基于3120的驱动电路设计
HCPL-316J,HCPL-3120
IGBT模块的一种驱动方法发布:2011-09-03 | 作者: | 来源: luhaifei | 查看:763次 | 用户关注：摘要：介绍了光电耦合驱动芯片HCPL-316J，HCPL-3120的功能特点,驱动和保护IGBT模块的具体应用。
因为IGBT是电压驱动型开关器件，它的下桥臂需要过流保护功能而上桥臂不需要，上下桥臂采用不同的驱动芯片。
采用HCPL-316J芯片驱动IGBT模块的下桥臂，采用HCPL-3120芯片驱动IGBT模块的上桥臂。
结果表明，该方法达到了良好的驱动效果。
关键词：光电耦合驱动芯片IGBTHCPL-316JHCPL-3120ABSTRACT:Itintroducedthefunctionandfeatureofthe op摘要：介绍了光电耦合驱动芯片HCPL-316J，HCPL-3120的功能特点,驱动和保护IGBT模块的具体应用。
因为IGBT是电压驱动型开关器件，它的下桥臂需要过流保护功能而上桥臂不需要，上下桥臂采用不同的驱动芯片。
采用HCPL-316J 芯片驱动IGBT模块的下桥臂，采用HCPL-3120芯片驱动IGBT模块的上桥臂。
结果表明，该方法达到了良好的驱动效果。
关键词：光电耦合驱动芯片IGBT HCPL-316J HCPL-3120ABSTRACT: It introduced the function and feature of the opto coupler drive chip HCPL-316J，HCPL-3120 , the use of them to drive and protect IGBT modu le. Because IGBT is voltage-driven switch device, its below bridge arm needs to be protected by the function of overcur rent but up bridge arm does not need, the up and below br idge arm adopt the different drive chips. Using chip HCPL-31 6J drives the below bridge arm of IGBT module and using ch ip HCPL-3120 drives the up bridge arm of IGBT module. The result shows that this method achieves the good effect.KEY WORDS: optocoupler drive chip IGBT HCPL-316J HCPL-31200 引言近年来,新型功率开关器件IGBT 已逐渐被人们所认识。
3120驱动IGBT电路
电
阻
功
率
Pd
(
2 fC= 12 103 (0.4(7 10 6 1Q5g 4.5 10 9 ( 10))2) ＝ UG
0.09 瓦， 实际取值 R1 、R3 为 1/3 瓦，降额为 27％。
R2、R4 的选取：根据资料的推荐，取值范围为 5.1K － 10K ，这里取值 7.5K 。
R7、R8 的选取：无特别明确的规定，起保护光耦用，一般选择
2 C5,C6 2 R7,R8
SC0603 SR0603
FUCK INVT
3 3-24-94-151 4 3-24-96-180
片状电阻 ;1/4W-150Ω±1%-1206(5%) 片状电阻 ;1/3W-18Ω±1%-1210(5%)
150-1206,150 18-1210,18
5 3-08-98-102
它用来减小 IGBT 的开关硬度和吸收门极的一些高频噪声。稳压管
Z1、 Z2 是反串联方
式连接，稳压管的电压等级选取依据是：门极驱动电压
<稳压管额定电压 <IGBT 门极安
全工作电压（正负 20V ），这里选取 16V 稳压管，在反向电流 1～ 20mA 内，可稳定电
压 16+0.6＝ 16.6V 。
C2
1n
GV+ VGND
R3 +L 18-1/3W
ห้องสมุดไป่ตู้
C6 0.1u
-L
1
3
Z3 16V
1
3
Z4 16V
R4 7.5K
GV-
C4 1n
GN
原边输入信号： PV+ 与 PV 光耦 HCPL3120 输入信号 PV+ 和 PV - ，该信号为同一相上下桥的驱动信号，两个信号以差 动方式输入光耦，该方式可以避免驱动信号在出错或干扰时出现上下桥同时导通——直通。 该信号为 0～ 5V 的电平信号。
MAXQ3120混合信号微控制器的应用案例
MAXQ3120混合信号微控制器的应用案例监视系统的设计者和厂商一直希望微控制器微控制器能够为日常监视应用提供不断增加的通用功能，包括满足用电计量、汽车监控、数据搜集和传感器调节等方面的要求。
maxq3120 就是为了满足这些要求而开发的低功耗、高速微控制器。
它的主要技术规范如下。
?16 位、每秒8 百万条指令(8mips)、单周期risk 核 ?32kb 闪存(flash 存储器) ? 512b ram ?具有独立波特率产生器的2 个uart ?3 个定时器，其中1 个支持pwm d/a ? 红外通信功能 ?可驱动112 段lcd 的控制器 ? 依靠电池备份、具有日历和亚秒闹钟功能的实时时钟 ?16 x 16 位单周期乘法器和40 位累加器 ?2 个16 位精密模数转换器(adc) 下面介绍利用maxq3120 微控制器的以上特性和模拟i/o 及dsp 功能可以完成一些什么样的任务。
语音记录语音记录子系统概念: 给一组工程师一片adc，他们就会发现如何用它来记录语音。
但是，除了简单的记录声音，maxq3120 还能够做很多事情。
以maxq3120 为核心，配合用户接口元件和廉价的nand 闪存，就可构建一个功能完善的语音记录子系统。
细节: 可以利用maxq3120 的一个adc 和pwm 定时器实现音频i/o。
adc 的额定输入电压为+1v 到-1v，其内置的前置放大器的可编程增益可达16。
通常，具有内置阻抗匹配的电容式拾音头可以直接连接到adc 的输入端。
如果需要低噪声或高增益，可以采用maxim 公司的前置放大器max4467 ，该放大器能为拾音头提供所需的偏置，且为电池供电的应用提供功耗极低的关断模式。
在输出端，用一个单级放大器驱动扬声器，该放大器同时还具有一定的抗混叠和pwm 平滑功能。
音频信号被转换成数字信号后，必须进行压缩和存储，以备重放。
8mips 的处理能力使maxq3120 拥有足够的“马力”来应付许多常用的标准语音编码任务。
IGBT驱动光耦FOD3120,FOD3150,FOD3180工作原理及应用实例
IGBT/MOSFET驱动光耦FOD3120、FOD3150、FOD3180
标签：IGBT驱动，MOSFET驱动，驱动光耦
目前IGBT已经广泛应用在电力电子系统中，比如变频器，电机驱动控制，UPS不间断电源，逆变焊机等产品中，因为其兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的特性，故可使用MOSFET 驱动技术进行驱动。
由于IGBT 在电力电子设备中多用于高压场合，所以驱动电路必须与整个控制电路在电位上完全隔离，使用光耦进行隔离具有体积小、结构简单、应用方便等优点。
当IF输入H 时，Tr1导通，Tr2截止，因此VO=Vcc – Vtr1=H
此时Io的电流向外，基于此点，故可以接一个栅极电阻后直接驱动IGBT，无需外接电路
当IF输入L 时，Tr1截止，Tr2导通，此时VO=Vgnd+Vtr2=L
此时如果IGBT栅极上有残存的电荷，可通过Tr2到GND进行放电，关闭IGBT
逻辑关系如下：
FOD3120具有2.5A的电流输出能力，FOD3150具有1.0A的电流输出能力，而FOD3180不仅具有2.0A的电流输出能力，还具有最大200ns极低延迟的高速特性。
HCPL-3120中文资料
输出高达2A的IGBT驱动光耦
产品特点：
I2A最小峰值电流输出
I15KV绝缘耐压
I0.5V最大低电位输出（负偏压除外）
I5mA供电电流
I欠压锁定
I500nS最大开关时间
I15-30V宽压工作环境，-40-150度工作温
I工业级温度范围：-40-100度
I安全认证：UL,VDE0884
V
输入电容
CIN
60
pF
UVLO阈值
VUVLO
11.0
12.3
13.5
V
开关特性:
参数
符号
最小 值
典型 值
最大 值
单
位
输入到高电位输
出延时
tPLH
0.10
0.30
0.50
输入到低电位输
出延时
tPHL
0.10
0.30
0.50
脉宽失真
PWD
0.30
10%-90%上升时
间
tr
0.1
90%-10%下降时
间
tf
100
C
输入信号电流
IF
7
16
mA
输入电压（关）
VF
-3.0
0.8
V
输出侧正电压
VCC2-VE
15
30(VE-VEE)
V
电气特性:
参数
符号
最小 值
典型
值
最大值
单位
高电位输出电流
IOH
0.5
1.5
A
低电位输出电流
IOL
0.5
2.0
A
高电位输出电压
VOH
HCPL3120中文资料
DESAT到保护输出延时
tdesat(fault)
3
7
20
复位信号
PWRESET
0.1
UVLO到输出高延时
tuvlo on
0.8
UVLO到输出低延时
tuvlo off
0.6
典型电路连接：
HCPL-3120
输出高达2A的IGBT驱动光耦
产品特点：
l 2A最小峰值电流输出
l 15KV绝缘耐压
l 0.5V最大低电位输出（负偏压除外）
l 5mA供电电流
l欠压锁定
l 500nS最大开关时间
l 15-30V宽压工作环境，-40-150度工作温
l工业级温度范围：-40-100度
l安全认证：UL，VDE0884
应用：
IGBT/MOSFET驱动
交流电机直流无刷驱动
变频器
开关电源
真值表：
LED发光管
VCC-VEE正偏压
VCC-VEE负偏压
输出VO
OFF
0-30V
0-30V
低电位
ON
0-11V
0-9.5V
低电位
ON
11-13.5V
9.5-12V
转换
ON
13.5-30V
12-30V
高电位
封装图：
最大额定值：
参数
符号
最小值
最大值
单位
储存温度
TS
-55
125
℃
工作温度
TA
-40
100
℃
平均输入电流
IF
25
mA
瞬时峰值电流输入
IP
1
A
反响输入电压
ISOCOM COMPONENTS ICPL3120 光电隔离驱动器说明书
DESCRIPTIONThe ICPL3120 consists of an Infrared Light Emitting Diode optically coupled to an Integrated Circuit with a Power Driving Output. ICPL3120 is ideally suitable to drive the Power IGBT and MOSFET in Inverters of Motor Controls and in Power Supplies.The 2.5A peak output current is capable to direct drive IGBT/MOSFET up to ratings of 1200V/100A. For IGBTs with higher ratings, ICPL3120 can be used to drive a discrete power stage which drives the IGBT gate.FEATURES• ±2.5A Maximum Peak Output Current• 35kV/μs Minimum Common Mode Rejection at V CM 1500V• Maximum Propagation Delay 500ns• Maximum Propagation Delay Difference 100ns • Wide Operating Voltage Range V CC 15 to 30 V• Maximum Supply Current I CC 3.5mA• Under Voltage Lock Out (UVLO) Protection with Hysteresis• Guaranteed Performance over Temperature Range - 40°C to +105°C • MSL 1• Lead Free and RoHS Compliant • Safety Approvals PendingAPPLICATIONS• IGBT/MOSFET Gate Drive • UPS • Inverters• AC Brushless and DC Motor DrivesORDER INFORMATION• Add G after PN for 10mm lead spacing • Add SM after PN for Surface Mount•Add SMT&R after PN for Surface Mount Tape & ReelISOCOM COMPONENTS 2004 LTDUnit 25B, Park View Road West, Park View Industrial EstateHartlepool, Cleveland, TS25 1PE, United Kingdom Tel : +44 (0)1429 863 609 Fax : +44 (0)1429 863 581e-mail:***************.ukISOCOM COMPONENTS ASIA LTDHong Kong Office,Block A, 8/F, Wah Hing Industrial mansion,36 Tai Yau Street, San Po Kong, Kowloon, Hong Kong.Tel : +852 2995 9217 Fax : +852 8161 6292e-mail:****************.hkA 0.1μF bypass Capacitor must be connected between Pins 8 and 5. InputForward Current20mA Forward Current Rise / Fall Time500ns Power dissipation 45mW Reverse Voltage 5V Forward Peak Current (Pulse Width ≤ 1μs, 300pps) 1A Output Peak Output Current(Exponential waveform,Pulse Width ≤ 0.3μs, f ≤ = 15kHz)±2.5A Operating Frequency(Exponential waveform,I O(Peak) ≤ l2.5Al, Pulse Width ≤ 0.3μs) 50kHzSupply Voltage (V CC ‒ V EE )0V to 35V Output Voltage 0V to V CCPower Dissipation 250mW Isolation Voltage 5000V RMS Total Power Dissipation 295mW Operating Temperature -40 to 105 °C Storage Temperature -55 to 125 °C Lead Soldering Temperature (10s)260°C Total Package 1 NC2 Anode3 Cathode4 NC5 GND (V EE )6 V O7 V O8 V CCABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C)Stresses exceeding the absolute maximum ratings can cause permanent damage to the device.Exposure to absolute maximum ratings for long periods of time can adversely affect reliability.LEDV CC V EE(Turn ON, +ve going)V CC V EE(Turn OFF –ve going)V OOFF 030V 0 30V LOWON 011.0V 0 9.5V LOWTruth TableON 11.013.5V 9.5 12.0V TRANSITIONON 13.530V 12 30V HIGHParameter Symbol Min Max Unit Operating Temperature T A - 40 105 °CSupply Voltage V CC V EE 15 30 V Input Current (ON) I F(ON) 7 16 mA Input Voltage (OFF) V F(OFF) 0 0.8 V Recommended Operating ConditionsELECTRICAL CHARACTERISTICS (Typical Values at V CC V EE = 30V and T A = 25°C,Minimum and Maximum Values at Recommended Operating Conditions, unless otherwise specified)Parameter Symbol Test Condition Min Typ. Max UnitHigh Level Supply Current I CCH I F = 10mA, V CC = 30VV O = Open 2.4 3.5 mA Low Level Supply Current I CCL I F = 0mA, V CC = 30VV O = Open 2.5 3.5 mAHigh LevelOutput CurrentI OH Maximum Pulse Width = 50μsV O = V CC – 1.5V -1.0 AMaximum Pulse Width = 10μsV O = V CC – 4V -2.5 Low Level Output CurrentI OL Maximum Pulse Width = 50μsV O = V EE + 1.5V 1.0 AMaximum Pulse Width = 10μsV O = V EE + 4V 2.5 High Level Output Voltage V OH I F = 10mA, I O = -100mAV CC 0.3V CC 0.1V Low Level Output Voltage V OL I F = 0mA, I O = 100mA V EE +0.1 V EE +0.25 VUVLO ThresholdV UVLO+ V O > 5V, I F = 10mA 11.0 12.7 13.5 VV UVLO-V O < 5V, I F = 10mA9.511.212.0VUVLO Hysteresis UVLO HYS 1.5 VOUTPUT Parameter Symbol Test Condition Min Typ. Max UnitForward Voltage V FI F = 10mA1.2 1.37 1.8 V Forward Voltage TemperatureCoefficient ΔV F /ΔT I F = 10mA1.237mV/°CReverse Voltage V R I R = 10μA 5 V Input Threshold Current (Low to High) I FLH V CC = 30V V O > 5V 1.8 5 mA Input Threshold Voltage (High to Low) V FHL V CC = 30V V O < 5V 0.8 V Input CapacitanceC INV F = 0V, f = 1MHz33pFINPUTELECTRICAL CHARACTERISTICS (Typical Values at V CC V EE = 30V and T A = 25°C,Minimum and Maximum Values at Recommended Operating Conditions, unless otherwise specified)Parameter Symbol Test Condition Min Typ. Max UnitPropagation Delay Time to High Output Level t PLH I F = 7 to 16mA,V CC = 15 to 30V,V EE = 0V,Rg = 10Ω,Cg = 25nF,f = 10kHz,Duty Cycle = 50%50 130 500 nsPropagation Delay Time to Low Output Level t PHL 50130500Pulse Width Distortion |t PHL - t PLH| for any given device PWD570Propagation Delay Difference (t PHL - t PLH) between any two Devices PDD -100100Output Rise Time(10% to 90%)t r35Output Fall Time(90% to 10%)t f 35Common Mode Transient Immunity at High Output Level CM H I F = 10 to 16mA,V CC = 30V,V CM = 1500V,T A = 25°C35 50 kV/μsCommon Mode Transient Immunity at Low Output Level CM L V F = 0V,V CC = 30V,V CM = 1500V,T A = 25°C35 50 kV/μsSWITCHINGUVLO Turn Off Delay t UVLO OFF I F = 10mA, V O < 5V 0.4 μs UVLO Turn On Delay t UVLO ON I F = 10mA, V O > 5V 1.6 μsELECTRICAL CHARACTERISTICS (Typical Values at V CC V EE = 30V and T A = 25°C,Minimum and Maximum Values at Recommended Operating Conditions, unless otherwise specified)Note :1. A 0.1uF or bigger bypass capacitor must be connected across pin 8 and pin 5.2. PDD is the difference of t PHL and t PLH between any two ICPL3120 under same test conditions.3. Common Mode Transient Immunity in High stage is the maximum tolerable negative dV CM /dt on the trailing edge of the common modeimpulse signal, V CM , to assure that the output will remain high (V O > 15V).4. Common Mode Transient Immunity in Low stage is the maximum tolerable positive dV CM /dt on the leading edge of the common modeimpulse signal, V CM , to assure that the output will remain low (V O < 1V).Parameter Symbol Test Condition Min Typ. Max UnitInsulation Voltage V ISO R.H. = 40% - 60%, T A = 25°Ct = 1 min,5000 V Input - Output ResistanceR I-OV I-O = 500VDC1012ΩInput - Output CapacitanceC I-O f = 1MHz0.92 pFISOLATIONFig 1 Supply Current vs Supply Voltage Fig 2 Supply Current vs Ambient TemperatureFig 3 Transfer Characteristics Fig 4 Output Low Voltage vs Ambient TemperatureFig 5 Output High Voltage vs Ambient TemperatureFig 6 Output High Voltage Drop vsAmbient TemperatureFig 7 Input Threshold Current vs Ambient Temperature Fig 8 Propagation Delay vs Ambient TemperatureFig 9 Propagation Delay vs Forward Current Fig 10 Propagation Delay vs Supply VoltageFig 11 Propagation Delay vsSeries Load Resistance Fig 12 Propagation Delay vs Series Load CapacitanceFig 13 Forward Current vs Forward Voltage V OL Test CircuitI OH Test CircuitIOL Test CircuitV OH Test CircuitI FLH Test CircuitUVLO Test CircuitCMR Test Circuittr , tf, tPLH and tPHL Test CircuitORDER INFORMATIONDEVICE MARKINGAfter PN DescriptionPacking quantity NoneStandard DIP8 50 pcs per tube G10mm Lead Spacing 50 pcs per tube SM Surface Mount50 pcs per tube SMT&RSurface Mount Tape & Reel1000 pcs per reelICPL3120PN ICPL3120 ICPL3120G ICPL3120SM ICPL3120SMT&R ICPL3120I YWWICPL3120 denotes Device Part Number Y denotes 1 digit Year code WW denotes 2 digit Week code I denotes IsocomPACKAGE DIMENSIONS in mm (inch)DIPG FormSMDDescription Symbol Dimension mm (inch) Tape WidthW 16 ± 0.3 (0.63) Pitch of Sprocket HolesP 0 4 ± 0.1 (0.15) F 7.5 ± 0.1 (0.295) P 22 ± 0.1 (0.079) Distance of Compartment to CompartmentP 112 ± 0.1 (0.47)Distance of Compartment to Sprocket HolesRECOMMENDED SOLDER PAD LAYOUT (mm)TAPE AND REEL PACKAGINGIsocom Components is continually working to improve the quality and reliability of its products. Nevertheless, semiconductor devices in general can malfunction or fail due to their inherent electrical sensitivity and vulnerability to physical stress. It is the responsibility of the buyer,when utilizing Isocom Components products, to comply with the standards of safety in makinga safe design for the entire system, and to avoid situations in which a malfunction or failure ofsuch Isocom Components products could cause loss of human life, bodily injury or damage to property.In developing your designs, please ensure that Isocom Components products are used within specified operating ranges as set forth in the most recent Isocom Components products specifications.The Isocom Components products listed in this document are intended for usage in general electronics applications (computer, personal equipment, office equipment, measuring equipment, industrial robotics, domestic appliances, etc.). These Isocom Components products are neither intended nor warranted for usage in equipment that requires extraordinarily high quality and/or reliability or a malfunction or failure of which may cause lossof human life or bodily injury (“Unintended Usage”). Unintended Usage include atomic energycontrol instruments, airplane or spaceship instruments, transportation Instruments, traffic signal instruments, combustion control instruments, medical Instruments, all types of safety devices, etc... Unintended Usage of Isocom Components products listed in this documentshall be made at the customer’s own risk.Gallium arsenide (GaAs) is a substance used in the products described in this document.GaAs dust and fumes are toxic. Do not break, cut or pulverize the product, or use chemicals to dissolve them. When disposing of the products, follow the appropriate regulations. Do not dispose of the products with other industrial waste or with domestic garbage.The products described in this document are subject to the foreign exchange and foreign tradelaws.The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is assumed by Isocom Components for any infringements of intellectual property or other rights of the third parties which may result from its use. No licenseis granted by implication or otherwise under any intellectual property or other rights of Isocom Components or others.The information contained herein is subject to change without notice.。
3120驱动IGBT电路
文件编号：RD09-APP-010 CBB规范HCPL3120驱动IGBT电路(VER:V1.0)拟制：时间：2009-7-17批准：时间：2009-7-17文件评优级别：□A优秀□B良好□C一般1 功能介绍该电路的功能为HCPL3120驱动小功率IGBT 。
2 详细原理图PV-PV+PC1HCPL3120● 原边输入信号：PV+与PV -光耦HCPL3120输入信号PV+和PV -，该信号为同一相上下桥的驱动信号，两个信号以差动方式输入光耦，该方式可以避免驱动信号在出错或干扰时出现上下桥同时导通——直通。
该信号为0～5V 的电平信号。
● 副边电源：+V 对VGND 电压为：＋15V -V 对VGND 电压为： -10V +L 对GN 电压为：＋15V -L 对 GN 电压为： -10V● 副边输出信号：信号GV+为IGBT 的门极关断与驱动信号。
该信号为－10V ～+15V 的电平信号。
当原边光耦正向导通时，+V 经过电阻R1对IGBT 门极充电,+10V 以后IGBT 导通。
为保证完全可靠导通，减去三极管饱和压降，GV ＋=15-0.3＝14.7V 。
当原边光耦反向截止时，－V 经过电阻R1对IGBT 门极放电,-5V 以后IGBT 关断。
为保证完全可靠关断，－V=－10＋0.2=－9.8V 。
其中R1，R3是一个调节开通与关断速度的电阻，其值的大小影响IGBT 的开关损耗，由于过硬与过软的关断都会影响IGBT 的使用寿命，关断时间过长将造成上下桥臂因控制电路上设置的延迟时间不够而短路，反之，开关时间过短，则电流变化率很大，引起很大的尖峰电压Ldi/dt ，并叠加在IGBT 的C 、E 间，同时过快的关断速度会造成很大的du/dt ，经过C 、G 间寄生反馈电容Cres 的作用，易造成IGBT 误导通。
在实际应用中，可根据示波器关断的波形来调节其值。
门极并联1nF电容和反串的16V稳压二极管，限制大电流关断时门极电压过冲，并联7.5K 电阻，对门极电荷泄放。
SC3120完美兼容IRS2092，500W大功率带保护D类音频功放芯片
SC3120完美兼容IRS2092，500W⼤功率带保护D类⾳频功放芯⽚SC3120 电路是⼀款⾼耐压、⾼速的MOSFET栅极驱动器，专为超⼤输出功率的D类⾳频功率放⼤器应⽤⽽设计。
采⽤灵活的开放式拓扑结构实现PWM调制。
该产品具有双向过流检测与保护功能。
该保护在没有任何外部采样电阻的情况下，感应负载正、负电流的过电流情况，并提供合适的过电流保护和可编程的复位定时。
该产品内置死区时间控制模块，精确设置MOSFET栅极开关的死区时间，以获得极低的THD和更⼩的⾳频输出背景噪声。
主要特点：集成模拟输⼊D类⾳频放⼤驱动器，可编程负载双向过流保护，具有⾃复位功能，可编程预设死区时间，提⾼THD性能，具有防开启期间和关闭期间的“咔哒”声，较好的背景噪声抑制，额定电压±100V，输出功率超过500W，⼯作频率最⾼可达 800 kHz，驱动级输出电流能⼒Io+/- =1.0A/1.5A，双列 16 脚塑料封装(SOP16)，符合 RoHS。
ClassD⾳频功放：CS8126S，CS8126T，CS8138，CS8302，CS8122，CS8305，CS8121，CS8563，CS8528，CS8631，CS8618，CS8673，CS8623，CS8655，CS8611，CS8626，CS8676，CS86552，CS81 ClassR⾳频功放(内置升压）：CS8323，CS8326，CS8330，CS8359，CS83601，CS83501，CS83702，CS83705，CS8389，CS8390，CS8316，CS8623，CS8318，CS83785，CS83711，CS8353，CS86552，CS8332，C ClassAB/D⾳频功放：CS8139，CS8508，CS8508，CS8532，CS8571，CS8573，CS8575，CS8511，CS8576.ClassGF⾳频功放(内置升压）：CS5250，CS5230，CS5260，CS5266，CS4230.⽿机功放芯⽚：CS4410，CS4420，CS4418.ClassAB⾳频功放：CS8591。
诺基亚3120c电源与音频电路图
C2022 C2023
S2425 GND
5.6V/15V/0.05J
RIGHTINM GND RIGHTINP GND
GND
GND DIG_AUDIO(5:0)
J2223
R2210
100R
On Off Button
G2200
1 /2 1u5 2 /2 1u5 GND GND GND GND
GND
VANA
X2000 1 2 E2000 1 2A F2000 E2001 1 IN
3
C3
C1
A3
A4 B5 C2300 10n C2301 22u GND GND C2307 1u0 GND GND A2 B3 D8 D7 C7 G1 F1 GND GND GND GND GND E2 G6 B7 A7 B6 B4 A3 C4
VREF_INT
VREF
HFSPP 0
L2105 220R/100MHz L2106 HFSPN 1 220R/100MHz
IHF
C2105 27p C2106 27p
L2107 30nH L2108 30nH R2105 1 /2 16V R2105 2 /2 16V
E2104 + E2105
B2102
X2060 1 B2 GND PUSL(7:0)
C2303
1u0
GND 2 0 3 5 1 7 1 2 0 1
GND GND
GND
OUT C2003 100n R2010 ESDA18-1F2 A K
D5 D1 D2 E1 E3 D4 C1 C3 C2
ESDA14V2-4BF3 R2064
4 5 6 3 2 1 0
基于3120的驱动电路设计
汇报主题：基于3120的驱动电路设计； 关键问题：信号互锁，反向电压，驱动电阻功
率计算；
难 点：理解电路拓扑；
解决办法：查芯片使用说明书； 获得知识：驱动电路设计方法，IGBT的工作条
件； 讨 论：信号如何互锁，所测得的进3120的
PWM1
C Rg G
5V稳压管
E
5V稳压管
信号互锁分析
PWM0
1 1 0 0
PWM1
1 0 1 0
上管光耦A脚电 压
1V 1.7V 1V
5V
上管光耦K脚电 压
1V 1V 5V
5V
下管光耦A脚电 压
1V 1V 1.7V
5V
下管光耦K脚电 压
1V 5V 1V
5V
上管二极管1 状态
截止 导通 截止
截止
下二极管2状 态
截止 截止 导通
截止
输出1
1 1 0 1
输出2
1 0 1 1
所加电压分析
当光耦原边被点亮时，GE所加电压为15V。
所加电压分析
当光耦原边被点亮时，GE所加电压为－5V。
栅极电阻的选择
（1）阻值的选择； （2）功率的计算；
讨论
栅极电阻越大越好，还是越小越好？ 驱动端到IGBT的栅极的导线所包围面
AK两端波形。
IGBT/MOSFET的驱动要求
（1）正向导通时，在GE两端加上+15V电压； （2）截止时，在GE两端加上－5V～－10V电压； （3）在电路的运用中，绝对不允许给上下桥壁都加
上导通电压，将造成母线短路。
原理图
5V
PWM0
来自DSP
光耦3120工作原理
光耦3120工作原理嗨，小伙伴们！今天咱们来唠唠光耦3120这个超有趣的小玩意儿的工作原理。
光耦3120呀，就像是一个小小的通信使者，在电路世界里起着超级重要的作用呢。
你可以把它想象成一个有魔法的小盒子，这个小盒子里有两个主要的部分，一边是发光的部分，就像一个小小的灯泡，不过这个灯泡发出的光可不是为了照明，而是为了传递信息哦；另一边呢，是接收光的部分，就像是一个特别灵敏的小眼睛，专门盯着对面发出来的光呢。
先说说这个发光的部分吧。
当有电流通过这个部分的时候，它就会像被注入了活力一样，开始闪闪发光啦。
这个电流就像是给它的指令，告诉它：“小灯灯，该干活儿啦，把信息传递出去！”这个发光的部分就像是一个热情的小广播员，把电信号转化成了光信号。
比如说，你可以想象它在那里喊着：“我这里有信号啦，我要把它变成光送出去喽！”然后再看接收光的部分。
这个小眼睛可机灵啦，它一直盯着对面的光呢。
一旦它看到有光射过来，就会立刻做出反应。
它就像是一个特别听话的小助手，接收到光信号之后，就会把这个光信号再转化成电信号。
就好像在说：“我看到你发的光啦，我知道这是什么意思，我把它再变成电信号接着传递。
”这个过程特别神奇，就像是一场无声的对话，光在中间做着信使。
那光耦3120为什么要这么费劲地把电信号变成光信号再变回来呢？这可就有大学问啦。
它呀，可以起到隔离的作用。
你想啊，如果电路里有些部分可能会互相干扰，就像两个调皮的小孩老是互相捣乱一样。
光耦3120就像一个和蔼的大人，把它们隔开，让它们各自好好工作，互不影响。
比如说在一些高压和低压电路之间，要是直接连接，可能就会出乱子，但是光耦3120在中间这么一隔，就安全多啦。
而且呀，光耦3120还能对信号进行放大呢。
就像一个小小的放大器，让信号变得更加强壮有力。
它接收了一个比较微弱的光信号，然后转化成电信号的时候，可以让这个电信号变得更厉害一点，这样后面的电路就能更好地处理这个信号啦。
从内部结构上来说，光耦3120里面的发光部分和接收部分都是经过精心设计的。
MAXQ3120中模数转换器在轮询模式下的使用
MAXQ3120中模数转换器在轮询模式下的使用在设置中断优先级比较麻烦或者中断固有的不可预测性不好处理的应用中，模数转换器（ADC）工作在轮询模式下要比工作在中断驱动模式下更适合。
本应用笔记详细论述了MAXQ3120微控制器的16位Σ-Δ ADC工作在轮询模式下时需要注意的一些事项。
用汇编语言源代码演示了轮询模式的实现方法。
概述MAXQ3120是第一款集成了双通道、16位Σ-Δ模数转换器(ADC) (图1)的MAXQ微控制器。
该ADC使这款微控制器尤其适用于单相电表，同时也适用于任何需要高精度模数转换的应用场合。
对于设置中断优先级比较麻烦或者中断固有的不可预测性不好处理的应用，ADC 最好工作在轮询模式下而不是中断驱动模式下。
图1. ADC功能框图该应用笔记阐述了MAXQ3120的ADC工作在轮询模式下时的使用情况，并讨论了编程注意事项。
给出了ADC的一个特定代码实例。
对MAXQ3120乘法-累加器(MAC)的用法和LCD驱动器性能也进行了说明。
在这个实例中，MAC完成ADC输出的简单求和(和随后的求平均值运算)，并由LCD显示平均转换结果。
本文所给出的代码实例是针对MAXQ3120编写并经过测试的，但也可以在包含相似资源的其他相关MAXQ器件上运行。
该例程代码的整个开发环境采用MAX-IDE 1.0版本和MAXQ3120评估板硬件版本B。
编程注意事项当MAXQ3120的ADC工作在轮询模式下时，软件设计应考虑转换器的以下几个特性：第一，设计者必须了解ADC控制寄存器(ADCN)中各个位的意义和用法。
表1列出了该寄存器的各个位，每一位的功能说明如表2所示。
当一个ADC输出值准备就绪时，硬件将ASR1或ASR0位置1。
此时软件可以从ADC的输出寄存器(AD1或AD0)中读取一个带符号的16位数值。
如果在读输出寄存器之前完成了多次转换，那么新的转换结果不写入输出寄存器。
采样丢失位ASL1或ASL0置位，并舍弃这些转换结果。
电力专用在线式UPS系统设计
电力专用在线式UPS系统设计刘飞飞; 石秀华; 杨会涛; 杜喜昭【期刊名称】《《电源技术》》【年(卷),期】2012(036)011【总页数】5页(P1689-1692,1710)【关键词】电力专用; PIC18F2331; UPS; 逆变器; PWM【作者】刘飞飞; 石秀华; 杨会涛; 杜喜昭【作者单位】西北工业大学航海学院陕西西安710072【正文语种】中文【中图分类】TM464随着科学技术的发展，特别是各种精密电子设备的广泛应用，供电的连续性和供电质量的优越性对用户来说就变得越来越重要，给各种电子设备提供高质量、高可靠性的电源也更加重要了。
不间断电源(UPS)正是基于这样的工程需求产生的，它可以在市电正常检修或故障停电时为负载提供稳定、可靠的电能供应。
一般情况下，整个UPS系统应该包括整流器、蓄电池和逆变器三个主要部分。
由于电力系统结构的特殊性，适用于电力控制的UPS只包括蓄电池和逆变器两部分，其中的逆变器就是把由市电整流滤波后储存得到的直流电能(或来自蓄电池的直流电)逆变成频率稳定、输出电压受负载影响小、波形畸变因数满足负载要求的高质量交流电。
作为整个电力专业UPS供电系统的核心部分，逆变器控制系统设计的好坏在很大程度上决定了整个供电系统输出电能的质量。
1 电力专用在线式UPS1.1 后备式UPS与在线式UPS按照一般的工程分类，不间断电源（UPS）可以分为后备式和在线式两种。
后备式UPS，其“后备”的含义在于在市电和逆变器输出都正常的情况下，负载优先使用市电供电，逆变电源一直处于热备份状态，不做功率输出，只有当市电检修或者因故障断电时，通过切换单元使逆变电源向负载供电，保证负载供电的不间断性，这类UPS主要适用于对电源质量要求较低的场合。
在线式UPS，其“在线”的含义在于市电和逆变器输出都正常的情况下，负载要优先使用逆变电源供电，只有当逆变器出现故障时，通过切换单元使市电直接向负载供电，保证负载不出现电力中断的情况[1]，这种UPS主要适用于对电源质量要求比较高的场合。
下桥臂IGBT驱动电路图
下桥臂IGBT驱动电路图-原理图在利用下臂驱动器驱动比150 A／1 200 V更大的IGBT时，可外接电流缓冲器，以扩大其驱动能力。
由图2的工作时序可知，当DESAT端电压超过7 V时，产生过流。
IGBT下桥臂的驱动电路图如图3所示。
图3中电源+5 V、VB+、VB-（VB+与VB-的电压均为25 V）为器件提供工作电压。
与16引脚相连的电位符号IGBTBE和IGBT模块下桥臂的发射极相连，与11引脚相连的IGBTBG1～3分别和下桥臂的门极相接，控制IGBT的导通和关断。
当14引脚DESAT的电压高于7 V检测到过流信号或VCC欠压时，6引脚FAULT为低电平，器件自动闭锁所有输出，用于保护IGBT模块，同时向微处理器发出一个报警信号。
3 上桥臂驱动器HCPL-3120上桥臂驱动HCPL-3120是由磷砷化镓光耦合器和功率输出电路组成，其主要特征：8引脚双列直插封装；驱动电路的最大输出电流峰值为2.0 A；最小共模抑制比为15 kV／μs；最大低电平为0.5 V，无需栅极负压；最大供电电流为5 mA；电源电压范围为15 V～30 V；最大开关速度为0．5斗s；具有滞环欠压锁定输出（UVLO）功能。
HCPL-3120的内部结构框图如图4所示。
HCPL-3120输出电路具有宽限工作电压范围，使其易于提供门控器件所需的驱动电压。
它适于额定容量为1 200 V／100 A的IGBT。
对于更高容量的IG BT，可外接电流缓冲器，以扩展其驱动能力。
上桥臂IGBT驱动电路的原理图如图5所示。
图5中。
VU+与VU-电压为25 V，输出端（Vo）IGBTTG1和IGBT模块上桥臂中U项的一个门极相连接，IGBTTE1和发射极相连接，从而控制IGBT的导通和关断。
4 实验结果及分析图6是测试时从示波器上获取的。
从图中看到正向驱动电压为+16.5 V，负向驱动电压为-7.5 V；采用此种方式能够有效、快速地导通和关断IGBT，减少了导通和关断过程中的损耗。
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IGBT/MOSFET的驱动要求 的驱动要求
两端加上+15V电压； 电压； （1）正向导通时，在GE两端加上 ）正向导通时， 两端加上 电压 两端加上－ ～－ ～－10V电压； 电压； （2）截止时，在GE两端加上－5V～－ ）截止时， 两端加上 电压 （3）在电路的运用中，绝对不允许给上下桥壁都加 ）在电路的运用中， 上导通电压，将造成母线短路。 上导通电压，将造成母线短路。
原理图
信号互锁分析
PWM0 1 1 0 0 PWM1 1 0 1 0 上管光耦A脚电 压 1V 1.7V 1V 5V 上管光耦K脚电 压 1V 1V 5V 5V 下管光耦A脚电 压 1V 1V 1.7V 5V 下管光耦K脚电 压 1V 5V 1V 5V 上管二极管1 状态 截止 导通 截止 截止 下二极管2状 态 截止 截止 导通 截止 输出1 1 1 0 1 输出2 1 0 1 1
题目：基于 题目：基于3120芯片的驱动电路设计 芯片的驱动电路设计
汇报日期：2010年7月29日 汇报人：姜卫东
汇报主题：基于 的驱动电路设计； 汇报主题：基于3120的驱动电路设计； 的驱动电路设计 关键问题：信号互锁，反向电压， 关键问题：信号互锁，反向电压，驱动电阻功 率计算； 率计算； 理解电路拓扑； 难 点：理解电路拓扑； 解决办法：查芯片使用说明书； 解决办法：查芯片使用说明书； 获得知识：驱动电路设计方法， 获得知识：驱动电路设计方法，IGBT的工作条 的工作条 件； 信号如何互锁，所测得的进3120的 讨 论：信号如何互锁，所测得的进 的 AK两端波形。 两端波形。 两端波形
所加电压分析
当光耦原边被点亮时，GE所加电压为15V。
所加电压分析
当光耦原边被点亮时，GE所加电压为－5V。
栅极ห้องสมุดไป่ตู้阻的选择 （1）阻值的选择； （2）功率的计算；
讨论
栅极电阻越大越好，还是越小越好？ 驱动端到IGBT的栅极的导线所包围面 积大小有没有要求？ 互锁以后3120的AK两端的波形应该如 何？