NandFlash底层代码的修改

u-boot_2010.6nandflash驱动彻底分析

u-boot_2010.6nandflash驱动彻底分析2017年11⽉13⽇15:37:34最近公司⼤裁员，闹的⼈⼼惶惶，不管怎么样，武装好⾃⼰才是硬道理，坚持学习，学会那些还没学会的。

今天虚拟机突然打不开了，吓了我⼀跳，因为代码都还没备份，⼀定得养成备份代码的习惯！好了，下⾯开始进⼊正题吧，nandflash驱动彻底分析底层驱动移植完后，执⾏nand 命令：nand read 0x30000000 0 0x2000nand read 的命令格式是 nand read addr off | partition size ，总结起来就是读到哪去？从哪读？读多⼤？返回的结果是：NAND read: device 0 offset 0x0, size 0x2000file is nand_util.c,fun is nand_read_skip_bad,line is 599,NAND read from offset 2000 failed -740 bytes read: ERROR读失败，给出读失败错误码 -74要分析失败原因，先分析函数执⾏流程执⾏nand read 命令后，其实是执⾏了nand_read_skip_bad(nand, off, &size,(u_char *)addr);跳过坏块读函数的参数简单明了，从哪读，读到哪去，读多少，以及⼀个公共句柄（包含nand的信息，例如有多少个块，块⼤⼩等） 1int nand_read_skip_bad(nand_info_t *nand, loff_t offset, size_t *length,2 u_char *buffer)3 {4int rval;5 size_t left_to_read = *length;6 size_t len_incl_bad;7 u_char *p_buffer = buffer;89 len_incl_bad = get_len_incl_bad (nand, offset, *length); /* 函数分析见2017.11.14笔记（往下翻） */1011if ((offset + len_incl_bad) > nand->size) {12 printf ("Attempt to read outside the flash area\n");13return -EINVAL;14 }1516if (len_incl_bad == *length) {17 rval = nand_read (nand, offset, length, buffer);18if (!rval || rval == -EUCLEAN)19return0;20 printf ("NAND read from offset %llx failed %d\n",21 offset, rval);22return rval;23 }2425while (left_to_read > 0) {26 size_t block_offset = offset & (nand->erasesize - 1);27 size_t read_length;2829 WATCHDOG_RESET ();3031if (nand_block_isbad (nand, offset & ~(nand->erasesize - 1))) {32 printf ("Skipping bad block 0x%08llx\n",33 offset & ~(nand->erasesize - 1));34 offset += nand->erasesize - block_offset;35continue;36 }3738if (left_to_read < (nand->erasesize - block_offset))39 read_length = left_to_read;40else41 read_length = nand->erasesize - block_offset;42/* read_length 最⼤不会超过 nand->erasesize (128K) */43/* nand_read 函数是⼀个按块读函数 */44 rval = nand_read (nand, offset, &read_length, p_buffer);45if (rval && rval != -EUCLEAN) {46 printf ("NAND read from offset %llx failed %d\n",47 offset, rval);48 *length -= left_to_read;49return rval;50 }5152 left_to_read -= read_length;53 offset += read_length;54 p_buffer += read_length;55 }5657return0;58 }先看get_len_incl_bad1static size_t get_len_incl_bad (nand_info_t *nand, loff_t offset,2const size_t length)3 {4 size_t len_incl_bad = 0;5 size_t len_excl_bad = 0;6 size_t block_len;78while (len_excl_bad < length) {9 block_len = nand->erasesize - (offset & (nand->erasesize - 1));1011if (!nand_block_isbad (nand, offset & ~(nand->erasesize - 1)))12 len_excl_bad += block_len;1314 len_incl_bad += block_len;15 offset += block_len;1617if (offset >= nand->size)18break;19 }2021return len_incl_bad;22 }想要看懂这个函数，先要理解offset的构成2017年11⽉14⽇10:00:40每天进步⼀点点nand->erasesize = 128K = 0x20000nand->erasesize - 1 = 0x1FFFFoffset & (nand->erasesize - 1) 保留低17位，清⾼位，因为nand的特性，所以是按块来统计长度block_len = nand->erasesize - offset & (nand->erasesize - 1) 作⽤是统计当前块要读的长度然后判断当前块是不是坏块，如果不是坏块，则让len_excl_bad += block_len，判断是否循环的标准是len_excl_bad < length 不论当前块是不是坏块，都让len_incl_bad += block_len，len_incl_bad 得到的是包含坏块的长度总结get_len_incl_bad函数的作⽤为：①如果偏移offset是从整块开始的，返回的结果是块的整数倍（不⽤看length，⽐如length是0x20001,则读两块）②如果偏移offset不是从整块开始的，返回的结果是块的整数倍+第⼀块要读的长度总之，返回的结果是按块补齐的再继续分析nand_read_skip_bad1if (len_incl_bad == *length) {2 rval = nand_read (nand, offset, length, buffer);3if (!rval || rval == -EUCLEAN)4return0;56return rval;7 }什么情况下，len_incl_bad == *length ？要读的内容⾥，没有坏块，且长度最后按块对齐（例如，从0x400开始读，读的长度为0x40000-0x400）如果不满⾜，则进⼊while循环读，在while⾥，按块读，先判断当前块是不是坏块，如果是则跳过，不是则读下⾯分析nand_read函数1/* 1.从哪读 2.读多少 3.读到哪去 */2static int nand_read(struct mtd_info *mtd, loff_t from, size_t len,3 size_t *retlen, uint8_t *buf)4 {5struct nand_chip *chip = mtd->priv;6int ret;78/* Do not allow reads past end of device */9if ((from + len) > mtd->size)10return -EINVAL;11if (!len)12return0;13/* 选中芯⽚ */14 nand_get_device(chip, mtd, FL_READING);1516 chip->ops.len = len;17 chip->ops.datbuf = buf;18 chip->ops.oobbuf = NULL;1920 ret = nand_do_read_ops(mtd, from, &chip->ops);2122 *retlen = chip->ops.retlen;23/* 取消选中芯⽚ */24 nand_release_device(mtd);2526return ret;27 }其实真正的读函数是nand_do_read_ops，从哪去，读多少，读到哪去都被装载在chip->ops结构体中再看nand_do_read_ops函数1/**2 * nand_do_read_ops - [Internal] Read data with ECC3 *4 * @mtd: MTD device structure5 * @from: offset to read from6 * @ops: oob ops structure7 *8 * Internal function. Called with chip held.9*/10static int nand_do_read_ops(struct mtd_info *mtd, loff_t from,11struct mtd_oob_ops *ops)12 {13int chipnr, page, realpage, col, bytes, aligned;14struct nand_chip *chip = mtd->priv;15struct mtd_ecc_stats stats;16int blkcheck = (1 << (chip->phys_erase_shift - chip->page_shift)) - 1;17int sndcmd = 1;18int ret = 0;19 uint32_t readlen = ops->len;//128K 0x20000 根据输⼊的长度决定20 uint32_t oobreadlen = ops->ooblen; // oobreadlen = 021 uint8_t *bufpoi, *oob, *buf;2223 stats = mtd->ecc_stats;2425 chipnr = (int)(from >> chip->chip_shift);26 chip->select_chip(mtd, chipnr);27/* realpage 总页地址(⾼17位) */28 realpage = (int)(from >> chip->page_shift);//pageshift is 1129 page = realpage & chip->pagemask;//pagemask = 1ffff30/* col 低11位 */31 col = (int)(from & (mtd->writesize - 1));//writesize = 2048, 2047 = 0x7ff32/* 得到页地址和列地址 */33 buf = ops->datbuf;34 oob = ops->oobbuf;3536while(1) {37 bytes = min(mtd->writesize - col, readlen); //128K 0x20000 根据输⼊的长度决定38 aligned = (bytes == mtd->writesize); //aligned = 1;3940/* Is the current page in the buffer ? */41if (realpage != chip->pagebuf || oob) {42 bufpoi = aligned ? buf : chip->buffers->databuf;43/* 对齐与不对齐读到的缓冲是不⼀样的 */44if (likely(sndcmd)) {45 chip->cmdfunc(mtd, NAND_CMD_READ0, 0x00, page);46 sndcmd = 0;47 }4849/* Now read the page into the buffer */50if (unlikely(ops->mode == MTD_OOB_RAW))51 ret = chip->ecc.read_page_raw(mtd, chip,//nand_read_page_raw52 bufpoi, page);//从哪⾥读，读到哪⾥去，读多少53else if (!aligned && NAND_SUBPAGE_READ(chip) && !oob)54 ret = chip->ecc.read_subpage(mtd, chip, col, bytes, bufpoi);55/* nand_read_subpage */56else57 ret = chip->ecc.read_page(mtd, chip, bufpoi,//整页读 bufpoi = buf58 page); //nand_read_page_swecc59if (ret < 0)60break;6162/* Transfer not aligned data */63if (!aligned) {64if (!NAND_SUBPAGE_READ(chip) && !oob)65 chip->pagebuf = realpage;66 memcpy(buf, chip->buffers->databuf + col, bytes);67 }6869 buf += bytes;7071if (unlikely(oob)) {72/* Raw mode does data:oob:data:oob */73if (ops->mode != MTD_OOB_RAW) {74int toread = min(oobreadlen,75 chip->yout->oobavail);76if (toread) {77 oob = nand_transfer_oob(chip,78 oob, ops, toread);79 oobreadlen -= toread;80 }81 } else82 buf = nand_transfer_oob(chip,83 buf, ops, mtd->oobsize);84 }8586if (!(chip->options & NAND_NO_READRDY)) {87/*88 * Apply delay or wait for ready/busy pin. Do89 * this before the AUTOINCR check, so no90 * problems arise if a chip which does auto91 * increment is marked as NOAUTOINCR by the92 * board driver.93*/94if (!chip->dev_ready)95 udelay(chip->chip_delay);96else97 nand_wait_ready(mtd);98 }99 } else {100 memcpy(buf, chip->buffers->databuf + col, bytes);101 buf += bytes;102 }103104 readlen -= bytes;105106if (!readlen)107break;108109/* For subsequent reads align to page boundary. */110 col = 0;111/* Increment page address */112 realpage++;113114 page = realpage & chip->pagemask;115/* Check, if we cross a chip boundary */116if (!page) {117 chipnr++;118 chip->select_chip(mtd, -1);119 chip->select_chip(mtd, chipnr);120 }121122/* Check, if the chip supports auto page increment123 * or if we have hit a block boundary.124*/125if (!NAND_CANAUTOINCR(chip) || !(page & blkcheck))126 sndcmd = 1;127 }128129 ops->retlen = ops->len - (size_t) readlen;130if (oob)131 ops->oobretlen = ops->ooblen - oobreadlen;132133if (ret)134return ret;135136if (mtd->ecc_stats.failed - stats.failed)137return -EBADMSG;138139return mtd->ecc_stats.corrected - stats.corrected ? -EUCLEAN : 0; 140 }。

nand_flash——调试总结

.offset = MTDPART_OFS_APPEND,
.size = MTDPART_SIZ_FULL,
.mask_flags = 0,
}
};
static struct nand_davinci_platform_data dm646x_nand_data = {
.name = "params",
.offset = MTDPART_OFS_APPEND,
.size = SZ_128K,
.mask_flags = MTD_WRITEABLE, /* force read-only */
},
/* kernel */
},
[1] = { /* Second memory resource is NAND I/O window */
.start = DAVINCI_DM646X_ASYNC_EMIF_DATA_CE2_BASE, /*必须根据硬件连线修改*/
（4）加载mtd分区
将第一步所填的flash分区信息加mtd分区里去。
insmod 完成后，使用命令ls /dev，就能看到nand flash的设备了。
第四步，文件系统 mount，可以使用jffs2，也可以使用yaffs文件系统，似乎yaffs mount的速度要快一些。
{
.name = "kernel",
.offset = MTDPART_OFS_APPEND,
.size = SZ_4M,
.mask_flags = 0,
},
/* file system */
{
.name = "filesystem",

u_boot移植(五)之分析uboot源码中nand flash操作

u_boot移植(五)之分析uboot源码中nand flash操作一、OneNand 和Nand Flash我们已经能从Nand Flash启动了，启动之后，大家会看到如下效果:可以看出,我们的uboot默认使用的是OneNand。

需要注意的是我们的FSC100上面是没有OneNand的，有的是K9F2G08U0B型号的NAND FLASH。

前面我们了解过Nor Flash 和Nand Flash，那OneNand Flash又是什么呢?二、uboot 源码中Nand Flash部分代码分析我们从Nand Flash初始化看起，打开lib_arm/board.c文件,为了紧抓主线，以下代码只列举出了主线代码。

可以看出，我们可以通过CONFIG_CMD_NAND和CONFIG_CMD_ONENAND两个宏来选择NAND FLASH初始化还是 ONENAND FLASH初始化。

uboot 中默认定义了宏CONFIG_CMD_ONENAND,所以选择的是ONENAND FLASH初始化。

我们的FSC100上面使用的是NAND FLASH，所以我们要定义CONFIG_CMD_NAND宏，取消CONFIG_CMD_ONENAND宏的定义。

嗯！先做个记录:修改include/configs/fsc100.h,定义宏CONFIG_CMD_NAND,取消宏CONFIG_CMD_ONENAND。

好了，接下我们看看nand_init()函数时如何实现的。

看以看出，这段代码调用根据CONFIG_SYS_MAX_NAND_DEVICE宏[默认没有定义]的值来决定系统中Nand Flash设备的个数。

接着调用nand_init_chip()函数完成Nand Flash初始化，然后计算出每块Nand Flash的大小。

最终会输出Nand Flash总的容量。

嗯!做个记录:修改include/configs/fsc100.h,定义宏CONFIG_SYS_MAX_NAND_DEVICE,值为1没有看明白的地方是给nand_init_chip()函数传递的参数，接下来我们来看看他们是如何定义的。

Nand-Flash存储器介绍及编程

Nand-Flash存储器1概述NOR和NAND是目前市场上两种主要的非易失闪存技术。

Nor-flash存储器的容量较小、写入速度较慢，但因其随机读取速度快，因此在嵌入式系统中，常应用在程序代码的存储中。

Nor-flash存储器的内部结构决定它不适合朝大容量发展；而NAND-flash存储器结构则能提供极高的单元密度，可以达到很大的存储容量，并且写入和擦除的速度也很快。

但NAND-flash存储器需要特殊的接口来操作，因此它的随机读取速度不及Nor-flash存储器。

二者以其各自的特点，在不同场合发挥着各自的作用。

NAND-flash存储器是flash存储器的一种技术规格，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量存储器的实现提供了廉价有效的解决方案，因而现在得到了越来越广泛的应用。

例如体积小巧的U盘就是采用NAND-flash存储器的嵌入式产品。

由于NAND-flash（非线性flash）存储器内部结构不同于Nor-flash（线性flash）存储器，因此对它的读写操作也有较大的区别。

BF533中没有像支持SDRAM一样提供直接与NAND-flash存储器的接口，读写的过程要靠软件编程来完成。

本实验将以东芝公司的TC58DVM82A1FT芯片为例，介绍NAND-flash存储器芯片的读写流程和时序。

2 实验内容和目标包括以下几点。

2编写程序，读出器件的识别码（ID）。

3对NAND-flash的一个或若干个块进行擦除操作。

4在被擦除的一个或若干个块写入数据。

5将写入的数据读出并进行验证。

6查找坏块。

3NAND-flash介绍及编程指导NAND-flash存储器中的宏单元彼此相连，仅第一个和最后一个Cell分别与Work Line和BIT Line相连，因此NAND-flash架构的存储容量较Nor-flash架构的高。

NAND-flash存储器的容量较大，改写速度快，主要应用在大量资料的存储，如嵌入式产品中，包括数码相机、MP3随身听记忆卡等。

ARM9(S3C2440)之九nand flash的读写操作

九 ARM9(2440)对nand flash的读写操作转载自：骨Zi里德骄傲这篇文章转自别处，写的非常详细，让我们熟悉2440对nand flash 的整个操作过程：s3c2440对nandflash的操作(K9F2G08)nandflash在对大容量的数据存储中发挥着重要的作用。

相对于norflash，它具有一些优势，但它的一个劣势是很容易产生坏块，因此在使用nandflash时，往往要利用校验算法发现坏块并标注出来，以便以后不再使用该坏块。

nandflash 没有地址或数据总线，如果是8位nandflash，那么它只有8个IO口，这8个IO口用于传输命令、地址和数据。

nandflash主要以page（页）为单位进行读写，以block（块）为单位进行擦除。

每一页中又分为main区和spare区，main 区用于正常数据的存储，spare区用于存储一些附加信息，如块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等。

三星公司是最主要的nandflash供应商，因此在它所开发的各类处理器中，实现对nandflash的支持就不足为奇了。

s3c2440不仅具有nandflash的接口，而且还可以利用某些机制实现直接从nandflash启动并运行程序。

本文只介绍如何对nandflash实现读、写、擦除等基本操作，不涉及nandflash启动程序的问题。

在这里，我们使用的nandflash为K9F2G08U0A，它是8位的nandflash。

不同型号的nandflash的操作会有所不同，但硬件引脚基本相同，这给产品的开发扩展带来了便利。

因为不同型号的PCB板是一样的，只要更新一下软件就可以使用不同容量大小的nandflash。

K9F2G08U0A的一页为（2K＋64）字节（加号前面的2K表示的是main区容量，加号后面的64表示的是spare区容量），它的一块为64页，而整个设备包括了2048个块。

这样算下来一共有2112M位容量，如果只算main区容量则有256M字节（即256M×8位）。

nandFlash编程内幕

（3）修改时钟源将/kernel/linux -2.6.32.2/arch/arm/mach -s3c2440/ 目录下的mach-smdk2440.c 文件改名为mach-mini2440.c。

因为mini2440 和mach-smdk2440.c 极其相似，以该文件为基础进行修改，在mach -mini2440.c 文件中将staticvoid__init smdk2440_map_io （void ）函数中的晶振频率修改为mini2440 开发板上实际使用的12000000。

（4）为内核打上yaffs2 补丁①Yaffs2 文件系统是专门针对嵌入式设备，特别是使用Nand Flash 作为存储器的嵌入式设备而创建的一种文件系统，使用yaffs2 就可以支持大页的Nand Flash。

进入yaffs2 源代码目录执行如下命令：#./patch -ker.sh c /opt/FriendlyARM/mini2440/linux -2.6.32.2②配置内核以支持Yaffs2 文件系统在Linux 内核源代码根目录运行make xconfig，在“File systems ”选项中，找到“Miscellaneous filesystems ”菜单项，找到“YAFFS2 file system support ”并选中它，这样就在内核中添加了yaffs2 文件系统的支持，保存并退出。

然后在命令行中，执行make zImage 。

（5）修改Nand Flash 分区信息①在mach-mini2440.c 文件中添加Nand Flash 的分区信息，下面的代码将Nand Flash 分成了4 个分区，第1 分区也是BootLoader 所在的分区，对应dev/mtdblock0 ；第2 个分区是U-Boot 的参数分区，对应dev/mtdblock1 ；第 3 个分区是内核分区，对应dev/mtdblock2 ；第4 个分区为根文件系统分区对应dev/mtdblock3 。

NAND Flash图像记录系统底层写入控制技术

ｉｔｒｅｖａｍｅｏｏＮＡＮＤａｈｇｏｐｏｆｌｅｐｏａｎｅｌａｅｌｄｔｆｏｉｗｔｌｆｓｒｕｓｔｌｔｒｇｍｍｉｇｔ．ｉａｌ，ｅｃｎｒｌｒｔａｈｗｒｅｍｏｅｉｈｒｎｍｅＦｎｌｔｏｔｌｈｅｃｉｄｉｙｈｏｅｗｉｔ
ＡｂｔａｔｏｅｈｎｅｔｅｗｒｅｂｎｗｉｔｆＮＡＮＤａｈｉａｅｒｃｒｉｇｓｓｅｓｒｃ：Ｔｎａｃｈｉａｄｄｈｏｔｌｆｓｍｇｅｏｄｎｙｔｍ，ｔｅＮＡＮＤａｈｏ・ｈｐｗｒｔｈｌｆｓｎｃｉｉｅｔｃｎｌｇｅｆｉｔｒｅｖ，ｎｅｌａｅｔｌｎｎｗｏｐａｅａｅｒｓａｃｅｎｅｈｏｏｉｓｏｅｌａｅｉｔｒｖｗｏｐａｅａｄｔｌｒｅｅｒｈｄａｄｉｌｍｅｔｄｒｓｅｔｅｙＴｅ，ｅｎｅｎｍｐｅｎｅｐｃｉｌ．ｈｎａｎｗｅｖｍｅｈｄｂｓｄｏｔｏａｅｎＮＡＮＤａｈｏ — ｈｐｉｔｒｅｖｉｔｄｏ－ｈｐ２ｌｖｌｉｅｉｉｇｉｒｐｓｄｗｈｃｔｉｅｅｌｆｓｎｃｉｎｅｌａｅｗｒｅａｆｃｉｅｅｐｌｎｓｐｏｏｅ，ｉｈｕｉｚｓｔｎｐｎｌｈ
内并行写入和片内交叉并行写入控制技术，在此基础上提出了片内交叉写入和片外２级流水线结合的写入方法，该方法利用两组ＮＡａｈ片内交叉写入的命令地址和数据加载时间来填补烧写时间。ＮＤｆｓｌ最后用硬件方式在ＦＧＡＰ

NANDFLASH编程总结

NANDFLASH编程总结NAND闪存编程是指对NAND闪存芯片进行数据存储和擦除的过程。

NAND闪存是一种非易失性存储设备，被广泛应用于各种电子设备，如固态硬盘、闪存存储卡和移动设备等。

本文将对NAND闪存编程的一些基本概念、编程流程和注意事项进行总结。

一、NAND闪存基本概念NAND闪存由多个存储单元组成，每个存储单元可以存储一个或多个数据位。

存储单元分为页、块和平面。

每个页通常包含512个字节的数据和16个字节的校验。

一个块包含多个页，通常为64或128页。

一个平面包含多个块，通常为2048或4096块。

数据在NAND闪存中以块为单位进行擦除和编程操作。

二、NAND闪存编程流程1.擦除：首先，需要对整个块进行擦除操作，将块中的数据全部清除，以便写入新的数据。

擦除操作是一种高耗能、高时间延迟的操作，会导致NAND闪存寿命的损失，因此需要谨慎使用。

2.数据编程：一旦块被擦除，就可以开始数据编程。

数据编程是将数据写入已经擦除的块的过程。

编程操作通常在页的粒度进行，可以将数据以页为单位分成多次写入。

3.数据校验：在编程操作完成后，需要对已经编程的数据进行校验，以确保数据的正确性。

通常，每个页中的校验字节会存储之前数据的校验结果，编程操作后会重新计算并与之前的校验字节进行比较。

4.数据补齐：如果编程的数据不满一页，需要进行数据补齐操作，以保持页的对齐。

补齐操作可以在数据编程或校验之前进行。

5.坏块管理：在使用NAND闪存时，可能会遇到一些坏块，即无法正常擦除和编程的块。

在编程过程中需要进行坏块管理，即跳过这些坏块，避免对坏块进行擦除和编程操作。

三、NAND闪存编程注意事项1.写入范围限制：对于已经编程的页，不能对其进行覆盖写入。

如果需要修改已经编程的数据，需要先擦除整个块，再重新进行编程操作。

2.块擦除次数限制：每个块允许的擦除次数有限，超过允许次数后，块将被认定为坏块。

因此，在编程过程中应尽量避免多次擦除同一块。

MTD(3)-- nand flash的erase,read,write接口函数代码分析

本来是想按照代码流程往下讲bbt的，但是写着写着，还是要先介绍下mtd的几个基本flash读写擦函数接口。

那就调整下，先讲基本接口函数，再讲到bbt的时候，就不用回头来讲基本读写函数了，这样主线清楚些。

忽然觉得我讲的流程有些乱：）还没有讲flash的具体操作命令，要是穿插在下来的章节里面讲，会更乱，那就在这里补充下吧：）前面这章已经提到了一些东西，但我光顾着分解代码了，没有把他们关联起来。

我们知道，flash的基本操作就是erase、write、read。

那么kernel是如何执行这些操作的呢？首先我们要明确一点，CPU是通过flash控制器操作Flash芯片的，不同的芯片flash控制器不同，那么flash控制器有什么功能呢？硬件ECC校验，指令状态，工作时序等等；上面是flash的读写擦通用操作流程。

以上的代码都是针对某个特点平台的flash底层信息，比如我们就是针对TI的DM368来讲的，它们既要遵循一般的flash操作规范，如读写擦的命令字，也会有自己chip的一些特性，比如IO管脚复用，时序控制等等。

那么kernel如何管理种类繁多的flash设备？就是依赖MTD抽象层来实现的。

MTD定义了通用的flash操作接口，也针对大多数nand flash定义了通用的操作流程(nand_base.c)，各种不同的chip只需要实现自己直接操作flash 设备的命令就好了。

info->chip.cmd_ctrl = nand_davinci_hwcontrol;info->chip.dev_ready = nand_davinci_dev_ready;info->chip.read_buf = nand_davinci_read_buf;info->chip.write_buf = nand_davinci_write_buf;dm368就是通过上面的几个接口函数来完成具体动作的。

13.6 NAND Flash控制器代码设计[共8页]

NAND Flash 控制器代码设计335.clkb(iClk), .dina(rFlash2RamDA),.dinb(iAhb2RamDB),.douta(rRam2FlashQA),.doutb(oRam2AhbQB),.ena(1'b0),.enb(1'b0),.wea(iFlash2RamWENA),.web(iAhb2RamWENB));13.6 NAND Flash 控制器代码设计NAND Flash 控制器的顶层模块由3个部分构成，分别为双端口RAM 控制器模块（mRamCtrl ）、ECC 纠错码生成模块（mNandEccGeneration ）和主控制器模块（NFController ）。

其中，双端口RAM 控制器模块负责解析来自主控制器模块和其他主设备的控制信号，指导双端口RAM 进行读/写操作；ECC 纠错码生成模块用于生成ECC 纠错码，它在主控制器模块的控制下工作；主控制器模块是整个NAND Flash 控制器的核心，它接收来自CPU 等主设备的控制信号，将其转换成相应的NAND Flash 控制信号，执行读/写和擦除等基本操作，并协调mRamCtrl 和mNandEccGeneration 模块，使各模块形成一个统一整体。

NAND Flash 控制器的顶层代码如下。

top_fc (iClk,iRst,dio,CLE,ALE,CENeg,RENeg,WENeg,WPNeg,R,iOperate,iStart,oDone,iAddress0,iAddress1,oStatus,oFlashID,第13章综合实例3──NAND Flash 控制器设计336iCommand,iPageSize,iAhb2RamAddr,iAhb2RamOENB,iAhb2RamWENB,iAhb2RamDB,oRam2AhbQB,oEccCode,oEccResult);// 输入/输出信号声明input iClk;input iRst;/*********************************************** control signals to Nandflash***********************************************/ inout[7:0] dio;output CLE;output ALE;output CENeg;output RENeg;output WENeg;output WPNeg;input R;/********************************************* control signals from host to mFc*********************************************/ input[3:0] iOperate;input iStart;output oDone;input[31:0] iAddress0;input[31:0] iAddress1;input[31:0] iCommand;input[1:0] iPageSize;/********************************************control signals from host to RamCtrl*********************************************/ input[8:0] iAhb2RamAddr;input iAhb2RamOENB;。

u_boo移植(六)之支持Nand Flash操作

u_boo移植(六)之支持Nand Flash操作通过上一节uboot中Nand Flash操作的部分源码分析我们可以知道，如果想在uboot中驱动我们自己开发板上的Nand Flash设备,只需要完成以下几件事情就可以了。

1.修改include/configs/fsc100.h,定义宏CONFIG_CMD_NAND,取消宏CONFIG_CMD_ONENAND2.修改include/configs/fsc100.h,定义宏CONFIG_SYS_MAX_NAND_DEVICE,值为13.需要在drivers/mtd/nand目录下添加s5pc100_nand.c文件，完成FSC100的NAND Flash设备初始化(1)初始化Nand Flash硬件接线到SOC上的GPIO口(2)初始化SOC的Nand Flash控制器(3)实现s5pc100_hwcontrol函数中实现根据ctrl值是否含有NAND_CLE、NAND_ALE来决定是向NFCMD寄存器写值还是向NFADDR寄存器写值(4)实现s5pc00_select_chip函数，完成对Nand Flash设备片选和取消片选(5)实现s5pc100_dev_ready函数，完成对Nand Flash设备进行是否忙碌探测关于如何对Nand Flash进行读、写、擦除、坏块管理等操作，uboot源码中的MTD框架已经帮我们做好了。

好了，我们已经知道需要干什么了，接下来就开始干活吧!一、修改include/configs/fsc100.h文件，添加和取消相应的宏在fsc100.h文件里面，添加以下代码:二、drivers/mtd/nand目录下添加s5pc100_nand.c文件大家可以将此目录下的s3c2410_nand.c拷贝成s5pc100_nand.c，然后进行修改。

下面给出给我修改的代码:需要注意的是，不同的开发板配置不一样，流程都一样，说白了就是操作的寄存器不一样,大家可以根据自己开发板实际情况自行修改。

NANDFLASH芯片编程介绍

NANDFLASH芯片编程介绍1. 硬件特性：【Flash的硬件实现机制】Flash全名叫做Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。

这类设备，除了Flash，还有其他比较常见的如硬盘，ROM等，与此相对的，易失性就是断电了，数据就丢失了，比如大家常用的内存，不论是以前的SDRAM，DDR SDRAM，还是现在的DDR2，DDR3等，都是断电后，数据就没了。

Flash的内部存储是MOSFET，里面有个悬浮门(Floating Gate)，是真正存储数据的单元。

---------------------------------------------------------------------------------------------------金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。

MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

---------------------------------------------------------------------------------------------------在Flash之前，紫外线可擦除(uv-erasable)的EPROM，就已经采用用Floating Gate存储数据这一技术了。

图1.典型的Flash内存单元的物理结构数据在Flash内存单元中是的。