判断IGBT的方法
常用场效应管的种类与识别
常用场效应管的种类与识别场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种半导体电子器件，主要用于放大和开关电路中。
根据FET的工作原理和结构不同，常用的场效应管主要有三种类型：结型场效应管（JFET）、金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor FET，MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor，IGBT）。
下面将详细介绍这三种常用的场效应管以及它们的识别方法。
1.结型场效应管（JFET）：结型场效应管是最早发展的一种场效应管，其结构简单，用途广泛。
根据导电型别的不同，可分为N沟道（N-Channel）和P沟道（P-Channel）两类。
结型场效应管的导通主要是通过沟道中的少数载流子进行的。
其主要特点包括输入电阻较高、噪声较低、电路稳定性好等。
JFET的识别方法：（1）引脚识别：JFET有三个引脚，即源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。
可以使用万用表的电阻档位来测量两两引脚间的电阻大小，栅源电阻较大，约为数兆欧姆，漏源电阻较小，约为几千欧姆，可以根据这些特点来判断引脚的功能。
（2）标识识别：通常JFET上会有标志性的标识，例如“2N”或“BF”等，通过这些标识可以辨认出具体的型号和制造商。
（3）参数识别：可以通过查阅JFET的参数手册或型号手册，了解其具体的参数范围和特性，从而辨认出具体的JFET型号。
2.金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：金属氧化物半导体场效应管是应用最为广泛的一种场效应管，也是目前集成电路中使用最多的晶体管。
根据栅极结构的不同，可以分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET两种。
增强型MOSFET的导通需要在栅极上施加正电压，而耗尽型MOSFET的导通则需要在栅极上施加负电压。
MOSFET的识别方法：（1）引脚识别：MOSFET有三个引脚，即源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。
变频器IGBT模块损坏的原因、检测方法和维修过程
变频器IGBT模块损坏的原因、检测方法和维修过程导语：变频器在运转中突然发出爆炸声响，同时外接保险烧毁，拆机发现变频器的igbt模块损坏。
经过对相关板卡的测试，发现igbt触发线路损坏，测量其他板块正常。
1、IGBT模块因散热不良导致其损坏变频器在运转中突然发出爆炸声响，同时外接保险烧毁，拆机发现变频器的igbt模块损坏。
经过对相关板卡的测试，发现igbt触发线路损坏，测量其他板块正常。
在拆卸变频器板卡时发现其电源板和电流检测板上有很多的油污和灰尘。
打开变频器的散热片风机，看到散热片上也粘满了油污和杂物，将变频器的散热通道完全堵死。
由此推断变频器的IGBT模块因散热不良导致其损坏。
维修过程：首先将变频器完全拆开，将散热通道的散热片拆下，用空压气体将散热片清理干净，同时将变频器内部结构件和板卡全部清理干净。
安装igbt模块，安装igbt模块时候要按照模块的要求，顺序安装，力矩适度。
修理触发线路，然后依次安装其他器件。
安装结束后进行静态的测试，静态测试结果良好后进行通电测试和带负载试验。
带负载试验合格，顺利完成维修。
经验总结：综合不同型号和不同的使用环境中的数台变频器维修情况，总结出变频器igbt模块损坏的主要原因是使用环境的恶劣，使得门极驱动卡上电子元件损坏以及变频器的散热通道堵塞导致。
最容易损坏的器件是稳压管及光耦。
检查驱动电路是否有问题，可在断电时比较一下各路触发端电阻是否一致。
通电开机可测量触发端的电压波形。
但是有的变频器不装入模块不能开机，这时在模块p端串入假负载防止检查时误碰触发端或其他线路引起烧坏模块。
2、IGBT模块的简单测量方法变频器输出电压不平衡表现为马达抖动，转速不稳，一般没有经验是很难判定是哪路驱动有问题，这时可启动变频器2hz，用万用表直流电压档分别测：p-u、p-v、p-w及u-n、v-n、w-n的电压值，这6路电压这时也会不一样，那一路偏高则这一路有问题，其原理大家可自己画图分析一下。
怎样判断变频器功率模块好坏
怎样判断变频器功率模块好坏1、判断极性首先将万用表拨在R×1K 。
挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G ）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C ) ：黑表笔接的为发射极（E ）。
2 、判断好坏将万用表拨在R×10KQ 档，用黑表笔接IGBT 的集电极（C ) ，红表笔接IGBT 的发时极( E ) ，此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G ）和集电极（C ) ，这时工GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G ）和发射极（E ) ，这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT 是好的。
3 、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测IGBT 。
注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×IOK挡，因R×IKQ 档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。
此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管( P 一MOSFET ）的好坏。
功率模块的好坏判断主要是对功率模块内的续流两极管的判断.对于IGBT模块我们还需判断在有触发电压的情况下能否导通和关断。
逆变器IGBT模块检测:将数字万用表拨到二极管测试档,测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与e1、e2之间正反向二极管特性,来判断IGBT模块是否完好。
以六相模块为例。
将负载侧U、V、W相的导线拆掉,使用二极管测试档，红表笔接P(集电极c1)，黑表笔依次测U、V、W，万用表显示数值为最大；将表笔反过来，黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右。
再将红表笔接N（发射极e2），黑表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右；黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为最大。
IPM、IGB模块良否的简单测试方法
IPM/IGBT模块良否的简单测试方法一般来说，仅用简单的测试方法如用一般的万用表，是不能正确判断IPM/IGBT模块的状态的。
但对于模块是否发生短路或开路损坏，用以下方法可进行初步判断。
测试要求：1.测试仪器的输出电流应不足以损坏模块（如，1A）；2.待测电流应远大于I CES，否则，本来是不到痛的情况可能会被误判为导通；3.考虑二极管的压降，测试仪器的输出电压应大于3V，否则，在测试方向特性时本来是好的模块可能会被误判为不良；当然，输出电压应小于VCES；4.除待测端子外，其他端子均不应有任何电路连接；5.测量时P-N间不应施加电压，否则，可能导致模块损坏或测试人员触电等事故。
逆变器IGBT模块/IPM测试部位描述如下：1.逆变器部IGBT的C-E间顺向（P-U/V/W & U/V/W-N），C2E1极与C1、E1、E2、G1、G2极之间的测量正向：红表笔接C2E1脚，黑表笔分别接各电极，与C1极之间有0.46V压降以外，其它各极均为无穷大。
不导通则为良品，导通为不良，反向：与E2极有0.45V压降，其它各极均为无穷大。
2.逆变器部IGBT的C-E间逆向（U/V/W-P & N-U/V/W），导通为良品，不导通为不良；3.制动单元IGBT的C-E间顺向，不导通为良品，导通为不良；4.制动单元IGBT的C-E间逆向，导通为良品，不导通为不良。
注：(a) 在进行方向导通测量时，若测得的电阻明显低于一般良品，则可判定该模块不良。
(b) 通过测量C-E间的电阻可判断IGBT是否击穿或短路，但是，像IGBT耐压降低，仅IGBT的C-E断路而续流二极管正常的情况，则上述方法无法判断。
用数字万用表简单测量IGBT的方法(逆变器）：IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。
检测前先将IGBT 管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的IGBT管（正常G、C两极与G、c两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的IGBT管正常时，e、C极间均有4kΩ正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3．5kΩ左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。
igbt过流检测原理
igbt过流检测原理
IGBT过流检测原理是通过检测IGBT管芯的电流大小来判断
是否发生过流现象。
过流检测一般用于电力电子装置中，以监测和保护电路。
下面将详细介绍IGBT过流检测的原理和工作
方式。
IGBT管芯的电流大小通过测量两个压降电阻上的电压来实现。
这两个压降电阻位于IGBT管芯的源极和漏极之间。
当电流通
过IGBT管芯时，会在这两个电阻上产生一定的电压。
通过测
量这两个电压的大小，可以得到IGBT管芯的电流值。
具体实现方式是利用差分放大器和运算放大器构成的电流检测电路。
差分放大器的作用是将两个压降电阻上的电压信号进行放大和差分处理，得到差分电压信号。
运算放大器负责将差分电压信号转化为电流值。
当IGBT管芯的电流超过预设阈值时，差分电压信号会越过运
算放大器的输入阈值，触发一个报警信号。
这个报警信号可以用于控制保护电路的动作，如切断电源或保护负载。
这样可以保护IGBT管芯和其他电路不受过流损坏。
总之，IGBT过流检测原理是通过测量两个压降电阻上的电压
来实现的。
通过差分放大器和运算放大器的配合，可以将电压信号转换为电流值，并判断是否发生过流现象。
利用这个原理，可以实现对IGBT管芯的保护和电路的安全运行。
IGBT短路测试方法详解
IGBT短路测试方法详解在开发电力电子装置的过程中，我们需要做很多的测试，但是短路测试常常容易被忽略，或者虽然对装置实施了短路测试，但是实际上并不彻底和充分。
下面2种情况比较常见：1. 没有实施短路测试，a. 因为觉得这个实验风险太大，容易炸管子，损失太大；b. 觉得短路时电流极大，很恐怖；2. 实施了短路测试，但测试标准比较简单，对短路行为的细节没有进行观察本文将详细介绍正确的，完整的短路测试方法，及判断标准。
短路的定义（1）：桥内短路（直通）命名为“一类”短路硬件失效或软件失效短路回路中的电感量很小(100nH级)VCE sat 检测桥臂间短路（大电感短路）命名为“二类”短路相间短路或相对地短路短路回路中的电感量稍大(uH级的)可以使用Vcesat ，也可以使用霍尔，根据电流变化率来定这类短路的回路中的电感量是不确定的一类短路测试的实施方法一：下图为实施一类短路测试时的示意图。
电网电压经过调压器，接触器，将母线电容电压充到所需要的值，再断开接触器。
上管IGBT的门极被关断，且上管用粗短的铜排进行短路。
对下管IGBT释放一个单脉冲，直通就形成了。
这就是一个典型的一类短路测试。
一类短路测试的实施方法一的注意事项：该测试需要注意的事项：1. 该测试的关注对象是电容组，母排，杂散电感，被测IGBT；2 短路回路中的电感量很低，所以上管的短路排的电感量可以极大地影响测量的结果，因此绝不可忽视图中所示“粗短铜排”的长短和粗细；3. 短路测试的能量全部来自母排电容组，通常来说，虽然短路电流很大，但是因为时间极短，所以这个测试所消耗的能量很小，实验前后电容上的电压不会有明显变化；4. 上管IGBT是被一直关断的，但是这个器件不可或缺，因为下管被关断后，短路电流还需要由上管二极管续流；5. 该测试需要测量三个物理量，分别是，下管的Vce，Vge，及Ic；6. 电流探头需要测量图中Ic的位置，而不是短铜排的电流，这两个位置的电流波形是不同的；7. 下管IGBT的脉冲需要严格控制，最开始实验可以使用10us，然后逐步增加；8. 环境温度对实验结果有较大的影响，通常datasheet给出的高结温的结果；对应用者而言，常温实验是比较现实的；但低温时的短路测试会比较苛刻，如果系统规格有低温要求时，是有必要进行测试的；9. 在此实验前需要对直流母排的杂散电感有一定的评估，或者用双脉冲测试方法对IGBT关断时的电压尖峰进行评估，以把握好短路时的电压尖峰，这个值可能会非常高；实验步骤及方法：1. 在弱电情况下，确认所发单脉冲的宽度；2. 将母线电压调至20~30V，发送一个单脉冲，此时也会发生短路，会有一定的电流，利用此步骤确认电流探头的方向及其他各物理量测量正确，同时确认示波器能正确捕捉该瞬间；这个步骤会比较安全；3. 短路测试时，母线不宜过低，否则可能会见到一些奇异的震荡；对于1200V的IGBT，母线为500V起；1700V的IGBT，母线为700V起；3300V的IGBT，1000V起；4. 母线加到额定点，将进线接触器断开，放出单脉冲，装置会发出“咚”的一声响，确认示波器捕捉到该时刻；5. 通常来说，如果一切都设置正确的话，短路测试是很容易成功的，但也可能由于某些细节没有处理好，存在一定的几率，该测试会失败——这个IGBT会失效，并将电容的能量全部放掉，一般不会爆炸得很厉害；6. 第一次发10us的脉冲实际上是一种尝试性测试，其目的是，在尽量低风险的情况下，对设备的短路性能进行最初步的摸底；7. 如果第一次10us测试已经发现波形有问题，则需要整改；8. 如果第一次10us测试发现IGB没有发生退饱和现象，则可能意味着短路回路电感量太大，需要整改；9. 如果第一次10us测试发现波形正常，可以脉冲延长至12us，再做，再延长到15us，再做，如果发现驱动器释放出来的脉冲不再增长，则意味着驱动器对IGBT进行了保护，否则，意味着驱动器保护电路设置有问题，需要整改；对结果的评判（1）下图为某一个测试结果，1. 用电流的上升率di/dt求出短路回路中的全部电感量，再减去之前测出的杂散电感，就能得到插入的铜排的感量；2. 关注短路电流的最高值，与datasheet中标注的值进行比较，是否过高，电流是否有震荡；3. 从IGBT退饱和算起，至电流被关断，期间的时间是否控制在10us内，这个条件是不可以妥协的；某品牌1500A/3300V的IGBT的一类短路测试，Vdc=2200V，Tj=25℃，@CONCEPT瑞士实验室红线：Ic蓝线：Vce绿线：Vge4. 短路电流的峰值与门极钳位电路有很大的关系，如果门极钳位性能不好，短路电流峰值会很高；5. 关注Vce电压，需要多久才退饱和，在关断时刻时，Vce电压尖峰有多高，是否存在危险，有源钳位是否动作；6. 门极电压的评判需要比较谨慎，因为这个测试di/dt及du/dt都很大，门极探头很容易测不准某品牌1500A/3300V的IGBT的一类短路测试，Vdc=2200V，Tj=25℃，@CONCEPT瑞士实验室红线：Ic蓝线：Vce绿线：Vge另一个IGBT的测试结果：下图是另外一个1700V的IGBT的一类短路测试结果。
IGBT短路测试方法详解
IGBT短路测试方法详解在开发电力电子装置的过程中，我们需要做很多的测试，但是短路测试常常容易被忽略，或者虽然对装置实施了短路测试，但是实际上并不彻底和充分。
下面2种情况比较常见：1.没有实施短路测试，a.因为觉得这个实验风险太大，容易炸管子，损失太大；b.觉得短路时电流极大，很恐怖；2.实施了短路测试，但测试标准比较简单，对短路行为的细节没有进行观察本文将详细介绍正确的，完整的短路测试方法，及判断标准。
短路的定义（1）：桥内短路（直通）命名为“一类”短路硬件失效或软件失效短路回路中的电感量很小(100nH级)VCEsat检测桥臂间短路（大电感短路）命名为“二类”短路相间短路或相对地短路短路回路中的电感量稍大(uH级的)可以使用Vcesat，也可以使用霍尔，根据电流变化率来定这类短路的回路中的电感量是不确定的一类短路测试的实施方法一：下图为实施一类短路测试时的示意图。
电网电压经过调压器，接触器，将母线电容电压充到所需要的值，再断开接触器。
上管IGBT的门极被关断，且上管用粗短的铜排进行短路。
对下管IGBT释放一个单脉冲，直通就形成了。
这就是一个典型的一类短路测试。
一类短路测试的实施方法一的注意事项：该测试需要注意的事项：1.该测试的关注对象是电容组，母排，杂散电感，被测IGBT；2短路回路中的电感量很低，所以上管的短路排的电感量可以极大地影响测量的结果，因此绝不可忽视图中所示“粗短铜排”的长短和粗细；3.短路测试的能量全部来自母排电容组，通常来说，虽然短路电流很大，但是因为时间极短，所以这个测试所消耗的能量很小，实验前后电容上的电压不会有明显变化；4.上管IGBT是被一直关断的，但是这个器件不可或缺，因为下管被关断后，短路电流还需要由上管二极管续流；5.该测试需要测量三个物理量，分别是，下管的Vce，Vge，及Ic；6.电流探头需要测量图中Ic的位置，而不是短铜排的电流，这两个位置的电流波形是不同的；7.下管IGBT的脉冲需要严格控制，最开始实验可以使用10us，然后逐步增加；8.环境温度对实验结果有较大的影响，通常datasheet给出的高结温的结果；对应用者而言，常温实验是比较现实的；但低温时的短路测试会比较苛刻，如果系统规格有低温要求时，是有必要进行测试的；9.在此实验前需要对直流母排的杂散电感有一定的评估，或者用双脉冲测试方法对IGBT关断时的电压尖峰进行评估，以把握好短路时的电压尖峰，这个值可能会非常高；实验步骤及方法：1.在弱电情况下，确认所发单脉冲的宽度；2.将母线电压调至20~30V，发送一个单脉冲，此时也会发生短路，会有一定的电流，利用此步骤确认电流探头的方向及其他各物理量测量正确，同时确认示波器能正确捕捉该瞬间；这个步骤会比较安全；3.短路测试时，母线不宜过低，否则可能会见到一些奇异的震荡；对于1200V的IGBT，母线为500V起；1700V的IGBT，母线为700V起；3300V的IGBT，1000V起；4.母线加到额定点，将进线接触器断开，放出单脉冲，装置会发出“咚”的一声响，确认示波器捕捉到该时刻；5.通常来说，如果一切都设置正确的话，短路测试是很容易成功的，但也可能由于某些细节没有处理好，存在一定的几率，该测试会失败——这个IGBT会失效，并将电容的能量全部放掉，一般不会爆炸得很厉害；6.第一次发10us的脉冲实际上是一种尝试性测试，其目的是，在尽量低风险的情况下，对设备的短路性能进行最初步的摸底；7.如果第一次10us测试已经发现波形有问题，则需要整改；8.如果第一次10us测试发现IGB没有发生退饱和现象，则可能意味着短路回路电感量太大，需要整改；9.如果第一次10us测试发现波形正常，可以脉冲延长至12us，再做，再延长到15us，再做，如果发现驱动器释放出来的脉冲不再增长，则意味着驱动器对IGBT进行了保护，否则，意味着驱动器保护电路设置有问题，需要整改；对结果的评判（1）下图为某一个测试结果，1.用电流的上升率di/dt求出短路回路中的全部电感量，再减去之前测出的杂散电感，就能得到插入的铜排的感量；2.关注短路电流的最高值，与datasheet中标注的值进行比较，是否过高，电流是否有震荡；3.从IGBT退饱和算起，至电流被关断，期间的时间是否控制在10us内，这个条件是不可以妥协的；某品牌1500A/3300V的IGBT的一类短路测试，Vdc=2200V，Tj=25℃，@CONCEPT瑞士实验室红线：Ic蓝线：Vce绿线：Vge4.短路电流的峰值与门极钳位电路有很大的关系，如果门极钳位性能不好，短路电流峰值会很高；5.关注Vce电压，需要多久才退饱和，在关断时刻时，Vce电压尖峰有多高，是否存在危险，有源钳位是否动作；6.门极电压的评判需要比较谨慎，因为这个测试di/dt及du/dt都很大，门极探头很容易测不准某品牌1500A/3300V的IGBT的一类短路测试，Vdc=2200V，Tj=25℃，@CONCEPT瑞士实验室红线：Ic蓝线：Vce绿线：Vge另一个IGBT的测试结果：下图是另外一个1700V的IGBT的一类短路测试结果。
IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的检测方法
IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的检测方法IGBT的工作原理和作用IGBT就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时IGBT 导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。
IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。
IGBT有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移（半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因），本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。
如果撤掉加在GS两端的电压，这层导电的沟道就消失了，就不可以导电了，变成了绝缘体。
IGBT的工作原理和作用电路分析IGBT的等效电路如图1所示。
由图1可知，若在IGBT 的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
图1 IGBT的等效电路由此可知，IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：--IGBT栅极与发射极之间的电压；--IGBT集电极与发射极之间的电压；--流过IGBT集电极-发射极的电流；--IGBT的结温。
如果IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，则IGBT不能稳定正常地工作，如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏；同样，如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压，流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的最大电流，IGBT的结温超过其结温的允许值，IGBT都可能。
IGBT模块测量与判断
IGBT模块测量与判断简介IGBT模块是现代电力电子技术中的重要器件，主要用于变频器、逆变器、交直流混合电源等电力设备中。
在实际运用中，IGBT模块的电性能、热性能和可靠性往往是影响整个电力设备工作性能的关键因素之一。
因此，IGBT模块的测量和判断非常重要。
本文将介绍IGBT模块测量方法和判断方法，帮助读者更好地了解和使用IGBT 模块。
IGBT模块测量方法1. DC电阻测量DC电阻测量是IGBT模块测试中最常见的方法之一。
通过测量IGBT模块正负级之间发生通断的DC电阻来判断器件的状态。
测量步骤：1.将万用表调整到DC电阻档位。
2.将正负级之间的引脚测量，分别记录正负极间电阻。
3.将正负级引脚交换后再次测量，记录正负极间电阻。
4.比较两次测量结果，如果读数相同，则IGBT模块正负级之间没有短路。
如果读数大幅变化，则IGBT模块正负级之间可能存在短路。
2. 电压测量电压测量是IGBT模块测试中常用的方法之一，测量IGBT模块正负级引脚是否有电压，以判断器件的状态。
测量步骤：1.将万用表调整到电压档位。
2.将正负级之间的引脚测量，分别记录正负级之间的电压。
3.如果读数为0，则正负级之间没有电压，说明IGBT模块正负级之间不存在导通问题。
3. 电流测量电流测量是IGBT模块测试中比较常用的方法之一，测量IGBT模块负载电流是否正常，以判断器件的状态。
测量步骤：1.将万用表调整到电流档位。
2.将正负级之间连接负载，分别记录正负级引脚的电流。
3.如果读数过大或过小，则说明IGBT模块存在问题。
IGBT模块判断方法1. 观察外观首先，可以通过观察IGBT模块的外观，判断器件是否受损或破碎。
如果IGBT 模块外观有破损、变形、划痕等，说明器件可能存在损伤，需要进一步检查。
2. 测量IGBT模块正负级引脚间电阻通过DC电阻测量方法，可以判断IGBT模块正负级之间的通断（正常应该读数接近无穷大，如果出现很小的电阻值，表示器件存在短路现象）。
技术干货：IGBT的结构与工作原理及测量方法
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，它是由BJT（双极型晶体管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电子电力器件，即具有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高的优点，又具有双极型功率晶体管的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点。
一、IGBT的结构IGBT在结构上类似于MOSFET，其不同点在于IGBT是在N沟道功率管MOSFET的N+基板（漏极）上加了一个P+基板（IGBT）的集电极，行成PN结J1，并由此引出漏极，栅极和源极则完全与MOSFET相似。
正是由于IGBT是在N沟道MOSFET的N+基板上加一层P+基板，形成了四层结构，由PNP-NPN晶体管构成IGBT。
但是，PNP晶体管和发射极由于铝电极短路，设计时尽量使NPN 不起作用。
所以说，IGBT的基本工作与NPN晶体管无关，可以认为是将N沟道MOSFET作为输入极，PNP晶体管作为输出极的单向达林顿管。
IEC规定：①源极引出的电极端子（含电机端）称为发射极端（子）；②漏极引出的电极端（子）称为集电极端（子）；③栅极引出的电极端（子）称为栅极端（子）。
N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。
器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极，沟道在紧靠栅区边界形成。
在漏、源极之间的P型区（包括P+和P-区，沟道在该区域形成），称为亚沟道区。
而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区，它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。
附于漏注入区上的电极称为漏极。
二、IGBT的工作原理N沟道的IGBT工作是通过栅极-发射极间加阀值电压Vth以上的（正）电压，在栅极电极正下方的P层上形成反型层（沟道），开始从发射极电极下的N-层注入电子。
该电子为NPN晶体管的少数载流子，从集电极衬底P+层开始流入空穴，进行电导率调制（双极工作），所以可以降低集电极-发射极间饱和电压。
绝缘栅双极晶闸管检测方式
IGBT管检测方式IGBT有三个电极, 别离称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极) 一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向P N结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是不是相符去判别管的好坏。
具体方式：首先将万用表置于R×1 0或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各类不同型号的管，其电阻值是各不相同的），若是测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；若是测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值过小或为通路，则说明管是坏的。
IGBT基本原理及特性选用及故障判断
IGBT基本原理及特性選用及故障判斷IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。
反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使IGBT關斷。
IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。
當MOSFET的溝道形成後，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進行電導調製，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態電壓。
IGBT的工作特性包括靜態和動態兩類：1 ．靜態特性:IGBT的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性。
IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關係曲線。
輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。
它與GTR的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2和擊穿特性3部分。
在截止狀態下的IGBT ，正向電壓由J2結承擔，反向電壓由J1結承擔。
如果無N+緩衝區，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩衝區後，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了IGBT的某些應用範圍。
IGBT的轉移特性是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關係曲線。
它與MOSFET的轉移特性相同，當柵源電壓小於開啟電壓U gs(th)時，IGBT處於關斷狀態。
在IGBT導通後的大部分漏極電流範圍內，Id與Ugs呈線性關係。
最高柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值一般取為15V左右。
IGBT的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關係。
IGBT處於導通態時，由於它的PNP晶體管為寬基區晶體管，所以其B值極低。
儘管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分。
此時，通態電壓Uds(on)可用下式表示Uds(on) ＝Uj1 ＋Udr ＋IdRoh式中Uj1 ——JI結的正向電壓，其值為0.7 ～IV ；Udr ——擴展電阻Rdr上的壓降；Roh ——溝道電阻。
IGBT短路测试方法详细讲解
IGBT短路测试方法详解在开发电力电子装置的过程中，我们需要做很多的测试，但是短路测试常常容易被忽略，或者虽然对装置实施了短路测试，但是实际上并不彻底和充分。
下面2种情况比较常见：1. 没有实施短路测试，a. 因为觉得这个实验风险太大，容易炸管子，损失太大；b. 觉得短路时电流极大，很恐怖；2. 实施了短路测试，但测试标准比较简单，对短路行为的细节没有进行观察本文将详细介绍正确的，完整的短路测试方法，及判断标准。
短路的定义（1）：桥短路（直通）命名为“一类”短路硬件失效或软件失效短路回路中的电感量很小(100nH级)VCE sat 检测桥臂间短路（大电感短路）命名为“二类”短路相间短路或相对地短路短路回路中的电感量稍大(uH级的)可以使用Vcesat ，也可以使用霍尔，根据电流变化率来定这类短路的回路中的电感量是不确定的一类短路测试的实施方法一：下图为实施一类短路测试时的示意图。
电网电压经过调压器，接触器，将母线电容电压充到所需要的值，再断开接触器。
上管IGBT的门极被关断，且上管用粗短的铜排进行短路。
对下管IGBT释放一个单脉冲，直通就形成了。
这就是一个典型的一类短路测试。
一类短路测试的实施方法一的注意事项：该测试需要注意的事项：1. 该测试的关注对象是电容组，母排，杂散电感，被测IGBT；2 短路回路中的电感量很低，所以上管的短路排的电感量可以极影响测量的结果，因此绝不可忽视图中所示“粗短铜排”的长短和粗细；3. 短路测试的能量全部来自母排电容组，通常来说，虽然短路电流很大，但是因为时间极短，所以这个测试所消耗的能量很小，实验前后电容上的电压不会有明显变化；4. 上管IGBT是被一直关断的，但是这个器件不可或缺，因为下管被关断后，短路电流还需要由上管二极管续流；5. 该测试需要测量三个物理量，分别是，下管的Vce，Vge，及Ic；6. 电流探头需要测量图中Ic的位置，而不是短铜排的电流，这两个位置的电流波形是不同的；7. 下管IGBT的脉冲需要严格控制，最开始实验可以使用10us，然后逐步增加；8. 环境温度对实验结果有较大的影响，通常datasheet给出的高结温的结果；对应用者而言，常温实验是比较现实的；但低温时的短路测试会比较苛刻，如果系统规格有低温要求时，是有必要进行测试的；9. 在此实验前需要对直流母排的杂散电感有一定的评估，或者用双脉冲测试方法对IGBT关断时的电压尖峰进行评估，以把握好短路时的电压尖峰，这个值可能会非常高；实验步骤及方法：1. 在弱电情况下，确认所发单脉冲的宽度；2. 将母线电压调至20~30V，发送一个单脉冲，此时也会发生短路，会有一定的电流，利用此步骤确认电流探头的方向及其他各物理量测量正确，同时确认示波器能正确捕捉该瞬间；这个步骤会比较安全；3. 短路测试时，母线不宜过低，否则可能会见到一些奇异的震荡；对于1200V的IGBT，母线为500V起；1700V的IGBT，母线为700V起；3300V的IGBT，1000V 起；4. 母线加到额定点，将进线接触器断开，放出单脉冲，装置会发出“咚”的一声响，确认示波器捕捉到该时刻；5. 通常来说，如果一切都设置正确的话，短路测试是很容易成功的，但也可能由于某些细节没有处理好，存在一定的几率，该测试会失败——这个IGBT会失效，并将电容的能量全部放掉，一般不会爆炸得很厉害；6. 第一次发10us的脉冲实际上是一种尝试性测试，其目的是，在尽量低风险的情况下，对设备的短路性能进行最初步的摸底；7. 如果第一次10us测试已经发现波形有问题，则需要整改；8. 如果第一次10us测试发现IGB没有发生退饱和现象，则可能意味着短路回路电感量太大，需要整改；9. 如果第一次10us测试发现波形正常，可以脉冲延长至12us，再做，再延长到15us，再做，如果发现驱动器释放出来的脉冲不再增长，则意味着驱动器对IGBT进行了保护，否则，意味着驱动器保护电路设置有问题，需要整改；对结果的评判（1）下图为某一个测试结果，1. 用电流的上升率di/dt求出短路回路中的全部电感量，再减去之前测出的杂散电感，就能得到插入的铜排的感量；2. 关注短路电流的最高值，与datasheet中标注的值进行比较，是否过高，电流是否有震荡；3. 从IGBT退饱和算起，至电流被关断，期间的时间是否控制在10us，这个条件是不可以妥协的；某品牌1500A/3300V的IGBT的一类短路测试，Vdc=2200V，Tj=25℃，CONCEPT瑞士实验室红线：Ic蓝线：Vce绿线：Vge4. 短路电流的峰值与门极钳位电路有很大的关系，如果门极钳位性能不好，短路电流峰值会很高；5. 关注Vce电压，需要多久才退饱和，在关断时刻时，Vce电压尖峰有多高，是否存在危险，有源钳位是否动作；6. 门极电压的评判需要比较谨慎，因为这个测试di/dt及du/dt都很大，门极探头很容易测不准某品牌1500A/3300V的IGBT的一类短路测试，Vdc=2200V，Tj=25℃，CONCEPT瑞士实验室红线：Ic蓝线：Vce绿线：Vge另一个IGBT的测试结果：下图是另外一个1700V的IGBT的一类短路测试结果。
基于深度学习的IGBT健康状态评估及剩余寿命预测
基于深度学习的IGBT健康状态评估及剩余寿命预测基于深度学习的IGBT健康状态评估及剩余寿命预测引言IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种重要的功率半导体器件，被广泛应用于电力电子系统中。
然而，由于IGBT的工作环境存在高温、高电压和高电流等恶劣条件，其寿命与可靠性成为电力电子设备中的瓶颈问题。
因此，准确评估IGBT的健康状态，并预测其剩余寿命至关重要，这不仅能够提高设备的可靠性，还能够降低维修成本。
一、IGBT健康状态评估方法1. 特征提取在IGBT健康状态评估过程中，特征提取是一个关键的步骤。
传统方法多采用基于统计学的特征提取方法，如均值、方差、峰值等。
然而，这种方法只能提取样本的整体统计信息，无法捕捉到样本内部的特征。
针对这个问题，基于深度学习的方法具有明显的优势。
例如，卷积神经网络（CNN）可以自动学习到IGBT故障模式中的特征信息，从而提高评估的准确性。
2. 健康状态评估模型构建在特征提取阶段之后，我们需要构建一个评估模型来准确地判断IGBT的健康状态。
传统的评估方法多采用支持向量机（SVM）或逻辑回归（LR）等机器学习算法，但其准确性有限。
近年来，深度学习中的循环神经网络（RNN）等算法被广泛应用于健康状态评估中，因其可以处理时间序列数据并具有很强的非线性建模能力。
3. 实验数据采集与准备为了验证所构建的评估模型的有效性，我们需要采集IGBT的工作数据并进行预处理。
实际中，可以在IGBT设备中潜入传感器，实时采集电流、电压、温度等参数，以及故障样本。
而后，通过对这些数据进行滤波、归一化等预处理操作，得到用于模型训练的数据集。
二、IGBT剩余寿命预测方法1. 特征提取IGBT的剩余寿命预测与健康状态评估类似，也需要进行特征提取。
但与健康状态评估不同的是，剩余寿命预测需要考虑时间因素。
因此，除了采用一些传统的统计特征外，还需要引入时间序列特征，如自相关系数、波峰波谷值等。
IGBT和MOS简要测试纲领
N-MOS管好坏检测
一般正面对你，（散热片为背面）左起为GDS。
拿万用表量的话，S到D为正向二极管，拿电阻档量约为500K，二极管档量为0.4V。
另外用电阻档量GS后，（红表笔接G，黑表笔接S）DS会通。
即接两边两脚后，中间脚和另一脚会通
IGBT管好坏检测
IGBT管的测量-如何检测判断IGBT管的好坏
igbt管的好坏可用指针万用表的rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量pn结正向压降进行判断。
检测前先将igbt管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测g、e两极及g、c 两极的电阻，对于正常的igbt管（正常g、c两极与g、c两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的igbt管正常时，e、c极间均有4kw正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3.5kwl左右，则所测管为含阻尼二极管的igbt管，若所测值在50kw 左右，则所测igbt管内不含阻尼二极管。
对于数字万用表，正常情况下，igbt 管的c、c极问正向压降约为0.5v。
综上所述，内含阻尼二极管的igbt管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大。
如果测得igbt管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得igbt管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。
实际维修中igbt管多为击穿损坏。
为使保护正常输出，不使用的保护必须拉为高电平（对脚1），或是通过电容接地（对脚8）。
电磁炉功率管怎样测量好坏
电磁炉功率管怎样测量好坏？回答(1) 金木2011-06-07判断好坏将万用表拨在R×10K档，用黑表笔接IGBT 的集电极（C ) ，红表笔接IGBT 的发时极( E ) ，此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G ）和集电极（C ) ，这时工GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G ）和发射极（E ) ，这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT 是好的补充：判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G ）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的集电极（C），红表笔接IGBT 的发射极（E），此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT 是好的。
3、注意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。
注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。
此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
IGBT测试方案
IGBT测试方案一、测试目标IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种新型功率器件，广泛应用于交流驱动、变频器、变压器和其他高功率电子设备中。
IGBT测试方案旨在验证器件的性能和性能参数，确保其符合设计要求。
二、测试准备1.测试仪器：示波器、高压电源、直流电源、电流表、温度计等；2.测试环境：干净、整洁的实验室，温度恒定在20-25摄氏度；3.测试样品：IGBT芯片和IGBT模块；4.测试文档：测试流程、测试记录表、测试要求等。
三、测试步骤1.外观检查：a.检查芯片和模块的外观，确保无裂纹、损伤或氧化现象；b.检查引脚是否有弯曲、脱落或其他异常。
2.静态参数测试：a. 静态开通电压（Vce(on)）测试：-将IGBT安装在适当的散热器上，并连接至电源；- 施加足够的电流通过IGBT，测量此时的Vce(on)；-记录测试结果。
b. 静态关断电压（Vce(off)）测试：-将IGBT安装适当的散热器上，并连接至电源；- 施加足够的电流通过IGBT，测量此时的Vce(off)；-记录测试结果。
c.继电器测试：-施加适当的电流通过继电器控制IGBT；-测量继电器的开通和关断时间；-检查继电器是否正常工作。
3.动态参数测试：a.过渡频率测试：-施加适当的电流通过IGBT，测量开通和关断的时间；-记录测试结果。
b.脉冲测试：-施加适当的电流和电压脉冲，测量IGBT的响应时间；-记录测试结果。
c.温度测试：-将IGBT芯片或模块放置在恒温水槽或恒温箱中，逐渐提高温度；-测量在不同温度下IGBT的性能参数，并记录测试结果。
四、测试结果分析1.比较测试结果与设计要求，判断IGBT的性能是否符合要求；2.如果测试结果不符合要求，根据测试结果分析可能的原因；3.如果有问题，及时修复或更换故障的IGBT；4.如果测试结果符合要求，则进入下一步的使用和验证。
五、安全注意事项1.在进行任何测试之前，确保所有测试仪器和设备连接正确，以避免电击或其他安全风险；2.在连接电源之前，检查电源电压和电流是否与测试要求相匹配；3.在测试过程中遵循正确的操作程序，避免误操作或意外发生；4.在测试高温时，使用防护手套和眼镜以保护自己免受火烧、溅射等伤害；5.对于不熟悉的操作或故障排除，请寻求专业人士的帮助。
MOS管和IGBT模块的测试方法
MOS管和IGBT模块的测试方法MOS管（MOSFET）的测试方法:场效应管,如果已知型号与管脚,用万用电表测G（栅极）和S（源极）之间,G与D（漏极）之间没有PN结电阻,说明该管子已坏.用万用电表的R×1kΩ档,其表棒分别接在场效应管的S极和D极上,然后用手碰触管子和G极,若表针不动,说明管子不好;若表针有较大幅度的摆动,说明管子可用.另外:1、结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别（1）从包装上区分由于绝缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏,所以管脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的;而结型场效应管在包装上无特殊要求. （2）用指针式万用表的电阻档测量用万用表的“R×lk”档或“R×100”档测G、S管脚间的阻值,N结的正、反向阻值,此管为结型管.2、用万用表电阻档判别结型场效应管管脚一般用R×1k或R×100档进行测量,测量时,任选两管脚,测正、反向电阻,阻值都相同（均为几千欧）时,该两极分别为D、S极（在使用时,这两极可互换）,余下的一极为由于绝缘栅型场效应管在测量时易损坏,所以不使用此方法进行管脚识别,一般以查手册为宜.简单方法检测IGBT模块的好坏：l 、判断极性首先将万用表拨在R×1K 。
挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（ G ）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C ）：黑表笔接的为发射极（ E ）。
2 、判断好坏将万用表拨在R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电极（ C ），红表笔接 IGBT 的发时极（ E ），此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（ G ）和集电极（ C ），这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。
IGBT_工作原理及检测方法
IGBT模块工作原理以及检测方法1 IGBT模块简介IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，IGBT 是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
IGBT的等效电路如图1所示。
由图1可知，若在IGBT的栅极G和发射极E之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极C与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极G—发射极E间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。
图1 IGBT的等效电路2 IGBT模块的选择IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。
其相互关系见下表。
使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。
同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。
特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降温等使用。
3 使用中的注意事项由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。
由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。
因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。
因此使用中要注意以下几点：1.在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；2.在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；3.尽量在底板良好接地的情况下操作。
判断IGBT的方法
判断IGBT的方法1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极(G)。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极(C)，红表笔接IGBT的发射极(E)，此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C)，这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E)，这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。
注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。
此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极;PN结，定管型;顺箭头，偏转大;测不准，动嘴巴。
”下面让我们逐句进行解释吧。
一、三颠倒，找基极大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。
根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管。
测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。
由万用电表欧姆挡的等效电路可知，红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。
假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。
测试的第一步是判断哪个管脚是基极。
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判断IGBT的方法
1、判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极(G)。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
2、判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极(C)，红表笔接IGBT的发射极(E)，此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C)，这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E)，这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。
注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。
此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速
掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极;PN结，定管型;顺
箭头，偏转大;测不准，动嘴巴。
”下面让我们逐句进行解释吧。
一、三颠倒，找基极
大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。
根据两个PN结连接方式
不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管。
测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。
由万用
电表欧姆挡的等效电路可知，红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接
着表内电池的正极。
假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么
电极。
测试的第一步是判断哪个管脚是基极。
这时，我们任取两个电极(如这两
个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的
偏转角度;接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、
反向电阻，观察表针的偏转角度。
在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相
近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小;剩下一次必然是颠倒测量前后
指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极。
二、 PN结，定管型
找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方
向来确定管子的导电类型。
将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外
两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型
管;若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。
三、顺箭头，偏转大
找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可
以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。
(1) 对于NPN型三极管，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反
向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总
会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e 极→红
表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”)，所以此时黑
表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。
(2) 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表
笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，
所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c。
四、测不出，动嘴巴
若在“顺箭头，偏转大”的测量过程中，若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要“动嘴巴”了。
具体方法是：在“顺箭头，偏转
大”的两次测量中，用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住(或
用舌头抵住)基电极b，仍用“顺箭头，偏转大”的判别方法即可区分开集电极c
与发射极e。
其中人体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果更加明显，以便判别。
判断场效应开关管好坏的方法是：将万用表电阻档量程拨至R×1k档，用黑表笔接D极，红表笔接S极，用手同时触及一下G、D极，场效应开关管应呈瞬时导通状态，即表针摆向阻值较小的位置；再用手触及一下G、S极，场效应开关管应无反应，即表针在回零位置不动；此时即可判断该场效应开关管为好管。
场效应开关管的极性判别方法是：将万用表电阻档量程拨至R×1k档，分别测量三个管脚之间的电阻，若某脚与其他两只引脚之间的电阻值均为无穷大，并且交换表笔后再测仍为无穷大，则此脚为G极，其他两脚为S极和D极；然后用万用表测S极与D极间的电阻一次，交换两表笔后再测一次，其中阻值较低的一次，黑表笔接的是S极，红表笔接的是D极。