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和 Ｖｉ ｓ ｕ ａ ｌ Ａｐ ｐ ｌ ｅ ｔ ｓ 开发平 台为 Ｚ ｙ ｎ ｑ一７ ０ ０ ０ Ａｌ ｌ Ｐ ｒ ｏ ｇ ｒ ａ ｍ—
Ｔ Ｉ ＭＣ Ｓ Ｄ Ｋ 提 供 高 度 优 化 的 特 定 平 台 基 础 驱 动 器 捆
绑包 ， 可 实 现 基 于 ＴＩ器 件 的 开 发 。 此 外 ， ＭＣＳ ＤＫ 还 可 为 实 现 便 捷 编 程 提 供 定 义 明确 的应 用 编 程 接 口 ， 支 持 未 来 向 更 高 性 能 的 ＴＩ多 核 平 台 的 移 植 ， 因此 开 发 人 员 无 需 从 头 设 计 通 用 层 。ＭＣ Ｓ ＤＫ 不 仅 可 帮 助 开 发 人 员 评 估 特 定 器
Ｕｌ ｔ ｒ ａ Ｓ ｃ ａ ｌ ｅ 器 件 采 用先 进 的 ＡＳ Ｉ Ｃ级 可 编 程 架 构 ， 以及 ＡＳ Ｉ Ｃ
增强型 Ｖ ｉ ｖ ａ ｄ ｏ 设 计 套 件 和 近期 推 出 的 Ｕ ｌ ｔ ｒ ａ Ｆ ａ ｓ ｔ 设 计方法 ，
Ｔ Ｉ多核 软 件 开 发 套 件 扩展 ｍ Ａｌ ｌ Ｐ ｒ ｏ ｇ ｒ ａ ｍｍａ ｂ ｌ ｅ 产 品
开 始发 货
赛 灵思 公 司 （ Ｘ ｉ ｔ ｉ ｎ ｘ ， Ｉ ｎ ｃ ． ） 宣布 向 客 户 交 付 由 台积 公 司 生 产 的半 导 体 产 业 ２ Ｏ ｎ ｍ Ａ ｌ ｌ Ｐ ｒ ｏ ｇ ｒ ａ ｍ ｍ ａ ｂ ｌ ｅ产 品 。赛 灵 思
ＤＳ Ｐ ＋ＡＲＭ 器 件
可 提 供媲 美 Ａ Ｓ Ｉ Ｃ级 的性 能优 势 。Ｕ ｌ ｔ ｒ ａ Ｓ ｃ ａ ｌ ｅ 器 件 能 够 为 客
户实现 １ ． ５倍 到 ２倍 的 系统 级 性 能 和集 成 度 。
借助赛灵思 Ｕ ｌ ｔ ｒ ａ Ｓ ｃ ａ ｌ ｅ 器件， 可 打 造 出新 一 代 基 于 全
ｌ 兰 焦垦
Ｓ Ｔ和 Ｍｅ ｍｏ ｉ ｒ Ｓ ｙ ｓ ｔ ｅ ｍｓ整 合 突破 性 的 存 储 器 和 半导 体 制造 技 术
支持 材 料 还 可 能 包 括 模 型 、 软件 、 代 码示例 、 设 计 指 南 以 及 评估板等 ， 可 帮助 系 统设 计 人 员 进一 步简 化 设计 路 径 。
（ ＭＣ Ｓ ＤＫ） ， 帮 助 开 发 人 员 缩 短 开 发 时 间， 实 现 针 对 ＴＩ 用 于 数 据 中心 的高 性 能 计 算 应 用 等 各 种 应 用 需 求 。 ＴＭＳ ３ ２ ０ Ｃ６ ０ ０ ０高 性 能 数 字 信 号 处 理 器 （ ＤＳ Ｐ ）的 扩 展 。为
工业 、 通信 、 电信 以及 医 疗 市 场 开 发 各 种 应 用 的 客 户 现 在
无需转移其他软件平 台， 便可升级至高性能器件 。
Ｘｉ ｌ ｉ ｎ ｘ助 力 Ｚ ｙ ｎ ｑ Ｓ ｏ Ｃ大 幅 提 升 机 器 视 觉 生产 力
赛 灵思 公 司 （ Ｘｉ ｌ ｉ ｎ ｘ， Ｉ ｎ ｃ ． ） 宣 布 公 司 利 用 ＨＡＬ Ｃ０Ｎ
ＴＩ Ｄｅ ｓ ｉ ｇ ｎ ｓ的作 者 是 模 拟 、 嵌 人 式 处 理 器 以 及 连 接 专
家， 他 们 通 过 帮 助 客 户解 决 最 复 杂 的设 计 挑 战 掌 握 了 丰 富 意法半导体（ Ｓ ＴＭｉ ｃ ｒ ｏ ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｎ ｉ ｃ ｓ ） 宣 布 与 Ｍｅ ｍｏ ｉ ｒ Ｓ ｙ ｓ — 的 产 品 系 统 知 识 。此 外 ， ＴＩ Ｄｅ ｓ ｉ ｇ ｎ ｓ库 不 仅 有 助 于 访 问 ｔ ｅ ｎｓ合 作 开 发 出 革 命 性 的 算 法 内 存 技 术 （ ｒ Ａｌ ｇ ｏ ｒ ｉ ｔ ｈ ｍｉ ｃ Ｐ ｏ ｗｅ ｒ Ｌ ａ ｂ参 考 设 计 ， 使用具有 １ ０ ０ ０多 项 经 测 试 参 考 设 计
新高性能架构 的 Ｓ ｍａ ｒ ｔ ｅ ｒ Ｓ ｙ ｓ ｔ ｅ ｍ（ 更智能系统） ， 满足 ４ ０ ０ Ｇ 德州仪 器 （ Ｔ Ｉ ）推 出 基 于 低 功 耗 Ｏ ＭＡ Ｐ —Ｌ ｌ ３ ８及 ＯＴＮ、 数 据 包 处 理 与 流 量管 理 、 ４×４混 合模 式 Ｌ ＴＥ、 ｗＣ Ｄ— ＯＭＡＰ—ｕ ３ ２ Ｄ Ｓ Ｐ＋ ＡＲＭ９处 理 器 的 多核 软 件 开 发 套 件 ＭＡ Ｒａ ｄ ｉ ｏ 、 ４ Ｋ２ Ｋ与 ８ Ｋ显 示 屏 、 智能 监视侦 察 （ Ｉ Ｓ Ｒ） 以 及
Ｍｅ ｍｏ ｒ ｙ Ｔｅ ｃ ｈ ｎ ｏ ｌ ｏ ｇ ｙ ） 。新 技 术 将 用 于 制 造 采 用 全 耗 尽 型 的大规模电源参考设计 组合 ， 而 且 还 有 助 于 访 问 ＴＩ高 精 绝缘层上硅（ Ｆ Ｄ—Ｓ ＯＩ ， Ｆ ｕ ｌ ｌ ｙ— Ｄｅ ｐ ｌ ｅ ｔ ｅ ｄ Ｓ ｉ ｌ ｉ ｃ ｏ ｎ—Ｏｎ—Ｉ ｎ ｓ ｕ — 度Ｄ ｅ ｓ ｉ ｇ ｎ ｓ 这 个 技 术 稳 健 的 高 精 度 模 拟设 计 库 。 ｌ ａ ｔ ｏ ｒ ） 技术 的专 用 集 成 电路 （ ＡＳ Ｉ Ｃ， Ａｐ ｐ ｌ ｉ ｃ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ—Ｓ ｐ ｅ ｃ ｉ ｆ ｉ ｃ Ｉ ｎ ｔ ｅ ｇ ｒ ａ ｔ ｅ ｄ Ｃ ｉ ｒ ｃ ｕ ｉ ｔ ｓ ） 和系统芯片 （ Ｓ ｏ Ｃ， Ｓ ｙ ｓ ｔ ｅ ｍｓ ｏ ｎ Ｃ ｈ ｉ ｐ ）的 内部 存 储 器 。 当集成到采用 Ｆ Ｄ—Ｓ ＯＩ 技术 的产 品时 ， Ｍｅ ｍｏ ｉ ｒ Ｓ ｙ ｓ — ｔ ｅ ｎｓ的 算 法 存 储 器 没 有 损 失 任 何 性 能 ， ｒ 这归功于 Ｆ Ｄ— Ｓ ＯＩ 在 功 耗 和性 能 上 的优 势 。此 外 ， Ｆ Ｄ —Ｓ ＯＩ的极 低 软 错 误率结合超低泄漏 电流对 于包 括 网络 、 交通、 医 疗 和 航 空 等关键应用意义重大 。
Ｔ Ｉ ＭＣ Ｓ Ｄ Ｋ 提 供 高 度 优 化 的 特 定 平 台 基 础 驱 动 器 捆
绑包 ， 可 实 现 基 于 ＴＩ器 件 的 开 发 。 此 外 ， ＭＣＳ ＤＫ 还 可 为 实 现 便 捷 编 程 提 供 定 义 明确 的应 用 编 程 接 口 ， 支 持 未 来 向 更 高 性 能 的 ＴＩ多 核 平 台 的 移 植 ， 因此 开 发 人 员 无 需 从 头 设 计 通 用 层 。ＭＣ Ｓ ＤＫ 不 仅 可 帮 助 开 发 人 员 评 估 特 定 器
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可 提 供媲 美 Ａ Ｓ Ｉ Ｃ级 的性 能优 势 。Ｕ ｌ ｔ ｒ ａ Ｓ ｃ ａ ｌ ｅ 器 件 能 够 为 客
户实现 １ ． ５倍 到 ２倍 的 系统 级 性 能 和集 成 度 。
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Ｓ Ｔ和 Ｍｅ ｍｏ ｉ ｒ Ｓ ｙ ｓ ｔ ｅ ｍｓ整 合 突破 性 的 存 储 器 和 半导 体 制造 技 术
支持 材 料 还 可 能 包 括 模 型 、 软件 、 代 码示例 、 设 计 指 南 以 及 评估板等 ， 可 帮助 系 统设 计 人 员 进一 步简 化 设计 路 径 。
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新高性能架构 的 Ｓ ｍａ ｒ ｔ ｅ ｒ Ｓ ｙ ｓ ｔ ｅ ｍ（ 更智能系统） ， 满足 ４ ０ ０ Ｇ 德州仪 器 （ Ｔ Ｉ ）推 出 基 于 低 功 耗 Ｏ ＭＡ Ｐ —Ｌ ｌ ３ ８及 ＯＴＮ、 数 据 包 处 理 与 流 量管 理 、 ４×４混 合模 式 Ｌ ＴＥ、 ｗＣ Ｄ— ＯＭＡＰ—ｕ ３ ２ Ｄ Ｓ Ｐ＋ ＡＲＭ９处 理 器 的 多核 软 件 开 发 套 件 ＭＡ Ｒａ ｄ ｉ ｏ 、 ４ Ｋ２ Ｋ与 ８ Ｋ显 示 屏 、 智能 监视侦 察 （ Ｉ Ｓ Ｒ） 以 及
Ｍｅ ｍｏ ｒ ｙ Ｔｅ ｃ ｈ ｎ ｏ ｌ ｏ ｇ ｙ ） 。新 技 术 将 用 于 制 造 采 用 全 耗 尽 型 的大规模电源参考设计 组合 ， 而 且 还 有 助 于 访 问 ＴＩ高 精 绝缘层上硅（ Ｆ Ｄ—Ｓ ＯＩ ， Ｆ ｕ ｌ ｌ ｙ— Ｄｅ ｐ ｌ ｅ ｔ ｅ ｄ Ｓ ｉ ｌ ｉ ｃ ｏ ｎ—Ｏｎ—Ｉ ｎ ｓ ｕ — 度Ｄ ｅ ｓ ｉ ｇ ｎ ｓ 这 个 技 术 稳 健 的 高 精 度 模 拟设 计 库 。 ｌ ａ ｔ ｏ ｒ ） 技术 的专 用 集 成 电路 （ ＡＳ Ｉ Ｃ， Ａｐ ｐ ｌ ｉ ｃ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ—Ｓ ｐ ｅ ｃ ｉ ｆ ｉ ｃ Ｉ ｎ ｔ ｅ ｇ ｒ ａ ｔ ｅ ｄ Ｃ ｉ ｒ ｃ ｕ ｉ ｔ ｓ ） 和系统芯片 （ Ｓ ｏ Ｃ， Ｓ ｙ ｓ ｔ ｅ ｍｓ ｏ ｎ Ｃ ｈ ｉ ｐ ）的 内部 存 储 器 。 当集成到采用 Ｆ Ｄ—Ｓ ＯＩ 技术 的产 品时 ， Ｍｅ ｍｏ ｉ ｒ Ｓ ｙ ｓ — ｔ ｅ ｎｓ的 算 法 存 储 器 没 有 损 失 任 何 性 能 ， ｒ 这归功于 Ｆ Ｄ— Ｓ ＯＩ 在 功 耗 和性 能 上 的优 势 。此 外 ， Ｆ Ｄ —Ｓ ＯＩ的极 低 软 错 误率结合超低泄漏 电流对 于包 括 网络 、 交通、 医 疗 和 航 空 等关键应用意义重大 。