HBT结构的新进展
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HBT结构的新进展
石瑞英;刘训春;等
【期刊名称】《半导体技术》
【年(卷),期】2002(27)6
【摘要】介绍了以In0.03Ga0.97As0.99N0.01材料为基区的GaAs异质结双极型晶体管和以GaAs0.51Sb0.49材料为基区的InP HBT。
讨论了GaAs和InP HBT 结构的新进展及其对性能的改善,并对各结构的适用范围和优缺点进行了比较。
【总页数】5页(P69-72)
【关键词】结构;异质结双极型;晶体管;InP;GaAs
【作者】石瑞英;刘训春;等
【作者单位】中科院微电子中心，北京100010
【正文语种】中文
【中图分类】TN322.8
【相关文献】
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