS）上图是典型的单个三极管作为驱动的应用，图中的SI2305就是P沟道MOS管，由于有很多朋友对于检查这一部分的故障很茫然，所以在这里很有必要讲一下它的工作原理，来加深一下你的印象！图中电池的正电通过开关S1接到场效应管Q1的2脚源极，由于Q1是一个P沟道管，它的1脚栅极通过R20电阻提供一个正电位电压，所以不能通电，电压不能继续通过，3v稳压IC输入脚得不到电压所以就不能工作不开机！这时，如果我们按下SW1开机按键时，正电通过按键、R11、R23、D4加到三极管Q2的基极，三极管Q2的基极得到一个正电位，三极管导通（前面讲到三极管的时候已经讲过），由于三极管的发射极直接接地，三极管Q2导通就相当于Q1的栅极直接接地，加在它上面的通过R20电阻的电压就直接入了地，Q1的栅极就从高电位变为低电位，Q1导通电就从Q1同过加到3v稳压IC的输入脚，3v稳压IC就是那个U1输出3v的工作电压vcc供给主控，主控通过复位清0，读取固件程序检测等一系列动作，输处一个控制电压到PWR_ON再通过R24、R13分压送到Q2的基极，保持Q2一直处于导通状态，即使你松开开机键断开Q1的基极电压，这时候有主控送来的控制电压保持着，Q2也就一直能够处于导通状态，Q1就能源源不断的给3v稳压IC提供工作电压！SW1还同时通过R11、R30两个电阻的分压，给主控PLAY ON 脚送去时间长短、次数不同的控制信号，主控通过固件鉴别是播放、暂停、开机、关机而输出不同的结果给相应的控制点，以达到不同的工作状态！2. 用于PMOS的PWM控制的驱动电路。

nmos和pmos互补型开关电路原理

nmos和pmos互补型开关电路原理
在现代电子技术中，nmos和pmos互补型开关电路是一种常见的电路结构。

它们可以实现高效的电流开关和逻辑控制，被广泛应用于数字电路和集成电路设计中。

nmos和pmos是两种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的类型，它们分别由n型半导体和p型半导体构成。

这两种晶体管的结构和工作原理有所不同，但它们可以相互配合使用，形成互补型开关电路。

在互补型开关电路中，nmos和pmos晶体管被连接成串联的方式。

当输入信号为高电平时，nmos晶体管导通，而pmos晶体管截止；当输入信号为低电平时，pmos晶体管导通，而nmos晶体管截止。

这样，通过控制输入信号的高低电平，可以实现对输出信号的开关控制。

nmos和pmos互补型开关电路具有以下特点：
1. 低功耗：互补型开关电路能够有效地控制电流的流动，从而减少功耗。

在待机状态下，电流几乎为零，能够节省能量。

2. 高速度：互补型开关电路响应速度快，能够在短时间内完成开关操作。

这对于数字电路和集成电路的高速运算非常重要。

3. 可靠性高：nmos和pmos晶体管具有良好的电流控制性能和稳定
性，能够保证电路的可靠运行。

4. 适应性强：互补型开关电路可以适应不同的输入电压和电流，并能够输出相应的信号。

nmos和pmos互补型开关电路是一种常见的电路结构，它通过控制nmos和pmos晶体管的导通状态，实现对输出信号的开关控制。

这种电路具有低功耗、高速度和可靠性高的特点，被广泛应用于数字电路和集成电路设计中。

通过合理的电路设计和布局，可以实现更加高效和稳定的电路功能。

nmos和pmos的二极管接法和等效电路

nmos和pmos的二极管接法和等效电路一、引言在集成电路中，nmos和pmos是两种常见的场效应管。

除了作为开关和放大器的基本元件外，它们还可以用作二极管。

本文将详细介绍nmos和pmos的二极管接法和等效电路。

二、nmos二极管接法nmos二极管接法是将n沟道型MOS场效应管作为二极管使用的一种方法。

nmos二极管的接法如下：1.将源极和栅极短接，即将源极和栅极短路连接。

2.将漏极作为二极管的正极，即将二极管的正极与漏极相连。

3.将栅极作为二极管的负极，即将二极管的负极与栅极相连。

nmos二极管的等效电路如下：+---|>|---+| |+---|<|---+三、pmos二极管接法pmos二极管接法是将p沟道型MOS场效应管作为二极管使用的一种方法。

pmos二极管的接法如下：1.将源极和栅极短接，即将源极和栅极短路连接。

2.将漏极作为二极管的正极，即将二极管的正极与漏极相连。

3.将栅极作为二极管的负极，即将二极管的负极与栅极相连。

pmos二极管的等效电路如下：+---|<|---+| |+---|>|---+四、nmos和pmos二极管的特性nmos和pmos二极管的特性与普通二极管相似，但也有一些区别。

1. 正向电压下的特性在正向电压下，nmos二极管和pmos二极管都可以导通。

当正向电压大于二极管的阈值电压时，电流开始流过二极管。

2. 反向电压下的特性在反向电压下，nmos二极管和pmos二极管都会截止。

当反向电压大于二极管的击穿电压时，二极管会发生击穿现象，导致电流大幅增加，可能损坏器件。

五、nmos和pmos二极管的应用nmos和pmos二极管的应用主要体现在以下几个方面：1. 信号检测nmos和pmos二极管可以用于信号检测电路中。

通过将二极管接在信号路径上，当信号超过二极管的阈值电压时，二极管导通，实现信号检测功能。

2. 电压参考nmos和pmos二极管可以用作电压参考电路中的基准电压源。

PMOS管用作电源开关注意事项

PMOS管⽤作电源开关注意事项
PMOS管⽤作电源开关注意事项：PMOS管作电源开关时因开关速度过快导致电源被拉下。

最近在设计电路时踩了⼀个坑，给⼤家分享下。

在电路中⽤到了三极管和MOS管做电源开关，原有问题电路如下图：POWER_RESET为⾼，Q4和Q2均导通，电源接通;
POWER_RESET为低时，Q4和Q2均不导通，电源不通。

做好PCB板，焊上相应器件，上电发现电路⼯作不正常，表现为，在POWER_RESET突然变⾼时，即电源3V3突然接通时，前级电源DCDC_3V3被拉下。

⽤⽰波器测量如下：
那么是为什么呢？原因是因为开关的开启速度过快，瞬间导通，⽽后级3V3电源有很多电路均在使⽤，会接了很多滤波电容，总电容量很⼤。

在电源突然接通的时候，需要对这些电容进⾏充电，电容量⼤，导致刚开始需要的电流很⼤，⽽前级来不及提供，导致电源被拉下。

知道了问题的原因，那么如何修正呢？那就需要让开关不能打开过快，需要慢慢打开。

改进电路如下。

⾸先C169可以让Q4导通时间变缓，这是⼀⽅⾯。

然后C168和R171可以让Q3导通变缓。

Q4导通前Q3的Vgs=0。

当Q4由不导通变为导通时，因为Q3的GS上⾯有电容，电容两端电压不能突变，Q3的G极不会马上被拉低，⽽是需要通过R171对电容C168和C167进⾏充电，充电的过程就是G极电压变低的过程，即Vgs是慢慢变化的，所以Q3也是慢慢导通的，开启的速度取决于C167和C168及R171的值。

PMOS开关管的选择与使用说明

PMOS开关管的选择与使用说明首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。

在功率系统中，MOSFET 可被看成电气开关。

当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。

导通时，电流可经开关从漏极流向源极。

漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。

必须清晰MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。

这就是后面介绍电路图中栅极所接电阻至地。

假如栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。

当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。

虽然这时器件已经关闭，但仍旧有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。

第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择准确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。

在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。

在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

当MOSFET 连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。

通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。

第二步：确定额定电流第二步是选择MOSFET的额定电流。

视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。

与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。

两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。

该参数以FDN304P管DATASHEET为参考，参数如图所示：在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。

脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。

一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。

选好额定电流后，还必须计算导通损耗。

在实际情况下，MOSFET并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。

PMOS功率管开关电路设计

PMOS功率管开关电路设计引言：开关电路在电子工程中起到至关重要的作用，通过对电源电压的开关控制来控制电路的通断。

而功率管则是开关电路中的重要元件，常常用于控制更大容量的电流。

本文将介绍PMOS功率管开关电路的设计及其相关原理。

一、PMOS功率管的原理PMOS功率管是一种由双扩散MO型结构构成的功率场效应管。

在PMOS 输人端，当门极电位提高时，植入层P型区域为导电状态，使管子处在导通状态；而当门极电位降低时，以及Vds大于阈值电压时，植入层P型区域为阻绝状态，使管子处于关断状态。

PMOS功率管能够承受较高的电压和电流，因此常用于功率放大或开关电路中。

二、设计PMOS功率管开关电路1.工作电压选择：根据实际需求，选择合适的工作电压。

PMOS功率管一般工作在负电压条件下，所以选用正电压作为控制电源。

可以考虑放大芯片、电池等作为控制电源。

2.工作电流确定：根据实际负载电流需求选择合适的PMOS功率管。

通常应选择额定电流大于负载电流的功率管，以保证其正常工作。

3.阻抗匹配：根据PMOS功率管的特性，设计输出阻抗，以保证输出信号能够正确驱动负载。

可以使用电阻和电容构造适当的输出阻抗网络。

4.并联设计：当需要驱动较大电流的负载时，可以将多个PMOS功率管并联使用，以增加总的驱动能力。

5.使用保护电路：为了保护PMOS功率管免受损坏，可以设计相应的保护电路，例如过流保护、过温保护等。

6.接地设计：为了保证开关电路正常工作，应将单点接地设计在合适位置。

三、PMOS功率管开关电路设计实例例如，设计一个PMOS功率管开关电路，其输入为3.3V的控制信号，输出为5V电源供电的LED灯。

1.选择PMOS功率管：根据负载电流需求选择合适的PMOS功率管，例如IRF9530。

2.设计输入控制电路：利用三极管和电阻构造一个可调电流源，将3.3V的控制信号转换为适当的电流，以正确驱动PMOS功率管。

3.设计输出阻抗网络：使输出信号能够正确驱动LED灯，可使用电阻和电容构造适当的输出阻抗网络。

MOS管参数详解及驱动电阻选择

MOS管参数解释MOS管介绍在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。

MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。

这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。

原因是导通电阻小且容易制造。

所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。

在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。

这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。

寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。

MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。

但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。

选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。

现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧，几十毫欧左右MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。

MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。

通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。

PMOS功率管开关电路设计

PMOS开关管电路设计指南一、NMOS管等效电路A）B）图2 NMOS管等效模型1、驱动G极时，因为输入电容Ciss（Cgd+Cgs）的存在，要求电压变化快，i=Cdu/dt，当G极电流大时，du/dt也大，增大开关速度。

2、根据B图，功率MOS管内部存在等效三极管，当S接地，刚上电时，三极管会导通，且电流有可能过大，所以，最好D极有缓启动电路保护。

3、根据A图，反向寄生二极管有可能被正向或反向击穿。

反向击穿有可能因为D极部分，当电源开启时会有冲击电流，因为线上电感原因，U = Ldi/dt，导致U过大。

正向击穿，可能因为S极在关电时，因为线上电感原因，造成U 过大；或者线上串入能量较大干扰电压，导致寄生二极管正向通道电流过大，烧毁寄生二极管，从而造成MOS管失效。

二、控制盒PMOS开关电路分析1、小电流切换电路A)B)图3 5V激光器驱动电路和24V LED灯驱动电路1、电路A：1）三极管集电极电阻过大，导致开关速度不高；考虑是激光器驱动电路，正好使用这个缓启动功能。

2）MOS管损坏过，现象是能够正常开启MOS管，但不能完全关断MOS管，怀疑是MOS管寄生二极管损坏导致。

解决办法，a）更换Vds较大的MOS管（IRLML5203，Vds最大30V，而6401的Vds最大12V）b）电源处增加缓启动c）D端增加5V TVSd）在输出端口增加电阻等措施e）去掉输出π型滤波电路上的并接反向二极管，如有可能，在输出放置防反接二极管。

2、电路B1）24V驱动电路，导通时Vgs过大，影响PMOS管寿命解决办法：修改R13为10K，R11为20K，Vgs最大为-8V2）电源上电有可能Vgs过大，在G、S极增加一个8V稳压二极管保护3）IRF9393的最大Vds约55V，更改为IRF6217，最大Vds变为150V4）在D极增加24V TVS5）在输出端口增加电阻等措施6）去掉输出π型滤波电路上的并接反向二极管，如有可能，在输出放置防反接二极管。

NMOS和PMOS

NMOS和PMOS在实际项目中，我们基本都用增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。

我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。

在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。

这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。

顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

1.导通特性NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

2.MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。

选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。

现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。

MOS 两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。

通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。

导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。

缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。

这两种办法都可以减小开关损失。

3.MOS管驱动跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。

这个很容易做到，但是，我们还需要速度。

在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。

对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。

NMOS和PMOS

NMOS和PMOS在实际项目中，我们基本都用增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。

我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。

在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。

这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。

顺便说一句，体二极管只在单个的MOS 管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

1.导通特性NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

2.MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。

选择导通电阻小的MOS 管会减小导通损耗。

现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。

MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。

通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。

导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。

缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。

这两种办法都可以减小开关损失。

3.MOS管驱动跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。

这个很容易做到，但是，我们还需要速度。

在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。

对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。

PMOS开关电路

PMOS开关电路1、电路功能在一些手持设备中，经常要用一颗按键来实现长按开关机，短按实现功能切换的情况；并且手持设备的还要考虑功耗问题，在关机后，要尽可能的降低功耗，本文通过PMOS管来实现上述功能。

2、电路设计电路图如下图所示：本图是单节电池供电，并且用一颗电源IC将电池转换成更低的电压，供后级设备使用。

并且电路实现了第一部分所描述的功能。

3、电路分析Q6为PMOS管，当Vgs为负时，并且Vgs小于Vgs(TH)时Q6就能导通，从而为U2提供输入电压，为后级电路提供2.8V的电源。

保证Vgs为负有两个条件，两个条件满足一个，就可以使后级电路工作，其中一个条件是SW1被按下，它使G极通过二极管D9接地，从而实现PMOS的导通，当PMOS导通后，后续电路就可以进行工作，标号Key接到MCU的一个IO口上，当按键按下时，Key为低，MCU在运行时侦测Key的信号，如果低电平持续1-2秒，MCU就进行开机动作，将PwrCtrl引脚设置为高电平，使三极管Q9导通，也就是使PMOS的G极接地，此时松开按键，由于PwrCtrl的电平由MCU给出，所以PMOS 的G极仍然接地，从而实现了开机过程。

关机过程，当SW1不被按下时，Key被上拉为高，当SW1被按下时Key就被置为低，MCU就可以通过侦测到Key脚电平的变化，当SW1被按下1-2S时，MCU就可以PwrCtrl设置为低电平，断开Q9，当SW1松开时，PMOS的G极电位为VBat，Vgs就是0，所以PMOS不导通，后级电路就不能工作。

功能按键侦测，通过按下按键的时间长短来区分功能按键还是开关机按键，开机器按键可以规定按键被一致按下1-2S，功能按键要这短很多。

4、功耗手持设备对功耗要求很严格，功耗除了在是使用过程中，要考虑功耗外，还要考虑静态功耗，就是当设备不再使用时的功耗，本电路关机之后，静态功耗极小，只是Q9和Q6的静态功耗，这个静态电路是na级的。

pmos和nmos的开关条件

pmos和nmos的开关条件好嘞，今天咱们就来聊聊PMOS和NMOS的开关条件。

这听上去可能有点儿枯燥，不过放心，我会让这话题轻松有趣点。

大家都知道，电子产品里有各种各样的开关。

而PMOS和NMOS就是这开关里的大佬，虽然它们看上去差不多，但其实性格差异可大了。

想象一下，PMOS就像是个懒洋洋的家伙，喜欢在电压低的时候工作。

就像你早上起不来，非得等到阳光灿烂才愿意翻身。

这个家伙一旦电压低于某个临界值，它就会开启，哇，那就像是人一下子醒了，瞬间精力充沛。

可是，电压一高，它就乖乖闭嘴，像是赶紧回到被窝里，不愿意出门。

再说NMOS，这家伙就不一样了。

它是个积极向上的小青年，电压高的时候干劲十足。

就像你在朋友的聚会上，音乐一响，气氛一热，马上就想跳起来。

它只要电压达到一定的高点，就立刻工作，电流欢快地通过，真是个让人省心的小家伙。

不过，一旦电压低于临界值，它就会跟着懒惰起来，像是喝醉了酒的朋友，迷迷糊糊，啥事儿也不想干。

好啦，聊到这里，你可能在想：这俩家伙在电路里都干啥呢？它们可是咱们电子产品的心脏，负责开关的。

比如，想让电流通过，就得用NMOS；想阻断电流流动，PMOS就能派上用场。

就好比在家里，NMOS就是开门迎客，PMOS就是把门关上的保镖，俩人搭配得那叫一个默契。

有趣的是，这俩家伙在电路里的搭配就像老夫妻，互相依赖又互不相让。

大家都知道，电流要通过电路，PMOS和NMOS就得一起工作，形成一种互补的关系。

NMOS在前面带路，PMOS在后面跟上，咱们的电流就这样欢快地流淌。

可一旦有一个出问题，整个电路就可能崩溃，真是没办法。

我们还得关注一下它们的特性。

PMOS的开关速度比NMOS慢点儿，这就像有些人天生就比别人慢半拍，没办法。

可是，PMOS的耐压比NMOS强，像是个稳重的老大哥，遇到点儿事情总能稳住。

虽然它们有优劣之分，但在不同的场合，发挥的作用可大着呢。

再来聊聊它们的应用。

咱们常见的电子产品，手机、电脑、电视等，离不开这俩家伙。

pmos管的触发条件

PMOS管的触发条件引言PMOS管是一种常见的金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）。

它由P型半导体基片、N型源和漏极、以及绝缘层（氧化物）组成。

PMOS管主要用于逻辑电路中，作为开关或放大器使用。

了解PMOS管的触发条件对于正确设计和使用这种器件非常重要。

本文将详细介绍PMOS管的触发条件，包括静态工作点、电压偏置和信号输入等方面的内容。

静态工作点静态工作点是指在没有任何输入信号时，PMOS管的电压和电流状态。

对于PMOS管而言，其静态工作点是使得漏极电流最小的状态。

在理想情况下，当PMOS管处于截止区时，漏极电流为零。

这意味着源极与漏极之间不存在导通路径。

当Vgs（栅源电压）小于阈值电压Vth时，PMOS处于截止区。

然而，在实际情况下，存在一定的漏极电流。

这是由于晶体管内部存在少量杂质或缺陷引起的。

因此，在实际设计中，需要将PMOS的静态工作点设置在漏极电流最小的状态，以确保器件正常工作。

电压偏置为了使PMOS管处于合适的工作状态，需要对栅源电压进行适当的偏置。

具体来说，当Vgs小于阈值电压Vth时，PMOS处于截止区；当Vgs大于Vth时，PMOS进入线性区。

在实际应用中，通常会将栅源电压设置在Vth以上一定的电压范围内，以确保PMOS能够正常导通。

这个范围被称为过驱动区（overdrive region）。

过驱动区的大小取决于具体应用需求和设计参数。

需要注意的是，在过驱动区内，随着栅源电压的增加，漏极电流也会增加。

因此，在选择合适的偏置电压时需要兼顾功耗和性能需求。

信号输入除了静态工作点和电压偏置外，信号输入也是触发PMOS管导通或截止的关键因素之一。

当输入信号为高电平（高于Vth）时，栅源电压大于阈值电压，PMOS管进入线性区，并导通漏极与源极之间的通路。

这时，漏极电流开始流过，PMOS处于导通状态。

相反，当输入信号为低电平（低于Vth）时，栅源电压小于阈值电压，PMOS管进入截止区。

PMOS——用于电源开关浅析

PMOS——⽤于电源开关浅析前⾔：1. 简介在⽹上查了⼀些关于 PMOS 和 NMOS 哪个更适合⽤于电源开关这种场合，⼤部分都是从⼯艺，导通电阻 Rds 来解释，但随着半导体⼯艺的进步，现今的 PMOS 与 NMOS 之间差距已经不⼤了，从 SOT-23 的封装来看，两者的⼤⼩也是差不多的。

个⼈觉得，PMOS ⽤于电源开关更多是为了⽅便控制。

2. 应⽤2.1 上电控制：软件控制系统上电、下电、不同模式之间切换，⼀般通过控制 NMOS 进⽽ PMOS 开关；此种设计⽅式也可以⽤于多种模式之间的切换，通过不同模式来操作 NMOS ，⼀路 NMOS 的开关决定了⼀个模式，从⽽打开 PMOS 。

电源开关选择 PMOS (上图Q1) 的原因：因为 PMOS 是 Vgs < 0 时，D、S 之间导通，⽽ PMOS 的源极 (S) 经常接着是要通过的电压，⽐如电池的 3.7V~4.2V，这样只需栅极 (G)的电压⼀定范围⼩于源极的电压，PMOS 就可以导通，经常使⽤如上图，通过⼀个 NMOS 下拉到地，打开 PMOS。

⽽如果采⽤ NMOS 作为电压的开关的话，困难就⽐较⼤，因为 NMOS 的开启电压Vgs = (Vg-Vs) > 0，就要求 NMOS 的栅极电压要⼤于源极的电压，这样在⼀个系统下，经常是降压⽐较多的，就不容易找到⼀个⽐连接 NMOS 的源极还跟⾼的电压，所以导通电压常⽤ PMOS。

采⽤ NMO S也是可以的，只是不如 PMOS ⽅便控制。

2.2 电池防反接：如下图：上电瞬间，PMOS 管的寄⽣⼆极管导通，系统形成回路，源极 S 的电位⼤约为 Vbat-0.6V，⽽栅极 G 的电位为0，MOS管的开启电压极为：Ugs = 0 -（Vbat-0.6），栅极表现为低电平，Vgs < 0，PMOS 的 DS 导通，系统通过 PMOS 的 DS 接⼊形成回路。

如上图，USB 上电与 Battery 供电的切换。

pmos d到s的用法

PMOS是一种常见的金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），在集成电路中具有广泛的应用。

本文将探讨PMOS的D到S用法以及其在电子领域中的重要性。

希望本文能够帮助读者更好地了解和应用PMOS。

首先，让我们了解一下PMOS的基本结构和工作原理。

PMOS是由P型衬底、N型源极和漏极以及控制门极组成的。

当控制电压施加在门极上时，形成PN结，导致源极和漏极之间的导电通道打开或关闭。

当门极电压为低电平时，PMOS处于导通状态，电流可以从D端流向S端；当门极电压为高电平时，PMOS处于截止状态，电流无法通过。

PMOS的D到S用法主要涉及其作为开关的应用。

当D端输入电压为低电平时（0V），门极电压为低电平，PMOS导通，S端电压与D端相等。

这种情况下，PMOS被视为一个闭合的开关，电流可以从D端流向S端。

当D端输入电压为高电平时（VDD），门极电压为高电平，PMOS截止，S端电压为高电平（VDD）。

这种情况下，PMOS被视为一个断开的开关，电流无法通过。

因此，PMOS的D到S用法可以实现信号的开关和控制。

PMOS的D到S用法在集成电路设计中起到了至关重要的作用。

它可以用于电源电压的开关控制，使得电路能够在需要时启动和关闭，从而节省能源和延长电池寿命。

此外，PMOS 还可以用于逻辑门的实现，例如与门、或门、非门等。

通过将多个PMOS组合成不同的逻辑电路，可以实现复杂的逻辑功能，满足各种电子设备的需求。

然而，使用PMOS的D到S用法也存在一些注意事项。

首先，需要合理选择PMOS的尺寸和特性，以确保其能够承受所需的电流和电压。

其次，由于PMOS的导通特性和截止特性取决于门极电压，需要合理设计和控制门极电压，以确保PMOS的正常工作。

最后，由于PMOS是一种三端器件，需要合理连接和布局其他器件，以确保整个电路的稳定性和可靠性。

综上所述，PMOS的D到S用法在电子领域中具有重要的应用价值。

它作为一种开关器件，可以用于电源控制和逻辑门实现，为电子设备提供了灵活的控制和操作。

MOS管在开关电路中的使用

MOS管在开关电路中的使用MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。

MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。

P沟道MOS管开关电路PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。

但是因为PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率的情况。

大功率仍然使用N沟道MOS管。

N沟道mos管开关电路NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。

需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当漏极D与源极S导通时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G必须高于源极S 与漏极D电压，漏极D与源极S才能继续导通。

一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。

而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。

很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

MOS管是电压驱动，按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通DS，栅极串多大电阻均能导通。

但如果要求开关频率较高时，栅对地或VCC可以看做是一个电容，对于一个电容来说，串的电阻越大，栅极达到导通电压时间越长，MOS处于半导通状态时间也越长，在半导通状态内阻较大，发热也会增大，极易损坏MOS，所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。

场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断，这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用。

pmos 电流参数

pmos 电流参数PMOS电流参数概述：PMOS是一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管，它是MOSFET的一种类型。

在数字和模拟电路中，PMOS被广泛用于电流开关、电压比较器和增益放大器等应用。

了解PMOS电流参数对于设计和优化电路至关重要。

本文将介绍PMOS的主要电流参数，包括漏极电流、饱和电流、截止电流和输出电流等。

一、漏极电流（IDSS）：漏极电流是指当PMOS的栅极与源极之间的电压为零时，漏极极间的电流。

漏极电流是PMOS工作时的基本参数之一，它决定了PMOS的导通能力。

漏极电流的大小与PMOS的器件结构和工艺参数有关。

通常情况下，漏极电流越小，表示PMOS的关断状态越好。

二、饱和电流（ID）：饱和电流是指当PMOS的栅极与源极之间的电压达到一定值时，漏极电流不再增加的电流值。

饱和电流是PMOS工作时的关键参数之一。

它与PMOS的漏极电流和栅极电压有关。

在实际应用中，设计PMOS时需要注意饱和电流的大小，过大的饱和电流会导致功耗增加，过小则会影响PMOS的导通能力。

三、截止电流（IDOFF）：截止电流是指当PMOS的栅极与源极之间的电压为最低限度时，漏极电流的最小值。

截止电流是PMOS工作时的关键参数之一。

它与PMOS的漏极电流和栅极电压有关。

在实际应用中，设计PMOS 时需要注意截止电流的大小，过大的截止电流会导致功耗增加，过小则会影响PMOS的关断状态。

四、输出电流（IO）：输出电流是指当PMOS工作在饱和区时，从漏极流出的电流。

输出电流是PMOS工作时的关键参数之一，它决定了PMOS的输出能力。

输出电流的大小与PMOS的漏极电流、栅极电压和负载电阻有关。

在实际应用中，设计PMOS时需要注意输出电流的大小，过小的输出电流会导致信号失真，过大则会导致功耗增加。

五、漏极电流温度特性：PMOS的漏极电流随温度的变化呈现一定的特性。

通常情况下，随着温度的升高，PMOS的漏极电流会增大。

这是因为温度升高会导致PMOS内部电子的热激活，增加漏极电流。

pmos管的工作过程

pmos管的工作过程pmos管是一种场效应管的类型，它是一种常用的电子器件，主要用于电路中的开关、放大和调节电流等功能。

本文将以pmos管的工作过程为主题，探讨pmos管的原理、特点和应用。

一、pmos管的原理pmos管是一种三端器件，它的结构包括源极、栅极和漏极。

其中，源极和漏极是由p型半导体材料构成的，栅极则是由n型材料构成。

在pmos管中，p型材料被称为p衬底，而n型材料被称为栅极沟道。

pmos管的工作原理是基于场效应的，当栅极的电压高于源极时，栅极与源极之间会形成一个正向偏压，进而形成一个电场。

这个电场会使得栅极沟道中的载流子发生偏转，从而改变导电性能。

具体来说，当栅极电压高于源极时，栅极与源极之间的电场会吸引p衬底中的电子，使得p衬底中的电子向栅极沟道靠拢。

这样，栅极沟道中的电子浓度增加，电导率也随之增强，从而形成一个导电通道。

当漏极施加正电压时，电流会从源极流向漏极，pmos管处于导通状态。

相反，当栅极电压低于源极时，栅极与源极之间的电场会把栅极沟道中的电子推离，使得栅极沟道中的电子浓度减少，电导率也随之减弱。

这样，导电通道断开，电流无法从源极流向漏极，pmos管处于截止状态。

二、pmos管的特点1. 自激势：由于p衬底是与栅极相连的，当栅极电压高于源极时，p衬底中的电子会受到栅极的吸引，形成一个正向电势，使得pmos管自激势增加。

2. 低阻态：在导通状态下，pmos管的导通电阻很小，电流可以顺畅地流过。

3. 高电压：pmos管可以承受较高的电压，适用于高压电路。

4. 噪声较小：由于pmos管是一种三端器件，输入信号可以通过栅极控制，从而减少了噪声的产生。

5. 低功耗：与其他类型的场效应管相比，pmos管的功耗较低，适用于低功耗电路设计。

三、pmos管的应用1. 逻辑电路：pmos管可以用于逻辑门电路中，如与门、或门、非门等。

通过控制pmos管的导通和截止状态，可以实现不同的逻辑功能。

pmos应用场合

PMOS的应用场合主要包括：
开关电路：PMOS管常被用于控制电路的电源。

当输入信号为高电平时，PMOS管打开，将电源电压传递到电路中；当输入信号为低电平时，PMOS管关闭，阻止电源电压传递到电路中。

这种应用场景可以帮助控制电路的运行状态，从而更好地保护设备。

信号放大：除了控制电路的电源外，PMOS管还可以被用于驱动信号放大器。

当输入信号为高电平时，PMOS管打开，将信号放大；当输入信号为低电平时，PMOS管关闭，消除信号。

这种应用场景可以帮助有效地控制信号的放大情况，满足特定的应用需求。

高频电路和射频电路：在高频电路中，PMOS常用于设计高频开关和调制器等；在射频电路中，PMOS常用于设计射频开关和衰减器等。

传感器领域：在传感器领域，PMOS常用于设计压力传感器、温度传感器等。