数电-半导体存储器练习题33页PPT

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数字电子技术第9章半导体存储器简明教程PPT课件

为高电平，若有管子与其相连(如位线2和0)，其相应
的MOS管导通，位线输出为0，而位线1和3没有管子
与字线相连，则输出为1。故存储器的内容取决于制造工艺，。
9.1.3 可编程ROM 在某些应用中，程序需要经常修改，因此能够重复擦写的EPROM被广泛应用。这种存储器利用编程器写入后，信息可长久保持，因此可作为只读存储器。当其内容需要变更时，可利用擦除器(由紫外线灯照射) 将其擦除，各单位内容复原为FFH，再根据需要利用 EPROM编程器编程，因此这种芯片可反复使用。
但把A9引脚接至11.5～12.5 V的高电平，则2764A 处于读Intel标识符模式。要读出2764A的编码必须顺序读出两个字节，先让A1～A8全为低电平，而使A0从低变高，分两次读取2764A的内容。当A0=0时，读出的内容为制造商编码(陶瓷封装为89H，塑封为88H)，当A0=1时，则可读出器件的编码(2764A为08H， 27C64为07H)。
数字电子技术
第 9 章半导体存储器
本章知识结构图
EXIT
第9章半导体存储器
• 9.1 只读存储器 • 9.2 随机存取存储器
• 9.3 存储器容量的扩展
• 9.4 实例电路分析：存储系统的设计
EXIT
9.1
只读存储器
9.1.1 ROBiblioteka 的定义与基本结构只读存储器(ROM，即Read-Only Memory)
1. EPROM (1)存储单元电路和工作原理通常EPROM存储电路是利用浮栅MOS管构成的，
又称FAMOS管(Floating gate Avalanche Injection
Metal-Oxide-Semiconductor，即浮栅雪崩注入MOS

数字电路与逻辑设计半导体存储器PPT课件

•Yj =1，T7 、T8均导通，触发器的输出才与数据线接通，该单元才能通过数据线传送数据
第23页/共71页
的结构
二、RAM存储单元
• 动态MOS RAM（DRAM）
来自DR行AM存地储址数译据码原理：器的输出
基于MOS管栅极电容的电荷存储效应
存储单元
写(行入制选X刷电择i 线新路)控
根数字长：指每个地址单元中的数据位数；也即是每次寻址后
从存储器中读出（或写入）的数据位数
第21页/共71页
的结构
二、RAM存储单元
• 静态MOS RAM（SRAM）
Xi (行选择线)
位线 B
数据线D
本单元控制门
T3
T5 T1
VDD
T4 T6
T2
基本RS触发器
T7
T8
Yj (列选择线)
列存储单元公用的控制门
随机存取存储器：在运行状态可以随时进行读或写操作 RAM信息易失：芯片必须供电才能保持存储的数据
只读存储器：通过特定方法写入数据，正常工作时只能读出 ROM信息非易失：信息一旦写入，即使断电也不会丢失
第2页/共71页
7.1 存储器概述
3. 存储器的主要性能指标：
容量：存储单元总数（bit） 1Kbit=1024bit=210bit 128Mbit=134217728bit=227bit
7.1 存储器概述
1. 存储器一般概念 • 存储器：专用于存放大量二进制数码的器件 • 按材料分类 1) 磁介质类——软磁盘、硬盘、磁带、… 2) 光介质类——CD、DVD、MO、… 3) 半导体介质类——SDRAM、EEPROM、FLASH ROM、… • 按功能分类主要分RAM和ROM两类，不过界限逐渐模糊 RAM: SDRAM, 磁盘， ROM: CD, DVD, FLASH ROM, EEPROM

电子技术基础数字部分第六章半导体存储器经典课件

n 地址单元的个数N与二进制地址码的位数满足2n = N ，如：256个
8
3、输入/输出控制电路
（1）片选信号CS ：解决芯片是否工作的问题；
（2）读写控制信号：决定是读信号还是写信号；
三、RAM的操作与定时
1、读操作
（1）欲读取单元的地址加到存储器的地址输入端；（2）加入有效的片选信号 CS；（3）在 R / W 线上加高电平，经过一段时间后，所选单元的内容出现
半导体存储器就是存储大量二值数据的半导体器件，是数字系统必不可少的组成部分。这种存储包括：存储文字的编码数据、存储声音的编码数据、存储图像的编码数据。
衡量存储器性能的重要计数指标——存储容量（目前动态存储器的容量可达10亿位/片）、存取速度（一些高速存储器的存取时间仅10nS）。
1、存储容量
数 T7
据
线D
D T8
Yj （列选线）
数据
线
特点——数据由触发器记忆，只要不断电，数据可以永久保存。
2、DRAM存储单元
SRAM存储单元所用管子多，功耗大，集成度受到限制。 DRAM存储数据的原理——基于电容电荷的存储效应。
字线
X
位
V
线
CS
CW
存储单元电容
单管动态存储单元
杂散电容
常见的DRAM存储单元有两种结构：单管（大容量DRAM存储单元普遍采用单管结构）、三管；
2学时
第六章半导体存储器
1、半导体存储器的基本概念； 2、随机存储器RAM； 3、只读存储器ROM；
课后练习: P383-7.1.1 、P383-7.1.2
序言
随着半导体集成工艺的不断进步，电路的集成度越来越高。目前，大规模集成电路LSI日新月异，LSI电路的一个重要应用领域就是半导体存储器。

清华数字电路第七章半导体存储器PPT课件

16.08.2020
数电
7.1 概述
**PROM在出厂时存储内容全为1（或者全为0),用户可根据自己的需要写入，利用通用或专用的编程器，将某些单元改写为0(或为1)。
**PROM在出厂时存储内容全为1（或者全为0),用户可根据自己的需要写入，利用通用或专用的编程器，将某些单元改写为0(或为1)。
ROM可分为掩模ROM、可编程ROM（Programmable Read－Only Memory，简称PROM）和可擦除的可编程 ROM（Erasable Programmable Read－Only Memory，简称EPROM）。
*掩模ROM在制造时，生产厂家利用掩模技术把数据写入存储器中，一旦ROM制成，其存储的数据就固定不变，无法更改。
第七章半导体存储器
内容提要
本章将系统地介绍各种半导体存储器的工作原理和使用方法。半导体存储器包括只读存储器（ROM）和随机存储器（RAM）。在只读存储器中，介绍了掩模ROM、PROM和快闪存储器等不同类型的ROM的工作原理和特点；而在随机存储器中，介绍了静态 RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两种类型。此外，也介绍了存储器扩展容量的连接方法以及用存储器设计组合逻辑电路，重点放在这里。
1. ROM的组成：
ROM电
路结构包含存
储矩阵、地址
译码器和输出
缓冲器三个部
分，其框图如
图7.2.1所示。
16.08.2020
数电
图7.2.1
7.2.1 掩模只读存储器
a.存储矩阵
存储矩阵是由许多存储单元排列而成。存储单元可以是二极管、双极型三极管或MOS管，每个单元能存放1位二值代码（0或1)，而每一个或一组存储单元有一个相应的地址代码。

数字逻辑电路教程PPT第6章半导体存储器

01
02
03
04
存储容量
根据需求选择合适的存储容量。
数据安全
考虑数据是否需要长期保存，以及是否需要加密保护。
读写速度
根据应用场景选择读写速度合适的存储器。
可靠性和稳定性
选择经过严格测试和验证的优质产品。
半导体存储器的发展趋势
容量更大
随着技术进步，半导体存储器的容量不断增大。
速度更快
读写速度更快，满足高性能计算和大数据处理的需求。
慢、集成度低。
NAND型闪存则具有写入速度快、集成度高、成本低等优点，但
读取速度较慢、可靠性较低。
闪存的应用场景与限制
闪存广泛应用于各种存储卡、U盘、固态硬盘等存储器产品中。
由于闪存的写入和擦除次数有限，因此不适用于需要频繁读写的大型数据库应用。
同时，由于闪存的读取速度和可靠性受工艺和材料影响较大，因此不同品牌和型号的闪存产品性能差异较大。
02
地址译码器：用于将输入的地址信号转换为对应的存储单元的地址。
03
04
控制逻辑：负责控制存储单元的读写操作。
数据输入/输出缓冲器：用于输入和输出数据。
RAM的工作原理
写入操作
当写入使能信号有效时，数据通过数据输入缓冲器进入存储单元，并保存在相应的地址中。
读取操作
当读取使能信号有效时，控制逻辑从指定地址的存储单元中读取数据，并通过数据输出缓冲器输出。
05
CATALOGUE
半导体存储器的比较与选择
RAM、ROM与闪存的比较
RAM
随机存取存储器，数据读写速度快，但断电后数据会丢失。
ROM
只读存储器，数据只能读取不能写入，断电后数据不会丢失。

数电-半导体存储器练习题

× √
B D
SRAM 以上都对
× ×
分析提示
DRAM利用利用MOS管的栅极电容对电荷的存储效应存储信息，管的栅极电容对电荷的存储效应存储信息，利用管的栅极电容对电荷的存储效应存储信息电荷不能长期存储。电荷不能长期存储。 SRAM 以寄存器为存储元件，只有在带电状态下才能存储信息。以寄存器为存储元件，只有在带电状态下才能存储信息。 DRAM、 SRAM 属于“易失性”存储器，不能实现组合逻辑函属于“易失性”存储器，、数。 EPROM，利用管作存储元件，，利用MOS管作存储元件，存储矩阵的字、位线交叉管作存储元件存储矩阵的字、处接入不接入存储元件的连接方式决定所存储信息的内容是0或，处接入不接入存储元件的连接方式决定所存储信息的内容是或1，连接方式确定后所存储的信息可长期保存不变，连接方式确定后所存储的信息可长期保存不变，可实现组合逻辑函数
第
4
页
数字电子技术
第 7 章半导体存储器
单项选择题 ( )。
4、有 10 位地址和 8 位字长的存储器，其存储容量为、位字长的存储器， A C 256×10 位 × 1024×10 位 ×
× ×
B D
512×8 位 × 1024×8 位 ×
× √
分析提示
10 位地址所对应存储字数为： 210=1024 存储字数为：每个字的字长为：每个字的字长为： 8 位字数× 存储容量 = 字数×字长 =1024 × 8 位
第
14
页
数字电子技术
第 7 章半导体存储器
单项选择题 )。
14、只读存储器ROM，当电源断电后再通电时，所存储的内容 ( 、只读存储器，当电源断电后再通电时， A C 全部改变不确定

《半导体存储器》PPT课件_OK

T3
主
从
1位
图7-2-2 动态CMOS移存单元
当CP=1时，主动态反相器接收信息，从动态反相器保持原存
信息；CP=0时，主动态反相器保持原存信息，从动态反相器随9 主
动态反相器变化。每经过一个CP，数据向右移动一位。
7.2.3 动态移存器和顺序存取存储器
１．动态移存器动态移存器可用动态CMOS移存单元串接而成，主要用来组成顺序存取存储器(SAM)。
• ••
CS1
• ••
21
图7-3-6 RAM的位
２．字扩展
适用于位数（字长）够用，但字数不够的情况。如： 8K×8 → 32K×8 增加地址线。
D0
D7
•••
•••
•••
•••
I/O7···I/O0 VDD
OE 6264Ⅰ 1
GND
CS2
R/W A12 ···A0CS1
I/O7···I/O0 VDD
•••
A2 译
A3
码 X15 器
T0
1,1 位线 16,1
1,16 位线 16,16
I/O电路 G1 1
D
EN
G2
1
I/O
•
EN
T0' T15
T15'
1 EN G3
Y0 (列)
•••
Y15
Y 地址译码器
D G4 &
& G5
A4 A5 A6 A7
图7-3-1 256×1位RAM 示意图
CS
R/W
25
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第7章半导体存储器
• 教学内容：半导体存储器的特点、分类及主要技术指标；顺序存取存储器（SAM）；随机存取存储器（RAM）；

数电半导体存储器和可编程器件PPT培训课件

8.4密封后的竞争性磋商响应文件均应：
后，浮栅上无放电回路，故能 1．遇心服务技巧
2.9对容器的检验（查）人员、操作人员进行安全技术教育和技术考核工作。
长期保存。精致化的服务能够贯彻到眼神和表情。眼神呆若木鸡，服务就会显得生硬。服务要整体表达出真情诚意，眼神也要流露对顾客的感情，
这样才能令客户感受深刻。眼神的表达要经过系统训练，除了喜、怒、哀、乐这四种基本表情之外，还要表现出贴切、真诚、热忱、关注等感情，努力做到“眼睛会说话”。
特点：使用灵活、方便。但具有易失性，即：掉电后，数据就消失(也有非易失性的RAM，实际上类似于 ROM)。
※
分类： RAM按存储单元工作原理不同分为
SRAM（静态）：存取速度快 DRAM（动态）：结构简单、集成度高 NVRAM（非易失性）
RAM 按所用器件可分为双极型 MOS型
※
1、RAM存储器的基本结构
组成基本SR锁存器
T5 T3
T4
位线 B
T7
数据
线D
DT1
D
T2
Yj （列选择线）
T6
D、 D：存储的一位二值
位数据。
线 B
T5、T6：本单元控制门，由行择线Xi控制。
T8
数 T7、T8：一列存储单据元公用的控制门， D线由列选择线Yj控制。 ※
工作原理：
Xi（行选择线）
1
T5 T3
矩八阵位形地式址。线采用双译码（行、列译码），用两条地址线来
共同选择存储单元。
A0 A1
CS0 0 CS1 1
A2 A3 A4
地址译码
存储器
A5 器 A6
阵列
A7

数字逻辑电路半导体存储器资料PPT课件

用SIMOS管构成的存储单元
工作原理：若G f 上充以负电荷，则 Gc处正常逻辑高电平下不导通若G f 上未充负电荷，则 Gc处正常逻辑高电平下导通
第9页/共21页
“写入”：在叠栅管的D S上同时加上较高电压（25V），
漏源间形成导电沟道，沟道内电子获得动能，
在
受到G
上所加正电压的电场吸引下
第14页/共21页
7.3.1 RAM的基本结构与工作原理以SRAM为例
第15页/共21页
7.3.2 存储单元
6只N沟道增强型MOS管组成的静态存储单元
T1 ~ T4组成基本的锁存器，作存储单元
T5 ~ T8是门控管，起模拟开关的作用 T5和T6受控于地址译码器的输出
T7和T8决定存储单元是否与输入输出电路I/O相连，受控于列地址译码器
第6页/共21页
7.2.2 可编程ROM
可编程ROM（programmable ROM,PROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同
熔丝由易熔合金制成出厂时，每个结点上都有编程时将不用的熔断！！是一次性编程，不能改写
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7.2.3 可擦除的可编程ROM
EPROM
为储克单元服不紫同外线擦除的EPRO M擦除慢，操作复杂的缺点采用FLO TO X(浮栅隧道氧化层MO S管)
Gf与漏区之间有小的隧道区，当场强大到一定程度时，在漏区和Gf 之间出现导电隧道，电子可以双向通过形成电流，这种现象称为隧道效应。
第11页/共21页
7.2.4 利用ROM实现组合逻辑函数
第12页/共21页
地址译码器是一个与阵列，它的输出包含了输入地址变量的全部最小项，每一条字线对应一个最小项；存储矩阵是一个或阵列，每一位输出数据都是将地址译码器输出的一些最小项相加。