二极管与三极管的命名以及辨别

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二极管命名规则

二极管命名规则

各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。

五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN 型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。

二极管三极管

二极管三极管

三极管
命名 判断类型 判断好坏 判断放大电路是否在工作区
口诀
一、 三颠倒,找基极 二、 PN结,定管型 三、 顺箭头,偏转大 四、 测不出,动嘴巴
三极管
命名 判断类型 判断好坏 判断放大电路是否在工作区
三极管的放大条件:三极管具有电流放大作用的内因 三极管犹如两个反向串联的PN结,如果孤立地看待这两个反向串联 的PN结,或将两个普通二极管串联起来组成三极管,是不可能具有 三极管电流的放大作用。具有电流放大作用的三极管,PN结内部结 构的特殊性是:
1:为了便于发射结发射电子,发射区半导体的掺杂溶度远高于基区半 导体的掺杂溶度,且发射结的面积较小。 2:发射区和集电区虽为同一性质的掺杂半导体,但发射区的掺杂溶度 要高于集电区的掺杂溶度,且集电结的面积要比发射结的面积大,便 于收集电子。 3:联系发射结和集电结两个PN结的基区非常薄,且掺杂溶度也很低。 上述的结构特点是三极管具有电流放大作用的内因。 三极管的放大条件:三极管具有电流放大作用的外因:要使三极管具有 电流的放大作用,除了三极管的内因外,三极管的放大作用还要有外 部条件。三极管的发射极为正向偏置,集电结为反向偏置是三极管具 有电流放大作用的外部条件。
国际电子联合会命名
第一部分:用字母表示器件使用的材料。 第二部分:用字母表示器件的类型及主要 特征。 第三部分:用数字或字母加数字表示登记 号。三位数字-代表通用半导体器件的登记 序号、一个字母加二位数字-表示专用半导 体器件的登记序号。 第四部分:用字母对同一类型号器件进行 分档。
二极管
命名 正负极 判断好坏
三极管
命名 判断类型 判断好字“3”表示主称和三极管。 第二部分用字母表示三极管的材料和极性。 第三部分用字母表示三极管的类别。 第四部分用数字表示同一类型产品的序号。 第五部分用字母表示规格号。

二极管命名规则【范本模板】

二极管命名规则【范本模板】

各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。

五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目.2-二极管、3—三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时:A—N型锗材料、B—P型锗材料、C—N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时:A—PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C—PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P—普通管、V—微波管、W—稳压管、C-参量管、Z-整流管、L—整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F〈3MHz,Pc<1W)、G—高频小功率管(f〉3MHz,Pc<1W)、D —低频大功率管(f<3MHz,Pc〉1W)、A—高频大功率管(f>3MHz,Pc〉1W)、T—半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B—雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH—复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件.第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型.0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件.第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型.A—PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D—NPN型低频管、F—P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H—N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K—N沟道场效应管、M-双向可控硅.第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号.两位以上的整数—从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大,越是近期产品.第五部分:用字母表示同一型号的改进型产品标志。

晶体管的命名方法

晶体管的命名方法

晶体管的命名方法晶体管:最常用的有三极管和二极管两种。

三极管以符号BG(旧)或T(新)表示,二极管以D表示。

按制作材料分,晶体管可分为锗管和硅管两种。

按极性分,三极管有PNP和NPN两种,而二极管有P型和N型之分。

多数国产管用xxx表示,其中每一位都有特定含义:如3 A X 31,第一位3代表三极管,2代表二极管。

第二位代表材料和极性。

A代表PNP型锗材料;B代表NPN型锗材料;C代表PNP型硅材料;D为NPN型硅材料。

第三位表示用途,X代表低频小功率管;D代表低频大功率管;G代表高频小功率管;A代表高频大功率管。

最后面的数字是产品的序号,序号不同,各种指标略有差异。

二极管同三极管第二位意义基本相同,而第三位则含义不同。

对于二极管来说,第三位的P代表检波管;W代表稳压管;Z代表整流管。

上面例子,具体说就是PNP型锗材料低频小功率管。

常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列,欧洲的2Sx系列,在该系列中,第三位含义同国产管的第三位基本相同。

常用中小功率三极管参数表型号材料与极性Pcm(W) I cm(mA) BVcbo(V) ft(MHz)3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 >1003DG7C SI-NPN 0.5 100 >60 >1003DG12C SI-NPN 0.7 300 40 >3003DG111 SI-NPN 0.4 100 >20 >1003DG112 SI-NPN 0.4 100 60 >1003DG130C SI-NPN 0.8 300 60 1503DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150C9012 SI-PNP 0.625 -500 -40C9013 SI-NPN 0.625 500 40C9014 SI-NPN 0.45 100 50 150C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100C9016 SI-NPN 0.4 25 30 620C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1GC8050 SI-NPN 1 1.5A 40 190C8580 SI-PNP 1 -1.5A -40 2002N5551 SI-NPN 0.625 600 1802N5401 SI-PNP 0.625 -600 160 1002N4124 SI-NPN 0.625 200 30 300四、用万用表测试三极管(1)判别基极和管子的类型选用欧姆档的R×100(或R×1K)档,先用红表笔接一个管脚,黑表笔接另一个管脚,可测出两个电阻值,然后再用红表笔接另一个管脚,重复上述步骤,又测得一组电阻值,这样测3次,其中有一组两个阻值都很小的,对应测得这组值的红表笔接的为基极,且管子是PNP型的;反之,若用黑表笔接一个管脚,重复上述做法,若测得两个阻值都小,对应黑表笔为基极,且管子是NPN型的。

二极管与三极管的命名以及辨别

二极管与三极管的命名以及辨别
通过测量三极管的放大倍数也可以判断其类型和性能。
05 常见二极管与三极管型号 及参数
常见二极管型号及参数
型号
1N4007
参数
正向电流1A,反向电压1000V, 封装形式为DO-41
用途
主要用于开关电源、整流电路等
常见二极管型号及参数
特点
低正向压降,高可靠性
型号
1N5408
参数
正向电流3A,反向电压400V,封装形式为DO-201AD
显示
在显示器中,二极管用于构成像素点, 如LED显示屏等。
三极管的应用场景
信号放大
三极管具有电流放大作用,可用于信号 放大,如音频放大器、无线通信系统等。
振荡器
三极管可以构成振荡电路,产生高频 振荡信号,如石英晶体振荡器等。
开关控制
利用三极管的开关特性,可以实现电 路的通断控制,如继电器、电机控制 器等。
自动控制
在自动控制系统中,三极管用于信号 处理和执行机构的控制,如温度控制 器、流量计等。
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感谢您的观看
可以使用万用表的二极管档位进行检测,对于三极管,则可以
使用万用表的电阻档位进行检测。根据测量结果可以判断元件
的类型。
02 二极管的命名规则
字母表示材料
A代表锗材料 B代表硅材料
数字表示序号
• 序号通常为2位数字,如11、22等,用于区分同一材料不 同型号的二极管。
字母表示极性
C代表阴极
D代表阳极
常见三极管型号及参数
用途
主要用于高频放大、振荡电路等
特点
高截止频率、低噪声
06 二极管与三极管的应用场 景
二极管的应用场景

二极管三极管区别

二极管三极管区别

二极管三极管区别一、根本区别二极管与三极管的根本区别在于:二极管有两个脚,三极管三个脚,三极管有电流放大作用(即,基极电流对集电极电流的控制作用。

)二极管没有放大作用,它具有单向导电的特性。

放大:是基极电流对集电极电流的控制作用,表现为:基极的电流变化,反映在集电极就是一个成比例(集电极电流=基极电流乘以三极管的放大倍数)的电流变化。

放大的实质是通过三极管的电流控制功能,从电源获取能量,将基极输入的模拟量放大输出在集电极负载上(电流的变化,在负载上又表现为电压的变化)。

所以,实际放大的是基极输入的模拟量。

二、工作原理的区别二极管是一种具有单向导电的二端器件,有电子二极管和晶体二极管之分,电子二极管现以很少见到,比较常见和常用的多是晶体二极管。

二极管的单向导电特性,几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常[1]广泛。

三极管的工作原理三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。

但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。

IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。

),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。

三极管在放大信号时,首先要进入导通状态,即要先建立合适的静态工作点,也叫建立偏置 ,否则会放大失真。

二级管主要就是单向导电性,三极管主要是电压,电流的放大。

三、种类区别晶体管:最常用的有三极管和二极管两种。

三极管以符号BG(旧)或(T)表示,二极管以D表示。

二极管和三极管的入门基础知识 图解

二极管和三极管的入门基础知识 图解

数载流子扩散数量与少数载流子漂移数量相同时,内电场宽度和强度
保持稳定。这种在P型半导体和N型半导体交界面处形成的稳定的内
电场称为PN结。如图5-4所示。
图5-4 PN结的形成
5.1.1PN结
(二) PN结的特性: PN结有一个非常重要的导电特性:单向导电性。 1)PN结加正向电压——正向导通 如图5-5a所示,电源正极接P区,负极接N区,称为正向电
1三极管的结构
图5-11是几种常见的国产三极管的封装和外形。 在一块极薄的硅或锗基片上通过一定的工艺制做出两个PN结就构成 了三层半导体结构,从三层半导体各引出一根引线就是三极管的三 个极,再封装在管壳里,就构成晶体三极管。三个电极分别叫做发 射极E、基极B、集电极C,与之对应的每层半导体分别称为发射区、 基区、集电区。发射区与基区之间的PN结为发射结,集电区和基区 之间的PN结为集电结。基区是P型半导体的称为NPN型三极管,基 区是N型半导体的称为PNP型三极管。
5.1 二极管 5.2 三极管 5.3 共射极放大电路 5.4 分压式偏置电路 5.5 多级放大电路 5.6 放大电路中的负反馈 5.7 差分放大电路 5.8 功率放大电路 5.9 绝缘栅型场效应晶体管及其放大电路
5.1二极管
本征半导体与杂质半导体

PN结

PN结及其导电特性
图5-2 N型半导体
同理,若在硅(或锗)晶体中掺入微量的三价元素, 如硼(B),就形成了P型半导体,如图5-3。不难看 出P型半导体多数载流子是空穴,少数载流子是自 由电子。
图5-3 P型半导体
5.1.1PN结
2 .PN结:
(1)PN结的形成:

把P型半导体和N型半导体用特殊的工艺结合在一起时,N区中

二极管、三极管、晶闸管简介

二极管、三极管、晶闸管简介

5、 二极管作用: 整流:将交流电信号转换成直流电信号。 检波:用于高频信号的调解(信号转换)。 发光:用于装饰或各种信号指示。 变容:用于各种自动调谐电路。 光电:用于光的测量;当制成大面积的光电二极管,可当做一种能源,称为光电池。
整流(利用单向导电性)
把交流电变为直流电,称为整流。一个简单的二极管半波整流电路如图(a)所示。若二极管为理想二极管,当输入一 正弦波时,由图可知:正半周时,二极管导通(相当开关闭合),vo=vi;负半周时,二极管截止(相当开关打开), vo =0。其输入、输出波形见图(b)。整流电路是直流电源的一个组成部分。
vi

D

0
t
vi
RL
vo
vo


0
t
(a)
(b)
稳压
稳压二极管的特点就是反向通电尚未击穿前,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管接 入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压 将基本保持不变。 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示
1、正常二极管
二极管、三极管、晶闸管简介
晶体二极管(Diode)
1、二极管的构成 核心是PN结, P性材料和N性材料结合, 有2个出线 端,即二极管有正、负两个极
应用电路




正极
positive
PN
负极
negative


(a)
正极
负极
(b)
2、二极管的电路符号: D VD 3、 基本特性:单向导电性
4、分类: 根据材质分为:1)硅二极管(导通电压:0.5~0.7V) 2) 锗二极管(导通电压:0.2~0.3V) 根据用途分:整流二极管、检波二极管、稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管等

二极管与三极管的分类

二极管与三极管的分类

二极管与三极管的分类二极管的分类一、根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。

与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。

包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二极管分类如下:1、点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。

因此,其PN结的静电容量小,适用于高频电路。

但是,与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。

因为构造简单,所以价格便宜。

对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型。

2、键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。

其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。

与点接触型相比较,虽然键型二极管的PN 结电容量稍有增加,但正向特性特别优良。

多作开关用,有时也被应用于检波和电源整流(不大于50mA)。

在键型二极管中,熔接金丝的二极管有时被称金键型,熔接银丝的二极管有时被称为银键型。

3、合金型二极管在N型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。

正向电压降小,适于大电流整流。

因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。

4、扩散型二极管在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成P型,以此法PN结。

因PN结正向电压降小,适用于大电流整流。

最近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。

5、台面型二极管PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,把不必要的部分用药品腐蚀掉。

其剩余的部分便呈现出台面形,因而得名。

初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。

因此,又把这种台面型称为扩散台面型。

对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。

在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。

二极管和三极管

二极管和三极管

二极管和三极管TT 二极管:二极管,又称半导体二极管,是由半导体器件组成的一种基本电子元件。

由于晶体结构特殊,二极管在加一定量电流或电压施加后可以改变方向的性质,发挥其作准双向控制电路的功能,有正反接两用、正片和反片两种基本类型,可组成多种电子电路。

二极管在1948年发明,之后它被广泛应用在电子元件中,几乎组成所有电子领域,比如计算机、通信技术和电子系统中。

二极管可以被看作一种发射器,它从根本上讲是金属和半导体的结合体,具有接收和发射功能。

它有两端,其中一端由半导体材料组成,另一端是金属极。

半导体极端一般有两种状态,即开路和短路,它们可以影响整个电路的运行情况。

二极管还有正反接两用的特性,这对现代电子设备的发展提供了可靠的保证。

三极管:三极管是一种由三个极性组成的半导体器件,由一个发射极、接收极和控制极组成。

它利用输入信号控制输出信号的特性而闻名,是一种重要的信号放大器,可多用于高频器件、收发器件和模拟电路中。

三极管的特性是由三个极性的晶体管组成,其中包括发射极、基极和集电极三部分,它们之间有固定的连接性。

发射极是电子控制的起点,基极的电压可以影响发射极的发射电流流动,集电极则可以收集控制基极电压输出的电流,相较于二极管,三极管具有更加精细灵敏的控制功能。

三极管以其灵敏度和可靠性深受用户青睐,在今天的电子产品中几乎随处可见。

尤其是在电子产品的电源供给部件里,它可以使电子芯片在介质环境变化时自动调节电压大小,保证芯片的正常运行。

它还可以用于电子电路的脉冲记数、测量和控制,改善和加速电子电路的操控性能,帮助用户提升整体的制作水平。

二极管、三极管_识别

二极管、三极管_识别

第3章电子器件及其识别半导体是一种导电能力介于导体和绝缘体之间,或者说电阻事介于导体与绝缘体之间的物质。

如:锗、硅、硒及大多数金属的氧化物都是半导体。

半导体的独特性能不只在于它的电阻率大小,而且它的电阻率因温度、掺杂和光照会产生显著变化。

利用半导体的特性可制成二极管、三极管多种半导体器件。

3.1 晶体二极管晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5表示编号为5的二极管。

图3-1 晶体二极管外观图二极管的主要作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。

正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。

电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。

它们如图3-2所示。

图3-2 二极管图形符号3.1.3 晶体二极管的分类1. 整流二极管2. 检波二极管3. 开关二极管4.稳压二极管5. 变容二极管6.发光二极管7.光敏二极管3.1.4 二极管检测方法1. 普通二极管的检测将万用表置于R×100Ω或R×1kΩ(对面接触型的大电流进流管可用R×1Ω或R×10Ω)档,把黑表笔与红表笔各接二极管的一个电极,测出二极管的电阻值,然后对调二表笔再测一次二极管的电阻值。

若二极管是好的,则这先后两次所测的阻值差异较大,阻值小的为正向电阻,其阻值一般在 10kΩ以下,锗管一般在100~l000Ω左右硅管为1kΩ~几kΩ。

阻值大的为二极管的反向电阻,其阻值应为 50kΩ以上,甚至几百kΩ以上,而且,阻值为小值时,黑表笔接的电极就是二极管的正极,红表接的是二极管的负极。

如果测得的二次结果,阻值均很小,接近零欧姆时,说明被出二极管内部PN结击穿或已短路;反之如二次阻值均极大(接近),则说明该二极管内部已断路,这两种情况都属于二极管已损坏,不能使用。

二极管 三极管

二极管 三极管

二极管三极管
二极管和三极管也称为半导体管,是由半导体和晶体管以及金属
膜与其他长的材料制成的电子元件,它们在电子学上被广泛应用,是
现代电子技术中最基本的元件之一。

由于它们具有很强的电压稳定性、少部件、体积小等优点,因此主要用于控制电路中。

二极管是一种只有两极的半导体电子元件,它通常具有半导体和
金属膜等电子器件。

它是用于控制电路中,可用于半波整流、增加电
压稳定性、减少抗干扰性等功能。

三极管是一种只有三极的半导体电子元件,它具有三层P类半导
体和它的金属膜或其他复合结构的电子器件。

它主要用于放大电路,
例如模拟电路、放大电路、滤波电路等,采用三极管可实现快速响应
和很强的信号增益功能。

在电子领域中,二极管和三极管都是重要的电子元件,它们具有
独特的电平特性和稳定性,可以用于控制电路或放大电路中,在电子
工程中都有重要的市场地位。

它们都有一定的使用范围,不同工程不同设备之间的使用方法也有所
不同,要根据要解决问题的实际情况灵活选择。

由于可以满足不同
的需求,二极管和三极管还可以用于微控制器和数字信号处理器等其
他应用中。

总之,二极管和三极管是电子工程领域中最基本的元件,它们被
广泛地应用于控制电路和放大电路中,具有很强的电压稳定性、少部件、体积小,以及减少抗干扰性等优点,是现代电子技术中重要的电
子元件。

二极管和三极管常识介绍

二极管和三极管常识介绍

二极管和三极管常识介绍一、二极管1.二极管的结构和工作原理二极管由两个半导体材料,P型半导体和N型半导体组成,通过半导体材料的p-n结而形成。

P型材料中的空穴与N型材料中的电子在p-n结附近发生复合,形成空穴区和电子区。

当给二极管正向偏压时,使得电子从N区向P区移动,空穴从P区向N区移动,形成电流通路,此时二极管处于导通状态;当给二极管反向偏压时,使N区成为负极,P区成为正极,p-n结两侧形成空间电荷区,电流不能流动,此时二极管处于绝缘状态。

2.二极管的特性(1)单向导电性:二极管只能在正向偏置时导电,不能在反向偏置时导电。

(2)电流与电压关系:在正向偏置时,二极管的电流与电压之间呈指数关系,即电流随着电压的增大而迅速增大。

(3)截止电压与饱和电流:二极管的正向截止电压是指在正向偏置电压小于截止电压时,二极管停止导通。

而饱和电流是指二极管在正向偏置下,通过的最大电流。

(4)温度特性:二极管的导电性能与温度有关,通常情况下,温度升高,二极管导电情况变差。

3.二极管的应用(1)整流器:利用二极管的单向导电性,可以将交流电转换为直流电。

(2)保护电路:在电子电路中,二极管常用于过电压保护电路中,当电压超过一定范围时,二极管会导通,将多余的电压分流至地。

(3)发光二极管(LED):利用二极管的发光特性,可以将电能转化为光能,常用于指示灯、显示器等设备中。

二、三极管1.三极管的结构和工作原理三极管由三个半导体材料组成,分别为P型半导体、N型半导体和N 型半导体或P型半导体。

三极管的三个区域分别称为基极(B)、发射极(E)和集电极(C)。

当在基极和发射极之间加一个较小的正向电压时,形成一个PN结,即为二极管的结构;而当再在集电极和发射极之间加一个正向电压时,就会形成两个PN结,即为三极管的结构。

这种结构使得三极管能够处于放大器状态。

2.三极管的工作状态三极管有四种工作状态,分别为截止、放大、饱和和反转。

(1)截止状态:当基极电压为0V或很低时,三极管处于截止状态,此时发射极和集电极之间阻断。

晶体二极管与晶体三极管

晶体二极管与晶体三极管

第四章晶体二极管与晶体三极管本章概述:晶体管是采用半导体晶体材料(如硅、锗、砷化镓等)制成的,在电子产品中应用十分广泛。

本章从二、三极管的型号、分类、外形识别及检测等多个方面,对常用二、三极管进行了较为详细和系统的讲解。

第一节晶体二极管和晶体三极管的型号命名方法一、中华人民共和国国家标准(GB249-74)国标(GB249-74)半导体器件型号命名由五部分组成,见表4-1。

表4-1 国标半导体器件型号命名方法例如:锗PNP高频小功率管为3AG11C,即3(三极管)A(PNP型锗材料)G(高频小功率管)11(序号)C(规格号)二、美国电子半导体协会半导体器件型号命名法表4-2 美国电子半导体协会半导体器件型号命名法三、日本半导体器件型号命名方法表4-3 日本半导体器件型号命名方法第二节半导体器件的外形识别一、晶体二极管的外形识别1.晶体二极管的结构与特性定义:晶体二极管由一个PN结加上引出线和管壳构成。

所以,二极管实际就是一个PN结。

电路图中文字表示符号为用V表示。

基本结构:PN结加上管壳和引线,就成为了半导体二极管。

图4-1 二极管的结构和电路符号二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图4-2所示。

1)正向特性当加在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通,处于“截止”状态,当正向电压超过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。

不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-0.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。

2)反向特性二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。

不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。

3)击穿特性当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。

三极管命名

三极管命名

半导体(二极管、三极管)的识别和表示方法中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。

五个部分意义如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号不同的国家和地区,对晶体三极管的命名方法是不一样的。

可从相关的前缀来辨别晶体管的材料(硅、锗),极性(N管、P 管)等。

如:3DG12,这是我国三极管的典型命名方法:3表示三极管,D表示硅材料N管,G表示高频中功率,12表示产品序号。

例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管常用的三极管有90××系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。

它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO-92标准封装。

二极管与三极管的命名以及辨别

二极管与三极管的命名以及辨别
• 第一部分:主称 • 2:二极管 • 第二部分:材料与极性 • A:N型锗材料,B:P型锗材料, • C:N型硅材料,D:P型硅材料 • E:化合物材料
• 第三部分:类别 • P:小信号管(普通管), W:电压调整管和电压基准管
(稳压管),
• N: 阻尼管,Z:整流管,U:光电管, • K:开关管,B或C:变容管, • V:混频检波管,JP:激光管,S:隧道管, • CM:磁敏管,H:恒流管, • Y:体效应管,EF:发光二级管。
• 用万用表欧姆档 • 三极管基极确定后,通过交换表笔两次测量e、
c极间的电阻,如果两次测量的结果应不相等, 则其中测得电阻值较小的一次为红表笔接的是 e极,黑表笔接的是c极 • 对于PNP型三极管,方法与NPN管类似,只是 红、黑表笔的作用相反。
• 在测量e、c极间电阻时要注意,由于三极管的 V(BR)CEO很小,很容易将发射结击穿。
三极管
• 1、晶体管命名的国际标准 • 2、三极管管脚极性的辨别
第一部分
用字母表示器件使用的材料 • A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗 • B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅 • C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓 • D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟 • E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第二ห้องสมุดไป่ตู้分
用字母表示器件的类型及主要特征 A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极 管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三 极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路 中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔 元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功 率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极 管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。

二极管、三极管的检测

二极管、三极管的检测
实验三 二极管、三极管的识别与检测
一、实验目的
1、了解二极管、三极管类型、处观和相关标识
2、掌握用万用表检测二极管的极性
3、掌握用万用表判别三极管的管型和每个管脚
二、实验原理
1、二极管的判断1)二极管的分类及命名 按材料分:锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管等 按结构分:点接触型和面接触型 按工作原理分:隧道、雪崩、变容二极管等 按用途分:检波、整流、开关、稳压、钳位、发光二极管等 命名规则: 根据国家标准,半导体二极管的型号由五个部分组成: 第一部分用数字2表示二极管 第二部分用字母表示材料和极性:
三、实验仪器与器材 数字万用表、电源、电阻、模拟万用表、三极管、二极管
四、实验内容及步骤
(一)数字万用表的使用
1、认识万用表的面板和刻度的功能。
2、二极管的极性判别及性能检测
利用二极管的单向导电特性,若正向出现小的数值,反向显示屏出现1的二 极管是好的, 并且正向红表笔为正极。 若出现两个1,说明二极管断路, 若出现 两个小的数值,则说明二极管短路。
的一个管脚,红表笔分别接触任意两个管脚,若两次测得电阻均为几十至上百 千欧姆的高电阻,则黑表笔为基极,PNP型;
(2)集电极和发射极的判别
在判别出管型和基极B的基础上,任意假定一个电极为E极,另一个电极 为C极,对于PNP管,将红表笔接假定的C极,黑表笔接假定的E极,再用手 同时捏住管子的B、C极,注意不要将两电极直接相碰,同时注意万用表指针向 右摆动的幅度,然后使假定的C、E极对调,再次进行测量,若第一次测量时摆 动的幅度大,贝U说明假定正确。若第二次测量摆动的幅度大,贝U假定不正确。NPN型也可采用同样的方法。
三极管的型号识别: 国产三极管型号及命名通常由以下四部分组成 第一部分,用3表示三极管的电极数目

二极管、三极管、IC识别常识A3纸

二极管、三极管、IC识别常识A3纸

PCB极板上 此端为负
正极
PCB极板上 此端为负
负极
发光二极管图示
贴片二极管是有极性的元件,在上料或核对物料首件 时需特别注意元件方向;当贴片发光二极管时需要用 万用表进行测试确认发光二极管方向。
贴片三极管贴片时元件焊盘 要与PCB焊盘对齐,且元件不 能有翻身贴装现象,三极管 本体的丝印不能做为自身型 号确认的依据。
常见三极管图示
贴片集成IC识别
集成电路IC是将半导体分立器件、电阻、小电容以及导线
集成在一块硅片上,形成一个具有一定功能的电子电路,
并封装成一个整体的电子器件。与分立元件相比,集成电
路具有体积小、重量轻、性能好、可靠性高、损耗小、成
本低、外接元器件数目少、整体性能好、便于安装调试等
优点。
BGA 锡球放大图
贴片二极管识别
贴片二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5 表
示编号为 5 的二极管,二极管由一个 PN 结、电极引线
以及外壳封装构成。二极管的最大特点是:单向导电性
其主要作用包括:稳压、整流、检波、开关、光/电转换
等。
此端为 常见二极管图示
负极
此端为 负极
贴片三极管识别
贴片三极管在电路中常用“Q”加数字表示,如:Q6 表 示编号为 6 的三极管,三极管由两个 PN 结、三根电 极引线以及外壳封装构成。三极管的最大特点是:放大 作用,还能起电子开关、控制等作用,是电子电路与电 子设备中最广泛使用的基本元件。
三极管丝印图
BGA正反面 I)
(发射极)
PNP型
(基电极) (发射极)
贴装厂SMT车间
以上信息由贴装厂IE提供
此端为PCB板丝印的第一脚
IC 带点处为IC的第一脚,PCB板丝印有点处为IC对应的第一脚; IC在上料前需要核对所有IC的方向是否一至,有无引脚变形现象; 当贴装有BGA IC的产品时,需要先检查PCB焊盘有无不良现象; 所有IC如果在贴装前已拆真空包装的,需要对IC进行烘烤;

二极管三极管

二极管三极管

二极管三极管
二极管:是一种双极型电子器件,有两个导通极。

这种电子器件具有很强的电流方向性,只有当正向电压作用在它上时,它才能导通;而当负向电压作用在它上时,它就不能导通。

用于控制、保护和调节电路中的电流,是电子系统中最重要的元件之一。

三极管:是一种三极型电子器件,有三个导通极。

它的特点是在三个极间形成一个可变的电阻,并且可以根据电压的大小而变化,使得电流大小和方向也有可能改变。

因此,三极管可以用来控制电流的大小和方向,是构成电子电路中最重要的元件之一。

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