模电第四版习题答案
模拟电子技术基础习题解答
模拟电子技术基础(第四版)习题解答(总133页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。
图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, UO6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图34解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图所示，V CC =15V ，=100，U BE =。
试问：(1)R b =50k 时，U o= (2)若T 临界饱和，则R b =解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模电第四版(童诗白)答案
(a)
(b)
(c) 图 P2.2
(d)
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 图 P2.2 所示各电路的交流通路如解图 P2.2 所示；
9
(a)
(b)
(c) 解图 P2.2
(d)
2.3 分别判断图 P2.2(a)、 (b)所示两电路各属哪种放大电路，并写出 Q、Au、Ri 和Ro 的表 达式。 解： 图 (a):
UCEQ VCC ICQ R4 I EQ R1 。
Au
R4
rbe
， Ri
R1 //
rbe 1
， Ro
R4 。
2.4 电路如图 P2.4 (a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时 U BEQ 分别求出 RL
0.7V
。利用图解法
和 RL 3k 时的静态工作点和最大不失真输出电压 U om （有效值） 。
I BQ
R2 // R3 rbe (
VCC U BEQ R1 R2 (1 ) R3
， Ri
，I CQ
I BQ ，UCEQ VCC (1 ) I BQ Rc 。
Au
rbe // R1 ， Ro R2 // R3
图(b)： I BQ
R2 VCC U BEQ ) / R2 // R3 (1 ) R1 ， ICQ I BQ ， R2 R3
6V ，最小稳定电流
I Z min 5mA ，最大稳定电流 I Z max 25mA 。
(1)分别计算 U I 为 10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压 U O 的值； (2)若 U I
35V
时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模电第四版(童诗白)答案
10
(a) 图 P2.4 解：空载时： I BQ
(b)
20 A, ICQ 2mA,UCEQ 6V ；
最大不失真输出电压峰值约为 5.3V ，有效值约为 3.75V 。 带载时： I BQ
20 A, ICQ 2mA,UCEQ 3V
；
最大不失真输出电压峰值约为 2.3V ，有效值约为 1.63V 。如解图 P2.4 所示。
5
解图 Pl.13 1.14 已知场效应管的输出特性曲线如图 Pl.14 所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图 Pl.14
(a) 解图 Pl.14
(b)
解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图 Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐 标值及 uGS 值，建立 iD 所示。
f (uGS ) 坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图 Pl.14 (b)
I BQ
R2 // R3 rbe (
VCC U BEQ R1 R2 (1 ) R3
， Ri
，I CQ
I BQ ，UCEQ VCC (1 ) I BQ Rc 。
Au
rbe // R1 ， Ro R2 // R3
图(b)： I BQ
R2 VCC U BEQ ) / R2 // R3 (1 ) R1 ， ICQ I BQ ， R2 R3
UCEQ VCC ICQ R4 I EQ R1 。
Au
R4
rbe
， Ri
R1 //
rbe 1
， Ro
R4 。
2.4 电路如图 P2.4 (a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时 U BEQ 分别求出 RL
模电第四版习题答案
1 思考与练习答案1.1 填空（1）单向导电性 不可以（2）0.5V 0.7V 0.1V 0.3V 硅（3）R×100或R×1K R×10K R×1K（4）变压、整流、滤波、稳压 整流（5）4 100Hz（6）变压器次级线圈 滤波电容（7）+5 -12I C =1mA 时，工作电压的极限值为100V 。
2.7 （a ）放大；（b ）截止；（c ）饱和；（3）e b c PNP 硅管 （2）c b e PNP 锗管2.13 (a ) 能 (b ) 不能 (c ) 能 (d ) 不能 (e ) 不能 (f ) 不能2.14 要保证发射结正偏，集电结反偏2.17 (1) I BQ =200μA I CQ =10mA U CEQ =14V 放大区(2) I BQ =33.3μA I CQ =2mA U CEQ =2V 放大区(3) I BQ =50μA I CQ =5mA U CEQ =9V 放大区(4) I BQ =30μA I CQ =3mA I CS ≈0.86mA I BS ≈8.6μA I BQ > I BS 饱和区2.18 (b )图为饱和失真 原因是静态工作点偏高 将R b 调小消除失真；(c )图为截止失真 原因是静态工作点偏低 将R b 调大消除失真2.19 I BQ =30μA I CQ =1.2mA U CEQ =5.88V(1) 360k Ω (2) 270 k Ω项目3 思考与练习答案3.1 （a ）不能 （b ）能 （c ）不能 （d ）不能3.2 R ＝10k Ω3.3 （1）上“－”下“＋” （2）f 0＝1.94kHz （3）二极管V D 1、V D 2用以改善输出电压的波形，稳定输出幅度。
（4）R p 用来调节输出电压的波形和幅度。
必须调节R p 使得R 2满足2 R 3> R 2>（2 R 3－R 1）。
3.5 （a ）能 （b ）不能 （c ）能 （d ）能 （e ）不能 （f ）能3.7 （a ）并联型石英晶体振荡器 （b ）串联型石英晶体振荡器3.8（1）o i u u =-（2）o i u u =3.9（a ）-0.4V ；（b ）0.8 V ；（c ）0.8 V ；（d ）6 V ；（e ）1.5 V 3.10S L F U I R =3.1121222O i R R u u R += 响，(612)O u V = ；3.13（a ）124()O i i u u u =-+；（b ）122i i O u u u +=；（c ）2144O i i u u u =-； 3.14 312463O i i i u u u u =--； 3.15 (1)R 1= 50 k Ω (2) R 1=10 0 k Ω (3) R 1= 50 k Ω R 2= 20 k Ω R 3= 100 k Ω(4) R 1= 50 k Ω R 2= 20 k Ω项目4 思考与练习答案4.3 （c ）二阶无源带阻滤波器 （d ）二阶有源带通滤波器4.4 （a ）二有源带通滤波器 （b ）二阶有源带阻滤波器（c ）二阶有源低通滤波器 （d ）二阶有源高通滤波器4.5答是使音响系统的频率特性可以控制，以达到高保真的音质；或者根据聆听者的爱好，修饰与美化声音。
模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
一、填空题
2．1 BJT用来放大时，应使发射结处于偏置，集电结处于偏置；而工作在饱和区时，发射结处于偏置，集电结处于偏置。
2．2 温度升高时，BJT的电流放大系数 ，反向饱和电流 ，发射结电压 。
2．3用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时， ；都接人负载 电阻时，测得 ，由此说明，电路A的输出电阻比电路B的输出电阻。
图题所示电路在正常放大时ib5v200501maieic50mamaubuema指针微动uev指针微动ucv结论电源未接入不能正常工作处于正常放大工作状态三极管内部集电结断路不能正常工作re短路电路能正常放大rb断路电路不能正常工作三极管内部发射结断路或re断路不能正常工作三极管内部集电结短路或外极之间短路不能正常工作三极管内部发射结短路或外极之间短路不能正常工作225用直流电压表测得几个bjt的ube和uce如表题225所示试问它们各处于何种工作状态它们是npn管还是pnp管解答
(1)静态工作点；
(2)电压放大倍数、输入电阻和输出电阻；
(3)电容Ce脱焊时的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻；
(4)若换上一只 =100的管子，放大电路能否工作在正常状态
解答：
（1）
（2）
（3）
（4）换上一只 的管子，其IC和UCE不变，放大电路能正常工作。
2．31已知图题2．31所示电路中BJT为硅管， =50，试求：
解答：
（1）
（2）
（3）
（4）
2．29 已知固定偏流放大电路中BJT为硅管，输出特性及交、直流负载线如图题2．29所示，试求：
(1)电源电压Vcc；
(2)静态工作点；
(3)电阻Rb、RC的值；
(4)要使该电路能不失真地放大，基极电流交流分量的最大幅值Ibm为多少
模电(第四版)习题解答
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=V。
图T1.3四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k 时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第 1 章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第 2 章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第 3 章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第 4 章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第 5 章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第 6 章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60第 7 章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74第 8 章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90第 9 章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114第 10 章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第 1 章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。
( √ )(2)因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
( √ )(6)若耗尽型 N 沟道 MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型 MOS 管C.耗尽型 MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础答案全解(第四版)
第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I L LO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L5VR U U R R =⋅≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
模电第四习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则其输入电阻会明显变GS小。
( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础第四版课后答案【精华版】
当 =12V时，由于 ，必然使T工作在可变电阻区。
分别判断图所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
(a) (b) (c) (d)
图
解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。
补充1.电路如补图P1(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压 ,R的取值合适， 的波形如图(c)所示。试分别画出 和 的波形。
(1)求电路的Q点、 、 和 ；
(2)若改用β=200的晶体管，则Q点如何变化？
(3)若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
解：(1)静态分析：
图
动态分析：
(2)β=200时， （不变）；
（不变）； （减小）；
（不变）。
(3)Ce开路时， （减小）；
（增大）；
（不变）。
电路如图所示，晶体管的β=80， =1kΩ。
解图
分别判断图(a)、 (b)所示两电路各属哪种放大电路，并写出 的表达式。
解：图 (a): ， ， 。
， ，
图(b)： ， ，
。
， ， 。
电路如图 (a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时 。利用图解法分别求出 和 时的静态工作点和最大不失真输出电压 （有效值）。
(a) (b)
图
解：空载时： ；
补充4.电路如补图P4所示，试问β大于多少时晶体管饱和？
解：取 ，若管子饱和，
则 ,即
所以, 时,管子饱和。
补图P4
第2章 基本放大电路
习题
分别改正图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
(a)(b)(c) (d)
模电第四版习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件 (3)第2章基本放大电路 (14)第3章多级放大电路 (31)第4章集成运算放大电路 (41)第5章放大电路的频率响应 (50)第6章放大电路中的反馈 (60)第7章信号的运算和处理 (74)第8章波形的发生和信号的转换 (90)第9章功率放大电路 (114)第10章直流电源 (126)第1章常用半导体器件自测题、判断下列说法是否正确，用X”和V”表示判断结果填入空内(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为(2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
((3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
(V )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS大的特点。
(V )(6)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。
二、选择正确答案填入空内。
(1)PN结加正向电压时，空间电荷区将A。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏(4)U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有C.前者正偏、后者也正偏三、四、伏。
五、A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管写岀图Tl.3所示各电路的输岀电压值，设二极管导通电压U D =0.7V。
图 T1.3解: U OI=1.3V,U O2=0V,U O3=-1.3V,U O4= 2V, U O5=1.3V,U O6=-2V。
已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin =5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少(b)解：左图中稳压管工作在击穿状态,右图中稳压管没有击穿，故电路如图T1.5所示，V CC=15V,图 T1.4 故U O1=6V。
模电第四版4~7章习题解答
第4章 集成运算放大电路自测题一、选择合适答案填入空内。
(1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。
A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大( B )。
A.高频信号B.低频信号C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C )。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一直性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。
A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻(5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )。
A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。
(1)运放的输入失调电压U IO 是两输入端电位之差。
( × ) (2)运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。
( √ )(3)运放的共模抑制比cdCMR A A K =。
( √ ) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。
( √ )(5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( × )三、电路如图T4.3 所示，已知β1＝β2＝β3= 100 。
各管的U BE 均为0.7V , 试求I C 2的值。
解：分析估算如下：21100CC BE BE R V U U I A Rμ--==00202211B B B B I I I I ββββ++==++；0202()1R B B B I I I I ββββ+=+=++图T4.322021C B B I I I ββββ+==⋅+。
比较上两式，得 2(2)1002(1)C R R I I I A ββμβββ+=⋅≈=+++四、电路如图T4.4所示。
图T4.4(1)说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放… … ）;(2)分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻… … ）。
《模拟电子技术基础》(第四版)习题答案华成英主编
UO
=
RL R + RL
⋅UI
≈
3.33V
当 UI＝ 15V 时 ， 稳 压 管 中 的 电 流 大 于 最
图 P1.9
小 稳 定 电 流 IZmin， 所 以
UO＝ UZ＝ 6V
同 理 ， 当 UI＝ 35V 时 ， UO＝ UZ＝ 6V。
（ 2） I DZ = (U I − U Z ) R = 29 mA＞ IZM＝ 2 5 mA，稳 压 管 将 因 功 耗 过 大 而 损
坏。
1.10 在 图 P1.10 所示电路 中，发光 二极管导 通电压 UD ＝ 1.5V， 正 向 电 流 在 5～ 15mA 时 才 能 正 常 工 作 。 试 问 ：
（1）开关 S 在什么位置时发光二极管才能发光？ （2）R 的取值范围是多少？ 解 ：（ 1） S 闭 合 。 （2）R 的范围为
图 P1.11
解 ： 波 形 如 解 图 P1.11 所 示
解 图 P1.11
1.12 在 温 度 20℃ 时 某 晶 体 管 的 ICBO＝ 2μ A， 试 问 温 度 是 60℃ 时 ICBO ≈？
解 ： 6 0 ℃ 时 I C B O ≈ IC5BO（T＝20°C）＝ 3 2 μ A 。
第一章题解－9
六 、 电 路 如 图 T1.6 所 示 ， VCC＝ 15V， β ＝ 100， UBE＝ 0.7V。 试 问 ： （ 1） Rb＝ 50kΩ 时 ， uO＝ ？ （2）若 T 临界饱和，则 Rb≈？ 解 ：（ 1 ） Rb ＝ 5 0k Ω 时 ， 基 极 电 流 、 集 电极电流和管压降分别为
Rmin = (V − U D ) I Dmax ≈ 233Ω Rmax = (V − U D ) I Dmin = 700Ω。
模拟电路第四版课后答案
第二章2.4.1电路如图题所示。
（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压mA A VR v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=⨯=Ω⨯⨯-=-=- V V V V D O 4.17.022=⨯==（2）求v o 的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解所示，温度 T ＝300 K 。
Ω≈==02.36.826mAmV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时，则mV V r R r V v d d DDO 6)02.321000(02.32122±=Ω⨯+Ω⨯⨯±=+∆=∆O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即～。
2.4.3二极管电路如图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压V AO 。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
2.4.4 试判断图题 中二极管是导通还是截止，为什么 解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω=V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=D 被反偏而截止。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答(最新编写)
O2 (a)(b)图T1.4 左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
图T1.5/28.6CS I A βμ=管的三个电极的电位如表Tl.6 所示，它们的开启恒流区、可变电阻区），并填入表内。
G /V U D /V 工作状态13恒流区图P1.2解图P1.2解：与的波形如解图Pl.2i u o u (V )，二极管导通电压U D =0.7t图P1.3解图P1.3解：波形如解图Pl.3所示。
1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下，电容C 对mV U T 26≈交流信号可视为短路；为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流i u 的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA=-=其动态电阻:图P1.4/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问：(1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？(2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
(2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。
1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压，最小稳定电流6Z U V =，最大稳定电流。
min 5Z I mA =max 25Z I mA =(1)分别计算为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压的值；I U O U图Pl.6图P1.7所示。
分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数(a) (b) (a) (b)图P1.9解:如解图1.9。
解图1.91.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时，β=50。
试分析为0V 、0.7BE U V =BB V 1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压的值。
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1 思考与练习答案
1.1 填空
（1）单向导电性 不可以
（2）0.5V 0.7V 0.1V 0.3V 硅
（3）R×100或R×1K R×10K R×1K
（4）变压、整流、滤波、稳压 整流
（5）4 100Hz
（6）变压器次级线圈 滤波电容
（7）+5 -12
I C =1mA 时，工作电压的极限值为100V 。
2.7 （a ）放大；（b ）截止；（c ）饱和；
（3）e b c PNP 硅管 （2）c b e PNP 锗管
2.13 (a ) 能 (b ) 不能 (c ) 能 (d ) 不能 (e ) 不能 (f ) 不能
2.14 要保证发射结正偏，集电结反偏
2.17 (1) I BQ =200μA I CQ =10mA U CEQ =14V 放大区
(2) I BQ =33.3μA I CQ =2mA U CEQ =2V 放大区
(3) I BQ =50μA I CQ =5mA U CEQ =9V 放大区
(4) I BQ =30μA I CQ =3mA I CS ≈0.86mA I BS ≈8.6μA I BQ > I BS 饱和区
2.18 (b )图为饱和失真 原因是静态工作点偏高 将R b 调小消除失真；(c )图为截止失真 原因是静态工作点偏低 将R b 调大消除失真
2.19 I BQ =30μA I CQ =1.2mA U CEQ =5.88V
(1) 360k Ω (2) 270 k Ω
项目3 思考与练习答案
3.1 （a ）不能 （b ）能 （c ）不能 （d ）不能
3.2 R ＝10k Ω
3.3 （1）上“－”下“＋” （2）f 0＝1.94kHz （3）二极管V D 1、V D 2用以改善输出电压的波形，稳定输出幅度。
（4）R p 用来调节输出电压的波形和幅度。
必须调节R p 使得R 2满足2 R 3> R 2>（2 R 3－R 1）。
3.5 （a ）能 （b ）不能 （c ）能 （d ）能 （e ）不能 （f ）能
3.7 （a ）并联型石英晶体振荡器 （b ）串联型石英晶体振荡器
3.8（1）o i u u =-（2）o i u u =
3.9（a ）-0.4V ；（b ）0.8 V ；（c ）0.8 V ；（d ）6 V ；（e ）1.5 V 3.10S L F U I R =
3.11212
22O i R R u u R += 响，(612)O u V = ；
3.13（a ）124()O i i u u u =-+；（b ）122
i i O u u u +=
；（c ）2144O i i u u u =-； 3.14 312463O i i i u u u u =--； 3.15 (1)R 1= 50 k Ω (2) R 1=10 0 k Ω (3) R 1= 50 k Ω R 2= 20 k Ω R 3= 100 k Ω
(4) R 1= 50 k Ω R 2= 20 k Ω
项目4 思考与练习答案
4.3 （c ）二阶无源带阻滤波器 （d ）二阶有源带通滤波器
4.4 （a ）二有源带通滤波器 （b ）二阶有源带阻滤波器
（c ）二阶有源低通滤波器 （d ）二阶有源高通滤波器
4.5答是使音响系统的频率特性可以控制，以达到高保真的音质；或者根据聆听者的爱好，修饰与美化声音。
4.6答：在图4-8电路中，由于各电容的容抗的大小在低音、中音和高音时不同，因此调节RP 1 和RP 2时，从电位器上分压输出的音频信号的高低音的效果就会不同。
RP 1是低音控制电位器，这是因为与RP 1相连接的电容的容量较大，中频和高频时的容抗与RP 1同一数量级的容抗，因而调节RP 1对中音和高音的影响不大，而对低频信号的影响较显著；
RP 2是高音控制电位器，这是因为与RP 2相连接的电容的容量较小，只在高频时呈现与RP 2在同一数量级的容抗，因而调节RP 2对中音和低音的影响不大，而对高频信号的影响较显著。
为明显。
4.10 ①P o ＝12.5W ；P V ＝22.5W ；P T ＝10W ；η＝5
5.56% ②P omax ＝25W ；ηmax ＝78.5%③P CM ＞5W ④︱U (BR)CEO ︱＞40V
4.11 （1）12V （2）Pv ＝11.5W Pcm ＝1.8W （3）12V
4.12 CC )(2V U CEO BR ≥ om 0.2P P CM ≥ L
CC R V I CM ≥ Pom ＝4.5W ， ︱U (BR)CEO ︱＞24V P CM ＞0.9W 0.75A ≥CM I
4.13 （1）OCL ， U A =0V U b1=0.7V U b2= －0.7V
（2）Po ＝28.125W ，η＝64% Pv ＝43.94W Pc ＝7.9W
4.15 16V
4.16 （1）VT1、VT3、VT4为NPN 管，VT2为PNP 管
（2）倍压电路 消除交越失真
4.17 （1）18W （2）9W 55%
（1）’15.125W （2）’ 9W 60.5%
4.18 ①V CC ＝20V ②P CM ＞1.25W ③R 4 ④R 1
4.19 (1)电路为一单电源供电的OTL 功率输出级，电容C2上的电压代替了5V 的负电源 。
静态时，C2两端的电压应为5V ，调节R1或R3能实现这一点。
(2)调节R2，增大R2
(3 ) R2或二极管断开，VT1基极电位升高，VT2基极电位降低，将使VT1,VT2的电流变得很大而损坏。
Ic=β*(5V-0.7)/1.2=175mA (U CE)max=5V
(Pc)max=175mA*5V=875mW>P CM=200mW 由上可知，晶体管不安全。
4.21 1.5625W C3的作用：输出信号隔直耦合并起到Vcc/2等效电源的作用
4.22 （1）OCL （2）R4、R3、C3电压串联负反馈（交流）
（3）1+22000/680=33
(4) 14.0625W
（5）R5、C5组成阻抗校正网络，抵消负载中的感抗分量，防止电路自激。