材料成型 第02章上
合集下载
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
凝固过程可以用热力学 函数来描述。 有一类热力学函数,描 述过程状态变化时,与 过程经历的“历程”有 关。比如功,在作纯体 积功时,某容器内气体 由状态1(其压力为P1, 体积为V1),经过不同 路径变到状态2(压力为 P2,体积为V2)。路径 不同时,压力所作的体 积功必然不同。
图2-4: 容器内气体压力做体积功
第二章 材料凝固理论
概括介绍了材料凝固的热力学基础,凝固的形核、生长 及溶质再分配规律 简要论述了共晶合金的凝固特点、材料的凝固方式及凝 固成形的应用
重点: 自发形核与非自发形核的热力学与动力学条件 固液界面生长方式;非平衡杠杆定理;成分过冷判据; 合金凝固方式及 凝固成形的应用 难点: 溶质再分配规律 成分过冷与晶体生长形态 凝固成形的应用
• 从固-液界面微观尺度考虑,可将其自然划分成粗糙界 面和光滑界面。光滑界面也被称作小晶面, 其表面有很多 空位或几乎没有空位,粗糙界面又称作非小晶面,晶体表 面有一半空缺位置时自由能最低,大部分金属属于其类。
图2-16 界面原子角度的差别
需要指出的是,固-液界面的结构,是以原子尺度 为标准划分的。从原子尺度上说是粗糙的,在宏观 上却是“光滑”的;反之,在原子尺度上是光滑的, 从宏观上看却是“粗糙”的,如图2-16,示意界面 原 子角度的差别,图2-17示意了宏观角度界面的差别。
• 形核率:形核率是单位体积中、单位时间内形成的 核心数目。 • ΔT增大,ΔG*下降,形核率I上升。表达式为:
G G A I C exp exp KT KT
式中:K 为波尔兹曼常数, I * Δ T ≈ 0.2T m Δ GA 为扩散激活能。 • 对于一般金属,温度降到 某一程度,达到临界过冷度 (ΔT*),成核率迅速上升, ΔT 计算及实验均表明, ΔT*~0.2Tm左右,可见,均质形核 需要很大的 过冷度。而在这之前,均质形核的形核率随过冷度 的增加几乎始终为零,即不可能发生形核。
状态函数
与过程经历的“历程”无关,只与研究体系所处的 状态有关。这类热力学函数,就是状态函数。如:
内能(U):物质体系内部所有质点的动能与势能
之和。 焓(H):体系等压过程热量的变化。 熵(S):体系热量与温度的比值,是体系混乱程 度的量度,体系越混乱,熵值愈大。 还有两个常用的状态函数,可用于判断体系进行的方向 和限度: Gibbs自由能(G)- 在恒温等压下使用。
2. Gibbs自由能减小判据:
等温等压条件下,一个只做体积功的体系, Gibbs自由能永不增大(或ΔGT,P≤0 );自发过 程的方向是使体系的Gibbs自由能降低,当 Gibbs自由能降到极小值时,体系达到平衡。
运用这两个判据,可以判定凝固过程 可否自发进行。
凝固过程一般均在常压下进行,因此多 用: ΔGT,P≤0 或 dG = dH - TdS ≤0 作 为判据。 由于金属凝固过程中 dS<0 ,可见欲使 dG ≤0 成立,必须 dH < 0 , 即:
2G S T 2 T p p
曲线上凸,因此液固相自由能与温度的关系曲线可以示意描
绘成如下图。
由图可以看出,当
金属温度低于Tm时,固 相体积自由能低于液相。
根据Gibbs自由能判据,
金属将发生凝固。此外, 凝固温度比Tm 越低,即:
第二章 材料凝固理论(上)
2.1 2.2 2.3 材料凝固概述 凝固的热力学基础 形核
2.4
2.5 2.6 2.7 2.8
晶体生长
溶质再分配 共晶合金的凝固 金属及合金的凝固方式 凝固成形的应用
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
2.1 材料凝固概述
• 凝固是材料成形加工过程中一种非
常重要的物理化学现象。它是将加热到 液态的材料按人们规定的尺寸、形状及 组织形态冷却至固态的过程。简单地说, 凝固就是材料由液相向固相转化的过程。
就构成了凝聚态物质的表面能。
图2-7 为气液界面原子受力作用示意图。界面上 的原子或分子受力不平衡, 因气相原子作用力 大大小于液相,故合力指向物体内部,使界面有 自动缩小的趋势,以减小界面面积。
2. 界面张力:
用小实验来理解界面张力:
在宽度为b的框架内制备一块 均匀的薄膜,并将框架的右侧设 计成可以自由、接近零摩擦的滑 动边。为了保持薄膜的面积不减 小,外部必须作用在框架右侧边 上一个绷紧力F,此力将与薄膜的 弹性张力 (N/m)相平衡, 即: F - · = 0 或: b =F/b 即为液体的界面张力。 如从功和能量转换角度去理解,在外力F作用下使薄膜拉长Δl 时,对薄膜作功从而使薄膜界面能量增加ΔE , ΔE = F · Δl = · ΔA 或: = ΔE / ΔA 即:界面张力在数值上等于单位面积上的表面能(当凝聚相具 有各向同性时), 方向是使液膜面积减小方向。当薄膜为液膜时 即可理解是表面张力。
界面张力的单位是N/m ,界面能的单位是 J/m2 。
3. 润湿性
液态凝固过程中,同 时存在固、液、气三相。 在三相交汇部位,各界面 张力处于平衡状态,如图 图中液相对固相的润 湿性可以用润湿角θ来描述:
θ较小时,润湿性较好。显然,θ的大小主要 与液固两相间的界面张力LS 有关,而LS 的大小 取决于两相间显微结构的错配度。 LS 越小,润 湿性越好。
*
he
he
ho
*
*
衬底越凹,形成临界晶核所包容的原子数越少, 形核能力越强。 图2-13显示了不同曲率衬底上 形核的情况,由图可知,凸面上形成的晶核原 子数最多,平面次之,凹面上最少。
2.3.4 形 核 剂
• 生产中往往采用形核剂提高金属液的形核能力, 以细化金属晶粒,改善材料性能。形核剂应该 具备下述特点:
过冷度ΔT 越大,两相
体积自由能差越大,凝固驱动力ΔGm越大。在Tm 温度附近时有:
ΔGm ≈ ΔHm - T ΔSm
而: 故 ΔSm ≈ ΔHm /Tm ΔGm ≈ (ΔHm· ΔT )/Tm = ΔSm · ΔT
2.3.2 自 发 形 核
形核 : 介稳定液相通过温度起伏,在一些微区 内部形成稳定存在的晶质质点的过程。 可分成自发形核与非自发形核两种形式:
ΔG = ΔGV +ΔGJ = ΔGmV +
V是晶核体积;
LSA
式中:ΔGm — 单位体积固、液自由能差; σLS — 固、液界面张力;若假定晶核为球形,上式可表示为:
式中: r — 晶核球半径;
ΔGm = ΔHm· / Tm ΔT
将一定的物理化学参数代入上式,可得到原子团半径与 吉布斯自由能的ΔG-r 关系曲线
上式中的第一项为负,第二项为正,两项的代数 和必然存在极值。ΔG自达到极大时的值叫临界 形核功ΔG*, 此时的晶核叫临界晶核。 使用极值求解方法得:
式中:r*—— 临界晶核半径; n*自 — 临界晶核的原子数; Vn — 单个原子的体积。 ΔG*(最大值)称为临界形核功,它表示形核过程系统需 克服的能量障碍,即能垒。由最后一式可以看出: • 自发形核的临界形核功等于临界晶核界面能的1/3 。
把体系从不平衡状态自发地移向平衡状 态的过程称为自发过程。在没有外界影 响下,这个过程不可逆转,故自发过程 又叫不可逆过程。
为判别体系的自发过程,有两个判据: 1. Helmholtz自由能最低原理
等温等容条件下,体系的Helmholtz自由能 永不增大或(ΔFT,V≤0 );自发过程的方向力图 减小体系的自由能,平衡的标志是体系的 Helmholtz自由能为极小。
Helmholtz自由能(F) - 在恒温定容下使用。
状态函数之间的关系
焓(H)与内能(U)的关系:
H = U + pV
Gibbs自由能(G)、焓(H)和熵(S)的关系:
G = H – TS
或:dGT = dH - TdS
Helmholtz自由能(F)、内能(U)和熵(S) 的关系:
F = U – TS
•
失配度小 —— LS尽可能小
•
•
粗糙度大 —— 以提供凹状基底
分散性好 —— 以提供更多的基底
•
高温稳定性好 —— 避免在熔体中熔
化、分解或与其它元素化合。
2.4 晶体生长
2.4.1 固液界面的结构 2.4.2 晶体生长方式 2.4.3 生长速度
2.4.1 固液界面的结构
形核完成后,紧接着就是生长过程。生长是 通过液相中原子逐个地或若干个原子同时地撞击 到已有晶体表面(液-固界面固相一侧),并且附 着于晶体表面的原子按照晶格点阵规律排布起来, 成为晶体新的部分,使固-液界面不断向液相推移, 固相逐渐增多,液相逐渐减少。 但是,在晶体表面上并不是任意位置都可以 同样容易地接纳这些原子,晶体表面接纳原子的 位置多少与晶体表面的结构有关。晶体表面上有 原子空缺位置,或存在台阶的位置,容易接纳新 的原子,而完全被占满的晶体表面则难以接纳新 的原子。因此,晶体生长过程和固-液界面结构相 关。
•
凝固过程是铸造与熔焊过程中的重
要阶段。
凝固过程中发生的变化:
• 体积改变 • 外形改变 • 产生凝固潜热 • 熵值改变 • 结构改变 • 发生溶质再分配
宏观变化
微观变化
2.2 凝固的热力学基础
2.2.1 状态函数的概念
2.2.2 状态变化的自发性 2.2.3 界面与表面
2.2.1 状态函数的概念
凝固潜热的释放是金属凝固自 发进行的内因或驱动力。
2.2.3 界面张力
1. 界面与表面: 不同物质(或同类物质的不同物态、物相) 之间的接触面称为界面。通常把凝聚相(液相或 固相)与气相的分界面称为表面。 • 凝固过程,涉及到气-液-固界面
对于同一物质的原子,处于不同物态时原子的自由能
G大小不同。处于气态(或自由态)的原子自由能显然高 于凝聚态。当温度不变时,凝聚态的原子只有在获得一定 的气化潜热后,才能升华为高能态的气态原子。 处于凝聚态表面上的原子所具有的自由能G应高于内部 原子,表面原子与内部原子的自由能差ΔG的累加
2.3 形
2.3.1 2.3.2
核
凝固的热力学条件 自发形核
2.3.3
2.3.4
非自发形核
形核剂
2.3.1 凝固的热力学条件
研究为什么凝固可以自发进行?由热力学函数关系, 有下式: dG = Vdp - SdT 金属凝固一般在常压下进行, 上式又可简化成:
G p T
S
由于熵恒为正值,故物质自由能G随温度上升而下降。又因 为SL>SS(液态熵大于固态熵),故液态金属随温度上升自 由能G的下降速率大于固态金属。另外可证:
或:dFT = dU – TdS
Gibbs自由能(G)与Helmholtz自由能(F)之 间的关系:
G = pV + F 或:dG = pdV + dF
2.2.2 状态变化的自发性
例1. 两种不同的气体相遇时,将 发生什么现象? 答案观察图2-5 例2. 温度不同的两个物体接触时, 将发生什么现象?答案观察图2-6
自发形核: 在不借助任何外来界面的均匀熔体中
形核的过程。 非自发形核 : 在不均匀熔体中,依靠外来杂质 界面或各种衬底形核的过程。
2.3.2 自发形核 1
自发形核的物理化学实质:液体内部出现晶核时,系统Gibbs自由 能变化由固、液两相自由能差ΔGV 和固、液界面能ΔGJ 组成。前 者是相变的驱动力,后者是相变的阻力。系统总Gibbs自由能的变 化为:
2.3.3 非 自 发 形 核
• 如果在液体中存在固相基底,依附现有基底的 非自发形核,可以大大降低临界形核功。假定在平 面衬底上形核见图2-12 ,运用Young‘s方程及球冠 面积与体积计算公式,重新推导非自发形核Gibbs 自由能表达式,求极值后得:
• 式中:
ƒ与θ 的关系图形。
图2-12
因为0 <ƒ(θ ) <1,非自发形核的 临界形核功小于自发形核的临界形核功。
影响非自发形核能力的因素:
衬底对金属液的润湿性:润湿性越好,形核能力越强。 衬底粗糙度:粗糙度越大,形核能力越强。衬底粗糙度 实际是通 过其曲率及凹向起作用的。 形核率:即单位时间单位体积金属液形成的晶核数。形 核率越高,形核能力越强。
非自发形核率随 过冷度变化而变 θ ' >θ " 化,当ΔT达到一 ΔT " I " I ' I 定值后,形核率达 I ΔT ' 最大值,然后下降. ΔT 这是因为夹杂表面 均被占满后,再增 ΔT 大ΔT,非自发形 核率不再增大的缘故。 非均质形核、均质形核过冷度与形核率
图2-4: 容器内气体压力做体积功
第二章 材料凝固理论
概括介绍了材料凝固的热力学基础,凝固的形核、生长 及溶质再分配规律 简要论述了共晶合金的凝固特点、材料的凝固方式及凝 固成形的应用
重点: 自发形核与非自发形核的热力学与动力学条件 固液界面生长方式;非平衡杠杆定理;成分过冷判据; 合金凝固方式及 凝固成形的应用 难点: 溶质再分配规律 成分过冷与晶体生长形态 凝固成形的应用
• 从固-液界面微观尺度考虑,可将其自然划分成粗糙界 面和光滑界面。光滑界面也被称作小晶面, 其表面有很多 空位或几乎没有空位,粗糙界面又称作非小晶面,晶体表 面有一半空缺位置时自由能最低,大部分金属属于其类。
图2-16 界面原子角度的差别
需要指出的是,固-液界面的结构,是以原子尺度 为标准划分的。从原子尺度上说是粗糙的,在宏观 上却是“光滑”的;反之,在原子尺度上是光滑的, 从宏观上看却是“粗糙”的,如图2-16,示意界面 原 子角度的差别,图2-17示意了宏观角度界面的差别。
• 形核率:形核率是单位体积中、单位时间内形成的 核心数目。 • ΔT增大,ΔG*下降,形核率I上升。表达式为:
G G A I C exp exp KT KT
式中:K 为波尔兹曼常数, I * Δ T ≈ 0.2T m Δ GA 为扩散激活能。 • 对于一般金属,温度降到 某一程度,达到临界过冷度 (ΔT*),成核率迅速上升, ΔT 计算及实验均表明, ΔT*~0.2Tm左右,可见,均质形核 需要很大的 过冷度。而在这之前,均质形核的形核率随过冷度 的增加几乎始终为零,即不可能发生形核。
状态函数
与过程经历的“历程”无关,只与研究体系所处的 状态有关。这类热力学函数,就是状态函数。如:
内能(U):物质体系内部所有质点的动能与势能
之和。 焓(H):体系等压过程热量的变化。 熵(S):体系热量与温度的比值,是体系混乱程 度的量度,体系越混乱,熵值愈大。 还有两个常用的状态函数,可用于判断体系进行的方向 和限度: Gibbs自由能(G)- 在恒温等压下使用。
2. Gibbs自由能减小判据:
等温等压条件下,一个只做体积功的体系, Gibbs自由能永不增大(或ΔGT,P≤0 );自发过 程的方向是使体系的Gibbs自由能降低,当 Gibbs自由能降到极小值时,体系达到平衡。
运用这两个判据,可以判定凝固过程 可否自发进行。
凝固过程一般均在常压下进行,因此多 用: ΔGT,P≤0 或 dG = dH - TdS ≤0 作 为判据。 由于金属凝固过程中 dS<0 ,可见欲使 dG ≤0 成立,必须 dH < 0 , 即:
2G S T 2 T p p
曲线上凸,因此液固相自由能与温度的关系曲线可以示意描
绘成如下图。
由图可以看出,当
金属温度低于Tm时,固 相体积自由能低于液相。
根据Gibbs自由能判据,
金属将发生凝固。此外, 凝固温度比Tm 越低,即:
第二章 材料凝固理论(上)
2.1 2.2 2.3 材料凝固概述 凝固的热力学基础 形核
2.4
2.5 2.6 2.7 2.8
晶体生长
溶质再分配 共晶合金的凝固 金属及合金的凝固方式 凝固成形的应用
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
2.1 材料凝固概述
• 凝固是材料成形加工过程中一种非
常重要的物理化学现象。它是将加热到 液态的材料按人们规定的尺寸、形状及 组织形态冷却至固态的过程。简单地说, 凝固就是材料由液相向固相转化的过程。
就构成了凝聚态物质的表面能。
图2-7 为气液界面原子受力作用示意图。界面上 的原子或分子受力不平衡, 因气相原子作用力 大大小于液相,故合力指向物体内部,使界面有 自动缩小的趋势,以减小界面面积。
2. 界面张力:
用小实验来理解界面张力:
在宽度为b的框架内制备一块 均匀的薄膜,并将框架的右侧设 计成可以自由、接近零摩擦的滑 动边。为了保持薄膜的面积不减 小,外部必须作用在框架右侧边 上一个绷紧力F,此力将与薄膜的 弹性张力 (N/m)相平衡, 即: F - · = 0 或: b =F/b 即为液体的界面张力。 如从功和能量转换角度去理解,在外力F作用下使薄膜拉长Δl 时,对薄膜作功从而使薄膜界面能量增加ΔE , ΔE = F · Δl = · ΔA 或: = ΔE / ΔA 即:界面张力在数值上等于单位面积上的表面能(当凝聚相具 有各向同性时), 方向是使液膜面积减小方向。当薄膜为液膜时 即可理解是表面张力。
界面张力的单位是N/m ,界面能的单位是 J/m2 。
3. 润湿性
液态凝固过程中,同 时存在固、液、气三相。 在三相交汇部位,各界面 张力处于平衡状态,如图 图中液相对固相的润 湿性可以用润湿角θ来描述:
θ较小时,润湿性较好。显然,θ的大小主要 与液固两相间的界面张力LS 有关,而LS 的大小 取决于两相间显微结构的错配度。 LS 越小,润 湿性越好。
*
he
he
ho
*
*
衬底越凹,形成临界晶核所包容的原子数越少, 形核能力越强。 图2-13显示了不同曲率衬底上 形核的情况,由图可知,凸面上形成的晶核原 子数最多,平面次之,凹面上最少。
2.3.4 形 核 剂
• 生产中往往采用形核剂提高金属液的形核能力, 以细化金属晶粒,改善材料性能。形核剂应该 具备下述特点:
过冷度ΔT 越大,两相
体积自由能差越大,凝固驱动力ΔGm越大。在Tm 温度附近时有:
ΔGm ≈ ΔHm - T ΔSm
而: 故 ΔSm ≈ ΔHm /Tm ΔGm ≈ (ΔHm· ΔT )/Tm = ΔSm · ΔT
2.3.2 自 发 形 核
形核 : 介稳定液相通过温度起伏,在一些微区 内部形成稳定存在的晶质质点的过程。 可分成自发形核与非自发形核两种形式:
ΔG = ΔGV +ΔGJ = ΔGmV +
V是晶核体积;
LSA
式中:ΔGm — 单位体积固、液自由能差; σLS — 固、液界面张力;若假定晶核为球形,上式可表示为:
式中: r — 晶核球半径;
ΔGm = ΔHm· / Tm ΔT
将一定的物理化学参数代入上式,可得到原子团半径与 吉布斯自由能的ΔG-r 关系曲线
上式中的第一项为负,第二项为正,两项的代数 和必然存在极值。ΔG自达到极大时的值叫临界 形核功ΔG*, 此时的晶核叫临界晶核。 使用极值求解方法得:
式中:r*—— 临界晶核半径; n*自 — 临界晶核的原子数; Vn — 单个原子的体积。 ΔG*(最大值)称为临界形核功,它表示形核过程系统需 克服的能量障碍,即能垒。由最后一式可以看出: • 自发形核的临界形核功等于临界晶核界面能的1/3 。
把体系从不平衡状态自发地移向平衡状 态的过程称为自发过程。在没有外界影 响下,这个过程不可逆转,故自发过程 又叫不可逆过程。
为判别体系的自发过程,有两个判据: 1. Helmholtz自由能最低原理
等温等容条件下,体系的Helmholtz自由能 永不增大或(ΔFT,V≤0 );自发过程的方向力图 减小体系的自由能,平衡的标志是体系的 Helmholtz自由能为极小。
Helmholtz自由能(F) - 在恒温定容下使用。
状态函数之间的关系
焓(H)与内能(U)的关系:
H = U + pV
Gibbs自由能(G)、焓(H)和熵(S)的关系:
G = H – TS
或:dGT = dH - TdS
Helmholtz自由能(F)、内能(U)和熵(S) 的关系:
F = U – TS
•
失配度小 —— LS尽可能小
•
•
粗糙度大 —— 以提供凹状基底
分散性好 —— 以提供更多的基底
•
高温稳定性好 —— 避免在熔体中熔
化、分解或与其它元素化合。
2.4 晶体生长
2.4.1 固液界面的结构 2.4.2 晶体生长方式 2.4.3 生长速度
2.4.1 固液界面的结构
形核完成后,紧接着就是生长过程。生长是 通过液相中原子逐个地或若干个原子同时地撞击 到已有晶体表面(液-固界面固相一侧),并且附 着于晶体表面的原子按照晶格点阵规律排布起来, 成为晶体新的部分,使固-液界面不断向液相推移, 固相逐渐增多,液相逐渐减少。 但是,在晶体表面上并不是任意位置都可以 同样容易地接纳这些原子,晶体表面接纳原子的 位置多少与晶体表面的结构有关。晶体表面上有 原子空缺位置,或存在台阶的位置,容易接纳新 的原子,而完全被占满的晶体表面则难以接纳新 的原子。因此,晶体生长过程和固-液界面结构相 关。
•
凝固过程是铸造与熔焊过程中的重
要阶段。
凝固过程中发生的变化:
• 体积改变 • 外形改变 • 产生凝固潜热 • 熵值改变 • 结构改变 • 发生溶质再分配
宏观变化
微观变化
2.2 凝固的热力学基础
2.2.1 状态函数的概念
2.2.2 状态变化的自发性 2.2.3 界面与表面
2.2.1 状态函数的概念
凝固潜热的释放是金属凝固自 发进行的内因或驱动力。
2.2.3 界面张力
1. 界面与表面: 不同物质(或同类物质的不同物态、物相) 之间的接触面称为界面。通常把凝聚相(液相或 固相)与气相的分界面称为表面。 • 凝固过程,涉及到气-液-固界面
对于同一物质的原子,处于不同物态时原子的自由能
G大小不同。处于气态(或自由态)的原子自由能显然高 于凝聚态。当温度不变时,凝聚态的原子只有在获得一定 的气化潜热后,才能升华为高能态的气态原子。 处于凝聚态表面上的原子所具有的自由能G应高于内部 原子,表面原子与内部原子的自由能差ΔG的累加
2.3 形
2.3.1 2.3.2
核
凝固的热力学条件 自发形核
2.3.3
2.3.4
非自发形核
形核剂
2.3.1 凝固的热力学条件
研究为什么凝固可以自发进行?由热力学函数关系, 有下式: dG = Vdp - SdT 金属凝固一般在常压下进行, 上式又可简化成:
G p T
S
由于熵恒为正值,故物质自由能G随温度上升而下降。又因 为SL>SS(液态熵大于固态熵),故液态金属随温度上升自 由能G的下降速率大于固态金属。另外可证:
或:dFT = dU – TdS
Gibbs自由能(G)与Helmholtz自由能(F)之 间的关系:
G = pV + F 或:dG = pdV + dF
2.2.2 状态变化的自发性
例1. 两种不同的气体相遇时,将 发生什么现象? 答案观察图2-5 例2. 温度不同的两个物体接触时, 将发生什么现象?答案观察图2-6
自发形核: 在不借助任何外来界面的均匀熔体中
形核的过程。 非自发形核 : 在不均匀熔体中,依靠外来杂质 界面或各种衬底形核的过程。
2.3.2 自发形核 1
自发形核的物理化学实质:液体内部出现晶核时,系统Gibbs自由 能变化由固、液两相自由能差ΔGV 和固、液界面能ΔGJ 组成。前 者是相变的驱动力,后者是相变的阻力。系统总Gibbs自由能的变 化为:
2.3.3 非 自 发 形 核
• 如果在液体中存在固相基底,依附现有基底的 非自发形核,可以大大降低临界形核功。假定在平 面衬底上形核见图2-12 ,运用Young‘s方程及球冠 面积与体积计算公式,重新推导非自发形核Gibbs 自由能表达式,求极值后得:
• 式中:
ƒ与θ 的关系图形。
图2-12
因为0 <ƒ(θ ) <1,非自发形核的 临界形核功小于自发形核的临界形核功。
影响非自发形核能力的因素:
衬底对金属液的润湿性:润湿性越好,形核能力越强。 衬底粗糙度:粗糙度越大,形核能力越强。衬底粗糙度 实际是通 过其曲率及凹向起作用的。 形核率:即单位时间单位体积金属液形成的晶核数。形 核率越高,形核能力越强。
非自发形核率随 过冷度变化而变 θ ' >θ " 化,当ΔT达到一 ΔT " I " I ' I 定值后,形核率达 I ΔT ' 最大值,然后下降. ΔT 这是因为夹杂表面 均被占满后,再增 ΔT 大ΔT,非自发形 核率不再增大的缘故。 非均质形核、均质形核过冷度与形核率