模电作业及答案
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗(1)杂质浓度,温度(2)呈圆形电中性,呈圆形电中性(3)等同于,大于,变宽,大于,变窄(4)逆向打穿(5)减小,减小,增大(6)左移,下移,加高(7)、发射结,erf(8)一种载流子参予导电,两种载流子参予导电,压控,流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解:(a)uo=ua-ud=-5v-0.7v=-5.7v(b)uo=ub=uc=-5v(c)uo=ua=-0.7v(d)uo=ua=-9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图,未知ui?10sin?t(mv),e?1.2v,ui电容c和直流电源e对交流视为短路,二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示,r?100?,谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解:id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管,试通过计算判断它们是否导通?。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解:(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通;5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中,已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
模电习题及解答
习 题3.1 在晶体管放大电路中,测得两个晶体管各个电极的电流如图P3.1所示,试分别标出各个晶体管的管脚e 、b 和c ;判断各晶体管是NPN 型还是PNP型;并分别估算它们的值。
( a)( b)图P3.1答:(a )从左至右依次为b , e , c ,NPN ,40 (b )从左至右依次为b , c , e ,PNP ,603.2用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图P3.2所示,试判断这些晶体管分别处于什么状态。
A .放大B .饱和C .截止D .损坏⑴ ; ⑵ ; ⑶ ; ⑷ ; ⑸ 。
图P3.2解:(1)A ;(2)A ;(3)C ;(4)D;(5)B3.3 某晶体管的输出特性如图P3.3(BR)CEO V 和P CM 。
4628图P3.31000.99,I CEO =10μA ,(BR)CEO V ≈55V ,P CM ≈100mW3.4电路如图P3.4所示,已知晶体管β=50,在下列情况下,用直流电压表测晶体管的集电极电位,应分别为多少?设V C C =12V ,晶体管饱和管压降V C E S =0.5V 。
(1)正常情况 (2)R b 1短路 (3)R b 1开路(4)R b 2开路 (5)R C 短路CC图P3.4解:设V BE =0.7V 。
则 (1)基极静态电流V4.6mA 022.0c C CC CE b1BEb2BE CC B ≈-=≈--=R I V V R V R V V I(2)由于V BE =0V ,晶体管截止,V CE =12V 。
(3)由于基极电流 >≈-=mA 22.0 b2BE CC B R V V I mA 045.0 cCESCC ≈-R V V β故晶体管饱和,V CE =V CES =0.5V 。
(4)晶体管截止,V CE =12V 。
(5)由于集电极直接接直流电源,故V CE =V CC =12V 。
3.5 在图P3.5所示电路中,T 为硅晶体管,β=50。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =。
(1)当二极管正偏压为时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。
此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。
已知电源电压为6V ,二极管压降为伏。
试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解:(1)mA 53100V7.06I D =Ω-=(2)Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时,硅二极管的正向电压为,正向电流为1mA ,试计算正向电压加至时正向电流为多少? 解:mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。
模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大;B.不变;C.减小 1.3电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。
试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。
1、两个管子都正接。
(1.4V )2、6V 的管子反接,8V 的正接。
模电作业习题解答
作业习题解答1.1 在题1.1图中,各元件电压为 U 1=-5V ,U 2=2V ,U 3=U 4=-3V ,指出哪些元件是电源,哪些元件是负载?解:元件上电压和电流为关联参考方向时,P=UI ;电压和电流为非关联参考方向时,P=UI 。
P>0时元件吸收功率是负载,P<0时,元件释放功率,是电源。
本题中元件1、2、4上电流和电流为非关联参考方向,元件3上电压和电流为关联参考方向,因此P 1=-U 1×3= -(-5)×3=15W ; P 2=-U 2×3=-2×3=-6W ;P 3=U 3×(-1)=-3×(-1)=3W ;P 4=-U 4×(-4)=-(-3)×(-4)=-12W 。
元件2、4是电源,元件1、3是负载。
1.4 在题1.4图中,已知 I S =2A ,U S =4V ,求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率,验证电路的功率平衡。
解:I=I S =2A ,U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ,U S 与I 为关联参考方向,电压源功率:P U =IU S =2×4=8W ,U 与I 为非关联参考方向,电流源功率:P I =-I S U=-2×6=-12W ,验算:P U +P I +P R =8-12+4=01.6 求题1.6图中的U 1、U 2和U 3。
解:此题由KVL 求解。
对回路Ⅰ,有: U 1-10-6=0,U 1=16V对回路Ⅱ,有: U 1+U 2+3=0,U 2=-U 1-3=-16-3=-19V 对回路Ⅲ,有:U 2+U 3+10=0,U 3=-U 2-10=19-10=9V验算:对大回路,取顺时针绕行方向,有:-3+U 3-6=-3+9-6=0 ,KVL 成立1.8 求题1.8图中a 点的电位V a 。
模电工作考试题及答案解析
模电工作考试题及答案解析一、选择题1. 以下哪个元器件的功能是将输入电压放大并产生输出信号?A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 发光二极管答案:C. 晶体管解析:晶体管是一种半导体器件,具有放大信号的功能。
当输入信号施加在晶体管的基极上时,通过控制电流的变化,晶体管可以放大信号并将其输出。
2. 加深电流放大系数可以采取以下哪种措施?A. 减小输入电阻B. 增大输入电阻C. 减小输出电阻D. 增大输出电阻答案:A. 减小输入电阻解析:当输入电阻较小时,输入电流变化对晶体管的控制能力更强,可以使得电流放大系数增大。
3. 以下哪个电路可以用于将交流信号转化为直流信号?A. 单级晶体管放大电路B. 双级晶体管放大电路C. 电容滤波电路D. 反相放大电路答案:C. 电容滤波电路解析:电容滤波电路可以通过对输入信号的滤波作用,将交流信号转化为平稳的直流信号。
二、分析题请根据以下电路图回答问题。
[电路图]4. 请分析并写出电路图中电阻R的阻值。
答案:根据欧姆定律,电路中的总电阻等于电流和电压的比值,即R = V / I。
5. 请计算并写出电路图中电容C的电容值。
答案:根据电容的定义,电容的电容值等于电荷量和电压的比值,即C = Q / V。
三、应用题请根据以下场景回答问题。
6. 小明需要设计一个音响系统,要求能够放大输入信号并产生清晰的音乐声音。
请问他应该选用哪种电路?答案:小明应该选用晶体管放大电路。
晶体管具有放大信号的功能,可以将输入的音频信号放大并输出。
7. 小红正在制作一个电子钟,需要将交流电信号转化为直流电信号来驱动指针的运动。
请问她应该使用哪种电路?答案:小红应该使用电容滤波电路。
这种电路可以将交流信号转化为直流信号,并提供稳定的电源给电子钟的驱动系统。
总结:本文对模电工作考试题及答案进行了分析和解析。
通过选择题、分析题和应用题的讨论,我们对模拟电子电路的基本知识有了更深入的了解。
希望这些内容能够帮助读者更好地理解和应用模拟电子电路的知识。
模电作业及答案
作业及答案第一章1、什么是P 型半导体、N 型半导体、PN 结?P 型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P 型半导体,亦可称为空穴型半导体。
主要靠空穴导电。
N 型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成N 型半导体,亦可称为电子型半导体。
主要靠自由电子导电PN 结:采用不同的掺杂工艺,将P 型半导体与N 型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成PN 结。
PN 结具有单向导电性。
2、简述PN 结的单向导电性。
在PN 结上外加一电压,如果P 型一边接正极,N 型一边接负极,电流便从P 型一边流向N 型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过,即PN 结外加正向电压时处于导通状态。
如果N 型一边接外加电压的正极,P 型一边接负极,则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过,即PN 结外加反向电压时处于截止状态。
这就是PN 结的单向导电性。
3、简述PN 结的伏安特性。
如左图所示,当PN 结外加正向电压,电流i 随电压u按指数规律变化;当PN 结外加反向电压,首先没有电流流过,但当反向电压增大到一定程度时,反向电流将急剧增加,将PN 结反向击穿。
P. 67四、已知稳压管的稳压值6V Z U =,稳定电流的最小值min 5mA Z I =。
求图T1.4所示电路中1o U 和2o U 各为多少伏。
解:(a) 1316V 2=1086(500102)6L o DZ L o R K U U V V U V R R K U V-Ω∴⨯=⨯=>=+⨯+Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时,稳压管输出电压才为:(b) 226V 5=105(55)5L o L o R K U U V V R R K U VΩ∴⨯=⨯=++Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时,稳压管输出电压才为:P. 69-70: 1.3,1.61.3 电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。
《模电》经典题目-含答案
《模电》经典题目-含答案《模电》经典题目-含答案模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三及其参考答案试卷三一、选择题(这是四选一的选择题,选择一个正确的答案填在括号内)(共16分)1.有两个增益相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的()a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2.共模抑制比K CMR越大,表明电路()。
a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带()。
a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4.一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为()。
b. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55.LC 正弦波振荡电路如图1-5所示,该电路()。
a. 满足振荡条件,能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络,不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡6.双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时,V o =V c1-V c 2=0,设差模电压增益100vd=A &,共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c===V A V ,则输出电压oV 为()。
a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77.对于图1-7所示的复合管,假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流,则复合管的穿透电流CEOI 为()。
CEO I I = b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I = d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++= 8.某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选()。
模电作业答案 (1)
第1章半导体二极管及其应用电路1.二极管电路如图1所示,设二极管是理想的。
试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出A、O两端电压U AO。
(a) (b)图1解:图a:对D1有阳极电位为0V,阴极电位为-12 V,故D1导通,此后使D2的阴极电位为0V,而其阳极为-15 V,故D2反偏截止,U AO=0 V。
图b:对D1有阳极电位为12 V,阴极电位为0 V,对D2有阳极电位为12 V,阴极电位为-6V.故D2更易导通,此后使V A=-6V;D1反偏而截止,故U AO=-6V。
2.电路如图2所示,设二极管为理想的,输入电压为正弦波,试分别画出各图输出电压的波形。
(a) (b)图2解:图(a):图(b):第2章 半导体三极管及其放大电路7.电路如图5(a)所示,晶体管的β=80,r bb '=100Ω。
(1)分别计算R L =∞和R L =3k Ω时的Q 点,A us ,R i 和R o 。
(2)由于电路参数不同,在信号源电压为正弦波时,测得输出波形如图4(b )、(c )、(d )所示,试说明电路分别产生了什么失真,如何消除。
(3)若由PNP 型管组成的共射电路中,输出电压波形如图4(b )、(c )、(d )所示,则分别产生了什么失真?(a)(b) (c)(d)图5解(1)在空载和带负载情况下,电路的静态电流、r be 均相等,它们分别为Ω≈++=≈=≈--=k 3.1mV26)1(mA76.1 Aμ 22EQbb'be BQ CQ BEQ bBEQCC BQ I r r I I R U R U V I sββ空载时,静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为Ω==-≈⋅+≈Ω≈≈=-≈-=≈-=k 593k 3.1308V 2.6 c o bes bebebe b i becc CQ CC CEQ R R A r R r A r r R R r R A R I V U uusu∥β R L =5k Ω时,静态管压降、电压放大倍数分别为LCQ cCEQR V I R U V CCCC =--∵∴V 3.2)(L c CQ Lc L CEQ ≈-+=R R I R R V R U CC∥47115 bes bebe 'L -≈⋅+≈-≈-=uusuA r R r A r R A βΩ==Ω≈≈=k 5k 3.1c o be be b i R R r r R R ∥(2)(a )饱和失真,增大R b ,减小R c 。
模电习题及答案
一、填空题1. 半导体导电时有和两种载流子共同参与导电,其中带正电,而带负电。
2. 测得某放大电路中一晶体三极管各电极直流电位V1=12V,V2=8V,V3=7.3V,则该三极管的基极电位等于,由材料制成,管型为。
3.双极型三极管是控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加偏置,集电结需要加偏置。
4.根据反馈信号在输出端的取样方式不同,可分为反馈和反馈,根据反馈信号和输入信号在输入端的比较方式不同,可分为反馈和反馈。
6. 正弦波振荡电路的振幅平衡条件是__ _____,相位平衡条件是________ _。
7. 电压负反馈可稳定输出,串联负反馈可使提高。
8. 在运算电路中,运算放大器工作在区;在滞回比较器中,运算放大器工作在区。
二、选择题1.晶体三极管最突出的缺点是()。
A.输入电阻小B.温度稳定性差C.放大倍数小D.易产生失真2.放大电路静态工作点过低容易产生__________失真A.交越B.饱和C.截止D.频率3.某深度负反馈电路,反馈深度AF1 =100,未接负反馈时,放大电路的开环增益为104,则该反馈电路的闭环增益为( )。
A.103B.104C.102D.105 4.下边哪一项不属于多级直接耦合放大电路的优点()。
A.既能放大直流信号,也能放大交流信号B.不会产生零点漂移C.低频响应好D.便于集成化5.差动放大器抑制零点漂移的效果主要取决于( )A.两个三极管的放大倍数B.两个三极管及偏置电阻参数的对称程度C.每个三极管的穿透电流的大小D.两个集电极电阻6.若想把正弦信号转换成方波,可采用以下哪种电路()。
A.微分运算电路B.滞回比较器C.过零比较器D.积分运算电路7.稳压管的稳压作用是利用其什么特性实现的( )A.PN 结的反向截止特性B.PN 结的正向导通特性C.PN 结的反向击穿特性D.PN 结的单向导电性8.下列关于电流串联负反馈不正确的说法是:()A.反馈取样量是电压B.输入量与反馈量在输入端串联C.可提高放大电路的输出电阻D.可以提高放大电路输入电阻9.下面那一项不是对功率放大电路的基本要求()。
模电习题(含答案)
1. _非常纯净的单晶体结构的半导体_ 称本征半导体。
2. 杂质半导体分_N _型半导体和_P _型半导体,前者中多数载流子是_自由电子_,少数载流子是_空穴_,后者中多数载流子是_空穴_,少数载流子是_自由电子_。
3. 本征硅中若掺入5价元素的元素,则多数载流子应是_自由电子_,掺杂越多,则其数量一定越_多_,相反,少数载流子应是_空穴_,掺杂越多, 则其数量一定越_少_。
4. P 区侧应带_负电_,N 曲一侧应带_正电_。
空间电荷区内的电场称为_内电场_,其方向从_N 区_指向_P 区_。
5. 在PN 结两侧外加直流电压,正端与P 区相连,负端与N 区相连,这种接法称之为PN 结的_正向_偏置。
6. 半导体三极管的输入特性曲线与二极管的正向特性相似,而输出特性曲线可以划分为三个工作区域,它们是_截止_区、_饱和_区和_放大_区。
7. 温度变化对半导体三极管的参数有影响,当温度升高时,半导体三极管的β值_增大_,ICBO 值_增大_,UBE 值_减小_。
8. 半导体三极管能够放大信号,除了内部结构和工艺特点满足要求外,还必须具备的外部工作条件是_发射结正偏、集电结反偏_。
9. 工作在放大区的某晶体管,当IB 从20微安增大到40微安时,Ic 从2毫安变为4毫安,它的β值约为_100_。
10. 半导体三极管的三个极限参数是_CM I _、_CEO RB U )(_、_CM P _。
11. NPN 型硅三极管处于放大状态时,在三个电极电位中,其电位高低关系为_E B C U U U >>_;基极和发射极电位之差约等于_0.7V _ 。
12. 半导体三极管从结构上分可以分为_PNP _型和_NPN _型两大类,他们工作时有_自由电子_、_空穴_两种载流子参与导电。
13. 在用万用表测量二极管的过程中,如果测得二极管的正反向电阻都为0Ω,说明该二极管内部已_击穿_;如果所测得的正反向电阻都为无穷,说明该二极管已_断路损坏_。
模电题库及答案
模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题(满分100分)1.N型半导体带负电,P型半导体带正电。
()2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。
()3.PN结处于正向偏置时,正向电流小,电阻大,处于导通状态。
()4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时,反向电流剧增,二极管被击穿,就不能再使用了。
()5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。
()6.在本征半导体中,空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。
()7.晶体三极管的基极,集电极,发射极都不可互换使用。
()8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是:发射结正偏,集电结正偏。
()9.晶体三极管有三种工作状态,即:放大状态,饱和状态,导通状态。
()10.三极管是一种电压控制器件,场效应管是一种电流控制器件。
()11.温度升高后,在纯净的半导体中()。
A.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同B.空穴增多,自由电子数目不变C.自由电子增多,空穴不变D.自由电子和空穴数目都不变12.如果PN结反向电压的数值增大(小于击穿电压),则()。
A.阻当层不变,反向电流基本不变B.阻当层变厚,反向电流基本不变C.阻当层变窄,反向电流增大D.阻当层变厚,反向电流减小一、习题(满分100分)1.N型半导体()。
A.带正电B.带负电C.呈中性D.不确定2.如果二极管的正反向电阻都很大,则该二极管()。
A.正常B.断路C.被击穿D.短路3.对于晶体二极管,下列说法正确的是()。
A.正向偏置时导通,反向偏置时截止B.反向偏置时无电流流过二极管C.反向击穿后立即烧毁D.导通时可等效为一线性电阻4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图,那么,第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为()。
A.0.03mA 流出三极管e、c、bB.0.03mA 流进三极管e、c、bC.0.03mA 流出三极管c、e、bD.0.03mA 流进三极管c、e、b5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图,从而可判断该晶体管工作在()。
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解:U O1≈1.3V,U O2=0,U O3≈-1.3V,U O4≈2V,U O5≈1.3V,U O6≈-2V。
四、解:U O1=6V,U O2=5V。
五、解:u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解:u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解:1、当U I=10V时,若U O=U Z=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I =15V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V同理,当U I =35V 时,U O =U Z =6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解:波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ;硅,锗;电子和空穴。
模电参考答案(全4套)
参考答案(第1套)一、1.电流、正向、反向;电压。
2.线性、非线性。
3.共基、共射、共集。
4.差模、共模、ocodA A 。
5.低通、200、200。
6.乙类、0、LCC R V22、0.2。
二、2.放大状态。
4.电压-串联、增大、宽。
三、1.V U mA I AI CEQ CQ BQ 2.32.222==≈μ2.115//-=-=beLC ur R R A βΩ==Ω=≈=K R R k r r R R R C o be be b b i 33.1////21四、反馈组态为:电压-串联负反馈1211R R FA uf +== 五、该放大电路为共基接法,根据瞬时极性法可知引入了负反馈,不能振荡。
更正:将变压器副边的同名端标在“地”的位置即可。
六、 1.R R TH U U R R U 3221-=-=;=,=时,当;=,=-时,当V 4U V 6U 0V 4U V 6U 0TH R TH R -<>i i u u七、运放构成差动输入形式,反相端输入为U I ,同相端输入I IU U ~0='。
I I f I f I f o U U R R U R R U R R U ~)1(111-='++-=八、1.误差放大器的同相在下方、反相端在上方。
2.电路由四个部分构成:(1)由R 1、R 2和R W 构成的取样电路;(2)由运放构成负反馈误差放大器;(3)由R 和D W 构成基准电压电路;(4)由T1和T2复合管构成调整管。
3.V U R R R R R U R R R R U R R R R R U Z w wZ w Z w w o 10~15~221221221=+++++=+"++=参考答案(第2套)一、1. 反向击穿;2. 甲类、甲乙类、乙类、甲乙类; 3. 零点漂移;4. (串联负反馈)从C 到F ;(电压负反馈)从A 到E ; 5. 差放输入级、压放中间级、互补输出级、偏置电路; 6. (1)0.5; (2)5; (3)20; 二、1.W R VP L CC o 922max== LoMoM AV C R U I I πππ==⎰)(Sin ωinωt 21 W R VI V P LCC AV C CC V 46.11222)(===π %5.78max==Vo P P η W P P P P o V T T 23.1)(21max 21=-== 2.W P P o T 8.12.0max max == 三、1.10=umA 2.)101)(101(1010)1)(1()(5fj f j f jf f j f f j f fjA j A HL Lumu ++⋅=++= ω3.输出电压会失真。
(完整版)模电习题答案
3-11 放大电路如题 3-73 图所示,已知U CC管的 U be 0.7V ,β=60。
试求: 12V, R b 360k , R L R c 2k ,三极(1)计算静态工作点 ? (2)计算 A u 、 R i 和 R o(3)u i 的有效值为多大时输出电压将出现失真?首先出现什么失真? 解:(1)计算静态工作点,I BQUCC 0.7 12 0.70.03 mA , I CQ I BQ 60 0.03 mA 1.8mA R b 360kI EQ ( 1)I BQ 61 0.03 mA 1.83 mA U CEQ U CC I CQ R C 12 1.8mA 2k 8.4V ? (2)计算 A u 、 R i 和 R o共射放大电路 R i r be 200 (1 )26mV200 (160) 261.067 kIEQ1.83R o R C 2k?Au(R L // R ) 60 (2k//2k) 56.2rbe1.067k3-14 如题 3-75 图所示放大电路。
三极管的电流放大系数为 β=100,U BE =0.6V ,U CC =18V , R b1= 39 k Ω, R b2= 13 k Ω, R c = 2.4 k Ω,R e1=100 Ω,R e2= 1.1k Ω ,R s = 500 Ω,R L =2.4 k Ω, U sm =500 mV 。
求:①接上和断开电容 C E 两种情况下的静态工作点 I B 、I C 和U CE ;②接上 和断开电容 C E 时的电压放大倍数 A u 、输入电阻 R i 和输出电阻 R o ;③接上和断开电容 C E 时 的输出电压 U o 。
解:①求,接上和断开电容 C E 两种情况下的静态工作点 I B 、I C 和U CE由于接上和断开电容 C E 不会影响静态工作点 I B 、I C 和U CE ,设三极管的基极电位为 V B ,3)u i 的有效值为多大时输出电压将出现失真?首先出现什么失真? 由于静态工作点 U CEQ 比较靠近截止区, u o 幅度增大时,首先出现截止失真 i C1 1uCERL RL // R c(U CEQ ,I CQ ) 为 (8.4 V,1.8 mA ) ,在输出特性平面上,设交流负载线与另外因为交流负载线的斜率为RL1,而静态 Q 点1ku CE 轴的交点为UCE off ,则 U CE off U CEQ u CE 8.4V ( 1) (所 以 ,u o 幅 度 大 于 U CE off U CEQ 10.2 8.4 1.82 U o A u1.8 mA) 1k 1.8V ( 相 应 u o 的 有 效 值为UoU i10.2V1.27V ) 时 , u o 开 始 出 现 截 止 失真 , 此 时 , u i 的 有 效 值 1.270.02V 56.2则,U BRb1 Rb2U13kUccR cc39k 13k18 4.5 V ,而 U B 0.7 (R e1 R e2 ) I EQ所以, U B 0.7 4.50.73.17 mA , I BQIEQ0.031 mAI EQ EQ R e1 R e21.1k 0.1k1I CQ βI BQ 3.1 mA,U CEQ (UCC I CQ R C ) (R e1 R e2)I EQ (18 3.1mA 2.4k) .1k 0.1k) 3.17 mA 6.76Vc I cIb bI2②接上和断开电容 C E 时的电压放大倍数 Au 、输入电阻 R i 和输出电阻 R o rbe (ⅰ)接上电容 C E 时,交流小信号等效电路为: 其中,小信号等效模型的参数(1 ) 26mV200 IEQ 200(1 100) 263.17 U s b21.03kR iAu Uo( I b )(R C //R L ) (R C //R L ) I b r be (R iRo Ui R b1 // Rb2//(r be ( R C 2.4k1)I b R e 11)R e1)ⅱ)断开电容 C E 时, r be (1)R e1 39 k//13k//(1.03 U?+U beIeR e1题3-20 图 微变等效电路100 (2.4//2.4) 10.781.03 (100 1) 0.1 k (100 1) 0.1k) 5.2kc + R sR LU i Rb1 Rb2 R o+?UI 2 交流小信号等效电路为: I i I 1 Ri题3-20图 中 C 开E 路时的等效电路 Ib b Ic+ U ?s类似前面,断开电容 C E 时, (R C // R L ) R e2) A ur be ( 1)(R e1 R i R b1 // R b2 //[ r be100(2.4//2.4)0.98 1.03 (100 1) (1.1 0.1) ( 1)(R e1 R e2)] RLRcU oR o39 k//13 k//(1.03 k R o R C 2.4k (100 1) (1.1k 0.1 k))9.03k③接上和断开电容 C E 时的输出电压 ⅰ)接上电容 C E 时, Aus U o R i iA u R i Rs 5.25.25.20.5 ( 10.78) 9.83而 A us Uo ,所以, uo 的有效值 U oUs U sA us 0.5V 9.83 4.92 V?R 9.03(ⅱ)断开电容 C E 时, A us RiA u 9.03( 0.98) 0.93 us R i R s u9.03 0.5 同理, u o 的有效值 U o U s A us 0.5V 0.93 0.465 V 3-16 在题 3-77 图所示放大电路中,已知 U CC =20V ,R b =470k Ω,R e =4.7 k Ω, R L = 4.7 k Ω, 三极管 β=100,静态时 UCE =10V 。
模电作业及答案分析
作业及答案第一章1、什么是P 型半导体、N 型半导体、PN 结?P 型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P 型半导体,亦可称为空穴型半导体。
主要靠空穴导电。
N 型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成N 型半导体,亦可称为电子型半导体。
主要靠自由电子导电PN 结:采用不同的掺杂工艺,将P 型半导体与N 型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成PN 结。
PN 结具有单向导电性。
2、简述PN 结的单向导电性。
在PN 结上外加一电压,如果P 型一边接正极,N 型一边接负极,电流便从P 型一边流向N 型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过,即PN 结外加正向电压时处于导通状态。
如果N 型一边接外加电压的正极,P 型一边接负极,则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过,即PN 结外加反向电压时处于截止状态。
这就是PN 结的单向导电性。
3、简述PN 结的伏安特性。
如左图所示,当PN 结外加正向电压,电流i 随电压u按指数规律变化;当PN 结外加反向电压,首先没有电流流过,但当反向电压增大到一定程度时,反向电流将急剧增加,将PN 结反向击穿。
P. 67四、已知稳压管的稳压值6V Z U =,稳定电流的最小值min 5mA Z I =。
求图T1.4所示电路中1o U 和2o U 各为多少伏。
解:(a) 1316V 2=1086(500102)6L o DZ L o R K U U V V U V R R K U V-Ω∴⨯=⨯=>=+⨯+Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时,稳压管输出电压才为:(b) 226V 5=105(55)5L o L o R K U U V V R R K U VΩ∴⨯=⨯=++Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时,稳压管输出电压才为:P. 69-70: 1.3,1.61.3 电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。
模电试题含答案
试题一一、选择题:(每小题2分,共24分)(1)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( B )。
A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏(2)N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( C )。
A.电子B.三价硼元素 C .五价磷元素(3)为了减小零点漂移,通用型运放的输入级大多采用( C )。
A.共射电路B.乙类放大电路 C .差动放大电路 (4)高通滤波电路可以用于( A )。
A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号C. 让低于某一频率的有用信号通过(5)长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是( C )。
A.采用了双极型电源B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈(6)、电路如图所示,其输出电压u O 等于( B )。
A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u +(7)当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降( A )。
A .3dB B.4dB C.5dB(8)( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。
A .同相比例B .微分C .同相求和(9)PN 结加正向电压时,空间电荷区将( A )。
A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽(10)OCL 功率放大电路如图所示,当u i 为正半周时,则( A )。
A. T1导通T2截止B. T1截止T2导通C. T1,T2导通(11)整流的目的是( A )。
A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将正弦波变为方波(12)电路如图所示,二极管D为理想元件,输入信号u i为如图所示的三角波,则输出电压u o的最大值为( B )。
A. 5 VB. 7 VC. 2 V二、填空题:(总16 分,每空 2 分)(1)、一只晶体管在放大电路中,用万用表测出管脚对地电压分别是:A脚为12伏,B脚为11.7伏,C脚为6伏,则该管为PNP型锗管,A为e 极,B为 b 极,C为 c 极。
模拟电子技术习题及答案完整版本
习题88.1判断下列说法是否正确,用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。
(1)与分立元件比较,集成电路的主要优势是低成本和优良的性能。
()(2)集成放大器采用直接耦合的主要原因是集成电路技术很难制造大容量的耦合电容。
(3)直接耦合的主要缺点是零点漂移。
()(4)晶体管的参数受温度的影响,但不影响零点漂移。
()(5)零点漂移受电源电压变化、器件参数老化和温度变化的影响。
()(6)在集成电路中元件的对称性差。
()(1)集成放大器主要有由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路组成。
()答:(1)√(2)√(3)√(4)×(5)√(6)×(7)√8.2选择合适答案填入空内。
(1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为。
A.可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容(2)通用型集成运放适用于放大。
A.高频信号 B. 低频信号C. 任何频率信号(3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的。
A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C.参数一致性好(4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。
A.减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻(5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用。
A.共射放大电路 B. 共集放大电路C.共基放大电路答:(1)C (2)B (3)C (4)A (5)A8.3 电路如题图8.3所示,已知β1=β2=β3=100。
各管的V B E均为0.7V,试求I C2的值。
题图8.3解:分析估算如下: 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAC2E2C11C1C0C2C0C22C2222(2)111111()2210022B R R I I I I I I I I I I I I A ββββββββββββββμββ++==+===+++++=+=+++==++8.4 多路电流源电路题图8.4所示,已知所有晶体管的特性均相同,V B E 均为0.7V ,β0=β1=β2=β3=100。
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作业及答案第一章1、什么是P 型半导体、N 型半导体、PN 结?P 型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P 型半导体,亦可称为空穴型半导体。
主要靠空穴导电。
N 型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成N 型半导体,亦可称为电子型半导体。
主要靠自由电子导电PN 结:采用不同的掺杂工艺,将P 型半导体与N 型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成PN 结。
PN 结具有单向导电性。
2、简述PN 结的单向导电性。
在PN 结上外加一电压,如果P 型一边接正极,N 型一边接负极,电流便从P 型一边流向N 型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过,即PN 结外加正向电压时处于导通状态。
如果N 型一边接外加电压的正极,P 型一边接负极,则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过,即PN 结外加反向电压时处于截止状态。
这就是PN 结的单向导电性。
3、简述PN 结的伏安特性。
如左图所示,当PN 结外加正向电压,电流i 随电压u按指数规律变化;当PN 结外加反向电压,首先没有电流流过,但当反向电压增大到一定程度时,反向电流将急剧增加,将PN 结反向击穿。
P. 67四、已知稳压管的稳压值6V Z U =,稳定电流的最小值min 5mA Z I =。
求图T1.4所示电路中1o U 和2o U 各为多少伏。
解:(a) 1316V 2=1086(500102)6L o DZ L o R K U U V V U V R R K U V-Ω∴⨯=⨯=>=+⨯+Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时,稳压管输出电压才为:(b) 226V 5=105(55)5L o L o R K U U V V R R K U VΩ∴⨯=⨯=++Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时,稳压管输出电压才为:P. 69-70: 1.3,1.61.3 电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6Z U V =,最小稳定电流min 5Z I mA =,最大稳定电流max 25Z I mA =。
(1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值;(2)若35I U V =时负载开路,则会出现什么现象? 为什么?解: 图Pl.6 (1)只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时,输出电压才为6V 。
∴V U I 10=时,V U R R R U I L LO 3.3=+=;V U I 15=时,5LO I LR U U V R R ==+;V U I 35=时,11.7LO I Z LR U U V U R R =≈>+,∴V U U Z O 6==。
(2)当负载开路时,mA I mA RU U I Z ZI Z 2529max =>=-=,故稳压管将因功耗过大而烧毁。
P. 70: 1.8, 1.9, 1.10。
1.8 现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。
分别求另一电极的电流,标出其方向,并在圆圈中画出管子,且分别求出它们的电流放大系数β。
(a) (b)图Pl.8解:由于晶体管的集电极电流与发射极电流近似相等,而图中两只管子的两个已知电流相差悬殊,故它们中的小者为基极电流,大者为集电极电流或发射极电流。
根据图(a)所示晶体管的基极电流(10uA)流入管子,所以它是NPN 型管;根据图(b)所示晶体管的基极电流(100uA)流出管子,所以它是PNP 型管。
其晶体管如下图所示:(a) (b)放大倍数分别为311001010a mAmAβ-==⨯355010010b mAmAβ-==⨯1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。
在圆圈中画出管子,并说明它们是硅管还是锗管。
图P1.9解:因为六只晶体管均在放大电路中,通常工作在放大状态,所以直流电位相近的两个极分别为发射极和基极,另一极为集电极;若集电极电位最高,则为NPN 型管,电位最低的为发射极,电位居中的是基极;若集电极电位最低,则为PNP 型管,电位最高的为发射极,电位居中的为基极。
如果b-e 间电压在0.1~0.3V 之间,则为锗(Ge)管;如果b-e 间电压在0.6~0.8V 之间,则为硅(Si)管。
如解图1.9。
解图1.91.10电路如图P1.10所示,晶体管导通时0.7BE U V =,β=50。
试分析BB V 为0V 、1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压O u 的值。
解:(1)当0BB V =时,BE on U U <,T 截止,12O u V =。
(2)当1BB V V =时,因为60BB BEB bV U I A R μ-==图P1.103C B I I mA β==9O CC C c u V I R V =-=所以T 处于放大状态。
(3)当3BB V V =时,因为460BB BEB bV U I A R μ-== 23110.7C B o CC C c BE I I mAu V I R V U Vβ===-=-<=所以T 处于饱和状态。
第二章1、 画出晶体管单管放大电路的三种基本接法电路、直流输入回路、交流输入回路,写出其动态特性参数:Au 、Ri 、Ro 。
解:(1) 基本共射放大电路:VcCC(a)基本共射放大电路 (b)直流输入回路 (c)交流输入回路基本共射放大电路的动态特性参数:o ci b beii b be io cU R U R r U R R r I R R β+==+=电压放大倍数:输入电阻:输出电阻:Au==-(2) 基本共集放大电路:Vcc(a)(b)eCC(c)(a)基本共集放大电路 (b)直流输入回路 (c)交流输入回路基本共集放大电路的动态特性参数:(1)(1)(1)()||=1(1)o ei b be eii b be eib be e b be o e b be eU R U R r R U R R r R I R r R R r R R R r R βββββ++++==+++++=++++电压放大倍数:输入电阻:输出电阻:Au==(3) 基本共基放大电路:V (a)(c)(a)基本共基放大电路 (b)直流输入回路 (c)交流输入回路基本共基放大电路的动态特性参数:(1)1o ci be ei be i e i o cU R U r R U r R R I R R βββ++==++=电压放大倍数:输入电阻:输出电阻:Au==2、说明晶体管单管放大电路的三种接法的特点。
(1)共射电路既能放大电流又能放大电压,输入电阻居三种电路之中,输出电阻较大,频带较窄。
(2)共集电路只能放大电流不能放大电压,是三种接法中输入电阻最大、输出电阻最小的电路,并且具有电压跟随的特性。
(3)共基电路只能放大电压不能放大电流,输入电阻小,电压放大倍数、输出电阻和共射电路相当,是三种接法中高频特性最好的电路。
P.138:习题:2.1、2.22.1分别改正图P2.1所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法。
(a)(b)(c) (d)图P2.1解:(a)将-V CC改为+V CC。
(b)在+V CC与基极之间加R b。
(c)将V BB反接,且在输入端串联一个电阻或一个电容。
(d)在V BB支路加R b,电容极性左边为“+”,在-V CC与集电极之间加R c。
2.2画出图P2.2所示各电路的直流通路和交流通路。
设所有电容对交流信号均可视为短路。
(a)(b)(c) (d)图P2.2解:图P2.2所示各电路的直流通路如解图P2.2.1所示:CC(a)CC(b)(d)解图P2.2.1图P2.2所示各电路的交流通路如解图P2.2.2所示:(a) (b)(c) (d)解图P2.2.2第三章1、画出4种耦合放大电路图,描述其特点。
解:4种常见的耦合方式:直接耦合、阻容耦合、变压器耦合、光电耦合。
(1) 直接耦合放大电路:CC特点:具有良好的低频特性,可以放大变化缓慢的信号,并且易于将全部电路集成在一片硅片上,构成集成放大电路。
但其静态工作点相互影响,会给电路的分析、设计和调试带来一定的困难。
(2) 阻容耦合放大电路:CC特点:电路的分析、设计和调试简单易行,并且只要输入信号频率较高,耦合电容容量较大,前级的输出信号就可以几乎没有衰减地传递到后级的输入端。
但其低频特性差,不能放大变化缓慢的信号,而且不便于集成化。
(3) 变压器耦合共射放大电路:L特点:它的各级放大电路的静态工作点相互独立,便于分析、设计和调试,但其低频特性差,不能放大变化缓慢的信号,且笨重,更不能集成化,但是可以实现阻抗变换。
(4) 光电耦合放大电路:特点:抗干扰能力强,且具有较强的放大能力。
2、简述3种抑制温漂的措施,画出其电路图。
(1) 在电路中引入直流负反馈,其电路图如下:V(2) 采用温度补偿的方式,利用热敏元件来抵消放大管的变化,其电路图(利用二极管的反向如下所示:特性进行温度补偿)(3) 采用特性相同的管子,使它们的温漂相互抵消,构成“差分放大电路”,其电路图如下所示:BB第四章1、简述集成运放的种类。
按供电方式可分为双电源供电和单电源供电,其中双电源供电又可分为正、负电源对称型和不对称型供电;按集成度可分为单运放、双运放和四运放;按制造工艺可分为双极型、CMOS型和BiMOS型;按工作原理可分为电压放大型、电流放大型、跨导型和互阻型;按可控性可分为可变增益运放和选通控制运放;按性能指标可分为通用型和特殊型,其中特殊型包含高阻型、高速型、高精度型、低功耗型、高压型和大功率型等。
2、简述如何选择集成运放。
集成运放的选择要求:(1) 信号源的性质。
根据信号源是电压源还是电流源,内阻大小、输入信号的幅值及频率的变化范围等来选择运放的参数;(2) 负载的性质。
根据负载电阻的大小,确定所需运放的输出电压和输出电流的幅值;(3) 精度要求。
对信号的处理往往会提出精度要求,根据这些要求选择运放的参数;(4) 环境条件。
3、集成运放的正确使用有哪些?并画出保护措施的电路图。
(1)使用集成运放时必做的工作:①使用运放前必须查阅相关手册,辨认管脚,以便正确连线;②使用运放前往往要用简易测试法判断其好坏,必要时还可采用测试设备量测运放的主要参数;③对于内部无自动稳零措施的运放需外加调零电路,使之在零输入时输出为零;④消除自激振荡。