光电二极管 三极管基本特性和主要参数
课件：二极管、三极管、晶闸管知识讲解
vi
＋
D
＋
0
t
vi
RL
vo
6
vo
－
－
0
t
(a)
(b)
稳压
稳压二极管的特点就是反向通电尚 未击穿前，其两端的电压基本保持不变。 这样，当把稳压管接入电路以后，若由 于电源电压发生波动，或其它原因造成
6
电路中各点电压变动时，负载两端的电 压将基本保持不变。 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字 表示
管加反向电压时，不管控制极加
怎样的电压，它都不会导通，而
处于截止状态，这种状态称为晶
闸管的反向阻断。
主回路加反向电压
c 触发导通 d 反向阻断
可控硅只有导通和关断两种工作状态，它具有 开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化， 此条件见下表
状态
条件
说明
从关断到导通
1、阳极电位高于是阴极电位
2、控制极有足够的正向电压和电流
图a
开关断开
b 正向阻断
（2）触发导通 在图（c）所示
电路中，晶闸管加正向电压，在
控制极上加正向触发电压，此时
指示灯亮，表明晶闸管导通，这
种状态称为晶闸管的触发导通。
（3）反向阻断 在图（d）所示
电路中，晶闸管加反向电压，即
a极接电源负极，k极接电源正极，
此时不论开关s闭合与否，指示
灯始终不亮。这说明当单向晶闸
单向可控硅的结构
不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型 硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。它有三 个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引 出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制 极G，所以它是一种四6 层三端的半导体器件。
常用二极管三极管参数大全
常用二极管三极管参数大全一、常用二极管参数1.直流正向电压降（Vf）：指二极管正向导通时的电压降，也称为前向压降，一般常用的正向电压降为0.6V或0.7V。
2. 最大正向电流（Ifmax）：表示二极管正向工作时的最大电流，超过该电流可能会损坏二极管。
3. 最大反向电压（Vrmax）：指二极管反向工作时最大允许的电压，超过该电压可能会导致二极管击穿。
4. 最大反向电流（Irmax）：表示二极管反向工作时的最大允许电流，超过该电流可能会损坏二极管。
5. 最大耗散功率（Pdmax）：表示二极管能够承受的最大功率，超过该功率可能会导致二极管过热损坏。
6.负温度系数（TK）：指二极管在正向工作时，正向电流随温度升高而减小的程度，一般单位为%/℃。
7. 正向电导（Gon）：指二极管正向工作时的导通电导，一般单位为S（西门子）或mA/V。
8.反向电容（Cj）：指二极管反向偏置条件下的电容，一般单位为pF（皮法）。
9. 反向延迟时间（trr）：指二极管正向导通结束到反向电流消失的时间。
10.导通角（θF）：指二极管在正向导通状态下的导电角，即Ⅲ象限导通角。
二、常用三极管参数1. 最大漏极源极电压（Vceo）：表示三极管漏极与源极之间的最大电压，超过该电压可能会导致击穿。
2. 最大集电极电流（Icmax）：表示三极管集电极最大允许的电流，超过该电流可能会损坏三极管。
3. 最大发射极电流（Iemax）：表示三极管发射极最大允许的电流，超过该电流可能会损坏三极管。
4. 最大功率（Pmax）：表示三极管能够承受的最大功率，超过该功率可能会导致三极管过热损坏。
5. 最大反向电压（Vrmax）：指三极管反向工作时最大允许的电压，超过该电压可能会导致击穿。
6. 最大反向电流（Irmax）：表示三极管反向工作时的最大允许电流，超过该电流可能会损坏三极管。
7. 输入电容（Cin）：指三极管输入端的电容，一般单位为pF（皮法）。
8. 输出电容（Cout）：指三极管输出端的电容，一般单位为pF（皮法）。
二极管三极管主要参数
二极管三极管主要参数二极管和三极管是半导体器件中常见的两种元件，它们在电子电路中具有重要的作用。
下面将详细介绍二极管和三极管的主要参数。
一、二极管的主要参数：1.电压额定值：也称为反向工作电压（VR）或正向导通电压（VF），表示二极管在正向和反向工作时能够承受的最大电压。
对于正向工作，一般为0.7V左右，而对于反向工作，一般为数十V至几百V。
2.最大定向电流：指二极管在正向工作时能够承受的最大电流，也称为连续电流（IF），一般为几毫安到几十安。
3.反向漏电流：指二极管在反向工作时的漏电流，也称为反向电流（IR），一般为几微安到几毫安。
4.开启时间和关断时间：也称为导通时间和截止时间，指二极管从关断到开启、从开启到关断的时间，一般为纳秒或微秒级。
5.反向恢复时间：指二极管在从正向工作状态转为反向工作状态时，恢复正常的导通特性所需的时间，一般为纳秒或微秒级。
6.动态电阻：指二极管在正向工作时的电压变化与电流变化的比值，一般在工作点附近呈线性关系。
7.耐压能力：指二极管在正向和反向工作时能够承受的最大电压，一般为几十伏到几百伏。
二、三极管的主要参数：1.当前放大倍数：也称为直流电流放大倍数（hFE）或β值，指输入电流和输出电流之间的比值，一般为几十至几千。
2.基极电流：也称为输入电流（IB），指输入信号经过基极向集电极注入的电流。
3.饱和电流：也称为最大电流（IC），指当三极管的基极电流达到一定值时，集电极电流不能再继续增大的电流值。
4.最大功耗：指三极管能够承受的最大功率，一般为几十毫瓦到几瓦。
5.最大频率：指三极管能够工作的最高频率，一般为几十MHz到几GHz。
6.最小输入电压：指三极管能够正常工作的最小输入电压。
7.最大输入电压：指三极管能够承受的最大输入电压。
三、总结：二极管主要参数包括电压额定值、最大定向电流、反向漏电流、开启时间和关断时间、反向恢复时间、动态电阻和耐压能力。
这些参数主要描述了二极管在正向和反向工作时的性能。
光电二极管与光电三极管
光电二极管与光电三极管一、光电二极管（Photodiode）光电二极管是一种基于半导体材料的光电器件，它利用光电效应将光信号转化为电信号。
光电二极管的结构和正常的二极管类似，由P型和N型半导体材料构成，并且在P-N结附近形成一个细微的PN结。
当光照射到PN结处时，光子的能量会被电子吸收，从而激发电子-空穴对的产生。
光电二极管的工作原理是利用光电效应，该效应是指当光照射到半导体材料上时，光子的能量会激发材料中的电子跃迁到导带中，形成电子-空穴对。
当光照强度越大时，激发的电子-空穴对数量越多，产生的电流也越大。
因此，光电二极管可以通过测量电流大小来检测光照强度。
1.快速响应速度：光电二极管具有快速的响应速度，能够在纳秒级别内检测到光的变化。
2.高灵敏度：光电二极管对光信号非常敏感，能够检测到较低光强度下的光信号。
3.低噪声：光电二极管的噪声很低，能够准确地检测到微弱的光信号。
4.宽波长范围：光电二极管可以检测多种波长的光信号，通常在可见光和红外光范围内。
1.光通信：光电二极管作为光信号的接收器，在光通信中发挥重要作用。
2.光谱分析：光电二极管可以用于测量、分析和检测光谱信号，例如光谱仪，气体和液体分析等。
3.光电测量：光电二极管可以用于测量光强度的变化，例如光照度计、照度计等。
4.医疗设备：光电二极管可以用于心率监测、血氧测量、生物检测等医疗设备中。
5.光电控制：光电二极管可以用于光敏开关、光电电路等光电控制领域。
二、光电三极管（Phototransistor）光电三极管是光电传感器中另一种常见的光电器件，它是在光电二极管的基础上发展而来的。
光电三极管同样基于光电效应，将光信号转化为电信号，但是相较于光电二极管，光电三极管具有更高的灵敏度和增益。
光电三极管的结构和普通的三极管类似，由P型、N型和P型三个区域组成。
在光电三极管中，光照射到PN结处时会产生电子-空穴对，电子会从P区域注入到N区域，形成电流。
光电二极管与光电三极管
光电二极管与光电三极管
一、光电二极管
1、定义及结构
光电二极管（简称光二极管）又称为光敏二极管，是一种集光检测、
光放大、光信号处理等功能为一体的特殊型号的二极管。
光二极管由一种
金属包覆绝缘层，上面涂有一层光敏物质的接点，以及一个共享电极（称
为公共极），以及一个用于放大的三极管组成。
2、工作原理
光二极管的电路原理与普通二极管相同，都是由电流通过接点的光敏层，来激发其中的光敏物质，从而使其产生从正向到反向（又称反向偏移）的电势差。
激发电压可在可见光（380nm到780nm）的波长范围内发挥最
大的作用，并伴随着电流的衰减，从而使输出信号电压随着距离的增加而
减小。
3、应用
光二极管由于具有高敏感度、快速响应、高对信号的采集和处理能力，以及可以容易扩大到大规模并行系统，因此广泛应用于遥控、热量报警、
红外报警、防盗、天然气报警等等各种类型的报警装置中。
同时，它也被
广泛应用于数据通信，它可以将一组电信号转变成光信号，作为数据传输
的媒介，可以提高电信号的传输距离和信号的稳定性。
1、定义及结构。
光电二极管三极管的性能及运用
光电二极管三极管的性能及运用光电二极管及光电三极管的工作原理及用途可得工贸的光电二极管和光电三极管具有低功耗、响应速度快、抗干扰性能强等特点，可得公司是一家专业从事研发, 生产,销售LED 和红外光电器件的高新技术企业：其中光敏二极管、850nm/940nm 红外发射管，LED数码管，数码模块，以及发光二极管等产品以良好的品质受到市场的认可。
在红外遥制系统中，光电二极管(也称光敏二极管)及光电三极管(也称光敏三极管)均为红外线接收管，它把接收到的红外线变成电信号，经过放大及信号处理后用于各种控制。
除广泛用于红外线遥控外，还可用于光纤通信、光纤传感器、工业测量、自动控制、火灾报警器、防盗报警器、光电读出装置(纸带读出器、条形码读出器等)及光电耦合器等方面。
不同用途的光电二极管有不同的外形及封装，但用于红外遥控的光电二极管一般都是树脂封装的。
为减少可见光的干扰常采用黑色树脂，可以滤掉700nm波长以下的光线。
常见的几种光电二极管外形。
对方形或长方形的管子，往往做出标记角，指示受光面的方向。
一般如引脚长短不一样，长者为正极。
光电三极管可以等效为一个光电二极管与一只晶体三极管的组合，所以它具有电流放大作用。
其等效电路、外形及电路符号，光电三极管一般仅引出集电极及发射极两个引脚，外形与一般发光二极管一样，常用透明树脂封装。
光电二极管及光电三极管的管芯主要用硅材料制作。
光电二极管的两种工作状态当光电二极管加上反压时，管子的反向电流将随光照强度的变化而变化如同一个光敏电阻，光照强度越大电阻越小，反向电流越大。
大多数情况都工作于这种状态。
光电二极管上不加电压，利用P?N结受光照射时产生正向电压的原理，可看作微型光电池。
这种工作状态一般用作光电检测器。
光电二极管的工作电压VR ，允许的最高反向电压一般不超过10V，最高的可达50V。
暗电流ID及光电流IL ，无光照时，加一定反压时的反向漏电流称为暗电流ID，一般ID小于100nA 。
二极管三极管主要参数
二极管三极管主要参数
二极管参数：
1.额定电流：额定电流是指二极管可以承受的最大电流流量，一般二极管的额定电流有6mA、1mA、500μA、100μA以及1μA等；
2.最大耗散功率：最大耗散功率是指二极管在额定电压下最大可以耗散的功率；
3.集电极和发射极漏电流：不同的二极管集射极的漏电流不同，一般有2mA/1mA/500μA/100μA/1μA等；
4.阈值电压、切断电压：阈值电压是指二极管的前向电压，一般有0.3V/0.55V/0.65V/0.7V/0.75V等；切断电压是指二极管的反向电压，一般有5V/6V/7V/8V/10V/12V等；
5.上升沿时间和下降沿时间：上升沿时间是指二极管从低电压到高电压的时间，一般有2ns/4ns/8ns/10ns等；下降沿时间是指二极管从高电压到低电压的时间，一般有2ns/3ns/4ns/5ns/7ns等；
6.截止电压：截止电压是指二极管的前向电压达到一定的电压，二极管的结构发生变化，从而限制电流流过的电压，一般有
0.7V/1V/3V/4V/5V/6V等；
7.正向电容：正向电容是指二极管的输入端电容，一般有
100pF/250pF/500pF/750pF/1000pF/1500pF/2000pF等；
三极管参数：
1.额定电流：额定电流是指三极管可以承受的最大电流流量，一般三极管的额定电流有3mA/2mA/1mA/500μA/200μA等；
2.最大耗散功率：最大耗散功率是指三极管在额定电压下。
二极管、三极管、晶闸管简介
5、 二极管作用： 整流：将交流电信号转换成直流电信号。 检波：用于高频信号的调解（信号转换）。 发光：用于装饰或各种信号指示。 变容：用于各种自动调谐电路。 光电：用于光的测量；当制成大面积的光电二极管，可当做一种能源，称为光电池。
整流（利用单向导电性）
把交流电变为直流电，称为整流。一个简单的二极管半波整流电路如图(a)所示。若二极管为理想二极管，当输入一 正弦波时，由图可知：正半周时，二极管导通(相当开关闭合)，vo=vi；负半周时，二极管截止(相当开关打开)， vo =0。其输入、输出波形见图(b)。整流电路是直流电源的一个组成部分。
vi
＋
D
＋
0
t
vi
RL
vo
vo
－
－
0
t
(a)
(b)
稳压
稳压二极管的特点就是反向通电尚未击穿前，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接 入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压 将基本保持不变。 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示
1、正常二极管
二极管、三极管、晶闸管简介
晶体二极管(Diode)
1、二极管的构成 核心是PN结， P性材料和N性材料结合， 有2个出线 端，即二极管有正、负两个极
应用电路
整
稳
流
压
正极
positive
PN
负极
negative
限
幅
(a)
正极
负极
(b)
2、二极管的电路符号： D VD 3、 基本特性：单向导电性
4、分类： 根据材质分为：1）硅二极管（导通电压：0.5~0.7V） 2) 锗二极管(导通电压：0.2~0.3V) 根据用途分：整流二极管、检波二极管、稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管等
三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数
三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数
三极管的主要参数包括直流参数、交流参数和极限参数。
1. 直流参数：直流参数描述了三极管在直流电路中的电流和电压特性。
- 最大集电极电流（Icmax）：三极管集电极能够承受的最大
电流值。
- 最大基极-发射极电压（Vbeo）：基极和发射极之间能够承
受的最大电压值。
- 最大集电极-发射极电压（Vceo）：集电极和发射极之间能
够承受的最大电压值。
- 饱和压降（Vcesat）：三极管处于饱和状态时，集电极和发
射极之间的电压降。
2. 交流参数：交流参数描述了三极管在交流信号下的放大能力和频率特性。
- 增益（β或hfe）：三极管的电流放大倍数。
- 输入电阻（Rin）：输入端的电阻，影响输入信号的放大效果。
- 输出电阻（Rout）：输出端的电阻，影响输出信号的传输效果。
- 频率响应：描述了三极管在不同频率下放大能力的变化情况，常用的参数包括截止频率和增益带宽积。
3. 极限参数：极限参数描述了三极管在工作过程中的极限条件。
- 最大功耗（Pdmax）：三极管能够承受的最大功率。
- 集电极-发射极击穿电压（BVceo）：集电极和发射极之间的
最大击穿电压。
- 集电极-基极击穿电压（BVceo）：集电极和基极之间的最大击穿电压。
- 储能时间（Ton、Toff）：三极管进行开关动作的能力。
这些参数是设计和使用三极管时需要考虑的重要指标，不同的应用场合可能需要不同的参数要求。
光电管型号及参数详解
光电管型号及参数详解光电管是一种能够将光信号转换成电信号的器件，常用于光通信、光电测量、光谱分析等领域。
下面我们将详细介绍几种常见光电管的型号和参数。
1.光电三极管光电三极管是一种采用硫化镉或硒化铅等材料制成的光敏材料的光电管。
它的参数包括灵敏度、功率响应范围、噪声系数等。
常见型号有1N23A、1N914等。
灵敏度是光电三极管对入射光的响应能力，一般用电流增益表示。
功率响应范围是指光电三极管能够接受的入射光功率范围，过大或过小都会影响其工作。
噪声系数是指在光电三极管输出信号中所含有的噪声成分的大小，一般用电压或电流表示。
2.管状光电倍增管管状光电倍增管是一种由光电荧光材料制成的管状结构的光电器件。
它的参数包括放大倍数、漏电流、阴极反应时间等。
常见型号有XP2262、XP2266等。
放大倍数是指管状光电倍增管能够将入射光电子转化为输出光子的倍数。
漏电流是指在正常工作条件下，管状光电倍增管在阴极处漏掉的电流。
阴极反应时间是指管状光电倍增管从阴极接收到光信号后，转化为输出信号所需的时间。
3.光电二极管光电二极管是一种常用的光电管，由硅或锗等材料制成。
它的参数包括响应波长、暗电流、响应时间等。
常见型号有BPW34、SD1052等。
响应波长是指光电二极管的最佳工作波长范围，超过或低于该范围的光信号将无法被光电二极管接收。
暗电流是指在光电二极管无光照射时产生的漏电流。
响应时间是指光电二极管从接收到光信号到输出信号达到稳定所需的时间。
4.光电四极管光电四极管是一种具有四个电极的光电管，在光电测量和光谱分析中广泛应用。
它的参数包括响应波长范围、插入损耗、干扰抑制比等。
常见型号有HH-E4、OEM650等。
响应波长范围是指光电四极管在其中一波长范围内的响应能力，超出该范围的光信号将无法被光电四极管接收。
插入损耗是指光信号通过光电四极管时的功率损耗。
干扰抑制比是指光电四极管对外界干扰信号的抵抗能力，一般用分贝表示。
常用二极管三极管参数
常用二极管三极管参数二极管和三极管是电子基础器件，广泛应用于电子电路中。
了解和掌握常用二极管和三极管的参数对于设计和分析电子电路非常重要。
本文将详细介绍一些常用二极管和三极管的主要参数。
一、常用二极管参数：1.正向电压降（Vf）：正向电压降是二极管在正向导通状态下的电压。
对于硅二极管，正向电压降一般为0.6-0.7伏；对于锗二极管，正向电压降一般为0.2-0.3伏。
正向电压降是二极管正向导通的重要特性，也是电路设计中常用的参数。
2. 反向击穿电压（Vbr）：反向击穿电压是二极管在反向偏置时能够承受的最大电压。
如果二极管的反向电压超过了击穿电压，二极管将会发生击穿现象，导致电流急剧增大。
因此，电路设计中需要保证二极管的反向电压不超过其击穿电压以保护二极管。
3.最大正向电流（If）：最大正向电流指的是二极管可以承受的最大正向电流。
超过最大正向电流，二极管会受到损坏。
4.最大反向电流（Ir）：最大反向电流指的是二极管可以承受的最大反向电流。
超过最大反向电流，二极管也会受到损坏。
5. 响应时间（tr、tf）：响应时间指的是二极管从导通到截止、从截止到导通的时间。
响应时间决定了二极管的开关速度。
通常情况下，响应时间越小，二极管的开关速度越快。
二、常用三极管参数：1.饱和电流（Ic）：饱和电流指的是三极管的集电极电流（Ic）达到饱和区域时的电流值。
饱和电流是三极管正常工作的重要参数。
2.放大因子（β）：放大因子指的是三极管中输入电流与输出电流之间的比值。
放大因子决定了三极管的放大能力，通常会通过测量输入基极电流（Ib）和输出集电极电流（Ic）的比值来计算放大因子。
3.最大功耗（Pd）：最大功耗指的是三极管可以承受的最大功率。
超过最大功耗，三极管可能会发热过多而受到损坏。
4. 最大封装温度（Tj max）：最大封装温度指的是三极管可以承受的最高温度。
超过最大封装温度，三极管的性能可能会变差。
5.频率响应（fT）：频率响应指的是三极管的响应频率范围。
三极管的特性曲线和主要参数
e
从输入特性曲线可以 看出，三极管的输入特性曲 线与二极管的正向特性曲线 相似，只有当发射结的正向 电压UBE大于死区电压(硅管 0.5 V，锗管0.2 V)时,才产 生基极电流IB，这时三极管 处于正常放大状态，发射结 两端电压为UBE (硅管为0.7 V，锗管为0.3V)。
二、三极管的 输出特性曲线
时的集电极电流为集电极最大允许电 甚至会烧坏。选管
流
时, ICM≥IC
基极开路时,加在c与e极间的最大允 电压
使用时,一般UCE <U(BR） CBO,否则易造成管子击穿。 选管时, U(BR）CBO≥UCE
集电极消耗功率的最大限额。根据
三极管的最高温度和散热条件来规定
最大允许耗散功率PCM,要求PCM≥ICUCE 工作时, lCUCE<PCM,否则 PCM大小与环境温度有密切关系, 管子会因过热而损坏。选
范围
IB=0曲线以下区域， 为平坦部分线性区域，几乎与横轴平行 几乎与横轴重合
曲线上升和弯曲部分
条件
发射结反偏（或零 发射结正偏 ，集电结反偏 偏），集电结反偏
发射结正偏，集电结正 偏（或零偏）
特征 工作状态
IB=0，IC=ICEO≈0
c极与e极之间等效 电阻很大，相当于 开路
（1）当IB一定时，IC的大小与UCE基本无关（但UCE的 大小随IC的变化而变化），具有恒流特性 （2）IB不同，曲线不同，IC受IB控制，具有电流放大 作用，IC=hFEIB，△IC=β△IB
即β =△ IC /△ IB，反映三极 管交流电流放大能力
类型 参数 符号
说明
选用
集电 极—基
ICBO 发射极开路时，c-b
极 极间的 间 反向饱
三极管主要的参数
三极管主要的参数
三极管的参数包括：
1、功率额定值：功率额定值定义了三极管在一定温度和额定电源电
压下可以承受的最大功率输出，通常有最大输出功率（Pd）、期望功率（Pc）和阻止功率（Pz）三种，其中最大输出功率是三极管运行时可输出
的最大功率，期望功率是正常工作时的额定功率，而阻止功率是在特定电
流和电压时的最大功率。
2、集电极-发射极电压：集电极-发射极电压（也称为正向伏安数）
是三极管在正向偏压下的集电极与发射极之间的电压，通常被简写为VCE，它受到多种因素的影响，包括正向偏压、温度和负向偏压等。
3、发射极-基极电压：发射极-基极电压（也称为负向伏安数）是三
极管在负向偏压下的发射极与基极之间的电压，通常被简写为VEB，它受
多种因素的影响，包括负向偏压、温度和正向偏压等。
4、集电极穿透电流：集电极穿透电流是三极管在集电极和发射极之
间的电流，它在正向偏压下会出现，通常被简称为ICEO。
它依赖于正向
偏压的大小，通常随着偏压的增大而增大，但随着偏压增大到一定程度时
会突然减小，这是由三极管在饱和区域的特性决定的。
光电二极管主要参数
光电二极管主要参数
光电二极管（Photodiode）是一种基于光电效应工作原理的电子元件，它能够将光信号转化为电信号，具有灵敏度高、响应速度快、尺寸小等特点。
在光电二极管的使用过程中，我们需要了解一些主要参数，以确保其正常工作和应用。
第一个主要参数是光电二极管的响应频率。
响应频率是指光电二极管对光信号的接收和响应的能力。
光电二极管的响应频率决定了它能够接收的最高频率的光信号。
通常，响应频率越高，光电二极管对高频光信号的接收能力越强。
第二个主要参数是光电二极管的光谱响应范围。
光谱响应范围指光电二极管能够接收和响应的光波长范围。
不同类型的光电二极管具有不同的光谱响应范围，常见的有可见光、红外线和紫外线等。
在选择光电二极管时，需要根据具体的应用需求来确定所需的光谱响应范围。
第三个主要参数是光电二极管的灵敏度。
灵敏度是指光电二极管对光信号的接收和转换效率。
光电二极管的灵敏度越高，它能够将接收到的光信号转化为电信号的效率就越高。
灵敏度通常以单位面积接收到的光功率与输出电流之间的比值来表示。
第四个主要参数是光电二极管的响应时间。
响应时间是指光电二极管从接收到光信号到产生响应电流的时间间隔。
对于一些需要响应速度较快的应用，如光通信和高速传输等领域，需要选择响应时间较短的光电二极管。
综上所述，了解并掌握光电二极管的主要参数对于正确选择和应用光电二极管至关重要。
在实际使用中，我们需要根据具体的应用需求来选择合适的光电二极管，确保其具备足够的响应频率和光谱响应范围，以及适当的灵敏度和响应时间，从而获得预期的电信号输出效果。
光电二极管主要参数
光电二极管主要参数
摘要：
一、光电二极管的概念与分类
二、光电二极管的主要参数
1.波长
2.光强或光通量
3.角度
4.额定正向电流If 及相应正向电压Vf
5.反向漏电流Ir
6.最大允许结温
7.封装热阻
三、光电二极管的应用场景
四、总结
正文：
光电二极管是一种能够将光信号转换为电信号的半导体器件，广泛应用于各种光电设备中。
根据半导体材料的不同，光电二极管可分为锗二极管和硅二极管等。
从结构上分，有点接触型、面接触型和平面型二极管等。
光电二极管的主要参数包括波长、光强或光通量、角度、额定正向电流If 及相应正向电压Vf、反向漏电流Ir、最大允许结温和封装热阻等。
波长和光强是描述光电二极管发光特性的重要参数，角度则决定了光电二极管的发散角度。
额定正向电流If 和正向电压Vf 是描述光电二极管的导通特性的参数，
反向漏电流Ir 则描述了光电二极管的反向特性。
最大允许结温和封装热阻则是描述光电二极管的耐热特性的参数。
光电二极管广泛应用于通信、医疗、显示以及工业加工等领域。
例如，在通信领域，光电二极管可用于光纤通信，将光信号转换为电信号进行传输。
在医疗领域，光电二极管可用于光电传感器，实现对生物信号的检测。
在显示领域，光电二极管可用于LED 显示屏，实现对图像的显示。
在工业加工领域，光电二极管可用于激光器，实现对材料的加工。
综上所述，光电二极管作为一种重要的光电器件，具有广泛的应用场景，其性能参数对于其应用效果具有重要影响。
三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数
三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数摘要：一、三极管简介二、三极管的主要参数1.直流参数2.交流参数3.极限参数三、参数对三极管性能的影响四、总结正文：一、三极管简介三极管，全称为半导体三极管，是一种常用的半导体器件，具有放大和开关等功能。
它由三个区域组成：n型区（发射极）、p型区（基极）和n型区（集电极）。
通过调整基极电流，可以控制集电极电流，从而实现信号的放大和开关。
二、三极管的主要参数1.直流参数直流参数主要包括静态工作点、静态电流和最大耗散功率。
静态工作点是指三极管在直流偏置下的工作状态，它决定了三极管的放大性能和稳定性。
静态电流是三极管在静态工作点下的基极电流，它影响了三极管的电流放大系数。
最大耗散功率是指三极管在最大工作电流下所能承受的热功率，它限制了器件的输出功率。
2.交流参数交流参数主要包括交流放大倍数、交流输入阻抗和交流输出阻抗。
交流放大倍数是指三极管在交流信号下的电流放大能力，它决定了三极管的信号放大性能。
交流输入阻抗是指三极管在交流信号下的输入阻抗，它影响了信号的传输效果。
交流输出阻抗是指三极管在交流信号下的输出阻抗，它影响了负载的驱动能力。
3.极限参数极限参数主要包括最大额定电压、最大额定电流和最小工作温度。
最大额定电压是指三极管能承受的最大电压，超过该电压可能导致器件损坏。
最大额定电流是指三极管能承受的最大电流，超过该电流可能导致器件过载。
最小工作温度是指三极管能正常工作的最低温度，低于该温度可能导致器件性能下降。
三、参数对三极管性能的影响直流参数、交流参数和极限参数共同决定了三极管的性能。
静态工作点的选择影响了三极管的放大性能和稳定性；静态电流的大小影响了三极管的电流放大系数；最大耗散功率决定了器件的输出功率；交流放大倍数、交流输入阻抗和交流输出阻抗影响了三极管的信号放大性能和驱动能力；最大额定电压、最大额定电流和最小工作温度则决定了器件的可靠性和稳定性。
四、总结三极管的主要参数包括直流参数、交流参数和极限参数。
二极管三极管主要参数
二极管三极管主要参数一、二极管参数1.领电压（VF）：二极管正向导通时的电压。
当二极管正向导通时，会有一个固定的向前电压降，这个电压降被称为领电压。
领电压可以通过数据手册或直流测量仪器进行测量。
领电压的大小取决于二极管材料和结构。
2.反向击穿电压（VR）：二极管在反向电压作用下，击穿的最小电压。
击穿是指二极管在反向电压超过一定阈值时出现漏电流大幅增加的现象。
反向击穿电压与二极管的结构和材料有关。
3.正向电流（IF）：二极管正向导通时的电流。
当二极管正向电压大于或等于领电压时，二极管就开始导通。
正向电流是流经二极管的电流，其大小取决于电源和电路中的其他元件。
4.反向电流（IR）：二极管在反向电压下的漏电流。
当二极管处于在反向电压下时，会有一小部分电流从漏极流出，这个电流被称为反向电流。
反向电流的大小取决于材料和结构。
5.响应时间：二极管从关断到导通或从导通到关断所需的时间。
响应时间是指二极管电流响应到输入信号变化的快慢。
通常，响应时间较短的二极管具有更高的开关速度。
二、三极管参数1.射极电流（IC）：三极管输出电流，从集电极流出的电流。
射极电流是三极管的一个重要参数，它决定了三极管的放大能力。
射极电流的大小取决于基极电流和放大系数。
2.β（或hFE）：三极管的直流放大倍数。
β是指三极管输出电流（IC）和输入电流（IB）之间的比例关系。
β=IC/IB，它决定了三极管放大信号的能力。
β值在数据手册中通常给出，不同类型和品牌的三极管有不同的β值。
3.α（或hFE）：三极管的直流放大因子。
α是指射极电流（IC）和基极电流（IE）之间的比例关系。
α=IC/IE，它决定了三极管输入信号和输出信号之间的放大倍数。
4. 饱和电流（ICsat）：三极管处于饱和状态时的最大输出电流。
饱和电流是指当基极电压足够大，将三极管推向饱和状态时可以通过射极的最大电流。
5.截止频率（fT）：三极管的最高工作频率。
截止频率是指在高频条件下，三极管不能继续正常放大输入信号的频率。
光电三极管参数
光电三极管参数
光电三极管（PhotoelectricTransistor）是一种能将光信号转换为电信号的器件。
它由一个PNP或NPN型晶体管与敏感光电二极管组成。
以下是光电三极管的一些参数解释：
1.最大漏极电压（Vceo）：光电三极管允许的最大电压跨越漏极和发射极之间的值。
2.最大光电流（Icmax）：光电三极管在最大光照条件下，可承受的最大光电流。
3.放大倍数（β）：光电三极管的放大倍数是指负载电流与基极电流之间的比率。
它衡量了光电三极管的放大效果。
4.光电电流（Iph）：在光照条件下，从光电二极管产生的电流。
5.光照强度光流特性曲线（ILIF）：表示光电三极管在不同光照强度下接收到的光照强度与光电流之间的关系。
6.相关噪声等参数：与其他传感器一样，光电三极管也会受到一些噪声的影响。
这些噪声包括热噪声和光热噪声等。
在选择光电三极管时，需要考虑这些噪声参数。
需要注意的是，光电三极管的具体参数可能因不同的厂家和型号而有所不同。
在选择和使用光电三极管时，需要根据具体的应用需求和技术要求仔细考虑这些参数。
光电二极管及其主要参数
光电二极管及其主要参数认识光电二极管，能将光信转为电，管壳上面有窗口，光照管芯电流变，光波波长有不同，出现不同型号管，文字符号为VDL，图形符号带两箭，2DU与2CU，主要参数记心间。
光电流与暗电流，工作电压最高线，响应时间、灵敏度，光谱范围波长现。
光电二极管是一种光电变换器件，它能将接收的光信号转变成电信号输出。
其基本特性是在光的照射下能产生光电流。
光电二极管的顶端有能射入光线的窗口，光线可通过该窗口照射到管芯上。
当无光照射光电二极管时，反向电流很小，即暗电流极小；当有光照射时，在光的激发下，光电二极管内产生大批“光生载流子”，反向电流大增，即光电流大增。
但这种对光线的反应灵敏度有选择性，也就是说具有特定的光谱范围。
在这一范围内，某一波长的光波又有着最佳响应，称这一波长为峰值波长。
不同型号的光电二极管，由于其材料与工艺不同，峰值波长亦不相同。
光电二极管一般能接收可见光或红外光，用可光控系统或遥控系统。
光电二极管的文字符号为VDL，图形符号如图2-52 (b)所示。
光电二极管的种类很多，国产光电二极管主要有2CU系列（N型硅光电二极管）与2DU系列（P型硅光电二极管）等，其外形如图2 -88所示；图2 -88国产光电二极管外形光电二极管主要参数有光电流、暗电流、最高工作电压与光谱响应范围。
光电流指在一定反向电压下，入射光强为某一定值时流过管子的（反向）电流。
光电二极管的光电流一般为几十微安，并与入射光强度成正比，该值越大越好。
暗电流指在一定反向电压下，无光照时流过管子的（反向）电流，一般小于0.1~ 02I_LA，该值越小越好。
最高工作电压指在无光照、反向电流不超过规定值时(通常为0.1VA)，允许的最高反向工作电压，一般在10~50V，使用中不要超过。
光灵敏度是指光电二极管对光线的敏感程度。
它是指在接受到1ILW光线照射时产生的电流大小，单位为IJLA/IJW。
光谱响应范围是指光电二极管光谱响应最灵敏的波长范围，一般为0.88~0.94 y,m。
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光电二极管三极管基本特性和主要参数
光电二极管基本特性和主要参数类别：显示与光电
①电压·电流特性。
光电二极管的电压—电流特性在无光照时，它的特性与一般二极管一样。
受光后，它的特性曲线沿电流轴向下平移，平移的幅度与光照强度成正比例。
特性曲线在第三象限时，表达了管子在加有反向电压并受光照时的反向特性。
此特性表明：a．反向电流随入射光照度的增加而增大，在一定的反向电压范围内，反向电流的大小几乎与反向电压高低无关。
b．在入射照度一定时，光电二极管相当于一个恒流源，其输出电压与负载电阻增大而升高。
如只R1～>R2，则输出电压URl>Uc，其中URl=Uc—Ul，UR2=Uc—U2。
特性曲线在第四象限时，它呈光电池特性，光照强度越大，负载电阻越小，电流越大。
即R1>R2时，则I2>I1。
②反向工作电压UR。
在无光照时，光电二极管中反向电流≤0．2—0．31μA时，允许的最高反向电压一般不大于10V，最高可达50V。
③暗电流ID。
在无光照时，加一定反向电压时的反向漏电流与暗电流。
通常在50V反压下的暗电流小于100nA。
④光电流IL。
在受到一定光照及一定反压条件下，流过管子的电流为光电流。
一般光电流为几十μA，并且与照度成线性关系。
⑤光谱响应特性。
硅光电二极管的光
谱范围为400～1100nm，其峰值波长为880～900nm，这与GaAs红外发光二极管的波长相匹配，可获得较高的传输效率。
光电三极管的特性类别：显示与光电光电三极管也是靠光的照射量来控制电流的器件。
它可等效看作一个光电二极管与一只晶体三极管的结合，所以它具有放大作用。
其最常用的材料是硅，一般仅引出集电极和发射极，其外形与发光二极管一样(也有引出基极的光电三极管，它常作温度补偿用)。
它的光谱范围与光电二极管相同。
(1)输出特性其输出特性与一般晶体三极管特性相同，差别仅在于参变量不同：三极管的参变量为基极电流，而光电三极管的参变量是入射的光照度。
(2)简易测试方法光电三极管可用万用表测量其电阻或电流。
(3)应用电路
由于光电三极管本身具有放大作用，因此只要一级三极管放大，即可驱动继电器。
(4)光电二极管与光电三极管的差别与选用光电二极管的光电流小，输出特性线性度好，响应时间快；而光电三极管光电流大，输出特性线性度差，响应时间慢。
一般要求灵敏度高，工作频率低的开关电路，可选用光电三极管；要求光电流与照度成线性关系或要求工作频率高时，则采用光电二极管。
(5)使用注意事项不论是红外发射管还是接收管，要在制作前按介绍的方法测试一下，正确判断其好坏及分清是光电二极管还是光电三极管，这点十分重要。
它们的负载电阻有较大的差别，
一般光电三极管的负载电阻为光电二极管负载电阻的1/10。
光电二极管或光电三极管并非只对红外线敏感，所以在制作时要防止环境光(日光、灯光)过强而使放大电路输出饱和而失控，可加红色有机玻璃滤光，以减少环境光的影响。