AO3401尺寸
电子厂元器件基础认知
电子厂电子元器件基础认知一、电阻器：（单位换算、功率大小辨别、色标法计算阻值与误差。
）1.碳膜电阻器2.金属膜电阻器3.线绕电阻器4.氧化膜电阻器5.压敏电阻器6.热敏电阻器7.湿敏电阻器8.水泥电阻器a.电阻器：在电路图中用字母R表示，单位为欧姆，单位符号用Ω表示。
欧姆是德国物理学家，电阻的国际单位制“欧姆”以他的名字命名。
b.电阻单位换算：常用的电阻单位有毫欧(mΩ)、欧姆(Ω)、千欧(KΩ)、兆欧(MΩ)，换算进率为1000。
1000毫欧(mΩ)=1欧姆(Ω)=0.001千欧(KΩ)=0.000001兆欧(MΩ)c.额定功率：规定环境温度下，常见允许消耗功率有1/16W 、 1/8W 、 1/4W 、 1/2W 、 1W 、 2W 、 5W 、10W。
d.色环电阻器电阻值色标法识别：a.国内贴片电阻的命名方法：1、5%精度的命名：RS-05K102JT2、1%精度的命名：RS-05K1002FTR －表示电阻S －表示功率：05 －表示尺寸(英寸)：02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1812表示1812、10表示2010、12表示2512。
K －表示温度系数为100PPM。
102－5%精度阻值表示法：前两位为有效数字，第三位表示有多少零，单位Ω，102=1000Ω=1KΩ。
1002－1%精度阻值表示法：前三位为有效数字，第四位表示有多少零，单位Ω，1002=10000Ω=10KΩ。
J －表示精度为5%F －表示精度为1%T －表示编带包装b.误差精度：贴片电阻阻值误差精度有±1%、±2%、±5%、±10%精度，常规用的最多的是±1%和±5%，±5%精度的常规是用三位数来表示，例512，前面两位是有效数字，第三位数2表示有多少个零，单位Ω,这样就是5100Ω=5.1KΩ。
欧师傅、优耐美、谢兰系列微型机床标书参数
欧师傅、优耐美、谢兰系列微型机床标书参数图片名称参数欧师傅砂带机OSF-A20 特点：砂带工作台可调整至90度垂直方向；双工作台设计空载转速（砂带）：7.6m/s(砂盘)：2400RPM砂带尺寸：100 X 914mm砂盘直径：152mm工作台尺寸：158 X 225mm工作台倾斜范围：0º -45º电压：220V，50Hz欧师傅线锯床OSF-S10 特点：工作台可调整角度；工作速度可调；安全防护设计电机功率：90W，230V/50Hz主轴转速：400~1600RPM工作台尺寸：380X250mm工作台倾斜范围：-15~45度最大切削高度：50mm；最大切割宽度：406mm锯片尺寸：133 X 2.6 X 0.25mm欧师傅砂轮机OSF-A10 特点：可进行刀具研磨电压：220V频率：50Hz空载转速：2850RPM 电机功率：1/3HP砂轮外径：125mm厚度；16mm孔径：13mm欧师傅台钻OSF-D10 最大钻孔直径：13mm工作台尺寸：160 X 160mm 立柱直径：Φ46mm底座尺寸：314 X 200 mm电机功率：350W，230V/50Hz 空载速度：580~2650RPM调速档位：5 speeds欧师傅带锯OSF-S20 特点：工作台可调整角度线速度：14.5m/s功率：250W最大切削厚度：40mm最大切削宽度：150mm工作台可调角度：0~45度工作台尺寸：240 X 200mm 锯片尺寸：1085 X 3.5mm欧师傅木工车床OSF-L10 特点：操作灵活、简便；带有低压释放的人性化IP54安全开关最大工件加工长度：330mm最大工件加工直径：250mm功率：350W空载转速：500~3500RPM欧师傅小型车床OSF-L20 特点：可以自动走刀；安全保护装置马达转速：150-3000RPM功率：350W最大工件加工长度：250mm床身最大工件回转直径：140mm主轴孔径：11mm主轴锥度；MT1尾架套筒锥度：MT1净重：19kg包装箱尺寸：450 X 370 X 250mm欧师傅小型钻铣床OSF-M10 最大钻孔直径：16mm最大铣削能力（平铣）：50mm最大铣削能力（立铣）：16mmX轴行程：220mmY轴行程：160mmZ轴行程：210mm主轴锥度；MT2/M10主轴转速：100-3000RPM主轴手动升降行程：175mm工作台尺寸：400 X 120mmT型槽尺寸/长度/数量：10mm/35mm/3 电机功率：500W/ 230V/50Hz净重：60kg包装箱尺寸：510 X 450 X 760mm欧师傅线锯床OSF-S30 特点：安全/强力工作模式切换，特有供风集尘系统，工作台快速装卸，无级调速一体式旋钮，适用多种锯条；安全防护设计电机功率：DC24V 60W，AC 230V/50Hz 主轴转速：500~1650RPM工作台尺寸：220X220mm最大加工高度：60mm；最大加工吼深：240mm锯条尺寸：133 X 2.6 X 0.25mm优耐美锯床UJS-001 特点：特殊安全设计，只锯材料不锯手；直线、曲线任意切割锯条冲程：4mm(不伤手)台面尺寸：90×90mm马达：直流12V，2A；功率：24W转速：12000RPM变压器：输入A.C.220-240V 50-60Hz输出直流12V，12A内附过温自动保护装置。
TTP223-BA6通泰单按键触摸芯片奥伟斯为您提供原装正品
TTP233D-BA6单按键触摸检测芯片TTP233D-HA6单按键触摸检测芯片TTP233D-RB6通泰触控芯片TWS蓝牙耳机触控设计方案TTP233D-SB6通泰触控芯片TWS蓝牙耳机触控设计方案TTP233D-BA6是触摸键检测IC，提供1个触摸键。
触摸检测IC 是为了用可变面积的键取代传统的按钮键而设计的。
低功耗和宽工作电压是触摸键的DC和AC特点。
TTP233D-BA6特点1、工作电压 2.0V~5.5V2、工作电流 @VDD=3V，无负载，低功耗模式下典型值1.5uA，最大值3.0uA快速模式下典型值3.5uA，最大值7.0uA3、最长响应时间大约为快速模式下60mS，低功耗模式下220mS @VDD=3V4、灵敏度可由外部电容(0~50pF)调节5、人体触摸检测稳定，可取代传统的直接的开关键6、由选择管脚（TOG管脚）提供直接模式、触发模式的选择Q管脚为CMOS输出7、各输出模式都可通过选择管脚（AHLB管脚）选择高电平或者低电平有效8、上电之后需要约0.5sec的稳定时间，此时间段内不要对键进行触摸，此时所有功能都被禁止9、始终进行自校准当键没被触摸时，重校准周期约为4.0sec深圳市奥伟斯科技有限公司是一家专注触摸芯片,单片机,电源管理芯片,语音芯片,场效应管,显示驱动芯片,网络接收芯片,运算放大器,红外线接收头及其它半导体产品的研发,代理销售推广的高新技术企业。
自成立以来一直致力于新半导体产品在国内的推广与销售,年销售额超过壹亿人民币，是一家具有综合竞争优势的专业电子元器件代理商。
主要品牌产品:一、OWEIS-TECH：OWEIS 触摸芯片、 OWEIS 接口芯片、 OWEIS 电源芯片、 OWEIS 语音芯片、 OWEIS 场效应管一、电容式触摸芯片、ADSEMI 触摸芯片代理、芯邦科技触控芯片、万代科技触摸按键芯片、博晶微触摸控制芯片、海栎创触摸感应芯片、启攀微触摸、 IC 融和微触摸感应、IC 合泰触摸按键、IC 通泰触摸芯片二、汽车电子/电源管理/接口芯片/逻辑芯片:IKSEMICON 一级代理、 ILN2003ADT、IK62783DT、 IL2596、IL2576 、ILX485、 ILX3485、 ILX232 、ILX3232三、功率器件/接收头/光电开关:KODENSHI、 AUK、 SMK系列、 MOS管、SMK0260F、 SMK0460F、SMK0760F、 SMK1260F、 SMK1820F、 SMK18T50F四、LED 显示驱动芯片:中微爱芯 AIP 系列： AIP1668、 AIP1628 、AIP1629 、AIP1616 、天微电子 TM 系列： TM1628 TM1668 TM1621五、电源管理芯片:Power Integrations LNK364PN LNK564PN 芯朋微 PN8012 PN8015 AP5054 AP5056 力生美晶源微友达天钰电子FR9886 FR9888六、语音芯片:APLUS 巨华电子AP23085 AP23170 AP23341 AP23682 AP89085 AP89170 AP89341 AP89341K AP89682七、运算放大器:3PEAK 运算放大器、聚洵运算放大器、圣邦微运算放大器八八、发光二极管:OSRAM 欧司朗发光二极管、Lite-On 光宝发光二极管、Everlight 亿光发光二极管、 Kingbright 今台发光二极管九、CAN收发器:NXP恩智浦CAN收发器、Microchip微芯CAN收发器十、分销产品线:ONSEMI安森美 TI德州仪器 ADI TOSHIBA东芝 AVAGO安华高十一、 MCU单片机ABOV现代单片机MC96F系列、 Microchip微芯单片机PIC12F PIC16F PIC18F系列、 FUJITSU富仕通单片机MB95F系列、STM单片机STM32F STM32L系列、 CKS中科芯单片机CKS32F系列、TI单片机 MSP430系列、TMS320F系列、 NXP单片机LPC系列下面，奥伟斯主要给大家详细介绍通泰单按键触摸芯片TTP223-BA6的相关产品信息：应用1、广泛消费性产品2、防水电器3、按钮键取代品方块图管脚定义电气特性最大绝对额定值DC / AC 特性：（测试条件为室温 = 25 ℃）、功能定义1. 灵敏度调节PCB上电极（electrode）面积和连线电容的总负载会影响到灵敏度。
美标欧标衣服尺码对照表
女装外套尺码表
美标号型 身高/腰围(厘米) 胸围(厘米) 腰围(厘米) 肩宽(厘米) 袖长(厘米)
XS
150/76
89/96
71/79 38.5-41 57-58.5
S
155/80
93/100
75/83 39.5-41.5 58-59.5
M
160/84
97/104
79/87 40.5-42 59.5-61
59
L
170-175/88-102 41-42
50-51.2 118-122
60
XL 175-180/102-108 42-45 51.2-53.6 122-130
62
XXL 180-195/108-114 46-49 54.8-58.4 134-146
64
男士衬衣尺码表
美标号型 身高/腰围(厘米) 领围(厘米) 胸围(厘米) 袖长(厘米) 肩宽(厘米)
53.5 55.5 56.5 57 57.5
在那段时候手指尺码是最大的； 2、不要在双手感觉冰冷时进行量度； 3、如穿戴设计较阔的指环，戒围应比正 常尺码大多一号； 4、本表数值系以国际为主，内围直径系 以戒指内圈为准。
58
59
61
62
63.5
64
66
122-130
61.5
49.6-51
XXL 180-195/108-114 45-47
130-136 61.5-62.5 51-53
男士裤类尺码表
美标号型
身高/腰围(厘 米)
胸围(厘米) 裤长(厘米)
S
160-165/70-74
2 尺 1 寸-2 尺 2 寸
107
AO3401MOS场效应管规格书
AO3401MOS场效应管规格书一、概述AO3401 是一款常用的增强型 N 沟道 MOS 场效应管，在电子电路中有着广泛的应用。
它具有低导通电阻、高开关速度和良好的稳定性等特点，适用于各种电源管理、功率放大和开关控制等领域。
二、主要特点1、低导通电阻AO3401 的导通电阻通常在几十毫欧级别，这有助于降低电路中的功率损耗，提高系统效率。
2、高开关速度能够快速地在导通和截止状态之间切换，满足高频应用的需求。
3、输入阻抗高输入阻抗极高，几乎不需要驱动电流，从而降低了对驱动电路的要求。
4、良好的温度特性在较宽的温度范围内，其性能保持稳定，确保了电路在不同环境条件下的可靠运行。
三、电气参数AO3401 的最大漏源极电压通常为 30V，这意味着在实际应用中，施加在漏极和源极之间的电压不能超过 30V，否则可能会导致器件损坏。
2、栅源极电压（VGS）最大栅源极电压一般为±20V，使用时需要注意不要超过这个范围，以保护器件的栅极。
3、连续漏极电流（ID）在常温下，连续漏极电流可以达到 42A 左右，这表示该场效应管能够持续通过的最大电流值。
4、脉冲漏极电流（IDM）脉冲漏极电流则更高，通常能达到 15A 左右，适用于短时间的大电流脉冲应用。
5、导通电阻（RDS(on)）典型的导通电阻在几十毫欧，具体数值会因工作条件和批次而有所差异。
四、封装与引脚功能AO3401 常见的封装形式有 SOT-23 等。
以 SOT-23 封装为例，其引脚功能如下：2、引脚 2：栅极（G）3、引脚 3：漏极（D）五、应用领域1、电源管理在 DCDC 转换器、线性稳压器等电源电路中，AO3401 可作为开关管，实现电源的高效转换和调节。
2、电机驱动用于控制电机的转速和方向，如小型直流电机的驱动电路。
3、照明控制在 LED 照明电路中，可作为调光或开关元件，实现对灯光亮度的调节和控制。
4、音频放大在一些音频功率放大器中，作为输出级的开关器件，提高放大器的效率和性能。
AO3401A SOT-23-3L PMOS Vds-30V 规格书AO推荐
Symbolt ≤ 10s Steady-State Steady-StateR θJL°C/W R θJA 7010090°CThermal CharacteristicsUnits ParameterTyp Max V Units V AW Maximum Junction-to-Lead°C/W°C/W Maximum Junction-to-Ambient A D 6312580Maximum Junction-to-Ambient ASymbolMin Typ Max Units BV DSS -30VV DS =-30V, V GS =0V-1T J =55°C-5I GSS ±100nA V GS(th)Gate Threshold Voltage -0.5-0.9-1.3V I D(ON)-27A 4150T J =125°C62754760m Ω6085m Ωg FS 17S V SD -0.7-1V I S-2A C iss 645pF C oss 80pF C rss 55pFR g47.812ΩQ g (10V)14nC Q g (4.5V)7nC Q gs 1.5nC Q gd 2.5nC t D(on) 6.5ns t r 3.5ns t D(off)41ns t f 9ns t rr 11nsQ rr3.5nCTHIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.Body Diode Reverse Recovery Charge I F =-4.0A, dI/dt=100A/µsMaximum Body-Diode Continuous CurrentInput Capacitance Output CapacitanceTurn-On DelayTime DYNAMIC PARAMETERSTurn-On Rise Time Turn-Off DelayTime V GS =-10V, V DS =-15V, R L =3.75Ω,R GEN =3ΩGate resistanceV GS =0V, V DS =0V, f=1MHzTurn-Off Fall TimeTotal Gate Charge V GS =-10V, V DS =-15V, I D =-4.0AGate Source Charge Gate Drain Charge Total Gate Charge m ΩI S =-1A,V GS =0VV DS =-5V, I D =-4.0A V GS =-2.5V, I D =-2.5AV GS =-4.5V, I D =-3.5A Forward Transconductance Diode Forward VoltageR DS(ON)Static Drain-Source On-ResistanceI DSS µA V DS =V GS I D =-250µA V DS =0V, V GS = ±12V Zero Gate Voltage Drain Current Gate-Body leakage current Electrical Characteristics (T J =25°C unless otherwise noted)STATIC PARAMETERS ParameterConditions Body Diode Reverse Recovery TimeDrain-Source Breakdown Voltage On state drain currentI D =-250µA, V GS =0V V GS =-10V, V DS =-5V V GS =-10V, I D =-4.0AReverse Transfer Capacitance I F =-4.0A, dI/dt=100A/µsV GS =0V, V DS =-15V, f=1MHz SWITCHING PARAMETERS A. The value of R θJA is measured with the device mounted on 1in 2FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C. The value in any given application depends on the user's specific board design.B. The power dissipation P D is based on T J(MAX)=150°C, using ≤ 10s junction-to-ambient thermal resistance.C. Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T J(MAX)=150°C. Ratings are based on low frequency and duty cycles to keep initialT J =25°C.D. The R θJA is the sum of the thermal impedence from junction to lead R θJL and lead to ambient.E. The static characteristics in Figures 1 to 6 are obtained using <300µs pulses, duty cycle 0.5% max.F. These curves are based on the junction-to-ambient thermal impedence which is measured with the device mounted on 1in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, assuming a maximum junction temperature of T J(MAX)=150°C. The SOA curve provides a single pulse ratin g.TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS-V GS (Volts)Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)-I D (A )-V DS (Volts)Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)-I D (A )TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS51015Q g (nC)Figure 7: Gate-Charge Characteristics-V G S (V o l t s )51015202530-V DS (Volts)Figure 8: Capacitance CharacteristicsC a p a c i t a n c e (p F )VdsChargeGate Charge Test Circuit & WaveformVddVdsIdVgsUnclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms2E = 1/2 LI AR ARBV DSSI ARVdd VddResistive Switching Test Circuit & Waveforms90%10%。
304不锈钢螺母 3a标准自锁紧直径40 六角螺母
304不锈钢螺母3a标准自锁紧直径40六角螺母一、304不锈钢螺母的特点1. 304不锈钢螺母是一种常见的紧固件，其主要材料为304不锈钢，具有良好的耐腐蚀性和耐高温性能。
2. 这种螺母的表面光滑，具有良好的抗拉力和抗腐蚀性能，适用于在潮湿、腐蚀性环境下的使用。
3. 304不锈钢螺母广泛应用于机械设备、电子产品、航空航天等领域，是一种性能优越的紧固件。
二、3A标准自锁紧直径40的特点1. 3A标准是螺纹标准的一种，指的是美国三A协会标准，是食品工业和生物工程领域常用的螺纹标准。
2. 自锁紧螺母是一种具有特殊结构的螺母，能够自动锁紧螺栓，防止在振动环境中松动。
3. 直径40的自锁紧螺母适用于直径为40的螺纹连接，具有良好的锁紧效果和稳固性，能够提高螺纹连接的使用寿命和安全性。
三、六角螺母的应用1. 六角螺母是一种具有六个边的螺母，其设计更加符合人体工程学，能够使用扳手或扳手等工具更加方便。
2. 六角螺母因其结构简单、易操作的特点，被广泛应用于机械设备、汽车制造、轨道交通等领域，是一种常见的紧固件。
总结：304不锈钢螺母、3A标准自锁紧直径40六角螺母作为常见的紧固件，在各个领域都有着广泛的应用。
其优良的材料和特殊设计，保证了其在恶劣环境下的稳定性和安全性。
希望在使用这些螺母时，用户能够遵循相应的标准和要求，正确选择和安装，确保设备的正常运行和使用安全。
304不锈钢螺母、3A标准自锁紧直径40六角螺母是目前市场上常见的紧固件，它们的特性使得它们在各种工业领域中有着广泛的应用。
随着现代工程技术的发展，人们对于紧固件的品质与标准要求也越来越高，这就要求生产厂商在生产过程中严格控制质量，以确保产品符合工业标准并在各类需求下都能够正常使用。
一、304不锈钢螺母的应用304不锈钢螺母是由304不锈钢材料制成的螺纹产品，这种材料具有很高的抗锈能力，因而广泛应用于化工行业、机械设备和建筑工程等领域。
比如在食品加工、制药和医疗器械制造中常要求使用不锈钢螺母，因为其不锈耐腐蚀的特性能够确保产品的质量和卫生安全。
美国服装标准尺寸表文档
美国服装标准尺寸表服装尺码换算参照表女装（外衣、裙装、恤衫、上装、套装）标准尺码明细中国(cm) 160-165 / 84-86 165-170 / 88-90 167-172 / 92-96 168-173 / 98-102 170-176 / 106-110 国际XS S M L XL美国2 4-6 8-10 12-14 16-18欧洲34 34-36 38-40 42 44男装（外衣、恤衫、套装）标准尺码明细中国(cm) 165 / 88-90 170 / 96-98 175 / 108-110 180 / 118-122 185 / 126-130国际S M L XL XXL男装（衬衫）标准尺码明细中国(cm) 36 - 37 38 - 39 40 - 42 43 - 44 45 - 47国际S M L XL XXL男装（裤装）标准尺码明细尺码42 44 46 48 50腰围68 - 72 cm 71 - 76 cm 75 - 80 cm 79 - 84 cm 83 - 88 cm裤度99 cm 101.5 cm 104 cm 106.5 cm 109 cm看不懂的还可以参照下面的：服装尺寸表男仕服装尺码分类小码中码大码加大码身高165 170 175 180胸围84 90 96 102腰围75 81 87 93臀围88 90 92 100女仕服装尺码分类小码中码大码加大码身高155 160 165 170胸围80 84 88 92腰围60 64 68 72臀围84 88 92 96儿童服装尺码分类小码中码大码加大码适合年龄0-2岁2-4岁5-7岁7-10岁身高80 110-110 110-130 140-150胸围50 55 60-65 70腰围40 42 44 46臀围55 60 65-70 75美国对服装标志的有关规定美国海关边境保护局最近出版多份刊物，就服装标志规定提供指引和资料，并阐释针织成形服装、手套以及非针织或织连指手套的关税分类方法。
AO3401(MOS场效应管)规格书
SOT-23場效應晶體管(SOT-23Field EffectTransistors)P -Channel Enhancement-Mode MOS FETs P 沟道增强型MOS 场效应管■MAXIMUMRATINGS最大額定值Characteristic 特性參數Symbol 符號Max 最大值Unit 單位Drain-Source V oltage 漏極-源極電壓BV DSS -30V Gate-Source Voltage 栅極-源極電壓V GS +12V Drain Current (continuous)漏極電流-連續I D -3.8A Drain Current (pulsed)漏極電流-脉冲I DM -15A Total Device Dissipation 總耗散功率T A =25℃環境溫度爲25℃P D 1250mW Junction 結溫T J 150℃Solder Temperature/Solder Time 焊接溫度/焊接時間T/t 260/10℃/S Storage Temperature 儲存溫度T stg-55to+150℃AO3401■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性(T A =25℃unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲25℃)Characteristic 特性參數Symbol 符號Min 最小值Typ 典型值Max 最大值Unit 單位Drain-Source Breakdown Voltage漏極-源極擊穿電壓(I D =-250uA,V GS =0V)BV DSS -30——V Gate Threshold Voltage栅極開启電壓(I D =-250uA,V GS =V DS )V GS(th)-0.6—-2V Diode Forward Voltage Drop内附二極管正向壓降(I S =-1A,V GS =0V)V SD——-1VZero Gate Voltage Drain Current零栅壓漏極電流(V GS =0V,V DS =-24V)(V GS =0V,V DS =-24V ,T A =55℃)I DSS ——-1-5u AGate Body Leakage栅極漏電流(V GS =+12V,V DS =0V)I GSS ——+100n A Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(I D =-3.8A,V GS =-10V)R DS(ON)—5060mΩStatic Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(I D =-2A,V GS =-4.5V)R DS(ON)—6080mΩStatic Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(I D =-1A,V GS =-2.5V)R DS(ON)—75100mΩInput Capacitance 輸入電容(V GS =0V,V DS =-15V,f=1MHz)C ISS —954—pF Output Capacitance 輸出電容(V GS =0V,V DS =-15V,f=1MHz)C OSS —115—pF Turn-ON Time 开启時間(V DS =-15V,V GS =-10V,R GEN =6Ω)t (on)— 6.3—ns Turn-OFF Time 关断時間(V DS =-15V,V GS =-10V,R GEN =6Ω)t (off)—38.2—nsPulse Width<300μs;Duty Cycle<2.0%AO3401■DIMENSION 外形封裝尺寸單位(UNIT)：mmAO3401。
西门子变频器产品样本
本产品样本中包含的产品已录入产品样本光盘 CA01 中 订货号： E86060-D4001-A110-B4-7600
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本样本中列出的产品和 系统在制造和销售中通 过了 DIN EN ISO 9001 ( 认证号：N o . D E 000357 QM))和DIN EN ISO 14001(认证号：No. 0813420 UM 和 EMS 57390)。认证证书在所 有的 IQNet 国家都已注 册。
主要特征
调试简单
模块化的结构，因而组态 具有最大的灵活性
具有三个完全可编程的隔 离的数字输入
一个可标定的模拟输入 (0V 至 10V) ；它也可以作为第 4 个数字输入来使用。
一个可编程的模拟输出 (0mA 至 20mA)
一个完全可编程的继电器 输出 (30V ，直流 /5A，电阻 负载或 250V，交流 /2A， 感 性负载)
3
MICROMASTER420/430/440
一般介绍
选件
MICROMASTER 4 系列变频 器有以下选件可供用户选用:
滤波器 电抗器 操作面板 PROFIBUS 通讯模块 DeviceNet 通讯模块 CAN open 通讯模块 脉冲编码器脉冲计数模块 密封盖板 安装组合件等
变频器各个系列适用的操作面板和功能模块的配置
节能运行方式 负载转矩监控 ( 水泵的无水空转运行检测) 电动机的分级 (多泵循环) 控制
有 3 组驱动数据可供选择 集成的制动斩波器 (75 kW 以下) 转矩控制 具有二进制互联连接（BiCo）功能
MM430 变频器
110kW 至 250kW（VT）MM430 变频器是 MICROMASTER 变频器系列新的扩展型号。它的主要特点有：
场效应管封装类型和标识_解释说明以及概述
场效应管封装类型和标识解释说明以及概述1. 引言1.1 概述场效应管（MOSFET）是一种常用的电子元件，广泛应用于电路设计和功率控制系统中。
在实际应用中，不同的场效应管需要使用不同的封装类型和标识来满足特定的需求。
1.2 文章结构本文将重点介绍场效应管封装类型和标识的相关知识。
首先，我们将解释说明什么是场效应管封装类型，包括其定义、特点和主要分类。
然后，我们将详细讨论场效应管封装标识，介绍其作用、使用方法以及常见的标识符号含义。
最后，我们将对场效应管封装进行概述，总结各种封装的主要特点和适用范围。
1.3 目的通过本文对场效应管封装类型和标识进行详细说明和概述，旨在帮助读者更好地理解场效应管及其相关标识信息，并为正确选择合适的封装类型提供参考依据。
此外，本文还将为读者提供一个全面了解场效应管封装领域发展动态的基础，在电子领域中有关设计、测试和选型方面提供实用指导。
2. 场效应管封装类型和标识2.1 场效应管封装类型解释说明场效应管（MOSFET）是一种常用的电子器件，广泛应用于各种电路中。
场效应管的封装类型决定了其外观形状、引脚布局以及安装方式等特征。
常见的场效应管封装类型有TO-92、TO-220、SOT-23等。
TO-92是一种较小型的封装，通常具有三个引脚。
其中一个引脚是栅极（Gate），另外两个引脚分别是漏极（Drain）和源极（Source）。
这种封装适用于低功率的电路应用，如小型信号放大器和开关等。
TO-220是一种较大型的封装，通常具有三个或四个引脚。
其中一个引脚是栅极，其他引脚则用于漏极和源极之间的电流传输以及导热至散热器。
这种封装适用于中高功率的电路应用，如交流驱动器、开关稳压器和电机控制等。
SOT-23是一种更小型的表面贴片封装，通常具有三个引脚。
与TO-92相比，SOT-23封装更适用于小型空间集成电路和低功耗应用，如便携式设备和手机等。
2.2 场效应管封装标识解释说明场效应管的封装标识通常是指封装型号或代号，其目的是方便对不同类型的场效应管进行识别和选择。
AO3401MOS场效应管规格书
AO3401MOS场效应管规格书一、AO3401 MOS 场效应管概述AO3401 是一款常见的增强型 MOS 场效应管，在电子电路中有着广泛的应用。
它具有低导通电阻、高开关速度和低栅极电荷等特性，适用于多种电源管理、开关电路和信号放大等领域。
二、AO3401 MOS 场效应管的主要参数1、漏极源极电压（VDS）AO3401 的漏极源极电压额定值通常为 30V，这意味着在正常工作条件下，漏极和源极之间所能承受的最大电压为 30V。
超过此电压可能会导致器件损坏。
2、栅极源极电压（VGS）其栅极源极电压的额定值一般为 ±12V。
在实际应用中，需要确保施加在栅极和源极之间的电压在这个范围内，以保证管子的正常工作和可靠性。
3、连续漏极电流（ID）AO3401 在 25℃环境温度下，连续漏极电流通常能够达到 42A。
但需要注意的是，实际工作中的电流承载能力还会受到散热条件、工作温度等因素的影响。
4、导通电阻（RDS(on)）导通电阻是 MOS 管的一个重要参数，AO3401 在 VGS ＝ 45V 时，导通电阻典型值约为70mΩ；在 VGS ＝ 10V 时，导通电阻典型值约为38mΩ。
较低的导通电阻有助于降低功率损耗，提高电路效率。
5、输入电容（Ciss）输入电容的值约为 130pF，它会影响管子的开关速度和驱动电路的设计。
6、输出电容（Coss）输出电容大约为 55pF，对电路的高频特性有一定的影响。
7、反向传输电容（Crss）反向传输电容约为 18pF，在高频应用中需要考虑其对电路性能的影响。
8、封装形式AO3401 常见的封装形式有 SOT-23、SOT-89 等，不同的封装形式在散热性能、安装方式和占用空间等方面有所不同，用户可以根据实际需求进行选择。
三、AO3401 MOS 场效应管的工作原理MOS 场效应管的工作原理基于电场对导电沟道的控制。
对于AO3401 这种增强型 MOS 管，当栅极源极电压低于阈值电压（Vth）时，漏极和源极之间几乎没有电流通过，处于截止状态。
AO3401A替代型号DMG3401LSN
Gate30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETAO3401A 替代型号DMG3401LSNDescriptionThis new generation Small-Signal enhancement mode MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications.Applications∙ Motor control ∙ Backlighting∙ DC-DC Converters∙Power management functionsFeatures∙ Low Input Capacitance ∙ Low On-Resistance∙ Low Input/Output Leakage∙ Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ∙ Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ∙ Qualified to AEC-Q101 Standards for High ReliabilityMechanical Data∙ Case: SC59∙ Case Material: Molded Plastic “Green” Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 ∙ Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 ∙ Terminal Connections: See Diagram ∙Weight: 0.008 grams (approximate)SC59SourceTop ViewEquivalent CircuitTop ViewOrdering Information (Note 4)Notes:1. No purposely added lead. Fully EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant.2. See for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green" and Lead-free.3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and <1000ppm antimony compounds.4. For packaging details, go to our website at .Marking InformationG34 = Product Type Marking Code YM = Date Code Marking Y = Year (ex: Y = 2011)M = Month (ex: 9 = September)DMG3401LSN DG SG34Y MMaximum Ratings (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)Thermal CharacteristicsElectrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)Notes: 5. Device mounted on FR-4 PC board, with minimum recommended pad layout, single sided.6. Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1inch square copper pad layout7 .Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.8. Guaranteed by design. Not subject to production testingV GS= -10V-4.5VV GS = -2.5VV G S = -2.0VGS = -1.5V V GS = V G S= -1.8V V G V G S = -2.S = -4.5V5V =-4.5VT A = 1T A = 1 50︒C25︒C T A =T A = 85︒C25︒C= -55︒CR D S (O N ), D R A I N -S O U R C E O N -R E S I S T A N C E (∧)-I D , D R A I N C U R R E N T (A )4-V DS , DRAIN -SOURCE VOLTAGE (V) Figure 1 Typical Output Characteristics0.5 1.0 1.5 2.0 -V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V) Figure 2 Typical Transfer Characteristics-I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A) Figure 3 Typical On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V) Figure 4 Typical Drain-Source On-Resistancevs. Gate-Source Voltage-I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A) Figure 5 Typical On-Resistance vs. Drain Current and TemperatureT J , JUNCTION TEMPERATURE (︒C)Figure 6 On-Resistance Variation with TemperatureV DS = -5.0V= 125︒CA T A = -55︒CR D S (O N ), D R A I N -S O U R C E O N -R E S I S T A N C E (∧)R D S (O N ), D R A I N -S O U R C E O N -R E S I S T A N C E (∧)-I D , D R A I N C U R R E N T (A )R , D R A I N -S O U R C E D S (O N ) O N -R E S I S T A N C E (N O R M A L I Z E D )I D = -4.3AI = -2.5AV GS = -4. I D = -5AV GS =-4.5VI D = -5A V GS= -10V I D = -10A25︒C T A =T J , JUNCTION TEMPERATURE (︒C)Figure 7 On-Resistance Variation with TemperatureT A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)Figure 8 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature10,000100-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V) Figure 9 Diode Forward Voltage vs. Current-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V) Figure 10 Typical Junction CapacitanceQ g , TOTAL GATE CHARGE (nC) Figure 11 Gate-Charge Characteristics-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V) Figure 12 SOA, Safe Operation Area-I D = 250µA -I D = 1mAf = 1 M HzsC os s C isC rssDCP W = 10sP W = 1sP = 100ms = 100µs R D S (o n ), D R A I N -S O U R C E O N -R E S I S T A N C E (∧) -I , S O U R C E C U R R E N T (A )-V G S , G A T E -S O U R C E V O L T A G E (V )S V G S (T H ), G A T E T H R E S H O L D V O L T A G E (V )C T , J U N C T I O N C A P A C I T A N C E (p F )-I , D R A I N C U R R E N T (A )DD = 0.7 D = 0.5 D = 0.3D = 0.1D = 0. 9D = 0.01D = 0.0R θJA (t ) = r(t) * R θJAR θJA = 16 0° C W D u ty C y cl e , = t1 / t210.1D = 0.050.01D = 0.0205 / Single PulseDt1, PULSE DURATION TIMES (sec) Figure 13 Transient Thermal ResistancePackage Outline DimensionsPlease see AP02002 at /datasheets/ap02002.pdf for latest version.Suggested Pad LayoutPlease see AP02001 at /datasheets/ap02001.pdf for the latest version.r (t ), T R A N S I E N T T H E R M A L R E S I S T A N C EIMPORTANT NOTICEDIODES INCORPORATED MAKES NO WARRANTY OF ANY KIND, EXPRESS OR IMPLIED, WITH REGARDS TO THIS DOCUMENT, INCLUDING, BUT NOT LIMITED TO, THE IMPLIED WARRANTIES OF MERCHANTABILITY AND FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE (AND THEIR EQUIVALENTS UNDER THE LAWS OF ANY JURISDICTION).Diodes Incorporated and its subsidiaries reserve the right to make modifications, enhancements, improvements, corrections or other changes without further notice to this document and any product described herein. Diodes Incorporated does not assume any liability arising out of the application or use of this document or any product described herein; neither does Diodes Incorporated convey any license under its patent or trademark rights, nor the rights of others. Any Customer or user of this document or products described herein in such applications shall assume all risks of such use and will agree to hold Diodes Incorporated and all the companies whose products are represented on Diodes Incorporated website, harmless against all damages.Diodes Incorporated does not warrant or accept any liability whatsoever in respect of any products purchased through unauthorized sales channel. 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Life support devices or systems are devices or systems which:1. are intended to implant into the body, or2. support or sustain life and whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in thelabeling can be reasonably expected to result in significant injury to the user.B. A critical component is any component in a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause thefailure of the life support device or to affect its safety or effectiveness.Customers represent that they have all necessary expertise in the safety and regulatory ramifications of their life support devices or systems, and acknowledge and agree that they are solely responsible for all legal, regulatory and safety-related requirements concerning their products and any use of Diodes Incorporated products in such safety-critical, life support devices or systems, notwithstanding any devices- or systems-related information or support that may be provided by Diodes Incorporated. Further, Customers must fully indemnify Diodes Incorporated and its representatives against any damages arising out of the use of Diodes Incorporated products in such safety-critical, life support devices or systems.Copyright © 2012, Diodes Incorporated。
各种MOSFET参数大全
2 2 分立器件分立器件功率 MOSFET1）特性参数功率MOSFET是我们最熟悉的绿色社会开拓者。
它们能帮助我们创建低损耗系统。
我们的最新工艺和小型封装能帮助您提高系统效率，缩小系统尺寸，从而创建终极低功耗驱动。
（通用开关功率MOSFET、汽车功率MOSFET、IPD、电池功率MOSFET、通用放大器功率MOSFET）功率功率 MOSFET 参数介绍参数介绍第一部分最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS 最大漏最大漏--源电压源电压 在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。
根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。
关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性.VGS 最大栅源电压最大栅源电压 VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。
设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。
实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。
ID ID -- 连续漏连续漏电流电流电流 ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。
该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数：ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。
因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半，通常在1/3～1/4。
补充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID，这个值更有现实意义。
IDM IDM --脉冲漏极电流脉冲漏极电流该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。
定义IDM的目的在于：线的欧姆区。
对于一定的栅-源电压，MOSFET导通后，存在最大的漏极电流。
如图所示，对于给定的一个栅-源电压，如果工作点位于线性区域内，漏极电流的增大会提高漏-源电压，由此增大导通损耗。