包含薄膜晶体管的电子器件[发明专利]

专利名称：包含薄膜晶体管的电子器件
专利类型：发明专利
发明人：S·C·德尼,P·J·范德扎尔格,S·J·巴特斯拜申请号：CN02801599.1
申请日：20020429
公开号：CN1462480A
公开日：
20031217
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：短沟道薄膜晶体管承受不可接受的高漏电流。

本发明提供一种含有薄膜晶体管的电子器件，其中晶体管的沟道的长度(20)为1μm或更小，沟道中的半导体材料的迁移率小于0.2cm/Vs。

低迁移率的半导体材料的选择导致可接受的关态电流特性，并且其对器件的开关速度的影响通过器件的短沟道长度(20)得以补偿。

申请人：皇家菲利浦电子有限公司
地址：荷兰艾恩德霍芬
国籍：NL
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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