电子复习题
(完整版)电子技术复习题(答案)
电子技术复习题一、填空1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。
2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。
4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。
5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。
6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。
8．半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。
9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是 恒定（或不变） 的。
11．稳压管工作在 反向击穿 区。
12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。
13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。
14．非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。
15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ，输入信号的幅值不能太大。
16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路 静态工作点 的偏移。
17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。
18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。
19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。
20．三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。
21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。
22．场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。
23．场效应管有两种类型：结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。
电子技术基础复习试题与答案
一、选择题：
1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( )
(A)掺入杂质的浓度、(B)材料、(C)温度
2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( )
(A)放大状态 、(B)饱和状态、(C)截止状态
3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( )
28．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A2A1A0=110时，输出 应为______。
29．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM， 该ROM有______根地址线。
30．能够实现“线与”的TTL门电路叫______。
31．差分放大电路，若两个输入信号uI1=uI2，则输出电压，uO=0； 若 u I1=100V，u I2=80V则差模输入电压uId=20V；共模输入电压uIc=90V。
参考答案
一、选择题：1、C2、C3、C4、B5、C6、C7、C8、B9、B10、A
11、C12、B13、B14、C15、B16、A17、C18、A19、C
20、C21、A22、C23、B24、A25、A
二、填空题：1、自由电子、空穴2、单向导电
3、发射结正偏、集电结反偏4、差动
5、φA +φF=2nπ（n=0、1、2……） 、AF=1
(1)静态工作点IB，IC，UCE；
(2)电压放大倍数Au。
5．已知如图VＣＣ=12V，RB=100KΩ，RW=400KΩ，RC＝4KΩ，β＝37.5，
当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线 （设UBE= 0 ）。 （10分）
7．写出下图输出与输入的关系表达式：
(完整版)电子技术复习题及参考答案
中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案电子技术一、填空题：1。
在本征半导体中掺入微量三价元素形成型半导体，掺入微量五价元素形成型半导体。
2。
晶体管工作在截止区时，发射结向偏置，集电结向偏置。
3.硅稳压管的工作为 _ 区。
4。
为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
5。
已知输入信号的频率为10kHz~12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
6.为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路.7.为了稳定静态工作点，应引入负反馈.8.为了稳定放大倍数,应引入负反馈。
9.为了使放大电路的输出电阻增大应引入负反馈;深度负反馈的条件是。
10。
为了减小放大电路的输入电阻，应引入负反馈。
11.为了减小放大电路的输出电阻，应引入负反馈。
12.当集成运放组成运算电路时中，运放一般工作在状态。
13.在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在或状态.14.在图1所示电路中，调整管为，采样电路由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路由组成.图115。
在整流电路的输入电压相等的情况下，半波与桥式两种整流电路中，输出电压平均值最低的是整流电路.16。
直流电源由、、和四部分组成。
17。
串联型稳压电路由、、和四部分组成。
18.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用运算电路。
19。
NPN型共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时，电路产生的是失真;乙类功放电路的主要缺点是输出有失真。
20. 比例运算电路的比例系数大于1，而比例运算电路的比例系数小于零。
21.正弦波自激振荡的幅值平衡条件为，相位平衡条件为。
22。
存储器按功能不同可分为存储器和存储器；23.RAM按存储单元结构特点又可分为和。
24.半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是、、。
25。
某存储器容量为8K×8位，则它的地址代码应取位。
26。
将Intel2114（1K*4位）RAM扩展成为8K*4位的存储器，需要Intel2114芯片数是 ,需要增加的地址线是条。
电子技术复习题及答案
电子技术复习题一一、填空题1、右图中二极管为理想器件，题1-1V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。
2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。
3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置，工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。
4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联电压负反馈、_并联电压负反馈__、_串联电流负反馈_、并联电流负反馈。
5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。
6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。
7、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。
8、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。
9、数字信号只有 0 和 1 两种取值。
10、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是7B 。
11、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。
12、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。
13、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2)14、时序电路分为组合电路和存储电路两种。
15、.二极管的反向电流IRM越小，说明二极管的____单向导电_____性能越好。
16、交流负反馈有4种组态，若要求输入电阻高，输出电阻高，在放大电路中应引入__串联电流_______负反馈组态。
17、要稳定静态工作点，在放大电路中应引入_____直流____负反馈。
二、选择题1、离散的，不连续的信号，称为（B ）A、模拟信号B、数字信号2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。
电子技术复习题
电子技术复习题一、选择题1、对半导体而言，其正确的说法是（）。
A. P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电。
B. N型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负电。
C. P型半导体和N型半导体都不带电。
2、处于截止(饱和，放大)状态的三极管，其工作状态为（）。
A. 发射结正偏，集电结反偏B. 发射结反偏，集电结反偏C. 发射结正偏，集电结正偏D. 发射结反偏，集电结正偏3、用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1＝3V，V2＝7V，V3＝2.7V，由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为（）。
A、PNP管，CBEB、NPN管，ECBC、NPN管，CBED、PNP管，EBC4、硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降（死区电压）分别为（）。
A、0.7V ；0.3VB、0.2V ；0.3VC、0.3V ；0.7VD、0.7V ；0.6V5、P（N）型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。
A. 三价B. 四价C. 五价D. 六价R的信号有（）。
6、基本共射放大电路中，经过晶体管集电极电阻BA、直流成分B、交流成分C、交直流成分均有7、共集电极放大电路不能放大（）。
A、交流电压信号B、交流电流信号C、交流电压电流信号7、稳压二极管的正常工作状态是（）。
A. 导通状态B. 截止状态C. 反向击穿状态D. 任意状态8、基本放大电路中，经过晶体管（电容，电阻）的信号有（）。
A. 直流成分B. 交流成分C. 交直流成分均有9、基本放大电路中的主要放大对象是（）。
A. 直流信号B. 交流信号C. 交直流信号均有10、在共集（射）电极放大电路中，输出电压与输入电压的关系是（）A、相位相同，幅度增大B、相位相反，幅度增大C、相位相同，幅度相似11、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（）。
A、放大电路的电压增益B、不失真问题C、管子的工作效率12、晶体管（场效应管）的控制方式是（）。
A.输入电流控制输出电压B. 输入电流控制输出电流C.输入电压控制输出电压13、利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的（）。
电子技术复习题()
第一章二极管及直流稳压电源一、填空题1．二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
2．二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。
3．普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。
4．单相电路用来将交流电压变换为单相脉动的直流电压。
5．直流电源中，除电容滤波电路外，其它形式的滤波电路包括、等。
6．W7805的输出电压为，额定输出电流为；W79M24的输出电压为，额定输出电流为。
7．开关稳压电源的调整管工作在状态，脉冲宽度调制型开关稳压电源依靠调节调整管的的比例来实现稳压。
8．发光二极管能将电信号转换为信号，它工作时需加偏置电压；光电二极管能将信号转换为电信号，它工作时需加偏置电压9.判断大容量电容器的质量时，应将万用表拨到挡，倍率使用。
当万用表表笔分别与电容器两端接触时，看到指针有一定偏转，并很快回到接近于起始位置的地方，则说明该电容器；如果看到指针偏转到零后不再返回，则说明电容其内部。
二、判断题(填“是”或“否”)1．加在二极管两端的反向电压高于最高反向工作电压时，二极管会损坏。
（）2．稳压二极管在电路中只能作反向连接。
（）3．电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
（）4．在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。
（）5．二极管的反向漏电流越小，其单向导电性能就越好。
（）三、选择题1．下列符号中表示发光二极管的为（）。
A． B ． C．D．2．从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正向导通状态A．0 B．死区电压 C．反向击穿电压 D．正向压降3．用万用表欧姆挡测量小功率二极管性能好坏时，应把欧姆挡旋到（）位置A ．ΩB ．ΩC ．ΩD．Ω4．直流稳压电源中滤波电路的作用是（）。
电子技术复习题
13电子技术复习题一、选择题1、半导体中的空穴和自由电子数相等，这样的半导体称为（ C ）A. P型半导体；B. N型半导体；C. 本征半导体。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、P型半导体中的多数载流子是（ B ）。
A.电子B.空穴C.电子和空穴4、N型半导体中的多数载流子是（ A ）。
A. 电子B.空穴C.电子和空穴5. 整流电路加滤波电路的主要作用是（ B ）A. 提高输出电压；B. 减少输出电压的脉动程度；C. 降低输出电压；D. 限制输出电流。
6. 三端稳压电源输出负电压并可调的是（ B ）A. CW79XX系列；B. CW337系列；C. CW317系列D. CW78XX系列7、基本放大电路中，经过晶体管的信号电流有（C ）。
A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。
8、基本放大电路中的主要放大对象是（B ）。
A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。
9、分压式偏置的NPN型晶体管共发射极放大电路中，U B 点电位过高，晶体管易出现（ A ）。
A、饱和状态B、截止状态C、放大状态10、晶体管放大电路中，基极电流i B 的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（B ）。
A、截止区；B、饱和区；C、死区。
11. NPN型晶体放大电路中，晶体管各级电位最高的是：（C）A. 基极；B. 发射极；C. 集电极12、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（A ）A、带负载能力强；B、带负载能力差；C、减轻前级或信号源负荷。
13、在三极管的输出特性曲线中，每一条曲线与（ C ）对应。
A、集电极电流B、发射极电流C、基极电流14、为了增大放大电路的动态范围，其静态工作点应选择（ D ）。
A、截止点;B、饱和点;C、交流负载线的中点；D、直流负载线的中点。
15. 在晶体管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体管（ B ）A. 电压U CE增大；B. 电压U CE减小；C. 基极电流减小。
电子电工复习题精华版
第一章直流电路1.电路的基本组成有电源、负载、中间环节三个部分。
2.20Ω的电阻与80Ω电阻相串联时的等效电阻为 100 Ω，相并联时的等效电阻为 16 Ω。
3.某点的电位就是该点到参考点的电压。
4.任意两点间的电压就是这两点的电位差。
5.电气设备工作时高于额定电压称为过载。
6.电气设备工作时低于额定电压称为负载。
7.电气设备工作时等于额定电压称为满载。
8.通常所说负载的增加是指负载的电阻增加。
9.叠加原理只适用于线性电路，而不适用于非线性电路。
10．如图所示电路中，当电阻Ｒ2增加时，电流Ｉ将__A___。
(A) 增加(B) 减小(C) 不变11．二只白炽灯的额定电压为220V,额定功率分别为100W和25W，下面结论正确的是____A____。
(A) 25Ｗ白炽灯的灯丝电阻较大(B) 100Ｗ白炽灯的灯丝电阻较大(C) 25Ｗ白炽灯的灯丝电阻较小12．图示电路中,A点电位为______V。
13．图示电路中C点的电位为______V。
14．图示电路中A点的电位为______V。
15．图示电路中A点的电位为______V。
16．图示电路中A点的电位为______V。
17.在图示电路中，已知：I1=3A，I2=2A，I3=-5A；则I5=______A。
18.如图所示,一个电源的电动势Ｅ1＝110V，内阻R1＝10Ω, 另一个电动势Ｅ2＝110V，内阻R2＝5Ω，负载两端电压表读数为90V，求：⑴电流Ｉ1，Ｉ2。
⑵负载电阻Ｒ3。
（设电压表内阻为无穷大）解:⑴求电流Ｉ1和Ｉ2：Ｉ1=(Ｅ1-90)/R1=2A , Ｉ2=(Ｅ2-90)/R2=4A⑵负载电阻Ｒ3=90/(Ｉ1+Ｉ2)=15Ω 。
19.求如图所示电路中的电流I3。
（建议用电压源与电流源等效变换的方法）解：将电流源化成电压源，然后合并电压源，再将电压源化成电流源，由分流公式计算。
4.2635326321323=⨯=⨯+=I （A ） 教材1.25已知电路如题1.25图所示。
《电子技术》期末复习试题及答案
《电子技术》期末复习试题及答案1.根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为、和一空1答案：导体空2答案：半导体空3答案：绝缘体2.导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为o空1答案：半导体3.二极管P区引出端叫极，N区引出端叫极空1答案：正空2答案：负4.二极管的最主要特性为 o空1答案：单向导电性5.按二极管所用的材料不同，可分为二极管和二极管两类。
空1答案：硅空2答案：错6. PN结正向偏置时，P区接电源极，N区接电源极空1答案：正空2答案：负7.半导体三极管有两个PN结，分别是结和结。
空1答案：集电空2答案：发射8.硅二极管的正向管压降为 V,错二极管的正向管压降为 Vo9.硅二极管的死区电压为 Vo空1答案：0.510.半导体三极管有三个电极，分别为极、极和极。
空1答案：集电空2答案：基空3答案：发射11.三极管的三种工作状态分别是状态、和状态。
空1答案：截止空2答案：放大状态空3答案：饱和12.三极管工作在放大状态，结正偏，结反偏。
空1答案：发射空2答案：集电13.半导体三极管放大的实质是,即空1答案：控制空2答案：用较小的电流控制较大的电流14.影响放大电路的静态工作点稳定的最主要因素是的变化空1答案：温度15.分压式射极偏置电路中电容的作用是。
空1答案：隔直通交16.温度升高时，放大电路的静态工作点会上升，引起失真，温度降低时，静态工作点会下降，引起失真。
17. NPN型三极管工作在截止状态时，发射结空1答案：反偏18.工作在放大状态的三极管可作为器件，工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
空1答案：放大空2答案：开关19.各级放大器之间的连接方式，叫做空1答案：耦合LPN结的最大特点是（）oA.导电性B.绝缘性C.单向导电性（正确答案）D.负阻性2.半导体受光照，导电能力（）oA.增强（正确答案）B.减弱C.不变I）.不一定3.当加在硅二极管两端的正向电压从0逐渐增加时，硅二极管（）oA.立即导通B.到0. 3V才开始导通C.超过死区电压时才导通（正确答案）D.不导通4.当硅二极管加上0.4V正向电压，该二极管相当于（）。
电工电子复习题(含答案)
电工电子复习题直流电路1、电路有 短路、断路、通路 三种状态。
2、电压与电流的参考方向一致称 关联 参考方向。
在关联参考方向下，P=UI>0，元件 吸收 功率；P=UI<0，元件 发出 功率。
3、叠加定理适用于 线性 电路，可以叠加的参数是 电流、电压 ，不能叠加的参数是 功率 。
使用叠加定理时，不作用的电压源应视作 短路 ，不作用的电流源视作 开路 。
交流电路)sin(ψω+=t I i m Tf ππω22== 1、正弦交流电的三要素是 幅值、频率、相位 。
2、已知交流电流i=10sin(314t+700)A,则其幅值为 10 ，有效值为 50HZ ，相位为 070t 314+ ，初相为 070 ，相量表示为3、)sin( ),sin(i m u m t I i t U u ϕωϕω+=+=，,0>-i u ϕϕ表示电压u 超前 电流i ；0<-i u ϕϕ表示电压u 滞后 电流i ；,0=-i u ϕϕ表示电压u 与电流i 同相 ；,900=-i u ϕϕ表示电压u 与电流i 正交 ；,1800=-i u ϕϕ表示电压u 与电流i 反相 。
4、RLC 串联电路中，C L X X >说明电路呈 感性 ；C L X X <说明电路呈 容性 ；C L X X =说明电路呈 阻性 。
5、交流电路的功率因数是 ϕcos ，提高功率因素的意义 提高设备的利用率；降低线路损耗和电压损失 。
、6、三相交流电源的特点 大小相等、频率相同、相位互差120度 ；三相电压的总和为0。
7、三相电源Y ，线电压的相位比相电压的相位 超前30度 。
三相电源△连接相电压线电压的大小关系： 相等 ，线电压的相位与相电压的相位 相同 。
9、三相负载Y 连接时，相电流与线电流的大小关系 相等 。
10、负载平衡时，三相四线制电路中中线电流为 0 。
11、三相四线制电路的中线的作用是 平衡电压 ，因此不能串接熔断器或安装开关。
电工电子学复习题
电子电工复习题一、填空题：1、电路中的各参数如图所示，则 5 ， 20 ， -25=ab U V =bc U V =ca U 。
V 2、判断下图中的各个元件是起电源作用还是负载作用，其中理想电压源是起 负载作用，理想电流源是起电源作用。
第一题第二题3、一个电热器的额定电压值为220，其额定功率为1000，如将它接到V W 110的电源上，则取用的功率为 250 。
V W 4、输出波形发生非线性失真的可能原因为：（1）静态工作点选择不合适 ，（2）信号过大 。
5、在如图所示电路中， 4 ， 0 ， -2 。
=A V V B =V V C =V V 6、下图中的无源二端网络的等效电阻 6 Ω。
=ab R第七题 第八题7、当晶体管工作在放大区时，各极电位的关系为：NPN 型的 > > 。
C V B V E V 8、把交流电变为直流电包括的四个环节是变压 ， 整流 ， 滤波 ， 稳压 。
9、晶体管用微变等效电路来代替的条件为：（1） 工作于线性区 ，（2）信号较小 。
10、在下图中，，，则 -10 。
（2分）1=-6V U 2=4V U =ab U V11、分别用有效值向量式和幅值向量式表示正弦量，90)u t ω-U ⋅=∠或 ，10090-0-9010j em U ⋅12、PN 结具有单向导电性，即当它加正向电压时，结处于 导通 状态；当它加反向电压时，PN 结处于 截止 状态。
13、通常希望放大电路的输入电阻越 高 越好，输出电阻越 低 越好。
14、已知图示电路中的U s1,U s2和I 均为正值，则提供功率的电源是 U s1 。
U=15、星形连接的三相交流电路中相、线电压有效值的关系应满足，相、L P=I I线电流有效值的关系应满足。
L P16、电路由电源、负载和中间环节三部分组成。
17、半导体是一种其导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。
18、半导体分为本征半导体和PN 型半导体。
19、本征半导体和杂质半导体中都存在本征激发现象，产生自由电子，在外电场作用下可定向运动而形成微小的电流（在常温下）。
电子线路复习题(附答案)
一、 填空题1. PN 结具有 单向导电 性能，既加正向电压时PN 结 导通 ，加反向电压时PN 结截止。
2. N 型半导体又称电子型半导体，它主要靠 自由电子 导电。
3.硅二极管导通时的正向压降为 0.7 伏，锗二极管导通时的正向压降为0.3伏。
4. 最常用的半导体材料有 硅 和 锗 。
5. N 型半导体中多数载流子是自由电子_少数载流子是空穴。
6. 三极管具有放大作用的外部条件是发射结正偏、集电结反偏。
7. 放大电路的静态工作点过高，可能引起 饱和 失真，静态工作点过低，可能引起截止 失真。
8. NPN 型晶体三极管工作在放大状态时，三个极中电位最高的是 集电极 极。
PNP 型晶体三极管工作在放大状态时，三个极中电位最高的是发射 极。
9. 三极管的基本联接方式有：共发射极接法、共基极接法 、 共集电极接法 。
10. 场效应晶体管属于 电压 控制器件,场效应管的最大优点是 输入电阻高 。
11. 开启电压0)(>th U GS 的是 N 沟道增强型 场效应管, 开启电压0)(<th U GS 的是 P 沟道增强型 场效应管。
12. 场效应管属于电压控制器件。
场效应管从结构上分成 结型和 绝缘栅型 两大类型 13. 并联反馈的反馈量以电流形式馈入输入回路，和输入电流相比较而产生净输入量。
14. 串联 负反馈能提高放大器的输入电阻， 并联 负反馈能降低放大器的输入电阻。
15. 要从２２０Ｖ交流电源获得稳定度高的直流电压要经过变压器,整流,滤波,稳压。
16. 在整流电路的负载两端并联一只电容，其输出波形脉动的大小，将随着负载 电阻和电容量的增加而 减 小。
17. 逻辑函数F=ABC+A+B+C 的逻辑值为 1 。
18. 二进制数1100转换成十进制是12，十六进制是C 。
20. CMOS 门电路中不用的输入端不允许_悬空通过大电阻接地的输入端相当于低电平。
21. 在“或非”门构成的基本RS 触发器电路中，将___Q=0_____称为触发器的0状态，Q=1称为触发器的1状态，R D = 1，S D =0时其输出为__0____状态。
电子的技术复习资料
《电子技术应用》复习资料一. 单选题1.用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为 C 。
A.正、反向电阻相等B.正向电阻大，反向电阻小C.反向电阻比正向电阻大很多倍2.二极管导通的条件是加在二极管两端的电压为 A 。
A.正向电压大于PN结的死区电压B.正向电压等于零C.必须加反向电压3.稳压管的正常工作状态是 C 。
A.导通状态B.截止状态C.反向击穿状态4.三极管的主题特点是具有 B 。
A.单向导电性B.电流放大作用C.稳压作用5.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为Ve=2.1V，Vb=2.8V，Vc=4.4V,说明此三极管工作在 A 。
A.放大区B.饱和区C.截止区6.某晶体管的集电极最大允许耗散功率Pcm=500mW，集电极最大允许电流Icm=500mA，在实际应用电路中测得它的集电极电流Ic=100mA，Uce=6V，其结果为 A 。
A.该管子因过热而损坏B. 该管子可长期安全工作C. 该管子可安全工作，但β下降7.在晶体管基本放大电路中，经过晶体管的信号有 C 。
A.直流成分B.交流成分C.交直流成分均有8.在晶体管基本放大电路中的主要放大对象是 B 。
A.直流信号B.交流信号C.交直流信号均有9.对放大电路进行静态分析的主要任务是 B 。
A.确定电压放大倍数AuB.确定静态工作点QC.确定输入电阻Ri和输出电阻Ro10.对放大电路进行动态分析的主要任务是 C 。
A. 确定静态工作点QB.确定集电结和发射结的偏置电压C. 确定电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro11.晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的 B 。
A.IcB.IbC.Uce12.关于晶体管放大电路中的静态工作点Q，下列说法不正确的是 C 。
A.Q点过高会产生饱和失真B. Q点过低会产生截止失真C.Q点可采用微变等效电路法求得13.在NPN管组成的共射放大电路中输入信号电压为正弦波，其输出电压的波形出现了图形失真（顶部和底部都出现失真），若要消除失真，则应 A 。
电工电子考试题
电工电子考试题
1. 电气与电子基础知识
1.1 电气元件
在电路中，常用的电气元件有哪些？请简要介绍各种元件的特点和作用。
1.2 电路基础
简单电路中，串联电路和并联电路有什么区别？请说明各自的特点和应用场景。
2. 电工基础知识
2.1 电路图
根据给定的电路图，计算电阻的串并联组合，求解电路的总电阻。
2.2 电气安全
在进行电气工作时，应注意哪些安全事项？请列举并简要说明。
3. 电子工程技术
3.1 电子元器件
常见的电子元器件有哪些？请说明它们的工作原理和应用场景。
3.2 电子电路设计
根据指定的功能要求，设计一个简单的数字电路电子电路，并进行
仿真验证。
4. 辅助工具使用
4.1 电工工具
常用的电工工具有哪些？分别用途是什么？请说明其使用方法和注
意事项。
4.2 电子测试仪器
常用的电子测试仪器有哪些？如何正确使用这些测试仪器来检测电
路的参数和性能？
5. 实际问题解决
5.1 电路故障排除
对于一个给定的电路故障现象，如何通过分析和检测找出故障的原因，并进行修复？
5.2 电气设计方案
以一个实际的电气工程为例，阐述电气设计方案的具体内容和流程，并分析其技术可行性。
通过以上考试题，可以全面评估学生对电工电子知识的掌握情况，
帮助他们更好地理解和应用相关知识。
祝大家考试顺利，取得优异成绩！。
电工电子复习题
判断题(50题，每题1分)1、电路中电流的方向是电子运动的方向。
( F )2、几个不等值的电阻串联，每个电阻中通过的电流也不相等。
( F )3、两个电阻相等的电阻并联，其等效电阻〔即总电阻〕比其中任何一个电阻的阻值都大。
( F )4、并联电路的电压与某支路的电阻值成正比，所以说并联电路中各支路的电流相等。
( F )5、导体在磁场中做切割磁力线运动时，导体内就会产生感应电动势。
( T )6、判断导体内的感应电动势的方向时应使用电动机左手定那么。
( F )7、判断通电导体在磁场中运动方向时，应使用发电机右手定那么。
( F )8、频率为５０赫的交流电，其周期是0.02秒。
( T )9、在交流电路中，电阻是耗能元件，而纯电感或纯电容元件只有能量的往复交换，没有能量的消耗。
( T )10、电流的频率越高，那么电感元件的感抗值越小，而电容元件的容抗值越大。
( F )11、交流电路中，电阻元件通过的电流与其两端电压是同相位的。
( T )12、交流电路中的阻抗包括电阻和电抗，而电抗又分为感抗和容抗。
( T )13、在功率三角形中，功率因数角所对的直角边是Ｐ而不是Ｑ。
( F )14、在功率三角形中，如果Ｓ为５kVA，P为４kW，那么Ｑ应为３kVar。
( T )15、三相交流对称电路中，如采用三角形接线时，线电压等于相电压三的平方根。
( F )16、三相交流对称电路中，如采用星形接线时，线电流等于相电流三的平方根。
( F )17、电路中任意两点之间的电压与参考点的选择有关。
( F )18、电阻率比拟高的材料主要用来制造各种电阻元件。
( T )19、当电阻不变时，电流随电压成正比例变化。
( T )20、对于电流表来讲可以用并联电阻的方法来扩大量程。
( T )21、在相同时间内，在电压相同条件下，通过的电流越大，消耗的电能就越少( F )22、通电的时间越长，灯泡消耗的电能越少，电流所做的功也就越大。
( F )23、电路中某一点的电位等于该点与参考点之间的电压。
电子技术基础复习题及答案
电子技术基础复习题及答案一、选择题1.下列哪种元件被广泛应用于逻辑门电路中？A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 电感答案：C2.以下哪个元件可以将交流电转换成直流电？A. 电容B. 反向阻止二极管C. 普通二极管D. NPN 晶体管答案：B3.下列哪个元件的阻值可以随输入信号的变化而变化？A. 可调电阻器B. 电阻C. 电感D. 电容答案：A4.以下哪个元件用于在电路中存储数据？A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 二极管答案：B5.下列哪个元件用于限制电路中的电流？A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 电感答案：A二、填空题6.一个电路中，有一个电源和两个电阻分别为10 Ω 和20 Ω，求电路总电阻。
答案：30 Ω7.以下哪个定律用于计算电路中的电压？答案：欧姆定律8.以下哪个定律用于计算电路中的电流？答案：基尔霍夫定律9.在直流电路中，电容器的电压和电流的关系为I = C dU/dt。
答案：I = C dU/dt三、简答题10.什么是 P 型半导体和 N 型半导体？答：P 型半导体是通过在硅片中添加杂质元素，如硼 (B) 等，使得硅片中存在过多的空穴来形成的。
N 型半导体则是加入不同的杂质，如砷 (As) 等，以形成过量的自由电子。
11.什么是逻辑门？答：逻辑门是指用于数字电路中的基本电路元件，以处理输入信号以产生输出信号的设备。
常见的逻辑门有与门、或门、非门、异或门等。
四、编程题12.写一个 Python 函数，以计算并返回一个电路总电阻。
该函数应该接受一个包含所有电阻值的列表参数。
def calculate_total_resistance(resistances):total =0for resistance in resistances:total += resistancereturn total本文涵盖了电子技术基础中的多个主题，包括逻辑门、半导体、电路中的电压和电流以及电容器和电阻的定律。
电工学(电工技术、电子技术)复习题及答案
电工学（电工技术、电子技术）复习题一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内1、把图 1 所示的电路改为图 2 的电路，其负载电流I1 和I2 将( )。
(a) 增大 (b) 不变 (c) 减小2、当三相交流发电机的三个绕组接成星形时，若线电压u BC = 380sin wt V，则相电压u B = ( )。
(a) (b)(c)3、在图示电路中，开关 S 在t= 0 瞬间闭合，若，则( )。
(a) 0.6 A (b) 0.4 A (c) 0.8A4、两个铁心线圈除了匝数不同 (N1 > N2) 外，其他参数都相同，若将这两个线圈接在同一交流电源上，它们的磁通F1 和F2 的关系为( )。
(a) F1 > F2 (b) F1 < F2 (c) F1 = F25、三相异步电动机的旋转方向决定于( ) 。
(a) 电源电压大小 (b) 电源频率高低 (c) 定子电流的相序6、在电动机的继电器接触器控制电路中，零压保护的功能是( )。
(a) 防止电源电压降低烧坏电动机(b) 防止停电后再恢复供电时电动机自行起动(c) 实现短路保护7、在中点接地的三相四线制低压供电系统中，为了防止触电事故，对电气设备应采取( ) 措施。
(a) 保护接中( 接零 ) 线 (b) 保护接地 (c) 保护接中线或保护接地8、图 1 与图 2 为两个正弦交流等效电路，已知R = 9 W，R￠= 10 W，C = F，C￠= F，需施加的正弦信号的角频率w为 ( )。
(a) 0.32 rad / s (b) 0.11 rad / s (c) 2 rda/s9、图示正弦交流电路中，R = XL= 10 W，欲使电路的功率因数l = 0.707，则XC为 ( )。
(a) 20 W (b) 10 W (c) 5 W10、在R，L，C串联电路中，总电压，电流i = 10sin(wt+) A，w=1 000 rad / s，L = 1 H，则R，C分别为 ( )。
电工学-电子技术复习题
（1）求出Q点；
（2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的 和Ri；
（3）求出Ro。
7、电路如图P2.13所示，晶体管的＝100， =100Ω。
（1）求电路的Q点、 、Ri和Ro；
（2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
电工学-电子技术复习题
一、填空题：（要求）
1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。
半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；
2、图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问哪个灯最亮？
3、设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V，求图中电路的输出电压Uo。已知稳压管的正向压降为0.7V。
4、图所示电路，设Ui=sinωt(V)，V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo的波形应为图示_______图。
18、已知某共射放大电路的中频电压放大倍数为Aum=-1000，fL=10Hz fH=1MHz，
请画出该放大电路的对数幅频特性曲线图。
19、在下图所示运算放大电路中，已知v1=10mV，v2=30mV，推导输入输出表达式，并求vo=?
20、理想比例运放电路如下图所示，试指出反馈的类型，并求其电压放大倍数
A.约为原来的2倍B.约为原来的0.5倍C.基本不变D.约为原来的4倍
15、对于如图所示电路，问关于放大倍数的计算，以下式子哪个正确？
A.-β×[(Rc||RL)/(rbe+Re)] B.-β[(Rc||RL)/rbe] C.-β×[(Rc||RL)/(Rb1||Rb2||rbe)]
电子技术复习题
电子技术复习题1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在 B 状态,但其两端电压必须C ,它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于 F 状态;A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是 C ,该管是 D 型;A、B、C、E B、C、B、E C、E、C、B D、NPN E、PNP3、对功率放大器的要求主要是 B 、 C 、 E ;A、U0高B、P0大C、功率大D、Ri大E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为 B ,此时应该 E 偏置电阻;A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5、差分放大电路是为了 C 而设置的;A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移6、共集电极放大电路的负反馈组态是 A ;A、压串负B、流串负C、压并负7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ B倍;A、1B、2C、38、为了使放大器带负载能力强,一般引入 A 负反馈;A、电压B、电流C、串联9、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管CA、立即导通B、到0.3V才开始导通 C.、超过死区电压时才开始导通10、三端集成稳压器CW7812的输出电压是 A ;A、12VB、5VC、9V11、把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管AA、基本正常B、将被击穿C、将被烧坏12、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为 B 失真,下半周失真时为 A失真;A、饱和B、截止C、交越D、频率13、当硅二极管加上0.4V正向电压时,该二极管相当于BA.很小的电阻B.很大的电阻C.断路14、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路 A 能力;A、放大差模抑制共模B、输入电阻高C、输出电阻低15、LM386是集成功率放大器,它可以使电压放大倍数在 B之间变化;A、0~20B、20~200C、200~100016、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo= C UzA、0.45B、0.9C、1.217、当集成运放线性工作时,有两条分析依据A B ;A 、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D 、Au=118、对功率放大器的主要要求有 BC E ;A 、U0高,B 、P0大C 、效率高D 、Ri 大E 、波形不失真19、振荡器的输出信号最初由C 而来的;A 、基本放大器B 、选频网络C 、干扰或噪声信号20、KMCR 是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路 A 能力; A 放大差模抑制共模 B 输入电阻高 C 输出电阻低21、某二极管反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压CA 、约等于150VB 、略大于150VC 、等于75V22、当环境温度升高时,二极管的反向电流将BA 、增大B 、减小C 、不变23、测量小功率二极管的好坏时,一般把万用欧姆挡拨到CA 、R ×100B 、R ×1kC 、R ×124、用万用表R ×100Ω挡来测试二极管,如果二极管C 说明管子是好的;A 、正、反向电阻都为零B 、正、反向电阻都为无穷大C 、正向电阻为几百欧,反向电阻为几百千欧25、用万用表的电阻挡判断小功率二极管管脚极性时,应选用CA 、R ×1Ω挡B 、R ×1k Ω挡C 、R ×10挡26、在测量二极管正向电阻时,若用两手把管脚捏紧,电阻值将会AA 、变大B 、变小C 、不变化27、变容二极管工作时,应加AA 、反向电压B 、正向电压C 、反向电压或正向电压28、发光二级管工作时,应加AA 、正向电压B 、反向电压C 、正向电压或反向电压29、为了减小输出电阻,应在放大电路中引入B ；为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入C ;A 电流负反馈B 电压负反馈C 直流负反馈D 交流负反馈 30、RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 B ; A 感性 B 阻性 C 容性31、通用型集成运放的输入级多采用D ;A 共基接法B 共集接法C 共射接法D 差分接法32、两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 B ; A β B β2 C2β D1+β33、在A 、B 、C 三种电路中输出电阻最小的电路是B ；既能放大电流,又能放大电压的电路是 C ;A 共基放大电路B 共集放大电路C 共射放大电路34、当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C A u B A u E ;A >B <C = D≤35、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A ;A 大B 小C 相等36、为了增大输出电阻,应在放大电路中引入 A ；为了展宽频带,应在放大电路中引入 D ;A电流负反馈B电压负反馈C直流负反馈 D交流负反馈37、在桥式文氏桥RC正弦波振荡电路中,C ;AφA=-1800,φF=+1800 BφA=+1800,φF=+1800 CφA=00,φF=0038、当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C B u B B u E ;A >B <C = D≤39、一个平衡PN结,用导线将P区和N区连起来,而导线中B ;A、有微弱电流B、无电流C、有瞬间微弱电流40、晶体管在大电流工作时,随Ic的增加β值将 B ;A、增加B、下降C、不变41、三极管的反向电流ICBO是由B 组成的;A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子42、放大器的输入电阻高,表明其放大微弱信号能力A;A、强B、弱C、一般43、射极跟随器具有C特点;A、电流放大倍数高B、电压放大倍数高C、电压放大倍数近似于1且小于1输入电阻高,输出电阻低44、引入并联负反馈,可使放大器的C;A、输出电压稳定B、反馈环内输入电阻增加C、反馈环内输入电阻减小45、直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的A;A、好B、差C、相同46、工作在线性区的运算放大器应置于A状态;A、深度反馈B、开环C、闭环47、产生正弦波自激震荡的稳定条件是C;A、引入正反馈B、|AF|≥1C、AF=148、测量脉冲电压例如尖脉冲的峰值应使用C;A、交流毫伏表B、直流电压表C、示波器、49、二极管两端加正向电压时 B ;A．一定导通 B．超过死去电压才导通 C．超过0.7Ｖ才导通50、低频放大电路放大对象是电压、电流的 B ;A．稳定值 B．变化量 C．平均量51、阻容耦合放大电路 BA.只能传递直流信号B.只能传递交流信号C.交直流信号都能传递52、双门限电压比较器是一个含有 A 网络的比较器;A.正反馈B.负反馈C.RC53、方波发生器中电容两端电压为 C 波;A.矩形B.三角C.锯齿54、晶闸管导通后流过晶闸管的电流取决于 A ;A.电路的负载B.晶闸管的联刘容量C.晶闸管阳极和阴极之间的电压55、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管发射特性中的 C ;A.截止区B.饱和区C.负阻区56、能实现“有0出0,全1出1”的逻辑功能是 A ;A.与门B.或门C.非门57、能实现“有0出1,全1出0”的逻辑功能是 C ;A.与门B.或门C.与非门58、欲表示十进制数的十个数码,需要二进制数码的位数是 C ;A.3位B.2位C.4位59、变容二极管常用在A电路中;A、高频B、低频C、直流60、交通信号灯采用的是A管A、发光二极管B、光电二极管C、变容二极管判断题×1、在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”;√2、电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流;×3、使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈;√4、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响;√5、利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管;√6、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等;×7、未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区;√8、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区;×9、只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡;√10、直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路;×11、只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡;√12、引入直流负反馈可以稳定静态工作点;×13、负反馈越深,电路的性能越稳定;√14、零点漂移就是静态工作点的漂移;√15、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻;√16、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同;√17、半导体中的空穴带正电;×18、P型半导体带正电,N型半导体带负电;×19、实现运算电路不一定非引入负反馈;×20、凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区;√21、二极管具有单向导通性,同时利用该性质,可以将二极管作为开关元件;√22、三级管有两个PN结,即集电结和发射结；有三个电极,即基极极以及集电极极和发射极极;×23、影响静态工作点稳定的主要因素是湿度,此外电源电压和元件老化等也会对静态工作点有影响;×24、单结晶体管有2个PN结,它的三个极分别是发射极、第一基极和第二基极;×25、电路的基本定律是欧姆定律;√26、一个6Ω电阻和一个4Ω电阻并联,则这两电阻并联后的总电阻为2.4Ω√27、电容量的单位是法拉;×28、通电螺线管的电流方向与它的磁场方向可用左手螺旋定则来判断;√29、通电直导体在磁场中的受力方向,可以用左手定则来判定;表示;√30、交流电中电压最大值用字母Um×31、若交流电的频率为100HZ,则交流电的周期为0.1S;√32、在交流电路中,最大值是有效值的√2倍;×33、在纯电感交流电路中,电压的相位比电流的相位超前60°;√34、若三相交流电源采取星形连接,当相电压为220V,则线电压为380V;√35、人体的安全电压一般为36V;×36、硅二极管的死区电压为0.7V;√37、锗二极管的导通电压为0.3V;√38、晶体三极管的基极用字母b表示;×39、晶体三极管有2个结,3个区,3个电极;√40、纯电阻单相正弦交流电路中的电压与电流,其瞬间时值遵循欧姆定律; √41、线圈右手螺旋定则是：四指表示电流方向,大拇指表示磁力线方向;×42、短路电流大,产生的电动力就大;×43、电位高低的含义,是指该点对参考点间的电流大小;×44、直导线在磁场中运动一定会产生感应电动势;√45、最大值是正弦交流电在变化过程中出现的最大瞬时值;×46、电动势的实际方向规定为从正极指向负极;×47、两个同频率正弦量相等的条件是最大值相等;√48、在均匀磁场中,磁感应强度B与垂直于它的截面积S的乘积,叫做该截面的磁通密度;×49、自感电动势的方向总是与产生它的电流方向相反;×50、一段电路的电压Uab=-10V,该电压实际上是a点电位高于b点电位;×51、正弦量可以用相量表示,所以正弦量也等于相量;×52没有电压就没有电流,没有电流就没有电压;√53、如果把一个24V的电源正极接地,则负极的电位是-24V、√54、电路中两点的电位分别是V1=10V,V2=-5V,这1点对2点的电压是15V; √55、将一根条形磁铁截去一段仍为条形磁铁,它仍然具有两个磁极;×56、磁场可用磁力线来描述,磁铁中的磁力线方向始终是从N极到S极;×57、在电磁感应中,感应电流和感应电动势是同时存在的;没有感应电流,也就没有感应电动势;×58、正弦交流电的周期与角频率的关系是互为倒数;×59、有两个频率和初相位不同的正弦交流电压u1和u2,,若它们的有效值相同,则最大值也相同;√60、电阻两端的交流电压与流过电阻的电流相位相同,在电阻一定时,电流与电压成正比;计算题l．已知一正弦交流电流最大值为 10 A,频率为 50HZ,初相角为 1200;试写出该交流电的表达式; 2．一根导线的电阻为0.2Ω,流过的电流为50 A,试求导线上的电压降;3．一只电压表满量程为 300V,表头通过的最大电流为1mA,试求该电压表的内阻;4．一根铜导线长度为 0.5 m,截面积为 5 mm2,试求其电阻;电阻率为 00188Ω·mm2／m5．已知三只电阻分别为 100Ω、400Ω、1000Ω,试求三只电阻串联后的电阻值;6．如图,已知三只电阻接线如图所示,试求等效电阻;第6题7．如图所示,已知R l=5Ω、R2=10Ω、R3=20Ω,求电路中a、b两端的等效电阻R ab是多少第7题解：ΩΩ答：a、b两端的等效电阻R ab为14Ω。
电路电子技术复习题
电路电子技术复习题一、计算题：1、应用叠加定理求图示电路中电压u 。
图12、计算图2所示各电路，K 打开时及闭合时的U a 、U b 及U ab 。
图23、求图3所示电路中的电压U 。
图34、图4 所示放大电路中，三极管β=100，U BEQ =0.6V ，C 1、C 2、C e 可视为交流短路。
① 求静态工作点Q ；② 用等效电路法求电压增益A u =u o /u i 、源电压增益A us =u o /u s ； ③ 求输入电阻R i 、输出电阻R o 。
3A36Ω36Ω 12Ω12Ω 12Ω +-U图45、电路如图5所示，求U x 、I x 和电压源电流、电流源电压。
6、图6所示电路中开关S 原在位置1已久，0t =时合向位置2，求()c u t 和()i t 。
图67、求图7所示电路中的电压U 。
图78．电路如图8所示，若U s =－19.5 V ，U 1=1 V ，试求R 。
图89、在图9所示电路中，已知u I 1＝4V ，u I 2＝1V 。
回答下列问题： （1）当开关S 闭合时，分别求解A 、B 、C 、D 和u O 的电位； （2）设t ＝0时S 打开，问经过多长时间u O ＝0？3A36Ω36Ω12Ω12Ω 12Ω +-U图5图910、图10所示示电路中开关闭合前电容无初始储能，0t =时开关S 闭合，求0t ≥时的电容电压()c u t 。
图1011、求图11所示各二端网络的输入电阻R i 。
图1112、应用叠加定理求图12所示电路中电压2u 。
图1213、恒流源式差动放大电路如题图13所示，已知三极管的U BE =0.7V ，ß=50，r bb’=100Ω，稳压管的U Z =+6V ，+V CC =+12V ，–V EE =–12V ，R B =5k Ω，R C =100k Ω，R E =53k Ω，R L =30k Ω。
① 求静态工作点Q （I BQ 、I CQ 、U CEQ ）；② 求差模电压放大倍数A ud ；③ 求差模输入电阻R id 与输出电阻R od 。
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第6章一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由基区、发射区、集电区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出电极分别是基极、发射极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相同，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散运动起削弱作用，对少子的漂移运动起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，则红表棒接触的电极是二极管的阴极；黑表棒接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿损坏；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化不通。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
（对）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（错）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。
（错）7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。
（错）三、选择题：（每小题2分，共20分）2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。
4、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。
A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
6、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。
四、简述题：2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
答：管脚③和管脚②电压相差0.7V，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个NPN型硅管。
再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。
6、半导体二极管由一个PN结构成，三极管则由两个PN结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。
因为，两个背靠背的二极管，其基区太厚，不符合构成三极管基区很薄的内部条件，即使是发射区向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续向集电区扩散，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。
7、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。
因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。
第7章一、填空题：（每空0.5分，共21分）1、基本放大电路的三种组态分别是：共发射极放大电路、共集电极放大电路和共基极放大电路。
2、放大电路应遵循的基本原则是：发射结正偏；集电结反偏。
3、将放大器输出信号的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做反馈信号。
使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为负反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为正反馈。
放大电路中常用的负反馈类型有电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈和电流并联负反馈。
4、射极输出器具有电压增益恒小于1、接近于1，输入信号和输出信号同相，并具有输入电阻高和输出电阻低的特点。
5、共射放大电路的静态工作点设置较低，造成截止失真，其输出波形为上削顶。
若采用分压式偏置电路，通过反馈环节调节合适的基极电位，可达到改善输出波形的目的。
6、对放大电路来说，人们总是希望电路的输入电阻越大越好，因为这可以减轻信号源的负荷。
人们又希望放大电路的输出电阻越小越好，因为这可以增强放大电路的整个负载能力。
7、反馈电阻R E的数值通常为几十至几千欧，它不但能够对直流信号产生负反馈作用，同样可对交流信号产生负反馈作用，从而造成电压增益下降过多。
为了不使交流信号削弱，一般在R E的两端并联一个约为几十微法的较大射极旁路电容C E。
8、放大电路有两种工作状态，当u i＝0时电路的状态称为静态，有交流信号u i 输入时，放大电路的工作状态称为动态。
在动态情况下，晶体管各极电压、电流均包含直流分量和交流分量。
放大器的输入电阻越大，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越小，放大器带负载能力就越强。
9、电压放大器中的三极管通常工作在放大状态下，功率放大器中的三极管通常工作在极限参数情况下。
功放电路不仅要求有足够大的输出电压，而且要求电路中还要有足够大的输出电流，以获取足够大的功率。
10、晶体管由于在长期工作过程中，受外界温度及电网电压不稳定的影响，即使输入信号为零时，放大电路输出端仍有缓慢的信号输出，这种现象叫做零点漂移。
克服零点漂移的最有效常用电路是差动放大电路。
二、判断下列说法的正确与错误：（每小题1分，共19分）1、放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。
（错）2、放大电路中的所有电容器，起的作用均为通交隔直。
（对）3、射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。
（错）4、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。
（对）5、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。
（对）10、基本放大电路通常都存在零点漂移现象。
（对）12、差动放大电路能够有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。
（对）14、输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。
（对）15、共射放大电路输出波形出现上削波，说明电路出现了饱和失真。
（错）16、放大电路的集电极电流超过极限值I CM，就会造成管子烧损。
（错）18、采用适当的静态起始电压，可达到消除功放电路中交越失真的目的。
（对）19、射极输出器是典型的电压串联负反馈放大电路。
（对）三、选择题：（每小题2分，共20分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。
A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。
2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。
A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。
3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。
A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。
4、共发射极放大电路的反馈元件是（B）。
A、电阻R B；B、电阻R E；C、电阻R C。
7、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（A）A、带负载能力强；B、带负载能力差；C、减轻前级或信号源负荷。
8、功放电路易出现的失真现象是（C）。
A、饱和失真；B、截止失真；C、交越失真。
9、基极电流i B的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（B）。
A、截止区；B、饱和区；C、死区。
10、射极输出器是典型的（C）。
A、电流串联负反馈；B、电压并联负反馈；C、电压串联负反馈。
四、简答题：（共23分）1、共发射极放大器中集电极电阻R C起的作用是什么？（3分）答：R C起的作用是把晶体管的电流放大转换成放大器的电压放大。
2、放大电路中为何设立静态工作点？静态工作点的高、低对电路有何影响？（4分）答：设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。
Q点过高易使传输信号部分进入饱和区；Q点过低易使传输信号部分进入截止区，其结果都是信号发生失真。
3、指出图7-21所示各放大电路能否正常工作，如不能，请校正并加以说明。
（8分）答：（a ）图缺少基极分压电阻R B1，造成V B =U CC 太高而使信号进入饱和区发生失真，另外还缺少R E 、C E 负反馈环节，当温度发生变化时，易使放大信号产生失真；（b ）图缺少集电极电阻R C ，无法起电压放大作用，同时少R E 、C E 负反馈环节； （c ）图中C 1、C 2的极性反了，不能正常隔直通交，而且也缺少R E 、C E 负反馈环节； （d ）图的管子是PNP 型，而电路则是按NPN 型管子设置的，所以，只要把管子调换成NPN 型管子即可。
4、说一说零点漂移现象是如何形成的？哪一种电路能够有效地抑制零漂？（4分） 答：直接耦合的多级放大电路，当输入信号为零时，输出信号电压并不为零的现象称为零点漂移。
晶体管参数受温度的影响是产生零漂的根本和直接原因。
采用差动放大电路可以有效地解决零漂问题。
5、为削除交越失真，通常要给功放管加上适当的正向偏置电压，使基极存在的微小的正向偏流，让功放管处于微导通状态，从而消除交越失真。
那么，这一正向偏置电压是否越大越好呢？为什么？（4分）答：这一正向电压较小，仅使两个管子都工作在微导通状态即可。
因为，交越失真实际上是两个功放管都存在正向死区电压造成的，消除交越失真，实际上就是解决死区电压的问题。
如果这一正向偏置电压大于死区电压较多，势必造成两个功放管不能正常工作。
五、计算题：（共17分）V CC （a ）V CC （b ） 图7-21 检测题7-4-3电路图V CC （c ）V CC （d ）E1、如图7-22所示分压式偏置放大电路中，已知R C ＝3.3KΩ，R B1＝40KΩ，R B2＝10KΩ，R E ＝1.5KΩ，β=70。
求静态工作点I BQ 、I CQ 和U CEQ 。
（8分，图中晶体管为硅管）2、画出图2-22所示电路的微变等效电路，并对电路进行动态分析。
要求解出电路的电压放大倍数A u ，电路的输入电阻r i 及输出电阻r 0。
（9分）解：图7-22的微变等效电路如下图所示。
r i =R B1// R B2// r be =40000//10000//943≈843Ω r 0=R C =3.3K Ω第8章一、填空题：（每空0.5分，共20分）1、若要集成运放工作在线性区，则必须在电路中引入 深度负 反馈；若要集成运放工作在非线性区，则必须在电路中引入 正 反馈或者在 开环工作 状态下。