避免可控硅损坏对产品造成不良后果
在电路中可控硅不工作的原因

在电路中可控硅不工作的原因全文共四篇示例,供读者参考第一篇示例:可控硅是一种重要的半导体器件,常用于电力控制和电能转换领域。
但是在实际使用中,我们有时会遇到可控硅不工作的情况,这给电路和设备的正常运行带来了隐患。
了解可控硅不工作的原因并采取相应的措施是非常重要的。
本文将对在电路中可控硅不工作的原因进行详细探讨。
一、电路中可控硅不工作的原因1. 可控硅损坏可控硅作为一种半导体器件,其本身可能会受到过压、过流等外部因素的影响而损坏。
这种情况下,可控硅会失去正常的工作功能,甚至短路或断路,无法正常导通。
2. 控制信号不足可控硅的工作需要通过控制信号来触发,如果控制信号不够强或者频率不足,可控硅可能无法正常触发。
这种情况下,即使电路中的其他部分正常工作,可控硅也无法正常导通或截止。
3. 温度过高可控硅在工作时会产生一定的热量,如果周围环境温度过高或者散热不佳,可能会导致可控硅温度过高而无法正常工作。
这种情况下,可控硅可能会进入过热保护状态或直接损坏。
4. 激励电路异常在实际电路中,连接可控硅的激励电路可能发生异常,比如电路连接错误、元器件损坏等情况,这些都可能导致可控硅无法正常工作。
5. 其他外部干扰电路中可能会存在其他外部干扰的因素,比如电磁干扰、电压波动等,这些因素可能会导致可控硅无法正常工作。
二、针对以上原因的解决措施1. 对可控硅进行严格的过压、过流保护,避免因外部因素导致可控硅损坏。
2. 加强对控制信号的管理和调节,确保可控硅能够获得充足、稳定的控制信号。
3. 优化散热结构,提高可控硅的工作环境温度,避免因过高温度影响可控硅的正常工作。
4. 定期检查激励电路和相关连接,确保可控硅的激励电路正常,不存在连接错误或元器件损坏等情况。
5. 增加电路的抗干扰能力,通过隔离、滤波等方法来消除外部干扰对可控硅的影响。
总结:在电路中可控硅不工作的原因是多方面的,可能来自于器件本身的损坏,也可能来自于外部的因素干扰。
可控硅中频电源安全操作规程范本(二篇)
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可控硅中频电源安全操作规程范本第一章总则第一条为了保障可控硅中频电源的安全运行,确保操作人员的人身安全和设备的正常使用,制定本规程。
第二条本规程适用于可控硅中频电源的日常使用和维护操作。
第三条可控硅中频电源的操作人员必须严格按照本规程执行,违反规程造成的人身伤害和设备损坏,由个人负责。
第二章安全管理第四条所有操作人员必须具备相应的电气知识和操作技能,熟悉可控硅中频电源的工作原理和功能。
第五条操作人员必须经过专业培训并取得相应的操作证书方可上岗。
第六条操作人员必须严格按照电源产品的使用说明书操作,不得擅自拆卸或改变电源的结构和工作参数。
第七条操作人员在操作前必须检查电源设备及配件的运行状态,确保设备完好无损。
第八条操作人员在操作中发现任何异常情况必须立即停止操作,并向上级报告。
第九条操作人员必须定期对电源设备进行维护保养,确保设备的正常运行。
第三章操作流程第十条操作人员在操作可控硅中频电源前必须戴好工作服、帽子、手套和防静电鞋,并确保地面是干燥的。
第十一条操作人员在操作前必须检查电源设备的电气连接,确保接地良好,防止电击事故发生。
第十二条操作人员在操作前必须检查电源开关的位置,确保开关处于关断状态。
第十三条操作人员在操作前必须检查电源设备的冷却液位,确保冷却系统正常工作。
第十四条操作人员在操作中必须掌握电源的输出参数,确保输出电流和电压符合设定要求。
第十五条操作人员在操作中必须注意电源设备的工作状态,不得超过额定负载,避免设备过热。
第十六条操作人员在操作后必须关闭电源开关,切断电源供应。
并按照操作顺序进行设备的关机操作。
第十七条操作人员在操作结束后必须对电源设备进行清洁和维护,确保设备的正常使用。
第四章应急措施第十八条在发现可控硅中频电源发生故障或异常情况时,操作人员必须立即采取安全措施,切断电源供应。
第十九条操作人员在发生火灾或其他紧急情况时,必须迅速报警并采取适当的灭火措施。
第二十条操作人员在发生电击事故时,必须迅速切断电源,并立即进行急救。
可控硅失效模式及其预防
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电气应力(二)
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在电气设计中如果在可控硅两端施加了 过大的瞬间电流,会导致晶圆严重损毁。 见右图三。 表现为A1和A2之间 或者A1和G之间或者A2和G之间短路 或开路。见右图三 图三
在电气设计中如果在可控硅两端施加了 过高的di/dt,会导致靠近控制极的金属 层穿通,见右图四。 表现为A1和A2之间短路或正反向耐压失效。
图一
在可控硅开通瞬间(特别对于感性负载), 如ห้องสมุดไป่ตู้尖峰电压过高,也会导致可控硅在金 属层边缘上穿通,有时也会在角落上。见右图二: 表现为A1和A2之间短路 图二
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Building Scale And Delivering Solutions
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可控硅失效模式及其如何预防
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因过高di/dt所致,应选耐di/dt高的可控硅 产品或在可控硅A1和A2之间加RC吸收网络。
Vmai ns
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因过高瞬态电流所致,应选ITSM高的可控硅产品或施加保护电路,有分立元器件和IC两 种,目前ST也有推出类似产品,型号是STCC08(见附件一) 因机械应力所致,则应重新看下作业过程中螺批的扭力是否符合供应商推荐值(见第二页)。 因热应力所致, 责应重新计算散热器的面积和选择高结温产品。
可控硅整流装置引起的危害和抑制措施
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1 变压器 。在高次 谐波 电压 的作用 下 , _ 变压器 的绕 组, 通过谐波电流会增 加励磁 电流 , 功率损耗增 加, 效率 降 低, 增加噪音。 2 .电动机 。 波电流通过 同步 电机定子时 , 谐 使定子绕 组发热加剧, 从而降低了电机的输出功率, 同时也增加功 率损失, 对异步电机也会使励磁电流增大, 功率损失增加 力率降低。 3 .电容器。 它对高次谐波电流最为敏感, 除谐波在系 统感抗和电容 器容抗 之 间引起并联谐 振外会 引起严 重 的 过负荷 , 电容器严重损坏或无法运行 。 造成
可控硅整流装置 引起 的危 害和抑制措施
林基 堂
摘
牟
桃
。
要: 使用的可控硅 整流装置产生 的高次谐 波 , 如不加 抑制会对 交流 电网和电器设备产 生严 重影响
为确保 系统运行安全 , 须对 可控 整流装置采 用实际可行的抑制措施 。
关键词 : 可控装置 ; 高次谐 波; 涉及危 害; 抑制措施 ; 确保安 全。 中图分类号 :N 2 T 34 文献标识码: A
维普资讯
第 6卷
第 6F JXIUNI R I Y OU AL O I VE S T
V 16 No 6 0. .
20 06年 l 2月
De . 0) e2 ( 6
文章编号 :6 2 7 8 2 0 )6— 0 2— 17 -65 { 06 0 0 7 2
对应 的三的倍数 的高次谐波 的磁 通。这些 高次谐波 的磁 通 , 变压器初 级绕组 的各相 内产生三的倍数的高次谐 将使 波电流。 因为 , 的相位 一致 只能在 △接线 的绕组 内环 它 流 将能量 消耗在绕组 的电阻中。 因此 , 电力变压器 与整 流变压器都 采用 Y A或 △ Y / / 接 线时, 其高次谐波 中都 不包 含三的倍 数的 高次谐 波 , 而 只有 5 7 1 、3次等谐波 。 、 、1 1 2 增加 整 流相 数。可 控硅 整 流装 置 的整 流 相 数越 . 多, 则整流后 的电压和 电流脉 动 曲线越平 坦 , 高次谐 波 电 压含有率越低 。并且 , 制角 a 0 ≤a 0 ) 小 , 控 ( 。 ≤9 。 越 高次 谐 波电压含有率越低 。因此 , 三相电源组成的多相整流 电 路 ( 6相 ,2相) 如 1 得到广泛应用。( : 1 整流时高 如 用 2相 次谐波 只占全 电流的 1 ) %
可控硅安全操作保养规程
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可控硅安全操作保养规程可控硅(又称晶闸管)是一种常用的半导体器件,被广泛应用于各种控制电路中。
为了保证可控硅的正常工作和延长使用寿命,必须严格按照操作和保养规程进行操作。
下面是可控硅的安全操作和保养规程。
一、安全操作规程1.操作人员必须熟悉可控硅器件的工作原理和特性,了解其电气参数和安装要求。
2.在操作可控硅之前,必须先断开电源并确保电路处于断电状态,以免发生电击事故。
3.操作人员在进行连接和插拔电气连接时,必须保持干燥的手,防止触摸器件引脚以及其他电路元件。
4.在连接和拆卸可控硅时,必须使用绝缘工具,以防止短路和触电。
5.在连接其他电路之前,应确认可控硅的极性,并确保正确连接。
6.在连接高电压和大电流电路时,应使用相应的电气绝缘设备,保证操作人员的安全。
7.在进行热沉(散热器)连接时,应避免使用过大的力气,以免损坏器件。
8.在使用可控硅进行控制时,必须确保控制信号正确和稳定,避免错误触发和过渡过程。
9.在进行可控硅的测试和调试时,必须使用合适的测量设备,并遵循相应的测试方法和注意事项。
10.在长时间停止使用可控硅时,应及时断开电源,避免长时间处于高温状态。
二、保养规程1.可控硅表面应保持清洁,防止灰尘、油污等杂物附着,影响散热和性能。
2.定期检查可控硅外观和引脚,确保无明显损伤和变形。
3.定期检查可控硅的电气连接和固定,确保连接良好和不松动。
4.定期检查可控硅的散热器和风扇,确保散热效果良好。
5.定期检查可控硅的工作温度,确保不超过额定温度范围。
6.定期进行可控硅的性能测试和参数检测,以确保其正常工作和可靠性。
7.长时间停用的可控硅应存放在干燥、无尘的地方,避免高温和湿度环境。
8.在进行可控硅故障排除时,必须根据具体情况选择合适的维修方法,避免误操作或损坏其他部件。
9.可控硅的更换和维修必须由专业人士进行操作,确保安全和可靠性。
10.当可控硅发生故障或长时间使用后,必须断电进行维护和更换,避免对其他电路造成损坏和危险。
中频炉可控硅频繁烧坏原因及解决方法
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中频炉可控硅频繁烧坏原因及解决方法在生产过程中,可控硅是属于比较薄弱的一个部位,很容易出现问题,甚至出现频繁烧坏的故障,十分影响生产工作及效率。
要想找出故障原因,还需要注意中频炉维修注意事项,下面介绍一下中频炉烧硅原因。
一、中频炉可控硅烧坏原因1、水垢过多有时观察水冷套的出水量和压力是足够的,但经常由于水质问题,在水冷套的壁上附着一层水垢,由于水垢是一种导热性级差的物体,虽然有足够的水流量流过,但因为水垢的隔离是其散热效果大大降低。
2、接触不良当槽路连接导线有接触不良或断线情况时,功率升到一定值后会产生打火现象,影响了设备的正常工作,从而导致设备保护动作。
有时因打火时会在可控硅两端产生瞬时过电压,如果过压保护动作来不及,会烧坏可控硅元件。
该现象经常会出现过电压、过电流同时动作。
3、负载对地打火负载回路的绝缘降低,引起负载对地间打火,干扰了脉冲的触发时间或在可控硅两端形成高压,烧坏可控硅元件。
4、毛刺电压过高在中频电源的主电路中,瞬时反相毛刺电压是靠阻容吸收来吸收的。
如果吸收电路中电阻、电容开路均会使瞬时反相毛刺电压过高烧坏可控硅。
在断电的情况下用万秀表测量吸收电阻阻值、吸收电容容量,判断是否阻容吸收回路出现故障。
5、逆变脉冲在设备运行时如果突然丢失触发脉冲,将造成逆变开路,中频电源输出端产生高压,烧坏可控硅元件。
这种故障一般是逆变脉冲形成、输出电路故障,可用示波器进行检查,也可能是逆变脉冲引线接触不良,可用手摇晃导线接头,找出故障位置。
6、负载开路当设备正在大功率运行时,如果突然负载处于开路状态,将在输出端形成高压烧坏可控硅元件。
7、负载短路当设备在大功率运行时,如果负载突然处于短路状态,将对可控硅有一个很大的短路电流冲击,若过电流保护动作不不及保护,将烧坏可控硅元件。
8、保护失灵可控硅能否安全,主要是告保护系统来保证的,如果保护系统出现故障,设备稍有一点工作不正常,将危机到可控硅安全。
所以,当可控硅烧坏时对保护系统的检查是必不可少的。
可控硅操作保养规程
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可控硅操作保养规程前言可控硅作为一种广泛应用于电力电子技术中的器件,是电子技术领域中的重要组成部分,可控硅的质量与工作环境的严谨性直接关系到电子产品的有效性和使用寿命。
为保障设备的正常工作,延长设备的使用寿命,本文将介绍一些基本的可控硅操作和保养措施。
安全操作1.确认电路与系统停电,断开所有的连接线路,防止意外触电导致伤害或设备损坏。
2.穿戴静电防护服,并确认地线连接可靠,防止静电干扰对器件和电路的损害。
3.确认可控硅和其他器件的极性方向是否正确,防止器件损坏或其他工作故障。
正常操作1.遵循电路设计规范和使用说明,按照电路图连接器件和线路。
2.在电路开机后,需仔细观察系统运行情况,以确保电路正常工作。
3.在运行过程中,避免猛冲和过载,以免损坏可控硅器件和其他器件。
4.如遇电压不足或者其他异常情况,应及时停机检修。
5.定期测量并记录可控硅和其他器件的特性,以及电路参数的变化情况,防止因参数变化导致的工作故障。
保养保管1.定期进行器件的清洁,以消除积尘和杂质。
2.定期检查可控硅器件的连接线路和散热器的散热情况,以保持散热能力,防止因过热导致的器件损坏。
3.确保设备延长使用寿命,建议定期更换器件、连接器等易损件。
4.设备停止使用时,应拔掉所有电源线和控制线,并妥善保管设备。
总结在日常的可控硅操作过程中,我们应该遵循一系列的规范和操作步骤,从而保证设备的正常工作,延长设备的使用寿命。
同时,在保养保管上,我们也应该注意到对器件的清洁、散热器的散热、易损件的更换等,以保障设备的稳定性和可靠性。
相信在日常实践中,我们采取这些措施,一定会推动更多的可控硅应用于电子产品领域。
可控硅失效模式及其预防
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在电气设计中如果在可控硅两端施加了 过高的di/dt,会导致靠近控制极的金属 层穿通,见右图四。
表现为A1和A2之间短路或正反向耐压失效。
图三
图四
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预防
因过压而致, 应选耐压高的可控硅产品或在可控 硅A1和A2之间加压敏电阻。
可控硅失效模式及其如何预防1 Nhomakorabea21 A A G
失效模式
像其它功率元器件一样, 可控硅在可能会受到以下应力冲击: 机械应力 热应力 电气应力 如果超过元器件本身规格值后 会导致失效,一般来讲,可控硅失效会表现以下几种: 第一阳极(A1)和第二阳极(A2)之间短路或开路; 第一阳极(A1)和第二阳极(A2)之间出现半导通(对双向可控硅而言); 第一阳极(A1)和控制极(G)之间的短路或开路; 第二阳极(A2)和控制极(G)之间的短路或开路; 上述四种失效中, 第一和第二种失效是经常发生的!
3
热应力
在设计过程中如果可控硅表面或内部结点温度过高, 也会导致失效,原因是温度过高后, 导致漏电流等参数急剧增加,使得可控硅控制极失去控制。表现为短路/开路或半导通; 以下是基本的热应力计算:
Tjmax<Ta+Pd×[Rth(j-c)+Rth(c-h)+Rth(h-a)]
或
Tjmax<Ta+ΔT(j-a)
STCC08规格书,请双击:
更多介绍:
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附件二:ST可控硅产品失效分析流程
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机械应力
过大的机械应力可造成可控硅失效,在受到撞击或挤压后, 可控硅内部晶圆会因外力作用 而导致变形, 甚至导致晶圆和散热器之间脱落,导致散热不良而损坏。表现为半导通等。
可控硅励磁装置故障现象分析及处理措施

可控硅励磁装置故障现象分析及处理措施摘要:可控硅励磁是近年来水电站较为常用的发电机励磁方式,但故障发生率比较高,直接影响生产效益,正确分析故障并科学处理是关键。
本文结合实际应用实例,就可控硅励磁装置故障现象,进行了技术分析,并给出了相应的处理措施,对于排除水电站可控硅励磁故障具有很好的参考价值。
关键词:励磁装置;故障;谐波;处理效果SCR excitation device fault phenomena analysis and treatment measuresYeJianMingHuizhou longmen county heaven mountain reservoir administration of guangdong longmen 516800 Pick to: SCR excitation hydropower station is more common in recent years is the generator excitation mode, but the failure rate is higher, directly affect the production efficiency, the correct analysis of the fault and scientific processing is the key. Combined with practical examples, and SCR excitation device fault phenomena, the technical analysis, and gives the corresponding treatment measures, to eliminate hydropower station SCR excitation faults has good reference value.Key words: excitation device; The fault; Harmonic; The treatment effect可控硅励磁装置是一个可自动调节的励磁系统,它把电力系统信号经过一定的变换后,作为调节器的输入信号,并与给定信号相比较,产生相应的脉冲信号去控制功率单元的输出,达到自动调节系统无功功率的目的。
防止损坏硅碳棒的几大措施

ω ≤¢8mm棒配阻,电阻值允差≤0.5ω 3、硅碳棒硬而脆,在搬运、开箱和安装、维修 时要物特别小心,以免损坏。 4、电炉在开始通电运行时,要逐渐缓慢升压
,不可一次加满负荷,否则会因冲击电流过大、 而造成硅碳棒损坏。 5、长期使用,个别棒损坏而需要更换时,要根 据电阻增长情况,选配换上符合配组要求的新棒。 若炉内棒损
脆缩短寿命。硅碳棒与碱金属、碱、硅酸盐、硼 化物等接触会产生腐蚀,所以要避免它们与棒体 接触。 12、硅碳棒在安装时,不能于保温材料接触,要 用高温绝缘好的瓷管隔开
。以免因为漏电打弧,造成墙体变暗。 工业电炉对耐火制品有哪些具体要求:硅碳棒的 使用方法
/a/chanpinzhanshi/shangyongji/2014110684.html 硅碳棒或者硅碳棒厂家 yuh
坏较多,或阻值增长过大,应全部更新硅碳棒。 第一次使用硅碳棒的电炉,一段时间后如产生断 棒,应进行整体更换。更换下来的旧棒,用来替 换在以后使用时产生的断棒换。 6、两边炉墙穿棒孔尽量保持同心。孔的直径为 所安装硅碳棒直径的1.5倍间隙用石棉或硅酸铝 纤维堵塞。 7、硅碳棒在长期使用
后,电阻会缓慢增加,为确保运行正常,延长使 用寿命,最好配备相应的调压变压器。 8、棒两端白色物为喷铝,主要是减小棒夹与棒 的接触电阻受潮后易变质,如发现变质应及
性能好但容易损坏,下面介绍容易损坏硅碳棒的 几个注意事项 1、硅碳棒受潮后易崩裂,gd棒接点受潮后易断 损,因此,硅碳棒在存放,安装使用过程中要注 意防潮,以免影响
其寿 命。 2、为保证炉温及棒承受负荷均匀,安装前要进 行配组,每组硅碳棒阻值偏差不得超过10%。配 阻的电阻允差为: ≥¢12mm棒配阻,电阻值允差≤0.2
硅碳棒是用高纯度绿色六方碳化硅为主要原料, 按一定料比加工制坯,经2200℃高温硅化再结晶 烧结而制成的棒状、管状非金属高温电热元件。 氧化性气氛中正常使用温度可达1
可控硅 防误触发电阻

可控硅防误触发电阻可控硅是一种常用的电子器件,具有防误触发电阻的特性,可以帮助我们避免误操作带来的不良后果。
在本文中,我们将介绍可控硅的基本原理、工作方式以及它在电子领域中的应用。
可控硅,也被称为双向可控硅或晶闸管,是一种半导体器件。
它由四层的半导体材料构成,有三个电极:阳极、阴极和门极。
可控硅的工作原理是基于PNPN结构的特性,当施加在门极上的电压达到一定阈值时,可控硅将会导通,形成一个通路,允许电流流过。
而当门极上的电压低于阈值时,可控硅处于关断状态,电流无法通过。
可控硅的防误触发电阻是指,在正常工作条件下,它可以防止外部因素引起的误触发。
这是由于可控硅的触发电压较高,需要达到一定的门极电压才能使其导通。
因此,只有在特定的条件下,如正确的电压和电流施加,可控硅才会工作,避免了误操作的发生。
可控硅在电子领域中有广泛的应用。
其中一个主要的应用领域是交流电控制。
可控硅可以用来控制交流电的电流大小和相位,实现对电器设备的控制。
例如,可控硅可以用于调光器,通过控制交流电的导通时间来调节灯光的亮度。
此外,可控硅还可以用于电动机的速度控制、电炉的温度控制等。
另一个重要的应用是电力电子领域。
可控硅可以用于直流电源的开关控制,实现电流的稳定和保护。
例如,在直流电源中,可控硅可以用于过流保护,当电流超过设定值时,可控硅会自动切断电路,避免电路和设备的损坏。
可控硅还可以用于电力传输和变换装置,如交流电变压器和电力调制装置。
可控硅的高电压和高电流特性使其非常适合在这些设备中使用,能够实现高效率的能量传输和转换。
可控硅作为一种重要的电子器件,具有防误触发电阻的特性,可以帮助我们避免误操作带来的不良后果。
它在交流电控制和电力电子领域中有广泛的应用,可以实现电流的控制和保护,提高能量传输和转换的效率。
通过合理使用可控硅,我们可以更好地应对各种电子设备和系统的需求,确保它们的安全和稳定运行。
如何预防可控硅过流击穿

如何预防可控硅过流击穿1. 什么是可控硅过流击穿可控硅过流击穿是指在可控硅电流超过其额定值时,电流无法在规定时间内被打断,导致可控硅被损坏或烧毁的现象。
可控硅过流击穿不仅会带来设备损坏,还会导致生产事故和安全隐患。
2. 预防可控硅过流击穿的措施为了预防可控硅过流击穿,我们可以采取以下措施。
2.1 合理选用可控硅在设计电路时,应根据实际需求合理选用可控硅。
注意可控硅的额定电流和电压是否满足电路的要求,避免可控硅因过大电流而过载工作,从而导致击穿。
2.2 确保散热良好高温是可控硅过流击穿的主要原因之一。
在电路布局和设计过程中,应确保可控硅能够得到良好的散热。
可以采用散热片、散热器等散热设备,增加可控硅的散热面积和热量散发速度,有效降低温度,减少过流击穿的发生。
2.3 引入保护电路为了防止可控硅过流击穿,可以在电路中引入保护电路。
保护电路可以通过感测电流大小,当电流超过预设值时,自动切断电路,防止可控硅过载。
常见的保护电路包括过流保护电路、过压保护电路等。
2.4 使用保险丝或熔断器为了防止可控硅过流击穿,可以在电路中安装保险丝或熔断器。
保险丝或熔断器是一种能够在电流超过一定值时熔断的保护设备。
在电路中安装保险丝或熔断器,当电流超过可控硅的额定值时,保险丝或熔断器会自动断开电路,防止过流击穿。
2.5 提供可靠的电源供应有效的电源供应是防止可控硅过流击穿的关键。
确保电源供应的稳定性和可靠性可以有效预防可控硅过载工作。
在设计电路时,应合理选用电源设备,并配备过压保护、过流保护等电源保护措施。
3. 总结可控硅过流击穿是一种常见的故障现象,但通过合理选用可控硅、确保散热、引入保护电路、使用保险丝或熔断器以及提供可靠的电源供应,我们可以预防可控硅过流击穿的发生,保证电路的稳定工作,延长设备的使用寿命。
在实际设计和维护电路时,我们应该始终注意并采取相应的措施来预防可控硅过流击穿的发生。
可控硅中频电源安全操作规程

可控硅中频电源安全操作规程一、引言本规程旨在确保可控硅中频电源的安全操作,保障工作人员的人身安全及设备的正常运行。
所有相关人员必须遵守本规程,严格执行操作要求。
二、安全准备1. 操作人员应接受岗前培训并取得相关资质,了解可控硅中频电源的工作原理和操作方法,熟悉各个控制面板和仪器设备的使用方法。
2. 在操作过程中,操作人员应穿戴符合要求的工作服和防护设备,包括绝缘手套、防护眼镜、防护口罩等,并保持良好的个人卫生习惯。
3. 操作前应检查设备的接地情况,确保可控硅中频电源与地线连接良好,避免漏电和触电风险。
4. 操作前应检查相关设备的工作状态,确认无明显故障和异常情况后方可进行操作。
三、操作要求1. 在操作可控硅中频电源之前,先关闭所有有关设备和电源,并将电源开关置于“OFF”位置。
2. 操作人员在接通电源前,应将所有的开关置于默认位置,确保所有设置均处于初始状态。
3. 预热过程中应注意观察设备的工作状态,如发现异常情况应立即停止操作,并上报相关人员进行检修。
4. 在设备处于工作状态下,按照操作要求调节各项参数,确保设备能够正常运行,并达到所需的工作效果。
5. 在操作过程中严禁使用生锈、损坏的工具,如有需要应及时更换。
6. 操作人员应定期对设备进行检修和维护,确保设备的正常运行,如发现设备存在问题,应及时上报并请专业人员处理。
7. 操作结束后,应将所有开关置于“OFF”位置,并断开电源。
清理工作台面和周围环境,保持工作区域的整洁。
四、应急措施1. 如发生设备故障或异常情况,操作人员应立即停止操作,并按照安全规程和操作手册中的流程进行处理。
2. 发生火灾时,操作人员应立即按照应急预案进行疏散,并及时报警和采取灭火措施。
3. 发生触电事故时,操作人员应立即切断电源,并进行急救措施,将受伤人员送往医院进行治疗。
五、注意事项1. 操作人员应遵守相关安全制度和操作规程,严禁擅自操作、改变设备参数或超负荷使用设备。
电器使用中的防止电容器老化引发的设备故障预防措施
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电器使用中的防止电容器老化引发的设备故障预防措施电容器是电气设备中常见的元件之一,具有存储电能、分配电能和滤波等功能。
然而,随着使用时间的增长,电容器可能会老化,对设备的正常运行产生不良影响甚至引发故障。
因此,在电器使用中,防止电容器老化是非常重要的。
下面将介绍一些预防措施以确保电容器的使用寿命和设备的正常运行。
首先,选择合适的电容器是防止老化的重要步骤之一。
在选购电容器时,应根据设备的需求和工作环境选择合适的电容器。
同时,要了解电容器的特性,例如耐温性、耐压性和容量等方面的指标。
这样可以确保电容器在使用环境下能够正常工作,避免因环境条件不适应而引发老化。
其次,正确安装和使用电容器也是防止老化的关键。
在安装电容器时,应按照产品说明书或专业人士的指导进行操作,确保电容器的接线正确无误。
此外,注意电容器与其他元件之间的空间,避免因过热或过密而影响电容器的散热和使用寿命。
在使用过程中,要确保电容器的工作温度不超过其额定温度,避免过高的温度导致电容器老化加速。
此外,及时检测和更换老化的电容器也是非常重要的。
电容器的老化可能会导致容量下降、电阻增加和内阻增大等问题,进而引发设备故障或性能下降。
因此,定期检测电容器的状态是必要的。
可以通过使用电容器测试仪等专业设备对电容器进行电容、电阻和内阻等方面的测试,以判断其是否存在老化现象。
一旦发现老化的电容器,应及时更换以避免故障的发生。
此外,维护电容器的工作环境也是防止老化的一项重要工作。
电容器的工作环境应保持干燥、清洁和稳定。
湿度、污染物和振动等因素都可能加速电容器的老化。
因此,在使用电容器的环境中,可以使用湿度控制设备和滤波器等装置来保持环境干燥和清洁。
同时,可以通过减少震动和冲击来保护设备和电容器,避免由此引发的老化问题。
综上所述,防止电容器老化引发设备故障的预防措施包括选择合适的电容器、正确安装和使用电容器、定期检测和更换老化的电容器,以及维护电容器的工作环境。
双向可控硅的使用注意事项电子元器件
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双向可控硅的使用留意事项 - 电子元器件目前沟通调压多接受双向可控硅,它具有体积小、重量轻、效率高和使用便利等优点,对提高生产效率和降低成本等都有显着效果,但它也具有过载和抗干扰力量差,且在把握大电感负载时会干扰电网和自干扰等缺点,下面我们来谈谈可控硅在其使用中如何避开上述问题。
1.灵敏度双向可控硅是一个三端元件,但我们不再称其两极为阴阳极,而是称作T1和T2极,G为把握极,其把握极上所加电压无论为正向触发脉冲或负向触发脉冲均可使把握极导通,但是触发灵敏度互不相同,即保证双向可控硅能进入导通状态的最小门极电流IGT是有区分的。
2.可控硅过载的爱护可控硅元件优点很多,但是它过载力量差,短时间的过流,过压都会造成元件损坏,因此为保证元件正常工作,需有条件:(1)外加电压下允许超过正向转折电压,否则把握极将不起作用;(2)可控硅的通态平均电流从平安角度考虑一般按最大电流的1.5~2倍来取;(3)为保证把握极牢靠触发,加到把握极的触发电流一般取大于其额值,除此以外,还必需实行爱护措施,一般对过流的爱护措施是在电路中串入快速熔断器,其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在沟通侧或直流侧,当在沟通侧时额定电流取大些,一般多接受前者,过电压爱护常发生在存在电感的电路上,或沟通侧消灭干扰的浪涌电压或沟通侧的暂态过程产生的过压。
由于,过电压的尖峰高,作用时间短,常接受电阻和电容吸取电路加以抑制。
3.把握大电感负载时的干扰电网和自干扰的避开可控硅元件把握大电感负载时会有干扰电网和自干扰的现象,其缘由是当可控硅元件把握一个连接电感性负载的电路断开或闭合时,其线圈中的电流通路被切断,其变化率极大,因此在电感上产生一个高电压,这个电压通过电源的内阻加在开关触点的两端,然后感应电压一次次放电直到感应电压低于放电所必需的电压为止,在这一过程中将产生极大的脉冲束。
这些脉冲束叠加在供电电压上,并且把干扰传给供电线或以辐射形式传向四周空间,这种脉冲具有很高的幅度,很宽的频率,因而具有感性负载的开关点是一个很强的噪声源。
可控硅触发器安全操作及保养规程
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可控硅触发器安全操作及保养规程前言可控硅触发器是一种常见的电力控制器件,用于控制电子设备的开关和变化,是现代电子技术和电气控制中的重要组成部分。
在实际使用中,由于温度、电压、电流等因素的影响,可控硅触发器也容易出现故障或损坏,因此,在操作和保养可控硅触发器时,必须注意安全。
安全操作1. 接线前的准备在接线可控硅触发器之前,必须确保已经断开了设备的电源,以防止电击或损坏设备。
同时,需要检查可控硅触发器是否与电源供应电压匹配,在连接过程中,应该采用相同规格的电缆和插头,以免产生短路或过电流的风险。
2. 连接线路在连接线路时,必须先确认接线图,然后将连接电缆插头插入设备的接口中。
需要注意的是,插头连接要紧,不能出现接触不良的情况,否则会对设备的正常工作产生不良影响。
3. 调试工作在完成连接线路后,需要进行设备的调试工作,确保设备工作正常。
对于大功率设备,建议采用分段调试的方式,依次接入各个回路,以避免发生电压冲击,对设备造成损伤。
4. 安全保护在使用过程中,需要根据设备的工作特点,设计合理的安全保护措施,以避免设备的损坏或故障。
例如,需要安装过电压保护器、过流保护器、温度保护器等安全措施,同时可以设置可控硅触发器的工作温度、工作电流等参数,以确保设备工作在安全的范围内。
保养规程1. 维护前的准备在设备需要进行维护或保养时,应先将设备的电源切断,并将设备的工作状态记录下来,同时对设备进行全面的检查,检查是否有开裂、膨胀、变形等问题,如有,则应及时更换损坏部件。
2. 清洁工作在清洁时,应先清除设备表面上的杂质,如将设备放置于干净的工作台上,用专用工具清除表面污物。
需要注意的是,保养人员要穿戴好防静电服,避免因静电引起不必要的设备故障。
3. 维修工作维修工作一般由专业人员进行,重要是对设备故障产生的原因进行全面分析和判断,以确定维修方案。
同时,在维修时,要根据设备类型和故障情况,选用合适的维修方法和工具,以确保维修工作的安全和准确性。
你的可控硅整流器需要具备这些保护措施
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你的可控硅整流器需要具备这些保护措施
可控硅整流器作为一种重要的元件,在很多电路系统中都是不可缺少的组成部分,而较大容量的可控硅元件能够保障其安全正常运行。
然而,为了使可控硅整流器可靠的工作,还必须加上各种保护,这样才能有效的防止雷击、元件损坏、桥臂过热等问题。
本文在这里总结了几种必备的可控硅保护措施,与大家一起分享。
晶闸管关断过电压保护
该种可控硅保护措施,能够为可控硅整流器提供基础的安全保障。
配备有晶闸管关断过电压保护的整流器一旦出现故障,可以防止晶闸管被过电压击穿。
当整流器发生故障时,晶闸管从导通到阻断,线路电感将会释放能量产生过电压。
由于晶闸管在导通期间载流子充满元件内部,在关断过程中管子在反向作用下,正向电流下降到零时,元件内部残存着载流子。
这些载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流,使残存的载流子迅速消失。
这时反向电流减小即diG/dt极大,产生的感应电势很大,这个电势与电源串联,反向加在已恢复阻断的元件上,可导致可控硅反向击穿,其数值可达工作电压的5—6倍。
因此,在晶闸管两端并接阻容吸收电路是十分有必要的。
交流侧过电压保护
在可控硅整流器的保护措施中,交流侧过电压保护措施也是必须具备的重要安全保障之一。
由于交流侧电路在接通或断开时出现暂态过程,此时便会产生操作过电压。
高压合闸的瞬间,由于初次级之间存在分布电容,初级高压经电容耦合到次级,出现瞬时过电压,很容易对可控硅造成损伤。
设置交流侧过电压保护其实并不难操作,工程师仅需在三相变压器次级星形中点与地之间并联适当电容,就可以有效的减小这种过电压。
可控硅防护等级
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可控硅防护等级
可控硅(Silicon Controlled Rectifier,简称SCR)作为一种电子元件,主要用
于交流电路中的整流、交直流转换等。
在实际应用中,可控硅的防护等级主要涉及到其封装、绝缘和防护措施等方面。
根据IP防护等级标准,可控硅的防护等级可以分为以下几类:
1. 无防护(IP00):可控硅的封装无特殊防护措施,对外界的人或物无特殊防护。
2. 防止水滴侵入(IP10):可控硅的封装能防止垂直落下的水滴侵入,避免对电器造成损坏。
3. 防止喷溅水侵入(IP20):可控硅的封装能防止来自任何方向的水喷溅侵入,确保电器正常运行。
4. 防止水雾侵入(IP30):可控硅的封装能在高温和高湿度环境下防止水雾侵入,保证电器性能稳定。
5. 防止海水和盐雾侵入(IP50):可控硅的封装能有效防止海水和盐雾侵入,适用于海洋环境下使用。
6. 高度防护(IP60以上):可控硅的封装具有高度防护性能,能抵御各种恶劣环境,如强烈腐蚀、高温、高压等。
需要注意的是,以上防护等级主要是针对可控硅的封装和绝缘性能而言。
在实际应用中,可控硅的防护等级还需结合其工作环境、电压、电流等参数来综合考虑。
选用合适防护等级的可控硅,可以确保其在恶劣环境下正常工作,并延长使用寿命。
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October 23, 2011
损坏原因
损坏特征
解决方案
过流击穿 IVTM大于180
电子元器件表面有烧焦现象, 选择可控硅VDRM和 痕迹特征是芯片出现坑洞 VRRM为元件最大峰 值电压UM的2-3倍
COMPANY CONFIDENTIAL 12 Subject / Department / Author October 23, 2011
COMPANY CONFIDENTIAL 13 Subject / Department / Author October 23, 2011
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October 23, 2011
这是损坏的可控硅(hydrox#1) 这是损坏的可控硅
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October 23, 2011
这是SCR的冷却风扇 运行正常 ) 的冷却风扇( 这是 的冷却风扇
COMPANY CONFIDENTIAL 10 Subject / Department / Author October 23, 2011
基本参数
TYPE
SKKT106B-14E
ITAV 115
IVTM 180
VRRM 1400
ITAV -- 通态平均电流 IVTM -- 通态峰值电流 VRRM -- 反向峰值电压
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October 23, 2011
避免可控硅损坏对产品造成不良后果
编制: 编制: 王林 岗位: 岗位: 扩散 2010-12-29 2010-12-
概
述
事件:2月19日14:40 接到操作员通知HYDROX1# 出现MFPROTOL报 警 查: 扩散炉正在运行PYRO6程序, m-zone 设定温度945,实际温度 1104, 功率1,2,3均为0% 判断:SCR 被击穿短路,导致温度持续快速上升 处理:拉闸断电 后果:由于温度上升过快,6批lot片子呈周边焦灼状
Hydrox#1 SCR 损坏的主要原因是设计能力低 一般来说可控硅的通态平均电流一 损坏的主要原因是设计能力低;一般来说可控硅的通态平均电流一 般是炉体电阻丝通过最高电流 电流的 ~ 倍 我们现场设备的 般是炉体电阻丝通过最高电流的1.5~2倍.我们现场设备的 SCR通态平均电流是 通态平均电流是 115安培 它的安全范围应该是 安培,它的安全范围应该是 安培,所以必须更换大容量的 安培 它的安全范围应该是270—360安培 所以必须更换大容量的 安培 所以必须更换大容量的SCR
过热击穿
内部温度较长时间高于80 摄氏度
同上
检查风扇的转数是否 正常,环境温度也不 能太高;保持可控硅 与散热器之间的接触 面接触良好 检查可控硅两端RC 吸收回路是否有烧坏 或失效的,即可避免 干扰脉冲所引起的瞬 间过压
过压击穿
反向重复峰值电压超过 1400
芯片中有一个光洁的小孔
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October 23, 2011
可控硅损坏原因
(一)过压击穿
(二)过流击穿 (三)过热击穿
COMPANY CONFIDENTIAL
可控硅损坏原因
1 过压击穿: 可控硅不能承受电压而损坏,可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间 的,即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿 2 过流击穿: 过流击穿就是电流超过额定电流,并在可控硅芯片内部产生热效应,使芯 片温度升高,失效且不能恢复 3 过热击穿: 这里所说的过热击穿是指在工作电流并不超过可控硅额定电流的情况下 而发生的热击穿
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October 23, 2011
SEMIKRON 西门康
SKKT106B-14E
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October 23, 2011
COMPANY CONFIDENTIAL 11 Subject / Department / Author October 23, 2011
解决方案
ห้องสมุดไป่ตู้
1.首先更换原有SCR的型号,使其最大峰值电流在270—360区间 . 2 对高温高电流以及由于温度故障不易返工的炉管SCR进行更换,主要是 phose-drive ,iso-drive , hydrox . 3 加强全员对设备的监控,对积极发现设备问题并及时上报避免出现产 品损失的员工给予奖励